TWI671128B - 非牛頓流體材料的塗佈方法及其塗佈系統 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種非牛頓流體材料的塗佈方法及其塗佈系統。上述非牛頓流體材料的塗佈方法包括下列步驟。取得非牛頓流體材料的剪應率與剪切黏度的關係式，所述關係式由式（1）表示： 其中 為剪切黏度，為零剪切黏度，為剪應率，

Description

非牛頓流體材料的塗佈方法及其塗佈系統
本揭露是有關於一種塗佈方法及其塗佈系統，且是有關於一種非牛頓流體的塗佈方法及其塗佈系統。
以濕式塗佈製程製作功能性薄膜產品為一高效率、速度快之技術。濕式塗佈製程相對於如PVD（Physical Vapor Deposition；PVD）及CVD（Chemical Vapor Deposition；CVD）等乾式製程，在成本及產率有極大競爭力，可應用於微影製程的光阻劑、染料顏料分散法製作彩色濾光片、液晶顯示器配向膜以及積體電路的有機低介電層等製程中。
昔日塗佈材料多屬於低黏度特性，近年來因軟性基板的興起，塗佈材料也轉變成為高黏度的流體，亦即非牛頓流體。然而，非牛頓流體的塗佈製程具有塗佈製程裕度低、容易產生破膜及成膜性質不佳的問題。因此，對於可靠的非牛頓流體之塗佈方法及塗佈系統的研究仍廣泛進行中。
本揭露提供一種非牛頓流體材料的塗佈方法，適於使用塗佈裝置將非牛頓流體材料塗佈於基板上。非牛頓流體材料的塗佈方法包括下列步驟。取得非牛頓流體材料的剪應率與剪切黏度的關係式，關係式由式（1）表示，（1） 其中，為剪切黏度，為零剪切黏度，為剪應率，為冪次因子。設定塗佈裝置與基板之間的起始間隙與欲形成的非牛頓流體材料的膜的厚度。使用塗佈裝置以塗佈速度為非等速度的方式將非牛頓流體材料塗佈於基板上。依據非牛頓流體材料的塗佈速度及厚度藉由式（1）而得到非牛頓流體材料的剪切黏度。依剪切黏度、塗佈速度與厚度調整塗佈裝置與基板之間的間隙。
本揭露提供一種非牛頓流體材料的塗佈系統，包括塗佈裝置、間隙調整單元、速度調整單元、塗料供應單元以及控制單元。塗佈裝置用以將非牛頓流體材料塗佈至基板上。間隙調整單元連接至塗佈裝置，以調整塗佈裝置與基板之間的間隙。速度調整單元連接至塗佈裝置，以調整塗佈裝置塗佈非牛頓流體材料的速度。塗料供應單元連接到塗佈裝置，以供應非牛頓流體材料至塗佈裝置。控制單元連接速度調整單元與間隙調整單元，以控制速度調整單元，以及依據上述之非牛頓流體材料的塗佈方法中取得的塗佈裝置與基板之間的間隙的數值控制間隙調整單元。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1是依照本揭露的一實施例的非牛頓流體材料的塗佈系統的示意圖。圖2是依照本揭露的一實施例的塗佈裝置的示意圖。
請同時參照圖1與圖2，非牛頓流體材料的塗佈系統100包括塗佈裝置110、間隙調整單元102、速度調整單元104、塗料供應單元106及控制單元108。
塗佈裝置110用以將非牛頓流體材料114塗佈至基板112上。塗佈裝置110例如是狹縫式塗佈裝置。間隙調整單元102連接至塗佈裝置110，以調整塗佈裝置110與基板112之間的間隙H。速度調整單元104連接至塗佈裝置110，以調整塗佈裝置110塗佈非牛頓流體材料114的塗佈速度。塗料供應單元106連接到塗佈裝置110，以供應非牛頓流體材料114至塗佈裝置110。塗料供應單元106可包括定量馬達與定量針筒（未繪示）。定量馬達連接定量針筒，使定量針筒抽取非牛頓流體材料114並將其提供至塗佈裝置110。控制單元108連接到速度調整單元104與間隙調整單元102，以控制速度調整單元104，以及依據如下所述之非牛頓流體材料的塗佈方法中取得的間隙H的數值控制間隙調整單元102。
