TWI663051B - 複合體、積層體及電子裝置、與其等之製造方法 - Google Patents

複合體、積層體及電子裝置、與其等之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI663051B
TWI663051B TW104115424A TW104115424A TWI663051B TW I663051 B TWI663051 B TW I663051B TW 104115424 A TW104115424 A TW 104115424A TW 104115424 A TW104115424 A TW 104115424A TW I663051 B TWI663051 B TW I663051B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
glass sheet
resin layer
composite
sacrificial
groove
Prior art date
Application number
TW104115424A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201601901A (zh
Inventor
角田純一
鈴木翔子
江畑研一
松山祥孝
Original Assignee
日商Ａｇｃ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Ａｇｃ股份有限公司 filed Critical 日商Ａｇｃ股份有限公司
Publication of TW201601901A publication Critical patent/TW201601901A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI663051B publication Critical patent/TWI663051B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10036—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising two outer glass sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/28—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
    • C03C17/32—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material with synthetic or natural resins
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Abstract

本發明之目的在於提供一種於進行彎曲變形或端部之切斷等時可抑制裂紋擴展至玻璃片之有效區域的複合體等。本發明係關於一種複合體，其特徵在於：其係包含玻璃片及特定之樹脂層者；上述樹脂層之厚度為1~100μm，特定區域內之楊氏模數為100MPa以上，且相對於上述玻璃片之180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上；進而，上述玻璃片具有特定之犧牲槽。

Description

複合體、積層體及電子裝置、與其等之製造方法
本發明係關於在玻璃片上具有樹脂層之複合體、於該複合體之樹脂層積層第2玻璃片而成之積層體、及於複合體或者積層體之玻璃片形成元件而成之電子裝置之技術領域。
近年來，太陽電池(PV(Photovoltaic，光伏打))、液晶面板(Liquid Crystal Display，LCD)、有機EL面板(OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體))等電子裝置(電子機器)正在進行薄型化、輕量化。作為實現該電子裝置之薄型化或輕量化之方法之一，正在進行用於電子裝置之基板之薄板化。
又，藉由使用薄板之玻璃基板(玻璃片)，亦期待具有可撓性之電子裝置之實用化。
然而，玻璃片亦存在強度不充分，於彎曲變形時會產生裂紋(裂痕)之情形。
對此，例如於專利文獻1中提出有將樹脂層接著於玻璃片而成之複合體。若為此種複合體，則即便複合體彎曲變形而於與樹脂層接著之玻璃片之表面產生拉伸應力，亦可藉由樹脂層減輕拉伸應力，從而抑制玻璃片之裂紋。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2012/166343號
然而，根據本發明者等人之研究，即便為複合體，亦有於玻璃片之端部或其附近無法獲得充分之強度之提高效果之情形。
將樹脂層接著於玻璃片而成之複合體可提高玻璃片之面內之強度。然而，樹脂層未形成於玻璃片主面之端部，該端部露出。因此，即便為複合體，玻璃片之端部或其附近之強度亦無法充分地提高。又，由於玻璃片之端部露出，故而容易於操作等時產生成為裂紋之起點之碎片等。又，雖亦受加工方法(切斷方法)較大地影響，但玻璃片通常端部或其附近之強度低於面內。
因此，若使複合體彎曲變形，則容易於玻璃片之端部或其附近產生裂紋。若於端部或其附近產生裂紋，則裂紋會根據所受到之應力而擴展至玻璃片之內部。若該裂紋擴展至玻璃片面內之有效區域，則成為缺陷。
雖為防止此種端部或其附近之裂紋而進行有倒角，但即便進行倒角，亦難以充分地防止端部或其附近之裂紋。
而且，於玻璃片較薄之情形時，進行倒角之情況本身較為困難。
本發明之目的在於解決此種先前技術之問題。即，本發明之目的在於提供一種複合體及積層體、與利用該複合體或者積層體之電子裝置，該複合體係將樹脂層接著於玻璃片而成者，該積層體係將該複合體接著於玻璃片而成者，即便進行彎曲變形或端部之切斷等而於玻璃片之端部或其附近產生裂紋，亦可抑制裂紋擴展至玻璃面內之有效區域。
為達成此種目的，本發明之主旨係關於以下之<1>~<9>。
<1>一種複合體，其特徵在於：其係包含玻璃片及接著於上述玻璃片之一面之樹脂層者；上述樹脂層之厚度為1~100μm，沿其法線方向距與上述玻璃片之界面為0~0.5μm之區域內之楊氏模數為100MPa以上，且相對於上述玻璃片之180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上；進而，上述玻璃片至少於與上述樹脂層之接著面具有沿上述玻璃片之端部延伸之犧牲槽。
<2>如上述<1>之複合體，其中上述玻璃片具有沿相同方向延伸之2條上述犧牲槽、及上述2條犧牲槽之間之有效區域，進而具有上述有效區域之內側之第2有效區域、及上述有效區域之內側且上述第2有效區域之外側的沿上述第2有效區域之端部延伸之第2犧牲槽。
<3>如上述<1>或<2>之複合體，其具有未貫通上述玻璃片之槽作為上述犧牲槽。
<4>如上述<1>至<3>中任一項之複合體，其具有貫通上述玻璃片之貫通槽作為上述犧牲槽。
<5>一種積層體，其係將第2玻璃片接著於如上述<1>至<4>中任一項之複合體之樹脂層而成。
<6>一種電子裝置，其係於如上述<1>至<4>中任一項之複合體之玻璃片或如上述<5>之積層體之玻璃片之表面具有元件。
