TWI669838B - 晶體振子 - Google Patents

Abstract

一種在AT切割晶體振子中能夠使CI比以前有所改善的結構。本發明的晶體振子包括：AT切割晶體片(10)，平面形狀為大致矩形；激振電極(26)，設置於所述晶體片(10)的主面的表面背面；以及引出電極(28)，從所述激振電極(26)經由作為晶體片(10)的側面的第三傾斜部(16)或第四傾斜部(18)而向所述晶體片(10)的第一邊(10a)側引繞。而且，在將引出電極(28)的從主面向所述側面的引出角度定義為相對於晶體的結晶軸的X軸的角度θ時，θ為59度≦θ≦87度。而且，第三傾斜部(16)及第四傾斜部(18)為具有第一面(24a)、第二面(24b)、第三面(24c)的傾斜部。

Description

晶體振子

本發明是有關於一種使用了AT切割晶體片（AT-cut crystal chip）的晶體振子。

隨著AT切割晶體振子的小型化的推進，在利用機械式加工的製造方法中，晶體振子用的晶體片的製造變得困難。因此，開發出一種使用光刻（photolithography）技術及濕式蝕刻（wet etching）技術而製造的AT切割晶體片。

這種AT切割晶體片例如利用導電性黏著劑等，而固定安裝在陶瓷封裝體（ceramic package）等的容器內，從而能夠構成晶體振子。而且，這種晶體振子中，為了滿足晶體阻抗（crystal impedance，CI）的規格，而進行了各種研究。 例如，如專利文獻1的例如圖10、圖11所公開的那樣，有如下結構：在晶體片的端部設置晶體片的厚度變薄的傾斜部，在所述傾斜部利用導電性黏著劑，將晶體片固定於容器。所述結構中，因能夠將晶體片的激振部中的振動能量在激振部與傾斜部之間隔開，所以能夠期待抑制振子的特性降低。

而且，例如專利文獻2中記載了如下內容：將從設置於晶體片的兩主面的激振電極引出到安裝部的引出電極，向成為晶體片的側面的晶體的m面引繞。所述結構中，因引出電極並非直接存在於振動的傳輸方向上，所以能夠減少激振部的能量經由引出電極而洩漏的情況，從而可以說實現了CI的改善。

[背景技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2014-27505號公報 [專利文獻2] 日本專利特開2014-11650號公報

[發明所要解決的問題] 然而，所述現有結構中，並沒有對於引出電極的配線方向的優選條件、或晶體片的側面的優選形狀進行記載。根據本申請的發明者的研究而判明，通過著眼於所述條件或形狀，能夠改善振子的特性。 本申請鑒於所述方面而完成，且本申請的目的在於：提供一種在AT切割晶體振子中，能夠使CI比以前有所改善的結構。

[解決問題的技術手段] 為了達成所述目的，根據本發明，為一種晶體振子，包括：AT切割晶體片，平面形狀為大致矩形；激振電極，設置於所述晶體片的主面（由晶體的結晶軸表示的X-Z′面）的表背；以及引出電極，從所述激振電極經由所述晶體片的側面向所述晶體片的一個邊側引繞，所述晶體振子的特徵在於：在將所述引出電極的從所述主面向所述側面的引出角度定義為相對於晶體的結晶軸的X軸的角度θ時，將所述θ設為59度≦θ≦87度。宜更優選將所述θ設為62度≦θ≦75度。宜進而優選將所述θ設為64度≦θ≦74度。其原因在於，如果將引出角度θ設為所述規定值，則比起不設為所述規定值的情況，能夠減少依存於引出電極的引出角度的振動能量的洩漏量，因而實現CI的改善。其詳細情況將於後述的「4.實驗結果的說明」項中進行說明。

而且，實施本發明時，宜為所述側面為以沿著晶體的結晶軸的Z′軸朝向所述晶體片的端部而晶體片的厚度變薄的方式傾斜的傾斜部，且具有第一面～第三面這三個面，所述第一面設為成為如下面的傾斜部，所述面相當於使所述晶體片的由晶體的結晶軸表示的X-Z′面（主面）以晶體的X軸為旋轉軸旋轉4±3.5°而成的面，且宜為所述引出電極經由所述第一面而引出。

如果設為這種傾斜部，則比起不設為這種傾斜部的情況，能夠減少依存於與晶體片的Z′軸交叉的側面的形狀的振動能量的洩漏量，因而實現了CI改善。 另外，所述優選例中，典型來說，宜為第一面～第三面依次相交，所述第二面為相當於如下面的面，所述面是使所述主面以晶體的X軸為旋轉軸旋轉-57±5°而成，所述第三面為相當於如下面的面，所述面是使所述主面以晶體的X軸為旋轉軸旋轉-42±5°而成。

[發明的效果] 根據本發明的晶體振子，因使引出電極的引出角度適當化，所以能夠使CI比以前有所改善。而且，根據優選例，因使晶體片的側面形狀適當化，所以就側面形狀而言，也能夠使CI比以前有所改善，因而與引出電極的引出角度相輔相成，而使CI比以前有所改善。

以下，參照附圖對本發明的晶體振子的實施方式進行說明。另外，說明中使用的各圖，只不過是以能夠理解本發明的程度而概略地表示。而且，說明中使用的各圖中，對相同的構成成分附上相同的編號而表示，有時也省略其說明。而且，以下的說明中敘述的形狀、尺寸、材質等，只不過是本發明的範圍內的優選例。因此，本發明並不僅限定於以下的實施方式。

1.關於AT切割晶體片的結構 首先，主要參照圖1A～圖1E、圖2A、圖2B，對本發明的晶體振子具備的AT切割晶體片10進行說明。圖1A～圖1E是所述晶體片10的說明圖，尤其，圖1A是晶體片10的俯視圖，圖1B～圖1E分別是沿著圖1A中的P-P線、Q-Q線、R-R線、S-S線的晶體片10的剖視圖。而且，圖2A、圖2B是進一步詳細表示圖1D所示的部分的圖。尤其，圖2B是將圖2A中的N部分（即第三傾斜部）放大表示的圖。

此處，圖1A、圖1D中所示的座標軸X、座標軸Y′、座標軸Z′，分別表示AT切割晶體片10中的晶體的結晶軸。另外，AT切割晶體片自身的詳細情況，例如記載於文獻：“晶體裝置的解說與應用”。日本晶體裝置工業會2002年3月第四版第7頁等中，因而此處省略其說明。

本實施方式的晶體片10是平面形狀為大致矩形的AT切割晶體片，在作為其一個邊的第一邊10a側，利用固定構件（參照圖4A～圖4C中的32）而固定於容器（參照圖4A～圖4C中的30）。而且，所述晶體片10包括：第一傾斜部12，從第一邊10a的附近朝向所述第一邊10a，以晶體片10的厚度變薄的方式傾斜；第二傾斜部14，分別設置於第一邊10a的兩端部，與第一傾斜部12一體形成，具有比第一傾斜部12還緩和的傾斜；以及第一被固定部22a及第二被固定部22b，與所述第二傾斜部14一體形成，從第一邊10a朝向晶體片10的外側分別突出，且用於固定構件的固定。

而且，本實施方式的晶體片10為如下的大致矩形狀的晶體片，亦即：第一邊10a與晶體的Z′軸平行，與第一邊10a交叉的第二邊10b及第三邊10c與晶體的X軸平行，且X軸方向上為長尺寸。 因此，本實施方式的第一被固定部22a及第二被固定部22b分別向與晶體的X軸平行的方向突出。並且，本實施方式的第一被固定部22a及第二被固定部22b分別成為：具有兩個向與晶體的X軸平行的方向呈凸狀突出的凸部22x的凸狀形狀。而且，由於第二傾斜部14的傾斜比第一傾斜部12還要緩和，所以，第二傾斜部14的與晶體的Y′軸方向平行的方向上的厚度t2（圖1C）要比第一傾斜部12的同方向上的所述厚度t1（圖1B）還厚。所述第二傾斜部14為與第一被固定部22a及第二被固定部22b相連的部分，因而，第二傾斜部14的厚度厚，會有助於將晶體片10固定於容器後的晶體振子的耐衝擊性的提高。

另外，本實施方式中，是在晶體片10的+X側的端部將晶體片10固定於容器，但也可在晶體片10的-X側進行固定。然而，由於第一傾斜部12的X方向上的尺寸比第五傾斜部20長，所以，將第一被固定部22a及第二被固定部22b設置於晶體片10的+X側的端部，更容易使激振電極26與第一被固定部22a、第二被固定部22b之間變大，因而，對於晶體阻抗（crystal impedance，CI）改善而言，為優選。而且，本發明的特徵在於後述的引出電極28的引出角度θ或晶體片10的側面形狀，因而，第一被固定部22a、第二被固定部22b並非必需，也可不設置，而在第一傾斜部12將晶體片10固定於容器。

而且，本實施方式的第一傾斜部12、第二傾斜部14分別設為沿著晶體的X軸方向呈2段傾斜的結構（參照圖1B、圖1C）。然而，傾斜部的段數不限於此，只要構成相對於晶體片10的主面10d為傾斜連接的傾斜部即可。另外，所謂晶體片10的主面是：晶體片10的除了第一傾斜部12～第五傾斜部20以外的區域，且是相當於晶體的X-Z′平面的區域。

而且，本實施方式的晶體片10包括第三傾斜部16及第四傾斜部18，所述第三傾斜部16及第四傾斜部18是從與所述第一邊10a交叉的兩個邊、即第二邊10b及第三邊10c各自的附近朝向這些邊10b、邊10c，以晶體片10的厚度變薄的方式傾斜。 這些第三傾斜部16及第四傾斜部18在本實施方式的情況下是，分別具有第一面24a～第三面24c這三個面的構件（圖1D）。而且，第一面24a是與所述晶體片10的主面10d相交的面，並且，第一面24a是相當於如下所述的面，所述面是使主面10d以晶體的X軸為旋轉軸旋轉θ1（參照圖2B）而成。此外，在本實施方式的情況下，第一面24a、第二面24b及第三面24c依次相交。並且，第二面24b是相當於如下所述的面，所述面是使主面10d以晶體的X軸為旋轉軸旋轉θ2（參照圖2B）而成，第三面24c是相當於如下所述的面，所述面是使主面10d以晶體的X軸為旋轉軸旋轉θ3（參照圖2B）而成。這些角度θ1、角度θ2、角度θ3的詳細情況，將在後述的「4.實驗結果的說明」項目中進行說明，可知下述情況為優選。θ1＝4°±3.5°，θ2＝-57°±5°，θ3＝-42°±5°，更優選為θ1＝4°±3°，θ2＝-57°±3°，θ3＝-42°±3°。

而且，本實施方式的晶體片10中，與晶體的Z′軸交叉的兩個側面（Z′面）（即第三傾斜部16與第四傾斜部18），分別以晶體片10的中心點O（參照圖2A）為中心，而成為點對稱的關係。另外，所謂此處提及的點對稱，包含即便有一些形狀差也可視作實質相同的點對稱的狀態。如果是這種點對稱，則比起非這樣的點對稱的情況，振子的特性會變得良好，因而優選。 而且，本實施方式的晶體片10在與第一邊10a對向的邊的一側，具有第五傾斜部20。所述第五傾斜部20為隨著朝向所述邊而晶體片的厚度變薄的傾斜部（參照圖1B、圖1C）。

2.電極及晶體振子的構成 接下來，主要參照圖3A～圖3E、圖4A～圖4C，對激振電極26及引出電極28的構成、與晶體振子的整體構成進行說明。此處，圖3A～圖3E是表示：在圖1A～圖1E所示的晶體片10設置激振電極26、引出電極28的狀態的圖。尤其，圖3A是設置著這些電極的晶體片10的俯視圖，圖3B～圖3E分別是沿著圖3A中P-P線、Q-Q線、R-R線、S-S線的晶體片10的剖視圖。而且，圖4A～圖4C是表示：將設置著電極26、電極28的晶體片10安裝於容器30的狀態的圖。尤其，圖4A是其俯視圖，圖4B、圖4C分別是沿著圖4A中的P-P線、Q-Q線的剖視圖。