圖3是依照本揭露的一實施例的塗佈方法的流程圖。請同時參照圖1至圖3。本揭露提供一種非牛頓流體材料的塗佈方法，適於使用塗佈系統100將非牛頓流體材料114塗佈於基板112上。
非牛頓流體材料114包括聚合物、光阻劑或液晶材料。舉例而言，聚合物可包括高溫聚醯亞胺（polyimide；PI），光阻劑可包括壓克力系光阻塗料，且液晶材料可包括偏光液晶材料（例如是由OPTIVA公司製造的偏光液晶材料）。在一實施例中，非牛頓流體材料114在攝氏10度至攝氏40度時的黏度例如為50 cp至6000 cp，特別是在攝氏20度至攝氏30度時的黏度例如為50 cp至6000 cp。
非牛頓流體材料114的塗佈方法包括以下步驟。
在步驟S100中，取得非牛頓流體材料114的剪切黏度與剪應率的關係式。上述關係式如下述式（1）所表示：（1） 其中，為剪切黏度、為零剪切黏度、為剪應率且為冪次因子。此外，式（1）中的剪應率可由下述式（1-1）所示：（1-1） 其中，為塗佈非牛頓流體材料114時的速度且為所欲形成膜的厚度（如圖2所示的所欲形成膜的厚度h）。
在式（1）中，零剪切黏度為剪應率趨近於零時非牛頓流體材料114的剪切黏度。不同非牛頓流體材料具有不同的冪次因子，其可描述流體材料的流體行為。在一實施例中，可將非牛頓流體材料在定溫下利用流變儀或黏度計得到剪應率對剪切黏度的關係圖，再利用冪次回歸法取得非牛頓流體材料之冪次因子和零剪切黏度。應注意，由於在本揭露中的流體材料為非牛頓流體材料，因此冪次因子為大於1或小於1的值。
因此，在塗佈非牛頓流體材料114的過程中，可經由所欲形成膜的厚度h以及塗佈非牛頓流體材料114時的速度來獲得在此速度之下的剪應率，且由此剪應率來獲得在此速度之下的剪切黏度。
接著，可在步驟S102中，取得非牛頓流體材料114的毛管數與臨界無因次厚度的關係式。上述關係式由下述式（2a）與式（2b）表示： 當，（2a） 當，（2b）， 其中，X為35至53之間的實數、Y為1.7至1.9之間的實數、Z為0.6至0.7之間的實數、為毛管數且為臨界無因次厚度。此外，式（2a）與式（2b）中的毛管數可由下述式（2-1）所示：（2-1） 其中，為表面張力。再者，式（2a）與式（2b）中的臨界無因次厚度可由下述式（2-2）所示：（2-2） 其中，為塗佈裝置110與基板112之間的臨界間隙。
上述臨界無因次厚度與臨界間隙可作為判斷非牛頓流體材料114塗佈在基板112而形成的膜的品質，例如是否出現破膜的問題，或膜厚的均勻性。
由塗佈非牛頓流體材料114時的速度、在此速度之下非牛頓流體材料114的剪切黏度以及由表面張力測試儀量測而得的非牛頓流體材料114的表面張力，且透過關係式（式（2a）、式（2b）與式（2-1））可取得非牛頓流體材料114的毛管數與臨界無因次厚度。接著，由式（2-2）可計算塗佈非牛頓流體材料114時的速度所對應的臨界間隙。在一實施例中，由步驟S102得到對應於非牛頓流體114的不同塗佈速度的不同臨界間隙可經儲存在控制單元108中。
接著，進行步驟S104，設定塗佈起始參數。具體而言，在此步驟中設定塗佈裝置110與基板112之間的起始間隙（未繪示）與所欲形成膜的厚度h。在一實施例中，起始間隙可為所欲形成膜的厚度h的2倍至4倍，且所欲形成膜的厚度h例如是大於或等於5 μm、或是在10 μm至1000 μm之間。
