KR101223023B1 - 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 - Google Patents
태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101223023B1 KR101223023B1 KR1020060121709A KR20060121709A KR101223023B1 KR 101223023 B1 KR101223023 B1 KR 101223023B1 KR 1020060121709 A KR1020060121709 A KR 1020060121709A KR 20060121709 A KR20060121709 A KR 20060121709A KR 101223023 B1 KR101223023 B1 KR 101223023B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- solar cell
- adhesive
- electrode line
- forming
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 claims description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- -1 electrode line Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지의 전극 형성방법은, (S1) 전극패턴에 따른 몰드를 제조하는 단계; (S2) 상기 몰드에 전극 형성용 페이스트를 주입하고 이를 경화시켜 전극라인을 형성하는 단계; (S3) 상기 전극라인을 점착제가 묻어 있는 점착 테이프에 부착시키는 단계; (S4) 상기 점착 테이프에 부착된 전극라인을 상기 점착제보다 접착력이 강한 접착제를 이용하여 기재 위에 부착시키고, 상기 점착 테이프를 전극라인으로부터 분리시키는 단계; 및 (S5) 상기 기재 위에 형성된 전극라인을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지의 전극 형성방법에 따르면, 전극 라인의 폭을 줄여 태양전지의 태양광에 대한 반사율을 감소시킬 수 있으며, 전극 라인의 폭을 줄이고 두께를 증가시킴과 동시에 전극 형성을 위해 글라스 프릿과 같은 비금속 물질의 함량을 줄일 수 있어 전극의 저항을 크게 낮출 수 있는바, 태양전지의 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
태양전지, 광기전력효과, 반도체, 전극라인, 점착 테이프, 점착제, 접착제
Description
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 태양전지의 기본적인 구조를 나타낸 개략도이다.
도 2는 일반적인 태양전지의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 전극 형성방법을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및 태양전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전극 라인의 폭을 얇게 하여 태양광에 대한 흡수율을 높일 수 있고 전극의 저항을 낮출 수 있는 태양전지의 전극 형성방법, 이를 포 함하는 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다. 태양전지에는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 전지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양빛(photons)을 전기에너지로 변환시키는 태양광 전지가 있으며, 태양전지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하 태양전지라 한다)를 일컫는다.
태양전지의 기본적인 구조를 나타낸 도 1을 참조하면, 태양전지는 다이오드와 같이 p형 반도체(101)와 n형 반도체(102)의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호 작용으로 (-) 전하를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 이를 광기전력효과(光起電力效果, photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 p형(101) 및 n형 반도체(102) 중 전자는 n형 반도체(102) 쪽으로, 정공은 p형 반도체(101) 쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형 반도체(101) 및 p형 반도체(102)와 접합된 전극(103, 104)으로 이동하게 되고, 이 전극(103, 104)들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있다
이와 같은 태양전지의 출력특성은 일반적으로 솔라시뮬레이터를 이용하여 얻어진 출력전류전압곡선 상에서 출력전류 Ip와 출력전압 Vp의 곱 Ip×Vp의 최대값(Pm)을 태양전지로 입사하는 총광에너지(S×I: S는 소자면적, I는 태양전지에 조 사되는 광의 강도)로 나눈 값인 변환효율 η에 의해 평가된다.
태양전지의 변환효율을 향상시키기 위해서는 태양전지의 태양광에 대한 반사율을 높이고, 캐리어들의 재결합 정도를 줄여야 하며, 반도체 기판 및 전극에서의 저항을 낮추어야 한다. 태양전지에 대한 연구들은 대체로 이들과 관련하여 진행되고 있다.
이와 같은 태양전지의 전극 형성은 일반적으로 전극 형성용 페이스트를 소정 패턴에 따라 반도체 기판 또는 반사방지막에 도포한 후 열처리하는 공정을 통해 이루어진다. 그러나, 이러한 방법에 따르면, 전극 형성용 페이스트가 경화되기 전에는 그 형상을 유지하지 못하고 옆으로 흘러 내려, 예정된 패턴에 따라 전극을 형성하기 어렵고 전극 라인을 가늘게 형성하기 어려워 전지의 반사율을 낮추는데 한계가 있었다. 또한, 전극 형성용 페이스트에는 글라스 프릿 등과 같은 금속 이외의 물질이 다량 함유되어, 전극의 저항을 높이는 문제가 있다.
따라서, 태양전지의 전극 형성방법의 이와 같은 문제점을 해결하려는 노력이 관련 분야에서 꾸준하게 이루어져 왔으며, 이러한 기술적 배경하에서 본 발명이 안출된 것이다
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 태양전지의 전극 형성방법을 개선하여 전극라인의 폭을 줄여 태양광에 대한 반사율을 낮춤과 동시에 전극의 저항을 감소시킴으로써 태양전지의 효율을 향상시키는데 있으며, 이러한 기술적 과제를 달성할 수 있는 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및 태양전지를 제공하는데 본 발명의 목적이 있다
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제의 달성을 위해 본 발명은, (S1) 전극패턴에 따른 몰드를 제조하는 단계; (S2) 상기 몰드에 전극 형성용 페이스트를 주입하고 이를 경화시켜 전극라인을 형성하는 단계; (S3) 상기 전극라인을 점착제가 묻어 있는 점착 테이프에 부착시키는 단계; (S4) 상기 점착 테이프에 부착된 전극라인을 상기 점착제보다 접착력이 강한 접착제를 이용하여 기재 위에 부착시키고, 상기 점착 테이프를 전극라인으로부터 분리시키는 단계; 및 (S5) 상기 기재 위에 형성된 전극라인을 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성방법을 제공한다.
상기 페이스트는 대표적으로 은, 글라스 프릿(Glass frit) 및 바인더(Binder)를 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 점착제로는 대표적으로 고무계열(실리콘 고무, 이스프렌 고무) 점착제, 아크릴레이트계 점착제 또는 실리콘계 점착제 등이 사용될 수 있으며, 상기 접착제로는 이소시아네이트계(Isocyanate계) 또는 에폭시계 접착제 등이 사용될 수 있다.
본 발명은 또한 상기한 본 발명의 전극 형성방법을 포함하여 이루어지는 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한 상기한 본 발명의 태양전지 제조방법을 이용하여 제조되는 태양전지를 제공한다.
이하, 본 발명에 대한 이해를 돕기 위해 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
도 2는 일반적인 태양전지의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 태양전지는 통상 제1 도전형 반도체 기판(201), 상기 제1 도전형 반도체 기판(201) 상에 형성되고 상기 제1 도전형 반도체 기판(201)과 반대 도전형을 가지는 제2 도전형 반도체층(202) 및 상기 제1 도전형 반도체 기판(201)과 제2 도전형 반도체층(202) 사이의 계면에 형성되는 p-n 접합을 포함하는 p-n 구조, 반사율 감소를 위하여 상기 제2 도전형 반도체층에 형성되는 반사방지막(205), 반사방지막을 관통하며 제2 도전형 반도체층과 연결되도록 형성되는 전면전극(203), 제1 도전형 반도체 기판 상에 형성되는 후면전극(204) 및 후면전극과 제1 도전형 기판의 접면에 형성되는 BSF층(206)을 포함하여 이루어진다.
본 발명은 이와 같은 태양전지의 전면전극(203) 및 후면전극(204)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 전극 형성방법은 (S1) 전극패턴에 따른 몰드를 제조하는 단계; (S2) 상기 몰드에 전극 형성용 페이스트를 주입하고 이를 경화시켜 전극라인을 형성하는 단계; (S3) 상기 전극라인을 점착제가 묻어 있는 점착 테이프에 부착시키는 단계; (S4) 상기 점착 테이프에 부착된 전극라인을 상기 점착제보다 접착력이 강한 접착제를 이용하여 기재 위에 부착시키고, 상기 점착 테이프를 전극라인으로부터 분리시키는 단계; 및 (S5) 상기 기재 위에 형성된 전극라인을 열처리하는 단계;를 포함하여 이루어진다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 전극 형성방법을 예시적으로 설명하기 위한 도 면이다. 도 3 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 전극 형성방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 전극 형성방법에 따르면, 먼저 도 3과 같이 전극패턴에 따른 몰드(301)를 제조한다. 후면전극은 제1 도전형 기판 전면에 형성되는 것이 일반적이므로, 본 발명의 전극 형성방법은 전면전극의 형성에 더욱 효과적으로 활용될 수 있다. 전면전극 형성시에는 태양광에 대한 반사도 및 전면전극과 제2 도전형 반도체층과의 접촉 저항을 고려하여, 전극이 차지하는 면적 및 전극의 형태를 적절히 선택할 수 있다. 몰드(301)의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 대표적으로 PDMS(Poly-dimethyl-Siloxane), 금속합금 등이 바람직하게 사용될 수 있다.
몰드(301)가 형성되면, 상기 몰드(301)에 전극 형성용 페이스트를 주입하고 이를 경화시켜 전극라인(311)을 형성한다. 전극 형성용 페이스트의 조성은 특별히 제한되지 않으나, 전면전극에는 대표적으로 은, 글라스 프릿 및 바인더를 포함하는 페이스트가 사용될 수 있으며, 물성 향상을 위해 다른 첨가제들이 첨가될 수 있다. 본 발명의 전극 형성방법을 이용하면, 전극 형성용 페이스트 내에 글라스 프릿과 같은 비금속 물질의 함량을 줄일 수 있고, 전극 라인의 폭은 줄이고 두께를 증가시킴으로 인해 전극의 저항을 낮춰 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
전극라인(311)이 형성되면, 상기 전극라인(311)을 점착제가 묻어 있는 점착 테이프(303)에 부착시킨다. 이 과정은 몰드(301)로부터 전극라인(311)을 분리해 낸 뒤에 전극라인(311)을 점착 테이프에 부착시키거나, 몰드(301)에서 전극라인(311)을 분리해내지 않은 상태로 전극라인(311)을 점착 테이프에 부착시킨 후 몰드(301)를 분리함에 의해서도 이루어질 수 있다. 상기 점착제의 조성은 특별히 제한되지 않으나, 대표적으로 고무계열(실리콘 고무, 이스프렌 고무) 점착제, 아크릴레이트 점착제 또는 실리콘계 점착제가 사용될 수 있다. 도 4 및 도 5는 후자의 경우를 예시적으로 나타내고 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 점착 테이프(303)에 부착된 전극라인(311)을 상기 점착제보다 접착력이 강한 접착제를 이용하여 기재(305) 위에 부착시킨다. 점착제보다 접착력이 강한 접착제를 사용하는 것은, 기재(305)와 전극라인(311) 사이의 결합은 유지한 채 전극라인(311)과 점착 테이프(303) 사이만을 분리하기 위함이다. 이러한 접착제의 조성은 특별히 제한되지 않으나, 대표적으로 이소시아네이트계 또는 에폭시계 접착제가 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 점착 테이프(303)를 전극라인(311)으로부터 분리시킨다. 점착제와 접착제의 접착력 차이로 인해, 기재(305)와 점착 테이프(303)를 반대 방향으로 잡아 당겨 장력을 가하면 점착 테이프(303)와 전극라인(311) 사이만이 분리된다.
마지막으로, 상기 기재(305) 위에 형성된 전극라인(311)을 열처리한다. 전면전극의 경우 통상적으로 반사방지막 위에 형성되는데, 이러한 열처리를 통해 전극라인(311)이 반사방지막을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 연결될 수 있다(punch through). 또한, 후면전극의 경우 이러한 열처리를 통해 후면전극과 제1 도전형 반도체 기판이 접하는 부분에 BSF(Back Surface Field)층이 형성된다.
본 발명의 태양전지의 제조방법은 앞서 설명한 바와 같은 전극 형성방법을 포함하여 이루어지는 것으로, 제1 도전형 반도체 기판(201) 에 제2 도전형 반도체 층(202) 즉 에미터층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층(202) 위에 반사방지막(205)을 형성하는 단계; 상기 반사방지막(205)을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층(202)에 연결되도록 전면전극(203)을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형 반도체 기판(201)을 사이에 두고 상기 전면전극(203)과 반대측에, 상기 제1 도전형 반도체 기판(201)과 연결되도록 후면전극(204)을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 전극 형성방법은 전면전극(203) 또는 후면전극(204) 형성 단계에서 채용될 수 있다.
본 발명의 태양전지의 제조방법에 따르면, 먼저 제1 도전형 반도체 기판(201) 상에 그에 반대 도전형의 제2 도전형 반도체층(202)을 형성하여 그 계면에 p-n 접합을 형성한다. 제1 도전형 반도체 기판(201)으로는 대표적으로 p형 실리콘 기판이 이용되며, 예를 들어 p형 실리콘 기판에 n형 도펀트(dopant)를 도포한 후 열처리하여 n형 도펀트가 p형 실리콘 기판으로 확산되도록 함으로써 p-n 접합을 형성할 수 있다.
다음으로, 제2 도전형 반도체층(202) 상에 반사방지막(205)을 형성한다. 반사방지막(205)은 대표적으로 실리콘나이트라이드로 형성될 수 있으며, 반사방지막(205)의 형성에는 화학기상증착 및 플라즈마 화학기상증착 방법 등이 이용될 수 있다.
마지막으로, 상기 반사방지막(205)을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층(202)에 연결되도록 전면전극(203)을 형성하고, 상기 제1 도전형 반도체 기판(201)을 사이에 두고 상기 전면전극(203)과 반대측에, 상기 제1 도전형 반도체 기판(201)과 연결되도록 후면전극(204)을 형성한다. 전면전극(203) 형성 및 후면전극(204) 형성은 그 순서를 바꾸어도 무방하며, 각각의 페이스트를 도포한 후 동시에 열처리함에 의해서도 역시 가능하다.
상기 제조방법을 통해 제조된 태양전지는 전극 라인이 폭이 얇아 태양광에 대한 반사율이 낮으며, 전극 라인의 폭을 줄이고 두께를 증가시킬 뿐만 아니라 전극 형성을 위해 글라스 프릿과 같은 비금속 물질의 함량을 줄일 수 있어 전극의 저항이 낮아, 향상된 효율을 나타낸다.
본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되지 않아야 하며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명의 태양전지의 전극 형성방법에 따르면, 전극 라인의 모양 및 폭의 조절이 용이하고, 전극 라인의 폭을 줄여 태양전지의 태양광에 대한 반사율을 감소시킬 수 있으며, 전극 라인의 폭을 줄이고 두께를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 전극 형성을 위해 글라스 프릿과 같은 비금속 물질의 함량을 줄일 수 있어 전극의 저항을 크게 낮출 수 있는바, 태양전지의 효율을 크게 향상시킬 수 있다.
Claims (6)
- (S1) 전극패턴이 형성된 몰드에 전극 형성용 페이스트를 주입하고 이를 경화시켜 전극라인을 형성하는 단계;(S2) 상기 전극라인을 점착제가 묻어 있는 점착 테이프에 부착시키는 단계;(S3) 상기 점착 테이프에 부착된 전극라인을 상기 점착제보다 접착력이 강한 접착제를 이용하여 서로 p-n접합을 형성하는 제1 도전형 반도체 기판 및 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 위에 배치되는 반사방지막을 포함하는 기재 위에 부착시키고, 상기 점착 테이프를 전극라인으로부터 분리시키는 단계;(S4) 열처리에 의해 상기 기재 위에 형성된 전극라인이, 상기 반사방지막을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층에 연결되는 단계;를 포함하고,상기 접착제는 이소시아네이트계 또는 에폭시계 접착제인 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 페이스트는 은, 글라스 프릿 및 바인더를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성방법.
- 제1항에 있어서,상기 점착제는 고무계열 점착제, 아크릴레이트계 점착제 및 실리콘계 점착제로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 전극 형성방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060121709A KR101223023B1 (ko) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060121709A KR101223023B1 (ko) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080050862A KR20080050862A (ko) | 2008-06-10 |
| KR101223023B1 true KR101223023B1 (ko) | 2013-01-17 |
Family
ID=39806030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060121709A KR101223023B1 (ko) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101223023B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101089088B1 (ko) * | 2008-09-12 | 2011-12-06 | 주식회사 엘지화학 | 전력 손실이 최소화된 태양전지용 전면 전극 및 이를 포함하는 태양전지 |
| KR101127693B1 (ko) * | 2008-12-18 | 2012-03-23 | 주식회사 엘지화학 | 고단차 패턴 제조 방법 |
| WO2010137854A2 (ko) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | 주식회사 엘지화학 | 고효율 태양전지 전면 전극의 제조 방법 |
| US8936709B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-01-20 | Gtat Corporation | Adaptable free-standing metallic article for semiconductors |
| US20150129024A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-14 | Gtat Corporation | Free-Standing Metallic Article With Expansion Segment |
| US8916038B2 (en) | 2013-03-13 | 2014-12-23 | Gtat Corporation | Free-standing metallic article for semiconductors |
| US20140261661A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Gtat Corporation | Free-standing metallic article with overplating |
| US8569096B1 (en) * | 2013-03-13 | 2013-10-29 | Gtat Corporation | Free-standing metallic article for semiconductors |
| US9112097B2 (en) | 2013-09-27 | 2015-08-18 | Sunpower Corporation | Alignment for metallization |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040462A (ja) | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toray Ind Inc | ディスプレイ用基板の製造方法 |
| KR20060011165A (ko) * | 2004-07-29 | 2006-02-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 제조방법 |
| KR20060065009A (ko) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치의 전극형성방법 |
| JP2006278428A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタの形成方法 |
-
2006
- 2006-12-04 KR KR1020060121709A patent/KR101223023B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000040462A (ja) | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Toray Ind Inc | ディスプレイ用基板の製造方法 |
| KR20060011165A (ko) * | 2004-07-29 | 2006-02-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 제조방법 |
| KR20060065009A (ko) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치의 전극형성방법 |
| JP2006278428A (ja) | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080050862A (ko) | 2008-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101223023B1 (ko) | 태양전지의 전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 | |
| KR100964153B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조되는 태양전지 | |
| KR20200079472A (ko) | 슁글드 모듈 구조의 태양전지 스트링 제조방법 및 태양전지 모듈 | |
| RU2590284C1 (ru) | Солнечный элемент | |
| US20100147374A1 (en) | Electrode of solar cell and fabricating method thereof | |
| CN104868007A (zh) | 聚光型光电转换装置及其制造方法 | |
| KR20130111815A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101284271B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지 | |
| KR20090078275A (ko) | 요철 형태의 절연막을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101223028B1 (ko) | 태양전지의 전면전극 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 | |
| KR20110080663A (ko) | 태양광 발전장치 | |
| KR20090110024A (ko) | 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| KR20080105280A (ko) | 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지 | |
| KR101223061B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지 | |
| KR20090050334A (ko) | 태양전지의 ｌｂｓｆ 후면 전극 형성방법 | |
| KR101223021B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 태양전지 | |
| KR101322628B1 (ko) | 태양전지의 후면반사막 형성방법, 이를 포함하는후면전극부 형성방법 및 태양전지의 제조방법 | |
| KR101459039B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101305603B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR101223055B1 (ko) | 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조되는 태양전지 | |
| KR101459041B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| KR101282929B1 (ko) | 태양전지 및 그의 제조방법 | |
| KR20080105268A (ko) | 태양전지의 부동층 형성방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지 | |
| KR101820600B1 (ko) | 전극 구조물의 형성 방법 및 이를 이용한 태양 전지의 제조 방법 | |
| KR20080087337A (ko) | Ｉｂｃ형 태양전지의 제조방법 및 ｉｂｃ형 태양전지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151224 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |