TWI656657B - 太陽能電池模組中之太陽能電池之互連 - Google Patents

太陽能電池模組中之太陽能電池之互連 Download PDF

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Abstract

太陽能電池模組包含串聯連接的太陽能電池。太陽能電池包含附接到太陽能電池背面的載體。太陽能電池附接到頂蓋上,而貫孔係通過太陽能電池的載體而形成。太陽能電池藉由貫孔中的金屬連接件電連接到太陽能電池模組中相鄰的太陽能電池。

Description

太陽能電池模組中之太陽能電池之互連
本文中所描述的專利標的之實施例一般係關於太陽能電池及太陽能電池模組。
太陽能電池為習知用於將太陽輻射轉換為電能的裝置。太陽能電池具有於正常操作期間面向太陽以收集太陽輻射的正面及背向正面的背面。衝射於太陽能電池上的太陽輻射產生可以被利用來供電外部電路如負載的電荷。太陽能電池可以電連接以形成太陽能電池陣列。太陽能電池陣列可以被封裝以形成太陽能電池模組,其隨後可連同其他的太陽能電池模組於野外佈署。
於一個實施例中,太陽能電池模組包含串聯連接的太陽能電池。太陽能電池包含附接到太陽能電池背面的載體。太陽能電池附接到透明頂蓋上,而貫孔係形成通過太陽能電池的載體。貫孔填充有將太陽能電池電連接到太陽能電池模組中相鄰的太陽能電池的金屬連接件。
本發明的一態樣揭露了一種製造太陽能電池模組之方法,此方法包括:附接第一載體到第一太陽能電池上;附接第二載體到第二太陽能電池上;附接具有第一載體的第一太陽能電池及具有第二載體的第二太陽能電池到太陽能電池模組的頂蓋上;形成通過第一載體的第一組貫孔及形成通過第二載體的第二組貫孔;以及通過第一組貫孔及第二組貫孔連接第一太陽能電池到第二太陽能電池。
本發明的另一態樣揭露了一種太陽能電池模組。所揭露之太陽能電池模組包含耦接到具有第一組貫孔的第一載體的第一太陽能電池;耦接到具有第二組貫孔的第二載體的第二太陽能電池,其中第一太陽能電池及第二太陽能電池係藉由通過第一組貫孔電連接到第一太陽能電池的金屬墊並通過第二組貫孔電連接到第二太陽能電池的金屬墊的金屬連接件所串聯連接;以及透明頂蓋。第一太陽能電池及第二太陽能電池係附接到透明頂蓋上。
本發明的再一態樣揭露了一種製造太陽能電池之方法,此方法包括:層疊第一太陽能電池及第二太陽能電池到太陽能電池模組的玻璃蓋上;於層疊第一太陽能電池及第二太陽能電池到玻璃蓋上之後,形成通過第一太陽能電池的第一載體的第一貫孔及通過第二太陽能電池的第二載體的第二貫孔;以及放置導電材料於第一貫孔及第二貫孔中,以通過第一貫孔及第二貫孔將第一太陽能電池的金屬墊電連接到第二太陽能電池的金屬墊。
藉由閱覽包含附圖及申請專利範圍的本公開內容的整體,對於所屬技術領域具有通常知識者來說,本公開內容的這些及其他特徵將會是顯而易見的。
101‧‧‧處理晶片
102‧‧‧犧牲層
103‧‧‧磊晶矽層
104‧‧‧介電層
105‧‧‧金屬接觸件
106‧‧‧接合劑
107‧‧‧載體
108‧‧‧紋理正面表面
112‧‧‧背面
113‧‧‧正面
200‧‧‧太陽能電池
201‧‧‧裝置部分
203-1、203-2‧‧‧金屬墊
301‧‧‧透明頂蓋
302‧‧‧封裝材料
303‧‧‧貫孔
304‧‧‧金屬連接件
306‧‧‧後蓋
401、402、403、404、405‧‧‧步驟
P‧‧‧P型摻雜區
N‧‧‧N型摻雜區
藉由在考量配合以下圖式下參照詳細的描述及申請專利範圍可以得到對本專利標的更完整的理解,其中於所有圖式中類似的參考符號表示類似的元件。圖式並非按比例繪製。
第1圖至第5圖是表示根據本公開內容的實施例示意性地說明太陽能電池的製造的橫截面。
第6圖至第9圖是表示根據本公開內容的實施例示意性地說明太陽能電池模組的製造的橫截面。
第10圖及第11圖是表示根據本公開內容的實施例所製造的太陽能電池模組中的太陽能電池的平面圖。
第12圖是表示根據本公開內容的實施例的製造太陽能電池模組的方法的流程圖。
以下詳細描述於本質上僅僅是說明性的,且並不旨在限制本專利標的的實施例或此類實施例的應用及用途。如本文中所用,字詞「例示性」意味著「用作示例、實例,或說明」。本文中被描述為例示性的所有實施例不需要被詮釋為優於或勝過其他實施例。此外,並非旨在受過去的技術領域、背景技術、發明內容或以下的詳細描述中所展示的任何明示或暗示的理論所約束。
本說明書包括對「一個實施例(one embodiment)」或「一 個實施例(an embodiment)」的引用。片語的表示「於一個實施例中(in one embodiment)」或「於一個實施例中(in an embodiment)」不一定表示同一實施例。特定的特性、結構或特徵可以任何與本公開內容一致的合適方式結合。
「第一」、「第二」等。如於本文中所用,這些用語用作其前綴之名詞標記,而並不意味著任何類型的排序(例如,空間上、時間上、邏輯上等)。例如,引用「第一」貫孔並不一定意味著這個貫孔為序列中的第一個貫孔;而是用語「第一」用於從另一個貫孔(例如,「第二」貫孔)區分出這個貫孔。
「基於」。如於本文中所用,此用語用於描述一個或多個影響決定的因素。此用語並不排除可能影響決定的額外因素。也就是說,決定可以僅基於那些因素或至少部分地基於那些因素。考量片語「基於B決定A」。當B可能是影響決定A的因素時,此片語並不排除亦從基於C來決定A。於其他情況下,A可以僅基於B而決定。
「耦接」-以下的描述表示元件或節點或特徵被「耦接」在一起。如於本文中所用,除非明確地另外陳述,否則「耦接」是指一個元件/節點/特徵係直接地或間接地連接到(或者直接地或間接地通訊於)另一個元件/節點/特徵,並且不一定為機械連接。
第1圖至第5圖是表示根據本公開內容的實施例示意性地說明太陽能電池的製造的橫截面圖。於第1圖至第5圖的示例中,所製造的太陽能電池為薄磊晶矽全背接觸式太陽能電池,其中太陽能電池的所有P型及N型摻雜區及電連接到P型及N型摻雜區的金屬接觸件位於太陽能電池的背面上。所製造的太陽能電 池的基板為磊晶矽層(epitaxial silicon layer),而非矽晶片(silicon wafer)。太陽能電池具有複數個P型及N型摻雜區,但是只有部分P型及N型摻雜區被展示於以下的示例中。為了說明的清晰度,附加的P型及N型摻雜區及太陽能電池的其它特徵不會被展示。
首先參照於第1圖,犧牲層102形成於處理晶片101的背面表面上。處理晶片101可以包括純矽的、摻雜的或化合物的矽晶片。處理晶片101於處理太陽能電池背面上的裝置元件,如P型及N型摻雜區以及P型及N型摻雜區的金屬接觸件的期間輔助了太陽能電池的處理。處理晶片101不是太陽能電池的基板並且於隨後的釋除過程(release process)中從太陽能電池分離。
犧牲層102可以包含藉由以偏壓(bias)於氫氟酸浴中曝露處理晶片101的背面表面所形成的多孔矽。犧牲層102也可以包含具有,例如,鍺摻雜及/或碳摻雜的矽,其中任何一個都可以由磊晶沉積法或化學氣相沉積(CVD)處理所形成。犧牲層102係相對地薄,例如,於大約700微米的量級,以促進處理晶片101隨後從所製造的太陽能電池中釋除。如同所可以理解的,犧牲層102的厚度及成分可以基於太陽能電池的製造過程的細節而改變。例如,於一些實施例中犧牲層102可以薄至10微米。
磊晶矽層103可以藉由無斷口磊晶生長過程(kerfless epitaxial growth process)直接地生長於犧牲層102的背面表面上。磊晶矽層103也被稱為「薄矽膜」,其中相較於矽晶片係相對地薄。例如,磊晶矽層103可以生長至20μm至150μm的厚度(例如,50μm)。
第2圖表示P型及N型摻雜區(標記為「P」及「N」)形 成於所製造的太陽能電池的背面(參見箭頭112)上。背面係背對正面(參見箭頭113)。太陽能電池的正面也被稱為「太陽面」,其中其於正常操作期間朝向太陽以收集太陽輻射。
P型及N型摻雜區可以形成於磊晶矽層103中或外部。例如,P型及N型摻雜區可以藉由擴散P型及N型摻雜劑於磊晶矽層103中而形成。作為另一個例子,P型及N型摻雜區可以形成於形成於磊晶矽層103的背面表面上的多晶矽層中。P型及N型摻雜劑接著擴散到多晶矽中以形成P型及N型摻雜區。多晶矽也可以預先摻有P型及N型摻雜劑。