塗佈起始參數設定完成後，進行步驟S106，開始進行塗佈。藉由圖1中的控制單元108控制速度調整單元104，以調整塗佈裝置110，使其以非等速度的方式將非牛頓流體材料114塗佈於基板112上。上述非等速度的方式包括等加速度、變加速度、等減速度或變減速度。在一實施例中，塗佈過程的前段可為等加速度或變加速度，且塗佈過程的後段可為等減速度或變減速度，但本揭露並不以此為限，所屬領域中具有通常知識者可依需求調整塗佈非牛頓流體材料114時的速度。
接著，進行步驟S108，依剪切黏度、塗佈速度與所欲形成膜的厚度h調整塗佈裝置110與基板112之間的間隙H。具體而言，不同的塗佈速度可導致非牛頓流體材料114具有不同的剪切黏度及毛管數，而不同的毛管數將對應到不同的臨界無因次厚度與不同的臨界間隙。換言之，在塗佈非牛頓流體材料114的過程中，剪切黏度、毛管數、臨界無因次厚度及臨界間隙皆隨著不同的塗佈速度而變化。再者，臨界無因次厚度與臨界間隙又與非牛頓流體材料114在基板112上所形成的膜的品質具有關聯性。因此，在步驟108中，可隨著不同的塗佈速度而調整塗佈裝置110與基板112之間的間隙H，以使可其小於或等於對應到該塗佈速度的臨界間隙，故可調整上述的成膜品質。
詳細地說，參照步驟S100中的式（1）與式（1-1），依據非牛頓流體材料114的塗佈速度與所欲形成膜的厚度h，可得到非牛頓流體材料114的對應的剪切黏度。接著，參照步驟S102中的式（2a）、式（2b）與式（2-1），由非牛頓流體材料114的表面張力以及非牛頓流體材料114的塗佈速度與其對應的剪切黏度，可取得對應的非牛頓流體材料114的毛管數以及臨界無因次厚度。接著，參照步驟S102中的式（2-2），可得到對應於非牛頓流體材料114的塗佈速度的臨界間隙。隨後，調整塗佈裝置110與基板112之間的間隙H，以使其可小於或等於上述的臨界間隙，以確保成膜的品質。在一實施例中，可在步驟S102中將對應於非牛頓流體材料114的塗佈速度的臨界間隙儲存於控制單元108中。此外，可在步驟S108中使控制單元108控制間隙調整單元102，以調整塗佈裝置110與基板112之間的間隙H，使其可小於或等於上述的臨界間隙。
圖4是依照本揭露的一實施例的毛管數對無因次厚度的曲線圖。
請參照圖4，圖4的縱軸為無因次厚度，其為所欲形成膜的厚度h與實際塗佈過程中間隙H的比值，圖4的橫軸則為非牛頓流體材料114的毛管數。由圖4可看出，藉由依據式（2a）與式（2b）繪製的曲線而劃分為成膜區R1及不成膜區R2。具體而言，在毛管數相同的情況下，當實際塗佈過程中無因次厚度大於或等於臨界無因次厚度時，非牛頓流體材料114可順利地在基板112上成膜。因此，圖4中式（2a）與式（2b）的線條以上（包含所述線條）的區域為成膜區R1。反之，圖4中式（2a）與式（2b）的線條下（不包含所述線條）的區域為不成膜區R2。因此，由式（2-2）可知，當實際塗佈過程中無因次厚度小於臨界無因次厚度（塗佈間隙H大於臨界間隙）時，非牛頓流體材料114不易在基板112上成膜，而易發生破膜的問題。
