TWI664319B - 電解單元及電解槽 - Google Patents

Abstract

本發明之電解單元係具備下述陰極室者，該陰極室包含：陰極、及與上述陰極對向配置且具有基材與逆電流吸收體之逆電流吸收構件；並且上述陰極與上述逆電流吸收體電性連接，將上述陰極室之下端高度設為0，將上述陰極室之上端高度設為h時，於h/2以上且h以下之高度所對應之位置I處存在之逆電流吸收體之面積S3與對應於上述位置I之上述基材之陰極對向面之面積S_A 的比為0.20≦S3/S_A ＜1.0。

Description

電解單元及電解槽

本發明係關於一種電解單元及電解槽。

於食鹽水等鹼金屬氯化物水溶液之電分解、水之電分解(以下稱為「電解」)中，主要利用使用有具備離子交換膜之電解槽之離子交換膜法。該電解槽於其內部具備多個串聯連接之電解單元。使離子交換膜介存於各電解單元之間而進行電解。於電解單元中，具有陰極之陰極室與具有陽極之陽極室介隔間隔壁(背面板)或介隔藉由壓製壓力之抵板而背對背配置。作為電解槽，已知專利文獻1中記載之電解槽等。 近年來，電解槽之設備大型化，串聯排列之電解單元之個數自100對左右增加至200對。伴隨於此，停止時產生之於與通常運轉時相反之方向流動之電流(以下稱為「逆電流」)變大，因此，易於產生電極之劣化。 為防止電極劣化，有大致兩種方法。第一種係改良電極而使用即使流通逆電流亦不會氧化劣化之電極，第二種係設法不使電極觸媒氧化劣化之電位上升。 第一種方法可藉由於觸媒中使用即使受到逆電流亦難以氧化劣化之成分而達成。然而，於要求對逆電流之耐性之同時亦要求對析氫電解具有高活性，現今並未開發出可耐受實用之材料。 第二種方法通常以如下方式實施：一面於電解槽停止前流通微弱之電流，一面進行產生逆電流之化學種(食鹽電解之情形時為氯)之置換操作。然而，於該電解停止方法中存在運轉操作繁雜，或用以流通微弱電流之整流器故障所導致之電極損傷等問題。又，由於需要該等附帶設備而使設備成本上升，故而就經濟性之觀點而言亦應對該方面進行改善。於此種情況中，例如於專利文獻2中揭示有藉由搭載利用分散鍍覆而於集電體之表面形成雷氏鎳之電解用陰極結構體，可抑制陰極電位之上升。又，於專利文獻3中揭示有藉由熔射法而於陰極室內形成消耗逆電流之層之電解用陰極結構體。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]國際公開第2004/048643號小冊子 [專利文獻2]日本專利第4846869號說明書 [專利文獻3]日本專利第5670600號說明書

[發明所欲解決之問題] 為於已在市場上處於運轉中或作為預備框架之保管中之電解單元中應用專利文獻2或3中揭示之技術，必須進行暫時分解陰極結構體後，被覆消耗逆電流之層後再次組裝，或者交換為已被覆逆電流吸收層之陰極結構體等之作業，存在於施工上顯著花費時間，或新集電體之成本較高等缺點。 本發明係鑒於上述先前技術所具有之課題而完成者，其目的在於提供一種低成本且可簡便實現，並且可抑制電解停止時產生之逆電流所引起之陰極之劣化、離子交換膜之損傷及電壓上升的電解單元、電解單元之製造方法及電解槽。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人為解決上述課題而反覆潛心研究，發現可抑制逆電流所引起之氧化劣化，從而完成本發明。即，本發明係如下所述。 [1]一種電解單元，其係具備下述陰極室者，該陰極室包含 陰極、及 與上述陰極對向配置且具有基材與逆電流吸收體之逆電流吸收構件， 上述陰極與上述逆電流吸收體電性連接， 將上述陰極室之下端高度設為0，將上述陰極室之上端高度設為h時，於h/2以上且h以下之高度所對應之位置I處存在之逆電流吸收體之面積S3與對應於上述位置I之上述基材之陰極對向面之面積S_A 的比為0.20≦S3/S_A ＜1.0。 [2]如[1]之電解單元，其中上述電解單元之於0以上且未達1/2h之高度所對應之位置II處存在之逆電流吸收體之面積S4與上述面積S3之關係為S4＜S3。 [3]如[1]或[2]之電解單元，其中上述逆電流吸收體含有氧化還原電位低於上述陰極之觸媒元素之元素。 [4]如[1]至[3]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體含有選自由鈦、釩、鉻、錳、鐵、鎳、鈷、銅、鋅、鈀、釕及鉑所組成之群中之至少一種元素。 [5]如[1]至[4]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體係含有鎳元素之多孔質體，且 於將上述多孔質體供至粉末X射線繞射而獲得之圖案中，繞射角2θ＝44.5°之Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.6°以下。 [6]如[1]至[5]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體係含有Ni或NiO之層。[7]如[1]至[6]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體係將上述NiO還原而成之層。 [8]如[1]至[7]中任一項之電解單元，其中上述陰極具有包含Ni或Ni合金或者於Fe上鍍覆Ni或Ni合金而得者之陰極基材、及形成於該陰極基材上且含有上述觸媒金屬之觸媒層。 [9]如[1]至[8]中任一項之電解單元，其中上述基材具有集電體、支持該集電體之支持體、間隔壁及擋板， 上述逆電流吸收構件進而具有金屬彈性體， 上述金屬彈性體配置於上述集電體及上述陰極之間， 上述支持體配置於上述集電體及上述間隔壁之間， 上述間隔壁、上述支持體、上述集電體、上述金屬彈性體及上述陰極電性連接。[10]如[1]至[8]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體包含金屬板或金屬多孔板、及形成於該金屬板或金屬多孔板表面之至少一部分之逆電流吸收層， 上述基材具有集電體、支持該集電體之支持體、及間隔壁， 上述逆電流吸收構件進而具有金屬彈性體， 上述金屬板或金屬多孔板配置於上述集電體及上述陰極之間、以及上述集電體及上述間隔壁之間之任一位置， 上述金屬板或金屬多孔板、上述間隔壁、上述支持體、上述集電體、上述金屬彈性體及上述陰極電性連接。[11]如[10]之電解單元，其中上述金屬板或金屬多孔板係Ni、Ni合金或者於表面具有Ni或Ni合金之被覆層之Fe、Fe合金或不鏽鋼材料。 [12]如[9]至[11]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體之至少一部分配置於上述金屬彈性體與上述集電體之間。 [13]如[9]至[12]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體之至少一部分配置於上述集電體與上述間隔壁之間。 [14]如[1]至[8]中任一項之電解單元，其中上述陰極室具有間隔壁及支持上述陰極之陰極支持體作為上述基材， 上述陰極支持體配置於上述陰極及上述間隔壁之間， 上述間隔壁、上述陰極支持體及上述陰極電性連接。[15]如[14]之電解單元，其中上述逆電流吸收體之至少一部分配置於上述陰極及上述間隔壁之間。 [16]如[1]至[15]中任一項之電解單元，其中上述基材及/或上述金屬彈性體之至少一部分為立方體、長方體、板狀、棒狀、網狀、圓盤狀或球狀。 [17]如[1]至[16]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體之比表面積為0.01～100 m² /g。 [18]如[1]至[17]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體之吸收電量為1,000～2,000,000 C/m² 。 [19]如[1]至[18]中任一項之電解單元，其中上述逆電流吸收體之有效表面積之總和為10～100,000 m² 。 [20]一種電解槽，其具備如[1]至[19]中任一項之電解單元。 [21]如[20]之電解槽，其中上述電解槽之陽極與上述逆電流吸收構件之距離為35 mm～0.1 mm。 [22]一種如[1]至[19]中任一項之電解單元之製造方法，其包括於上述基材或金屬彈性體形成上述逆電流吸收體而獲得上述逆電流吸收構件之形成步驟，且 於上述形成步驟後，上述面積S3與上述面積S_A 的比為0.20≦S3/(S_A )＜1.0。 [發明之效果] 根據本發明，提供一種低成本且可簡便實現，並且可抑制電解停止時產生之逆電流所引起之陰極之劣化、離子交換膜之損傷及電壓上升的電解單元、電解單元之製造方法及電解槽。

以下，關於用以實施本發明之形態(以下稱為「本實施形態」)，視需要一面參考圖式一面詳細說明。下述本實施形態係用以說明本發明之例示，本發明並不限定於以下內容。又，隨附圖式係表示本實施形態之一例者，本實施形態並不限定於此而被解釋。本發明可於其主旨之範圍內進行適宜變化而實施。再者，圖式中上下左右等位置關係若無特別聲明，則基於圖式所示之位置關係。圖式之尺寸及比率並不限定於圖示者。 本實施形態之電解單元係具備下述陰極室者，該陰極室包含：陰極、及與陰極對向配置且具有基材與逆電流吸收體之逆電流吸收構件，並且陰極與逆電流吸收體電性連接，將陰極室之下端高度設為0，將陰極室之上端高度設為h時，於h/2以上且h以下之高度所對應之位置I處存在之逆電流吸收體之面積S3與對應於上述位置I之上述基材之陰極對向面之面積S_A 的比為0.20≦S3/S_A ＜1.0。本實施形態之電解單元由於具有如此構成，故而不僅低成本且可簡便地實現，並且可抑制電解停止時產生之逆電流所引起之陰極之劣化、離子交換膜之損傷及電壓上升。 又，本實施形態之電解槽具備本實施形態之電解單元。本實施形態之電解槽由於具有如此構成，故而不僅低成本且可簡便地實現，並且可抑制電解停止時產生之逆電流所引起之陰極之劣化、離子交換膜之損傷及電壓上升。 於本實施形態之電解單元中，將陰極室之下端高度設為0，將陰極室之上端高度設為h時，於h/2以上且h以下之高度所對應之位置I處存在之逆電流吸收體之面積S3與對應於上述位置I之上述基材之陰極對向面之面積S_A 的比為0.20≦S3/S_A ＜1.0。此處，陰極室之上端及下端係作為將自外部供給至電解單元之電解液之移動方向(即，自電解液供給管向電解液回收管之方向)作為高度方向時之陰極室之內部之端部而特定。於典型之電解單元結構中，陰極室之上端及下端與陰極之上端及下端、集電體之上端及下端、以及支持體之上端及下端幾乎一致，但並不限定於此種結構，各上端及下端可分別處於不同高度。 如下述實施例、比較例所示，本發明者等人對電解停止後，逆電流流通期間之陰極電位之時間變化進行了測定，結果發現於電解單元中，較之高度0～未達1/2h之高度所對應之陰極之電位，1/2h～h之高度所對應之陰極電位上升更快。該結果表示：逆電流所引起之陰極觸媒之溶出於電極面內並非均勻發生，上部較早地開始溶出。即，為防止陰極觸媒整面溶出，於電解單元中，於1/2h～h之高度所對應之位置I處存在之逆電流吸收體之面積較為重要。 藉由使S3/S_A 取0.20以上之值，逆電流吸收體之面積成為用以保護陰極整面之充分之值，下述逆電流試驗中，可將陰極觸媒溶出抑制為90%以上。更佳為0.36以上之值，於該情形時存在可將陰極觸媒之溶出抑制為幾乎100%之傾向。 另一方面，逆電流吸收體可成為電解液之流動阻力，於S3/S_A 取1.0以上之值之情形時，存在作為該流動阻力之影響顯著化之傾向，故而其結果為存在與膜損傷之發生相關之傾向。電解中產生之氣體如上所述存在滯留於電解單元上部之傾向。電解單元之位置I處充滿氣體，存在電解液之供給性尤其下降之傾向。因此，藉由使S3/S_A 取未達1.0之值，可維持電解液之供給性，抑制膜損傷之發生頻率。更佳為0.79以下之值，可大大抑制膜損傷之發生頻率。 再者，考慮距陰極面之距離，較佳為上述值以逆電流吸收體之設置位置成為集電體、支持體、間隔壁之順序變得更大。例如，於將逆電流吸收體設置於間隔壁上之情形時，更佳為S3/S_A 為0.5以上。 於本實施形態中，使用陰極室進行下述電解試驗時，該電解試驗前之觸媒金屬(陰極之觸媒元素)量M1與該電解試驗後之觸媒金屬量M2之比率以M2/M1計較佳為0.1以上。上述電解試驗採用非常嚴苛之條件，故而存在陰極之觸媒成分之溶出量變大，伴隨於此電壓之上升變大之傾向，但藉由本實施形態之電解單元，可防止電壓之急遽上升並且維持必需之陰極狀態。即，若上述M2/M1之值為0.1以上，則存在陰極之觸媒成分之溶出之影響較小，可有效防止電壓上升之傾向。就與上述相同之觀點而言，更佳為0.2以上，進而較佳為0.3以上。關於上述電解試驗，可藉由下述實施例中記載之方法而進行。又，於本實施形態中，例如可藉由如下方式將M2/M1之值調整為上述範圍：藉由下述較佳材料及方法而形成逆電流吸收體、將逆電流吸收體之位置調整為下述較佳位置等。[電解試驗] 於組合具有於鈦基材上塗佈有陽極觸媒之陽極之陽極室、含氮系離子交換膜及上述電解單元而成之電解槽中，使陽極室出口之NaCl濃度為3.5 N±0.2，使陰極室出口之NaOH濃度為32±1質量%，溫度為88±1℃，進行氯化鈉電解，於自電解開始起2小時後、22小時後及42小時後之各時間點短時間流通下述逆電流，自電解開始起110小時後進而流通逆電流而結束電解。自氯化鈉電解開始起經過22小時為止之電流密度為4 kA/m² ，自氯化鈉電解開始其經過22小時以後之電流密度為6 kA/m² 。 (逆電流之條件) 每次以電流密度50 A/m² 流通逆電流15分鐘。逆電流吸收體之位置若為滿足上述面積比，可與電解液接觸，與陰極電性連接之位置，則並無特別限定，可採取各種配置。又，基材之與陰極對向之表面(即，陰極對向面)具有未被逆電流吸收體被覆之露出部分，因此可成為低成本且可簡便地實現之電解單元。 由於以上述方式構成，故而藉由本實施形態之電解單元，可抑制電解停止時產生之逆電流所引起之陰極之劣化。即，本實施形態之電解單元可較佳應用於鹼金屬鹽電解用、水電解用、燃料電池用。 ＜第1態樣＞ 本實施形態之第1態樣之電解單元可採用如下述之構成作為典型例之一例。即可為如下構成：上述基材具有集電體、支持該集電體之支持體、間隔壁及擋板，上述逆電流吸收構件進而具有金屬彈性體，上述金屬彈性體配置於上述集電體及上述陰極之間，上述支持體配置於上述集電體及上述間隔壁之間，上述間隔壁、上述支持體、上述集電體、上述金屬彈性體及上述陰極電性連接。 又，亦可為如下構成：上述逆電流吸收體包含金屬板或金屬多孔板、及形成於該金屬板或金屬多孔板表面之至少一部分之逆電流吸收層，上述基材具有集電體、支持該集電體之支持體及間隔壁，上述逆電流吸收構件進而具有金屬彈性體，上述金屬板或金屬多孔板配置於上述集電體及上述陰極之間、以及上述集電體及上述間隔壁之間之任一位置，上述金屬板或金屬多孔板、上述間隔壁、上述支持體、上述集電體、上述金屬彈性體及上述陰極電性連接。 圖1係以剖面模式圖之形式表示上述第1態樣之電解單元之一例者。電解單元1具備：陽極室10、陰極室20、隔離陽極室10及陰極室20之間隔壁30、設置於陽極室10之陽極11、設置於陰極室20之陰極21。進而，電解單元1於陰極室20內具備逆電流吸收體18。逆電流吸收體18如圖6所例示，可為具有金屬多孔板18a與於該金屬多孔板18a上形成之逆電流吸收層18b之構成。屬於1個電解單元1之陽極11及陰極21相互電性連接。 金屬多孔板18a並無特別限定，較佳為Ni、Ni合金或者於表面具有Ni或Ni合金之被覆層之Fe、Fe合金或不鏽鋼材料。 又，陰極室20具備設置於陰極室20內之陰極21及設置於陰極室20內之逆電流吸收體18，逆電流吸收體18如圖6所示，具有金屬板或金屬多孔板18a及於該金屬板或金屬多孔板18a上形成之逆電流吸收層18b，陰極21與逆電流吸收層18b電性連接，即，陰極21與逆電流吸收體18電性連接。逆電流吸收層18b如圖6所示，可部分或整體積層於金屬板或金屬多孔板18a之一表面，亦可覆蓋金屬板或金屬多孔板18a之兩個以上之表面，亦可完全覆蓋金屬板或金屬多孔板18a之全部表面。陰極室20進而具有集電體23、支持該集電體之支持體24及金屬彈性體22。金屬彈性體22設置於集電體23及陰極21之間。支持體24設置於集電體23及間隔壁30之間。集電體23介隔金屬彈性體22與陰極21電性連接。間隔壁30介隔支持體24與集電體23電性連接。因此，間隔壁30、支持體24、集電體23、金屬彈性體22及陰極21電性連接。陰極21及逆電流吸收體可直接連接，亦可介隔集電體、支持體、金屬彈性體或間隔壁等而間接連接。較佳為陰極21之表面整體被用於還原反應之觸媒層被覆。又，電性連接之形態可為如下形態：間隔壁30與支持體24、支持體24與集電體23、集電體23與金屬彈性體22分別直接安裝，並於金屬彈性體22上積層陰極21。作為將該等各構成構件相互直接安裝之方法，可列舉焊接等。再者，於圖1中，逆電流吸收體18形成於作為基材之集電體23上。於該例中，逆電流吸收構件包含逆電流吸收體18與集電體23，該逆電流吸收構件與陰極21對向配置。 所謂對向配置，若於基材之與上述陰極對向之表面與陰極相對之狀態下配置即可，可為隔開特定間隔而配置之狀態，亦可為不隔開間隔而配置之狀態。又，係指亦包含兩者之表面之間介隔其他構件之情形。進而，兩平面無需相互平行，亦包含存在傾斜而對向之情形。 基材之陰極對向面亦可以與上述「對向」相同之方式解釋。若以圖1所示之間隔壁30與支持體24、支持體24與集電體23、集電體23與金屬彈性體22分別直接安裝，並於金屬彈性體22上積層陰極21之態樣為例，則「基材之陰極對向面」係集電體23之陰極21側之表面。如此，於本實施形態中，基材之陰極對向面較佳為集電體之陰極側之表面。 於本實施形態之電解單元中，如圖2所示，於將陰極室之下端19C之高度設為0且將陰極室之上端19D之高度設為h時所特定之h/2以上且h以下之高度所對應之位置I處存在之逆電流吸收體18之面積S3與基材之陰極對向面之面積S_A 之關係變得重要。於圖2所示之例中，陽極室之下端19A與陰極室之下端19C均為高度0而一致，陽極室之上端19B與陰極室之上端19D均為高度h而一致。 於本說明書中，所謂逆電流吸收體之面積係指逆電流吸收體之陰極對向面之面積，於逆電流吸收體18存在複數個之情形時，將其合計面積設為S3。再者，陰極及逆電流吸收體之形狀並無特別限定，於陰極及/或逆電流吸收體之形狀為網狀等具有開孔者之情形時，(i)開孔率未達90%之情形時，關於S3及S_A ，其開孔部分亦算入面積中，另一方面，(ii)開孔率為90%以上之情形時，為充分確保逆電流吸收體之功能，以該開孔部分除外之面積算出S3及S_A 。此處所述之開孔率係將逆電流吸收體之陰極對向面之開孔部分之合計面積S'除以將該開孔部分算入面積所得之逆電流吸收體之陰極對向面之面積S''所得之數值(%；100×S'/S'')。 如圖1所示，於基材具有集電體23、支持集電體23之支持體24、間隔壁30、及未圖示之擋板而構成之情形時，基材之陰極對向面成為集電體23之與陰極21對向之表面。 圖1中示出逆電流吸收體18僅配置於集電體23上之例，但並不限定於此，亦可進而配置於間隔壁30、支持體24、金屬彈性體22、未圖示之擋板等。於具有位置I處之複數個逆電流吸收體18以高度之形式重複之部分之情形時(例如，兩個逆電流吸收體處於相同高度，分別於間隔壁上配置一個，於集電體上配置另一個之情形)，面積S3係特定為自電解面觀察時之面積。即，不算入上述重複部分。 又，於一個逆電流吸收體18以位於位置I及位置II之兩者之方式延伸之情形時，僅將位置I所對應之部分之面積算作面積S3所對應者。 於本實施形態之電解單元中，將於0以上且未達1/2h之高度所對應之位置II處存在之逆電流吸收體之面積設為S4時，較佳為具有S4＜S3之關係。 因電解而產生之氣體向電解單元之上方移動。因此，於電解中之電解單元內，越往上部，越成為充滿氣體之狀態。即，雖亦依存於電解單元之結構或運轉條件，但存在產生之氣泡滯留於大致位置I之傾向。更具體而言，於陰極產生之氫氣穿過陰極與集電體之間，一部分一面自集電體溢向陰極間隔壁側，一面向上方移動。因此，電解單元上部較之下部，成為電解液易於滯留之狀態。通常，離子交換膜係以於特定之苛性濃度範圍內表現高性能、高耐久性之方式設計，含有較多生成氣體之電解液容易滯留之電解單元上部處於易於發生性能、耐久性下降之環境。 於本實施形態中，藉由使於位置I處存在之逆電流吸收體之面積大於位置II處存在之逆電流吸收體之面積，而有抑制成本並且可保護陰極整體之傾向。例如，對S4/S_A 之值相同之電解單元進行比較時，若以位置I處之面積大於位置II之方式於集電體上設置逆電流吸收體(即，S4＜S3)，則因電解單元之上部更容易發生陰極損傷，故而存在可保護陰極整體之傾向。 圖3係本實施形態之電解槽4內鄰接之兩個電解單元1之剖面圖。圖4表示電解槽4。圖5表示組裝電解槽4之步驟。如圖3所示，依序串聯排列有電解單元1、離子交換膜2、電解單元1。於電解槽內鄰接之兩個電解單元中之一個電解單元1之陽極室與另一電解單元1之陰極室之間配置有離子交換膜2。即，電解單元1之陽極室10與其所鄰接之電解單元1之陰極室20由離子交換膜2隔開。如圖4所示，電解槽4包含介隔離子交換膜2而串聯連接之複數個電解單元1。即，電解槽4係具備串聯配置之複數個電解單元1、及配置於鄰接之電解單元1之間之離子交換膜2的複極式電解槽。如圖5所示，電解槽4係以介隔離子交換膜2將複數個電解單元1串聯配置並藉由加壓器5而連結之方式組裝。 電解槽4具有與電源連接之陽極端子7與陰極端子6。電解槽4內串聯連結之複數個電解單元1中位於最端部之電解單元1之陽極11與陽極端子7電性連接。電解槽4內串聯連結之複數個電解單元2中位於陽極端子7之相反側之端部之電解單元之陰極21與陰極端子6電性連接。電解時之電流自陽極端子7側經由各電解單元1之陽極及陰極，流向陰極端子6。再者，於連結之電解單元1之兩端可配置僅具有陽極室之電解單元(陽極終端單元)與僅具有陰極室之電解單元(陰極終端單元)。於該情形時，陽極端子7與配置於其一端之陽極終端單元連接，陰極端子6與配置於另一端之陰極終端單元連接。 於進行鹽水之電解之情形時，對各陽極室10供給鹽水，對陰極室20供給純水或低濃度之氫氧化鈉水溶液。各液體自電解液供給管(圖中省略)經由電解液供給軟管(圖中省略)供給至各電解單元1。又，電解液及由電解產生之產物藉由電解液回收管(圖中省略)而回收。於電解中，鹽水中之鈉離子自一個電解單元1之陽極室10穿過離子交換膜2而向相鄰之電解單元1之陰極室20移動。因此，電解中之電流係沿電解單元1串聯連結之方向而流動。即，電流經由離子交換膜2自陽極室10向陰極室20流動。伴隨鹽水之電解，於陽極11側生成氯氣，於陰極21側生成氫氧化鈉(溶質)與氫氣。 逆電流係於電解停止時由於電解單元1與接地之電解液供給管或電解液回收管之間之電壓(電位差)而產生。逆電流經由電解液供給軟管流至電解液供給管或電解液回收管。逆電流向與電解時之電流方向相反之方向流動。 該逆電流係於電解停止時因形成以氯為反應種之電池之狀態而產生。電解時，於陽極室10側產生之氯溶存於陽極室10內之電解液(食鹽水等)中。並且，溶存於該陽極室10內之氯之平衡電位較高，故而電解停止時，於電解單元1與接地之電解液供給管或電解液回收管之間產生電壓，導致逆電流流動。 進而，電解時，於陰極21產生氫，於陽極11產生氯，但陽極室10內之溶存氯量與陰極室20內之溶存氫量相比相差懸殊。因此，假如不存在逆電流吸收層18b之情形時，僅靠陰極21之析氫反應之逆反應無法完全消耗逆電流(氧化電流)，需利用陰極21自身消耗逆電流(氧化電流)。因此，於陽極室10內含有大量溶存氯之狀態下停止電解之情形時，會因逆電流而產生陰極21之劣化(陰極21之氧化、觸媒層之溶解或氧化)。例如，於使用Ru或Sn等因逆電流而溶解之觸媒材料作為陰極之觸媒層之情形時，由於電解停止時之逆電流而導致陰極之觸媒層溶解，陰極21之觸媒量減少，陰極21之壽命變得極短，或引起電壓上升。 另一方面，於使用Ni、Pt等不會因逆電流而溶解之觸媒材料作為陰極之觸媒層之情形時，由於電解停止時之逆電流而產生觸媒成分之氧化，於陰極21側產生析氧反應。並且於逆電流較大之情形時，於陰極室20內產生氫與氧之混合氣體。進而，由於電解停止所導致之氧化、再通電所導致之還原，陰極之觸媒層變得易於脫落，陰極21之壽命變短。 ＜機制＞ 關於藉由利用逆電流吸收體18消耗逆電流而抑制陰極劣化之機制，記載於日本專利第5670600號公報等中。 自電解停止開始至陰極之電位到達析氧電位為止之期間，具有低於陰極之析氧電位之氧化還原電位之物質會優先於陰極上進行各種氧化反應。當然，陰極之觸媒層(塗層)中所含之成分亦進行氧化反應。陰極之塗層中所含之成分之氧化會帶來陰極之性能下降、耐久性下降等對陰極之塗層之不良影響。 於本實施形態之電解單元中，可設為具有低於陰極之觸媒層中所含之成分之氧化還原電位之逆電流吸收體與陰極電性連接之構成，電解停止時產生之逆電流並非被陰極消耗，而被與陰極電性連接之逆電流吸收體消耗。即，逆電流吸收體吸收逆電流，進行與逆電流電量對應之逆電流吸收體之氧化反應。其結果為，逆電流所引起之陰極21之觸媒層之氧化、劣化得以抑制。又，藉由使用逆電流吸收體，亦可防止陰極液中所含之雜質(尤其Fe離子)所引起之陰極之觸媒層之性能及耐久性下降。其理由推測如下：逆電流吸收體之比表面積較大，逆電流吸收體中之Fe離子之電解還原反應較之陰極之觸媒層中之反應更容易發生。 ＜使用Ru陰極之情形時之機制＞ 關於將表面被含有Ru之觸媒層被覆之Ni基材用於陰極之情形時之機制，記載於日本專利第5670600號公報等中。 若將具備含有Ni之逆電流吸收體之逆電流吸收構件導入陰極室內，與陰極電性連接，則逆電流吸收體之Ni進行氧化反應，若由該反應消耗之電量大於逆電流之電量，則陰極(觸媒層)之電位不會上升至逆電流吸收體之電位以上。其原因在於：陰極及逆電流吸收體電性連接，故而該等之電位始終相同。其結果為，逆電流吸收體之Ni之氧化反應優先於Ru之溶出反應而進行，故而可抑制觸媒層之Ru之氧化溶出反應。 (觸媒層) 以上，對陰極之觸媒層包含Ru之情形進行了說明，但亦可於觸媒層中使用Ru以外之元素。作為觸媒層用之元素，可列舉：C、Si、P、S、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu。藉由選擇具有低於該等元素之氧化還原電位之氧化還原電位之材料作為逆電流吸收體之材料，可獲得與Ru之情形相同之上述效果。於觸媒層中使用Ru以外之上述元素之情形時，若陰極電位上升，則氧化反應亦會進行而引起性能下降等。又，下述反應(1)～(5)中，進行反應(1)、(2)、(4)、(5)。 反應(1)H＋OH^- →H₂ O＋e^- 反應(2)Ni＋2OH^- →Ni(OH)₂ ＋2e^- 反應(3)RuO_x H_y ＋aOH^- →RuO₄ ^2- ＋bH₂ O＋ce^- 反應(4)Ni(OH)₂ ＋OH^- →NiOOH＋H₂ O＋e^- 反應(5)4OH^- →O₂ ＋2H₂ O＋4e^- 該等反應中，尤其於反應(4)中生成之3價～4價之鎳化合物具有針狀、六角形狀、六角柱狀之結構，並且於觸媒層與陰極基材之界面生成。其結果為，產生觸媒層自陰極之剝離，與觸媒層之性能下降、耐久性下降相關。此處，藉由使用具有包含Ni之逆電流吸收層之逆電流吸收體，由於與上述相同之原理，可將陰極電位維持為低於陰極之觸媒層中所含之元素之氧化還原電位或反應(4)之電位之電位，故而可抑制觸媒層之氧化、陰極中之3價～4價之鎳化合物之生成，維持觸媒層之性能及耐久性。 (陰極) 陰極室20之框內設置有陰極21。陰極21較佳為具有鎳基材與被覆鎳基材之觸媒層。作為鎳基材上之觸媒層之成分，可列舉：C、Si、P、S、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等金屬及該金屬之氧化物或氫氧化物。亦可組合兩種以上之元素。作為元素之例，可列舉：僅釕、釕＋鎳、釕＋鈰、釕＋鑭、釕＋鑭＋鉑、釕＋鑭＋鈀、釕＋鐠、釕＋鐠＋鉑、釕＋鐠＋鉑＋鈀、釕＋釹、釕＋釹＋鉑、釕＋釹＋錳、釕＋釹＋鐵、釕＋釹＋鈷、釕＋釹＋鋅、釕＋釹＋鎵、釕＋釹＋硫、釕＋釹＋鉛、釕＋釹＋鎳、釕＋釹＋銅、釕＋釤、釕＋釤＋錳、釕＋釤＋鐵、釕＋釤＋鈷、釕＋釤＋鋅、釕＋釤＋鎵、釕＋釤＋硫、釕＋釤＋鉛、釕＋釤＋鎳、鉑＋鈰、鉑＋鈀＋鈰、鉑＋鈀＋鑭＋鈰、鉑＋銥、鉑＋鈀、鉑＋銥＋鈀、鉑＋鎳＋鈀、鉑與鎳之合金、鉑與鈷之合金、鉑與鐵之合金、鉑與鎳與鈀之合金等。 於不含包含鉑族金屬、鉑族金屬氧化物、鉑族金屬氫氧化物、鉑族金屬之合金之情形時，較佳為觸媒之主成分為鎳元素。 較佳為含有鎳金屬、氧化物、氫氧化物中之至少一種。 作為第二成分，可添加過渡金屬。作為添加之第二成分，較佳為含有鈦、錫、鉬、鈷、錳、鐵、硫、鋅、銅、碳中之至少一種元素。 作為較佳組合，可列舉：鎳＋錫、鎳＋鈦、鎳＋鉬、鎳＋鈷等。 又，將上述觸媒層作為第一層，亦可於第一層上形成第二層。作為第二層中所含之元素之較佳組合之例，有第一層中列舉之組合等。第一層與第二層之組合可為相同組成下組成比不同之組合，亦可為不同組成之組合。 視需要可於第1層與鎳基材之間設置中間層。藉由設置中間層，可提高陰極之耐久性。 作為觸媒層之形成方法，可列舉：鍍覆、合金鍍覆、分散・複合鍍覆、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)、熱分解及熔射。亦可組合該等方法。又，視需要可對陰極21實施還原處理。再者，作為陰極21之基材，除鎳基材以外亦可使用鎳合金。 於本實施形態中，較佳為陰極具有包含Ni或Ni合金或者於Fe上鍍覆Ni或Ni合金而得者之陰極基材、及形成於該陰極基材上且含有上述觸媒金屬之觸媒層。 (逆電流吸收體) 逆電流吸收體(於包含金屬板或金屬多孔板之情形時，尤其亦稱為「逆電流吸收層18b」；以下相同)較佳為含有具有低於陰極之氧化還原電位(較低之氧化還原電位)之元素。即，較佳為逆電流吸收體之氧化反應之氧化還原電位低於被覆陰極21之表面之觸媒層之氧化反應之氧化還原電位。 作為逆電流吸收體之材料，可列舉具有高比表面積之金屬材料、氧化物材料、具有高比表面積之碳材料等無機物。 作為具有高比表面積之材料，較佳為具有低於陰極21之觸媒層(塗層)中所含之成分之氧化還原電位之氧化還原電位之材料。作為此種材料，可列舉：C、Cr、Ni、Ti、Fe、Co、Cu、Al、Zr、Ru、Rh、Pd、Ag、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi、Cd、Hg、Mn、Mo、Sn、Zn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等。例如於陰極21之觸媒層中含有Ru之情形時，作為構成逆電流吸收體之材料，可使用具有低於Ru之氧化還原電位之Ni、Mn、Cr、Fe、Co、Re、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等。藉由自逆電流吸收體中所含之上述元素形成氫氧化物或氧化物之反應，逆電流被吸收，陰極之氧化得以抑制。即使於將上述元素之混合物、合金或複合氧化物用作逆電流吸收體之情形時，亦可獲得吸收逆電流之效果。於陰極21之觸媒層中含有Pt之情形時，作為構成逆電流吸收體之金屬材料，可使用具有低於Pt之氧化還原電位之Ni、Mn、Cr、Fe、Co、Re、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等。 作為具有高比表面積之碳材料，可列舉：活性碳、活性碳碳纖維、碳黑、石墨、碳纖維、奈米碳管、中孔碳等。具有高比表面積之碳材料可作為儲存逆電流之電量之電容器而發揮功能。 作為逆電流吸收體之材料，亦可使用導電性聚合物等有機物。作為導電性聚合物，可列舉：聚苯胺、1,5-二胺基蒽醌、環狀吲哚三聚物、聚(3-甲基噻吩)。 上述逆電流吸收體之材料亦可組合使用。 上述逆電流吸收體之材料之中，就長期之耐久性之觀點而言，較佳為具有高比表面積之金屬材料、氧化物材料，更佳為具有高比表面積之鎳。 較佳為逆電流吸收體係含有鎳元素之多孔質體，且於將該多孔質體供至粉末X射線繞射而獲得之圖案中，繞射角2θ＝44.5°之Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.6°以下。又，更佳為逆電流吸收層18b係含有Ni或NiO之多孔質層。 藉由使半峰全幅值為0.6°以下，存在逆電流吸收體之結晶性變高，物理耐久性及化學耐久性變高之傾向。所謂物理耐久性較高係指藉由使鎳金屬作為骨架而存在，逆電流吸收體變得牢固，即使施加物理性之力(例如來自金屬彈性體之壓力)亦難以自集電體剝離逆電流吸收體。又，所謂化學耐久性係指直至於逆電流吸收體中作為骨架而存在之鎳金屬之內部為止均不被氧化或還原。逆電化學反應為表面反應，故而藉由使化學耐久性較高，無論正電解、逆電解，鎳金屬均可於維持骨架結構之狀態下穩定地存在。上述半峰全幅值更佳為0.5°以下，尤佳為0.45°以下。半峰全幅值之下限值並無特別限定，例如半峰全幅值為0.01°以上。較佳為0.1°以上，更佳為0.2°以上。 關於X射線繞射，可藉由下述實施例中記載之方法而進行。又，於本實施形態中，例如可控制塗層製作時施加之熱量，具體而言若增加熱量則半峰全幅值較小，藉由減少熱量可增大半峰全幅值。藉由此種方法等，可將半峰全幅值之值調整為上述範圍。 逆電流吸收體可使用顯示低於陰極之觸媒元素之氧化還原電位之氧化還原電位之元素而構成。若顯示低於陰極觸媒元素之氧化還原電位，則產生逆電流時，於陰極觸媒元素之前氧化，故而存在有效發揮功能之傾向。 逆電流吸收體亦可為具有上述Ni以外之元素者。例如對C、Cr、Al、Zr、Ru、Rh、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi、Cd、Co、Cu、Fe、Hg、Mn、Mo、Pd、Sn、Ti、W、Zn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu而言，亦可藉由該等元素成為氫氧化物或氧化物之反應而吸收逆電流，故而逆電流吸收體除Ni或NiO外，亦可含有該等元素或該等元素之混合物、合金、複合氧化物。於含有Ni以外之元素之情形時，Ni於逆電流吸收體中所含之全部元素中所占之比率較佳為10莫耳%以上且100莫耳%以下。更佳為30莫耳%以上且100莫耳%以下。進而較佳為50莫耳%以上且100莫耳%以下。 若考慮使用之環境、成本等，則逆電流吸收體較佳為含有選自由鈦、釩、鉻、錳、鐵、鎳、鈷、銅、鋅、鈀、釕及鉑所組成之群中之至少一種元素。化合物之形態可為氧化物之混合物、複合氧化物、合金。 又，逆電流吸收體較佳為藉由如下方式形成者：於集電體之表面之至少一部分熔射Ni或NiO、將含有Ni之溶液熱分解。又，於熔射NiO而形成、熱分解而形成之情形時，較佳為藉由對NiO進行還原處理而形成者。藉此，可自電解開始初期起增大逆電流吸收體之逆電流吸收量。進而，逆電流吸收體之耐久性亦變得更高。 又，對於逆電流吸收體，於藉由氮氣吸附法而測定之孔徑分佈曲線中，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積較佳為總細孔體積之80%以上，更佳為85%以上，進而較佳為90%以上。藉此，存在可有效地抑制停止電解槽，使逆電流吸收體與空氣接觸時產生之發熱，安全性進一步提高之傾向。 ＜比表面積、孔徑分佈曲線、細孔體積＞ 逆電流吸收體之比表面積、孔徑分佈曲線、細孔體積可藉由下述方式獲得。將測定試樣裝入專用單元中，進行加熱真空排氣，藉此進行預處理，預先去除細孔表面上之吸附物。其後，於-196℃下對測定樣品上之氮吸附之吸附脫附等溫線進行測定。利用BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)法對所得吸附脫附等溫線進行解析，藉此可求得測定樣品之比表面積。又，利用BJH(Barrett-Joyner-Halenda，巴瑞特-喬伊納-海倫德)法進行解析，藉此可求得測定樣品之孔徑分佈曲線及細孔體積。 1個電解單元所具備之全部之逆電流吸收體之有效表面積之總和較佳為10～100,000 m² 。再者，所謂有效表面積係指亦包含逆電流吸收體之細孔之表面積。如上所述，於具有更大之比表面積之逆電流吸收體中，進行更多之電化學反應，可吸收更多之逆電流電量。因此，藉由使1個電解單元所具備之全部之逆電流吸收體之有效表面積之總和為上述範圍內，逆電流吸收體可充分吸收逆電流。 1個電解單元所具備之全部之逆電流吸收體之有效表面積之總和(總有效表面積)可藉由將利用氮吸附法測定之逆電流吸收體之比表面積(m² /g)乘以1個電解單元所具備之全部之逆電流吸收體之量(g)而算出。 ＜氧化還原能力及充放電能力＞ 逆電流吸收體之氧化還原能力及充放電能力之上限並無特別限定。逆電流吸收體之氧化還原能力及充放電能力係作為將設置於1個電解單元之全部之逆電流吸收體可吸收之電量之總和除以該電解單元之電解面積之值而表示。電解單元之電解面積與電解單元內之全部陰極或陽極之任一者之面積之合計相等。逆電流吸收體較佳為具有每1 m² 電解面積為1,000 C以上且2,000,000 C以下之電量之氧化還原能力。即1個電解單元所具備之全部之逆電流吸收體之吸收電量較佳為1,000～2,000,000[庫侖/m² ]。如上所述，為於逆電流吸收體中進行消耗充分之電量之反應以吸收逆電流之電量，導入與逆電流電量相符之量之逆電流吸收體即可。若1個電解單元所具備之全部之逆電流吸收體可吸收之電量為上述範圍內，則逆電流吸收體可充分吸收逆電流。藉此，可進一步抑制陰極之劣化。或，逆電流吸收體較佳為具有每1 m² 電解面積為2,000,000 C以下之電量之充放電能力，更佳為具有1,500,000 C以下之電量之充放電能力，進而較佳為具有1,000,000 C以下之電量之充放電能力。 所謂逆電流吸收體具有每1 m² 電解面積為1,000 C以上之電量之氧化還原能力係指，於逆電流吸收體中流通每1 m² 電解面積為1,000 C以上之電量時，可於其表面發生氧化反應或還原反應。 所謂逆電流吸收體具有每1 m² 電解面積為1,000 C以上之電量之充放電能力係指，於逆電流吸收體中流通該每1 m² 電解面積為1,000 C以上之電量時，可於其表面充電。 1個電解單元所具備之全部之逆電流吸收體之吸收電量之總和例如可藉由如下方法而測定。將苛性鈉水溶液中逆電流吸收體之電位設定為與食鹽電解中相同之電位(-1.2 V vs.Ag｜AgCl)後，一面藉由定電流施加逆電流一面監視逆電流吸收體之電位，測定到達某電位為止之時間。例如，測定逆電流吸收體之電位到達作為Ru開始氧化溶出之電位之-0.1 V(vs.Ag｜AgCl)為止之時間。根據該時間與逆電流之電流密度之乘積，算出至Ru之氧化溶出為止，全部之逆電流吸收體可吸收之逆電流電量。 逆電流吸收層18b可為薄膜狀、粉末狀、板狀、網狀。逆電流吸收層18b可固著於金屬多孔板18a，或被覆基材。 就進一步提高逆電流之吸收量之觀點而言，逆電流吸收體之比表面積較佳為0.01～100 m² /g，更佳為0.1～30 m² /g，進而較佳為0.2～10 m² /g。比表面積可藉由氮吸附法(BET法)而測定。藉由使比表面積為0.01 m² /g以上，易於獲得本發明之效果。藉由使比表面積為100 m² /g以下，存在可有效地抑制電解槽停止後，逆電流吸收體與空氣接觸時可產生之發熱，安全性進一步提高之傾向。 於本實施形態中，例如，可控制塗層形成時施加之熱量，具體而言若增加熱量則表面積較小，藉由減少熱量可增大表面積。藉由此種方法等，可將逆電流吸收體之比表面積之值調整為上述範圍。 為進行消耗充分之電量之逆電流吸收體之氧化反應以吸收逆電流之電量，導入與逆電流電量相符之量之逆電流吸收體即可。電化學反應為表面反應，故而為於逆電流吸收體中進行更多之電化學反應，較佳為逆電流吸收體具有更多之表面積。因此，對相同質量之2個逆電流吸收體進行比較時，具有更大之比表面積之逆電流吸收體進行更多之電化學反應，可吸收更多之逆電流電量。又，對具有相同比表面積之2個逆電流吸收體進行比較時，質量較大者之表面積之總計變大，故而可吸收更多之電量。 為將逆電流吸收層18b製為所期望之多孔質層，例如可採用如下方法：將金屬鎳粉、氧化鎳粉等原料粉造粒為10～100 μm之粒子後，藉由熔射法自原料粉形成逆電流吸收層18b。藉由利用熔射法形成逆電流吸收體，存在逆電流吸收層18b與金屬多孔板18a之密接性，或逆電流吸收層18b內之鎳粒子彼此之密接性適度地提高之傾向。又，於集電體23上形成逆電流吸收層18b之情形時，逆電流吸收層18b與集電體23之密接性亦適度地提高。藉此耐久性亦可提高。 又，亦可藉由將溶解有鎳化合物之溶液於金屬多孔板18a上塗佈、乾燥、煅燒之熱分解法而形成。藉由利用熱分解法形成逆電流吸收體，存在逆電流吸收層18b與金屬多孔板18a之密接性，或逆電流吸收層18b內之鎳粒子彼此之密接性適度地提高之傾向。又，於集電體23上形成逆電流吸收層18b之情形時，逆電流吸收層18b與集電體23之密接性亦適度地提高。藉此耐久性亦可提高。 為了使逆電流吸收層18b之粉末X射線繞射圖案中繞射角2θ＝44.5°之Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.6°以下，例如可採用利用熔射法或熱分解法形成逆電流吸收層18b之方法。 熔射法中，將於高溫電漿中處於半熔融狀態之金屬鎳粉、氧化鎳粉等原料粉吹送至基材即可。原料粉較佳為造粒為10～100 μm之粒子者。藉此，存在基材與逆電流吸收體之密接性變得良好之傾向。又，吹送之半熔融狀態之原料粉於附著於基材之同時冷卻固化，存在適度地成為結晶性較高之粒子之傾向。藉由以該方式提高逆電流吸收體中之鎳金屬之結晶性，可使逆電流吸收體之粉末X射線繞射圖案中繞射角2θ＝44.5°之Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.6°以下。 熱分解法中，較佳為將使硝酸鎳、氯化鎳、硫酸鎳、氫氧化鎳或六氨合鎳等鎳錯合物溶解於水、醇、有機溶劑中之溶液塗佈於基材後，加以乾燥、煅燒。煅燒溫度之範圍較佳為200℃至600℃。 為製造孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積為總細孔體積之80%以上之逆電流吸收體，將金屬鎳粉、氧化鎳粉等原料粉造粒為10～100 μm之粒子後，藉由熔射法自原料粉形成逆電流吸收體即可。或者，藉由於金屬多孔板18a上塗佈、乾燥、煅燒溶解有鎳化合物之溶液之熱分解法形成逆電流吸收體即可。 (逆電流吸收體與基材及金屬彈性體之位置關係) 逆電流吸收體18與集電體、擋板、間隔壁及支持體等基材或金屬彈性體為不同之獨立體。即，逆電流吸收體可於之後容易地附加至已設之電解槽之陰極室。即，藉由獨立之逆電流吸收體，可對已設之電解槽之陰極室賦予逆電流吸收能力。再者，於本說明書中，可作為逆電流吸收構件之一部分而包含之金屬彈性體與基材為不同之獨立體。逆電流吸收體之個數、金屬彈性體之個數及基材之個數可為一個，亦可為複數個。又，逆電流吸收構件中之基材或金屬彈性體之形狀可為立方體、長方體、板狀、棒狀、網狀、圓盤狀或球狀。至少一部分之逆電流吸收構件中之基材可為集電體、擋板、間隔壁或支持體。即，逆電流吸收體之至少一部分可配置於陰極與金屬彈性體之間，亦可配置於金屬彈性體與集電體之間，亦可設置於集電體與間隔壁之間。 上述以外，逆電流吸收體只要與電解液接觸，則例如可設置於金屬彈性體之內部、集電體與擋板之間、擋板與間隔壁之間、或間隔壁上。於陰極與金屬彈性體之間具有逆電流吸收體之情形時，逆電流吸收體可與陰極直接電性連接。於金屬彈性體與集電體之間具有逆電流吸收體之情形時，逆電流吸收體介隔金屬彈性體而與陰極電性連接。於集電體與間隔壁之間具有逆電流吸收體之情形時，逆電流吸收體介隔集電體及金屬彈性體而與陰極電性連接。或，逆電流吸收體介隔支持體、集電體及金屬彈性體而與陰極電性連接。 於逆電流吸收構件中之基材之至少1個表面配置金屬彈性體，可於該金屬彈性體之表面形成逆電流吸收體。藉由於金屬彈性體之表面形成逆電流吸收體，且金屬彈性體與陰極電性連接，逆電流吸收體可吸收逆電流。於逆電流吸收體作為金屬彈性體而發揮功能之情形時，僅將該逆電流吸收體置於集電體上即可容易地設置逆電流吸收體。即，亦可容易地進行逆電流吸收體之交換。又，藉由使逆電流吸收體與陰極直接接觸，陰極之保護效果變高。 逆電流吸收構件中之基材之至少一部分為間隔壁，可於間隔壁之表面形成逆電流吸收體。藉由使間隔壁經由支持體、集電體、金屬彈性體與陰極電性連接，形成於間隔壁之逆電流吸收體可吸收逆電流。藉由使間隔壁為逆電流吸收構件中之基材，亦可抑制電解單元之製作成本。 逆電流吸收體之基材之至少一部分為支持體，可於支持體之表面形成逆電流吸收體。藉由使支持體經由集電體、金屬彈性體與陰極電性連接，形成於支持體之逆電流吸收體可吸收逆電流。藉由使支持體為逆電流吸收構件中之基材，亦可抑制電解單元之製作成本。 逆電流吸收體之基材之至少一部分為集電體，可於集電體之表面形成逆電流吸收體。藉由使集電體經由金屬彈性體與陰極電性連接，形成於集電體之逆電流吸收體可吸收逆電流。藉由使集電體為逆電流吸收構件中之基材，亦可抑制電解單元之製作成本。 逆電流吸收體之基材之至少一部分為擋板，可於擋板之表面形成逆電流吸收體。藉由使擋板經由支持體、集電體、金屬彈性體與陰極電性連接，形成於擋板之逆電流吸收體可吸收逆電流。藉由使擋板為逆電流吸收構件中之基材，亦可抑制電解單元之製作成本。 如上所述，本實施形態之逆電流吸收體之位置並無限定，就以少量之逆電流吸收體發揮充分之逆電流之吸收效果之觀點而言，較佳為配置於集電體上，更佳為以下述方式調整於集電體上之設置位置。 作為逆電流吸收體之製造方法，可列舉：CVD法、PVD法、熱分解法及熱熔射法等。熱熔射法根據熱源或熔射之材料進行分類，作為其具體例，可列舉：火焰熔射、高速火焰熔射、電弧熔射、電漿熔射、線爆熔射、冷噴霧等。可組合該等方法。藉由該等方法，可於基材上形成逆電流吸收體，獲得逆電流吸收構件。又，視需要可對逆電流吸收構件(或逆電流吸收體)實施還原處理。於本實施形態中，逆電流吸收體較佳為將NiO還原而成之層。作為還原處理法，可列舉：使氫或肼等還原劑與逆電流吸收體直接接觸之方法、以電化學方式還原逆電流吸收體之方法等。作為逆電流吸收體之製造方法之具體例，可列舉將氧化鎳粉、金屬鎳粉或雷氏鎳粉熔射於基材表面之方法。可對熔射有該粉末之基材進行氫還原、電解還原。電解還原可作為逆電流吸收體使用時之鹼金屬化合物之電解而進行。於逆電流吸收體使用時進行電解還原之情形時，例如較佳為於電流密度0.1～15 kA/m² 下進行苛性鈉水溶液之電解。此時大部分析氫反應於陰極進行，不於逆電流吸收體中進行，但由於逆電流吸收體與陰極電性連接，故而逆電流吸收體之電位維持為析氫電位，逆電流吸收體暴露於還原氣氛中。藉由此種方法，可進行電解還原。又，亦可進行使用逆電流吸收體作為鹼金屬化合物之電解之析氫用之陰極之電解還原。於進行使用逆電流吸收體作為析氫用之陰極之電解還原之情形時，例如較佳為於電流密度0.1～15 kA/m² 下進行苛性鈉水溶液之電解。 (逆電流吸收體與陰極之位置關係) 本發明者等人對逆電流流動期間之陰極之電位分佈進行了確認，結果明確不僅具有抑制與逆電流吸收體對向之部分之陰極電位變高之效果，亦具有抑制其周圍之陰極電位變高之效果。 因可見抑制設置有逆電流吸收體之部分之周圍之陰極電位變高之效果，因此本發明者等人發現即使短條狀或圓狀等之逆電流吸收體散佈於陰極室內而設置，亦可獲得上述效果。 若以具有圖1所示之構成之電解單元，即逆電流吸收體配置於集電體上之情形為例，則逆電流吸收體之配置密度可以集電體上之逆電流吸收體之面積之總和S2相對於基材之陰極對向面(即集電體之陰極對向面)之面積S1之比率表示，作為S2/S1，較佳為0.05～0.9，更佳為0.1～0.8，進而較佳為0.2～0.7。於滿足上述範圍之情形時，存在以少量之逆電流吸收體獲得充分之逆電流之吸收效果之傾向。 進而，本發明者等人對逆電流流動期間之陰極之電位分佈進行詳細確認，結果明確陰極之電位於上下左右方向並不均勻，發現尤其於上下方向產生較大之電位分佈，越往陰極上部，越容易成為高電位。 關於在1個陰極內產生電位分佈之原因，推測如下，但並非限定於特定之作用機制。 若對介隔離子交換膜而對向之陽極室中設置之陽極之電位分佈進行測定，則與陰極同樣地，尤其於上下方向產生較大之電位分佈，作為一個原因，存在於陽極室上部，溶存氯濃度變高之可能性。陰極之上部易於成為高電位，易於受到氧化劣化。另一方面，可認為陰極之下部難以成為高電位，難以受到氧化劣化。即，藉由於陰極上部所對應之位置提高逆電流吸收體之配置密度，即使不於陰極室內整面所對應之位置設置逆電流吸收體，亦可於陰極整體防止逆電流所引起之陰極之劣化。 進而，如圖2所示す，較佳為於位置I處存在20%以上之逆電流吸收體，更佳為30%以上，進而較佳為40%以上。於滿足上述範圍之情形時，尤其存在以少量之逆電流吸收體獲得充分之逆電流之吸收效果之傾向。再者，作為本實施形態之電解單元之h之值，並無特別限定，例如可為95 mm～1600 mm。又，作為電解單元之寬，亦無特別限定，例如可為110 mm～3800 mm之尺寸。 (間隔壁) 間隔壁30亦被稱為隔板，配置於陽極室10與陰極室20之間，係劃分陽極室10與陰極室20者。作為間隔壁30，可使用作為電解用之隔板而公知者，例如，於陰極側焊接包含鎳之板，於陽極側焊接包含鈦之板之間隔壁等。 (陽極室) 陽極室10具有陽極11。又，陽極室10較佳為具有：對陽極室10供給電解液之陽極側電解液供給部、配置於陽極側電解液供給部之上方並以與間隔壁30大致平行或傾斜之方式配置之擋板、及配置於擋板之上方並自混入氣體之電解液分離氣體之陽極側氣液分離部。 (陽極) 於陽極室10之框內設置有陽極11。作為陽極11，可使用所謂DSA(註冊商標：De Nora Permelec股份有限公司)等金屬電極。所謂DSA係指藉由以釕、銥、鈦為成分之氧化物而被覆表面之鈦基材。 於本實施形態中，就用作隔膜之離子交換膜之損傷之觀點而言，電解槽中之陽極與上述逆電流吸收構件之距離較佳為35 mm～0.1 mm。 (陽極側電解液供給部) 陽極側電解液供給部係對陽極室10供給電解液者，與電解液供給管連接。陽極側電解液供給部較佳為配置於陽極室10之下方。作為陽極側電解液供給部，例如可使用表面形成有開口部之管(分散管)等。該管更佳為沿陽極11之表面，相對於電解單元之底部平行地進行配置。再者，於圖2所示之例中，電解單元之底部與陽極室之下端19A及陰極室之下端19C一致。該管與對電解單元1內供給電解液之電解液供給管(液體供給噴嘴)連接。自液體供給噴嘴供給之電解液藉由管而輸送至電解單元1內，自設置於管之表面之開口部供給至陽極室10之內部。藉由將管沿陽極11之表面，與陽極室之下端19A平行地進行配置，可將電解液均勻地供給至陽極室10之內部，故而較佳。 (陽極側氣液分離部) 陽極側氣液分離部較佳為配置於擋板之上方。於電解中，陽極側氣液分離部具有分離氯氣等生成氣體與電解液之功能。再者，若無特別聲明，則所謂上方係指圖1之電解單元1之上方向，所謂下方係指圖1之電解單元1之下方向。 電解時，若於電解單元1中產生之生成氣體與電解液成為混相(氣液混相)而排出至系統外，則存在因電解單元1內部之壓力變動而產生振動，引起離子交換膜之物理性破損之情形。為抑制該情形，較佳為於本實施形態之電解單元1中設置用以分離氣體與液體之陽極側氣液分離部。較佳為於陽極側氣液分離部中設置用以消除氣泡之消泡板。氣液混相流穿過消泡板時氣泡破裂，藉此可分離為電解液與氣體。其結果為可防止電解時之振動。 (擋板) 擋板較佳為配置於陽極側電解液供給部之上方，且與間隔壁30大致平行或傾斜地進行配置。擋板係控制陽極室10之電解液之流動之間隔板。藉由設置擋板，可使電解液(鹽水等)於陽極室10中內部循環，從而使其濃度均勻。為引發內部循環，擋板較佳為以將陽極11附近之空間與間隔壁30附近之空間隔開之方式進行配置。就該觀點而言，擋板較佳為以與陽極11及間隔壁30之各表面對向之方式設置。藉由於由擋板隔出之陽極附近之空間進行電解，電解液濃度(鹽水濃度)下降，又，產生氯氣等生成氣體。藉此，由擋板隔出之陽極11附近之空間與間隔壁30附近之空間產生氣液之比重差。利用其，可促進陽極室10中之電解液之內部循環，從而使陽極室10之電解液之濃度分佈變得更均勻。 再者，雖圖1未示出，但可於陽極室10之內部另外設置集電體。作為該集電體，亦可為與下述陰極室之集電體相同之材料或構成。又，於陽極室10中，亦可使陽極11自身作為集電體而發揮功能。 (陰極室) 陰極室20具有陰極21與逆電流吸收體，陰極21與逆電流吸收體電性連接。又，較佳為陰極室20亦與陽極室10同樣地具有陰極側電解液供給部、陰極側氣液分離部、擋板。再者，關於構成陰極室20之各部位中，與構成陽極室10之各部位相同者，省略說明。 (集電體) 陰極室20較佳為具備集電體23。藉此，集電效果得以提高。於圖1所示之例中，集電體23為板狀，於本實施形態中，較佳為以集電體之表面與陰極21之表面大致平行之方式進行配置。藉由此種集電體，存在抑制下述金屬彈性體之彎曲並獲得集電效果之傾向。 作為集電體23，例如較佳為包含鎳、鐵、銅、銀、鈦等具有導電性之金屬。集電體23亦可為該等金屬之混合物、合金或複合氧化物。再者，作為集電體23之形狀，若為可作為集電體而發揮功能之形狀，則可為任何形狀，可為網狀。 (金屬彈性體) 藉由於集電體23與陰極21之間設置金屬彈性體22，串聯連接之複數個電解單元1之各陰極21被壓抵至離子交換膜2，各陽極11與各陰極21之間之距離變短，可降低對串聯連接之複數個電解單元1整體施加之電壓。藉由使電壓下降，可降低消耗電量。藉由此種金屬彈性體之構成，可維持電流效率並且成為零間距之構成。 作為金屬彈性體22，可使用螺旋彈簧、線圈等彈簧構件、緩衝性之墊片等。作為金屬彈性體22，可考慮壓抵離子交換膜之應力等而適宜採用合適者。可將金屬彈性體22設置於陰極室20側之集電體23之表面上，亦可設置於陽極室10側之間隔壁之表面上。通常，以陰極室20小於陽極室10之方式劃分兩室，故而就框體之強度等觀點而言，較佳為將金屬彈性體22設置於陰極室20之集電體23與陰極21之間。又，金屬彈性體23較佳為包含鎳、鐵、銅、銀、鈦等具有導電性之金屬。 (支持體) 陰極室20較佳為具備將集電體23與間隔壁30電性連接之支持體24。藉此，可高效地流通電流。 支持體24較佳為包含鎳、鐵、銅、銀、鈦等具有導電性之金屬。又，作為支持體24之形狀，若為可支撐集電體23之形狀，則可為任何形狀，可為棒狀、板狀或網狀。如圖1所示之態樣中，支持體24為板狀，較佳為具有將金屬板彎曲為L字狀之構成。複數個支持體24配置於間隔壁30與集電體23之間。複數個支持體24以各個面相互平行之方式排列。支持體24以相對於間隔壁30及集電體23大致垂直之方式進行配置。 (擋板) 擋板較佳為配置於陰極側電解液供給部之上方，且與間隔壁30大致平行或傾斜地進行配置。擋板係控制陰極室20之電解液之流動之間隔板。藉由設置擋板，可使電解液(苛性等)於陰極室20中內部循環，從而使其濃度均勻。為引發內部循環，擋板較佳為以將陰極21附近之空間與間隔壁30附近之空間隔開之方式進行配置。就該觀點而言，擋板較佳為以與陰極21及間隔壁30之各表面對向之方式設置。藉由於由擋板隔出之陰極附近之空間進行電解，電解液濃度(苛性濃度)下降，又，產生氯氣等生成氣體。藉此，由擋板隔出之陰極21附近之空間與間隔壁30附近之空間產生氣液之比重差。利用其，可促進陰極室20中之電解液之內部循環，從而使陰極室20之電解液之濃度分佈變得更均勻。 (陽極側密合墊、陰極側密合墊) 陽極側密合墊51較佳為配置於構成陽極室10之框體表面。陰極側密合墊50較佳為配置於構成陰極室20之框體表面。1個電解單元所具備之陽極側密合墊51與同其鄰接之電解單元之陰極側密合墊50以夾持離子交換膜2方式將電解單元彼此連接(參考圖3)。藉由該等密合墊，介隔離子交換膜2串聯連接複數個電解單元1時，可對連接處賦予氣密性。 所謂密合墊係指將離子交換膜與電解單元之間密封者。作為密合墊之具體例，可列舉於中央形成開口部之邊框狀之橡膠製片材等。要求密合墊對腐蝕性之電解液或生成之氣體等具有耐受性，可長時間使用。因此，就耐化學品性或硬度之方面而言，通常使用乙烯-丙烯-二烯橡膠(EPDM橡膠)、乙烯-丙烯橡膠(EPM橡膠)之硫化品或過氧化物交聯品等作為密合墊。又，視需要亦可使用以聚四氟乙烯(PTFE)或四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物(PFA)等氟系樹脂被覆與液體接觸之區域(液體接觸部)之密合墊。該等密合墊若以不妨礙電解液流動之方式分別具有開口部即可，其形狀並無特別限定。例如，沿構成陽極室10之陽極室框或構成陰極室20之陰極室框之各開口部之周緣，以接著劑等貼附邊框狀之密合墊。並且，例如於介隔離子交換膜2連接兩個電解單元1之情形時(參考圖3)，只要介隔離子交換膜2對貼附有密合墊之各電解單元1進行緊固即可。藉此，可抑制電解液、因電解生成之鹼金屬氫氧化物、氯氣、氫氣等漏至電解單元1之外部。 (離子交換膜) 離子交換膜並無特別限定，可使用公知者。例如，於藉由鹼金屬氯化物等之電解而製造氯與鹼之情形時，就耐熱性及耐化學品性等優異之觀點而言，較佳為含氮系離子交換膜。作為含氮系離子交換膜，可列舉具有使電解時產生之離子選擇性地透過之功能，且包含具有離子交換基之含氟系聚合物者等。此處之具有離子交換基之含氟系聚合物係指具有離子交換基或可藉由水解而成為離子交換基之離子交換基前驅物之含氟系聚合物。作為此種含氟系聚合物，例如可列舉包含氟化烴之主鏈，具有可藉由水解等而轉換為離子交換基之官能基作為側基鏈，且可熔融加工之聚合物等。 ＜第2態樣＞ 本實施形態之第2態樣之電解單元除下述之不同點外與第1態樣相同。以下，僅對第1態樣與第2態樣之不同點加以說明，省略關於兩態樣之共通事項之說明。藉由第2態樣，可與第1態樣同樣地抑制陰極之氧化及劣化。 圖7係第2態樣之電解單元1之剖面圖。第2態樣之電解單元1於不具備金屬彈性體及集電體之方面與第1態樣之電解單元1不同。第2態樣之電解單元1所具備之陰極室20具有配置於陰極21與間隔壁30之間之陰極支持體24。支持體24支持陰極21。間隔壁30經由陰極支持體24與陰極21電性連接。即，第2態樣中，陰極室具有間隔壁與支持陰極之陰極支持體作為基材，陰極支持體配置於陰極及上述間隔壁之間，間隔壁、陰極支持體及陰極電性連接。此處，較佳為逆電流吸收體之至少一部分配置於陰極及間隔壁之間。 於第2態樣中，逆電流吸收體可與間隔壁及支持體獨立。逆電流吸收體例如設置於陰極與間隔壁之間。逆電流吸收體可與陰極或間隔壁之表面直接電性連接。 逆電流吸收體之基材之至少一部分為陰極支持體，可於陰極支持體之表面形成逆電流吸收體。藉由經由陰極支持體與陰極電性連接，形成於陰極支持體之逆電流吸收體可吸收逆電流。藉由使支持體成為逆電流吸收構件，亦可抑制電解單元之製作成本。 逆電流吸收體之基材之至少一部分為間隔壁，可於間隔壁之表面形成逆電流吸收體。藉由使間隔壁經由支持體與陰極電性連接，形成於間隔壁之逆電流吸收體可吸收逆電流。藉由使間隔壁成為逆電流吸收構件，亦可抑制電解單元之製作成本。＜第3態樣＞ 本實施形態之第3態樣之電解單元除下述不同點外與第1態樣相同。以下，僅對第1態樣與第3態樣之不同點加以說明，省略關於兩態樣之共通事項之說明。藉由第3態樣，可與第1態樣同樣地抑制陰極之氧化及劣化。 第3之態樣之電解單元例如可為如日本專利第4723250號說明書之圖1所示之構成。第3實施形態之電解單元於陽極室與陰極室未成為一體結構之方面與第1、第2實施形態之電解單元不同。第3實施形態之電解單元係包括構成浴缸狀之陽極室之元件及構成陰極室之元件而形成。密合墊與離子交換膜位於陽極室與陰極室之間，以螺栓使之一體化，成為1個單元。於第3實施形態中，將該單元串聯排列而製為電解槽4。 再者，關於陰極室內之逆電流吸收體之配置，與第1態樣相同。 [實施例] 以下，藉由實施例詳細說明本實施形態。再者，本實施形態不受以下實施例限定。 [實施例1] 使用鎳製多孔金屬作為金屬多孔板。將板厚為1 mm之鎳板以SW＝3、LW＝4、進給＝1進行加工。加工後之厚度為1.2 mm。對該鎳製多孔金屬利用鋼砂(粒號70號，粒度範圍420 μm～1000 μm)實施噴砂處理。 霧狀噴出包含氧化鎳粉、阿拉伯膠、純水之混合液並進行乾燥，製成粒徑5～50 μm之球狀造粒物。使用氮氣作為一次氣體，使用氫氣作為二次氣體，將該造粒物電漿熔射於上述鎳製多孔金屬上。電漿熔射後之厚度為1.6 mm。繼而於氫氣環境中(以氮氣稀釋)，於200℃下實施氫還原處理。氫還原後厚度亦無變化，仍為1.6 mm。如此製作逆電流吸收體。 (逆電流吸收層之粉末X射線繞射測定) 粉末X射線繞射圖案之測定係自鎳基材剝離逆電流吸收層並加工為粉末狀後，將粉末樣品裝載於玻璃試樣板而實施。X射線繞射裝置係使用RINT2000 UltraX18(Rigaku股份有限公司)。使用CuKα射線(λ＝1.54184 Å)作為X射線源，於加速電壓50 kV、電流200 mA、掃描軸2θ/θ、步進間隔0.02°、掃描速度2.0°/min、測定範圍2θ＝20～60°之條件下進行測定。 於粉末X射線繞射圖案中，繞射角2θ＝44.5°係Ni金屬之繞射線，繞射角2θ＝43.28°係NiO之繞射線。Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值之測定結果示於表12。半峰全幅值之測定按照下述順序實施。自金屬多孔板剝離逆電流吸收層並加工為粉末狀後，實施粉末X射線繞射測定。於所得結果中，將繞射角2θ＝39.5°至繞射角2θ＝48.5°之點以直線連結，作為基準線。自於2θ＝44.5°附近觀測到之Ni金屬之繞射波峰之峰頂向基準線作垂線。於峰頂同垂線與基準線之交點之中點，畫出與基準線平行之線。測定該線與波峰交叉之兩點間之距離，作為半峰全幅值。半峰全幅值為0.33°。 氫還原處理前後或預電解前後之氧化度(氧化度X：氫還原處理或預電解前，氧化度Y：氫還原或預電解後)示於表12。再者，氧化度係藉由下式算出之值。關於以下特定之實施例，亦以與上述相同之方式測定氧化度。 氧化度＝(NiO繞射強度)/(Ni金屬繞射強度＋NiO繞射強度)×100 此處， NiO繞射強度＝(NiO繞射峰頂值)－(背景值) Ni金屬繞射強度＝(Ni金屬繞射峰頂值)－(背景值) 背景值＝(39.5°之計數＋48.5°之計數)/2。 氧化度X為78%，氧化度Y為3.3%。關於以下特定之實施例，亦以與上述相同之方式進行X射線繞射測定。 (逆電流吸收量之評價) 將逆電流吸收體切割為3 cm×3 cm之尺寸，用鎳製之螺釘固定於以PTFE被覆之鎳製之棒。相對電極(陽極)使用鉑網。 於PFA製燒杯中裝入32重量%氫氧化鈉水溶液並升溫至90℃，設置逆電流吸收體及鉑網。於逆電流吸收體與鉑網之間流通電流1小時，將氫氧化鈉水溶液進行電解，使氫產生於逆電流吸收體上。電解時之電流密度為4 kA/m² 。其後，一面使電流密度250 A/m² 之逆電流流過鉑網與逆電流吸收體之間一面測定逆電流吸收體之電位。所謂逆電流吸收體之電位係指相對於Ag｜AgCl參考電極之逆電流吸收體之電位，電位之測定中使用魯金毛細管。測定自開始流通逆電流之時間點至逆電流吸收體到達Ru之氧化溶出反應之電位(-0.1 V vs.Ag｜AgCl)為止之時間T(秒)。藉由實施例1之時間T及時間T與電流密度250A/m² 之乘積，算出流過鉑板與逆電流吸收體之間之電量(逆電流吸收體之逆電流吸收量，單位：C/m² )並示於表12。時間T為2234秒，逆電流吸收量為558500 C/m² 。關於以下之特定實施例，以與上述相同之方式測定時間T與逆電流吸收量。 (比表面積之測定) 使用島津製作所製造之「TriStarII3020(氮氣吸附量測定裝置)」測定實施例之逆電流吸收層之比表面積、孔徑分佈曲線、細孔體積。作為預處理，於壓力200 mTorr以下、80℃之條件下真空乾燥2小時。測定結果示於表12。該等測定係對自金屬多孔板剝離逆電流吸收層並加工為粉末狀之逆電流吸收層進行。結果示於表12。比表面積為3.3 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為94%。關於以下特定之實施例，亦以與上述相同之方式進行比表面積之測定。 (大型電解槽中之電解實驗) 電解實驗係使用與商業設備中所使用之零間距電解單元相同類型之單元而實施。於本實施例中，作為一例，使用日本專利第4453973號說明書中揭示之結構之電解單元。電解單元採用已使用1年者。於本電解試驗中，使用串聯排列有10對電解單元之電解槽。組裝電解槽時，使用集電體與陽極之間隔成為約4.5 mm之電解單元。即，逆電流吸收體、彈性墊、陰極、離子交換膜位於該4.5 mm之間隔間，陰極與集電體具有相同之面積，且為平行對向之結構。即，陰極室之上端及下端之位置與集電體之上端及下端之位置分別一致，陰極室之高度(本實施形態中之高度0、高度h、位置I及位置II)以集電體(實施例1～4、4-1、13及比較例1中，將縱1150 mm×橫1190 mm之尺寸橫向排列2個而設置)之高度進行特定(以下相同)。 暫時將設置於電解單元之陰極室中之陰極及緩衝墊拆除，藉由TIG(Tungsten Inert Gas，鎢極惰性氣體)焊接，於包含鎳多孔金屬之集電體之上安裝2個縱230 mm、橫1190 mm尺寸之逆電流吸收體。安裝分別於距離集電體之上邊0 mm之位置進行，即安裝於集電體之上邊與逆電流吸收體之上邊重合之位置(圖8)。於其上再次安裝拆除之緩衝墊、陰極。使用0.1 mm之鎳絲製成織物，進行波形加工，將所得者作為緩衝墊點焊於集電體上加以固定。於線形0.15 mm且40網目之金屬絲網上施加含有釕作為主成分之塗層，將所得者作為析氫用陰極積層、固定於緩衝墊上。 陽極係使用於鈦基材上塗佈有以釕、銥、鈦為成分之氧化物之所謂DSA(註冊商標)。 離子交換膜係使用「Aciplex」(註冊商標)F6801(旭化成股份有限公司製造)。 一面調整陽極室出口之NaCl濃度為3.5 N±0.2 N，陰極室出口之NaOH濃度為32重量%±1重量%，溫度為88℃±1℃，一面於電流密度4 kA/m² 下實施食鹽電解。自電解開始起2小時後暫時停止，強制地流通逆電流。流通特定逆電流後，於電流密度4 kA/m² 下再次開始食鹽電解。自再次開始起20小時後流通逆電流。同樣地自再次開始起20小時後流通逆電流。其後，於6 kA/m² 下再次開始，運轉68小時後，流通逆電流。供給合計4次之逆電流歷程。逆電流之條件如下所示。 逆電流用整流器之設定電流密度＝50 A/m² 時間＝15分鐘 於流通逆電流之15分鐘，監視電流值並算出流通之逆電流電量，結果流通了49000 C/m² 之電量。其原因在於，於開始流通逆電流之數分鐘，陽極室殘存大量之氯，電流不穩定。 供給上述4次之逆電流歷程後，將電解槽暫時拆散，使用手持型螢光X射線分析裝置(Niton XL3t-800S，Thermo Scientific公司)測定析氫陰極之釕殘量，算出電解試驗前後釕之殘存率(測定A)。 塗層測定實施後，重新組裝電解槽，實施食鹽電解。於電流密度4 kA/m² 下進行5日電解，於6 kA/m² 下進行18日電解，連續進行合計23日之電解。其後，拆散電解槽，使用XRF(手持型螢光X射線分析裝置，Niton XL3t-800S，Thermo Scientific公司)測定析氫陰極之釕殘量，算出食鹽電解後之釕之殘存率(測定B)。測定A、B之殘存率係以電解試驗前測定之值為基準而算出。再者，上述測定A及B均對圖9所示之30點進行測定。 每當施加4次之逆電流時，以目視觀察自陰極出口排出之苛性鈉溶液，結果未觀察到著色等。測定A之結果示於表1。幾乎所有測定點均為99%以上之釕殘存率。30點之平均值為98%。 繼而，取出使用之離子交換膜，觀察有無剝離、發泡、潰縮等膜損傷。合計所有損傷處，亦包含極輕微者。於膜觀察結果中，將於電解性能中無問題之水準作為○，將長期觀察時可能發生問題之水準作為△，將有問題之水準作為×。具體而言，合計數為260個以下為○，超過260且310個以下為△，310個以上為×。關於以下之特定實施例，亦以與上述相同之方式評價離子交換膜有無損傷。實施例1中為○。 [表1] 測定B之結果示於表2。幾乎所有測定點均為99%以上之釕殘存率。30點之平均值為99%。 [表2] [實施例2] 使用與實施例1相同之逆電流吸收體，將逆電流吸收體之設置位置如圖10所示設置於距離集電體之上邊165 mm之位置，除此以外以與實施例1相同之方式實施電解試驗。電解試驗前後之釕之殘存率之測定結果示於表3(測定A)、表4(測定B)。幾乎所有之測定點均為99%以上之釕殘存率。又，每當施加4次之逆電流時，以目視觀察自陰極出口排出之苛性鈉溶液，結果未觀察到著色等。於任一測定中，30點之平均值均為100%。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例2中為○。 [表3] [表4] [實施例3] 使用與實施例1相同之逆電流吸收體，將逆電流吸收體之設置位置如圖11所示設置於距離集電體之上邊265 mm之位置，除此以外以與實施例1相同之方式實施電解試驗。電解試驗前後之釕之殘存率之測定結果示於表5(測定A)、表6(測定B)。幾乎所有之測定點均為99%以上之釕殘存率。又，每當施加4次之逆電流時，以目視觀察自陰極出口排出之苛性鈉溶液，結果未觀察到著色等。於任一測定中，30點之平均值均為100%。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例3中為○。 [表5] [表6] [實施例4] 使用與實施例1相同之逆電流吸收體，將逆電流吸收體之設置位置如圖12所示設置於距離集電體之上邊365 mm之位置，除此以外以與實施例1相同之方式實施電解試驗。電解試驗前後之釕之殘存率之測定結果示於表7(測定A)、表8(測定B)。幾乎所有之測定點均為99%以上之釕殘存率。又，每當施加4次之逆電流時，以目視觀察自陰極出口排出之苛性鈉溶液，結果未觀察到著色等。於任一測定中，30點之平均值均為99%。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例4中為○。 [表7] [表8] [實施例4-1] 使用與實施例1相同之逆電流吸收體，將逆電流吸收體之設置位置如圖13所示設置於距離集電體之上邊460 mm之位置(電解槽之正中央)，除此以外以與實施例1相同之方式實施電解試驗。電解試驗前後之釕之殘存率之測定結果示於表9(測定A)。每當施加4次之逆電流時，以目視觀察自陰極出口排出之苛性鈉溶液，結果觀察到極稍許之著色。30點之平均值為90%。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例4-1中為○。 [表9] 於實施例4-1中，對陰極面作為整體進行評價時，可認為可充分地抑制陰極之劣化，但可見自陰極上端至200 mm為止之釕殘存率減少為55%～77%之傾向。若將該結果合併實施例1～4進行研究，則揭示了存在利用逆電流吸收體之設置位置可進一步抑制陰極之劣化之傾向。即揭示了自使陰極上部之劣化亦得以充分保護之方面而言，較之將逆電流吸收體設置於電解槽中央，更佳為設置於向電解槽中央之上部偏移之位置。 [比較例1]除未設置逆電流吸收體以外，以與實施例1相同之方式實施電解試驗。以目視觀察，結果每當施加逆電流時，觀察到自陰極出口排出之苛性鈉溶液著色為釕溶出之茶色。可知每當施加逆電流時，陰極塗層溶出。電解試驗前後之釕之殘存率之測定結果示於表10(測定A)。於所有測定點，釕殘存率均大幅下降。30點之平均值為5%。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷，於比較例1中為○。 [表10] 如上所述，可知於釕殘存率成為5%之情形時(比較例1)電壓之上升顯著，自防止此種電壓上升之方面而言，重要的是以釕殘存率成為10%以上之方式進行調整。 [實施例5] 使用鎳製多孔金屬作為金屬多孔板。將板厚為0.2 mm之鎳板以SW＝2、LW＝3、進給＝0.2進行加工後，實施壓延處理，調整為0.2 mm之厚度。又，縱長為230 mm，橫長為1190 mm。對該鎳製多孔金屬利用鋼砂(粒號20號，粒度範圍75 μm～300 μm)實施噴砂處理。 霧狀噴出包含氧化鎳粉、阿拉伯膠、純水之混合液並進行乾燥，製成粒徑5～50 μm之球狀造粒物。使用氮氣作為一次氣體，使用氫氣作為二次氣體，將該造粒物電漿熔射於上述鎳製多孔金屬上。電漿熔射後之厚度為0.59 mm。如此製作4個逆電流吸收體。實施例5中不進行與實施例1相同之還原處理，作為替代，於溫度88℃、電流密度4 kA/m² 下實施約100小時食鹽電解作為預電解，從而進行逆電流吸收體之還原。逆電流吸收體設置於集電體與墊片之間。即，逆電流吸收體不作為陰極發揮功能，但暴露於析氫之還原氣氛下。其後，與實施例1同樣地測定到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T，結果為871秒，逆電流吸收量為217750 C/m² 。Ni金屬之X射線繞射半寬值為0.32°。又，Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.32°，氧化度X為80%，氧化度Y為51%，比表面積為1.5 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為90%(表12)。 實施例5中，組裝電解槽後，使用集電體與陽極之間隔成為約2 mm之電解單元。即，設為逆電流吸收體、彈性墊、陰極、離子交換膜位於該2 mm之間隔間之結構。與實施例1同樣地採用已使用1年之電解單元。實施例5之集電體係橫向排列2個縱1160 mm×橫1190 mm之尺寸者而使用(以下之實施例6、7、8、9、10、11、12及比較例1-1亦相同)。陰極室之上端及下端之位置與集電體之上端及下端之位置分別一致。如圖14所示，以逆電流吸收體之上邊設置於距離電解槽之集電體上端250 mm之位置之方式無間隙地排列4個逆電流吸收體，利用TIG焊接固定。供4個逆電流吸收構件設置之面為縱460 mm、橫2380 mm。逆電流吸收體之下邊與集電體之下端之距離為450 mm。上述預電解後，以與實施例1相同之方式實施使用有電解槽之電解試驗，實施測定A，結果30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例5中為○。[實施例6] 使用鎳製多孔金屬作為金屬多孔板。將板厚為0.3 mm之鎳板以SW＝2、LW＝4、進給＝0.3進行加工後，實施壓延處理，調整為0.3 mm之厚度。又，寬為230 mm，長為1190 mm。對該鎳製多孔金屬利用鋼砂(粒號20號，粒度範圍75 μm～300 μm)實施噴砂處理。 霧狀噴出包含氧化鎳粉、阿拉伯膠、純水之混合液並進行乾燥，製成粒徑5～50 μm之球狀造粒物。使用氮氣作為一次氣體，使用氫氣作為二次氣體，將該造粒物電漿熔射於上述鎳製多孔金屬上。電漿熔射後之厚度為0.66 mm。如此製作4個逆電流吸收體。實施例6中不進行與實施例1相同之還原處理，作為替代，於溫度88℃、電流密度4 kA/m² 下實施約100小時食鹽電解作為預電解，從而進行逆電流吸收體之還原。逆電流吸收體設置於集電體與墊片之間。即，逆電流吸收體不作為陰極而發揮功能，但暴露於析氫之還原氣氛下。其後，與實施例1同樣地測定到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T，結果為1051秒，逆電流吸收量為262750 C/m² 。又，Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.32°，氧化度X為80%，氧化度Y為57%，比表面積為1.7 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為91%(表12)。 以與實施例5相同之方式於電解槽中設置4個逆電流吸收體。於實施例6中，上述預電解後，以與實施例1相同之方式實施使用有電解槽之電解試驗，實施測定A，結果30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例6中為○。[比較例1-1] 以無間隙之方式利用焊接將實施例6中製作之逆電流吸收體安裝於集電體整面。以與實施例1相同之方式實施電解評價，實施測定A，結果30點之平均值為100%。 其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。其結果為於比較例1-1中為×。 [實施例7] 使用鎳製多孔金屬作為金屬多孔板。將板厚為0.2 mm之鎳板以SW＝2、LW＝3、進給＝0.5進行加工後，實施壓延處理，調整為0.2 mm之厚度。又，寬為230 mm，長為1190 mm。對該鎳製多孔金屬利用鋼砂(粒號20號，粒度範圍75 μm～300 μm)實施噴砂處理。 霧狀噴出包含氧化鎳粉、阿拉伯膠、純水之混合液並進行乾燥，製成粒徑5～50 μm之球狀造粒物。使用氮氣作為一次氣體，使用氫氣作為二次氣體，將該造粒物電漿熔射於上述鎳製多孔金屬上。電漿熔射後之厚度為0.49 mm。如此製作4個逆電流吸收體。實施例7中不進行與實施例1相同之還原處理，作為替代，於溫度88℃、電流密度4 kA/m² 下實施約100小時食鹽電解作為預電解，從而進行逆電流吸收體之還原。逆電流吸收體設置於集電體與墊片之間。即，逆電流吸收體不作為陰極而發揮功能，但暴露於析氫之還原氣氛下。其後，與實施例1同樣地測定到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T，結果為972秒，逆電流吸收量為243000 C/m² 。又，Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.34°，氧化度X為80%，氧化度Y為52%，比表面積為1.7 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為91%(表12)。 以與實施例5相同之方式於電解槽中設置4個逆電流吸收體。於實施例7中，上述預電解後，以與實施例1相同之方式實施使用有電解槽之電解試驗，實施測定A，結果30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例7中為○。[實施例8] 以與實施例7相同之方式製作逆電流吸收體後，未實施預電解，於氫氣環境中(以氮氣稀釋)、200℃下實施氫還原處理。 到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T為938秒，逆電流吸收量為234500 C/m² 。又，Ni金屬之X射線繞射半峰全幅值為0.36°，氧化度X為80%，氧化度Y為2.5%，比表面積為1.9 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為93%。(表12)。 以與實施例5相同之方式於電解槽中設置4個逆電流吸收體。電解試驗後，實施測定A之結果為30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例8中為○。 [實施例9] 使用鎳製多孔金屬作為金屬多孔板。將板厚為0.2 mm之鎳板以SW＝1.8、LW＝3、進給＝0.5進行加工後，實施壓延處理，調整為0.2 mm之厚度。又，寬為230 mm，長為1190 mm。對該鎳製多孔金屬利用鋼砂(粒號20號，粒度範圍75 μm～300 μm)實施噴砂處理。 霧狀噴出包含氧化鎳粉、阿拉伯膠、純水之混合液並進行乾燥，製成粒徑5～50 μm之球狀造粒物。使用氮氣作為一次氣體，使用氫氣作為二次氣體，將該造粒物電漿熔射於上述鎳製多孔金屬上。電漿熔射後之厚度為0.47 mm。如此製作4個逆電流吸收體。實施例9中不進行與實施例1相同之還原處理，作為替代，於溫度88℃、電流密度4 kA/m² 下實施約100小時食鹽電解作為預電解，從而進行逆電流吸收體之還原。逆電流吸收體設置於集電體與墊片之間。即，逆電流吸收體不作為陰極而發揮功能，但暴露於析氫之還原氣氛下。其後，測定到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T，結果為1017秒，逆電流吸收量為254250 C/m² 。又，Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.34°，氧化度X為81%，氧化度Y為55%，比表面積為1.6 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為90%(表12)。 以與實施例5相同之方式於電解槽中設置4個逆電流吸收體。於實施例9中，上述預電解後，以與實施例1相同之方式實施使用有電解槽之電解試驗，實施測定A，結果30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例9中為○。[實施例10] 以與實施例9相同之方式製作逆電流吸收體後，未進行預電解，於氫氣環境中(以氮氣稀釋)、200℃下實施氫還原處理。 到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T為1032秒，逆電流吸收量為258000 C/m² 。又，Ni金屬之X射線繞射半峰全幅值為0.45°，氧化度X為81%，氧化度Y為2.4%，比表面積為2.0 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為92%。(表12)。 以與實施例5相同之方式於電解槽中設置4個逆電流吸收體。實施與實施例1相同之電解試驗後，實施測定A之結果為30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例10中為○。 [實施例11] 使用鎳製多孔金屬作為金屬多孔板。將板厚為0.2 mm之鎳板以SW＝1.6、LW＝3、進給＝0.5進行加工後，實施壓延處理，調整為0.2 mm之厚度。又，寬為230 mm，長為1190 mm。對該鎳製多孔金屬利用鋼砂(粒號20號，粒度範圍75 μm～300 μm)實施噴砂處理。 霧狀噴出包含氧化鎳粉、阿拉伯膠、純水之混合液並進行乾燥，製成粒徑5～50 μm之球狀造粒物。使用氮氣作為一次氣體，使用氫氣作為二次氣體，將該造粒物電漿熔射於上述鎳製多孔金屬上。電漿熔射後之厚度為0.45 mm。如此製作4個逆電流吸收體。實施例11中不進行與實施例1相同之還原處理，作為替代，於溫度88℃、電流密度4 kA/m² 下實施約100小時食鹽電解作為預電解，從而進行逆電流吸收體之還原。逆電流吸收體設置於集電體與墊片之間。即，逆電流吸收體不作為陰極而發揮功能，但暴露於析氫之還原氣氛下。其後，測定到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T，結果為751秒，逆電流吸收量為187750 C/m² 。又，Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.36°，氧化度X為81%，氧化度Y為56%，比表面積為1.6 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為90%(表12)。 以與實施例5相同之方式於電解槽中設置4個逆電流吸收體。上述預電解後，以與實施例1相同之方式實施使用有電解槽之電解試驗，實施測定A，結果30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例11中為○。[實施例12] 以與實施例11相同之方式製作逆電流吸收體後，未進行預電解，於氫氣環境中(以氮氣稀釋)、200℃下實施氫還原處理。 到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T為1098秒，逆電流吸收量為274500 C/m² 。又，Ni金屬之X射線繞射半峰全幅值為0.33°，氧化度X為81%，氧化度Y為1.8%，比表面積為1.8 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為90%。(表12)。 其後，以與實施例5相同之方式於電解槽中設置4個逆電流吸收體。實施與實施例1相同之電解試驗後，實施測定A之結果為30點之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例12中為○。 [實施例13] 使用與實施例1相同之逆電流吸收體。即，使用延伸加工以SW＝3、LW＝4、進給＝1實施，電漿熔射、氫還原處理後之厚度為1.6 mm者。 又，使用與實施例5相同之電解單元。即，組裝電解槽時，使用集電體與陽極之間隔成為約2 mm之電解單元，成為逆電流吸收體、彈性墊、陰極、離子交換膜位於該2 mm之間隔間之結構。實施例13之集電體係橫向排列2個縱1150 mm×橫1190 mm之尺寸者而使用。陰極室之上端及下端之位置與集電體之上端及下端之位置分別一致。 於實施例13中，挖出集電體之一部分，於挖出之部分設置逆電流吸收體。具體而言，距離集電體之上端365 mm～595 mm，挖出寬為2380 mm之範圍之集電體。於挖出之部分嵌入2個縱230 mm、寬1190 mm之逆電流吸收體，利用點焊固定於肋壁上。集電體為厚1.2 mm之鎳製多孔金屬，故而設置有逆電流吸收體之部分與陽極之間隔約為1.6 mm。實施與實施例1相同之電解試驗，結果為測定A之30點測定之平均值為100%。 又，對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，但未觀察到膜損傷。其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例13中為○。 [實施例14] 使具有設置有陽極之陽極室之陽極單元(陽極終端單元，鈦製)與具有設置有陰極之陰極室(陰極終端單元，鎳製)之陰極單元相對。於單元間配置一對密合墊，使粒子交換膜位於一對密合墊間。並且，使陽極單元、密合墊、離子交換膜、密合墊及陰極密接，獲得電解單元。 作為陽極，使用於鈦基材上形成有以釕、銥及鈦為成分之氧化物之所謂DSA(註冊商標)。作為陰極，使用於鎳製之平紋織之金屬絲網上塗佈有氧化釕及氧化鈰者。將切割為縱95 mm×橫110 mm之尺寸之陰極之四邊約2 mm彎折為直角。作為集電體，使用鎳製多孔金屬。集電體之尺寸為縱95 mm×橫110 mm。作為金屬彈性體，使用直徑0.1 mm之鎳細線編成之緩衝墊。將作為金屬彈性體之緩衝墊置於集電體上。 將實施例6中製作之逆電流吸收體切割為縱38 mm、橫110 mm之短條狀，固定於陰極室之集電體上。以逆電流吸收體之上端成為距離集電體上端10 mm之位置之方式進行焊接固定。逆電流吸收體以橫向之狀態設置。逆電流吸收體之下端與集電體之下端為止之距離為47 mm。 繼而，於陰極之彎折部面向集電體之狀態下，將陰極覆蓋於集電體上。並且，將陰極之四角利用以鐵氟龍(註冊商標)製作之繩子固定於集電體。作為密合墊，使用EPDM(乙烯丙烯二烯)製之橡膠密合墊。作為離子交換膜，使用「Aciplex」(註冊商標)F6801(旭化成化學公司製造)。 使用上述電解單元進行食鹽之電解。陽極室之鹽水濃度(氯化鈉濃度)調整為205 g/L。陰極室之氫氧化鈉濃度調整為32 wt%。以各電解單元內之溫度成為90℃之方式調節陽極室及陰極室之各溫度。 於電流密度6 kA/m² 下進行食鹽電解2小時後，將電流密度瞬間降至0 kA/m² 。其後，改換整流器端子之正負，於電解單元中流通與電解相反方向之電流(逆電流)。逆電流之電流密度設定為50 A/m² ，流通15分鐘。流通逆電流期間，使用導入陰極室內之魯金毛細管測定相對於Ag｜AgCl參考電極之陰極之電位。 對上述電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定，結果陰極面內之任一位置之釕殘量均為99%以上。關於此處之XRF測定位置，以與圖9(縱1150 mm×橫2380 mm)之30點之測定位置對應之方式進行比例計算，特定縱95 mm、橫110 mm尺寸之30點之測定位置。 其後，於電流密度6 kA/m² 下實施半年之電解，檢查膜之損傷。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷。自於本實施例中使用之電解單元之電解面積與大型電解槽之電解單元之電解面積之比，將損傷數換算為大型尺寸，結果於實施例14中為△。 將實施例1～14、實施例4-1、比較例1及比較例1-1之試驗結果總結於表11。再者，於各例中，將逆電流吸收體之陰極對向面之開孔部分之合計面積S'除以將該開孔部分算入面積所得之逆電流吸收體之陰極對向面之面積S''而獲得的數值(%；100×S'/S'')均未達90%，故而關於S3及S_A ，該開孔部分亦算入面積。 可知伴隨S3/S_A 之值變大，電解試驗後之測定A之值變大。S3/S_A 為0時測定A之值為5%，S3/S_A 為0.20時測定A之值為90%，S3/S_A 為0.36以上時測定A之值為98%以上。 另一方面，可知伴隨S3/S_A 之值變小，膜損傷之發生頻率變少。S3/S_A 為1.00時膜損傷之頻率較高(×)，S3/S_A 為0.79時為△，S3/S_A 為0.36以下時為○。 可知為兼顧塗層之殘存率與膜損傷，存在最合適之S3/S_A 值之範圍。 [表11] [實施例15] 使用鎳製多孔金屬作為金屬多孔板。將板厚為1 mm之鎳板以SW＝3、LW＝4、進給＝1進行加工。加工後之厚度為1.2 mm。對該鎳製多孔金屬利用鋼砂(粒號70號，粒度範圍420 μm～1000 μm)實施噴砂處理。 作為塗佈液，準備使六水合硝酸鎳(II)(和光純藥，特級)溶解於純水中之水溶液。塗佈液中之鎳元素之濃度為230 g/L。將該水溶液以毛刷塗佈於鎳多孔金屬後，於75℃下乾燥10分鐘，於500℃下進行10分鐘煅燒。重複該塗佈、乾燥、煅燒之一連串之操作直至成為特定之鎳塗佈量為止。其後，剝離被覆之一部分，實施X射線繞射測定，結果僅觀測到氧化鎳之繞射線。即，確認鎳係作為氧化鎳而被塗佈。氧化鎳之塗佈量為373 g/m² 。繼而於氫氣環境中(以氮氣稀釋)，於200℃下實施氫還原處理。 到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T為723秒，逆電流吸收量為180750 C/m² 。又，Ni金屬之X射線繞射半寬值為0.39°，氧化度X為99%，氧化度Y為3.8%，比表面積為3.9 m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為86%(表12)。 以與實施例14相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定。測定點為圖21所示之5點(測定C)。陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例15中為○。藉由含有鎳之溶液之熱分解法亦可製作逆電流吸收體。 [實施例16] 使用與實施例15相同之基材、硝酸鎳塗佈液，實施塗佈。剝離被覆之一部分，實施X射線繞射測定，結果僅觀測到氧化鎳之繞射線，鎳係作為氧化鎳而被塗佈，氧化鎳之塗佈量為852 g/m² 。繼而於氫氣環境中(以氮氣稀釋)、200℃下實施氫還原處理。 到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T為1210秒，逆電流吸收量為302500 C/m² 。又，Ni金屬之X射線繞射半寬值為0.36°，氧化度X為99%，氧化度Y為1.5%，比表面積為4.2m² /g，孔徑為10 nm以上之細孔之細孔體積於總細孔體積中所占之比率為85%。(表12)。 以與實施例15相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例16中為○。 藉由含有鎳之溶液之熱分解法亦可製作逆電流吸收體。 以上實施例1、5～12、15～16中測定之特定之物性值合併於下表12中示出。 [表12] [實施例15-1] 使用與實施例14相同之電解單元實施試驗。將於實施例15中製作之逆電流吸收體切割為縱37 mm、橫110 mm之短條狀，固定於陰極室之集電體。以逆電流吸收體之上端成為距離集電體上端20 mm之位置之方式進行焊接固定。逆電流吸收體以橫向之狀態設置。逆電流吸收體之下端與集電體之下端為止之距離為38 mm。逆電流吸收體之設置位置之高度為與實施例5大致相似之位置。於與實施例15相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上。藉由含有鎳之溶液之熱分解法亦可製作逆電流吸收體。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例15-1中為○。 [實施例16-1] 使用與實施例14相同之電解單元實施試驗。將於實施例16中製作之逆電流吸收體切割為縱37 mm、橫110 mm之短條狀，固定於陰極室之集電體。以逆電流吸收體之上端成為距離集電體上端20 mm之位置之方式進行焊接固定。逆電流吸收體以橫向之狀態設置。逆電流吸收體之下端與集電體之下端為止之距離為38 mm。逆電流吸收體之設置位置之高度為與實施例5大致相似之位置。於與實施例15相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上。藉由含有鎳之溶液之熱分解法亦可製作逆電流吸收體。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例16-1中為○。 [比較例2] 實施下述電解實驗，測定逆電流流通時之陰極之上下方向之電位分佈。為了自外部觀察電解單元之陽極室內、陰極室內，以透明之丙烯酸製作電解單元。使具有設置有陽極之陽極室之陽極單元(陽極終端單元)與具有設置有陰極之陰極室(陰極終端單元)之陰極單元相對。於單元間配置一對密合墊，使粒子交換膜位於一對密合墊間。並且，使陽極單元、密合墊、離子交換膜、密合墊及陰極密接，獲得電解單元。再者，陽極及陰極以及集電體之尺寸為橫長95 mm，縱長1160 mm，且為該等平行對向之結構。 陰極室中，使用0.1 mm之鎳絲製為織物，進行波形加工，將所得者作為緩衝墊點焊於集電體上加以固定。於線形0.15 mm且40網目之金屬絲網上施加含有釕作為主成分之塗層，將所得者作為析氫用陰極積層、固定於緩衝墊上。 陽極係使用於鈦基材上塗佈有以釕、銥、鈦為成分之氧化物之所謂DSA(註冊商標)。離子交換膜係使用「Aciplex」(註冊商標)F6801(旭化成股份有限公司製造)。 又，為測定陽極及陰極之電極電位，設置魯金毛細管。於陽極室中，於距離陽極上端140 mm、578 mm、1100 mm之三處設置。於陰極室中，於距離陰極上端50 mm、200 mm、350 mm、578 mm、870 mm、1100 mm之六處設置。參考電極使用銀-氯化銀電極(飽和KCl)。電極電位之測定、記錄使用ScopeCorder SL1400(橫河電機股份有限公司)。 一面以陽極室出口之NaCl濃度成為3.5 N，陰極室出口之NaOH濃度成為32重量%之方式進行調整，一面於電流密度4 kA/m² 下實施食鹽電解。自電解開始起2小時後停止電解，以0.5 Ω之電阻器使陽極與陰極電性短路從而流通逆電流。 圖15(A)中表示剛以電阻器短路後之陽極及陰極之相對於銀-氯化銀電極之電位，圖15(B)中表示以電阻器短路6分鐘後之陽極及陰極之相對於銀-氯化銀電極之電位。 自該等圖可知，對陰極之電位而言，越往電解單元之上部，電位上升越快。即，提示了更快到達作為觸媒成分之釕之溶解電位即-0.1 V vs.Ag/AgCl，釕開始氧化溶出。實際透過透明之丙烯酸系單元觀察陰極室內，結果可以目視確認自陰極之上部呈現褐色，釕之溶出開始。將以電阻器短路之狀態維持40分鐘後，將電解單元拆散。利用手持型螢光X射線分析裝置(Niton XL3t-800S，Thermo Scientific公司)於比較例2之試驗前後測定釕量，算出釕之殘存率，結果如圖16所示，陰極上部之釕殘存率變低。[實施例17] 使用與比較例2相同之電解單元實施電解試驗。將以與實施例1相同之方法製作，且切割為寬95 mm、高230 mm之尺寸之逆電流吸收體，以逆電流吸收體之上端位於距設置於電解單元之陰極室內之集電體之上端365 mm之方式藉由TIG焊接而安裝。 以與比較例2相同之方法實施電解試驗。圖17(A)中表示剛以電阻器短路後，圖17(B)中表示以電阻器短路15分鐘後，圖18(A)中表示以電阻器短路39分鐘後，圖18(B)中表示以電阻器短路119分鐘後，之陽極及陰極之相對於銀-氯化銀電極之電位。 自該等圖可知，陰極之電位於設置有逆電流吸收體之365 mm～595 mm附近顯示極小之電位曲線。其後，陰極整體之電位緩慢上升，與此同時119分鐘後陰極整體成為幾乎相同之電位，到達作為釕之溶解電位之‑0.1 V vs.Ag/AgCl。透過透明之丙烯酸系單元觀察陰極室內，未以目視確認到明確之釕之溶出。將以電阻器短路之狀態維持142分鐘後，將電解單元拆散。利用手持型螢光X射線分析裝置(Niton XL3t-800S，Thermo Scientific公司)於實施例17之試驗前後測定釕量，算出釕之殘存率，結果如圖19所示，陰極之塗層殘存率於上下部無偏差地殘存。 [參考例17-1] 使用與比較例2相同之電解單元實施電解試驗。將以與實施例1相同之方法製作，且切割為寬95 mm、高230 mm之尺寸之逆電流吸收體，以逆電流吸收體之上端位於距設置於電解單元之陰極室內之集電體之上端930 mm之方式藉由TIG焊接而安裝。即，安裝於集電體之下端與逆電流吸收體之下端重合之位置。 以與比較例2相同之方法實施電解試驗。圖20(A)中表示剛以電阻器短路後，圖20(B)中表示以電阻器短路11分鐘後，圖20(C)中表示以電阻器短路79分鐘後之陽極及陰極之相對於銀-氯化銀電極之電位。 自該等圖可知，陰極之電位於設置有逆電流吸收體之930 mm～1160 mm附近幾乎未見陰極電位之上升，隨著陰極越往上部，電位之上升變快，自上部到達作為釕之溶解電位之-0.1 V vs.Ag/AgCl。實際透過透明之丙烯酸系單元觀察陰極室內，結果可以目視確認自陰極之上部呈現少許之褐色，釕之溶出開始。將以電阻器短路之狀態維持84分鐘後，將電解單元拆散。可知與比較例2相比，可抑制陰極電位變高。 [實施例18] 使用與實施例14相同之電解單元實施試驗。再者，逆電流吸收體係使用以與實施例12相同之方式製作且切割為縱37 mm、橫110 mm之短條狀者。於緩衝墊上設置逆電流吸收體，逆電流吸收體之上端焊接固定於距離集電體上端20 mm之位置。逆電流吸收體以橫向之狀態設置。逆電流吸收體之下端與集電體之下端為止之距離為38 mm。逆電流吸收體之設置位置之高度為與實施例5大致相似之位置。於本實施例中，將逆電流吸收體設置於作為金屬彈性體之緩衝墊與陰極之間。陽極與逆電流吸收體之距離為0.3 mm左右。 以與實施例15相同之方式實施電解試驗，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上，平均值亦為99%以上。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例18中為○。 [實施例19] 準備2個以與實施例12相同之方式製作且切割為縱17 mm、橫110 mm之短條狀之逆電流吸收體。 使用與實施例14相同之電解單元，變更逆電流吸收體之位置。逆電流吸收體固定於陰極室之集電體。第一個固定於距離集電體上端20 mm之位置，第二個固定於距離集電體下端20 mm之位置。均以橫向之狀態固定。 以與實施例15相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上，平均值亦為99%以上。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例19中為○。 [實施例20] 準備2個以與實施例12相同之方式製作且切割為縱95 mm、橫20 mm之短條狀之逆電流吸收體。 使用與實施例14相同之電解單元，變更逆電流吸收體之位置。逆電流吸收體固定於陰極室之集電體。第一個固定於距離集電體左端20 mm之位置，第二個固定於距離集電體右端20 mm之位置。均以縱向之狀態固定。 以與實施例15相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上，平均值亦為99%以上。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例20中為○。 (殘存量與電壓上升之關係) 使用與上述實施例18相同之電解單元。除未設置逆電流吸收體、將電流密度設為4 kA/m² 、及變更流通逆電流之時間(8圖案)以外，以與實施例18相同之方式實施電解試驗。即，獲得8個電解試驗後之電解單元之樣品。關於該等樣品，測定釕殘存率之5點(圖21所示)之平均值，結果按照流通逆電流之時間變短之順序，分別成為100%、90%、81%、48%、26%、21%、12%、5%。將該等陰極再次安裝於電解單元，以電流密度為4 kA/m² ，陽極室之鹽水濃度(氯化鈉濃度)為205 g/L，陰極室之氫氧化鈉濃度為32 wt%，電解單元內之溫度為90℃之方式進行調整而實施電解，測定電壓。如此，確認電解試驗前後之釕殘存率及電壓上升之關係，結果示於以下之表13。 再者，電壓上升係藉由於上述電解試驗之前與後，測定20分鐘之平均電壓並進行比較而算出。電壓測定係使用資料記錄器(TRV-1000，KEYENCE股份有限公司製)每5秒進行20分鐘電壓測定，設為該等值之平均值。 [表13] [實施例21] 除使用使九水合硝酸鐵(III)(和光純藥，特級)溶解於純水中之水溶液作為塗佈液以外，藉由與實施例15相同之熱分解法製作逆電流吸收體。塗佈液中之鐵元素之濃度為230 g/L。剝離被覆之一部分，實施X射線繞射測定，結果僅觀測到氧化鐵之繞射線。即，可知鐵係作為氧化鐵而被塗佈。氧化鐵之塗佈量為411 g/m² 。繼而於氫氣環境中(以氮氣稀釋)、200℃下實施氫還原處理。 到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T為72秒，逆電流吸收量為18000 C/m² 。 使用與實施例14相同之電解單元實施試驗。將逆電流吸收體切割為縱37 mm、橫110 mm之短條狀，固定於陰極室之集電體。以逆電流吸收體之上端成為距離集電體上端20 mm之位置之方式進行焊接固定。逆電流吸收體以橫向之狀態設置。逆電流吸收體之下端與集電體之下端為止之距離為38 mm。逆電流吸收體之設置位置之高度為與實施例5大致相似之位置。以與實施例15相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為67%以上。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例21中為○。藉由含有鐵之溶液之熱分解法亦可製作逆電流吸收體。 [實施例22] 除使用使六水合硝酸鈷(II)(和光純藥，特級)溶解於純水中之水溶液作為塗佈液以外，藉由與實施例15相同之熱分解法製作逆電流吸收體。塗佈液中之鈷元素之濃度為115 g/L。剝離被覆之一部分，實施X射線繞射測定，結果僅觀測到氧化鈷之繞射線。即，確認鈷係作為氧化鈷而被塗佈。氧化鈷之塗佈量為405 g/m² 。繼而於氫氣環境中(以氮氣稀釋)、200℃下實施氫還原處理。 到達-0.1 V vs.Ag/AgCl為止之時間T為2133秒，逆電流吸收量為533250 C/m² 。 使用與實施例14相同之電解單元實施試驗。將逆電流吸收體切割為縱37 mm、橫110 mm之短條狀，固定於陰極室之集電體。以逆電流吸收體之上端成為距離集電體上端20 mm之位置之方式進行焊接固定。逆電流吸收體以橫向之狀態設置。逆電流吸收體之下端與集電體之下端為止之距離為38 mm。逆電流吸收體之設置位置之高度為與實施例5大致相似之位置。以與實施例15相同之方式實施電解試驗後，對電解試驗前後之釕殘存率進行XRF測定，結果陰極面內任一位置之釕殘量均為99%以上。對與設置有逆電流吸收體之部分對向之部位及其以外之部位檢查離子交換膜之損傷，於實施例22中為○。藉由含有鈷之溶液之熱分解法亦可製作逆電流吸收體。。 對實施例15～22之面積比、測定C及有無膜損傷進行評價之結果合併示於表14。 [表14] 本申請案係基於2017年3月13日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2017-047272號)者，其內容以參考之方式引入本文。

1‧‧‧電解單元

2‧‧‧離子交換膜

4‧‧‧電解槽

5‧‧‧加壓器

6‧‧‧陰極端子

7‧‧‧陽極端子

10‧‧‧陽極室

11‧‧‧陽極

18‧‧‧逆電流吸收體

18a‧‧‧金屬多孔板

18b‧‧‧逆電流吸收層

19A‧‧‧陽極室之下端

19B‧‧‧陽極室之上端

19C‧‧‧陰極室之下端

19D‧‧‧陰極室之上端

20‧‧‧陰極室

21‧‧‧陰極

22‧‧‧金屬彈性體

23‧‧‧集電體

24‧‧‧支持體

30‧‧‧間隔壁

50‧‧‧陰極側密合墊

51‧‧‧陽極側密合墊

I‧‧‧h/2以上且h以下之高度所對應之位置

II‧‧‧0以上且未達1/2h之高度所對應之位置

圖1係例示本實施形態之電解單元之第1態樣之剖面模式圖。 圖2係於圖1所示之例中，藉由輔助線說明電解單元之陰極之高度之說明圖。 圖3係將兩個圖1之電解單元串聯連接之情形時之說明圖。 圖4係表示使用有本實施形態之電解單元之電解槽之例之說明圖。 圖5係表示使用本實施形態之電解單元組裝電解槽之步驟之例之說明圖。 圖6係表示本實施形態之逆電流吸收構件之一例之剖面模式圖。 圖7係例示本實施形態之電解單元之第2態樣之剖面模式圖。 圖8係表示實施例1之集電體與逆電流吸收構件之位置關係之模式圖。 圖9係表示實施例1～實施例13及比較例1、1-1之陰極表面之釕殘存率之測定位置之模式圖。 圖10係表示實施例2之集電體與逆電流吸收構件之位置關係之模式圖。 圖11係表示實施例3之集電體與逆電流吸收構件之位置關係之模式圖。 圖12係表示實施例4之集電體與逆電流吸收構件之位置關係之模式圖。 圖13係表示實施例4-1之集電體與逆電流吸收構件之位置關係之模式圖。 圖14係表示實施例5之集電體與逆電流吸收構件之位置關係之模式圖。 圖15(A)、(B)係表示比較例2之電極電位測定之結果之圖表。 圖16係表示比較例2之釕殘存率測定之結果之圖表。 圖17(A)、(B)係表示實施例17之電極電位測定之結果之圖表。 圖18(A)、(B)係表示實施例17之電極電位測定之結果之圖表。 圖19係表示實施例17之釕殘存率測定之結果之圖表。 圖20(A)～(C)係表示實施例17-1之電極電位測定之結果之圖表。 圖21係表示釕殘存率與電壓上升之關係之評價中所使用之電解單元之陰極表面之釕殘存率之測定位置之模式圖。

Claims (22)

1. 一種電解單元，其係具備下述陰極室者，該陰極室包含陰極、及與上述陰極對向配置且具有基材與逆電流吸收體之逆電流吸收構件；上述陰極與上述逆電流吸收體電性連接，將上述陰極室之下端高度設為0，將上述陰極室之上端高度設為h時，於h/2以上且h以下之高度所對應之位置I處存在之逆電流吸收體之面積S3與對應於上述位置I之上述基材之陰極對向面之面積S_A的比為0.20≦S3/S_A<1.0。
2. 如請求項1之電解單元，其中上述電解單元之於0以上且未達1/2h之高度所對應之位置II處存在之逆電流吸收體之面積S4與上述面積S3之關係為S4<S3。
3. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體含有氧化還原電位低於上述陰極之觸媒元素之元素。
4. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體含有選自由鈦、釩、鉻、錳、鐵、鎳、鈷、銅、鋅、鈀、釕及鉑所組成之群中之至少一種元素。
5. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體係含有鎳元素之多孔質體，且於將上述多孔質體供至粉末X射線繞射而獲得之圖案中，繞射角2θ=44.5°之Ni金屬之繞射線峰之半峰全幅值為0.6°以下。
6. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體係含有Ni或NiO之層。
7. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體係將上述NiO還原而成之層。
8. 如請求項1或2之電解單元，其中上述陰極具有包含Ni或Ni合金或者於Fe上鍍覆Ni或Ni合金而得者之陰極基材、及形成於該陰極基材上且含有上述觸媒金屬之觸媒層。
9. 如請求項1或2之電解單元，其中上述基材具有集電體、支持該集電體之支持體、間隔壁及擋板，上述逆電流吸收構件進而具有金屬彈性體，上述金屬彈性體配置於上述集電體及上述陰極之間，上述支持體配置於上述集電體及上述間隔壁之間，上述間隔壁、上述支持體、上述集電體、上述金屬彈性體及上述陰極電性連接。
10. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體包含金屬板或金屬多孔板、及形成於該金屬板或金屬多孔板表面之至少一部分之逆電流吸收層，上述基材具有集電體、支持該集電體之支持體、及間隔壁，上述逆電流吸收構件進而具有金屬彈性體，上述金屬板或金屬多孔板配置於上述集電體及上述陰極之間、以及上述集電體及上述間隔壁之間之任一位置，上述金屬板或金屬多孔板、上述間隔壁、上述支持體、上述集電體、上述金屬彈性體及上述陰極電性連接。
11. 如請求項10之電解單元，其中上述金屬板或金屬多孔板係Ni、Ni合金或者於表面具有Ni或Ni合金之被覆層之Fe、Fe合金或不鏽鋼材料。
12. 如請求項9之電解單元，其中上述逆電流吸收體之至少一部分配置於上述金屬彈性體與上述集電體之間。
13. 如請求項9之電解單元，其中上述逆電流吸收體之至少一部分配置於上述集電體與上述間隔壁之間。
14. 如請求項1或2之電解單元，其中上述陰極室具有間隔壁及支持上述陰極之陰極支持體作為上述基材，上述陰極支持體配置於上述陰極及上述間隔壁之間，上述間隔壁、上述陰極支持體及上述陰極電性連接。
15. 如請求項14之電解單元，其中上述逆電流吸收體之至少一部分配置於上述陰極及上述間隔壁之間。
16. 如請求項1或2之電解單元，其中上述基材及/或上述金屬彈性體之至少一部分為立方體、長方體、板狀、棒狀、網狀、圓盤狀或球狀。
17. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體之比表面積為0.01~100m²/g。
18. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體之吸收電量為1,000~2,000,000C/m²。
19. 如請求項1或2之電解單元，其中上述逆電流吸收體之有效表面積之總和為10~100,000m²。
20. 一種電解槽，其具備如請求項1至19中任一項之電解單元。
21. 如請求項20之電解槽，其中上述電解槽之陽極與上述逆電流吸收構件之距離為35mm~0.1mm。
22. 一種如請求項1至19中任一項之電解單元之製造方法，其包括於上述基材或金屬彈性體形成上述逆電流吸收體而獲得上述逆電流吸收構件之形成步驟，且於上述形成步驟後，上述面積S3與上述面積S_A的比為0.20≦S3/(S_A)<1.0。