一層或多層介電層104可以形成於P型及N型摻雜區上。例如,用作背面抗反射塗層的介電層104(例如,氮化矽)可以形成於P型及N型摻雜區上。暴露P型及N型摻雜區的接觸孔係通過介電層104而形成。金屬接觸件105形成於接觸孔中以電連接到對應的P型及N型摻雜區上。金屬墊(例如,參見第6圖至第11圖,金屬墊203-1及203-2),或其它連接複數個金屬接觸件的節點,可以於形成金屬接觸件105的金屬化過程期間形成。金屬接觸件105可以藉由電鍍法、濺射法、印製法或其它金屬化過程而形成。處理晶片101於P型及N型摻雜區、介電層104及金屬接觸件105的形成期間輔助所製造的太陽能電池的處理。
第3圖表示附接於太陽能電池的背面上的載體107。於第3圖的示例中,接合劑106被施加於太陽能電池的背面上、於介電層104上以及於金屬接觸件105上。載體107接著頂住接合劑106擠壓,從而將載體107接合到太陽能電池的背面上。載體107可以包含具有足夠剛性的結構,且於一些實施例中為具有足夠平坦度,以於後續的釋除過程期間支撐太陽能電池。載體107 可以包含光學透明介電材料以容許於雷射過程中對準(例如,自動光學檢測(AOI)對準)以形成通過載體107的貫孔。例如,載體107可以包含大約1μm到250μm厚度的聚亞醯胺。載體107也可以包含有機材料(例如,聚對苯二甲酸乙二酯)、具有樹脂及纖維的複合材料、無機材料(例如,碳化矽)等。於載體107包含不透明材料的實施例中,對位標記可以形成於載體107上以用於對準。對準可以藉由對準載體107或磊晶矽層103的邊緣而進行。載體107可具有稍微寬於太陽能電池的裝置部分的面積的面積(例如,參見第6圖)。就是說,載體107可以具有延伸超過太陽能電池之裝置部分的周長的面積。應當注意的是,有別於層間介電層,載體107不具有金屬觸指(metal fingers)於其頂部上。如第3圖中所示,可以包含太陽能電池的金屬觸指的金屬接觸件105,係位於載體107與摻雜區之間。
第4圖表示從所製造的太陽能電池的剩餘部分中所釋除的處理晶片101。於第4圖的例子中,機械或電化學的釋除過程分解犧牲層102以從磊晶矽層103中分離出處理晶片101。釋除過程可以部分地全面破壞犧牲層102以從磊晶矽層103中釋除處理晶片101。例如,釋除過程可以為選擇性蝕刻過程,包括濕蝕刻過程。載體107有利地容許釋除過程期間太陽能電池的處理並保護包含金屬接觸件105的太陽能電池背面。接合劑106於釋除過程及其他後續過程期間,包括太陽能電池正面的紋理化過程期間,也對金屬接觸件105提供額外的保護。
於釋除過程之後,犧牲層102的部份可以保留於磊晶矽層103的表面及/或處理晶片101的表面上。保留於處理晶片101上的犧牲層102可以被再次使用以發展另一個太陽能電池的另一 層磊晶矽層。於這種情況下,犧牲層102的表面可以於再次使用之前清洗或清潔。犧牲層102也可以被完全地溶解,需要於處理晶片101上形成新的犧牲層以再次使用。
第5圖表示將太陽能電池的正面表面紋理化以形成紋理正面表面108。於犧牲層102並沒有從磊晶矽層103中被完全移除的情況下,紋理化過程可以於磊晶矽層103的表面上或於犧牲層102的表面上形成隨機錐體(pyramids)。紋理化過程可以包括濕的或乾的蝕刻過程,包括緩衝氧化物蝕刻(BOE)以產生紋理正面表面108。例如,可以使用於紋理化過程的一種蝕刻劑為氫氧化鉀。紋理正面表面108可以具有規則的、重複的圖案,如三角形或矩形錐體,或可以具有隨機地決定的圖案。
載體107於紋理化過程及包括於正面上形成鈍化區的其他正面處理過程期間有利地保護太陽能電池的背面(其包含金屬接觸件105)。於一些實施例中,紋理化過程可以於低於400℃的溫度下進行。一般來說,紋理化過程於與載體107的材料相容的溫度下進行。例如,具有包含聚亞醯胺的載體107,紋理化過程可以於小於或等於大約200℃的溫度下進行。