由上述可知，當上述無因次厚度大於或等於臨界無因次厚度時，塗佈行為應屬於圖4中的成膜區R1。此時，可不調整間隙H。然而，當上述無因次厚度小於臨界無因次厚度時，塗佈行為應屬於圖4中的不成膜區R2。此時，藉由圖1中的控制單元108控制間隙調整單元102，調整塗佈裝置110與基板112之間的間隙H，使得間隙H小於或等於臨界間隙。依據式（2-2）計算取得的臨界間隙，調整間隙H使之小於或等於臨界間隙將使無因次厚度調整至大於或等於臨界無因次厚度，亦即調整後的塗佈行為屬於圖4中的成膜區R1。
因此，在塗佈過程中以非等速度的方式將非牛頓流體材料塗佈於基板上時（例如是在塗佈過程的前段與後段），藉由在塗佈過程中調整塗佈裝置與基板之間的間隙，可確保非牛頓流體材料的塗佈行為保持在圖4中的成膜區R1，故可得到良好的膜厚均勻性而不易發生破膜的問題。再者，更可提高對於塗佈過程中間隙的誤差的容忍度，故可提高製程裕度。
此外，由於本揭露的非牛頓流體材料的塗佈系統是藉由上述非牛頓流體材料的塗佈方法控制塗佈裝置與基板的間隙，故使用本揭露的非牛頓流體材料的塗佈系統進行塗佈製程可具有上述成膜品質佳與製程裕度高的優點。
以下列舉實驗來驗證本揭露的功效，但本揭露並不侷限於以下的內容。
＜實驗例1＞
圖5是依照本揭露的實驗例1的剪應率對剪切黏度的曲線圖。
請參照圖5，在本實驗例中，非牛頓流體材料為高溫聚醯亞胺（polyimide；PI），其為一種高黏度材料。在本實驗例中，可藉由使用黏度計（例如是brookfield DV II+黏度計）取得高溫聚醯亞胺在常溫（例如是23℃±10℃）時對應至不同剪應率的剪切黏度，其由圖5所示。接著，可依據圖5的資料以回歸法求得高溫聚醯亞胺在常溫時的零剪切黏度和冪次因子，其分別為5564.3 cp與-0.964。在步驟S100中，可將上述零剪切黏度與冪次因子代入式（1），可取得聚醯亞胺的剪切黏度與剪應率的關係式。在使用黏度計取得高溫聚醯亞胺的對應於不同剪應率的剪切黏度時，不同剪應率正比於不同的流動速度，且上述流動速度可視為後續製程中不同的塗佈速度。
依據步驟S102，針對高溫聚醯亞胺，可將使用表面張力測試儀（例如是KRUSS）量測到的表面張力以及不同塗佈速度與其對應的剪切黏度代入式（2a）、式（2b）以及式（2-1）中，以取得對應到不同塗佈速度的臨界無因次厚度。接著，由式（2-2）可得到不同塗佈速度所對應的臨界間隙。
接著，進行步驟S104。在本實驗例中，設定開始塗佈前塗佈裝置與基板之間的間隙（即起始間隙）為350 μm，且設定所欲形成膜的厚度h為144 μm。接著，進行步驟S106，開始進行塗佈。在本實驗例中，聚醯亞胺的塗佈速度屬於等加速度。具體而言，以等加速度為5 mm/s2 ，使塗佈速度自0秒時為0 mm/s，至1s時塗佈速度提高至5 mm/s。之後，進行步驟S108，依剪切黏度、塗佈速度與所欲形成膜的厚度h調整間隙，以使其小於或等於在步驟S102中所求得的臨界間隙。上述參數詳如下表1所示，其中下表1的間隙意指步驟S108中調整後的間隙。
表1
＜比較例1-1＞
比較例1-1與實驗例1的差異僅在於比較例1中不依上述步驟S100至步驟S108所述之方法調整間隙，且比較例1-1的間隙固定為180 μm，其餘參數皆與實驗例1相同。比較例1-1的參數詳如下表2所示，其中下表2的間隙在塗佈過程中未經調整。
表2
＜比較例1-2＞
比較例1-2與實驗例1的差異僅在於比較例1-2中不依上述步驟S100至步驟S108所述之方法調整間隙，且比較例1-2中間隙固定為300 μm，其餘參數皆與實驗例1相同。比較例1-2的參數詳如下表3所示，其中下表3的間隙在塗佈過程中未經調整。
表3
＜實驗例1、比較例1-1與比較例1-2的比較＞
