TWI671803B - 氣體供給裝置及氣體供給方法 - Google Patents

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TWI671803B
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青木典
三神克己
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日商昭和電工股份有限公司
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Abstract

本發明之氣體供給裝置係為了將由液體化合物所汽化之氣體化合物供給至目標處為止之氣體供給裝置，其具有可收容前述液體化合物之儲藏容器、一端連接於前述儲藏容器，另一端可配置於前述目標處之氣體化合物供給配管、與將前述儲藏容器內之前述氣體化合物或液體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之溫度控制裝置。

Description

氣體供給裝置及氣體供給方法
[0001] 本發明係關於為了將由液體化合物所汽化之氣體化合物供給至目標處為止之氣體供給裝置及氣體供給方法。
[0002] 當使用化學蒸鍍（CVD）裝置來製造薄膜時，原料係以氣體形態被供給至CVD裝置。又，當使用蝕刻裝置來將薄膜等進行蝕刻時，蝕刻劑係以氣體形態被供給至蝕刻裝置。 　　在此等原料或蝕刻劑為液體的情況，係使該液體汽化來供給至CVD裝置、蝕刻裝置等。作為如此般地使液體汽化來供給至各種裝置的技術，已知有各種技術。 　　例如，於專利文獻1中係記載有一種原料供給裝置，其係將液相狀態之原料汽化來供給至成長/合成裝置之CVD裝置的原料供給裝置，其於原料容器的下游側配置真空產生裝置，並設有從真空產生裝置的內部將載體氣體導入真空產生裝置的下游側之配管的氣體導入手段。 　　於專利文獻2中係記載有一種將載體氣體送至封入有液體有機金屬化合物的容器，而將液體有機金屬化合物與載體氣體一起供給的裝置。 　　於專利文獻3中係記載有一種汽化供給方法，其係將原料加熱並使其汽化來供給至氣體流量控制部，並藉由該氣體流量控制部進行流量控制，而無伴隨同行氣體地對半導體製造裝置進行供給。 　　[0003] 又，使用六氟苯作為蝕刻氣體係為周知（專利文獻4、5）。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1] 日本特開2003-268551號公報 　　[專利文獻2] 日本特開平7-161638號公報 　　[專利文獻3] 日本特開2003-332327號公報 　　[專利文獻4] 日本特公平1-60938號公報 　　[專利文獻5] 日本特開2008-172184號公報
[發明所欲解決之課題] 　　[0005] 在如專利文獻1般地將原料加熱並使其汽化的情況，當將汽化後的原料氣體供給至CVD裝置時，在輸送配管內原料氣體會被冷卻而凝縮，而有配管堵塞的問題。因此，於專利文獻1中，為了防止原料附著於配管內部，而於輸送配管鋪設管線加熱器，但，產生了花費加熱器之設置費用或運轉費用，又無法防止凝縮的情況。 　　在如專利文獻2般地使載體氣體於原料液體中起泡（bubbling）的情況，有原料氣體之供給量不安定的問題。 　　在如專利文獻3般地使原料容器以加熱器等進行加熱的情況，與專利文獻1相同地，當將汽化後的原料氣體供給至半導體製造裝置時，在輸送配管內原料氣體會被冷卻而凝縮，而有配管堵塞的問題。 　　[0006] 本發明係鑑於上述之點而完成者，提供一種無論是否於配管設置有加熱器等之凝縮防止手段，又即使不使用載體氣體，亦可將液體化合物在配管內無凝縮地進行供給的氣體供給裝置及氣體供給方法。 [用以解決課題之手段] 　　[0007] 本發明者們進行努力探討的結果，發現藉由將儲藏容器內之液體化合物或是液體化合物汽化後的氣體化合物的溫度控制於氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下，而可解決上述課題。 　　亦即，本發明係關於以下之[1]～[21]。 　　[1]一種氣體供給裝置，其係為了將由液體化合物所汽化之氣體化合物供給至目標處為止之氣體供給裝置，其具有可收容前述液體化合物之儲藏容器、一端連接於前述儲藏容器，另一端可配置於前述目標處之氣體化合物供給配管、與將前述儲藏容器內之前述氣體化合物或液體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之溫度控制裝置。 　　[2]如上述[1]之氣體供給裝置，其中，前述溫度控制裝置具有測定前述儲藏容器內之前述液體化合物的溫度之液體溫度測定裝置、及接收關於藉由前述液體溫度測定裝置所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置。 　　[0008] [3]如上述[1]或[2]之氣體供給裝置，其中，前述溫度控制裝置具有測定前述儲藏容器內之前述氣體化合物的溫度之氣體溫度測定裝置、及接收關於藉由前述氣體溫度測定裝置所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置。 　　[4]如上述[1]～[3]中任一項之氣體供給裝置，其中，前述溫度控制裝置具有測定前述儲藏容器內之前述氣體化合物的壓力之壓力測定裝置、及接收關於藉由前述壓力測定裝置所測定之測定壓力的信號，並以使前述測定壓力成為，與前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度相同溫度時之前述氣體化合物之飽和蒸氣壓以下的方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置。 　　[5]如上述[1]～[4]中任一項之氣體供給裝置，其具有測定前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度，並將關於前述周圍的溫度之信號傳送至前述熱傳裝置之周圍溫度測定裝置。 　　[0009] [6]如上述[1]～[5]中任一項之氣體供給裝置，其中，前述儲藏容器具有儲藏容器本體、與將前述儲藏容器本體之前述氣體化合物所存在的領域與前述氣體化合物供給配管進行連接之連接配管，前述連接配管為由前述儲藏容器本體側朝向前述氣體化合物供給配管側，由水平向上方傾斜。 　　[7]如上述[1]～[6]中任一項之氣體供給裝置，其於前述氣體化合物供給配管的途中設置有質量流量控制器。 　　[8]如上述[1]～[7]中任一項之氣體供給裝置，其中，前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力高於前述目標處的壓力。 　　[9]如上述[1]～[8]中任一項之氣體供給裝置，其具有容納前述儲藏容器、前述溫度控制裝置及前述氣體化合物供給配管之收納容器或容納室。 　　[10]如上述[9]之氣體供給裝置，其中，前述收納容器或容納室具有控制前述收納容器或容納室之內部空間的溫度之空調裝置。 　　[0010] [11]一種氣體供給方法，其係將由容納於儲藏容器內之液體化合物所汽化之氣體化合物，介由氣體化合物供給配管，供給至目標處為止之氣體供給方法，其將前述儲藏容器內之液體化合物或氣體化合物的溫度，控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下。 　　[12]如上述[11]之氣體供給方法，其具有下述之初期運轉步驟， 　　初期運轉步驟：冷卻前述儲藏容器，將前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下，之後將前述儲藏容器內之前述氣體化合物，介由前述氣體化合物供給配管，供給至目標處為止之步驟。 　　[13]如上述[11]或[12]之氣體供給方法，其具有下述之固定運轉步驟， 　　固定運轉步驟：將前述儲藏容器內之前述氣體化合物，介由前述氣體化合物供給配管，供給至目標處為止，同時將經由前述液體化合物之汽化所消耗之熱能補給至前述儲藏容器內之步驟。 　　[14]如上述[11]～[13]中任一項之氣體供給方法，其係將前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下的特定值。 　　[15]如上述[14]之氣體供給方法，其中，當前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度達到前述設定溫度範圍的上限值時，將前述儲藏容器進行冷卻。 　　[0011] [16]如上述[14]或[15]之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為5～40℃之範圍內的特定值，前述設定溫度範圍的下限值為5～40℃之範圍內的特定值，前述儲藏容器內之氣壓下的前述液體化合物的沸點高於前述上限值，前述儲藏容器內之氣壓下的前述液體化合物的熔點低於前述下限值。 　　[17]如上述[11]～[16]中任一項之氣體供給方法，其係測定容納於前述儲藏容器內之前述液體化合物的溫度，基於前述測定溫度，藉由進行對前述液體化合物之熱交換，將前述液體化合物之測定溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下的特定值。 　　[18]如上述[11]～[17]中任一項之氣體供給方法，其係測定存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的溫度，基於前述測定溫度，藉由進行對前述液體化合物之熱交換，將前述氣體化合物之測定溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下的特定值。 　　[0012] [19]如上述[11]～[18]中任一項之氣體供給方法，其中，測定存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力，以使存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力成為，設定成與前述氣體供給配管之周圍的溫度相同溫度時之前述液體化合物之飽和蒸氣壓以下的方式，藉由控制對前述液體化合物之熱交換，將前述氣體化合物或液體化合物之測定溫度控制於設定溫度範圍內。 　　[20]如上述[11]～[19]中任一項之氣體供給方法，其使用如上述[1]～[10]中任一項之氣體供給裝置。 　　[21]如上述[11]～[20]中任一項之氣體供給方法，其中，目標處為CVD裝置或蝕刻裝置。 [發明效果] 　　[0013] 依據本發明，可提供無論是否於配管設置有加熱器等之凝縮防止手段，又即使不使用載體氣體，亦可將液體化合物在配管內無凝縮地進行供給的氣體供給裝置及氣體供給方法。
[0015] 本實施形態之氣體供給裝置係為了將由液體化合物所汽化之氣體化合物供給至目標處為止之氣體供給裝置，其係具有可收容前述液體化合物之儲藏容器、一端連接於前述儲藏容器，另一端可配置於前述目標處之氣體化合物供給配管、與將前述儲藏容器內之前述氣體化合物或液體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之溫度控制裝置。 　　依據該氣體供給裝置，可將儲藏容器內之氣體化合物或液體化合物的溫度控制於氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）。因此，低於氣體化合物供給配管之周圍的溫度之氣體化合物係藉由在氣體化合物供給配管流動而被加熱。藉此，由於氣體化合物供給配管內的環境比儲藏容器內的環境更不易凝縮，因此可防止儲藏容器內的氣體化合物在供給配管內流動時凝縮。 　　在此，為了將前述氣體化合物之供給量維持為高，前述儲藏容器內之液體化合物的溫度與前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度之差，較佳為10℃以內，更佳為5℃以內。前述儲藏容器內之液體化合物的溫度與前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度之差，較佳為0～10℃，更佳為1～10℃，於某樣態中為2～10℃，於另一樣態中為2～8℃，於又另一樣態中為3～5℃。 　　[0016] 前述溫度控制裝置，亦可為具有測定前述儲藏容器內之前述液體化合物的溫度之液體溫度測定裝置、及接收關於藉由前述液體溫度測定裝置所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置。 　　如此般，可藉由基於儲藏容器內之液體化合物的溫度來控制熱傳裝置，而對儲藏容器內之液體化合物的溫度進行更安定地控制。 　　[0017] 前述溫度控制裝置，亦可為具有測定前述儲藏容器內之前述氣體化合物的溫度之氣體溫度測定裝置、及接收關於藉由前述氣體溫度測定裝置所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置者。 　　[0018] 前述溫度控制裝置，亦可為具有測定前述儲藏容器內之前述氣體化合物的壓力之壓力測定裝置、及接收關於藉由前述壓力測定裝置所測定之測定壓力的信號，並以使前述測定壓力成為，與前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度為相同溫度時之前述氣體化合物之飽和蒸氣壓以下（例如未達飽和蒸氣壓）的方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置者。 　　在此，為了使儲藏容器內之氣體化合物的壓力成為，與氣體化合物供給配管之周圍的溫度為相同溫度時之氣體化合物之飽和蒸氣壓以下（例如未達飽和蒸氣壓），必須使儲藏容器內之前述氣體化合物的溫度成為比氣體化合物供給配管之周圍溫度更低溫。因而，依據該溫度控制裝置，可藉由控制儲藏容器內之氣體化合物的壓力，而使儲藏容器內之氣體化合物的溫度成為比氣體化合物供給配管之周圍溫度更低溫。藉此，可防止儲藏容器內的氣體化合物在供給配管內流動時凝縮。 　　[0019] 氣體供給裝置，亦可具有測定前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度，並將關於周圍的溫度之信號傳送至前述溫度控制裝置之周圍溫度測定裝置。 　　藉此，即使在氣體化合物供給配管之周圍的溫度變化的情況，也可將儲藏容器內之氣體化合物或液體化合物的溫度控制於氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）。 　　[0020] 前述儲藏容器，亦可具有儲藏容器本體、與將前述儲藏容器本體之前述氣體化合物所存在的領域與前述氣體化合物供給配管進行連接之連接配管，前述連接配管為由前述儲藏容器本體側朝向前述氣體化合物供給配管側，由水平向上方傾斜。 　　藉此，即使在假設氣體化合物的一部分在連接配管內凝縮而成為液體化合物的情況，該液體化合物會沿著連接配管之傾斜而流落至儲藏容器內，因此，可防止連接配管阻塞。 　　[0021] 亦可於前述氣體化合物供給配管的途中設置有質量流量控制器。藉此，可精度佳地控制氣體化合物對目標處之供給量。 　　又，於前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力，較佳係高於前述目標處的壓力。藉由此壓力差，儲藏容器內的氣體化合物會被供給至目標處。 　　本實施形態之氣體供給裝置，較佳係具有容納前述儲藏容器、前述溫度控制裝置及前述氣體化合物供給配管之收納容器或容納室。藉此，可精度佳地控制儲藏容器內之氣體化合物或液體化合物的溫度或壓力。 　　前述收納容器或容納室，較佳係具有控制前述收納容器或容納室之內部空間的溫度之空調裝置。藉此，可防止氣體化合物供給配管之周圍的溫度大幅度變化。 　　[0022] 本實施形態之氣體供給方法係將由容納於儲藏容器內之液體化合物所汽化之氣體化合物，介由氣體化合物供給配管，供給至目標處為止之氣體供給方法，其係將前述儲藏容器內之液體化合物或氣體化合物的溫度，控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）。 　　依據該氣體供給方法，可將儲藏容器內之氣體化合物或液體化合物的溫度控制於氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）。藉此，可防止儲藏容器內的氣體化合物在供給配管內流動時凝縮。 　　[0023] 本實施形態之氣體供給方法，亦可具有下述之初期運轉步驟。 　　初期運轉步驟：將前述儲藏容器冷卻，並將前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度），之後將前述儲藏容器內之前述氣體化合物，介由前述氣體化合物供給配管，供給至目標處為止之步驟。 　　亦即，在運轉開始前，液體化合物係被密閉在儲藏容器內，因此，在儲藏容器內成為氣液平衡。因而，儲藏容器內的溫度不會因液體化合物之汽化而降低。因此，可推測在運轉開始時，儲藏容器內的溫度係與氣體化合物供給配管之周圍的溫度相同程度。因此，在運轉開始時，將儲藏容器冷卻，並將儲藏容器內之液體化合物或氣體化合物的溫度控制於氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度），之後將氣體化合物供給至目標處，藉此而可確實地防止氣體化合物供給配管內之堵塞。 　　[0024] 本實施形態之氣體供給方法，亦可具有下述之固定運轉步驟。 　　固定運轉步驟：將前述儲藏容器內之前述氣體化合物，介由前述氣體化合物供給配管，供給至目標處為止，同時將經由前述液體化合物之汽化所消耗之熱能補給至前述儲藏容器內之步驟。 　　亦即，於固定運轉步驟中，儲藏容器內的氣體化合物會被供給至目標處，又，相應於被供給的氣體化合物之量的液體化合物會進行汽化。由於熱能會因此液體化合物之汽化而被消耗，因此藉由將相應於此量的熱能補給至儲藏容器內，而可將儲藏容器內之氣體化合物及液體化合物的溫度保持一定。藉此，可防止起因於儲藏容器內之氣體化合物及液體化合物的溫度降低而降低對目標處之氣體化合物的供給量。 　　[0025] 本實施形態之氣體供給方法，亦可為將前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）的特定值。 　　於此情況中，藉由將設定溫度範圍的上限值與氣體化合物供給配管之周圍的溫度之間的溫度差增大，而可確實地防止氣體供給配管之堵塞。又，藉由將該溫度差縮小，而可增加對於目標處之氣體化合物的供給量。 　　[0026] 又，藉由將儲藏容器內的氣體化合物供給至目標處，與被供給至目標處的量等量的氣體化合物會藉由儲藏容器內之液體化合物的汽化而產生。藉由此時之汽化熱，儲藏容器內的溫度會降低。 　　因而，當前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度達到前述設定溫度範圍的上限值時，藉由使補給至儲藏容器內的熱能量比該汽化熱更少量，而可使前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度返回前述設定溫度範圍內（例如未達設定溫度的上限值）。 　　但，當儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度達到前述設定溫度範圍的上限值時，亦可將前述儲藏容器進行冷卻。藉此，由於可更快地使儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度返回前述設定溫度範圍內，因此可更確實地防止氣體供給配管之堵塞。 　　[0027] 又，在運轉開始時，較佳係首先將儲藏容器冷卻，並將儲藏容器內之液體化合物或氣體化合物的溫度控制於前述設定溫度範圍內（例如未達設定溫度的上限值），之後將儲藏容器內之氣體化合物供給至目標處。藉此，即使在運轉開始（運轉初期）時，亦可將儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度控制於氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之設定溫度範圍內。因此，當儲藏容器內之氣體化合物被供給至氣體供給配管時，可防止氣體供給配管堵塞。 　　[0028] 亦可設為：前述設定溫度範圍的上限值為5～40℃之範圍內的特定值，前述設定溫度範圍的下限值為5～40℃之範圍內的特定值，前述儲藏容器內之氣壓下的前述液體化合物的沸點高於前述上限值，前述儲藏容器內之氣壓下的前述液體化合物的熔點低於前述下限值。 　　藉此，可將在5～40℃之室溫附近下為液體的液體化合物供給至目標處。 　　[0029] 本實施形態之氣體供給方法，亦可為測定容納於前述儲藏容器內之前述液體化合物的溫度，基於前述測定溫度，進行對前述液體化合物之熱交換，藉此將前述液體化合物之溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）的特定值。 　　如此般，由於是基於儲藏容器內之液體化合物及氣體化合物中之液體化合物的測定溫度來進行溫度控制，因此可更安定地進行控制。 　　[0030] 又，本實施形態之氣體供給方法，亦可為測定存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的溫度，基於前述測定溫度，進行對前述液體化合物之熱交換，藉此將前述氣體化合物之溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）的特定值。 　　[0031] 又，本實施形態之氣體供給方法，亦可為測定存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力，以相較於設定成與前述氣體供給配管之周圍的溫度為相同溫度時之前述液體化合物之飽和蒸氣壓，使存在於前述儲藏容器內的氣體化合物之壓力成為低壓的方式，控制對前述液體化合物之熱交換，藉此將前述氣體化合物或液體化合物之測定溫度控制於設定溫度範圍內。 　　[0032] 又，亦可併用下述方法中之2個以上的方法：如此般地基於存在於儲藏容器內之氣體化合物的壓力之測定結果，將儲藏容器內之氣體化合物的溫度控制於氣體供給配管之周圍溫度以下（例如未達周圍的溫度）的方法；如前述般，基於存在於儲藏容器內的液體化合物之溫度的測定結果，將儲藏容器內之液體化合物的溫度控制於氣體供給配管之周圍溫度以下（例如未達周圍的溫度）的方法；以及基於存在於儲藏容器內之氣體化合物的溫度之測定結果，將儲藏容器內之氣體化合物的溫度控制於氣體供給配管之周圍溫度以下（例如未達周圍的溫度）的方法。藉由該併用，可更確實地防止氣體供給配管內之氣體化合物的凝縮。 　　[0033] 本實施形態之氣體供給方法，較佳係使用前述氣體供給裝置。 　　又，前述目標處較佳為CVD裝置或蝕刻裝置。 　　適用於本實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的液體化合物無特別限定。作為該液體化合物係可列舉例如：含鹵素之化合物、脂肪族化合物、芳香族化合物、環氧化合物、醚化合物、腈化合物、醛化合物、羧酸化合物、酯化合物、胺化合物、氮氧化物、水、醇化合物、酮化合物、含第4～第12族金屬之化合物、13族元素化合物之硼化合物、鋁化合物、鎵化合物、銦化合物、含14族元素之化合物之矽化合物、鍺化合物、錫化合物、鉛化合物、含15族元素之化合物之磷化合物、砷化合物、銻化合物、含16族元素之化合物之硫化合物、硒化合物等。 　　[0034] 又，液體化合物的熔點，較佳為40℃以下，更佳為20℃以下，再更佳為5℃以下。若為5℃以下，則可在室溫（25℃）下以液體的形態進行操作，又，當將液體化合物控制於周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）時可保有液體狀態，而可得到安定的蒸氣壓。 　　[0035] 液體化合物之室溫（25℃）下的飽和蒸氣壓，較佳為0.1KPa以上，更佳為1KPa以上，再更佳為5KPa以上，又，較佳為200KPa以下，更佳為150KPa以下，再更佳為100KPa以下。若為200KPa以上，則不以液體而以氣體的形態存在的可能性為高，又，若為0.1KPa以下，則由於蒸氣壓為低，因此難以以氣體的形態進行提供。 　　[0036] 就上述之觀點而言，作為可適用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於含鹵素之化合物的情況係可列舉：1-氟丁烷、1-氟庚烷、1-氟己烷、1-氟庚烷、1-氟辛烷、1-氟壬烷、1-氟癸烷、八氟環戊烯、恩氟烷（enflurane）、氟烷（fluothane）、氟苯、m-氟苯乙醚、基氟化物、1-乙基-4-氟苯、1-氟-2,3-二甲氧基苯、1,2-二氟苯、1,3-二氟苯、1,4-二氟苯、4-氟苯硫醇、2,4-二氟苯硫醇、2,5-二氟苯胺、三氟甲苯、4-胺基三氟甲苯、4-溴三氟甲苯、2,5-二氟三氟甲苯、3,4-二氟三氟甲苯、2,5-二氟苄基氰化物、2,4-二氟苄基胺、3,4-二氟苯胺、2,4-二氟苯甲醚、2,5-二氟苄基胺、2,4-二氟甲苯、2,6-二氟苄基胺、2,6-二氟苯乙腈、3,4-二氟硝基苯、2,4-二氟苯胺、3,4-二氟苄基氰化物、1,2,3-三氟苯、1,2,4-三氟苯、1-氯-2,4,6-三氟苯、5-乙炔基-1,2,3-三氟苯、2,3,4-三氟苯胺、1,3,5-三氟苯、1,2,3,4-四氟苯、1,2,3,5-四氟苯、1,2,4,5-四氟苯、2,3,5,6-四氟苯硫醇、1,2-二溴-3,4,5,6-四氟苯、2,3,5,6-四氟三氟甲苯、1,2,3,4-四氟-5-硝基苯、1,3,4,5-四氟-2-硝基苯、五氟苯、八氟甲苯、五氟苯甲醚、2,3,4,5,6-五氟甲苯、2,3,4,5,6-五氟-1-（氯甲基）苯、2,3,4,5,6-五氟苯乙烯、三甲基五氟苯基矽烷、全氟丙基乙烯基醚、六氟環氧丙烷、六氟苯、1,3,3,3-四氟-1-甲氧基-2-三氟甲基-2-丙烯、2-（全氟丁基）乙醇、2-（全氟己基）乙醇、2-（全氟丁基）乙基 丙烯酸酯、2-（全氟己基）乙基丙烯酸酯、2-（全氟丁基）乙基甲基丙烯酸酯、2-（全氟己基）乙基甲基丙烯酸酯、全氟丁基乙烯、全氟己基乙烯、3-（全氟丁基）1-丙烯、3-（全氟己基）-1-丙烯、3-（全氟丁基）丙烯-1,2-氧化物、3-（全氟己基）丙烯-1,2-氧化物、2-（全氟己基）乙基乙烯基醚、全氟三丁基胺、全氟戊烷、全氟己烷、全氟庚酸、三氟化氯、2,5-二氯氟苯、1,3-二氯-2,4,5,6-四氟苯、氯五氟苯、3-氯氟苯、2,4-二氯氟苯、2-氯-1,4-二氟苯、2-氯-1,3-二氟苯、1-氯-3,4-二氟苯、3,4-二氯三氟甲苯、五氟化溴、1,3-二溴-5-氟苯、3-溴氟苯、1-溴-2,3,5-三氟苯、1-溴-2,3,5-三氟苯、1-溴-2,4,6-三氟苯、1-溴-3,4,5-三氟苯、1-溴-2,4,5-三氟苯、1,3-二溴四氟苯、五氟苄基溴化物、溴五氟苯、2-溴氟苯、3-氟亞苄基溴化物、2,3,5,6-四氟苄基溴化物、1-溴-2,6-二氟苯、1-溴-2,5-二氟苯、3,4-二氟苄基溴化物、1-溴-3,5-二氟苯、1-溴-2,3,5,6-四氟苯、1-溴-2,3,4,5-四氟苯、二氟二溴甲烷、4-溴氟苯、七氟化碘、五氟化碘、五氟碘苯、2,6-二氟-1-碘苯、1-氯乙烷、1-氯丙烷、烯丙基氯化物、1-氯丁烷、1-氯戊烷、1-氯己烷、1-氯庚烷、1-氯辛烷、1-氯壬烷、1-氯癸烷、三氯甲烷、1,1-二氯乙烷、1,2-二氯乙烷、1,1-二氯乙烯、二氯甲烷、順-1,2-二氯乙烯、反-1,2-二氯乙烯、異丙基氯化物、氯苯、1,2-二氯苯、1,2,4-三氯苯、二溴甲烷、1-溴乙烷、1-溴丙烷、1-溴異丙烷、烯丙基溴化物、1-溴丁烷、1-溴異丁烷、1-溴戊烷、1-溴己烷、環己基溴化物、1-溴庚烷、1-溴辛烷、1-溴壬烷、1-溴癸烷、2-乙基己基溴化物、2-溴乙基甲基醚、溴苯、5-溴-m-二甲苯、4-溴-m-二甲苯、o-溴甲苯、1,6-二溴己烷、p-溴苯甲醚、β-溴乙基苯、2-溴吡啶、3-溴吡啶、2-溴噻吩、3,4-二溴噻吩、1-溴-2-碘苯、1-溴-3-碘苯、碘甲烷、1-碘乙烷、1-碘丙烷、1-碘異丙烷、1-碘丁烷、1-碘異丁烷、1-碘戊烷、1-碘異戊烷、1-碘己烷、1-碘庚烷、1-碘辛烷、1-碘壬烷、1-碘癸烷、碘苯、2-碘甲苯、3-碘甲苯、4-碘-m-二甲苯、二碘甲烷、3-碘苯胺等。 　　[0037] 又，可適用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於脂肪族化合物的情況係可列舉：2-甲基-1,3-丁二烯、2-甲基丁烷、環己烷、環己烯、順-2-己烯、反-2-己烯、正己烷、正庚烷、正戊烷、1-己烯、1-戊烯、3-甲基-1-丁烯、1-十五烯、2-乙基-1-丁烯等，例如，於芳香族化合物的情況係可列舉：乙基苯、正二甲苯、苯乙烯、甲苯、對二甲苯、苯、間二甲苯、乙炔基苯等，作為環氧化合物係可列舉：環氧乙烷、環氧丙烷、1,2-環氧丁烷、2,3-環氧丁烷、環氧環己烷、環氧苯乙烷、環氧丙醇、表氯醇、3-氯氧雜環丁烷等。 　　[0038] 又，作為可適用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於醚化合物的情況係可列舉：二乙基醚、二異丙基醚、二丁基醚、甲基tert-丁基醚、乙基tert-丁基醚、二戊基醚、二己基醚、二庚基醚、二辛基醚等，例如，於腈化合物的情況係可列舉：氰化氫、乙腈、丙腈、丙烯腈、丁腈、苯甲腈、苄基腈、丙二腈、己二腈、氰乙酸乙酯等，例如，於醛化合物的情況係可列舉：乙醛、丙醛、丙烯醛、丁醛、巴豆醛、戊醛、己醛、庚醛、辛醛、壬醛、癸醛、苯甲醛、肉桂醛、紫蘇醛、乙二醛等。 　　[0039] 又，作為可使用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於羧酸化合物的情況中係可列舉：甲酸、乙酸、丙酸、丙烯酸、丁酸、甲基丙烯酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸等，作為酯化合物係可列舉：甲酸乙酯、甲酸甲酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸乙烯酯、乙酸烯丙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸己酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸丁酯、丙酸戊酯、丁酸甲酯、丁酸乙酯、丁酸丙酯、丁酸丁酯、丁酸戊酯、丁酸己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯等。 　　[0040] 又，作為可適用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於胺化合物的情況係可列舉：乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、丙基胺、異丙基胺、二丙基胺、二異丙基胺、三丙基胺、三異丙基胺、丁基胺、二丁基胺、三丁基胺、戊基胺、二戊基胺、三戊基胺、己基胺、二己基胺、三己基胺、戊基胺、二戊基胺、三戊基胺、辛基胺、二辛基胺、三辛基胺、壬基胺、1-十五基胺、環己基胺、二環己基胺、苄基胺、N,N-二甲基苄基胺等。 　　[0041] 又，作為可適用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於氮氧化物的情況係可列舉二氧化氮等，於水或例如醇化合物的情況係可列舉：甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、n-丁醇、異丁醇、2-丁醇、2-甲基-2-丙醇、1-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、1-壬醇、1-癸醇、1-十一醇、1-十二醇、1-十三醇、1-十四醇、1-十五醇、苄基醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,6-己二醇、丙三醇等，例如，於酮化合物的情況係可列舉：丙酮、甲基乙基酮、2-甲基戊烷、3-甲基-1-戊烯、4-甲基-1-戊烯、2-十五烷酮等。 　　[0042] 又，作為可適用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於含第4～12族金屬之化合物的情況係可列舉：TiCl4 、Ti(OC3 H7 )4 、Ti[OCH(CH3 )2 ]4 、Ti(OC4 H9 )4 、Ti[OCH2 CH(CH3 )2 ]4 、Ti[OCH2 CH(CH3 )2 ]4 、 Ti[OCH(CH3 )(C2 H5 )]4 、Ti[OC(CH3 )3 ]4 、 Zr[N(CH3 )(C2 H5 )CH3 ]4 、HfCl4 、Hf[N(CH3 )(C2 H5 )(CH3 )]4 、Hf[N(CH3 )2 ]4 、Hf[N(C2 H5 )2 ]4 、Ta(OC2 H5 )5 、MoF6 、WF6 、Fe(CO)5 、Zn(CH3 )2 、Zn(C2 H5 )2 等，例如，於硼化合物的情況係可列舉：B(C2 H5 )3 、B(OCH3 )3 、B(OC2 H5 )3 、BCl3 、BBr3 等，例如，於鋁化合物的情況係可列舉：Al(CH3 )3 、Al(N(C2 H5 )2 )3 、Al(C2 H5 )3 、Al(C3 H7 )3 等，例如，於鎵化合物的情況係可列舉：Ga(CH3 )3 、Ga(C2 H5 )3 等，例如，於銦化合物的情況係可列舉：In(C2 H5 )3 等，例如，於矽化合物的情況係可列舉：HSi(OCH3 )3 、CH3 Si(OCH3 )3 、Si(OCH3 )4 、HSi(OC2 H5 )3 、CH3 Si(OC2 H5 )3 、Si(OC2 H5 )4 、SiH[N(CH3 )2 ]3 、SiCl4 等，例如，於鍺化合物的情況係可列舉：GeCl4 ，例如，於錫化合物的情況係可列舉：SnCl4 等，例如，於鉛化合物的情況係可列舉：PbCl4 等。 　　[0043] 又，作為可適用於本實施形態之具體的液體化合物，例如，於磷化合物的情況係可列舉：PH(C2 H5 )2 、P(C4 H9 )3 、P[C(CH3 )3 ]3 、P(OCH3 )3 、PO(OC2 H5 )3 、PCl3 、PBr3 、POCl3 等，例如，作為砷化合物係可列舉：As(CH3 )3 、As(C2 H5 )3 、As[C(CH3 )3 ]3 、AsCl3 等，例如，作為銻化合物係可列舉：SbF5 、SbCl5 等，例如，於硫化合物的情況係可列舉：乙烷硫醇、1-丙烷硫醇、烯丙基硫醇、1-丁烷硫醇、1-戊烷硫醇、1-己烷硫醇、1-庚烷硫醇、1-辛烷硫醇、2-胺基苯硫醇、4-胺基苯硫醇、二甲基硫化物、二乙基硫化物、二甲基二硫化物、噻吩、二硫化碳、環丁碸、二甲基亞碸等，例如，於硒化合物的情況係可列舉：苯硒醇、二甲基硒、二乙基硒、硒吩、2-甲醯基硒吩等。 　　[0044] 較佳係可列舉：含鹵素之化合物、含第4～12族金屬之化合物、含第13族元素之化合物、含第14族元素之化合物、含第15族元素之化合物、含第16族元素之化合物。 　　[0045] 接著，參照附圖來具體地說明本實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法。 [第1實施形態（第1圖）] ＜氣體供給裝置1＞ 　　第1圖係說明第1實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。 　　第1實施形態之氣體供給裝置1係為了將由液體化合物2所汽化之氣體化合物3供給至目標處（於本實施形態中為蝕刻裝置）100為止之氣體供給裝置，其具有可收容前述液體化合物2之儲藏容器10、一端連接於前述儲藏容器10，另一端可配置於前述目標處（蝕刻裝置）100之氣體化合物供給配管20、與將前述儲藏容器10內之液體化合物2的溫度控制於前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之溫度控制裝置30。 　　此氣體化合物供給配管20的另一端被連接於目標處（蝕刻裝置）100。又，該目標處（蝕刻裝置）100係在真空下使用。因此，藉由目標處（蝕刻裝置）100的壓力與氣體供給裝置1內的壓力之壓力差，氣體化合物可由氣體供給裝置1供給至目標處（蝕刻裝置）100。 　　[0046] 前述溫度控制裝置30具有測定前述儲藏容器10內之前述液體化合物2的溫度之液體溫度測定裝置31、及接收關於藉由前述液體溫度測定裝置31所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之方式，針對前述儲藏容器10進行熱交換之熱傳裝置40。 　　此氣體供給裝置1進一步具有測定氣體化合物供給配管20之周圍的溫度，並將測定結果傳送至熱傳裝置40之周圍溫度測定裝置32。 　　[0047] 此熱傳裝置40具有：容納儲藏容器10的保溫容器41、將熱介質供給至保溫容器41的熱介質供給裝置42、連接保溫容器41與熱介質供給裝置42的熱介質供給配管43、及熱介質送回配管44、控制熱介質供給裝置42內之熱介質之溫度的控制裝置45。 　　熱介質係可為水等之液體，又，亦可為空氣等之氣體。 　　[0048] 此控制裝置45係可接收關於藉由液體溫度測定裝置31所測定之液體溫度的信號及藉由周圍溫度測定裝置32所測定之周圍溫度的信號，並以使該液體溫度成為該周圍溫度以下（例如未達周圍的溫度）之方式，來控制熱介質供給裝置42的輸出。於本實施形態中，此控制裝置45係在接收到關於周圍溫度的信號時，可將設定溫度範圍設定成以比該周圍溫度低特定溫度的溫度作為上限值，並以比該上限值低特定溫度的溫度作為下限值。 　　此控制裝置45係可介由有線31a來接收關於藉由液體溫度測定裝置31所測定之液體溫度的信號，可介由有線32a來接收關於藉由周圍溫度測定裝置32所測定之周圍溫度的信號，並可介由有線42a來將輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。 　　但，此等有線31a、32a、42a當中之一部分或全部亦可為無線。 　　[0049] 進而，此氣體供給裝置1具有容納室50。於此容納室50內容納上述之儲藏容器10、氣體化合物供給配管20、溫度控制裝置30。又，於容納室50內亦容納目標處（蝕刻裝置）100。 　　此容納室50具有控制容納室50之內部空間的溫度之空調裝置51。 　　[0050] 前述儲藏容器10具有儲藏容器本體11、與將前述儲藏容器本體11之前述氣體化合物所存在的領域與前述氣體化合物供給配管20進行連接之連接配管12。此連接配管12具有開閉閥13。 　　此前述連接配管12為由前述儲藏容器本體11側朝向前述氣體化合物供給配管20側，由水平向上方傾斜。藉此，於萬一在連接配管12內氣體化合物凝縮而成為液體化合物的情況，該液體化合物會沿著連接配管12之傾斜而流落至儲藏容器本體11內。 　　此連接配管12相對於水平線的傾斜角度，較佳為10～90°，更佳為20～80°。 　　[0051] 於前述氣體化合物供給配管20的途中，設置有質量流量控制器（MFC）21，於其上游側及下游側設置有壓力計22、23。又，於氣體化合物供給配管20的途中之壓力計22的上游側設置有調壓閥24。 　　[0052] ＜氣體供給方法＞ 　　接著，說明使用有如上述般構成之氣體供給裝置1的氣體供給方法。 　　於容納室50中，空調裝置51係將容納室50內控制於特定的溫度。 　　於此容納室50內，周圍溫度測定裝置32係測定氣體化合物供給配管20之周圍的溫度。又，液體溫度測定裝置31係測定儲藏容器10內之液體化合物2的溫度。 　　[0053] 液體溫度測定裝置31係將關於液體溫度的信號介由有線31a來傳送至控制裝置45。又，周圍溫度測定裝置32係將關於周圍溫度的信號介由有線32a來傳送至控制裝置45。控制裝置45係由液體溫度測定裝置31接收關於液體溫度的信號及由周圍溫度測定裝置32接收關於周圍溫度的信號，基於此等信號，將輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。基於該輸出信號，熱介質供給裝置42係將該熱介質供給裝置42內的熱介質進行冷卻或加熱。藉此，可控制熱介質供給裝置42內之熱介質的溫度。 　　[0054] 熱介質供給裝置42係將以如此方式溫度控制後的熱介質介由熱介質供給配管43來供給至保溫容器41。被供給至保溫容器41內的熱介質係介由儲藏容器10而在與儲藏容器10內之液體化合物2或氣體化合物3之間進行熱交換。如此一來，儲藏容器10內之液體化合物2的溫度被控制於設定溫度範圍。其後，保溫容器41內之熱介質係介由熱介質送回配管44來送回至熱介質供給裝置42。 　　如此般，於本實施形態中，經由將儲藏容器10內之液體化合物2的溫度藉由熱介質的熱來控制於設定溫度範圍，而將儲藏容器10內之氣體化合物3的溫度控制於氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之設定溫度範圍內。 　　[0055] 儲藏容器10內之氣體化合物3係介由連接配管12、氣體化合物供給配管20，被供給至目標處（蝕刻裝置）100，而在目標處（蝕刻裝置）100內供使用。 　　於此氣體化合物供給配管20內之氣體化合物3的流量係藉由質量流量控制器21來控制。 　　[0056] 如上述般，儲藏容器10內之氣體化合物3的溫度被控制於氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）。因而，可防止儲藏容器10內之氣體化合物3，在被供給至氣體化合物供給配管20時，在氣體化合物供給配管20內冷卻而凝縮。 　　[0057] 如上述般，於本實施形態中，測定容納於儲藏容器10內之液體化合物2的溫度，基於該測定溫度，進行對液體化合物2之熱交換，藉此而將液體化合物2之測定溫度控制於設定溫度範圍內。該設定溫度範圍的上限值為，氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）的特定值。 　　另外，當儲藏容器10內之液體化合物2的溫度達到該設定溫度範圍的上限值時，只要使介由熱介質來供給至儲藏容器10內之液體化合物2或氣體化合物3的熱量成為因液體化合物2之汽化所消耗的熱量以下即可。藉此，可使液體化合物2的溫度降低至上限值以下。 　　但，當儲藏容器10內之液體化合物2的溫度達到該設定溫度範圍的上限值時，亦可將儲藏容器10進行冷卻。藉此，可使儲藏容器10內之液體化合物2的溫度火速降低至上限值以下。於此情況中，只要在熱傳裝置40內，使熱介質的溫度比儲藏容器10內之液體化合物2的溫度更低溫，並將該熱介質供給至保溫容器41內即可。 　　[0058] 較佳係該設定溫度範圍的上限值為5～40℃之範圍內的特定值，設定溫度範圍的下限值為5～40℃之範圍內的特定值，儲藏容器10內之氣壓下的液體化合物3的沸點高於前述上限值，儲藏容器10內之氣壓下的液體化合物3的熔點低於前述下限值。藉此，可將在5～40℃之室溫附近下為液體的液體化合物2供給至目標處（蝕刻裝置）100。 　　[0059] （初期運轉步驟） 　　在使用本實施形態之氣體供給裝置1而開始運轉時，較佳係進行接下來的初期運轉步驟。 　　亦即，初期運轉步驟係指將前述儲藏容器10的溫度進行調節（例如冷卻），並將前述儲藏容器10內之液體化合物2的溫度控制於前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度），之後將前述儲藏容器10內之前述氣體化合物3，介由前述氣體化合物供給配管20，供給至目標處（蝕刻裝置）100為止之步驟。 　　在運轉開始時，儲藏容器10內的溫度大多與氣體化合物供給配管20之周圍的溫度相同程度。如此之情況下，在運轉開始時，將儲藏容器10進行冷卻，並將儲藏容器10內之液體化合物2或氣體化合物3的溫度控制於氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度），之後將氣體化合物3供給至目標處（蝕刻裝置）100，藉此而可確實地防止氣體化合物供給配管20內之堵塞。 　　又，亦可因應需要，在初期運轉步驟之前，藉由將從前述儲藏容器10至目標處100為止的配管內進行減壓或真空處理，而將配管內的空氣或氮、氦、氬等之惰性氣體預先進行排氣。 　　[0060] （固定運轉步驟） 　　又，在上述之初期運轉步驟之後，較佳係進行接下來的固定運轉步驟。 　　亦即，固定運轉步驟係指將前述儲藏容器10內之前述氣體化合物3，介由前述氣體化合物供給配管20，供給至目標處（蝕刻裝置）100為止，同時將因前述液體化合物2之汽化所消耗之熱能補給至前述儲藏容器10內之步驟。 　　藉此，可使儲藏容器10內之氣體化合物3及液體化合物2的溫度保持一定。藉此，可防止因儲藏容器10內之氣體化合物3及液體化合物2的溫度降低而減少液體化合物2之汽化量，因而，可防止對於目標處（蝕刻裝置）100之氣體化合物3的供給量降低。 　　[0061] [第2實施形態（第2圖）] ＜氣體供給裝置1A＞ 　　第2圖係說明第2實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。 　　第2實施形態之氣體供給裝置1A係於第1圖之氣體供給裝置1中，取代液體溫度測定裝置31而於連接配管12設有氣體溫度測定裝置33者。此氣體溫度測定裝置33係介由有線33a來連接於控制裝置45A。 　　[0062] 亦即，第2實施形態之氣體供給裝置1A係為了將由液體化合物2所汽化之氣體化合物3供給至目標處（蝕刻裝置）100為止之氣體供給裝置1A，其具有可收容前述液體化合物2之儲藏容器10、一端連接於前述儲藏容器10，另一端可配置於前述目標處（蝕刻裝置）100之氣體化合物供給配管20、與將前述儲藏容器10內之前述氣體化合物3的溫度控制於前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之溫度控制裝置30A。 　　[0063] 前述溫度控制裝置30A具有測定前述儲藏容器10內之前述氣體化合物3的溫度之氣體溫度測定裝置33、及接收關於藉由前述氣體溫度測定裝置33所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之方式，針對前述儲藏容器10進行熱交換之熱傳裝置40A。 　　此氣體供給裝置1A進一步具有測定氣體化合物供給配管20之周圍的溫度，並將測定結果傳送至熱傳裝置40A之周圍溫度測定裝置32。 　　[0064] 此熱傳裝置40A具有：容納儲藏容器10的保溫容器41、將熱介質供給至保溫容器41的熱介質供給裝置42、連接保溫容器41與熱介質供給裝置42的熱介質供給配管43及熱介質送回配管44、控制熱介質供給裝置42內之熱介質之溫度的控制裝置45A。 　　此控制裝置45A係可接收關於藉由氣體溫度測定裝置33所測定之氣體化合物之溫度及藉由周圍溫度測定裝置32所測定之周圍溫度的信號，並以使該氣體化合物的溫度成為該周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之方式，來控制熱介質供給裝置42的輸出。 　　[0065] 此控制裝置45A係可介由有線33a來接收關於藉由氣體溫度測定裝置33所測定之氣體溫度的信號，可介由有線32a來接收關於藉由周圍溫度測定裝置32所測定之周圍溫度的信號，並可介由有線42a來將輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。 　　但，此等有線31a、32a、42a當中之一部分或全部亦可為無線。 　　進而，此氣體供給裝置1具有容納室50。此容納室50之構造係與第1實施形態相同。 　　[0066] 前述儲藏容器10具有與第1實施形態相同之構造。亦即，儲藏容器10具有儲藏容器本體11、與將前述儲藏容器本體11之前述氣體化合物所存在的領域與前述氣體化合物供給配管20進行連接之連接配管12。此連接配管12具有開閉閥13。 　　於連接配管12設置有氣體溫度測定裝置33。此氣體溫度測定裝置33之設置位置，較佳係盡可能地靠近氣體化合物供給配管20的位置。藉此，由於可測定被供給至氣體化合物供給配管20之近旁的氣體化合物3的溫度，因此可更確實地防止氣體化合物供給配管20內因液體化合物3而堵塞。 　　就該觀點而言，該設置位置，較佳係相較於連接配管12之長度的中間位置更靠氣體化合物供給配管20側。又，該設置位置，較佳係從與氣體化合物供給配管20之連接處起100cm以內，更佳係50cm以內。 　　前述氣體化合物供給配管20之構造係與第1實施形態相同。 　　[0067] ＜氣體供給方法＞ 　　使用有如上述般構成之氣體供給裝置1A的氣體供給方法，除了取代液體溫度測定裝置31而使用有氣體溫度測定裝置33以外，係與第1實施形態的情況相同。 　　亦即，氣體溫度測定裝置33係將關於氣體溫度的信號介由有線33a來傳送至控制裝置45A。又，周圍溫度測定裝置32係將關於周圍溫度的信號介由有線32a來傳送至控制裝置45A。控制裝置45A係由氣體溫度測定裝置33接收關於氣體化合物溫度的信號及由周圍溫度測定裝置32接收關於周圍溫度的信號，基於此等信號，將輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。基於該輸出信號，熱介質供給裝置42係將該熱介質供給裝置42內的熱介質進行冷卻或加熱。藉此，可控制熱介質供給裝置42內之熱介質的溫度。 　　[0068] 熱介質供給裝置42係將以如此方式溫度控制後的熱介質介由熱介質供給配管43來供給至保溫容器41。被供給至保溫容器41內的熱介質係介由儲藏容器10而在與儲藏容器10內之液體化合物2或氣體化合物3之間進行熱交換。如此一來，儲藏容器10內之液體化合物2的溫度被控制於設定溫度範圍。其後，保溫容器41內之熱介質係介由熱介質送回配管44來送回至熱介質供給裝置42。 　　如此般，於本實施形態中，將儲藏容器10內之氣體化合物3的溫度控制於氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之設定溫度範圍內。 　　除了上述之點以外，本實施形態之氣體供給方法係與第1實施形態之氣體供給方法相同。 　　[0069] 較佳係該前述設定溫度範圍的上限值為5～40℃之範圍內的特定值，前述設定溫度範圍的下限值為5～40℃之範圍內的特定值，前述儲藏容器10內之氣壓下的前述液體化合物2的沸點高於前述上限值，前述儲藏容器10內之氣壓下的前述液體化合物2的熔點低於前述下限值。 　　藉此，可將在5～40℃之室溫附近下為液體的液體化合物2供給至目標處（蝕刻裝置）100。 　　[0070] 另外，針對初期運轉步驟及固定運轉步驟，亦與第1實施形態的情況相同。 　　[0071] [第3實施形態（第3圖）] ＜氣體供給裝置1B＞ 　　第3圖係說明第3實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。 　　第3實施形態之氣體供給裝置1B係於第2圖之氣體供給裝置1A中，於連接配管12，取代氣體溫度測定裝置33而設有壓力測定裝置34，又，壓力測定裝置34係介由有線34a而連接於控制裝置45B者。 　　[0072] 亦即，第3實施形態之氣體供給裝置1B係為了將由液體化合物2所汽化之氣體化合物3供給至目標處（蝕刻裝置）100為止之氣體供給裝置1B，其具有可收容前述液體化合物2之儲藏容器10、一端連接於前述儲藏容器10，另一端可配置於前述目標處（蝕刻裝置）100之氣體化合物供給配管20、與將前述儲藏容器10內之前述氣體化合物3或液體化合物2的溫度控制於前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之溫度控制裝置30B。 　　另外，如後述般，於本實施形態中，透過控制儲藏容器10內之氣體化合物3的壓力，而將前述儲藏容器10內之前述氣體化合物3或液體化合物2的溫度控制於前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）。 　　[0073] 前述溫度控制裝置30B具有測定儲藏容器10內之前述氣體化合物3的壓力之壓力測定裝置34、及接收關於藉由前述壓力測定裝置34所測定之測定壓力的信號，並以使前述測定壓力成為，與前述氣體化合物供給配管20之周圍的溫度為相同溫度時之前述氣體化合物之飽和蒸氣壓以下（例如未達飽和蒸氣壓）的方式，針對前述儲藏容器10進行熱交換之熱傳裝置40B。 　　此氣體供給裝置1B進一步具有測定氣體化合物供給配管20之周圍的溫度，並將測定結果傳送至熱傳裝置40B之周圍溫度測定裝置32。 　　[0074] 此熱傳裝置40B具有：容納儲藏容器10的保溫容器41、將熱介質供給至保溫容器41的熱介質供給裝置42、連接保溫容器41與熱介質供給裝置42的熱介質供給配管43及熱介質送回配管44、控制熱介質供給裝置42內之熱介質之溫度的控制裝置45B。 　　[0075] 此控制裝置45B係可接收關於藉由壓力測定裝置34所測定之氣體壓力及藉由周圍溫度測定裝置32所測定之周圍溫度的信號，並以使該測定壓力成為與該周圍的溫度相同溫度時之氣體化合物之飽和蒸氣壓以下（例如未達飽和蒸氣壓）之方式，來控制熱介質供給裝置42的輸出。 　　另外，控制裝置45B較佳係具有記憶部，該記憶部係預先將所使用之液體化合物2的溫度與飽和蒸氣壓之關係作為計算式、表等而記憶。 　　此控制裝置45B係可介由有線34a來接收關於藉由壓力測定裝置34所測定之氣體壓力的信號，可介由有線32a來接收關於藉由周圍溫度測定裝置32所測定之周圍溫度的信號，並可介由有線42a將輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。但，此等有線34a、32a、42a當中之一部分或全部亦可為無線。 　　進而，此氣體供給裝置1具有容納室50。此容納室50之構造係與第1實施形態相同。 　　[0076] 前述儲藏容器10係具有與第1實施形態相同之構造。亦即，儲藏容器10具有儲藏容器本體11、與將前述儲藏容器本體11之前述氣體化合物所存在的領域與前述氣體化合物供給配管20進行連接之連接配管12。此連接配管12具有開閉閥13。於第3圖中，連接配管12係垂直地延伸設置，但亦可如第1圖、第2圖般，以由儲藏容器本體11側朝向氣體化合物供給配管20側，向斜上方傾斜之方式設置。 　　於此連接配管12設置有壓力測定裝置34。此壓力測定裝置34之設置位置，較佳係盡可能地靠近氣體化合物供給配管20的位置。藉此，由於可測定被供給至氣體化合物供給配管20之近旁的氣體化合物3的壓力，因此可更確實地防止氣體化合物供給配管20內因液體化合物3而堵塞。就該觀點而言，該設置位置，較佳係相較於連接配管12之長度的中間位置更靠氣體化合物供給配管20側。又，該設置位置，較佳係從與氣體化合物供給配管20之連接處起100cm以內，更佳係50cm以內。 　　前述氣體化合物供給配管20之構造係與第1實施形態相同。 　　[0077] ＜氣體供給方法＞ 　　接著，說明使用有如上述般構成之氣體供給裝置1B的氣體供給方法。 　　壓力測定裝置34係將關於儲藏容器10內之氣體化合物3的壓力的信號介由有線34a來傳送至控制裝置45B。又，周圍溫度測定裝置32係將關於周圍溫度的信號介由有線32a來傳送至控制裝置45B。 　　控制裝置45B係基於關於該周圍溫度的信號，而得到氣體化合物3被設定成與該周圍的溫度相同溫度時之壓力（飽和蒸氣壓）。並且，以相較於該壓力（飽和蒸氣壓），使由壓力測定裝置34所接收之氣體化合物3的壓力成為低壓之方式，將輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。例如，以使由壓力測定裝置34所接收之氣體化合物3的壓力成為低於設定成與周圍溫度相同溫度時之壓力（飽和蒸氣壓）的設定壓力範圍內之方式，來決定輸出信號，並將該輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。 　　基於該輸出信號，熱傳裝置40B係將該熱介質供給裝置42內的熱介質進行冷卻或加熱。藉此，可控制熱介質供給裝置42內之熱介質的溫度。 　　[0078] 熱介質供給裝置42係將以如此方式溫度控制後的熱介質介由熱介質供給配管43來供給至保溫容器41。被供給至保溫容器41內的氣體化合物3係介由儲藏容器10而在與儲藏容器10內之液體化合物2或氣體化合物3之間進行熱交換。 　　如此一來，儲藏容器10內之氣體化合物3的壓力被控制於設定成與氣體供給配管20之周圍的溫度相同溫度時之壓力（飽和蒸氣壓）以下（例如未達飽和蒸氣壓）。 　　其後，保溫容器41內之氣體化合物3係介由熱介質送回配管44來送回至熱介質供給裝置42。 　　如此般，於本實施形態中，經由將儲藏容器10內之氣體化合物3的壓力控制於設定壓力範圍，而將儲藏容器10內之氣體化合物3的溫度控制於氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）之設定溫度範圍內。 　　[0079] 儲藏容器10內之氣體化合物3係介由連接配管12、氣體化合物供給配管20，被供給至目標處（蝕刻裝置）100，而在目標處（蝕刻裝置）100內供使用。 　　於此氣體化合物供給配管20內之氣體化合物3的流量係藉由質量流量控制器21來控制。 　　[0080] 如上述般，儲藏容器10內之氣體化合物3的溫度被控制於氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下（例如未達周圍的溫度）。因而，可防止被供給至氣體化合物供給配管20之氣體化合物3，在給配管內冷卻而凝縮。 　　[0081] 如上述般，於本實施形態中，測定容納於儲藏容器10內之氣體化合物3的壓力，基於該測定壓力，進行對儲藏容器10內之液體化合物2之熱交換，藉此而將氣體化合物3之測定壓力控制於設定壓力範圍內。該設定壓力範圍的上限值為，氣體化合物供給配管20之周圍的溫度下之飽和蒸氣壓以下（例如未達飽和蒸氣壓）的特定值。 　　[0082] 另外，當儲藏容器10內之液體化合物2的溫度達到該設定壓力範圍的上限值時，只要使介由熱介質來供給至儲藏容器10內之液體化合物2或氣體化合物3的熱量成為因液體化合物2之汽化所消耗的熱量以下即可。藉此，可使液體化合物2的溫度降低至上限值以下。 　　但，當儲藏容器10內之液體化合物2的溫度達到該設定溫度範圍的上限值時，亦可將儲藏容器10進行冷卻。藉此，可使儲藏容器10內之液體化合物2的溫度火速降低至上限值以下。於此情況中，只要在熱介質供給裝置42內，使熱介質的溫度成為低溫，並將該熱介質供給至保溫容器41內即可。 　　[0083] 另外，於上述之樣態中，以使由壓力測定裝置34所接收之氣體化合物3的壓力成為和設定成與周圍溫度相同溫度時之壓力（飽和蒸氣壓）相同或更低的設定壓力範圍內的方式進行控制。 　　但，並不限定於該樣態，例如，亦可氣體化合物3之差壓被控制成為設定差壓範圍內，該差壓係由設定成與該周圍溫度相同溫度時之壓力（飽和蒸氣壓），減由壓力測定裝置34所接收之氣體化合物3的壓力所得。 　　於此情況中，該設定差壓範圍，較佳為0.01～100KPa，更佳為0.1～90KPa，再更佳為1.0～80KPa。 　　另外，針對初期運轉步驟及固定運轉步驟，亦與第1實施形態的情況相同。 　　[0084] [第4實施形態（第4圖）] ＜氣體供給裝置1C＞ 　　第4圖係說明第4實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。 　　第4實施形態之氣體供給裝置1C係與具備有空調裝置61之鄰室（無塵室）60鄰接。此鄰室60係與容納室50鄰接。於該鄰室60內設置有目標處100。 　　氣體供給裝置1C之氣體供給配管20係一端連接於儲藏容器10，另一端連接於目標處100。因而，氣體供給配管20係從容納室50跨鄰室60地延伸存在。 　　[0085] 於此鄰室60內之氣體供給配管20的周圍設置有周圍溫度測定裝置62。此周圍溫度測定裝置62係介由有線62a來連接於熱傳裝置40C之控制裝置45C。 　　控制裝置45C係可接收關於藉由液體溫度測定裝置31所測定之液體溫度的信號、關於藉由周圍溫度測定裝置32所測定之周圍溫度X的信號、以及關於藉由周圍溫度測定裝置62所測定之周圍溫度Y的信號，並以使該液體溫度成為該周圍溫度X以下且周圍溫度Y以下之方式，來控制熱介質供給裝置42的輸出。 　　本實施形態之氣體供給裝置1C之上述以外的構造係與氣體供給裝置1相同，相同符號係表示相同部分。 　　[0086] ＜氣體供給方法＞ 　　於本實施形態中，控制裝置45C係由液體溫度測定裝置31接收關於液體溫度的信號、由周圍溫度測定裝置32接收關於周圍溫度X的信號、以及由周圍溫度測定裝置62接收關於周圍溫度Y的信號，基於此等信號，將輸出信號傳送至熱介質供給裝置42。 　　基於該輸出信號，熱介質供給裝置42係將該熱介質供給裝置42內的熱介質進行冷卻或加熱。藉此，可控制熱介質供給裝置42內之熱介質的溫度。 　　熱介質供給裝置42係將以如此方式溫度控制後的熱介質介由熱介質供給配管43來供給至保溫容器41。被供給至保溫容器41內的熱介質係介由儲藏容器10而在與儲藏容器10內之液體化合物2或氣體化合物3之間進行熱交換。如此一來，儲藏容器10內之液體化合物2的溫度被控制於設定溫度範圍。其後，保溫容器41內之熱介質係介由熱介質送回配管44來送回至熱介質供給裝置42。 　　如此般，於本實施形態中，經由將儲藏容器10內之液體化合物2的溫度控制於設定溫度範圍，而將儲藏容器10內之氣體化合物3的溫度控制於氣體化合物供給配管20之周圍的溫度X以下且氣體化合物供給配管20之周圍的溫度Y以下的設定溫度範圍內。 　　[0087] 另外，在容納室50內的溫度及鄰室60內的溫度被設定成相同溫度的情況時，亦可省略周圍溫度測定裝置32及62中之任一者。又，在相較於容納室50內的溫度而鄰室60內的溫度固定為較低溫的情況時，亦可省略周圍溫度測定裝置32。又，在相較於容納室50內的溫度而鄰室60內的溫度固定為較高溫的情況時，亦可省略周圍溫度測定裝置62。 　　[0088] [其他實施形態] 　　本發明並不限定於上述之實施形態。 　　例如，於第1～第4之實施形態中，容納室50或空調裝置51亦可省略。但，具有容納室50及空調裝置51者，可更確實地防止氣體供給配管20內之氣體化合物的凝縮。 　　於第1～第4之實施形態中，藉由於容納室50內設置空調裝置51等，在氣體供給配管之周圍溫度為一定的情況時，亦可省略周圍溫度測定裝置32。藉由於鄰室60內設置空調裝置61等，在氣體供給配管之周圍溫度為一定的情況時，亦可省略周圍溫度測定裝置62。 　　於第1～第4之實施形態中，亦可設置液溫測定裝置31、氣體溫度設定裝置33、以及壓力測定裝置34中任二個裝置，或全部的裝置，基於此等之二個裝置或全部的裝置，將儲藏容器10內之氣體化合物或液體化合物的溫度控制於氣體供給配管之周圍溫度以下（例如未達周圍的溫度）。於此情況中，周圍溫度測定裝置32係可設置或省略。周圍溫度測定裝置62係可設置或省略。 　　[0089] 質量流量控制器21係可省略，其兩側之壓力計22、23之至少一個亦可省略，調壓閥24亦可省略。 　　於第1～第4之實施形態中，熱傳裝置40、40A、40B、40C亦可設置於容納室50的外側。又，熱介質係可為液體亦可為氣體。 　　亦可取代將儲藏容器10收容於保溫容器41內，而收容於金屬容器內。於此情況中，亦可將儲藏容器10一起收容於金屬容器內，並且將金屬容器從外側進行加熱或冷卻。 　　亦可取代熱傳裝置40、40A、40B、40C，而設置加熱器。又，亦可將冷卻用之冷媒配管捲繞於保溫容器41的外側。 　　[0090] 於上述實施形態中，氣體化合物供給配管20之材質係只要可耐受減壓者則無特別限制，可列舉不鏽鋼、碳鋼、各種合金等。就設備費、運轉成本等之觀點而言，以於氣體化合物供給配管20不設置加熱器等之配管加熱手段為佳。又，雖亦可於氣體化合物供給配管20設置保溫材，但就設備費、運轉成本等之觀點而言，以不設置保溫材為佳。亦即，以於配管的外側不設置任何構件為佳。另外，即使是不設置加熱手段或保溫材的情況，亦如前述般依據本實施形態，可防止於氣體化合物供給配管20內氣體化合物3凝縮。 　　於上述實施形態中，目標處100雖為蝕刻裝置，但亦可為CVD裝置等之半導體製造裝置，其他，只要是在減壓下使用氣體的裝置則無特別限定。 [實施例] 　　[0091] 以下，雖藉由實施例及比較例來更具體地說明本發明，但本發明並不受此等之實施例所限制。 　　另外，作為氣體供給裝置係使用下述者。 ＜氣體供給裝置＞ 　　使用第1圖所示之氣體供給裝置1。但，於氣體供給裝置1之氣體化合物供給配管20的前端係取代目標處（蝕刻裝置）100而連接具備有氣體化合物之阱的真空泵。該阱係由裝入氣體化合物的容器與收容該容器的冷媒槽所構成。藉由此冷媒槽，該容器從周圍被冷卻，而使容器內之氣體化合物液化而被捕集至容器內。 　　另外，該氣體化合物供給裝置1之詳細內容係如下所述。 　　[0092] （1）氣體化合物供給配管20 　　口徑：1/8吋、長度：10m、材質：SUS304 （2）容納室50 　　溫度：20℃ （3）液體化合物 　　六氟苯（飽和蒸氣壓：10.7kPa（20℃）、熔點：5℃、沸點：81℃） （4）儲藏容器10 　　容量：1L、液體化合物填充量：0.7L 　　[0093] 實施例1～13及比較例1～2 　　使用上述之氣體供給裝置，以表1所示之條件，進行液體化合物之供給。將結果顯示於表1。 實施例14～16 　　使用上述之氣體供給裝置，以表2所示之條件，進行液體化合物之供給。將結果顯示於表2。另外，於實施例14～16中，將MFC設為全開（設定值：50sccm）。 　　[0094][0095][0096] 如表1及表2所示，依據實施例1～16，由於儲藏容器10內之液體化合物的溫度為氣體化合物供給配管20之周圍的溫度以下，因此不會阻塞氣體化合物供給配管20，而可供給至阱。 　　另一方面，依據比較例1～2，由於儲藏容器10內之液體化合物的溫度超過氣體化合物供給配管20之周圍的溫度，因此在氣體化合物供給配管20內氣體化合物會凝縮，而氣體化合物供給配管20阻塞。
[0097] 1、1A、1B、40C‧‧‧氣體供給裝置
10‧‧‧儲藏容器
11‧‧‧儲藏容器本體
12‧‧‧連接配管
20‧‧‧氣體化合物供給配管
21‧‧‧質量流量控制器（MFC）
30、30A、30B、30C‧‧‧溫度控制裝置
31‧‧‧液體溫度測定裝置
32‧‧‧周圍溫度測定裝置
33‧‧‧液體溫度測定裝置
34‧‧‧壓力測定裝置
40、40A、40B、40C‧‧‧熱傳裝置
41‧‧‧保溫容器
42‧‧‧熱介質供給裝置
45、45A、45B、45C‧‧‧控制裝置
50‧‧‧容納室
100‧‧‧目標處
[0014] [第1圖]第1圖係說明第1實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。 　　[第2圖]第2圖係說明第2實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。 　　[第3圖]第3圖係說明第3實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。 　　[第4圖]第4圖係說明第4實施形態之氣體供給裝置及氣體供給方法的示意圖。

Claims (18)

  1. 一種氣體供給裝置，其係為了將由液體化合物所汽化之氣體化合物供給至目標處為止之氣體供給裝置，其特徵為具有可收容前述液體化合物之儲藏容器、一端連接於前述儲藏容器，另一端可配置於前述目標處之氣體化合物供給配管、將前述儲藏容器內之前述氣體化合物或液體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之溫度控制裝置與容納前述儲藏容器、前述溫度控制裝置及前述氣體化合物供給配管之收納容器或容納室；其中，前述收納容器或容納室具有控制前述收納容器或容納室之內部空間的溫度之空調裝置。
  2. 如請求項1之氣體供給裝置，其中，前述溫度控制裝置具有測定前述儲藏容器內之前述液體化合物的溫度之液體溫度測定裝置、及接收關於藉由前述液體溫度測定裝置所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置。
  3. 如請求項1之氣體供給裝置，其中，前述溫度控制裝置具有測定前述儲藏容器內之前述氣體化合物的溫度之氣體溫度測定裝置、及接收關於藉由前述氣體溫度測定裝置所測定之測定溫度的信號，並以使前述測定溫度成為前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下之方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置。
  4. 如請求項1之氣體供給裝置，其中，前述溫度控制裝置具有測定前述儲藏容器內之前述氣體化合物的壓力之壓力測定裝置、及接收關於藉由前述壓力測定裝置所測定之測定壓力的信號，並以使前述測定壓力成為，與前述氣體化合物供給配管之周圍溫度為相同溫度時之前述氣體化合物之飽和蒸氣壓以下的方式，針對前述儲藏容器進行熱交換之熱傳裝置。
  5. 如請求項2~4中任一項之氣體供給裝置，其具有測定前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度，並將關於前述周圍的溫度之信號傳送至前述熱傳裝置之周圍溫度測定裝置。
  6. 如請求項1~4中任一項之氣體供給裝置，其中，前述儲藏容器具有儲藏容器本體、與將前述儲藏容器本體之前述氣體化合物所存在的領域與前述氣體化合物供給配管進行連接之連接配管，前述連接配管為由前述儲藏容器本體側朝向前述氣體化合物供給配管側，由水平向上方傾斜。
  7. 如請求項1~4中任一項之氣體供給裝置，其於前述氣體化合物供給配管的途中設置有質量流量控制器。
  8. 如請求項1~4中任一項之氣體供給裝置，其中，前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力高於前述目標處的壓力。
  9. 一種氣體供給方法，其係將由容納於儲藏容器內之液體化合物所汽化之氣體化合物，介由氣體化合物供給配管，供給至目標處為止，並將前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其特徵為將前述儲藏容器內之液體化合物或氣體化合物的溫度，控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下的特定值。
  10. 如請求項9之氣體供給方法，其具有下述之初期運轉步驟，初期運轉步驟：冷卻前述儲藏容器，將前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度控制於前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下，之後將前述儲藏容器內之前述氣體化合物，介由前述氣體化合物供給配管，供給至目標處為止之步驟。
  11. 如請求項10之氣體供給方法，其具有下述之固定運轉步驟，固定運轉步驟：將前述儲藏容器內之前述氣體化合物，介由前述氣體化合物供給配管，供給至目標處為止，同時將經由前述液體化合物之汽化所消費之熱能補給至前述儲藏容器內之步驟。
  12. 如請求項9~11中任一項之氣體供給方法，其中，當前述儲藏容器內之前述液體化合物或氣體化合物的溫度達到前述設定溫度範圍的上限值時，將前述儲藏容器進行冷卻。
  13. 如請求項9~11中任一項之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為5~40℃之範圍內的特定值，前述設定溫度範圍的下限值為5~40℃之範圍內的特定值，前述儲藏容器內之氣壓下的前述液體化合物的沸點高於前述上限值，前述儲藏容器內之氣壓下的前述液體化合物的熔點低於前述下限值。
  14. 如請求項9~11中任一項之氣體供給方法，其係測定容納於前述儲藏容器內之前述液體化合物的溫度，基於前述測定溫度，藉由進行對前述液體化合物之熱交換，將前述液體化合物之測定溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下的特定值。
  15. 如請求項9~11中任一項之氣體供給方法，其係測定存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的溫度，基於前述測定溫度，藉由進行對前述液體化合物之熱交換，將前述氣體化合物之測定溫度控制於設定溫度範圍內之氣體供給方法，其中，前述設定溫度範圍的上限值為，前述氣體化合物供給配管之周圍的溫度以下的特定值。
  16. 如請求項9~11中任一項之氣體供給方法，其中，測定存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力，以使存在於前述儲藏容器內之氣體化合物的壓力成為，設定與前述氣體供給配管之周圍的溫度相同溫度時之前述液體化合物之飽和蒸氣壓以下的方式，藉由控制對前述液體化合物之熱交換，將前述氣體化合物或液體化合物之測定溫度控制於設定溫度範圍內。
  17. 如請求項9~11中任一項之氣體供給方法，其使用如請求項1~8中任一項之氣體供給裝置。
  18. 如請求項9~11中任一項之氣體供給方法，其中，目標處為CVD裝置或蝕刻裝置。
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