本實施方式中，將激振電極26分別設置於晶體片10的主面10d的表面與背面。而且，引出電極28設置成如下：從激振電極26經由第三傾斜部16及第四傾斜部18的對應的傾斜部，而到達第一被固定部22a及第二被固定部22b的對應的被固定部。並且，引出電極28經由第三傾斜部16及第四傾斜部18的對應的傾斜部的第一面24a而引出。具體來說，圖3A的主面10d的表面側的激振電極26經由第三傾斜部16的第一面24a而到達第一被固定部22a。而且，圖3A的主面10d的背面側的激振電極26經由第四傾斜部18的第一面24a而到達第二被固定部22b。因此，根據所述引出結構，能夠防止引出電極28直接經由第一傾斜部12、第二傾斜部14上而到達第一被固定部22a、第二被固定部22b。

此處，根據發明者的實驗可知，在將引出電極28的、從主面10d向第三傾斜部16或第四傾斜部18的引出角度定義為相對於晶體的結晶軸的X軸的角度θ時（參照圖3A），優選將所述引出角度θ設為59度≦θ≦87度，更優選設為62度≦θ≦75度，進而優選設為64度≦θ≦74度。這樣是為了能夠實現晶體振子的CI（晶體阻抗）的改善。其詳細情況將在後述的「4.實驗結果的說明」項目中進行說明。

將設置著激振電極26及引出電極28的晶體片10如圖4A~圖4C所示那樣，安裝於作為容器的例如陶瓷封裝體30的凹部30a內，實施頻率調整等，且利用未圖示的蓋構件進行密封，由此能夠構成晶體振子。具體來說，將晶體片10的第一被固定部22a、第二被固定部22b以及第一傾斜部12及第二傾斜部14的一部分、與容器30的連接墊30b，利用固定構件（例如導電性黏著劑）32進行固定。而且，通過進行頻率調整或密封而能夠構成晶體振子。如圖4B所示，晶體振子具有安裝端子30c。

3.AT切割晶體片10的製法例 接下來，參照圖5A、圖5B、圖5C～圖8A、圖8B，對實施方式的晶體振子具備的AT切割晶體片10的製法例進行說明。所述晶體片10能夠利用光刻技術及濕式蝕刻技術而由晶體晶片（crystal wafer）製造多個。因此，製法例的說明中使用的圖的一部分圖中，表示：晶體晶片10w的俯視圖、及將其一部分M放大的俯視圖。此外，製法例的說明中使用的圖的一部分圖中，也並用剖視圖。圖5A、圖5B、圖5C～圖8A、圖8B中使用了剖視圖的任一圖中，均是：圖5B～圖8B的圖表示圖5A～圖8A的圖中的P-P線的剖視圖，圖5C～圖7C的圖表示圖5A～圖7A的圖中的Q-Q線的剖視圖。

所述製法例中，首先，準備晶體晶片10w（圖5A、圖5B、圖5C）。AT切割晶體片10的振盪頻率如周知那樣，大致由晶體片10的主面（X-Z′面）部分的厚度決定，晶體晶片10w設為比最終的晶體片10的厚度t（參照圖7B）厚的厚度T的晶片（參照圖5B）。

接下來，在所述晶體晶片10w的表面背面兩面，利用周知的光刻技術形成用以形成晶體片的外形的耐蝕刻性罩幕40。本實施方式的情況下的耐蝕刻性罩幕40包含：與晶體片的外形對應的部分、保持各晶體片的框架部分、及將晶體片與框架部分予以連結的連結部（圖5A中由10x表示的部分）。而且，耐蝕刻性罩幕40以在晶體晶片10w的表面背面相向的方式形成。

將已形成耐蝕刻性罩幕40的晶體晶片10w在以氟酸為主的蝕刻液中浸漬規定的時間。利用所述處理，晶體晶片10w的未由耐蝕刻性罩幕40覆蓋的部分溶解，而獲得晶體片10的大致外形。 接下來，從晶體晶片10w中去除耐蝕刻性罩幕40。此時，所述製法例中，僅將耐蝕刻性罩幕40的相當於晶體片10的部分及連結部10x去除，而保留相當於框架部的部分（圖6A、圖6B、圖6C）。

接下來，將所述晶體晶片10w在以氟酸為主的蝕刻液中再次浸漬規定的時間。此處，所謂規定的時間是指如下時間：晶體片10的形成預定區域的厚度t（圖7B）能夠滿足所述晶體片10所要求的振盪頻率的規格，且所述晶體片10的Z′側面能夠包含本發明中提及的第一面24a～第三面24c。這些時間能夠由事先的實驗來決定。根據發明者的實驗可知，晶體片10的Z′面伴隨著蝕刻的進行，而形狀發生變化。圖10A～圖10C是其說明圖，且是表示與晶體晶片10w的一部分且相當於晶體片的第三傾斜部的部分的蝕刻量相應的形狀變化的剖視圖。隨著蝕刻的進行，可知依次變為如圖10A所示殘留突起10z的狀態，如圖10B所示包含第一面10g、第二面10h、第三面10i與第四面10j這四個面的狀態（產生第四面的狀態），以及如圖10C所示包含本發明提及的第一面24a～第三面24c這三個面的狀態（本發明的狀態）。並且可知，為了獲得包含本發明提及的第一面～第三面這三個面的側面，在為規定蝕刻液及蝕刻溫度等的情況下，需要蝕刻到相對於晶體晶片10w的初始厚度T為55%～25%的範圍的厚度為止。因此，以獲得振盪頻率的規格及第一面～第三面這三個面的方式，來決定初始厚度T或所述蝕刻時間等。

接下來，從結束了所述蝕刻的晶體晶片中去除耐蝕刻罩幕，而露出晶體面（未圖示）。然後，在所述晶體晶片的整個面，利用周知的成膜方法形成晶體振子的激振電極及引出電極形成用的金屬膜（未圖示）。接下來，將所述金屬膜利用周知的光刻技術及金屬蝕刻技術，圖案化為電極形狀，而形成激振電極26及引出電極28（圖8A、圖8B）。由此，能夠獲得具備晶體片10、激振電極26及引出電極28的晶體振子。

在圖8A、圖8B所示的狀態下，晶體片10為經由連結部10x結合於晶體晶片10w的狀態。因此，首先，對連結部10x施加適當外力F（圖9），使晶體片10在連結部10x的例如中央部與晶體晶片10w分離而單片化（圖9）。本發明中，因連結部10x在其中央具有開口部，所以，將所述單片化處理後殘留於連結部10x的晶體片10側的部分作為第一被固定部22a、第二被固定部22b而積極使用。而且，通過研究出連結部10x的設計，而能夠獲得第二傾斜部。 通過將如此形成的晶體片如圖4A～圖4C所示那樣安裝於容器30，而能夠獲得實施方式的晶體振子。

4.實驗結果的說明 4-1.關於第一面～第三面 參照圖11A、圖11B，對第一面24a～第三面24c進行說明。 圖11A是關於因晶體片的Z′面的形狀的不同，即第三傾斜部、第四傾斜部的形狀的不同，對使用所述晶體片所構成的晶體振子的CI（晶體阻抗）有何不同而進行說明的圖。橫軸表示實驗中使用的晶體片的樣品編號、各樣品的Z′面的形狀的特徵（與圖10A～圖10C對應的特徵），縱軸表示CI（相對值）。另外，實驗樣品的振盪頻率為38 MHz左右。

如根據圖11A可知，在晶體片的Z′面上殘留突起的樣品、晶體片的Z′面包含第一面～第四面這四個面的樣品、晶體片的Z′面包含第一面～第三面這三個面的本發明的樣品中，本發明的樣品的阻抗減小。因此，可知圖1A～圖1E所示的第三傾斜部16、第四傾斜部18宜為包含第一面24a～第三面24c的傾斜部。

而且，圖11B是本發明的第一面24a～第三面24c的說明圖。具體來說，是表示本申請的發明者等人的實驗結果，且晶體的各種結晶面相對於氟酸系蝕刻劑的蝕刻速度的不同的圖。更詳細來說，橫軸表示以AT切割的主面為基準而使所述面以晶體的X軸為旋轉軸旋轉的角度，縱軸表示如所述那樣使AT切割板旋轉而獲得的各晶體面的蝕刻速度。另外，各面的蝕刻速度由以AT切割面的蝕刻速度為基準的相對值表示。

如能夠根據所述圖11B而理解那樣，可知在晶體中，相當於使AT切割的主面旋轉θ1而成的面的面、相當於使AT切割的主面旋轉θ2而成的面的面、相當於使AT切割的主面旋轉θ3而成的面的面的各自的蝕刻速度變得極大。而且，θ1為4°左右，θ2為-57°左右，θ3為-42°左右，並且，根據發明者的實驗可知，使用圖11A說明的阻抗變得良好的區域為θ1＝4°±3.5°，θ2＝-57°±5°，θ3＝-42°±5°，更優選為θ1＝4°±3°，θ2＝-57°±3°，θ3＝-42°±3°。由這些θ1～θ3規定的各個面，相當於本發明的第一面～第三面。

4-2.關於引出電極 接下來，對與引出電極的引出方法有關的實驗結果進行說明。此處，著眼於圖3A～圖3E所示的激振電極26的沿著晶體軸的X方向的尺寸、與引出電極28的長度，使用如下的兩個水平的樣品組，調查使引出電極的引出角度θ變化時的CI（晶體阻抗）的不同，所述水平為水平A：激振電極26的X尺寸長，且引出電極28的長度短的水平，水平B：相對於水平A，激振電極26的X尺寸短，且引出電極28的長度長的水平。

圖12A是表示水平A的樣品組中的引出角度θ與晶體振子的CI的關係的圖，圖12B是表示水平B的樣品組中的引出角度θ與晶體振子的CI的關係圖。任一圖中均為橫軸表示引出角度θ，縱軸表示CI（相對值）。 在水平A、水平B中的任一情況下，均在引出角度θ設為0度、45度、65度、90度這4個條件的樣品中調查CI。而且，可知在水平A、水平B中的任一情況下，比起引出角度為0度的情況，即，引出電極不經由第三傾斜部、第四傾斜部的情況，引出角度θ為45度～90度的範圍內的規定值且經由第三傾斜部、第四傾斜部時的CI更小。具體來說，可知在水平A的情況下，引出角度θ為69度時的CI比其他角度的情況下要小（圖12A），在水平B的情況下，引出角度θ為74度時的CI比其他角度的情況下要小（圖12B）。

而且，在研究相對於這些優選的角度69度、74度的CI值，而CI變差了2%的引出角度的範圍後，可知，水平A的情況下為59度≦θ≦87度，水平B的情況下為62度≦θ≦75度。此外，在研究相對於這些優選角度69度、74度的CI值，而CI變差了1%的引出角度的範圍後，可知，在水平A的情況下為64度≦θ≦74度，在水平B的情況下為63度≦θ≦83度。優選能夠將這些2%或1%的CI劣化量，考慮為晶體振子設計時的CI值的閾值的標準，因而將引出角度θ設為所述各範圍。

因此，可知如果綜合考察所述研究結果，則為了改善CI，宜將引出電極28的引出角度θ設為59度≦θ≦87度，宜更優選設為62度≦θ≦75度，宜進而優選設為64度≦θ≦74度。 5.其他實施方式 上述例中，如圖3A～圖3E所示，對如下結構進行了說明，所述結構為引出電極28在從激振電極26以引出角度θ僅經由第三傾斜部16或第四傾斜部18後到達第二傾斜部14或第一傾斜部12。然而，有時引出電極28也可為如下狀態：以經由第三傾斜部16的其一部分也形成在第一傾斜部12上的狀態而引繞。所謂所述一部分例如為：激振電極26的Z′方向的寬度的10%以下的程度。如果達到所述程度，則即便引出電極28向第一傾斜部12側伸出且經由第三傾斜部16，激振電極26側的振動能量經由第一傾斜部12而向第一被固定部22a側洩漏的影響也小，從而CI實質並無劣化。

10‧‧‧實施方式的AT切割晶體片

10a‧‧‧第一邊

10b‧‧‧第二邊

10c‧‧‧第三邊

10d‧‧‧主面

10g、24a‧‧‧第一面

10h、24b‧‧‧第二面

10i、24c‧‧‧第三面

10j‧‧‧第四面

10w‧‧‧晶體晶片

10x‧‧‧連結部

10z‧‧‧突起

12‧‧‧第一傾斜部

14‧‧‧第二傾斜部

16‧‧‧第三傾斜部

18‧‧‧第四傾斜部

20‧‧‧第五傾斜部

22a‧‧‧第一被固定部

22b‧‧‧第二被固定部

22x‧‧‧凸部

26‧‧‧激振電極

28‧‧‧引出電極

30‧‧‧容器（陶瓷封裝體）

30a‧‧‧凹部

30b‧‧‧連接墊

30c‧‧‧安裝端子

32‧‧‧固定構件（導電性黏著劑）

40‧‧‧耐蝕刻性罩幕

θ‧‧‧引出角度

θ1～θ3‧‧‧第一面～第三面的相對於AT主面的角度

F‧‧‧外力

M‧‧‧晶體晶片10w的俯視圖的一部分

O‧‧‧中心點

P-P、Q-Q、R-R、S-S‧‧‧剖面線

t、t1、t2、T‧‧‧厚度

X、Y′、Z′‧‧‧座標軸

圖1A～圖1E是實施方式的晶體振子所具備的AT切割晶體片10的說明圖。 圖2A、圖2B是晶體片10的尤其第三傾斜部、第四傾斜部的說明圖。 圖3A～圖3E是實施方式的晶體振子的激振電極、引出電極的說明圖。 圖4A～圖4C是對晶體振子的結構進行說明的圖。 圖5A、圖5B、圖5C是晶體片10的製法例的說明圖。 圖6A、圖6B、圖6C是晶體片10的製法例的繼圖5A、圖5B、圖5C後的說明圖。 圖7A、圖7B、圖7C是晶體片10的製法例的繼圖6A、圖6B、圖6C後的說明圖。 圖8A、圖8B是晶體片10的製法例的繼圖7A、圖7B、圖7C後的說明圖。 圖9是晶體片10的製法例的繼圖8A、圖8B後的說明圖。 圖10A～圖10C是對晶體片10的製法例的尤其蝕刻狀態進行說明的圖。 圖11A、圖11B是晶體片10的第一面～第三面的說明圖。 圖12A、圖12B是對實施方式的晶體振子的引出電極的引出角度的效果進行說明的圖。

Claims (3)

1. 一種晶體振子，包括：AT切割晶體片，平面形狀為大致矩形；激振電極，設置於所述AT切割晶體片的主面的表面與背面；以及引出電極，從所述激振電極經由所述AT切割晶體片的側面而向所述AT切割晶體片的一個邊側引繞，所述晶體振子的特徵在於：所述側面沿著所述AT切割晶體片的晶體的結晶軸的Z'軸朝向所述AT切割晶體片的端部，以所述AT切割晶體片的厚度變薄的方式傾斜，且所述側面具有第一面、第二面與第三面這三個面，所述第一面、所述第二面及所述第三面依次相交，且所述第一面相當於：使所述AT切割晶體片的由所述晶體的所述結晶軸表示的X-Z'面即所述主面，以所述晶體的所述結晶軸的X軸為旋轉軸旋轉4°±3.5°而成的面，所述第二面相當於：使所述主面以所述晶體的所述X軸為旋轉軸旋轉-57°±5°而成的面，所述第三面相當於：使所述主面以所述晶體的所述X軸為旋轉軸旋轉-42°±5°而成的面，在將所述引出電極的從所述主面向所述側面的引出角度，定義為相對於平行於所述晶體的所述X軸且朝向所述一個邊側的線段的角度θ時，所述θ為59度≦θ≦87度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的晶體振子，其中：所述θ為62度≦θ≦75度。
3. 如申請專利範圍第1項所述的晶體振子，其中：所述θ為64度≦θ≦74度。