圖6是依照本揭露的實驗例1與比較例1-1至比較例1-2的毛管數對無因次厚度的曲線圖。
請參照圖6，如線1所示，實驗例1中藉由動態調整間隙，使得實驗例1的塗佈行為保持在成膜區R1中。如線2所示，為了使比較例1-1中的塗佈行為保持在成膜區R1，比較例1-1以較低且為固定的間隙進行塗佈。雖然聚醯亞胺的塗佈行為可落於成膜區R1內，但此時對於間隙的控制誤差的容忍度較小，亦即間隙稍有變化則會使塗佈行為落入不成膜區R2。此外，間隙越小則越容易發生塗佈裝置在塗佈過程中沾墨的問題。如線3所示，比較例1-2的間隙在塗佈過程中未經調整。雖然在塗佈過程的前段中聚醯亞胺的塗佈行為可落於成膜區R1內，但在塗佈過程的後段則落入不成膜區R2內，亦即聚醯亞胺難以在基板上成膜而發生破膜的問題。
基於上述，實驗例1可具有對於間隙的控制誤差的容忍度較大、不易使塗佈裝置發生沾墨的問題以及可使非牛頓流體材料在塗佈過程中保持在成膜區R1內的優點。
＜實驗例2＞
圖7是依照本揭露的實驗例2的剪應率對剪切黏度的曲線圖。
請參照圖7，實驗例2與實驗例1僅有下述差異，其餘步驟皆與實驗例1相同。實驗例2以厚膜光阻材料進行塗佈，其例如是壓克力系光阻塗料。上述厚膜光阻材料為一種中黏度材料。厚膜光阻在常溫（例如是23℃±10℃）時的零剪切黏度為1059.1 cp、冪次因子為-0.922且表面張力為37 dyne/cm。在本實施例中，上述的零剪切黏度和冪次因子可由黏度計（brookfield DV II+黏度計）測得，且上述的表面張力可由表面張力測試儀(KRUSS)測得。此外，以等加速度為10 mm/s2 ，使塗佈速度自0秒時為0 mm/s，至1s時塗佈速度提高至10 mm/s。在本實驗例中，設定起始間隙為150 μm，且設定所欲形成膜的厚度h為40 μm。實驗例2的參數詳如下表4所示，其中下表4的間隙意指步驟S108中調整後的間隙。
表4
＜比較例2-1＞
比較例2-1與實驗例2的差異僅在於比較例2-1中不依上述方法在塗佈過程中調整間隙，且比較例2-1的間隙（固定不變）為50 μm，其餘參數皆與實驗例2相同。比較例2-1的參數詳如下表5所示，其中下表5的間隙在塗佈過程中未經調整。
表5
＜比較例2-2＞
比較例2-2與實驗例2的差異僅在於比較例2-2中不依上述方法在塗佈過程中調整間隙，且比較例2-2的間隙（固定不變）為130 μm，其餘參數皆與實驗例2相同。比較例2-2的參數詳如下表6所示，其中下表6的間隙在塗佈過程中未經調整。
表6
＜實驗例2、比較例2-1與比較例2-2的比較＞
圖8是依照本揭露的實驗例2與比較例2-1至比較例2-2的毛管數對無因次厚度的曲線圖。
請參照圖8，圖8中的線1、線2及線3依序代表實驗例2、比較例2-1與比較例2-2的無因次厚度。與實驗例1、比較例1-1及比較例1-2的比較類似，實驗例2可具有對於間隙的控制誤差的容忍度較大、不易使塗佈裝置發生沾墨的問題以及可使非牛頓流體材料在塗佈過程中保持在成膜區R1內的優點。
＜實驗例3＞
圖9是依照本揭露的實驗例3的剪應率對剪切黏度的曲線圖。
請參照圖9，實驗例3與實驗例1僅有下述差異，其餘步驟皆與實驗例1相同。實驗例3以偏光液晶材料（由OPTIVA公司製造）進行塗佈，其為一種較低黏度的材料。偏光液晶材料在常溫（例如是23℃±10℃）時的零剪切黏度為111.65 cp、冪次因子為-0.865且表面張力為32 dyne/cm。在本實施例中，上述的零剪切黏度和冪次因子可由黏度計（brookfield DV II+黏度計）測得，且上述的表面張力可由表面張力測試儀(KRUSS)測得。此外，以等加速度為100 mm/s2 ，使塗佈速度自0秒時為0 mm/s，至1s時塗佈速度提高至100 mm/s。在本實驗例中，設定起始間隙為15 μm，且設定所欲形成膜的厚度h為5 μm。實驗例3的參數詳如下表7所示，其中下表7的間隙意指步驟S108中調整後的間隙。