於第5圖中,所製造的太陽能電池,現在被稱為「太陽能電池200」,包含裝置部分201及載體107。裝置部分201包含太陽能電池200的主要電元件,包括磊晶矽層103、P型及N型摻雜區及金屬接觸件105。載體107保留於太陽能電池200的背面上,接合到裝置部分201的背面表面。第5圖示意性地表示了太陽能電池製造過程結束時的太陽能電池200,其也被稱為「格級(cell level)」製造。
雖然其本身為可以使用的,然而太陽能電池通常與其他太陽能電池封裝為太陽能電池模組。於「模組層級」的製造中,太陽能電池串聯連接到其他太陽能電池且封裝於保護封裝中以從環境條件中保護太陽能電池。關於薄磊晶矽太陽能電池的一個問題是,其相對地難以處理,特別是於金屬化過程期間要與太陽能電池電連接在一起。如以下將更加顯而易見的是,載體107不但於格級製造期間保護並輔助太陽能電池的處理,而且也於模組層級上輔助太陽能電池及太陽能電池與其他太陽能電池的電連接的處理。此外,載體107並不一定要從裝置部分201中移除,以有利地省去剝離步驟。
第6圖至第9圖是表示根據本公開內容的實施例示意性地說明太陽能電池模組的製造的橫截面圖。
參照第6圖,封裝材料302放置於所製造的太陽能電池模組的透明頂蓋301上。於一個實施例中,透明頂蓋301包含玻璃。複數個太陽能電池200放置於封裝材料302上,以太陽能電池200的正面與封裝材料302接觸。太陽能電池200藉由,例如,層疊太陽能電池200、封裝材料302,及透明頂蓋301在一起而以封裝材料302及透明頂蓋301封裝。當於野外佈署時,太陽能電池模組被定向使得透明頂蓋301面向太陽以容許太陽輻射到達太陽能電池200的正面上。
如之前所討論的每個太陽能電池200包含具有附接的載體107的裝置部分201。為了說明清楚起見,裝置部分201的P型及N型摻雜區及其他之前所討論的特徵並不會於第6圖至第9圖中表示。太陽能電池模組通常具有複數個太陽能電池,但為了說明清楚起見,只有兩個表示於第6圖至第9圖中。
第6圖也示意性地表示每個太陽能電池200的金屬墊(也就是,203-1、203-2)。金屬墊提供了提供公用連接節點給太陽能電池200的複數個摻雜區的相對大面積。於一個實施例中,太陽能電池200的P型摻雜區電連接到金屬墊203-1而太陽能電池200的N型摻雜區電連接到金屬墊203-2。將太陽能電池200的金屬墊203-2電連接到另一個太陽能電池200的金屬墊203-1,從而將兩個太陽能電池200串聯連接在一起。
第7圖表示通過載體107所形成的貫孔303。貫孔303暴露金屬墊,從而容許電連接到金屬墊及太陽能電池200的對應摻雜區。於一個實施例中,貫孔303藉由雷射過程而形成。更具體地說,雷射光束可以衝射於載體107上以形成貫孔303。光學透明載體107藉由所採用的雷射系統輔助金屬墊的定位(例如,藉由AOI對準)以形成貫孔303。金屬墊可以於貫孔303的形成期間作用為雷射止動件,從而有利地防止對底層結構的雷射損壞。
第10圖示意性地表示於形成通過載體107的貫孔303的雷射過程之後的太陽能電池200的平面圖。如第10圖所示,貫孔303可以通過載體107形成於對應的金屬墊上。於第10圖的示例中,每個太陽能電池200具有六個貫孔303,每個金屬墊各具有一個。如可以理解的是,貫孔及金屬墊的數目可以基於太陽能電池的細節而改變。
如可以理解的是,替代於模組層級上形成貫孔303,貫孔303可以於格級中併入載體107。也就是說,被放置於透明頂蓋301上之前,載體107可以已經具有貫孔303。例如,當形成於太陽能電池200的背面上時,載體107可以包含貫孔303。更具體地說,載體107可以印製(例如,藉由網印)於太陽能電池200 的背面上以包含貫孔303。於那個例子中,載體107可以包含可印製的有機物,例如聚亞醯胺。於具有貫孔303的載體107印製於太陽能電池200的背面上之後,太陽能電池200放置於封裝材料302上。
繼續於第8圖中,金屬連接件304形成以通過貫孔303將一個太陽能電池200電連接到相鄰的太陽能電池200。於第8圖的示例中,金屬連接件304填充第一太陽能電池200的第一載體107的貫孔303及第二太陽能電池200的第二載體107的貫孔303。金屬連接件304延伸於第一及第二載體107的貫孔303之間,以將第一太陽能電池200的金屬墊203-2電連接到第二太陽能電池200的金屬墊203-1。金屬連接件304因此將第一太陽能電池200的N型摻雜區電連接到第二太陽能電池200的P型摻雜區以串聯電連接第一及第二太陽能電池200。
於一個實施例中,金屬連接件304可以藉由利用導電性糊劑(例如,銀糊劑)填充貫孔303而形成。導電性糊劑可以施加於載體107上以填充並連接相鄰的太陽能電池200的貫孔303以於同一步驟中形成金屬連接件304。例如,導電性糊劑可以印製(例如,藉由網印)於貫孔303中及太陽能電池200之間以形成金屬連接件304。可選地,金屬連接件304也可以包含施加及擠壓於貫孔303中及相鄰的太陽能電池200之間的導電膠帶。於另一個實施例中,貫孔303於第一步驟中及於第二步驟中藉由導電性糊劑或其他金屬所填充,導電膠帶或金屬內連接係電連接到已填充的貫孔303,以於相鄰的太陽能電池200之間形成金屬連接件304。第11圖示意性地表示於金屬連接件304的形成之後的太陽能電池200的平面圖。
繼續於第9圖中,後蓋306附接於太陽能電池200的背面上。後蓋306可以包含卷帶或塑料板,於其他例子中,為太陽能電池模組提供了底部的保護。
第12圖表示根據本公開內容的實施例製造太陽能電池模組的方法的流程圖。於一些實施例中,第12圖的方法可以比所說明的包括額外或更少的步驟塊。
於第12圖的例子中,第一載體附接到第一太陽能電池而第二載體附接到第二太陽能電池(步驟401)。第一及第二載體可以包含透明介電材料。第一載體可以附接到第一太陽能電池的背面上,而第二載體可以附接到第二太陽能電池的背面上。之後,第一及第二太陽能電池於其各自的載體就位下附接到太陽能電池模組的透明頂蓋(步驟402)。例如,第一及第二太陽能電池的正面可以放置於密封材料上,繼而放置於透明頂蓋上。例如,第一及第二太陽能電池、封裝材料及透明頂蓋藉由層疊被隨之封裝在一起。
第一組貫孔可以通過第一載體而形成而第二組貫孔可以通過第二載體而形成(步驟403)。於第一及第二太陽能電池附接到太陽能電池模組的透明頂蓋之後,第一組及第二組貫孔可以分別地通過第一及第二載體而形成。於第一及第二太陽能電池附接到透明頂蓋之前,第一組及第二組貫孔也可以於其各自的載體形成。每個貫孔都可以暴露對應的太陽能電池的底層金屬墊。
第一太陽能電池通過第一及第二組貫孔串聯連接到第二太陽能電池(步驟404)。例如,每個貫孔可以導電材料填充,且相鄰的太陽能電池的已填充的貫孔可以電連接。太陽能電池模組的 後面可以隨後由附接於太陽能電池背面的後蓋所覆蓋(步驟405)。
雖然具體實施例已經於上文描述,然而即便相對於特定特徵只有單一實施例作描述,這些實施例係並非旨在限制本公開內容的範圍。除非另有陳述,否則於本公開內容中所提供的特徵的示例旨在為說明性而非限制性的。所屬技術領域中具有通常知識者將顯而易知的是在具有此公開內容之優點下,以上的描述旨在涵蓋這類的替代方案、修改以及等效物。
本公開內容的範圍包括於本文中所公開的任何特徵或特徵的組合(無論顯式或隱式),或者任何其概括,不論其是否緩和本文中所解決的任何或所有問題。因此,於申請期間(或主張優先權的申請期間),對於任何此種特徵的組合皆可以制定新的申請專利範圍。特別是,參照所附的申請專利範圍,來自附屬項的特徵可以與獨立項的特徵結合,並且來自各個獨立項的特徵可以以任何合適的方式結合而不僅僅是以所附的申請專利範圍中所列舉的特定組合方式結合。

Claims (16)

  1. 一種製造太陽能電池模組之方法,該方法包括:附接一第一載體到一第一太陽能電池上;附接一第二載體到一第二太陽能電池上;附接具有該第一載體的該第一太陽能電池及具有該第二載體的該第二太陽能電池到一太陽能電池模組的一頂蓋上;形成通過該第一載體的一第一組貫孔及形成通過該第二載體的一第二組貫孔;以及通過該第一組貫孔及該第二組貫孔連接該第一太陽能電池到該第二太陽能電池;其中,通過該第一組貫孔及該第二組貫孔連接該第一太陽能電池包括形成一金屬連接件於該第一組貫孔中的一第一貫孔與該第二組貫孔中的一第二貫孔之間;其中,形成該金屬連接件於該第一組貫孔中的該第一貫孔與該第二組貫孔中的該第二貫孔之間包括將一導電性糊劑放置於該第一組貫孔及該第二組貫孔中。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中形成該金屬連接件於該第一組貫孔中的該第一貫孔與該第二組貫孔中的該第二貫孔之間包括使用一導電膠帶於該第一組貫孔及該第二組貫孔。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中附接具有該第一載體的該第一太陽能電池及具有該第二載體的該第二太陽能電池到該太陽能電池模組的該頂蓋上包括附接該第一太陽能電池及該第二太陽能電池到該太陽能電池模組透明的該頂蓋上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其進一步包括:於附接該第一載體到該第一太陽能電池之後,且於附接該第一太陽能電池到透明之該頂蓋之前,將該太陽能電池的一正面表面紋理化。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中附接具有該第一載體的該第一太陽能電池及具有該第二載體的該第二太陽能電池到該太陽能電池模組的該頂蓋上包括放置該第一太陽能電池及該第二太陽能電池於位於該頂蓋上的一封裝材料上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法,其進一步包括層疊該第一太陽能電池及該第二太陽能電池、該封裝材料及該頂蓋。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中形成通過該第一載體的該第一組貫孔包括:引導一雷射於該第一載體上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其進一步包括:於附接該第一載體到該第一太陽能電池上之前,施加一接合劑於該第一太陽能電池的一背面表面上;其中附接該第一載體到該第一太陽能電池上包括接合該第一載體到該第一太陽能電池的該背面表面上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中形成通過該第一載體的該第一組貫孔及形成通過該第二載體的該第二組貫孔係於附接該第一太陽能電池及該第二太陽能電池到該太陽能電池模組的該頂蓋上之後進行。
  10. 一種太陽能電池模組,其包含:一第一太陽能電池,耦接到具有一第一組貫孔的一第一載體;一第二太陽能電池,耦接到具有一第二組貫孔的一第二載體,該第一太陽能電池及該第二太陽能電池係藉由通過該第一組貫孔電連接到該第一太陽能電池的一金屬墊並通過該第二組貫孔電連接到該第二太陽能電池的一金屬墊的一金屬連接件所串聯連接,其中該金屬連接件係由一導電性糊劑放置於該第一組貫孔及該第二組貫孔而形成;以及一透明頂蓋,其中該第一太陽能電池及該第二太陽能電池係附接到該透明頂蓋上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池模組,其中該金屬連接件進一步藉由施加一導電膠帶至該第一組貫孔及該第二組貫孔形成。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之太陽能電池模組,其進一步包含:一後蓋,設置於該太陽能電池模組的背面上。
  13. 一種製造太陽能電池之方法,該方法包括:層疊一第一太陽能電池及一第二太陽能電池到一太陽能電池模組的一玻璃蓋上;於層疊該第一太陽能電池及該第二太陽能電池到該玻璃蓋上之後,形成通過該第一太陽能電池的一第一載體的一第一貫孔及通過該第二太陽能電池的一第二載體的一第二貫孔;以及放置一導電材料於該第一貫孔及該第二貫孔中,以通過該第一貫孔及該第二貫孔將該第一太陽能電池的一金屬墊電連接到該第二太陽能電池的一金屬墊;其中放置該導電材料於該第一貫孔及該第二貫孔中包括放置一導電性糊劑於該第一貫孔及該第二貫孔中以形成一金屬連接件。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法,其中形成通過該第一太陽能電池的該第一載體的該第一貫孔包括以一雷射光束衝射於該第一載體上。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法,其進一步包括:於層疊該第一太陽能電池及該第二太陽能電池到該太陽能電池模組的該玻璃蓋上之前,施加一接合劑於該第一太陽能電池的一背面表面上;以及接合該第一載體到該第一太陽能電池的該背面表面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法,其進一步包括:從該第一太陽能電池的一正面表面移除一處理晶片;以及當該第一載體接合到該第一太陽能電池的該背面表面上時,將該第一太陽能電池的該正面表面紋理化。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI649893B (zh) * 2016-08-17 2019-02-01 位元奈米科技股份有限公司 光伏電池光電轉換複合層結構製作方法
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110048506A1 (en) * 2004-03-25 2011-03-03 Karl Pichler Manufacturing of optoelectronic devices
US20110139241A1 (en) * 2008-07-17 2011-06-16 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Solar cell and method for producing a solar cell
US20120298175A1 (en) * 2010-01-06 2012-11-29 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Solar panel module and method for manufacturing such a solar panel module
US20130160812A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 E I Du Pont De Nemours And Company Back contact photovoltaic module with integrated glass back-sheet

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3191972B2 (ja) * 1992-01-31 2001-07-23 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法及び半導体基板
JP3242452B2 (ja) * 1992-06-19 2001-12-25 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
JPH08298334A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池板
RU2190901C2 (ru) * 1996-09-26 2002-10-10 Акцо Нобель Н.В. Способ производства фотоэлектрической фольги и фольга, полученная этим способом
US6548382B1 (en) 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
NL1013900C2 (nl) * 1999-12-21 2001-06-25 Akzo Nobel Nv Werkwijze voor de vervaardiging van een zonnecelfolie met in serie geschakelde zonnecellen.
WO2003001602A2 (en) * 2001-06-21 2003-01-03 Akzo Nobel N.V. Manufacturing a solar cell foil connected in series via a temporary substrate
US8067687B2 (en) * 2002-05-21 2011-11-29 Alliance For Sustainable Energy, Llc High-efficiency, monolithic, multi-bandgap, tandem photovoltaic energy converters
US8101851B2 (en) * 2003-07-22 2012-01-24 Akzo Nobel N.V. Process for manufacturing a solar cell foil using a temporary substrate
US20050252544A1 (en) 2004-05-11 2005-11-17 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
CN106409970A (zh) 2005-12-21 2017-02-15 太阳能公司 背面触点太阳能电池及制造方法
US8933328B2 (en) 2006-07-06 2015-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Dye-sensitized solar cell module and method of producing the same
US7811900B2 (en) * 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
JP2010514184A (ja) * 2006-12-21 2010-04-30 ヘリアンソス,ビー.ブイ. 太陽電池から太陽電池サブセルをつくる方法
US20080149173A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Sharps Paul R Inverted metamorphic solar cell with bypass diode
US20080185038A1 (en) * 2007-02-02 2008-08-07 Emcore Corporation Inverted metamorphic solar cell with via for backside contacts
US8115096B2 (en) * 2007-06-18 2012-02-14 E-Cube Technologies, Ltd. Methods and apparatuses for improving power extraction from solar cells
JP4989549B2 (ja) * 2007-08-24 2012-08-01 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池モジュール
US8309844B2 (en) 2007-08-29 2012-11-13 Ferro Corporation Thick film pastes for fire through applications in solar cells
US20090078311A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Emcore Corporation Surfactant Assisted Growth in Barrier Layers In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
JP5252472B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
US20090162966A1 (en) 2007-12-21 2009-06-25 The Woodside Group Pte Ltd Structure and method of formation of a solar cell
US20090229658A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Emcore Corporation Non-Isoelectronic Surfactant Assisted Growth In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cells
US20090272438A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Emcore Corporation Strain Balanced Multiple Quantum Well Subcell In Inverted Metamorphic Multijunction Solar Cell
US20100012174A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Corporation High band gap contact layer in inverted metamorphic multijunction solar cells
US8263853B2 (en) * 2008-08-07 2012-09-11 Emcore Solar Power, Inc. Wafer level interconnection of inverted metamorphic multijunction solar cells
TW201027773A (en) * 2008-08-27 2010-07-16 Applied Materials Inc Back contact solar cell modules
TWI381536B (zh) * 2008-08-29 2013-01-01 Univ Nat Taiwan 微奈米結構pn二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法
US20100108130A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Crystal Solar, Inc. Thin Interdigitated backside contact solar cell and manufacturing process thereof
DE102009023901A1 (de) * 2009-06-04 2010-12-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaisches Modul mit flächigem Zellverbinder
JP2011054831A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Sharp Corp バックコンタクト型太陽電池セル、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
US20110056532A1 (en) * 2009-09-09 2011-03-10 Crystal Solar, Inc. Method for manufacturing thin crystalline solar cells pre-assembled on a panel
US20110174376A1 (en) 2010-01-19 2011-07-21 Amberwave, Inc. Monocrystalline Thin Cell
WO2011150397A2 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Solexel, Inc. Laser processing for high-efficiency thin crystalline silicon solar cell fabrication
JP5998442B2 (ja) * 2010-09-01 2016-09-28 大日本印刷株式会社 太陽電池用集電シート及びそれを用いた太陽電池モジュール
US8486746B2 (en) 2011-03-29 2013-07-16 Sunpower Corporation Thin silicon solar cell and method of manufacture
CN103918088B (zh) * 2011-08-09 2017-07-04 速力斯公司 利用细晶半导体吸收体的高效太阳能光伏电池及模块
DE102011088476A1 (de) * 2011-12-14 2013-06-20 Robert Bosch Gmbh Solarmodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen
US9306103B2 (en) 2011-12-22 2016-04-05 E I Du Pont De Nemours And Company Back contact photovoltaic module with integrated circuitry
JP6250552B2 (ja) * 2011-12-30 2017-12-20 ソレクセル、インコーポレイテッド マルチレベルソーラーセルメタライゼーション

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110048506A1 (en) * 2004-03-25 2011-03-03 Karl Pichler Manufacturing of optoelectronic devices
US20110139241A1 (en) * 2008-07-17 2011-06-16 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Solar cell and method for producing a solar cell
US20120298175A1 (en) * 2010-01-06 2012-11-29 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Solar panel module and method for manufacturing such a solar panel module
US20130160812A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 E I Du Pont De Nemours And Company Back contact photovoltaic module with integrated glass back-sheet

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