TWI656658B - 用於金屬化的對準 - Google Patents
用於金屬化的對準 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI656658B TWI656658B TW103133664A TW103133664A TWI656658B TW I656658 B TWI656658 B TW I656658B TW 103133664 A TW103133664 A TW 103133664A TW 103133664 A TW103133664 A TW 103133664A TW I656658 B TWI656658 B TW I656658B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal foil
- solar cell
- bus bar
- patterned metal
- patterned
- Prior art date
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 229
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 229
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 147
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 49
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 106
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 25
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000013072 incoming material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
在太陽能電池上形成金屬層。形成金屬層可包含在太陽能電池上放置圖案化金屬箔，其中圖案化金屬箔包含正極匯流排、負極匯流排、從正極匯流排延伸出的正極接觸指、從負極匯流排延伸出的負極接觸指、金屬帶及一或多個墊片。藉由金屬帶及墊片可相互連接正極匯流排及負極匯流排以及正極接觸指及負極接觸指。形成金屬層可進一步包含耦合圖案化金屬箔至太陽能電池，且移除金屬帶及墊片。移除金屬帶及墊片可分離正極匯流排及負極匯流排以及正極接觸指及負極接觸指。
Description
在本文中所描述的專利標的(subject matter)的實施例係一般關於包含太陽能電池、光伏層壓板(photovoltaic laminate)及光伏組件(photovoltaic module)的光伏組裝(photovoltaic assemblies)。更具體地，專利標的之實施例係關於太陽能電池、光伏層壓板及製備製程。
太陽能電池為習知用於轉化太陽能輻射成電能的裝置。
其可使用半導體製程技術製備在半導體晶圓上。光伏電池或太陽能電池包含P型及N型擴散區域。衝射(impinging)在太陽能電池上的太陽能輻射產生遷移至擴散區域的電子及電洞，從而產生擴散區域之間的電壓差動(voltage differential)。在背面接觸太陽能電池中，擴散區域及耦合至其的金屬接觸指(metal contact finger)兩者皆在太陽能電池的背面上。接觸區域及接觸指允許外部電路耦合至太陽能電池且藉由太陽能電池供電。太陽能電池可裝載於使用各種製程及封裝材料的光伏層壓板，其中光伏層壓板可進一步裝載入光伏組件。一或多個實施例係關於光伏電池或太陽能電池及光伏層壓板製備製程。
在實施例，揭露了一種用於第一太陽能電池之金屬化的方法。方法可包含在第一太陽能電池上放置圖案化的金屬箔或穿孔金屬箔。圖案化的金屬箔可包含正極匯流排(busbar)、負極匯流排、從正極匯流排延伸出的正極接觸指、從負極匯流排延伸出的負極接觸指、金屬帶(metal strip)及墊片(tab)。圖案化金屬箔也可包含連接正極及負極接觸指的金屬帶及墊片。方法也可包含耦合圖案化的金屬箔至第一太陽能電池以及移除墊片和金屬帶，其中正極匯流排及負極匯流排在移除金屬帶之後不再相互連接。
在實施例中，揭露了用於第一太陽能電池之金屬化的另一方法。方法可包含使用剝蝕製程(ablation process)圖案化金屬箔。方法可進一步包含使用視覺對準系統(visual alignment system)在第一太陽能電池上放置圖案化金屬箔，具有藉由金屬帶及墊片相互連接之正極匯流排及負極匯流排的圖案化金屬箔。方法也包含耦合圖案化金屬箔至第一太陽能電池，且藉由拉出金屬帶的邊緣來移除圖案化金屬箔的墊片及金屬帶，其中正極匯流排及負極匯流排在移除金屬帶之後不再相互連接。
在實施例中，揭露了用於光伏層壓板金屬化的方法。方法可包含在實質透明層上放置封裝件(encapsulant)。方法可進一步包含在封裝件上放置第一太陽能電池。方法可進一步包含在第一太陽能電池上放置圖案化金屬箔，具有正極匯流排及負極匯流排的圖案化金屬箔係藉由金屬帶及墊片相互連接。方法可包含耦合圖案化金屬箔至第一太陽能電池及移除墊片及金屬帶，其中正極匯流排及負極匯流排在移除金屬帶及墊片之後不再相互連接。
100、103、106a、106b、210‧‧‧太陽能電池
104‧‧‧矽基板
110、112‧‧‧匯流排
111、113‧‧‧互聯件
114、116‧‧‧接觸指
117‧‧‧接觸區域
120‧‧‧金屬帶
122、124‧‧‧邊緣
128‧‧‧墊片
130、132‧‧‧箭頭
140‧‧‧雷射
150、151、230‧‧‧金屬箔
152‧‧‧圖案
160、162‧‧‧太陽能電池串
170、172、174、176、270、272、274、276、278‧‧‧方塊
180、182‧‧‧複數交叉指形接觸指
190、192‧‧‧摻雜區域
194、196、212‧‧‧介電層
198‧‧‧溝槽區域
200‧‧‧光伏組件
202‧‧‧背面
204‧‧‧正面
220‧‧‧實質透明層
222‧‧‧封裝件
232‧‧‧晶種金屬層
240‧‧‧背層
242‧‧‧背板材料
藉由在考量搭配下列圖式下參照詳細描述及申請專利範圍可衍生專利標的之更完整理解，其中在整份圖式中相同之參考符號代表類似之元件。
第1圖係為根據一些實施例用於太陽能電池之金屬化的實施例方法的流程示意圖；第2圖為根據一實施例在太陽能電池上的圖案化金屬箔的示意性平面圖；第3圖及第4圖為根據一些實施例從圖案化金屬箔移除金屬帶及墊片的示意性平面圖；第5圖為根據一些實施例的太陽能電池的示意性平面圖；第6圖及第7圖為根據一些實施例形成圖案化金屬箔的示意性平面圖；第8圖為根據一些實施例的一串太陽能電池的示意性平面圖；第9圖為根據一些實施例的另一串太陽能電池的示意性平面圖；第10圖係為繪示根據用於金屬化的揭露技術所製備的實施例太陽能電池的截面圖；第11圖係為繪示根據用於金屬化的揭露技術所製備的另一實施例之太陽能電池的截面圖；