表7
＜比較例3-1＞
比較例3-1與實驗例3的差異僅在於比較例3-1中不依上述方法在塗佈過程中調整間隙，且比較例3-1的間隙（固定不變）為6 μm，其餘參數皆與實驗例3相同。比較例3-1的參數詳如下表8所示，其中下表8的間隙在塗佈過程中未經調整。
表8
＜比較例3-2＞
比較例3-2與實驗例3的差異僅在於比較例3-2中不依上述方法在塗佈過程中調整間隙，且比較例3-2的間隙（固定不變）為10 μm，其餘參數皆與實驗例3相同。比較例3-2的參數詳如下表9所示，其中下表9的間隙在塗佈過程中未經調整。
表9
＜實驗例3、比較例3-1與比較例3-2的比較＞
圖10是依照本揭露的實驗例3與比較例3-1至比較例3-2的毛管數對無因次厚度的曲線圖。
請參照圖10，圖10中的線1、線2及線3依序代表實驗例3、比較例3-1與比較例3-2的無因次厚度。與實驗例1、比較例1-1及比較例1-2的比較類似，實驗例3可具有對於間隙的控制誤差的容忍度較大、不易使塗佈裝置發生沾墨的問題以及可使非牛頓流體材料在塗佈過程中保持在成膜區R1內的優點。
基於上述，本揭露藉由在塗佈過程中調整塗佈裝置與基板之間的間隙，使得在以非等速度的方式將非牛頓流體材料塗佈至基板上時可形成膜厚均勻的薄膜，且不易發生破膜的問題。此外，本揭露更可提高對於塗佈過程中塗佈裝置與基板之間的間隙的誤差容忍度，故可提高製程裕度。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1、2、3‧‧‧線
100‧‧‧塗佈系統
102‧‧‧間隙調整單元
104‧‧‧速度調整單元
106‧‧‧塗料供應單元
108‧‧‧控制單元
110‧‧‧塗佈裝置
112‧‧‧基板
114‧‧‧非牛頓流體材料
h‧‧‧所欲形成膜的厚度
H‧‧‧間隙
R1‧‧‧成膜區
R2‧‧‧不成膜區
S100、S102、S104、S106、S108‧‧‧步驟
圖1是依照本揭露的一實施例的非牛頓流體材料的塗佈系統的示意圖。 圖2是依照本揭露的一實施例的塗佈裝置的示意圖。 圖3是依照本揭露的一實施例的塗佈方法的流程圖。 圖4是依照本揭露的一實施例的毛管數對無因次厚度的曲線圖。 圖5是依照本揭露的實驗例1的剪應率對剪切黏度的曲線圖。 圖6是依照本揭露的實驗例1與比較例1-1至比較例1-2的毛管數對無因次厚度的曲線圖。 圖7是依照本揭露的實驗例2的剪應率對剪切黏度的曲線圖。 圖8是依照本揭露的實驗例2與比較例2-1至比較例2-2的毛管數對無因次厚度的曲線圖。 圖9是依照本揭露的實驗例3的剪應率對剪切黏度的曲線圖。 圖10是依照本揭露的實驗例3與比較例3-1至比較例3-2的毛管數對無因次厚度的曲線圖。

Claims (9)

  1. 一種非牛頓流體材料的塗佈方法，適於使用塗佈裝置將非牛頓流體材料塗佈於基板上，所述非牛頓流體材料的塗佈方法包括：取得所述非牛頓流體材料的剪應率與剪切黏度的關係式，所述關係式由式(1)表示，其中，η為剪切黏度，η 0為零剪切黏度，為剪應率，n為冪次因子；設定所述塗佈裝置與所述基板之間的起始間隙與欲形成的非牛頓流體材料的膜的厚度；使用所述塗佈裝置以塗佈速度為非等速度的方式將所述非牛頓流體材料塗佈於所述基板上；依據所述非牛頓流體材料的所述塗佈速度及所述厚度藉由式(1)而得到所述非牛頓流體材料的剪切黏度；以及依所述剪切黏度、所述塗佈速度與所述厚度調整所述塗佈裝置與所述基板之間的間隙，其中在取得所述非牛頓流體材料的剪應率與剪切黏度的關係式的步驟與調整所述塗佈裝置與所述基板之間的間隙的步驟之間更包括：取得所述非牛頓流體材料的毛管數與臨界無因次厚度的關係式，上述關係式由下述式(2a)、式(2b)、式(2-1)與式(2-2)表示：當Ca<0.1，t 0=XCa Y (2a)其中，X為35至53之間的實數、Y為1.7至1.9之間的實數、Z為0.6至0.7之間的實數、Ca為所述毛管數且t 0為所述臨界無因次厚度，且其中所述毛管數藉由下述式(2-1)表示：其中，Ca為所述毛管數、σ為表面張力且U為所述塗佈速度，且其中所述臨界無因次厚度藉由下述式(2-2)表示：其中，h為所述厚度且H 0為所述臨界間隙，且在調整所述塗佈裝置與所述基板之間的間隙的步驟中將所述塗佈裝置與所述基板之間的間隙調整至小於或等於所述臨界間隙。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的非牛頓流體材料的塗佈方法，其中所述非牛頓流體材料在攝氏10度至攝氏40度時的黏度為50cp至6000cp。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的非牛頓流體材料的塗佈方法，其中所述非牛頓流體材料在攝氏20度至攝氏30度時的黏度為50cp至6000cp。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的非牛頓流體材料的塗佈方法，其中所述起始間隙為所述厚度的2倍至4倍。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的非牛頓流體材料的塗佈方法，其中所述非牛頓流體材料包括聚合物、光阻劑或液晶材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的非牛頓流體材料的塗佈方法，其中所述厚度大於或等於5μm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的非牛頓流體材料的塗佈方法，其中所述塗佈速度包括等加速度、變加速度、等減速度或變減速度。
  8. 一種非牛頓流體材料的塗佈系統，包括：塗佈裝置，用以將非牛頓流體材料塗佈至基板上；間隙調整單元，連接至所述塗佈裝置，以調整所述塗佈裝置與所述基板之間的間隙；速度調整單元，連接至所述塗佈裝置，以調整所述塗佈裝置塗佈所述非牛頓流體材料的速度；塗料供應單元，連接到所述塗佈裝置，以供應所述非牛頓流體材料至所述塗佈裝置；以及控制單元，連接所述速度調整單元與所述間隙調整單元，以控制所述速度調整單元以及依據如申請專利範圍第1-7項任一項所述之非牛頓流體材料的塗佈方法中取得的所述塗佈裝置與所述基板之間的間隙的數值控制所述間隙調整單元。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的非牛頓流體材料的塗佈系統，其中所述塗料供應單元包括定量馬達與定量針筒。
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