<7>一種複合體之製造方法，其特徵在於：形成沿玻璃片之端部延伸之犧牲槽，且於上述玻璃片之形成有犧牲槽之面，以180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上之接著力形成厚度為1~100μm之樹脂層，且該樹脂層之法線方向之距與上述玻璃片之界面之距離為0~0.5μm之區域之楊氏模數為100MPa以上。
<8>一種積層體之製造方法，其係將第2玻璃片積層並接著於利用如上述<7>之製造方法而獲得之複合體之樹脂層。
<9>一種電子裝置之製造方法，其係於利用如上述<7>之製造方法而獲得之複合體之玻璃片或利用如上述<8>之製造方法而獲得之積層體之玻璃片形成元件。
根據本發明，於在玻璃片接著樹脂層而成之複合體及於該複合體積層玻璃片而成之積層體中，玻璃片具有樹脂層及特定之犧牲槽，藉此即便進行彎曲變形或端部之切斷等而於玻璃片之端部或其附近產生裂紋，亦可至少於與樹脂層之接合面抑制裂紋擴展至玻璃片內部之有效區域。
因此，根據本發明，可獲得不具有玻璃片之裂紋之缺陷的適當之複合體及積層體、與於該複合體或者積層體形成元件之電子裝置。
10、10a、10b、10c、33、40‧‧‧複合體
12、35‧‧‧玻璃片
14、36‧‧‧樹脂層
16、20、24a、24b、26a、26b、38‧‧‧犧牲槽
30‧‧‧被處理基材
30R‧‧‧被處理基材捲筒
32‧‧‧抗蝕層形成裝置
34‧‧‧處理結束之基材
34R‧‧‧處理結束之基材捲筒
50‧‧‧積層體
52‧‧‧第2玻璃片
42a、42b、42c、42d、42e、42f‧‧‧第2犧牲槽
a~f‧‧‧第2有效區域
A‧‧‧端部
圖1(A)及(B)係概念性表示本發明之複合體之一例之圖，圖1(A)為側視圖，圖1(B)為俯視圖。
圖2(A)~(C)係概念性表示本發明之複合體之其他例之側視圖。
圖3(A)及(B)係用以說明本發明之複合體之其他例之概念圖。
圖4係概念性表示本發明之積層體之一例之側視圖。
圖5係概念性表示本發明之複合體之其他例之俯視圖。
以下，對於本發明之複合體、積層體及電子裝置、與其等之製造方法，基於隨附之圖式所示之較佳例詳細地進行說明。再者，於本說明書中“重量%”與“質量%”、“重量份”與“質量份”分別同義。
於圖1(A)及(B)中概念性表示利用本發明之製造方法製造之本發 明之複合體之一例。再者，圖1(A)為側視圖(自主面之面方向觀察之圖)，圖1(B)為俯視圖(自與主面正交之方向觀察之圖)。又，圖1(B)係自圖1(A)之上側(樹脂層14側)觀察複合體10之圖。
如圖1(A)及(B)所示，複合體10具有玻璃片12、及形成於玻璃片12之一面(一主面(表面))之樹脂層14。又，於玻璃片12之與樹脂層14對向之面形成有沿玻璃片12之端部延伸之4條犧牲槽16。
成為複合體10之基板(基材)之玻璃片12之玻璃可利用公知之各種玻璃。具體而言，可例示鈉鈣玻璃或無鹼玻璃等。又，玻璃片12可利用浮式法、熔融法、再曳引法等公知之方法進行製造。
玻璃片12之厚度為對應於複合體10(積層體50)之用途之厚度即可。
此處，作為一例，本發明之複合體10係利用於太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等電子裝置之製造。要求該等電子裝置實現薄型化或輕量化。為實現電子裝置之薄型化或輕量化，玻璃片12較薄者有利。
又，於下文中進行敍述，本發明之複合體10即便於玻璃片12較薄之情形時，亦可抑制於彎曲變形之情形等時於端部或其附近產生之裂紋擴展至面內之有效區域。即，本發明之複合體10可較佳地利用於要求可撓性之OLED之基板等要求可撓性之用途。
若考慮以上之點，則玻璃片12之厚度較佳為100μm以下，更佳為75μm以下，尤佳為50μm以下。
又，玻璃片12之厚度根據複合體10之用途，只要為可確保所需之強度之厚度以上即可。
具體而言，玻璃片12之厚度較佳為1μm以上，更佳為10μm以上。
玻璃片12亦可為以提高樹脂層14之接著力等為目的而於形成樹 脂層14之前對樹脂層14之形成面實施過表面處理者。
作為表面處理，可例示底塗處理、臭氧處理、電漿蝕刻處理等。作為底塗劑，可例示矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑，可例示胺基矽烷類、環氧矽烷類、烷氧基矽烷類、矽氮烷類等。
於本發明之複合體10中，於玻璃片12之與樹脂層14之對向面(接著有樹脂層14之面)，在矩形之玻璃片12之4條邊之附近，沿與各邊相同之方向延伸地、即沿著玻璃片12之端部地形成有4條犧牲槽16。因此，於圖1(A)中，所圖示之2條犧牲槽16沿與紙面垂直之方向延伸，未圖示之其餘之2條犧牲槽沿紙面之橫方向延伸。
犧牲槽16係形成於根據複合體10之用途而適當設定之玻璃片12之有效區域之外側的槽。即，於圖1(B)中，玻璃片12之4條犧牲槽16之外側為非有效區域，於由4條犧牲槽16包圍之區域之內側設定有有效區域。
所謂有效區域，例如為將複合體10用作母板之電子裝置之製造中之元件(裝置)之形成區域。因此，與1個電子裝置對應之複數個元件相互獨立地形成於有效區域中。
本發明之複合體10具有：玻璃片12；犧牲槽16，其形成於玻璃片12；及樹脂層14，其以180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上之接著力形成於玻璃片12之至少形成有上述犧牲槽16之表面，厚度為1~100μm，且法線方向之距與玻璃片12之界面之距離為0~0.5μm之區域內之楊氏模數為100MPa以上。
本發明之複合體10藉由具有犧牲槽16與此種樹脂層14，而於彎曲變形之情形或被切斷之情形等時，即便於玻璃片12之端部或其附近產生裂紋(裂痕)，亦可利用犧牲槽16抑制該裂紋之擴展(前進)。因此，複合體10即便於端部或其附近產生裂紋，亦可抑制裂紋擴展至玻璃片12之有效區域而成為缺陷。
如上所述，根據於玻璃片12之表面形成樹脂層14而成之複合體，可防止因複合體之彎曲變形等而於玻璃片12產生裂紋。
然而，存在樹脂層14未形成於玻璃片12主面上之端部附近之情形，又，玻璃片12之端部或其附近之強度低於面內。
因此，若將複合體彎曲變形或進行端部之切斷，則容易於端部或其附近產生裂紋。若於端部或其附近產生裂紋，則裂紋會根據所受到之應力而擴展至玻璃片之內部。若該裂紋擴展至玻璃片面內之有效區域，則成為缺陷。
對此，本發明之複合體10將樹脂層14設為具有特定之剛性及厚度者，且以特定之接著力形成於玻璃片12主面上，並且於玻璃片12之與樹脂層14對向之面(接著樹脂層14之面)且為有效區域之外側具有犧牲槽16。
因此，於以使樹脂層14側為凸之方式使複合體10彎曲變形之情形等時，即便於端部或其附近產生裂紋且該裂紋向內面側擴展，亦可藉由利用犧牲槽16產生之裂紋之擴展之抑制作用及利用樹脂層14產生之裂紋之擴大之抑制作用而於犧牲槽16之位置抑制裂紋之擴展(可藉由犧牲槽16切斷裂紋之擴展)。因此，本發明之複合體10可抑制端部或其附近之裂紋擴展至玻璃片12之有效區域而成為缺陷。
如上所述，犧牲槽16係形成於玻璃片12之有效區域之外側。
再者，圖1(A)及(B)所示之複合體10中，與玻璃片12之4邊對應之所有犧牲槽16係沿玻璃片12之整個區域延伸而形成(形成為格子狀)，除此以外，亦可利用各種構成。例如，亦可將犧牲槽形成為包圍有效區域之矩形狀。或者，亦可混合存在沿玻璃片12之整個區域延伸之犧牲槽及與另一犧牲槽交叉之位置成為端部之犧牲槽。
又，就可更寬地設定有效區域等方面而言，犧牲槽16之形成位置較佳為接近玻璃片12之端部。
關於犧牲槽16之寬度，只要根據玻璃片12之厚度、主面之大小、形成材料等適當設定可抑制裂紋之擴展之寬度即可。
根據本發明者等人之研究，犧牲槽16之寬度較佳為100μm以下，更佳為10μm以下。又，犧牲槽16只要具有原子級以上之寬度(開口)，便可獲得充分之效果。具體而言，犧牲槽16之寬度只要為1nm以上即可。
藉由將犧牲槽16之寬度設為上述範圍，於可較佳地抑制玻璃片12之裂紋之擴展、可較佳地防止以犧牲槽16為起點之玻璃片12之裂紋等方面較佳。
犧牲槽16之深度亦只要根據玻璃片12之厚度、形成材料、所需之強度等適當設定可抑制裂紋之擴展之寬度即可。
根據本發明者等人之研究，犧牲槽16之深度較佳為5μm以上，更佳為10μm以上。
藉由將犧牲槽16之深度設為5μm以上，於可較佳地抑制玻璃片12之裂紋之擴展等方面較佳。
再者，犧牲槽之深度並無上限。即，如圖2(A)概念性所示之複合體10a之犧牲槽20般，犧牲槽亦可為貫通玻璃片12之貫通槽。
一般而言，構成電子裝置之元件係形成於玻璃片12之表面。因此，如圖1(A)所示之犧牲槽16般，根據未貫通玻璃片12之犧牲槽16，可獲得對於構成電子裝置之元件之利用玻璃片12產生之氣體阻隔效果。
另一方面，如圖2(A)所示之犧牲槽20般，貫通玻璃片12而形成之犧牲槽不僅於以使樹脂層14側為凸之方式使複合體10a彎曲變形之情形時，且即便以使樹脂層14側為凹之方式使複合體10a彎曲變形而於端部或其附近產生裂紋且該裂紋向內面側擴展，亦可於犧牲槽20之位置抑制裂紋之擴展。
又，犧牲槽除此以外亦可利用各種構成。
圖2(B)及(C)所示之形態均為於玻璃片12之兩面形成有未貫通玻璃片12之深度之犧牲槽之形態。
圖2(B)表示如下之形態：將犧牲槽24a形成於玻璃片12之一面，將犧牲槽24b形成於玻璃片12之另一面，並且以沿深度方向延伸之犧牲槽彼此不相連之方式將犧牲槽之位置稍微錯開。
圖2(C)表示如下之形態：將犧牲槽26a形成於玻璃片12之一面，將犧牲槽26b形成於玻璃片12之另一面，並且於俯視玻璃片12時犧牲槽26a與犧牲槽26b成為相同位置。其中，各槽之深度設為較淺以使犧牲槽26a與犧牲槽26b不相連。
進而，作為犧牲槽，亦可混合存在未貫通玻璃片12之槽與貫通槽。
再者，不論具有犧牲槽或不具有犧牲槽，於將樹脂層14僅形成於玻璃片12之一面之情形時，玻璃片12之未形成樹脂層14之側之面均為本發明之電子裝置中之元件之形成面，且於成為電子裝置之狀態下通常由層間絕緣膜或保護膜等覆蓋。
圖1(A)及(B)所示之複合體10係與矩形之玻璃片12之全部4邊對應而形成有犧牲槽16。
然而，於本發明之複合體中，犧牲槽只要至少對應於玻璃片12之1邊並沿該邊(端部)向與該邊相同之方向延伸而形成即可。即，本發明之複合體(積層體)只要具有沿玻璃片之端部延伸之1條以上之犧牲槽即可。只要具有沿玻璃片之端部延伸之1條以上之犧牲槽，便可防止自端部或其附近產生之裂紋向較該犧牲槽更內側(與產生裂紋之端部為相反側)擴展。
又，犧牲槽未必需要與玻璃片之端部(邊)平行。
於本發明之複合體中，犧牲槽較佳為至少對應於玻璃片12之對 向之兩邊(對向之一對邊)並沿與該邊相同之方向延伸而形成。
例如，於複合體10被利用於僅於長邊方向(圖1(B)之上下方向)上彎曲(使頂點於短邊方向上延伸而彎曲)之用途之情形時，亦可僅具有沿圖1(B)中之上下方向(於圖1(A)中，為與紙面正交之方向)延伸之2條犧牲槽16。相反，於複合體10被利用於僅於短邊方向(圖1之橫方向)上彎曲之用途之情形時，亦可僅具有圖1(B)中之沿橫方向延伸之2條犧牲槽16。
又，本發明之複合體亦可利用於利用所謂之捲對捲(以下，稱為RtoR)之電子裝置之製造等。
所謂RtoR係如下之製造方法：將長條之被處理基材捲繞成捲筒狀，自該捲筒將被處理基材送出，一面沿長邊方向搬送一面進行特定之處理，並將處理結束之基材捲繞成捲筒狀。例如，如圖3(A)概念性所示，自將長條之被處理基材30捲繞成捲筒狀而成之被處理基材捲筒30R將被處理基材30送出，一面沿長邊方向(圖3(A)中箭頭之方向)搬送，一面藉由抗蝕層形成裝置32連續地進行抗蝕液之塗佈及乾燥(或者，進而進行熱處理)而形成抗蝕層，並將形成有抗蝕層之處理結束之基材34捲繞成捲筒狀而製成處理結束之基材捲筒34R。
如圖3(B)概念性所示，與此種RtoR對應之長條之本發明之複合體33係於玻璃片35之與樹脂層36之對向面之寬度方向(與長邊方向正交之方向)上之有效區域之兩外側，具有沿長邊方向延伸之犧牲槽38。
於RtoR中，對捲繞成之複合體施加有於長邊方向上拉伸之應力。然而，藉由於有效區域之寬度方向之兩外側具有沿長邊方向延伸之犧牲槽38，即便因該應力而於玻璃片之端部或其附近產生裂紋並向內面方向擴展，亦可於犧牲槽38處抑制擴展，因此可抑制裂紋到達存在於犧牲槽38之內側之有效區域。
再者，於將本發明之複合體利用於利用RtoR之製造之情形時， 於已知長邊方向上有各個有效區域之情形時，除形成寬度方向兩側之犧牲槽38以外，亦可對應於各個有效區域而於長邊方向上隔開間隔形成沿寬度方向延伸之犧牲槽，從而以包圍各個有效區域之方式形成犧牲槽。
於本發明之複合體10中，犧牲槽之形成方法可利用各種於片狀之玻璃形成槽之公知之方法。
作為犧牲槽之形成方法，作為一例，可利用各種使用輪式切割器等玻璃切割器之劃線之形成方法、利用雷射束之劃線之形成方法等用以切斷玻璃之劃線之形成方法。
此處，犧牲槽(犧牲槽之壁)之強度越高，越能良好地獲得利用犧牲槽產生之裂紋之擴展停止之效果。即，犧牲槽之碎片或微小裂痕等越少，則利用犧牲槽產生之裂紋之擴展抑制之效果越高。
因此，犧牲槽較佳為利用可獲得碎片或微小裂痕等較少且強度較高之犧牲槽之方法而形成。
作為一例，可例示國際公開第2003/013816號所記載之方法。該犧牲槽之形成方法係一面沿著要形成之犧牲槽以形成玻璃片12之軟化點以下之雷射束點之方式連續地照射雷射束，一面追隨雷射束點沿著要形成之犧牲槽進行冷卻，並且將雷射束點之靠近冷卻位置之側設為最大能量強度而形成犧牲槽。
作為其他方法，可例示利用脈衝寬度較短之超短脈衝之雷射束形成犧牲槽之方法、藉由雷射束以使玻璃片熔融之方式形成犧牲槽之方法等。
於玻璃片12之表面(主面)形成有樹脂層14。
如上所述，犧牲槽至少形成於玻璃片12之與樹脂層14之對向面。換言之，至少於玻璃片12之犧牲槽之形成面形成有樹脂層14。
再者，圖1(A)及(B)等所示之複合體係僅於玻璃片12之單面設置 有樹脂層14，但於本發明之複合體中，亦可將樹脂層14設置於玻璃片12之兩面。於此情形時，於玻璃片12之兩面形成犧牲槽。
樹脂層14係包含各種樹脂材料之層(膜)。再者，圖1(A)及(B)等所示之複合體中，樹脂層14係以1層而形成，但只要合計之厚度為1~100μm，則樹脂層14亦能以複數層而形成。又，於以複數層形成樹脂層14時，可利用相同之材料形成所有層，亦可混合存在包含不同材料之層。進而，於以複數層形成樹脂層14時，各層之厚度可相同亦可不同。
再者，圖1(A)及(B)等所示之複合體係於玻璃片12之整個表面形成有樹脂層14，但只要具有與要製造之複合體之尺寸或形狀對應之充分之面積，則樹脂層14亦可不形成於玻璃片12之整個表面。
然而，於本發明之複合體中，即便於樹脂層14未覆蓋玻璃片12之整個表面之情形時，樹脂層14亦必定以覆蓋犧牲槽之方式形成，從而可抑制裂紋擴展至有效區域而成為缺陷。
此處，於本發明之複合體10中，樹脂層14之厚度為1~100μm，其法線方向之距與玻璃片12之界面之距離為0~0.5μm之區域內之楊氏模數為100MPa以上。又，樹脂層14係以180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上之接著力接著於玻璃片12之表面。
如上所述，本發明之複合體10藉由於玻璃片12形成犧牲槽且具有此種樹脂層14，而於以樹脂層14側為凸使複合體10彎曲變形時等，即便於玻璃片12之端部或其附近產生裂紋且該裂紋向內面側擴展，亦由於樹脂層14會抑制裂紋之擴大，故而藉由進而具有犧牲槽16，而可抑制裂紋之擴展。
於樹脂層14之厚度未達1μm時，無法獲得具有樹脂層14之效果，而會產生如下等之不良情況：於玻璃片12之端部或其附近產生之裂紋越過犧牲槽而擴展至內面，或樹脂層14亦與自端部或其附近之裂 紋之行進同時地破裂而分離。
又，若樹脂層14之厚度超過100μm，則會產生如下等之不良情況：無法獲得具有良好之可撓性之複合體10，或難以應對薄膜化或輕量化。
又，就可獲得更佳地獲得利用犧牲槽產生之裂紋之擴展停止效果且具有良好之可撓性之複合體10等方面而言，樹脂層14之厚度較佳為10~50μm。
樹脂層14之法線方向(與界面正交之方向)之距與玻璃片12之界面之距離為0~0.5μm之區域(即，玻璃片12側之厚度0.5μm以下之區域)之楊氏模數(以下，亦簡稱為『樹脂層14之楊氏模數』)為100MPa以上。
於樹脂層14之楊氏模數未達100MPa時，會產生如下等之不良情況：於玻璃片12之端部或其附近產生之裂紋越過犧牲槽而擴展至內面，或樹脂層14亦與自端部或其附近之裂紋之行進同時地破裂而分離。
就更佳地獲得利用犧牲槽產生之裂紋之擴展抑制效果等方面而言，樹脂層14之楊氏模數較佳為1000MPa以上。
樹脂層14之楊氏模數之上限並無限定。此處，若考慮不使可撓性降低(不使彎曲剛性提高)等，則樹脂層14之楊氏模數較佳為50000MPa以下，更佳為10000MPa以下。
樹脂層14之楊氏模數利用依據JIS K 7127(1999)之方法進行測定即可。
又，於樹脂層14(其玻璃片12側之厚度為0.5μm以下之區域)包含複數(n個)層之情形時，樹脂層14之楊氏模數E(楊氏模數E)利用下述式(1)進行計算即可。
E=Σ(Ek×Ik)/I‧‧‧(1)
Ek：第k層之材料之楊氏模數
Ik：第k層之斷面二次矩
k：1~n之整數
I：樹脂層14中之玻璃片12側之厚度為0~0.5μm之區域之斷面二次矩
根據式(1)可知，即便於藉由接著劑將樹脂層14接著於玻璃片12之情形時且接著劑較樹脂層14更柔軟之情形時，只要接著劑層之厚度充分地薄(例如只要為100nm以下)，則樹脂層14之楊氏模數亦會成為100MPa以上。
於本發明之製造方法中，樹脂層14係以180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上之接著力(以下，亦簡稱為『樹脂層14之接著力』)接著於玻璃片12。
若樹脂層14之接著力未達1N/25mm，則會產生如下等之不良情況：於玻璃片12之端部或其附近產生之裂紋越過犧牲槽而擴展至內面，或於犧牲槽之周邊產生樹脂層14之剝離。
就更佳地獲得利用犧牲槽產生之裂紋之擴展效果等方面而言，樹脂層14之接著力較佳為3N/25mm以上，更佳為5N/25mm以上。
又，樹脂層14之接著力之上限並無限定。
再者，樹脂層14之接著力(180°剝離之剝離強度)依據JIS K 6854(1999)進行測定即可。
樹脂層14可包含公知之各種樹脂材料(高分子材料)。例如，可為熱塑性樹脂及熱硬化性樹脂之任一種。
作為熱硬化性樹脂，可例示聚醯亞胺(PI)、環氧(EP)等。
作為熱塑性樹脂，可例示聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯并咪唑(PBI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚碸(PES)、環狀聚烯烴(COP)、聚碳酸酯 (PC)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、丙烯酸(PMMA)、胺基甲酸酯(PU)等。
又，樹脂層14可包含光硬化性樹脂，亦可為共聚物或混合物。
利用複合體10(積層體50)之電子裝置之製造步驟有包含伴隨加熱處理之步驟之情形。因此，形成樹脂層14之樹脂材料之耐熱溫度(可連續使用之溫度)較佳為100℃以上。
作為耐熱溫度為100℃以上之樹脂，可例示聚醯亞胺(PI)、環氧(EP)、聚醯胺(PA)、聚醯胺醯亞胺(PAI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯并咪唑(PBI)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醚碸(PES)、環狀聚烯烴(COP)、聚碳酸酯(PC)、聚氯乙烯(PVC)、丙烯酸(PMMA)、胺基甲酸酯(PU)等。
樹脂層14可僅由樹脂材料形成，或者亦可含有填料等。
作為填料，可例示纖維狀或者板狀、鱗片狀、粒狀、不定形狀、破碎品等非纖維狀之填充劑。
具體而言，可例示：玻璃纖維、PAN(Polyacrylonitrile，聚丙烯腈)系或瀝青系之碳纖維、不鏽鋼纖維、鋁纖維或黃銅纖維等金屬纖維、芳香族聚醯胺纖維等有機纖維、石膏纖維、陶瓷纖維、石棉纖維、氧化鋯纖維、氧化鋁纖維、二氧化矽纖維、氧化鈦纖維、碳化矽纖維、岩絨、鈦酸鉀晶鬚、鈦酸鋇晶鬚、硼酸鋁晶鬚、氮化矽晶鬚、雲母、滑石、高嶺石、二氧化矽、碳酸鈣、玻璃珠、玻璃薄片、玻璃微球、黏土、二硫化鉬、矽灰石、氧化鈦、氧化鋅、多磷酸鈣、金屬粉、金屬薄片、金屬帶、金屬氧化物、碳粉末、石墨、碳薄片、鱗片狀碳、奈米碳管等。作為金屬粉、金屬薄片、金屬帶之金屬種之具體例，可例示銀、鎳、銅、鋅、鋁、不鏽鋼、鐵、黃銅、鉻、錫等。玻璃纖維或者碳纖維之種類只要為通常用於樹脂之強化用者，則並無特別限定，例如可自長纖維型或短纖維型之切股(chopped strand)、磨碎 纖維等中選擇並使用。又，樹脂層14亦可包含含浸有樹脂之織布、不織布等。
再者，形成樹脂層14之樹脂可滲入犧牲槽將犧牲槽完全填埋，或者亦可滲入犧牲槽將犧牲槽之一部分填埋，或者完全不滲入犧牲槽。
樹脂層14利用與樹脂層14之形成材料相應之公知之方法形成即可。
例如，樹脂層14只要將包含成為樹脂層14之成分之液狀之組合物(塗料)塗佈於玻璃片12之形成有犧牲槽之面並使其硬化而形成即可。
或者，樹脂層14亦可將成為樹脂層14之樹脂膜(樹脂片)貼附於玻璃片12之形成有犧牲槽之面而形成。成為樹脂層14之樹脂膜向玻璃片12之接著利用壓接、加熱壓接、減壓加熱壓接等與樹脂層14之形成材料相應之公知之方法進行即可。
再者，於將樹脂膜貼附於玻璃片12而形成樹脂層14之情形時，亦可視需要使用接著劑將樹脂膜接著於玻璃片12。再者，於此情形時，接著劑層亦視為樹脂層14之一部分，作為包含亦含接著劑層在內之複數層之樹脂層14，需要滿足楊氏模數等條件。
又，關於樹脂層14，亦可於玻璃片12之表面形成包含成為樹脂層14之樹脂材料之前驅物之層(膜)，並對包含該前驅物之層實施熱處理、電子束照射、紫外線照射等處理，藉此製成包含目標之樹脂材料之樹脂層14。再者，於該樹脂層14之形成方法中，包含前驅物之層可於玻璃片12之表面進行液狀之組合物之塗佈、乾燥(或者，進而進行硬化)而形成，或者亦可將膜狀物貼附於玻璃片12之表面而形成(亦可視需要使用接著劑)。
於圖4中概念性表示本發明之積層體之一例。
圖4所示之本發明之積層體50係將第2玻璃片52積層並接著於包含上述玻璃片12與樹脂層14之複合體10之樹脂層14而成者。即，積層體50係複合體10之積層體。
於積層體50中，第2玻璃片52之玻璃與上述玻璃片12同樣地，可利用公知之各種玻璃，進而可利用以公知之方法製造者。
再者，於所製造之積層體50被利用於進行伴隨熱處理等加熱之步驟之用途之情形時，第2玻璃片52較佳為包含與玻璃片12之線膨脹係數之差較小之材料，更佳為包含與玻璃片12相同之材料。
第2玻璃片52之厚度為對應於所製造之積層體50之用途之厚度即可。因此，第2玻璃片52之厚度可與玻璃片12相同，亦可薄於或厚於玻璃片12。
作為一例，積層體50被利用於製造以複合體10(玻璃片12)為基板(形成元件之基板(元件基板))之PV、LCD、OLED等電子裝置。此時，第2玻璃片52支持可於玻璃片12形成元件之複合體10，並作為可進行適當之操作之支持基材(載體基板)發揮作用。因此，此時，第2玻璃片52之厚度較佳為0.2~1mm，更佳為0.4~0.7mm。
於積層體50中，將第2玻璃片52接著於複合體10之樹脂層14之方法可利用與樹脂層14之形成材料相應之公知之各種方法。
作為一例，可例示使用接著劑之方法、利用壓接之方法、利用加熱壓接之方法、利用減壓加熱壓接之方法等。
再者，第2玻璃片52亦可為以提高接著力等為目的而在積層於樹脂層14之前對表面實施過表面處理者。作為第2玻璃片52之表面處理，可例示上文中於玻璃片12之說明中所例示之各種表面處理。
再者，於將積層體50使用於製造OLED等時將第2玻璃片52作為支持基材之情形時，第2玻璃片52最終會自樹脂層14被剝離。
因此，於此情形時，樹脂層14與第2玻璃片52亦可以確保充分之 接著力並且視需要可將樹脂層14與第2玻璃片52剝離之方式進行接著。
圖1(A)及(B)所示之複合體10(圖4所示之積層體50)係對應於設定於玻璃片12之內面之有效區域而於有效區域之外側形成有犧牲槽16。
本發明之複合體亦可於設定於玻璃片12之內面之有效區域中，進而設定與各個電子裝置(其元件)之形成區域對應之複數或單數個第2有效區域，並對應於該第2有效區域之至少1個而於形成有犧牲槽16之面形成第2犧牲槽。
於圖5中表示其一例之俯視圖。
圖5所示之複合體40與複合體10同樣地，為於玻璃片12積層樹脂層14而成者。又，與複合體10同樣地，於玻璃片12之與樹脂層14之對向面，在有效區域之外側形成有犧牲槽16。
於複合體40中，於由犧牲槽16所包圍之有效區域中設定有以一點鏈線所表示之a~f之6個第2有效區域。
第2有效區域係與1個電子裝置對應之區域。即，於電子裝置之製造中，於該第2有效區域形成成為1個電子裝置之元件。因此，複合體40係於在第2有效區域a~f形成元件之後，例如於以兩點鏈線所表示之切斷線處被切斷。
於複合體40，進而在玻璃片12之與樹脂層14之對向面，對應於各第2有效區域a~f而於其外側形成有包圍第2有效區域之第2犧牲槽42a~42f。再者，第2犧牲槽42a~42f係形成於切斷線與第2有效區域之間。
第2犧牲槽42a~42f除與設定於有效區域中之第2有效區域對應以外，基本與犧牲槽16相同。
即，本發明中之複合體較佳為具有沿相同方向延伸之2條犧牲槽及上述2條犧牲槽之間之有效區域，進而具有上述有效區域之內側之 第2有效區域及上述有效區域之內側且上述第2有效區域之外側的沿上述第2有效區域之端部延伸之第2犧牲槽。
如上所述，樹脂層14具有特定之剛性及厚度，且以特定之接著力接著於玻璃片12。又，於在切斷線處切斷複合體40之狀態下，原本之第2有效區域成為切斷後之各個複合體中之有效區域。進而，於第2有效區域之外側形成有沿第2有效區域之端部延伸之第2犧牲槽。
因此，於在切斷線(兩點鏈線)處將複合體40切斷而製成各個電子裝置之狀態下，成為該電子裝置之基板(元件基板)之切斷後之包含玻璃片12與樹脂層14之複合體亦成為於有效區域之外側形成犧牲槽而成之本發明之複合體。
因此，即便因切斷時、切斷以後之步驟、電子裝置之使用中之以樹脂層14為凸之彎曲變形等而於玻璃片12之端部或其附近產生裂紋且裂紋向內面方向擴展，亦可於犧牲槽(原本之第2犧牲槽)抑制裂紋之擴展，從而可抑制裂紋到達有效區域(原本之第2有效區域)。
圖5所示之複合體40係利用矩形之犧牲槽包圍各第2有效區域。
然而，於本發明之複合體中，與第2有效區域對應之第2犧牲槽亦只要至少與第2有效區域之1邊對應並沿該邊(端部)向與該邊相同之方向延伸而形成即可。即，第2犧牲槽只要沿第2有效區域之端部延伸且具有1條以上即可。只要具有沿第2有效區域之端部延伸之1條以上之第2犧牲槽，則可防止自切斷後之複合體之端部或其附近產生之裂紋向較該第2犧牲槽更內側擴展。
又，第2犧牲槽未必需要與第2有效區域之端部(邊)平行。
於本發明之複合體中，與第2有效區域對應之第2犧牲槽亦較佳為至少與第2有效區域之對向之兩邊(對向之一對邊)對應而形成。
例如，在形成於第2有效區域a之元件被利用於僅於圖5中上下方向上彎曲變形之用途之情形時，與第2有效區域a對應而形成之第2犧 牲槽42a亦可僅設為於圖5中上下方向上延伸且於圖5中橫方向上隔著第2有效區域a而形成之2條。
又，在形成於第2有效區域c之元件被利用於僅於圖5中橫方向上彎曲變形之用途之情形時，與第2有效區域c對應而形成之第2犧牲槽42c亦可僅設為於圖5中橫方向上延伸且於圖5中上下方向上隔著第2有效區域c而形成之2條。
於本發明之複合體中，於設定有第2有效區域且與第2有效區域對應地形成第2犧牲槽之情形時，如圖5所示，可利用矩形之犧牲槽包圍全部第2有效區域。或者，亦可於全部第2有效區域中僅沿一組對向之兩邊形成第2犧牲槽。或者，亦可混合存在由矩形之第2犧牲槽所包圍之第2有效區域與僅沿一組對向之兩邊形成有第2犧牲槽之第2有效區域。
又，於本發明之複合體中，於設定有第2有效區域之情形時，較佳為與全部第2有效區域對應地形成第2犧牲槽。
然而，本發明之複合體於設定有第2有效區域之情形時，亦可完全不形成第2犧牲槽，或者亦可混合存在形成有第2犧牲槽之第2有效區域與未形成第2犧牲槽之第2有效區域。
進而，如圖5所示之例般，於即便使各第2犧牲槽延長，第2犧牲槽亦不會進入第2有效區域之情形時，亦可與犧牲槽16同樣地，使第2犧牲槽沿玻璃片12之整個區域延伸而形成。
即，第2犧牲槽亦可與犧牲槽16同樣地形成為格子狀。此時，1條第2犧牲槽與複數個第2有效區域對應。
如圖5所示，具有第2犧牲槽之複合體40亦可將第2玻璃片積層、接著於樹脂層14而製成本發明之積層體。
此時，通常於積層體之狀態下於玻璃片12之表面形成元件。其後，自複合體40(樹脂層14)將第2玻璃片剝離。於進行該剝離時，複 合體40係以樹脂層14為凸進行彎曲變形。然而，複合體40中樹脂層14具有特定之剛性及厚度，且以特定之接著力接著於玻璃片12，並且於有效區域之外側形成有犧牲槽16，因此即便於玻璃片12之端部或其附近產生裂紋並向內面方向擴展，亦可利用犧牲槽16抑制裂紋之擴展，從而可抑制裂紋到達有效區域。再者，關於該作用效果，圖4所示之積層體50亦同樣。
於自複合體40將第2玻璃片52剝離後，在切斷線(兩點鏈線)處切斷而製成各個電子裝置。此處，於成為各個電子裝置之狀態下，如上所述，該電子裝置之基板亦為本發明之複合體。因此，於使用電子裝置時等，即便以樹脂層14為凸進行彎曲變形而於玻璃片12之端部或其附近產生裂紋且裂紋向內面方向擴展，亦可於犧牲槽抑制裂紋之擴展，從而可抑制裂紋到達有效區域。
本發明之電子裝置係於此種本發明之複合體或積層體之玻璃片12形成元件而成者。
作為本發明之電子裝置，可例示LCD、OLED、PV、薄膜二次電池、電子紙等。
以下之電子裝置係以複合體10為例進行說明，但利用複合體40或積層體50亦同樣。
再者，於複合體40中，於各第2有效區域a~f形成有以下所示之元件。又，如上所述，關於複合體10及積層體50，亦通常將其作為母板並於有效區域內相互獨立地形成複數或單數個成為電子裝置之元件。
於以下之電子裝置中，各元件(構成元件之各層(各膜)等)利用公知之方法形成即可。
作為本發明之電子裝置之LCD(液晶顯示器)係具有TFT(Thin-Film Transistor，薄膜電晶體))基板、CF(Color Filter，彩色濾光片)基板及 液晶層等而構成。
TFT基板係於複合體10之玻璃片12圖案形成TFT元件(薄膜電晶體元件)等而成者。CF基板係於另一複合體10之玻璃片12圖案形成彩色濾光片元件而成者。液晶層形成於TFT基板與CF基板之間。
作為一例，作為本發明之電子裝置之OLED(有機EL面板)包含複合體10、透明電極、有機層、反射電極及密封板等。
於複合體10之玻璃片12形成透明電極，於其上形成有機層，並於其上形成反射電極而構成底部發光型之有機EL元件。有機層至少包含發光層，且視需要包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層。例如，有機層自陽極側依序包含電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、及電子注入層。再者，有機EL元件亦可為頂部發光型。
作為一例，作為本發明之電子裝置之PV(太陽電池)包含複合體10、透明電極、矽層、反射電極、及密封板等。
於複合體10之玻璃片12形成透明電極，於其上形成矽層，並於其上形成反射電極而構成矽型之太陽電池元件，且於反射電極上配置密封板。矽層例如自陽極側包含p層(摻雜成p型之層)、i層(光吸收層)、n層(摻雜成n型之層)等。
再者，PV亦可為化合物型、色素增感型、量子點型等。
作為一例，作為本發明之電子裝置之薄膜二次電池包含複合體10、透明電極、電解質層、集電層、密封層、及密封板等。
於複合體10之玻璃片12形成透明電極，於其上形成電解質層，於其上形成集電層，並於其上形成密封層而構成薄膜2次電池元件，且於密封層上配置密封板。
再者，該薄膜二次電池元件為鋰離子型，但亦可為鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等。
作為一例，作為本發明之電子裝置之電子紙包含複合體10、TFT層、包含電工程介質(例如微膠囊)之層、透明電極、及前表面板等。
於複合體10之玻璃片12形成TFT層，於其上形成包含電工程介質之層，並於其上形成透明電極而構成電子紙元件，且於透明電極上配置前表面板。
電子紙元件可為微膠囊型、面內(In plane)型、扭轉球型、粒子移動型、電子噴流型、聚合物網型之任一種。
以上，對本發明之複合體、積層體及電子裝置、與其製造方法詳細地進行了說明，但本發明並不限定於上述例，當然亦可於不脫離本發明之主旨之範圍內進行各種改良或變更。
實施例
以下，表示本發明之具體之實施例，並對本發明更詳細地進行說明。
[實施例1]
作為玻璃片，準備厚度100μm、150×100mm之無鹼玻璃板(旭硝子公司製造之AN100)。
首先，作為預處理，利用純水洗淨及UV(ultraviolet，紫外線)洗淨將玻璃片淨化後，為提高接著力，而藉由旋轉塗佈(以2000rpm進行10秒)塗佈將異丙醇作為溶劑之胺基丙基三甲氧基矽烷(KBM903)0.1重量%溶液，並於80℃下使其乾燥10分鐘，進行玻璃片之矽烷偶合劑處理。
於進行過預處理之玻璃片之一面的長邊之內側5mm之位置形成寬度1μm、深度10μm之與長邊平行之犧牲槽。再者，犧牲槽係藉由CO2雷射而形成。
另一方面，利用以下之方法製備塗佈用之聚醯胺酸溶液。
使對苯二胺(10.8g，0.1mol)溶解於N,N-二甲基乙醯胺(198.6g) 中，並於室溫下進行攪拌。向其中歷時1分鐘添加3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)(29.4g，0.1mol)，並於室溫下攪拌2小時，而獲得包含具有下述式(2-1)及/或式(2-2)所表示之重複單元之聚醯胺酸且固形物成分濃度為20質量%之聚醯胺酸溶液。
利用旋轉塗佈法(2000rpm)將該聚醯胺酸溶液塗佈於玻璃片之犧牲槽之形成面，而形成塗膜。其後，於60℃下並於大氣中加熱10分鐘，進而，於120℃下並於大氣中加熱10分鐘，藉此使塗膜乾燥，而於玻璃片之表面形成聚醯胺酸之膜。
進而，於350℃下並於大氣中加熱1小時，藉此使聚醯胺酸進行醯亞胺化，而製作於形成有犧牲槽之玻璃片之表面具有包含聚醯亞胺且厚度為25μm之樹脂層之複合體。
對於所製作之複合體，藉由萬能試驗機(島津製作所製造)測定樹脂層之接著力(180°剝離之剝離強度)。其結果，樹脂層之接著力為12N/25mm。
又，依據JIS K 7127(1999)測定樹脂層之楊氏模數(其法線方向之 距與玻璃片之界面之距離為0~0.5μm之區域之楊氏模數)。其結果，樹脂層14之楊氏模數為5GPa。再者，楊氏模數係將樹脂層自所製作之複合體剝離而測定。於不自複合體剝離樹脂層之情形時，利用氫氟酸使玻璃片溶解而獲得測定用之樹脂層。
利用砂紙對如上述般製作之複合體之端面進行研磨後，以樹脂層側為凸於犧牲槽之法線方向上使複合體進行2點彎曲直至於玻璃片之端部產生裂紋為止。
於產生裂紋後，對於向較犧牲槽更內側擴展5mm以上之裂紋進行確認。其結果，未確認到向較犧牲槽更內面側擴展5mm以上之裂紋(無破損)。
[實施例2]
將樹脂層變更為包含PES(聚醚磺酸)且厚度為20μm者，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造複合體。
包含PES之樹脂層之形成係如以下般進行。首先，使PES(住友化學公司製造，5003P)以20質量%溶解於N-甲基吡咯啶酮中，而製作PES溶液。藉由旋轉塗佈法(2000rpm)將該PES溶液塗佈於玻璃片而形成塗膜。其後，於130℃下並於大氣中加熱1小時，藉此使塗膜乾燥而形成PES之膜。再者，於本例中，未進行玻璃片之矽烷偶合劑處理。
於製作複合體之時間點，以與實施例1同樣之方式測定樹脂層之接著力及楊氏模數。其結果，接著力為5.4N/25mm，楊氏模數為2.4GPa。
以與實施例1同樣之方式使複合體進行2點彎曲，並確認裂紋，結果未確認到自犧牲槽擴展5mm以上之裂紋(無破損)。
[比較例1]
將聚醯胺酸溶液之固形物成分濃度設為10質量%，將樹脂層之厚度設為0.5μm，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造複合體。
於製作複合體之時間點，以與實施例1同樣之方式測定樹脂層之接著力及楊氏模數。其結果，接著力顯示10N/25mm以上，但由於樹脂層破裂，故而無法測定準確之值。又，楊氏模數為5GPa。
以與實施例1同樣之方式使複合體進行2點彎曲，並確認裂紋，結果確認到自犧牲槽擴展5mm以上之裂紋(有破損)。
[比較例2]
將樹脂層變更為包含聚矽氧樹脂且厚度16μm者，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造複合體。
包含聚矽氧樹脂之樹脂層之形成係如以下般進行。藉由旋轉塗佈法(2000rpm)將無溶劑加成反應型剝離紙用聚矽氧(Shin-Etsu Silicones公司製造之KNS-320A。為有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之混合物)100質量份與鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicones股份有限公司製造之CAT-PL-56)2質量份之混合物塗佈於玻璃片而形成塗膜。其後，於180℃下並於大氣中加熱30分鐘，藉此使塗膜乾燥而形成聚矽氧樹脂之膜。再者，於本例中，未進行玻璃片之矽烷偶合劑處理。
於製作複合體之時間點，以與實施例1同樣之方式測定樹脂層之接著力及楊氏模數。其結果，接著力為2.7N/25mm，楊氏模數為0.003GPa。
以與實施例1同樣之方式使複合體進行2點彎曲，並確認裂紋，結果確認到自犧牲槽擴展5mm以上之裂紋(有破損)。又，亦發生樹脂層之伸長。
[比較例3]
未進行玻璃片之矽烷偶合劑處理，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造複合體。
於製作複合體之時間點，以與實施例1同樣之方式測定樹脂層之接著力及楊氏模數。其結果，接著力為0.1N/25mm，楊氏模數為5 GPa。
以與實施例1同樣之方式使複合體進行2點彎曲，並確認裂紋，結果確認到自犧牲槽擴展5mm以上之裂紋(有破損)。又，亦發生樹脂層之隆起。
[比較例4]
以與實施例1同樣之方式使未形成樹脂層之玻璃片進行2點彎曲，並確認裂紋。
其結果，確認到自犧牲槽擴展5mm以上之裂紋(有破損)。又，亦發生玻璃碎片之飛散。
[比較例5]
未於玻璃片形成犧牲槽，除此以外，以與實施例1同樣之方式製造複合體。因此，樹脂層之接著力為12N/25mm，楊氏模數為5GPa。
以與實施例1同樣之方式使複合體進行2點彎曲，並確認裂紋，結果確認到自玻璃片之端部產生並擴展至另一端部之裂紋。
將以上之結果匯總示於下述之表中。
僅比較例5無犧牲槽
如上述實施例所示，根據具有犧牲槽，進而樹脂層之厚度為1~ 100μm，接著力(180°剝離之剝離強度)為1N/25mm以上，楊氏模數為100MPa以上之複合體，即便因2點彎曲而於玻璃片之端部產生裂紋，亦可利用犧牲槽抑制(切斷)該裂紋之擴展，因此可製造無向犧牲槽之內側擴展5mm以上之裂紋之高品質之複合體。
相對於此，於樹脂層較薄之比較例1、樹脂層之楊氏模數較低之比較例2、樹脂層之接著力較低之比較例3、及不具有樹脂層之比較例4中，因2點彎曲而產生之裂紋擴展，而產生向犧牲槽之內側為5mm以上之裂紋。又，於不具有犧牲槽之比較例5中，若產生裂紋，則裂紋之擴展不會停止而產生自玻璃片之一端部擴展至另一端部之裂紋。進而，於樹脂層較薄之比較例1中，樹脂層破裂，於樹脂層之楊氏模數較低之比較例2中，樹脂層伸長，於樹脂層之接著力較低之比較例3中，樹脂層隆起，於不具有樹脂層之比較例4中，玻璃之碎片飛散。
根據以上之結果而可知本發明之效果。
已詳細地且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但業者應明白可於不脫離本發明之精神與範圍之情況下施加各種變更或修正。
本申請案係基於在2014年5月14日提出申請之日本專利申請(日本專利特願2014-100711)者，其內容作為參照被引用至本文中。
[產業上之可利用性]
可較佳地利用於各種電子裝置之製造等。

Claims (10)

  1. 一種複合體，其特徵在於：其係包含玻璃片及接著於上述玻璃片之一面之樹脂層者；上述樹脂層之厚度為1~100μm，沿其法線方向距與上述玻璃片之界面為0~0.5μm之區域內之楊氏模數為100MPa以上，且相對於上述玻璃片之180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上；進而，上述玻璃片至少於與上述樹脂層之接著面具有沿上述玻璃片之端部延伸之犧牲槽。
  2. 如請求項1之複合體，其中上述玻璃片具有沿相同方向延伸之2條上述犧牲槽及上述2條犧牲槽之間之有效區域，進而具有上述有效區域之內側之第2有效區域、及上述有效區域之內側且上述第2有效區域之外側的沿上述第2有效區域之端部延伸之第2犧牲槽。
  3. 如請求項1之複合體，其具有未貫通上述玻璃片之槽作為上述犧牲槽。
  4. 如請求項2之複合體，其具有未貫通上述玻璃片之槽作為上述犧牲槽。
  5. 如請求項1至4中任一項之複合體，其具有貫通上述玻璃片之貫通槽作為上述犧牲槽。
  6. 一種積層體，其係將第2玻璃片接著於如請求項1至5中任一項之複合體之樹脂層而成。
  7. 一種電子裝置，其係於如請求項1至5中任一項之複合體之玻璃片或如請求項6之積層體之玻璃片之表面具有元件。
  8. 一種複合體之製造方法，其特徵在於：形成沿玻璃片之端部延伸之犧牲槽，且於上述玻璃片之形成有犧牲槽之面，以180°剝離之剝離強度為1N/25mm以上之接著力形成厚度為1~100μm之樹脂層，且該樹脂層之法線方向之距與上述玻璃片之界面之距離為0~0.5μm之區域之楊氏模數為100MPa以上。
  9. 一種積層體之製造方法，其係將第2玻璃片積層並接著於利用如請求項8之製造方法而獲得之複合體之樹脂層。
  10. 一種電子裝置之製造方法，其係於利用如請求項8之製造方法而獲得之複合體之玻璃片或利用如請求項9之製造方法而獲得之積層體之玻璃片上形成元件。
TW104115424A 2014-05-14 2015-05-14 複合體、積層體及電子裝置、與其等之製造方法 TWI663051B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-100711 2014-05-14
JP2014100711 2014-05-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201601901A TW201601901A (zh) 2016-01-16
TWI663051B true TWI663051B (zh) 2019-06-21

Family

ID=54479760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104115424A TWI663051B (zh) 2014-05-14 2015-05-14 複合體、積層體及電子裝置、與其等之製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6515925B2 (zh)
KR (1) KR20170008743A (zh)
CN (1) CN106457776B (zh)
TW (1) TWI663051B (zh)
WO (1) WO2015174216A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI591040B (zh) 2012-10-22 2017-07-11 康寧公司 玻璃纖維網和拼接的方法
JP6218038B2 (ja) * 2014-05-26 2017-10-25 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムを含む積層体、ガラスフィルムを含む積層体の製造方法、及びガラス物品の製造方法
JP6597361B2 (ja) * 2016-02-12 2019-10-30 三菱ケミカル株式会社 電子デバイス用基板の製造方法
KR102247127B1 (ko) 2016-10-26 2021-04-30 닛토덴코 가부시키가이샤 수지 필름이 부착된 유리 롤
CN109922954B (zh) 2016-10-26 2022-02-22 日东电工株式会社 玻璃膜-树脂复合体
CN108268096A (zh) * 2018-03-28 2018-07-10 广东欧珀移动通信有限公司 电子设备及其显示屏组件
JP6958476B2 (ja) * 2018-05-11 2021-11-02 日本電気硝子株式会社 ガラス積層体の製造方法及び電子デバイスの製造方法
KR102140979B1 (ko) * 2018-09-20 2020-08-05 (주)유티아이 직각 형상 가공을 위한 개선된 slp 및 이에 의해 제조된 직각 형상 가공을 위한 셀컷팅된 쉬트글라스
WO2020112467A1 (en) * 2018-11-30 2020-06-04 Corning Incorporated Thin multilayer laminate
FR3106297B1 (fr) * 2020-01-16 2022-01-21 Saint Gobain Vitrage feuilleté pour un véhicule automobile, notamment un vitrage latéral pour une portière de véhicule
JP2023025534A (ja) * 2021-08-10 2023-02-22 日東電工株式会社 個片化されたガラス部材付積層体の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101486202A (zh) * 2008-01-15 2009-07-22 三星钻石工业股份有限公司 层叠体的切断方法及在该方法中采用的切刀
CN103509479A (zh) * 2012-06-28 2014-01-15 古河电气工业株式会社 晶片加工用胶带
WO2014030521A1 (ja) * 2012-08-21 2014-02-27 旭硝子株式会社 複合シートの切断方法、ガラスシートの切断方法、複合シートの切断片

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5816857Y2 (ja) * 1978-02-14 1983-04-05 日本板硝子株式会社 透明複合板
US4774143A (en) * 1985-12-31 1988-09-27 General Electric Company Impact resistant glass
JPS6370332U (zh) * 1986-10-27 1988-05-11
DE69831325T2 (de) * 1998-07-15 2006-06-14 Agfa Gevaert Nv Verbundscheibe mit einer Risse enthaltenden Glasscheibe
JP5064711B2 (ja) * 2006-04-07 2012-10-31 Ａｇｃテクノグラス株式会社 ガラス基板の切断方法及び光学フィルタ
JP4918064B2 (ja) * 2008-05-23 2012-04-18 三星ダイヤモンド工業株式会社 積層体の切断方法
TWI626223B (zh) * 2010-11-30 2018-06-11 康寧公司 玻璃帶以及將第一玻璃帶部分接合至第二部件之方法
TWI547369B (zh) * 2011-05-27 2016-09-01 康寧公司 玻璃塑膠積層之裝置、處理線、及方法
JP5944155B2 (ja) * 2011-12-12 2016-07-05 日東電工株式会社 積層シート、及び、積層シートを用いた半導体装置の製造方法
JP6019999B2 (ja) * 2012-09-26 2016-11-02 三星ダイヤモンド工業株式会社 積層セラミックス基板の分断方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101486202A (zh) * 2008-01-15 2009-07-22 三星钻石工业股份有限公司 层叠体的切断方法及在该方法中采用的切刀
CN103509479A (zh) * 2012-06-28 2014-01-15 古河电气工业株式会社 晶片加工用胶带
WO2014030521A1 (ja) * 2012-08-21 2014-02-27 旭硝子株式会社 複合シートの切断方法、ガラスシートの切断方法、複合シートの切断片

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170008743A (ko) 2017-01-24
TW201601901A (zh) 2016-01-16
JP6515925B2 (ja) 2019-05-22
WO2015174216A1 (ja) 2015-11-19
CN106457776A (zh) 2017-02-22
CN106457776B (zh) 2018-09-28
JPWO2015174216A1 (ja) 2017-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI663051B (zh) 複合體、積層體及電子裝置、與其等之製造方法
TWI648234B (zh) 複合體之製造方法及積層體之製造方法
TWI586527B (zh) Glass laminate and manufacturing method of electronic device
CN105143848B (zh) 片状件的制造方法、脆性片、带元件的脆性片以及电子器件
TWI765904B (zh) 積層體、電子裝置之製造方法、積層體之製造方法
JP2016035832A (ja) 電子デバイスの製造方法、ガラス積層体の製造方法
JPWO2014119648A1 (ja) 積層体、積層体の製造方法、およびフレキシブル電子デバイスの製造方法
KR102475698B1 (ko) 적층 기판 및 전자 디바이스의 제조 방법
TWI695820B (zh) 載體基板、積層體、電子裝置之製造方法
KR20230044023A (ko) 유리 적층체, 전자 디바이스의 제조 방법, 유리 적층체의 제조 방법, 유리판 곤포체
TWI635582B (zh) 可撓性電子元件之製造方法
WO2019059319A1 (ja) 樹脂基板積層体及び電子デバイスの製造方法
TW201528481A (zh) 電子裝置之製造方法
JP6614551B2 (ja) 電子素子の中間材の製造方法、電子素子の製造方法および電子素子の中間材
JP2020199767A (ja) 積層基板、電子デバイスの製造方法、および積層基板の製造方法
JPWO2012176608A1 (ja) 積層体の製造方法
CN103864294B (zh) 层叠板的加工方法、加工后的层叠板
JP2014205327A (ja) 複合シート、および電子デバイス
JP2019006635A (ja) 機能膜付き基板の製造方法
JP2013116558A (ja) 軟化剤が付着したポリエチレンナフタレートフィルム、軟化処理されたポリエチレンナフタレートフィルム、金属箔付き絶縁フィルム、金属箔付き絶縁フィルムの製造方法、積層構造体の製造方法及び積層構造体
JP2012151170A (ja) 太陽電池モジュール用バックシート素材の製造方法
JP2018099801A (ja) 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法