第12圖為根據一些實施例用於光伏組件之金屬化的實施例方法的流程示意圖；以及
第13圖係為繪示根據用於金屬化的揭露技術所製備的光伏組件的截面圖。
下列詳細描述在本質上係僅為說明性的且並非旨在限制專利標的之實施例或這樣的實施例的應用及使用。如同在本文中所使用的，文字「例示性(exemplary)」表示「作為一個示例(example)、實例(instance)或說明(illustration)」。作為例示性在本文中所描述的任何實施方式不需要被詮釋為較佳於或優於其他實施方式。此外，並非旨在受到在先前技術領域、背景、發明內容或下列實施方式所提出的任何明示或暗示的理論所束縛。
此說明書包含參照「一個實施例(one embodiment)」或「一實施例(an embodiment)」。用語表述「在一個實施例(in one embodiment)」或「在一實施例(in an embodiment)」並不必然表示相同實施例。特別的特徵(feature)、結構或性質(characteristic)可以任何與本揭露相符的合適方式結合。
術語。下列段落提供在本揭露所見的術語的定義及/或內容(包含所附的申請專利範圍)：「包含(Comprising)」。此術語為開放式的(open-ended)。當在所附申請專利範圍中所使用時，此術語不排除其他結構或步驟。
「配置以(Configured To)」。各種單元或組成可描述或主張作為「配置以」進行一個工作(a task)或工作(tasks)。在這樣的內文中，使用「配置以」以藉由指出包含在操作期間進行那些工作(task)或工作(tasks)的結構的單元/組成而暗示(connote)結構。因此，即便在特定單元/組成目前並未運作(例如，未導通/活動)時，仍可闡述單元/組成被配置以進行工作。對於單元/組成，紀錄(Reciting)其中單元/電路/組成「配置以」進行一或多個工作係為明確地旨在不至衝突(invoke)35 U.S.C.§112、第六段。
「第一」、「第二」等。如同在本文中所使用的，這些術語用於作為其前綴(precede)的名詞之標示，且並非意味著任何類型的排序(例如，空間、時間、邏輯等)。例如，參照「第一」太陽能電池並非必然意味著此太陽能電池在順序上為第一個太陽能電池；取而代之的是使用術語「第一」以從另一太陽能電池(例如，「第二」太陽能電池)區分出此太陽能電池。
「耦合(Coupled)」-下列描述表示元件或節點或特徵相互「耦合」。如同在本文中所使用的，除非另行明確指出，否則「耦合」表示一元件/節點/特徵直接地或間接地連接(join)至(或直接地或間接地相通(communicate))另一元件/節點/特徵，且不必然是力學性地(mechanically)。
此外，特定術語也可單純為了參考目的而使用在下列描述中，且因此不意圖為限制性的。例如，術語如「上(upper)」、「下(lower)」、「之上(above)」及「之下(below)」表示在圖式中之方向以作為參考。術語如「前(front)」、「後(back)」、「背(rear)」、「側(side)」、「外部(outboard)」及「內部(inboard)」描述在一致但為參考的任意框架中之組成的部分之定向及/或位置，在討論下藉由
參照說明及描述組成的相關圖式而臻至明確。這樣的術語可包含上面具體地提到的文字、其衍生物及類似含意的文字。
雖然為了易於理解就太陽能電池、光伏層壓板及太陽能組件而言描述許多揭露，所揭露的技術及結構同樣地適用於其他半導體結構(例如，一般來說是矽晶圓)。
不同金屬區域的對準，如正極及負極匯流排及至太陽能電池上的摻雜區域之接觸指可能是挑戰性製程。本文中所揭露的技術及結構係改善此類對準的準確度、產量(throughput)及成本。
第1圖繪示用於太陽能電池的金屬化的實施例方法的實施例的流程圖。在各種實施例中，第1圖的方法相比於繪示出的可包含另外的(或更少的)方塊。例如，在一實施例中，金屬箔可預圖案化使得不需要進行方塊170。
如同在方塊170所示出的，金屬箔可被圖案化以形成圖案化金屬箔。在實施例中，也可被稱作為穿孔金屬箔之圖案化金屬箔可包含正極匯流排及負極匯流排。正極接觸指可從正極匯流排延伸出且負極接觸指可從負極匯流排延伸出。金屬帶及一或多個墊片可連接正極接觸指及負極接觸指，且因此連接正極匯流排及負極匯流排。在實施例中，墊片在圖案化製程中可被薄化(thinned)。在一實施例中，薄化墊片可包含以雷射來薄化墊片。
在一實施例，薄化之墊片可使移除金屬帶及墊片的過程更容易且不會損及箔片與太陽能電池的對準。在實施例，金屬箔及圖案化金屬箔可為鋁。
在一實施例，圖案化可包含從圖案化結果的金屬箔移除多餘的金屬。例如，在一些實施例，可使用化學蝕刻(例如，以遮
罩)或剝蝕製程，如雷射剝蝕製程以圖案化箔片。雷射剝蝕的結果可包含移除對應至圖案化區域的金屬箔的部分(例如，並未藉由金屬帶或墊片連接之指間區域)。
在一實施例中，對準程序可在圖案化之前進行以對準要圖案化的圖樣(design)至金屬箔。實施例圖樣包含金屬接觸指的圖樣(例如，交叉指形(interdigitated))。在一實施例中，可使用視覺對準系統完成對準。在實施例中，圖樣可包含電腦產生的圖樣。
在方塊172中，圖案化金屬箔可放置在太陽能電池上。
在實施例中，作為放置在太陽能電池上的圖案化金屬箔的部分，圖案化金屬箔可使用視覺對準系統對準至太陽能電池。如同在方塊170所描述的，注意的是在一些實施例中用以對準圖案化金屬箔至太陽能電池的視覺對準系統係為，可用以圖案化金屬箔之不同視覺對準系統。可使用各種視覺對準系統，如自動光學對準系統及各種其他機器視覺應用。在一實施例中，對準金屬箔至太陽能電池可包含對準至太陽能電池上的摻雜區域。例如，正極匯流排及對應的正極接觸指可對準至正極摻雜區域，且負極匯流排及對應的負極接觸指可對準至負極摻雜區域。
在方塊174，圖案化的金屬箔可耦合至太陽能電池。在實施例中，可使用雷射焊接來耦合圖案化金屬箔至第一太陽能電池。在實施例中，可使用各種其他技術以耦合圖案化金屬箔至太陽能電池，如剝蝕技術、雷射剝蝕技術、熱能加熱(thermal heating)及其他技術。圖案化金屬箔可耦合至太陽能電池的矽基板上的摻雜區域。在實施例中，正極接觸指可耦合至正極摻雜區域且負極接觸指可耦合至負極摻雜區域。因此，耦合圖案化金屬箔致使在太陽能電池的操作期間於負極接觸指與負極摻雜區域之間以及
正極接觸指與正極摻雜區域之間的電性連接。如同在本文中所描述的(且在各種圖式示出，如在第2圖的接觸區域117)，注意的是耦合可包含在複數個不同點耦合箔片至太陽能電池。
在方塊176，可移除墊片及金屬帶。在實施例中，藉由拉金屬帶的邊緣可移除墊片及金屬帶以分離正極匯流排及負極匯流排。在實施例中，金屬帶及墊片可具有複數個邊緣，其中可拉扯任何之一邊緣以移除維持圖案化金屬箔在一起的金屬帶及墊片。在一實施例中，金屬帶及墊片的移除致使分離正極匯流排及負極匯流排以及正極接觸指及負極接觸指。在移除金屬帶及墊片之後，金屬箔至太陽能電池的耦合係保持完整使得分別地負極匯流排、負極接觸指及負極摻雜區域耦合在一起，且正極匯流排、正極接觸指及正極摻雜區域耦合在一起。
在實施例中，可針對複數個太陽能電池進行方塊170、172、174及176。例如，在一實施例中，圖案化金屬箔(例如，包含用於複數個電池的接觸指)可對準且放置在第一太陽能電池及第二太陽能電池上。圖案化金屬箔然後可耦合至第一太陽能電池及第二太陽能電池。隨後，藉由移除墊片及金屬帶可分離圖案化金屬箔的正極匯流排及負極匯流排。注意的是在一些實施例中，藉由移除單一的金屬帶(例如，如同在第8圖及第9圖所示出的)可分離對應至第一太陽能電池及第二太陽能電池兩者的正極匯流排及負極匯流排。
在未損耗箔片的大小及位置準確度的圖案化之後揭露的技術可允許箔片的轉移(transferring)。這樣做，可使用分離圖案化站及晶圓裝載站，從而改善效率及減少成本。
參照第2圖，示出包含在矽基板102上的圖案化金屬箔片之太陽能電池100。如同所示出的，圖案化金屬箔片可包含第一匯流排110及第二匯流排112。在實施例中，第一匯流排110及第二匯流排112可分別為正極匯流排及負極匯流排。一或多個接觸指(例如，第一接觸指114)可從第一匯流排110延伸出。同樣的，一或多個其他接觸指(例如，第二接觸指116)可從第二匯流排112延伸出。在實施例中，第一接觸指114可為正極接觸指且第二接觸指116可為負極接觸指。在一實施例，正極接觸指從正極匯流排延伸出且負極接觸指從負極匯流排延伸出。金屬帶120及墊片128可相互連接第一接觸指114及第二接觸指116，且因此也相互連接第一匯流排110及第二匯流排112。金屬帶120可具有第一邊緣122及第二邊緣124。在實施例中，墊片128可被薄化。在一些實施例中，在圖案化製程中墊片128可被薄化。如同所示出的，圖案化金屬箔已經放置在矽基板102上且在接觸區域117耦合至矽基板102。
第3圖及第4圖繪示來自圖案化的金屬箔的金屬帶及墊片的移除。一邊緣，如第一邊緣122，如同藉由箭頭130所指出的可被拉出以移除金屬帶120及墊片128。拉出第一邊緣122係在第3圖中示出。第4圖進一步繪示的是金屬帶及墊片可從第一接觸指114及第二接觸指116拉出而釋出。注意的是在金屬帶及墊片的移除之後可能保留墊片的剩餘物(remnant)但即使在墊片剩餘物的存在下，正極及負極指之間的連續性可不存在。在實施例中，可改為第二邊緣124(或金屬帶的內部部分)被拉出以移除金屬帶120及墊片128。在實施例中，金屬帶120及墊片128在任何邊緣都可被拉出，第一邊緣122、第二邊緣124及/或任何其他
邊緣，以移除金屬帶120及墊片128。
參照第5圖，示出金屬帶120及墊片128的移除後之太陽能電池100。如同所示出的，太陽能電池100通過接觸區域117耦合至第一接觸指114及第二接觸指116，其中第一接觸指114及第二接觸指116分別從第一匯流排110及第二匯流排112延伸出。注意的是太陽能電池100的耦合至第一接觸指114及第二接觸指116可發生在太陽能電池的對應的正極摻雜區域及負極摻雜區域，以分別地使太陽能電池的正極摻雜區域耦合至正極接觸指，且太陽能電池的負極摻雜區域耦合至負極接觸指。在實施例中，金屬帶120及墊片128可允許在太陽能電池100的矽基板102上將第一接觸指114及第二接觸指116以及第一匯流排110及第二匯流排112相對彼此對準。
在實施例，第6圖繪示使用雷射140圖案化金屬箔150。
在實施例，可使用各種方法如雷射剝蝕技術、濕化學蝕刻及其他方法來圖案化金屬箔。在一些實施例中，圖案化可包含在金屬箔150上形成交叉指形圖案152(或其他接觸指圖案)。在一實施例，圖案152可形成第一匯流排110及第二匯流排112以及第一接觸指114及第二接觸指116。金屬帶及墊片也可形成在圖案化製程。
在一實施例，使用視覺對準系統可進行對準程序以對準圖樣至金屬箔150。在實施例，圖樣為電腦產生的圖樣。
參照第7圖，相對於圖案化箔片可進行各種操作。操作可包含藉由拉出(如同藉由箭頭132所指出的)多餘的金屬箔151而移除多餘的金屬箔151。在一些實施例，多餘的金屬箔151可被剝離。另一操作可包含形成作為接觸區域117的金屬接合件(metal bond)以耦合含有匯流排110及112以及接觸指114及116
的圖案化金屬箔至太陽能電池。在實施例中，可使用雷射耦合圖案化金屬箔至太陽能電池。如同上面所討論的，圖案化金屬箔可對準至太陽能電池的矽基板。另一操作可包含薄化墊片128。也可使用雷射以薄化墊片128。薄化墊片128可允許更容易地移除金屬帶120及墊片128。注意的是相比於進行耦合的雷射，薄化墊片可以不同的雷射進行(例如，不同波長、不同脈波長(pulse length)等)。
在實施例中，在用於圖案化製程的製備中可使用載體介質(carrier medium)維持金屬箔。在實施例，紙質載體介質可維持金屬箔，使得圖案化之後可類似於藉由在第7圖的箭頭132所示出般來移除紙質載體介質，其中紙質載體介質被移除而非多餘的金屬箔。可使用其他載體介質如塑膠型(plastic-type)載體介質及附著型(adhesive-type)載體介質。在另一實施例中，載體介質包含紙、乙酸乙烯酯(Ethylene-Vinyl Acetate(EVA))、高分子層、聚乙烯(Polyethylene)、任何通用性塑膠(generic plastic)及/或任何其他類型的可適用載體型材料。提到的操作可以任何順序進行，即在耦合圖案化金屬箔至太陽能電池102及薄化墊片128之後可移除多餘的金屬箔151。
第8圖繪示複數個太陽能電池串160。如同所示出的，太陽能電池串160可包含藉由互聯件(interconnect)111連接在一起的第一太陽能電池102及第二太陽能電池103。其他太陽能電池串可包含超過兩個太陽能電池。類似之技術可應用在其他太陽能電池串。在實施例中，互聯件111可包含不同極性的匯流排，即正極及負極。例如，互聯件111可包含第一匯流排及第二匯流排，一個為用於第一太陽能電池的匯流排，另一個為用於第二太
陽能電池的相反極性匯流排。在一實施例中，金屬帶120及墊片128耦合或連接互聯件111、第一匯流排110及第二匯流排112在一起。在實施例中，金屬帶120及墊片128允許可包含互聯件111、第一匯流排110、第二匯流排112以及其對應接觸指114、116的圖案化金屬箔與第一太陽能電池102及第二太陽能電池103的改善化對準。在金屬化製程中，藉由拉出第一邊緣122及/或第二邊緣124可移除金屬帶120及墊片128。
參照第9圖，示出另一太陽能電池串162。類似於第8圖，太陽能電池串162可包含藉由互聯件113連接在一起的第一太陽能電池102及第二太陽能電池103。在實施例，互聯件113可包含第一匯流排及第二匯流排。在實施例中，互聯件113可由不同極性的匯流排構成，即正極及負極。在一實施例中，金屬帶120及墊片128耦合或連接互聯件113、第一匯流排110及第二匯流排112在一起。在實施例中，金屬帶120及墊片128允許可包含互聯件113、第一匯流排110、第二匯流排112以及其對應接觸指114、116的圖案化金屬箔與第一太陽能電池102及第二太陽能電池103的改善化對準。在金屬化製程中，藉由拉出第一邊緣122可移除金屬帶120及墊片128。在實施例中，可拉出第二邊緣124以移除金屬帶120及墊片128。在一實施例，單一金屬帶可維持匯流排就位於複數個太陽能電池。據此，可拉出單一金屬帶以移除用於複數個太陽能電池的金屬帶及墊片。在其他實施例中，可拉出複數個金屬帶以移除用於複數個太陽能電池的金屬帶及墊片。在實施例中，第9圖可為兩個連接的太陽能電池串的邊緣的實施例。
第10圖繪示藉由使用上述的金屬化製程可製備之實施
例太陽能電池106a。在第10圖的太陽能電池106a的實施例中，可通過在矽基板104上的熱製程(thermal process)形成第一摻雜區域190及第二摻雜區域192。在實施例中，第一摻雜區域190及第二摻雜區域192各包含摻雜材料，但並不限於正極型摻雜物如硼或者負極型摻雜物如磷。第一介電層194可形成在第一摻雜區域190及第二摻雜區域192上。在實施例中，第一介電層194為氮化矽(SiN)。第二介電層196可在形成第一摻雜區域190及第二摻雜區域192之前形成在矽晶圓102上。在實施例中，第二介電層196為穿隧氧化物。在另一實施例中，第一摻雜區域190及第二摻雜區域192兩者包含以交叉指形圖案的擴散區域。在實施例中，第一摻雜區域及第二摻雜區域取代第一摻雜多晶矽區域及第二摻雜多晶矽區域。
在一實施例中，可形成溝槽區域198以分離第一摻雜區域190及第二摻雜區域192兩者，其可減少界面上之復合。在實施例中，溝槽區域198包含用於另外收集來自太陽能電池106a背面的光的紋理化表面(textured surface)。複數個接觸孔可通過第一介電層194形成且在第一摻雜區域190及第二摻雜區域192上。接觸孔可通過化學蝕刻、剝蝕或任何工業標準微影製程形成。可使用上述的金屬化製程以形成第一複數交叉指形接觸指180及第二複數交叉指形接觸指182，其中第一複數交叉指形接觸指180及第二複數交叉指形接觸指182分別通過第一摻雜區域190及第二摻雜區域192上的第一介電層194而電性耦合至接觸孔。在實施例中，紋理化區域可形成在太陽能電池106a之正面上以增加太陽能輻射收集。紋理化區域為一個具有用於散射(scatter)入射光的規則或不規則形狀表面，減少太陽能電池106a表面反射
回的光量。在另一實施例中，第三介電層可形成在太陽能電池106a正面上的紋理化區域上。在一實施例中，第三介電層為氮化矽(SiN)。在一些實施例中，第一介電層194及第三介電層為抗反射層。
現在轉向第11圖，藉由使用上述的金屬化製程所製備之實施例太陽能電池106b係被示出。類似於在第10圖所描述的。
在實施例太陽能電池製備製程中，第一摻雜區域190及第二摻雜區域192可通過在矽基板104上的熱製程形成。在另一實施例中，第一摻雜區域190及第二摻雜區域192各包含摻雜材料，但並不限於正極型摻雜物如硼或者負極型摻雜物如磷。第一介電層194可形成在第一摻雜區域190及第二摻雜區域192上。在實施例，第一介電層194為氮化矽(SiN)。第二介電層196可在形成第一摻雜區域190及第二摻雜區域192之前形成在矽基板104上。
在實施例中，第二介電層196為穿隧氧化物。在另一實施例中，第一摻雜區域190及第二摻雜區域192兩者包含為交叉指形圖案的擴散區域。在一實施例，複數個接觸孔可通過第一介電層194形成且在第一摻雜區域190及第二摻雜區域192上。接觸孔可通過化學蝕刻、剝蝕或任何工業標準微影製程形成。可使用上述的金屬化製程以形成第一複數交叉指形接觸指180及第二複數交叉指形接觸指182，其中第一複數交叉指形接觸指180及第二複數交叉指形接觸指182分別通過第一摻雜區域190及第二摻雜區域192上的第一介電層194電性耦合至接觸孔。在實施例中，紋理化區域可形成在太陽能電池106b正面上以增加太陽能輻射收集。紋理化區域為一個具有用於散射入射光的規則或不規則形狀的表面，減少太陽能電池106b表面反射回的光量。在一實施例
中，第三介電層可形成在太陽能電池106b正面上的紋理化區域上。在另一實施例中，第三介電層為氮化矽(SiN)。在又一實施例中，第一介電層194及第三介電層為抗反射層。
第12圖繪示用於光伏組件的金屬化實施例方法的實施例流程圖。在各種實施例中，第12圖的方法相比於繪示出的可包含添加的(或更少的)方塊。另外，第12圖的許多方塊類似於第1圖的方塊。在這樣的實例中，在第1圖及在整個說明書中的描述同樣適用於第12圖的描述。
如同在方塊270所示出的，封裝件可放置在實質透明層上。在實施例中，實質透明層可為玻璃。在一些實施例中，封裝件可為乙酸乙烯酯(EVA)。
在方塊272，第一太陽能電池可放置在封裝件上。在一些實施例中，複數個太陽能電池可放置在封裝件上。在實施例中，使用視覺對準系統可將第一太陽能電池對準至封裝件。
在方塊274，類似於第1圖的方塊172，圖案化金屬箔可放置在第一太陽能電池上。在實施例中，使用視覺對準系統可將圖案化金屬箔放置在第一太陽能電池上。可使用各種視覺對準系統如自動光學對準系統及各種其他機器視覺應用。圖案化金屬箔也可對準至太陽能電池上的摻雜區域，其中正極匯流排及正極接觸指可對準至正極摻雜區域，且負極匯流排及負極接觸指可對準至負極摻雜區域。
如同在本文中所描述的，在一實施例中，圖案化金屬箔可包含正極匯流排及負極匯流排。正極接觸指可從正極匯流排延伸出且負極接觸指可從負極匯流排延伸出。金屬帶及墊片可連接
正極接觸指及負極接觸指且因此連接正極匯流排及負極匯流排。在實施例中，在圖案化製程期間可薄化墊片。在一實施例中，薄化墊片可包含以雷射薄化墊片。在實施例中，金屬箔及圖案化金屬箔可為鋁。在一些實施例中，可使用如同所示出的操作，圖案化可從外部完成，使得可從操作中移除圖案化步驟且圖案化的金屬箔係提供作為進料(incoming material)。
在一實施例中，藉由圖案化製程如藉由剝蝕、雷射剝蝕、蝕刻、濕化學蝕刻及其他方法可形成圖案化金屬箔。圖案化可進一步包含從圖案化結果的金屬箔移除多餘的金屬。在一實施例中，使用視覺對準系統來圖案化金屬箔包含了進行對準程序以對準圖樣至金屬箔。在實施例中，圖樣可包含電腦產生的圖樣。
在方塊276，類似於第1圖的方塊174，圖案化的金屬箔可耦合至第一太陽能電池。在實施例中，可使用雷射焊接耦合圖案化的金屬箔至第一太陽能電池。在實施例中，可使用各種其他技術以耦合圖案化金屬箔至太陽能電池，如剝蝕技術、雷射剝蝕技術、熱能加熱及其他技術。
在方塊278，類似於第1圖的方塊176，可移除金屬帶及墊片。在實施例中，藉由拉出金屬帶的邊緣可移除墊片及金屬帶以分離正極匯流排及負極匯流排。在實施例中，金屬帶及墊片可具有複數個邊緣，其中可拉出邊緣的任何之一以移除維持圖案化金屬箔在一起的金屬帶及墊片。在一實施例中，金屬帶及墊片的移除致使分離正極匯流排及負極匯流排以及正極接觸指及負極接觸指，以使正極匯流排與正極接觸指相互耦合(及與正極摻雜區域)，而負極匯流排及負極接觸指相互耦合(及與負極摻雜區域)。
在各種實施例中，第12圖的方法可應用至複數個太陽能電池。例如，第二太陽能電池可放置在封裝件上(例如，在放置圖案化金屬箔之前)。在實施例，圖案化金屬箔(相同於或不同於放置在第一太陽能電池上的圖案化金屬箔)可放置在第二太陽能電池上。如果相同的箔片，圖案化金屬箔可放置在第一太陽能電池及第二太陽能電池兩者上。圖案化金屬箔也可耦合至第一太陽能電池及第二太陽能電池。金屬帶及墊片可從圖案化金屬箔移除，其中金屬帶及墊片的移除允許圖案化金屬箔的相反極性匯流排及接觸指之間的物理分離。如同上面所討論的，使用各種方法如雷射焊接技術、剝蝕技術、雷射剝蝕、加熱、熱能加熱及其他技術可耦合圖案化金屬箔至第一太陽能電池及第二太陽能電池。在實施例中，墊片在圖案化製程中可被薄化。在一實施例中，薄化墊片可助於更容易地移除金屬帶及墊片。
參照第13圖，示出藉由使用金屬化製程所製備之光伏組件200的截面圖。光伏組件200可具有正面204及背面202，背面202相反於正面204。在實施例中，正面204在光伏組件200的正常操作期間面向太陽。第一封裝件222可定位在實質透明層220上。實質透明包含完全透明以及透明度(transparency)大於80%之透明。作為一實施例，實質透明層220可由玻璃(例如，透明的(clear)、彩色的等)製成。在實施例中，第一封裝件可為乙酸乙烯酯(EVA)。第一太陽能電池210可放置在第一封裝件222上。在一些實施例，複數個太陽能電池可定位在第一封裝件222上。在實施例中，使用視覺對準系統可將第一太陽能電池210對準至第一封裝件222。
在實施例中，圖案化金屬箔230可放置在第一太陽能電
池210上。在實施例中，使用視覺對準系統可將圖案化金屬箔230對準至第一太陽能電池210。在實施例中，圖案化金屬箔230可放置在一或多個太陽能電池(例如，第二太陽能電池(在第13圖未示出))上。在實施例，使用視覺對準系統可將圖案化金屬箔230對準至一或多個太陽能電池。如同在本文中所描述的，圖案化的金屬箔230可包含正極匯流排及負極匯流排。正極接觸指可從正極匯流排延伸出，且負極接觸指可從負極匯流延伸出。金屬帶及墊片可連接正極接觸指及負極接觸指，且因此連接正極匯流排及負極匯流排。在實施例，金屬箔及圖案化金屬箔可為鋁。圖案化金屬箔230通過在第一太陽能電池210的介電層212上的接觸孔可耦合至晶種金屬層232。在實施例，圖案化金屬箔230可電性耦合至晶種金屬層232。在實施例中，圖案化金屬箔230可耦合至第二太陽能電池。在一實施例中，圖案化金屬箔230可耦合至複數個太陽能電池。在實施例中，介電層212可包含氮化矽(SiN)。在一實施例中，介電層212可為抗反射層。背板材料(backing material)242可定位在圖案化金屬箔230上。在實施例中，背板材料242可為第二封裝件。在一些實施例中，第二封裝件可為乙酸乙烯酯(EVA)。背層(back layer)240可定位在背板材料242上。在實施例中，背層240可為在光伏組件200或光伏層壓板的製備中常使用的背板(backsheet)。
應理解的是結合上面討論的金屬化製程所進行的各種工作以及隨後的太陽能電池製備製程可包含任何數量的添加或選擇性工作。在第1圖至第13圖所示出的工作不需要以繪示的順序進行，且添加步驟可納入具有在本文中未詳細描述的添加功能的更全面程序或製程。
雖然特定實施例已在上面描述，這些實施例並不旨在限制本揭露的範疇，即便於其中僅單一實施例相對於特定特徵描述下。除非另有說明，在揭露中所提供的特徵實施例係意在為說明性的而非限制性的。如同所屬技術領域具有通常知識者將顯而易見的是，上面描述意在涵蓋具有本揭露益處之這樣的替代方案、修改及等效物。
本揭露的範疇包含在本文中所揭露的任何特徵或特徵的組合(明顯地或隱含地)，或者其任何概括，而不論其是否減輕了本文中所解決的任何或所有問題。據此，在本申請(或主張優先權的本申請)的審查期間可以任何這樣的特徵組合來製訂新的申請專利範圍。特別是，參照所附的申請專利範圍，附屬項的特徵可與獨立項的特徵組合且各獨立項的特徵可以任何適當方式組合而不僅為所附申請專利範圍所列舉的特定組合。
Claims (20)
- 一種用於太陽能電池金屬化之方法，該方法包含：在一第一太陽能電池上放置一圖案化金屬箔，其中該圖案化金屬箔包含一正極匯流排、一負極匯流排、從該正極匯流排延伸出的一正極接觸指、從該負極匯流排延伸出的一負極接觸指、一金屬帶及一墊片，其中藉由該金屬帶及該墊片將該正極匯流排及該負極匯流排以及該正極接觸指及該負極接觸指相互連接；耦合該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池；以及移除該墊片及該金屬帶，其中在所述移除之後，該正極匯流排及該負極匯流排並不相互連接。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該第一太陽能電池上放置該圖案化金屬箔包含使用一視覺對準系統對準該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該第一太陽能電池上放置該圖案化金屬箔之前，該方法進一步包含：圖案化一金屬箔生成該圖案化金屬箔；以及從圖案化結果的該金屬箔移除多餘的金屬。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該第一太陽能電池上放置該圖案化金屬箔包含：在該第一太陽能電池上放置一金屬箔；以及 在該第一太陽能電池上圖案化該金屬箔來生成該圖案化金屬箔。
- 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中圖案化該金屬箔包含使用一視覺對準系統進行一對準程序以對準一圖樣至該金屬箔。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其進一步包含薄化該墊片。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中薄化該墊片包含使用一雷射。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中耦合該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池包含雷射焊接該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在該第一太陽能電池上放置該圖案化金屬箔包含在該第一太陽能電池上放置包含鋁的該圖案化金屬箔。
- 一種用於第一太陽能電池金屬化的方法，該方法包含：使用一剝蝕製程來圖案化一金屬箔；使用一視覺對準系統在該第一太陽能電池上放置一圖案化金屬箔，其中該圖案化金屬箔包含一正極匯流排、一負極匯流排、從該正極匯流排延伸出的一正極接觸指、從該負極匯流排延伸出的一負極接觸指、一金屬帶及一墊片，其中藉由該金屬帶及該墊片將該正 極匯流排及該負極匯流排以及該正極接觸指及該負極接觸指相互連接；耦合該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池；以及藉由拉出該金屬帶的一邊緣移除該墊片及該金屬帶。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中圖案化該金屬箔包含使用一視覺對準系統進行一對準程序以對準一圖樣至該金屬箔。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該圖樣包含電腦產生的圖樣。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法，其進一步包含薄化該墊片。
- 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中薄化該墊片係使用一雷射進行。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中耦合該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池包含雷射焊接該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池。
- 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中在該第一太陽能電池上放置該圖案化金屬箔包含在該第一太陽能電池上放置包含鋁的該圖案化金屬箔。
- 一種用於光伏層壓板金屬化之方法，該方法包含：在一實質透明層上放置一封裝件；在該封裝件上放置一第一太陽能電池； 在該第一太陽能電池上放置一圖案化金屬箔，其中該圖案化金屬箔包含一正極匯流排、一負極匯流排、從該正極匯流排延伸出的一正極接觸指、從該負極匯流排延伸出的一負極接觸指、一金屬帶及一墊片，其中藉由該金屬帶及該墊片將該正極匯流排及該負極匯流排以及該正極接觸指及該負極接觸指相互連接；耦合該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池；以及移除該墊片及該金屬帶。
- 如申請專利範圍第17項所述之方法，其進一步包含：在放置該圖案化金屬箔之前在該封裝件上放置一第二太陽能電池，其中在該第一太陽能電池上放置該圖案化金屬箔也包含在該第二太陽能電池上放置該圖案化金屬箔；耦合該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池及該第二太陽能電池；以及移除該墊片及該金屬帶。
- 如申請專利範圍第17項所述之方法，其進一步包含使用一雷射薄化該墊片。
- 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中耦合該圖案化金屬箔至該第一太陽能電池及該第二太陽能電池包含雷射焊接該圖案化金屬箔。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/040,177 US9112097B2 (en) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Alignment for metallization |
| US14/040,177 | 2013-09-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201528539A TW201528539A (zh) | 2015-07-16 |
| TWI656658B true TWI656658B (zh) | 2019-04-11 |
Family
ID=52740545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103133664A TWI656658B (zh) | 2013-09-27 | 2014-09-26 | 用於金屬化的對準 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9112097B2 (zh) |
| JP (1) | JP2016532319A (zh) |
| KR (1) | KR102323288B1 (zh) |
| CN (2) | CN108428745B (zh) |
| DE (1) | DE112014004436T5 (zh) |
| TW (1) | TWI656658B (zh) |
| WO (1) | WO2015048351A1 (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016011140A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Natcore Technology, Inc. | Laser-transferred ibc solar cells |
| US10276742B2 (en) * | 2015-07-09 | 2019-04-30 | Solaero Technologies Corp. | Assembly and mounting of solar cells on space vehicles or satellites |
| WO2017217219A1 (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 株式会社カネカ | 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池モジュール |
| USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
| US10115855B2 (en) * | 2016-09-30 | 2018-10-30 | Sunpower Corporation | Conductive foil based metallization of solar cells |
| US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
| USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
| USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
| USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
| USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
| USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
| USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
| USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
| USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
| USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
| KR20200130495A (ko) | 2018-04-06 | 2020-11-18 | 선파워 코포레이션 | 태양 전지 스트링잉을 위한 레이저 보조 금속화 공정 |
| WO2019195804A1 (en) * | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Sunpower Corporation | Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation |
| CN112534589A (zh) * | 2018-04-06 | 2021-03-19 | 太阳能公司 | 使用激光束对半导体结构进行局部图案化和金属化 |
| WO2019195803A1 (en) | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Sunpower Corporation | Laser assisted metallization process for solar cell fabrication |
| US20190308270A1 (en) * | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Sunpower Corporation | Systems for laser assisted metallization of substrates |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4243432A (en) * | 1978-09-25 | 1981-01-06 | Photon Power, Inc. | Solar cell array |
| US4262411A (en) * | 1977-09-08 | 1981-04-21 | Photon Power, Inc. | Method of making a solar cell array |
| US6468828B1 (en) * | 1998-07-14 | 2002-10-22 | Sky Solar L.L.C. | Method of manufacturing lightweight, high efficiency photovoltaic module |
| US20130000715A1 (en) * | 2011-03-28 | 2013-01-03 | Solexel, Inc. | Active backplane for thin silicon solar cells |
| WO2013063738A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Integrated back-sheet for back contact photovoltaic module |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4313022A (en) * | 1978-09-25 | 1982-01-26 | Photon Power, Inc. | Solar cell array |
| US4745078A (en) * | 1986-01-30 | 1988-05-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for integrated series connection of thin film solar cells |
| KR101223023B1 (ko) | 2006-12-04 | 2013-01-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 |
| US20080216887A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-09-11 | Advent Solar, Inc. | Interconnect Technologies for Back Contact Solar Cells and Modules |
| JP2009130116A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Sharp Corp | 素子間配線部材、光電変換素子およびこれらを用いた光電変換素子接続体ならびに光電変換モジュール |
| KR101143295B1 (ko) | 2009-05-26 | 2012-05-08 | 주식회사 엘지화학 | 고효율 태양전지 전면 전극의 제조 방법 |
| JP2011091327A (ja) | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 |
| US8691694B2 (en) * | 2009-12-22 | 2014-04-08 | Henry Hieslmair | Solderless back contact solar cell module assembly process |
| KR101959576B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2019-03-18 | 디에스엠 아이피 어셋츠 비.브이. | 금속박 패턴 적층체, 금속박의 펀칭 방법, 회로 기판, 그 제조 방법 및 태양 전지 모듈 |
| TW201225752A (en) * | 2010-12-10 | 2012-06-16 | Askey Computer Corp | Printed circuit board grounding structure for use with communication apparatus |
| WO2012128909A2 (en) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | Applied Materials, Inc. | Process for forming flexible substrates using punch press type techniques |
| KR101254564B1 (ko) * | 2011-05-18 | 2013-04-19 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 모듈 |
| CN103597915B (zh) * | 2011-06-06 | 2017-05-24 | 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 | 金属箔图案层叠体、金属箔层叠体、金属箔层叠基板、太阳能电池模块和金属箔图案层叠体的制造方法 |
| US10383207B2 (en) | 2011-10-31 | 2019-08-13 | Cellink Corporation | Interdigitated foil interconnect for rear-contact solar cells |
| MY168146A (en) * | 2011-11-20 | 2018-10-11 | Solexel Inc | Smart photovoltaic cells and modules |
-
2013
- 2013-09-27 US US14/040,177 patent/US9112097B2/en active Active
-
2014
- 2014-09-25 JP JP2016545232A patent/JP2016532319A/ja active Pending
- 2014-09-25 KR KR1020167007454A patent/KR102323288B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-25 DE DE112014004436.9T patent/DE112014004436T5/de not_active Withdrawn
- 2014-09-25 WO PCT/US2014/057553 patent/WO2015048351A1/en active Application Filing
- 2014-09-25 CN CN201710822224.4A patent/CN108428745B/zh active Active
- 2014-09-25 CN CN201480046905.0A patent/CN105531832B/zh active Active
- 2014-09-26 TW TW103133664A patent/TWI656658B/zh active
-
2015
- 2015-07-22 US US14/806,437 patent/US9450113B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4262411A (en) * | 1977-09-08 | 1981-04-21 | Photon Power, Inc. | Method of making a solar cell array |
| US4243432A (en) * | 1978-09-25 | 1981-01-06 | Photon Power, Inc. | Solar cell array |
| US6468828B1 (en) * | 1998-07-14 | 2002-10-22 | Sky Solar L.L.C. | Method of manufacturing lightweight, high efficiency photovoltaic module |
| US20130000715A1 (en) * | 2011-03-28 | 2013-01-03 | Solexel, Inc. | Active backplane for thin silicon solar cells |
| WO2013063738A1 (en) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Integrated back-sheet for back contact photovoltaic module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105531832B (zh) | 2017-09-26 |
| US20150325710A1 (en) | 2015-11-12 |
| US9450113B2 (en) | 2016-09-20 |
| TW201528539A (zh) | 2015-07-16 |
| US9112097B2 (en) | 2015-08-18 |
| US20150093851A1 (en) | 2015-04-02 |
| JP2016532319A (ja) | 2016-10-13 |
| CN108428745A (zh) | 2018-08-21 |
| KR102323288B1 (ko) | 2021-11-05 |
| CN108428745B (zh) | 2021-06-25 |
| WO2015048351A1 (en) | 2015-04-02 |
| DE112014004436T5 (de) | 2016-06-16 |
| KR20160061337A (ko) | 2016-05-31 |
| CN105531832A (zh) | 2016-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI656658B (zh) | 用於金屬化的對準 | |
| US12080817B2 (en) | Photovoltaic cell and laminate metallization | |
| JP7078213B2 (ja) | 太陽電池および太陽光発電モジュール | |
| TWI656657B (zh) | 太陽能電池模組中之太陽能電池之互連 | |
| JP4578123B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| WO2018001187A1 (zh) | 电池片、电池片矩阵、太阳能电池及电池片的制备方法 | |
| EP3355364B1 (en) | Methods for manufacturing a high photoelectric conversion efficiency solar cell | |
| JP2017517869A (ja) | セル内バイパスダイオード | |
| WO2018001182A1 (zh) | 电池片、电池片组件、电池片矩阵及太阳能电池 | |
| TWI668880B (zh) | Solar battery unit and solar battery module | |
| JP2004031839A (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池セルの分離方法 | |
| JP4036880B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |