TWI653917B - 基板分離設備 - Google Patents

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TWI653917B
TWI653917B TW103113602A TW103113602A TWI653917B TW I653917 B TWI653917 B TW I653917B TW 103113602 A TW103113602 A TW 103113602A TW 103113602 A TW103113602 A TW 103113602A TW I653917 B TWI653917 B TW I653917B
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李榮祐
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Abstract

一種基板分離設備係被揭露。基板分離設備分離彼此接觸之第一基板及第二基板。基板分離設備包含上傳輸部，上傳輸部固定第一基板且於由彼此垂直相交的X軸及Y軸所組成的XY座標系統中沿正X軸方向傳送第一基板；以及下傳輸部，下傳輸部設置於上傳輸部之下方，具一間隙於其間，且固定並傳送第二基板，其中下傳輸部包括於正X軸方向傳送第二基板之第一傳送段、以及於正X軸方向及負Y軸方向傳送第二基板之第二傳送段。

Description

基板分離設備
本發明一般相關於一種基板分離設備。
近來，具有可撓性之電子裝置之重要性日益增加。因此，係需要於可撓式基板上用於執行各種形式之顯示器之各種科技，舉例而言，例如有機發光二極體(OLED)顯示器、電泳顯示器(EPD)、電漿顯示面板(PDP)、薄膜電晶體(THT)、微處理器以及隨機存取記憶體(RAM)。
為了製造電子裝置於可撓式基板上，附接可撓式基板於由堅硬材料所製造之載體基板以及形成電子裝置之方法已被提出。於此方法中，分離載體基板以及可撓式基板之程序係被執行。
然而，電子裝置於分離載體基板及可撓式基板之程序中可能損壞或碎裂，載體基板及可撓式基板由於產生於分離程序中之靜電可能無法順利被分離，且在異物由於靜電而黏著於載體基板以及可撓式基板上時污染可能會產生。
本發明之一或多個例示性實施例提供一種基板分離設備，其可穩定地分離第一基板以及可撓性第二基板。
本發明之一或多個例示性實施例亦提供一種基板分離設備及用於分離基板之方法，其可藉由於基板分離程序中控制靜電而最小化污染。
然而，本發明之例示性實施例並未侷限於本文所闡述之內容。對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者來說本發明之上述及其他例示性實施例將藉由參考下述本發明之實施方式而變得更加顯而易見。
根據本發明之例示性實施例，提供一種基板分離設備以分離彼此接觸之第一基板及第二基板。基板分離設備包括上傳輸部，上傳輸部固定第一基板且於由彼此垂直相交的X軸及Y軸所組成的XY座標系統中於正X軸方向中傳送第一基板；以及下傳輸部，下傳輸部設置於上傳輸部之下方，具一間隙於其間，且固定並傳送第二基板，其中下傳輸部包括於正X軸方向傳送第二基板之第一傳送段、以及於正X軸方向及負Y軸方向傳送第二基板之第二傳送段。
1‧‧‧基板分離設備
10‧‧‧堆疊結構
11‧‧‧第二基板
13‧‧‧第一基板
19‧‧‧間隙
100‧‧‧下傳輸部
110‧‧‧下容置單元
111‧‧‧第一傳送段
111a、113a‧‧‧上表面
113‧‧‧第二傳送段
113-1‧‧‧第一段
113-2‧‧‧第二段
113-3‧‧‧第三段
113-4、113-6‧‧‧曲段
113-5‧‧‧平坦段
113c‧‧‧第一側
113d‧‧‧第二側
130‧‧‧下固定單元
151、153‧‧‧下驅動單元
155‧‧‧下導引體
300‧‧‧上傳輸部
310‧‧‧上容置單元
330‧‧‧上固定單元
331‧‧‧第一真空抽取部分
333‧‧‧第二真空抽取部分
350‧‧‧第一上支架
370‧‧‧第二上支架
380‧‧‧第三上支架
390、390a、390b‧‧‧上導引體
500‧‧‧分離器
510‧‧‧刀片
530‧‧‧第一刀片支架
540‧‧‧第二刀片支架
550‧‧‧第三刀片支架
560‧‧‧第四刀片支架
700a、700b‧‧‧輔助分離器
710a、710b‧‧‧輔助刀片
730a、730b‧‧‧輔助刀片支架
910a、910b、930a、930b‧‧‧離子產生器
A、B、C、D‧‧‧方向
D0、D1、D2、D3、r‧‧‧距離
L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、M1、M2‧‧‧直線
P‧‧‧原點
P1‧‧‧第一位置
P2‧‧‧第二位置
P3‧‧‧第三位置
P4‧‧‧第四位置
P5‧‧‧第五位置
P6‧‧‧第六位置
P7‧‧‧第七位置
P8‧‧‧第八位置
P9‧‧‧第九位置
P10‧‧‧第十位置
P11‧‧‧第十一位置
P12‧‧‧第十二位置
P13‧‧‧第十三位置
P14‧‧‧第十四位置
P15‧‧‧第十五位置
P16‧‧‧第十六位置
P17‧‧‧第十七位置
P18‧‧‧第十八位置
PA1‧‧‧第一區域
PA2‧‧‧第二區域
α 1、α 2、α3、α4‧‧‧銳角
本發明之上述及其他例示性實施例及特徵將藉由參考附圖詳述其例示性實施例而變得更加顯而易見，其中： 第1圖係為根據本發明之基板分離設備之一種例示性實施例之剖面示意圖； 第2圖係為說明顯示於第1圖中之下傳輸部之一種例示性實施例之示意結構之剖面圖； 第3圖係為說明顯示於第1圖中之下傳輸部之一種例示性實施例之示意結構之透視圖；第4圖係為說明顯示於第1圖中之第一傳送段及第二傳送段之一種例示性實施例之剖面圖；第5圖係為說明顯示於第1圖中之第一傳送段及第二傳送段之另一種例示性實施例之剖面圖；第6圖係為說明顯示於第1圖中之第一傳送段及第二傳送段之另一種例示性實施例之剖面圖；第7圖係為顯示於第1圖中之第一傳送段及第二傳送段之另一種例示性實施例之剖面圖；第8圖係為顯示於第1圖中之第一傳送段及第二傳送段之另一種例示性實施例之剖面圖；第9圖係為顯示於第1圖中之第一傳送段及第二傳送段之另一種例示性實施例之剖面圖；第10圖係為顯示於第1圖中之第一傳送段及第二傳送段之另一種例示性實施例之剖面圖；第11圖係為說明顯示於第1圖中之上傳輸部之示意結構之透視圖；第12圖係為說明顯示於第1圖中之上固定單元之例示性實施例之示意結構之剖面圖；第13圖係為說明顯示於第1圖中之上固定單元之例示性實施例之示意結構之仰視圖； 第14圖係為說明顯示於第1圖中之分離器之一種例示性實施例之示意結構之剖面圖； 第15圖係為說明顯示於第1圖中之分離器之例示性實施例之示意結構之透視圖； 第16圖係為說明顯示於第1圖中之分離器之另一種例示性實施例之示意結構之透視圖； 第17圖係為說明根據本發明之一種例示性實施例之分離器之運作之透視圖； 第18圖係為說明根據本發明之一種例示性實施例之上固定單元及分離器之運作之剖面示意圖； 第19圖係為說明根據本發明之另一種例示性實施例之上固定單元及分離器之運作之剖面示意圖； 第20圖係為說明於根據本發明之基板分離設備中根據本發明之一種例示性實施例之輔助分離器及離子產生器之佈署之透視示意圖；以及 第21圖至第23圖係為說明根據本發明之一種例示性實施例之用於分離基板之方法之各步驟以及基板分離設備之運作之剖面圖。
本發明之優點及特徵及完成本發明之方法藉由參考下列詳細敘述之例示性實施例及附圖可更容易理解。然而，本發明可實施於多種不同形式且不應解釋為侷限於本文所述之例示性實施例。相反地，此些例示性實施例係提供以使得此揭露內容將徹底且完整，且將完全地傳達本發明之概念給所屬技 術領域中具有通常知識者，且本發明將僅藉由後附之申請專利範圍所定義。全 文中相同之參考符號係對應於相同之元件。於圖式中，層及區域的尺寸及相對尺寸可為了清楚而被誇大。
其將理解的是，當一元件或層被稱為於另一元件或層「上(on)」時，其可直接位於其他元件或層上，亦或者可存在中間元件或層。
空間相對用語，例如「下(below)」、「下(beneath)」、「下(lower)」、「上(above)」、「上(upper)」及其他相似用語，可為了說明方便於本文使用以描述一元件或特徵與另一元件或特徵之對應關係，如圖式所示。其將理解的是，除了圖式所繪示之定向以外，空間相對用語係旨在涵蓋裝置於使用或操作中之不同定向。整份說明書中相同的參考符號係代表相同的元件。
本發明實施例在本文中參考為本發明之理想化的實施例之示意圖式之平面及剖面示意圖而敘述。如此一來，例如製造技術及/或公差之結果而與圖示之形狀之差異係為可預期的。因此，本發明的實施例不應詮釋為侷限於本文所示的區域之特定形狀，而是包含例如從製造得出之結果之形狀上的差異。藉此，圖式中所繪示之區域本質上為示意性的，且其形狀非旨在說明裝置之區域的實際形狀，且並非旨在侷限本發明之範疇。
其將理解的是，儘管本文可使用第一、第二、第三等用語以描述不同之元件，但此些元件並不應侷限於此些用語。此些用語僅用以區分一元件與另一元件。因此，下述之第一元件可描述為第二元件，而未脫離本發明之教示。
本文所使用之術語僅用以描述特定之實施例之目的，且非旨在侷限。當本文使用時，除非內文有另行清楚標示，否則單數形式「一(a)」、「一 (an)」及「該(the)」係旨在一併包含包括「至少一(at least one)」之複數形式。「或(or)」意味著「及/或(and/or)」。當本文使用時，術語「及/或(and/or)」包括一或多個相關條列項目之任意及全部組合。其更將理解的是，當於此說明書使用時，術語「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」或「包含(includes)」及/或「包含(including)」係指明所述特徵、區域、數字、步驟、操作、元件及/或構件之存在，但未排除一或多個其他特徵、區域、數字、步驟、操作、元件、構件及/或其組合之存在或增加。
考慮有疑慮之量測及對於特定量之量測相關之誤差(即量測系統之極限)，本文使用之「大約(about)」或「約(approximately)」係包含所述值，且代表技術領域中具有通常知識者於判斷特定數值時之可接受的誤差範圍。舉例而言，「大約(about)」可代表著一或多個標準差，或者所述數值之正負30%、20%、10%或5%內。
除非另有定義，否則本文使用之全部術語(包括技術及科學性用語)具有與屬於本發明技術領域中具有通常知識者所一般理解之相同意思。其將更理解的是，那些例如定義於常用字典中之術語應解釋為具有與本發明及相關技術內容之意義相符之意思，且除非本文表述性定義，否則將不以理想化或過度正式性地解釋。
以下，將參照附圖敘述本發明之例示性實施例。
第1圖係為根據本發明之一種例示性實施例之基板分離設備1之剖面示意圖。
參照第1圖，根據本發明之基板分離設備1係配置以分離第二基板11及第一基板13之堆疊結構10為第二基板11及第一基板13，其中第一基板13被設置於第二基板11上以接觸第二基板11。
堆疊結構10之第二基板11可為可撓性且只要為可撓性即可包括任何形式。於一例示性實施例中，第二基板11可為薄膜、薄板或可撓式印刷電路板(FPCB)，舉例來說。此外，第二基板11可包括具有可撓性之電子裝置。此電子裝置可為選自於包括有機發光二極體(OLED)顯示器、白色有機發光二極體(WOLED)顯示器及液晶顯示器(LCD)所組成之群組之一或多個顯示器。第二基板11可亦包括可撓式絕緣基板(例如聚醯亞胺基板)以及安裝於可撓式絕緣基板上之電子裝置。
第一基板13可為可撓性或剛性。於一例示性實施例中，第一基板13可為薄膜、薄板或包括薄膜或薄板之電子裝置，舉例來說。於另一例示性實施例中，第一基板13可為剛性載體基板或顯示窗，舉例來說。當第一基板13是剛性時，第一基板13可為但並不局限於玻璃基板、石英基板、藍寶石基板或陶瓷基板之任一者。
用以分離第二基板11和第一基板13之基板分離設備1可包括下傳輸部100及上傳輸部300，上傳輸部300設置於下傳輸部100上，具一間隙於其間，且基板分離設備1可更包括分離器500。
下傳輸部100配置以固定及傳輸第二基板11。下傳輸部100可包括接觸設置於其上之堆疊結構10之第二基板11之下表面之下容置單元110、固定堆疊結構10之下表面，特別是，第二基板11之下表面之下固定單元130、以及移動下容置單元110以傳輸第二基板11之下驅動單元(未繪示)。
下容置單元110可包括第一傳送段111及第二傳送段113。於第一傳送段111中，第二基板11可被傳輸於方向C中，也就是，正X軸方向。於第二傳送段113中，第二基板11可被傳輸於方向D中，也就是，由正X軸方向及負Y軸方向之加總所指出之方向。如此所用，正方向為由圖式中所示之各軸之箭頭所指出之方向，而負方向為由相反於由圖式中所示之各軸之箭頭所指出之方向之方向。此外，⊙指出箭頭指向圖式之正向。也就是說，⊙指出箭頭凸出圖式。此外，指出箭頭指向圖式之反向。也就是說，指出箭頭指向相反於由⊙所指出之方向之方向。
當堆疊結構10安裝於下容置單元110上時，下固定單元130可固定第二基板11之下表面於下容置單元110上。然後，下驅動單元可移動下容置單元110。藉此，固定於下容置單元110上之第二基板11於第一傳送段111中可被傳輸於方向C中，且於第二傳送段113中可被傳輸於方向D中。
上傳輸部300配置以固定及傳輸第一基板13。上傳輸部300可包括接觸第一基板13之上表面之上容置單元310、設置於上容置單元310之下部上或上容置單元310之下部中且固定第一基板13之上表面之上固定單元330、以及移動上容置單元310以傳輸第一基板13之上驅動單元(未繪示)。
上容置單元310可形成外部之用以傳輸第一基板13之部分。上容置單元310之尺寸及形狀可根據第一基板13之尺寸及形狀而設計。
於一種例示性實施例中，上固定單元330可設置於上容置單元310之下部中以固定第一基板13之上表面，且可包括真空抽取部分。
於另一例示性實施例中，當堆疊結構10設置於下傳輸部100上時，上驅動單元可沿方向A移動上容置單元310，也就是，負Y軸方向。藉此， 上容置單元310可接觸第一基板13之上表面。上固定單元330可固定第一基板13之上表面。上驅動單元可藉由沿方向B移動上容置單元310，也就是，正X軸方向，來傳輸第一基板13。為了引導上容置單元310於方向B之移動，上導引體390可進一步被安裝。
於第一區域PA1中，第一基板13及第二基板11可移動於相同之速度。於此，用語「速度」表示包括方向分量及數值分量之向量值。也就是說，第一基板13於第一區域PA1中之行進距離及方向可相同於第二基板11於第一區域PA1中之行進距離及方向。換句話說，於第一區域PA1中，於其中第一基板13及第二基板11互相接觸且其中堆疊結構10之上表面藉由上固定單元330所固定而堆疊結構10之下表面藉由下固定單元130所固定之情況下，堆疊結構10可沿著第一傳送段111被傳輸。也就是說，第一區域PA1可被定義為一區域，其中第一基板13及第二基板11未物理性相互分離，且第一基板13及第二基板11同時傳輸於相同之方向。第二基板11設置於其上之下容置單元110之第一傳送段111可被定義為對應於第一區域PA1之部分。也就是說，第一傳送段111係為對應於第一區域PA1之下容置單元110之一部分。
於第二區域PA2中，第一基板13及第二基板11可移動於不同之速度。特別是，第一基板13之移動速度之Y軸方向分量可不同於第二基板11之移動速度之Y軸方向分量。於一例示性實施例中，舉例來說，第一基板13之移動速度之Y軸方向分量於第二區域PA2中可大致上為零，而第二基板11之移動速度之Y軸方向分量於第二傳送段113中可具有負Y軸值。於第二區域PA2中第一基板13之移動速度之X軸方向分量可相同或不同於第二傳送段113中第二基板11之移動速度之X軸方向分量。
也就是說，於第二傳送段113中，第二基板11相對於負Y軸方向移動相對於第一基板13。因為於其中第二基板11之下表面藉由下固定單元130所固定而第一基板13之上表面藉由上固定單元330所固定之情況下，第二基板11及第一基板13係相對於彼此移動而可逐漸地相互分離。也就是說，第二區域PA2可被定義為其中在於Y軸方向中相對於彼此移動時第一基板13及第二基板11相互分離之一區域。第二基板11設置於其上之下容置單元110之第二傳送段113可被定義為對應於第二區域PA2之部分。也就是說，第二傳送段113可為對應於第二區域PA2之下容置單元110之一部分。
如上所述，因為第二基板11及第一基板13於進入第二區域PA2後係逐漸地相互分離，故可穩定地被分離而最小化施加於第二基板11或第一基板13之壓力，且分離速度可被調整。再者，於基板分離程序中有效地防止接觸第二基板11之上表面上為可能的，藉此有效地防止第二基板11之上表面於分離程序中被汙染。
為了於第二區域PA2中促成第二基板11與第一基板13之分離，基板分離設備1可更包括部分地分離第一基板13及第二基板11之分離器500。
分離器500可包括細邊或銳邊工具，例如刀片510。刀片510可於XYZ座標系統中沿著垂直相交於X軸及Y軸之Z軸之方向，來部分地分離相互接觸之第二基板11及第一基板13。也就是說，分離器500可藉由使用刀片510初始地分離第二基板11及第一基板13。於一例示性實施例中，於堆疊結構10進入第二區域PA2之前，也就是，當第二基板11位於第一傳送段111中時，使用刀片510分離第一基板13及第二基板11之程序可被執行。
換句話說，相互接觸之第二基板11及第一基板13可藉由分離器500之刀片510沿著Z軸方向被部分地分離，且堆疊結構10於第一基板13及第二基板11藉由刀片510而部分分離後可被傳輸至第二區域PA2。
藉此，沿著第二傳送段113於第二區域PA2中傳輸之第二基板11、以及沿著正X軸方向於第二區域PA2中傳輸之第一基板13可較輕易地被分離。
於一例示性實施例中，為了促成使用刀片510部分地分離第二基板11及第一基板13之程序，於進入第二區域PA2之前，沿著第一傳送段111於第一區域PA1中傳輸之堆疊結構10可止動(be stopped)。然後，當堆疊結構10為靜止時使用刀片510部分地分離第二基板11及第一基板13之程序可被執行。
第2圖及第3圖係為說明顯示於第1圖中之下傳輸部100之一種例示性實施例之示意結構之剖面圖及透視圖。
參照第2圖及第3圖，下傳輸部100(視第1圖)可包括下容置單元110及下固定單元130，如上述參照第1圖所述，且更包括下驅動單元151及153。
相似於第二基板11(視第1圖)，下容置單元110可為可撓性。於一例示性實施例中，下容置單元110可被形成於例如為傳輸帶或輸送帶之形式。然而，下容置單元110之形式並不局限於此所述之形式。也就是說，下容置單元110可形成為可反映可撓式第二基板11之形狀之改變(例如彎折)之所有形式(例如可撓式板)。雖然下容置單元110被描述為如下之例示性實施例之傳輸帶，然而本發明並不局限於此例示性實施例。
當下容置單元110為傳輸帶時，第一傳送段111可被定義為對應於參照第1圖之上述之第一區域PA1的下容置單元110之一部分，且第二傳送段113可被定義為對應於參照第1圖之上述之第二區域PA2的下容置單元110之一部分。
於一例示性實施例中，下固定單元130可包括真空抽取部分，真空抽取部分包含複數個真空孔洞形成於下容置單元110中且真空吸住設置於下容置單元110上之第二基板11(視第1圖)。也就是說，當第二基板11設置於下容置單元110上時，下固定單元130可透過孔洞吸入空氣，藉此創造真空於下容置單元110及第二基板11之間。因此，第二基板11可被固定於下容置單元110。然而，此僅為一例示性實施例，且下固定單元130可亦包括形成於下容置單元110上之真空吸盤或橡膠吸盤。也就是說，被發展且商業化，或依據未來技術發展而實現之全部吸力配件(means of suction)可用以作為本發明之下固定單元130。
下驅動單元151及153產生驅動力以傳輸固定於下容置單元110上之第二基板11(視第1圖)。當下容置單元110被形成為傳輸帶或輸送帶之形式時，下驅動單元151及153可被形成為驅動滾子之形式。驅動滾子可包括設置於下容置單元110之一側之第一下驅動滾子(即下驅動單元151)、以及設置於下容置單元110之另一側之第二下驅動滾子(即下驅動單元153)。也就是說，於一例示性實施例中，下驅動單元151及153可被形成為滾子之形式，且滾子可轉動於由箭頭所指之方向，以於正X軸方向傳輸固定於下容置單元110上之第二基板11(視第1圖)。然而，上述僅係為一種例示性實施例，且並沒有限制下驅動單元151及153之形式。
用以引導下容置單元110之下導引體155可更被提供於下容置單元110(視第1圖)之第一傳送段111及第二傳送段113之間。也就是說，下容置單元110藉由下導引體155可被分為第一傳送段111及第二傳送段113。
於一例示性實施例中，下導引體155可成形為具有平坦的上及下表面的矩形支柱，如第2圖及第3圖所示。然而，此僅係為一種例示性實施例，且下導引體155可具有多種形狀，例如圓柱、滾子等。
第4圖係為說明顯示於第1圖中之第一傳送段111及第二傳送段113之一種例示性實施例之剖面圖。
參照第4圖，根據所述實施例之第一傳送段111可成形為例如平行於X軸之平面，且第二基板11(視第1圖)於第一傳送段111中可沿著正X軸方向被傳輸。
根據所述實施例之第二傳送段113係連續於第一傳送段111。於第二傳送段113中，第二基板11可移動於正X軸方向及負Y軸方向中。也就是說，第二傳送段113上之第二基板11係於XY座標系統中沿具有負斜率之一方向被傳輸。
下容置單元110之第二傳送段113之上表面113a可接觸具有負斜率之直線L1。也就是說，直線L1係為於XY座標系統中第二傳送段113之上表面113a之切線。直線L1之斜率在整個第二傳送段113之整個上表面113a上可為定值。
特別是，假設第一傳送段111之上表面111a與第二傳送段113之上表面113a之間之界線為XY座標系統之原點P，原點P可具有(0,0)之座標值。此外，第二傳送段113上之第一位置P1、第二位置P2及第三位置P3可各別地具有(x1,-y1)、(x2,-y2)及(x3,-y3)之座標值，其中xn及yn具有正實數值，且n係為正整數。於此，接觸第一位置P1之直線之斜率、接觸第二位置P2之直線之斜率以及接觸第三位置P3之直線之斜率可為相等的。換句話說，第二傳送段113可包括向 下傾斜之平面，也就是，平坦之傾斜面。因此，投射於XY座標系統上之第一位置P1、第二位置P2及第三位置P3可位於XY座標系統中之相同直線L1上。
由XY座標系統中之直線L1及正X軸所形成之銳角α 1可為大於約0度至約45度之範圍中。因此，沿著順時針方向從第二傳送段113之上表面113a至第一傳送段111之上表面111a所測量之角度可介於大於約135度至小於約180度。也就是說，藉由第一傳送段111之下表面以及第二傳送段113之下表面所形成之角度介於從大於約135度至小於約180度，其中下表面係相對於上表面。換句話說，沿著順時針方向從第一傳送段111之上表面111a至第二傳送段113之上表面113a所測量之角度可介於從大於約180度至小於約225度。然而，此僅係為一種例示性實施例，且當需要時，由第一傳送段111之上表面111a及第二傳送段113之上表面113a所形成之角度可被適當地改變。
第5圖係為說明顯示於第1圖中所示之第一傳送段111及第二傳送段113之另一種例示性實施例之剖面圖。除了第二傳送段113之形狀以外，顯示於第5圖中之結構係相似於顯示於第4圖中之結構。
參照第5圖，第二傳送段113之上表面113a可接觸具有負斜率之直線L2、L3及L4。也就是說，直線L2、L3及L4係為於XY座標系統中第二傳送段113之上表面113a之切線。
隨著與第一傳送段111之距離增加，直線L2、L3及L4之斜率可增加。也就是說，假設第一傳送段111之上表面111a與第二傳送段113之上表面113a之間之界線為XY座標系統之原點P，原點P可具有(0,0)之座標值。此外，第二傳送段113上之第四位置P4、第五位置P5及第六位置P6可各別地具有(x4,-y4)、(x5,-y5)及(x6,-y6)之座標值。於此，接觸第四位置P4之直線L2之斜率可較為平緩 於接觸第五位置P5之直線L3之斜率，且接觸第五位置P5之直線L3之斜率可較為平緩於接觸第六位置P6之直線L4之斜率。也就是說，隨著與第一傳送段111之距離增加，每一直線之斜率之絕對值可增加。
也就是說，第二傳送段113可包括向下傾斜之曲面。因此，投射於由XY座標系統所形成之XY平面上之第四位置P4、第五位置P5及第六位置P6可位於XY座標系統中之相同曲線上，且隨著與第一傳送段111之距離增加，至每一位置P4、P5或P6之切線之直線L2、L3或L4之斜率可增加。
於此，隨著與第一傳送段111之距離增加，由正X軸及各別地接觸第四位置P4、第五位置P5及第六位置P6之直線L2、L3及L4所形成之銳角α 2、α 3及α 4可增加。也就是說，於第5圖中，銳角α 2、α 3及α 4之間的關係可為α 2<α 3<α 4。
第6圖係為說明顯示於第1圖中之第一傳送段111及第二傳送段113之另一種例示性實施例之剖面圖。顯示於第6圖中之結構係相似於顯示於第4圖及第5圖中之結構，除了第二傳送段113之形狀以外。
參照第6圖，第二傳送段113之上表面113a可接觸具有負斜率之直線L5、L6及L7。也就是說，直線L5、L6及L7係為於XY座標系統中至第二傳送段113之上表面113a之切線。
假設第一傳送段111之上表面111a與第二傳送段113之上表面113a之間之界線為XY座標系統之原點P，原點P可具有(0,0)之座標值。此外，位於第二傳送段113之上表面113a之第一段113-1中之第七位置P7，可具有(x7,-y7)之座標值。於此，隨著第一段113-1中之x7之數值增加，至第七位置P7之切線之直線 L5之斜率可增加。也就是說，隨著與第一傳送段111之距離增加，第一段113-1可包括向下傾斜之曲面，且第一段113-1之曲面之斜率可增加。
位於第二傳送段113之上表面113a之第二段113-2(連續於第一段113-1)中之第八位置P8可具有(x8,-y8)之座標值。於此，即使當第二段113-2中之x8之數值增加時，至第八位置P8之切線之直線L6之斜率可維持定值。也就是說，第二段113-2可包括向下傾斜之平面，即平坦之傾斜面。
位於第二傳送段113之上表面113a之第三段113-3(連續於第二段113-2)中之第九位置P9可具有(x9,-y9)之座標值。於此，隨著第三段113-3中之x9之數值增加，至第九位置P9之切線之直線L7之斜率可減少。也就是說，第三段113-3可包括向上傾斜之曲面，且隨著與第一傳送段111之距離增加，第三段113-3之曲面之斜率可降低。然而，此僅為一種例示性實施例，並且，儘管未繪示於第6圖中，隨著第三段113-3中之x9之數值增加，至第九位置P9之切線之直線L7之斜率亦可增加。也就是說，就像第一段113-1，第三段113-3可包括向下傾斜之曲面，且隨著與第一傳送段111之距離增加，第三段113-3之曲面之斜率可增加。
如上所述，根據所述實施例之第二傳送段113可包括傾斜面，且此傾斜面可包括曲面、平面及曲面之組合。
儘管未繪示於第6圖中，第一段113-1至第三段113-3之位置可被改變。也就是說，第二段113-2可被形成於連續於第一傳送段111之位置，且第一段113-1及第三段113-3可依序地形成。於第6圖中，第二傳送段113之上表面113a包括二個曲面及一個平面。然而，此僅為一種例示性實施例。也就是說，並沒有局限形成第二傳送段113之上表面113a之平面及曲面之各別數量及位置。第二傳 送段113之上表面113a可亦包括僅有具有不同斜率之複數個平面，亦或僅有具有不同斜率之複數個曲面。
第7圖係為顯示於第1圖中之第一傳送段111及第二傳送段113之另一種例示性實施例之剖面圖。
參照第7圖，根據所述實施例之第一傳送段111可包括平面，且第二基板11(視第1圖)可沿著正X軸方向於第一傳送段111中被傳輸。
第二傳送段113之第一側113c可接觸第一傳送段111，且第二傳送段113之第二側113d可相對於第一傳送段111位於較低之位置。第一傳送段111及第二傳送段113之間之高度差可從第二傳送段113之第一側113c至第二側113d逐漸地增加。也就是說，第二傳送段113可從第一側113c至第二側113d沿一方向傾斜。
於所述實施例中，第一傳送段111及第二傳送段113之間之高度差可從第二傳送段113之第一側113c至第二側113d依一恆定比率增加。假設第一傳送段111之上表面111a與第二傳送段113之上表面113a之間之界線為XY平面之原點P，原點P可具有(0,0)之座標，舉例來說。此外，任意點，即於第二傳送段113之上表面113a上之第十位置P10、第十一位置P11及第十二位置P12可各別地具有(x10,-y10)、(x11,-y11)及(x12,-y12)之座標。於此，y10/x10=y11/x11=y12/x12或(y11-y10)/(x11-x10)=(y12-y11)/(x12-x11)。也就是說，第一傳送段111之上表面111a及第二傳送段113之上表面113a之間之高度差從第二傳送段113之第一側113c至其第二側113d可依一恆定比率增加。因此，第二傳送段113之上表面113a可包括平面，平面從第一側113c至第二側113d沿一方向傾斜。
第8圖係為顯示於第1圖中之基板傳送段即第一傳送段111及第二傳送段113之另一種例示性實施例之剖面圖。顯示於第8圖中之結構係相似於顯示於第7圖中之結構，除了第二傳送段113之形狀以外。
參照第8圖，於所述實施例中，第一傳送段111之上表面111a及第二傳送段113之上表面113a之間之高度差可從第二傳送段113之第一側113c至第二側113d增加。於此，於高度差之增加率可從第一側113c至第二側113d增加。 假設第一傳送段111之上表面111a與第二傳送段113之上表面113a之間之界線為XY座標系統之原點P，原點P可具有(0,0)之座標，舉例來說。此外，任意點，即於第二傳送段113之上表面113a上之第十三位置P13、第十四位置P14及第十五位置P15可各別地具有(x13,-y13)、(x14,-y14)及(x15,-y15)之座標。於此，y13/x13<y14/x14<y15/x15或(y14-y13)/(x14-x13)<(y15-y14)/(x15-x14)。也就是說，第一傳送段111之上表面111a及第二傳送段113之上表面113a之間之高度差可從第二傳送段113之第一側113c至第二傳送段113之第二側113d增加。此外，於高度差之增加率可從第二傳送段113之第一側113c至第二側113d增加。因此，第二傳送段113之上表面113a可包括從第一側113c至第二側113d之一方向傾斜之曲面，如第8圖所示。
第9圖係為顯示於第1圖中之基板傳送段，即第一傳送段111及第二傳送段113之另一種例示性實施例之剖面圖。顯示於第9圖中之結構係相似於顯示於第7圖中之結構，除了第二傳送段113之形狀以外。
也就是說，根據所述實施例之第二傳送段113可包括複數個曲段113-4及113-6以及平坦段113-5之組合。於一例示性實施例中，第二傳送段113可 包括一個平坦段及二個曲段，如下所述，但此僅為一種例示性實施例，且對於平坦段及曲段之各別數量及位置並無限制。
假設第一傳送段111之上表面111a與第二傳送段113之上表面113a之間之界線為XY座標系統之原點P，原點P可具有(0,0)之座標值。此外，第十六位置P16，即位於第二傳送段113之上表面113a之第一曲段113-4中之一任意點可具有(x16,-y16)之座標值。同樣地，第十七位置P17，即位於第二傳送段113之上表面113a之平坦段113-5中之一任意點可具有(x17,-y17)之座標值，而第十八位置P18，即位於第二傳送段113之上表面113a之第二曲段113-6中之一任意點可具有(x18,-y18)之座標值。
於此，y16/x16<(y17-y16)/(x17-x16)，且(y17-y16)/(x17-x16)>(y18-y17)/(x18-x17)。並且，y16/x16<y17/x17，且y17/x17>y18/x18。也就是說，於第二傳送段113之上表面113a及第一傳送段111之上表面111a之間之高度差中的增加率可於第一曲段113-4中從第二傳送段113之第一側113c至第二側113d逐漸地增加。此外，於平坦段113-5中高度差之增加率可為定值，且於第二曲段113-6中從第二傳送段113之第一側113c至第二側113d可逐漸地減少。
第10圖係為顯示於第1圖中之第一傳送段111及第二傳送段113之另一種例示性實施例之剖面圖。
參照第10圖，上容置單元310可與第一基板13同時沿著直線M1移動(視第1圖)。
第二基板11(視第1圖)可於固定於下容置單元110之情況下沿著第一傳送段111及第二傳送段113被傳輸。
第一傳送段111可成形類似於平行於直線M1之平面，且從直線M1至第一傳送段111之上表面111a之垂直距離D0可為定值。也就是說，因為從對應於第一基板13之傳輸路徑之直線M1至第二基板11設置於其上之第一傳送段111之上表面111a的垂直距離D0係為定值，故第二基板11於第一傳送段111中可平行於第一基板13被傳輸。
第二傳送段113從第一傳送段111向下傾斜。從直線M1至第二傳送段113之上表面113a之垂直距離可逐漸地增加。當上容置單元310從第一傳送段111及第二傳送段113之間之界線被移動了距離r、兩倍距離r及三倍距離r時，從直線M1至第二傳送段113之上表面113a之垂直距離可為D1、D2及D3，舉例來說。於此案例中，D0<D1<D2<D3。
於一例示性實施例中，D1-D0=D2-D1=D3-D2。於此案例中，第二傳送段113之上表面113a可包括向下傾斜之平面。
於另一例示性實施例中，D1-D0<D2-D1<D3-D2。於此案例中，第二傳送段113之上表面113a可包括向下傾斜之曲面，如第10圖所示。
也就是說，並沒有限制第二傳送段113之上表面113a之形狀，只要上述垂直距離之間的關係滿足D0<D1<D2<D3。
第11圖係為說明顯示於第1圖中之上傳輸部300之示意結構之透視圖。
參照第11圖，根據本發明之上傳輸部300可包括上容置單元310、上固定單元(未繪示)以及上驅動單元(未繪示)，且可更包括第一上支架350、第二上支架370以及第三上支架380。
第一上支架350係連接於上容置單元310之上表面，藉以支承上容置單元310。第一上支架350係藉由上驅動單元(未繪示)移動於Y軸方向中，藉此升高或降低上容置單元310。第一上支架350可藉由第二上支架370被引導以沿著Y軸方向移動。
第二上支架370可連接於第三上支架380。第二上支架370可藉由上驅動單元(未繪示)移動於Z軸方向，藉此移動上容置單元310。於此，第二上支架370之移動可藉由第三上支架380被引導。
第三上支架380可藉由上驅動單元(未繪示)移動於X軸方向中，藉此移動上容置單元310。於此，第三上支架380之移動可藉由上導引體390a及390b被引導。如圖所示，上導引體390a及390b可接觸第三上支架380之二端。
第一上支架350、第二上支架370及第三上支架380之間之上述耦合關係僅係為一種例示性實施例，且本發明並未局限於此。也就是說，並沒有侷限第一上支架350、第二上支架370及第三上支架380之間之耦合關係，且當需要時其間之耦合關係可被適當地改變。更甚者，第一上支架350、第二上支架370及第三上支架380之任一者可被省略或可與其他者一體成形。
第12圖及第13圖係為說明顯示於第1圖中之上固定單元330之例示性實施例之示意結構之剖面圖及仰視圖。
參照第12圖及第13圖，上固定單元330可設置於上容置單元310之下表面中，如上所述參照第1圖。上固定單元330可包括真空抽取部分，藉以藉由吸力固定第一基板13之上表面至上容置單元310。
特別是，上固定單元330可包括被提供於上容置單元310之下表面之邊緣部分的複數個第一真空抽取部分331、以及形成於第一真空抽取部分331 未形成於其中的部分上容置單元310之下表面中的複數個第二真空抽取部分333。
用以真空吸住第一基板13之上表面之一側之第一真空抽取部分331可具有強大之吸力。如第13圖所示，第一真空抽取部分331可於上容置單元310之下表面之邊緣排列於一線上。而第一真空抽取部分331於圖式中被形成於上容置單元310之下表面之僅一邊緣，此僅為一種例示性實施例，且第一真空抽取部分331可另外被形成於另一邊緣。並沒有局限第一真空抽取部分331之形式。第一真空抽取部分331可被形成為真空孔洞之形式，舉例來說。為了具有較強之吸力，第一真空抽取部分331可被形成為吸盤(sucker)之形式，如第12圖及第13圖所示。
第二真空抽取部分333可位於部分之上容置單元310之下表面中，排除第一真空抽取部分331被形成之部分，如第13圖所示。第二真空抽取部分333可真空吸住第一基板13之上表面，排除此上表面之邊緣。相對於第一真空抽取部分331而言，第二真空抽取部分333並不需要具有強大的吸力。因此，於一例示性實施例中，第二真空抽取部分333可被形成為，但不局限於，真空孔洞之形式。
儘管未繪示於第13圖中，上固定單元330可更包括輔助上驅動單元。於一例示性實施例中，輔助上驅動單元可於Y軸方向中移動第一真空抽取部分331，且可被形成為，但不局限於，缸體(cylinder)之形式。
第14圖及第15圖係為說明顯示於第1圖中之分離器500之一種例示性實施例之示意結構之剖面圖及透視圖。
參照第14圖及第15圖，根據所述實施例之分離器500可包括刀片510及刀片驅動單元(未繪示)以移動刀片510，且可更包括第一刀片支架530、第二刀片支架540、第三刀片支架550及第四刀片支架560之至少之一。
第一刀片支架530可藉由固定刀片510至第一刀片支架530之一側來支承刀片510。第一刀片支架530可藉由刀片驅動單元(未繪示)移動於X軸方向中。因此，固定於第一刀片支架530之刀片510可移動於X軸方向中。於一例示性實施例中，第一刀片支架530於X軸方向中之移動可藉由但不局限於第二刀片支架540來引導。
第二刀片支架540可連接於第三刀片支架550。第二刀片支架540可藉由刀片驅動單元(未繪示)移動於Y軸方向中，藉此移動刀片510於Y軸方向中。於一例示性實施例中，第二刀片支架540之移動可藉由但不局限於第三刀片支架550來引導。
第三刀片支架550可藉由刀片驅動單元(未繪示)移動於Z軸方向中，藉此移動刀片510。於此，第三刀片支架550之移動可藉由支承第三刀片支架550之第四刀片支架560而被引導。
然而，上述之第一至第四刀片支架530至560之間之耦合關係僅係為一種例示性實施例，且本發明並不局限於此。也就是說，並沒有局限第一至第四刀片支架530至560之間之耦合關係，且當需要時其間之耦合關係可被適當地改變。此外，第一至第四刀片支架530至560之任一可被省略。
第16圖係為說明顯示於第1圖中之分離器500之另一種例示性實施例之示意結構之透視圖。顯示於第16圖中之分離器500之結構相似於顯示於第14圖及第15圖中之結構。
參照第16圖，根據所述實施例之分離器500可與上傳輸部300一體成形。舉例來說，分離器500之第四刀片支架560可連接於上傳輸部300之上容置單元310。因此，分離器500於藉由上固定單元330固定之第一基板13之傳輸程序中可依據上容置單元310之移動而移動(視第1圖)。
第17圖係為說明根據本發明之一種例示性實施例之分離器500之運作之透視圖。
參照第17圖，分離器500之刀片510可移動於負X軸方向中，以插入於第二基板11及第一基板13之間。然後刀片510可沿著Z軸方向移動，藉此部分分離相互接觸之第二基板11及第一基板13。然而，並沒有局限刀片510於Z軸方向中之移動路徑。於一例示性實施例中，藉由移動於負X軸方向中以插入於第二基板11及第一基板13之間之刀片510可藉由沿著正Z軸方向移動而部分分離第一基板13及第二基板11，然後藉由沿著負Z軸方向移動來再次部分分離第一基板13及第二基板11。於另一例示性實施例中，刀片510可藉由於負Z軸方向中移動，然後於正Z軸方向中移動而部分分離第一基板13及第二基板11。
第18圖係為說明根據本發明之一種例示性實施例之上固定單元330及分離器500之運作之剖面示意圖。
參照第18圖，如同上固定單元330，第一真空抽取部分331及第二真空抽取部分333可設置於上容置單元310之下部之下及之中，如上所述參照第12圖及第13圖。當第一基板13之上表面藉由第一真空抽取部分331及第二真空抽取部分333被固定，且第二基板11之下表面係藉由下容置單元110之下固定單元130被固定時，第一真空抽取部分331可藉由輔助上驅動單元移動於正Y軸方向中。因此，第一基板13之邊緣之一部分可提升於一向上方向中，也就是，於正Y 軸方向中，且間隙19可形成於第一基板13與第二基板11之前表面之間。於此情況中，刀片510可藉由移動於負X軸方向被插入於間隙19中，且可藉由移動於Z軸方向而分離相互接觸之第一基板13及第二基板11。也就是說，根據所述實施例，因為間隙19係使用第一真空抽取部分331而形成於第二基板11與第一基板13之間，刀片510可更輕易地被插入於第一基板13與第二基板11之間。
第19圖係為說明根據本發明之另一種例示性實施例之上固定單元330及分離器500之運作之剖面示意圖。
根據所述實施例，用以真空吸住第一基板13之上表面之邊緣的第一真空抽取部分331可移動於Y軸方向中，以形成間隙19於第一基板13與第二基板11之側表面之間。刀片510可從第一基板13與第二基板11之側表面移動於負Z軸方向以插入於間隙19中，且可連續移動於負Z軸方向中以分離相互接觸之第一基板13與第二基板11。也就是說，根據所述實施例，刀片510插入於第一基板13與第二基板11之間之方向係部分不同於上述參照第17圖所述之方向。根據所述實施例，刀片510可更輕易地插入於第一基板13與第二基板11之間，且刀片510插入於第一基板13與第二基板11之間之方向係相同於刀片510部分分離第一基板13與第二基板11之方向。因此，連續執行插入刀片510於第一基板13與第二基板11之間之運作以及使用刀片510分離第一基板13與第二基板11之運作係為可能的。
第20圖係為說明於根據本發明之基板分離設備中根據本發明之一種例示性實施例之輔助分離器700a及700b以及離子產生器910a、910b、930a及930b之佈署之透視示意圖。
參照第20圖，離子產生器930a及930b可設置於第一傳送段111與第二傳送段113之間之界線之側邊上。於程序之期間中或當堆疊結構10(視第1圖)被傳輸時，靜電可能累積於設置於用於基板分離之第一傳送段111上之堆疊結構10上。因為帶電表面會吸引其周圍之微細粒子，故累積於堆疊結構10上之靜電可能汙染堆疊結構10之暴露表面。因此，當於分離堆疊結構10為第二基板11(視第1圖)及第一基板13之過程中靜電產生於第二基板11或第一基板13(視第1圖)上時，第二基板11之上表面或第一基板13之下表面透過靜電可能會被汙染。
為了解決此問題，於根據所述實施例之基板分離設備中，離子產生器930a及930b係被設置於第一傳送段111與第二傳送段113之間之界線之側面上。因此，移除產生於基板分離程序中之靜電係為可能的，藉此降低或有效地防止於基板分離程序中可能的汙染。
於一例示性實施例中，離子產生器930a及930b可為光電離器(photoionizer)。光電離器利用不會受到外在之條件，例如抗靜電(即移除靜電)距離及風向之影響的空氣游離，且利用空氣游離。因此，光電離器不會產生灰塵、電磁波及臭氧。並且，由於高離子產生密度，光電離器於移除靜電中係為高效率的。當離子產生器930a及930b輻射出X光至彼此之間待相互分離之第一基板13(視第1圖)與第二基板11(視第1圖)時，X光可撞擊存在於空氣中之氣體或原子，以產生正/負離子。正/負離子可中和負荷(charged)於第一基板13及第二基板11上之靜電，藉此移除靜電。因此，可有效地防止第二基板11或第一基板13之表面被產生於基板分離程序中之靜電所汙染。
儘管二個離子產生器930a及930b係繪示於第20圖中，此僅為一種例示性實施例，且並沒有局限離子產生器930a及930b之數量。此外，並沒有局 限離子產生器930a及930b之位置，只要於基板分離程序中離子產生器930a及930b可供應離子至第二基板11(視第1圖)之上表面或第一基板13(視第1圖)之下表面。
離子產生器910a及910b可亦設置於第一傳送段111之側邊上。也就是說，設置於第一傳送段111之側邊上之離子產生器910a及910b可於基板分離程序之前供應離子以初始地移除負荷於堆疊結構10上或於第一基板13及第二基板11之至少一者上之靜電。
於第20圖中，離子產生器910a及910b係設置於第一傳送段111之兩側上。然而，離子產生器910a及910b可設置於第一傳送段111之僅一側上。並且，可能放置離子產生器910a及910b於第一傳送段111上，以便同時地供應離子至堆疊結構10(視第1圖)之全部區域。也就是說，並沒有局限離子產生器910a及910b之數量及位置。
根據所述實施例之基板分離設備可更包括輔助分離器700a及700b以部分分離第一基板13(視第1圖)及第二基板11(視第1圖)。輔助分離器700a及700b可設置於第二傳送段113之兩側，第二傳送段113為其中第一基板13及第二基板11藉由吸力固定並傳輸而被分離處。輔助分離器700a及700b可各別地包括沿著Z軸方向凸出之輔助刀片710a及710b、以及固定且支承輔助刀片710a及710b之輔助刀片支架730a及730b。
於一例示性實施例中，沿著Z軸方向凸出之輔助刀片710a及710b可設置於一位置，其中移動於正X軸方向中之第一基板13(視第1圖)及第二基板11(視第1圖)係相互分離。於此案例中，當第一基板13及第二基板11移動時，輔助刀片710a及710b可插入於第一基板13及第二基板11之間。於此，當第一基板13及第二基板11移動於X軸之正方向中時，第一基板13及第二基板11可藉由輔助 刀片710a及710b於X軸之負方向中被分離。也就是說，輔助刀片710a及710b可固定於特定位置，且當第一基板13及第二基板11移動時第一基板13及第二基板11可藉由輔助刀片710a及710b於負X軸方向中被分離。
然而，此僅為一種例示性實施例，且輔助分離器700a及700b可更包括驅動單元以各別地移動輔助刀片710a及710b。
至於輔助分離器700a及700b以及離子產生器930a及930b之間之位置相對關係，於一例示性實施例中，於第20圖中，離子產生器930a及930b相較於輔助分離器700a及700b被設置更接近於第一傳送段111。然而，此僅為一種例示性實施例。也就是說，輔助分離器700a及700b相較於離子產生器930a及930b可被設置更接近於第一傳送段111。
如上所述，因為相互接觸之第二基板11(視第1圖)及第一基板13(視第1圖)藉由使用輔助刀片710a及710b可於X軸方向中進一步被分離，第一基板13及第二基板11可更輕易地被分離。
第21圖至第23圖係為說明根據本發明之一種例示性實施例用以分離基板之方法之各步驟以及基板分離設備之運作之剖面圖。
參照第21圖，第一基板13之上表面及第二基板11之下表面可被固定。特別是，於一例示性實施例中，堆疊結構10係設置於下傳輸部100之下容置單元110上，且第二基板11之下表面係使用下固定單元130而被固定。然後，上傳輸部300之上容置單元310係設置於堆疊結構10上且被移動於方向A，即負Y軸方向，且第一基板13之上表面係使用上固定單元330(即第一真空抽取部分331、以及第二真空抽取部分333)而被固定。
亦或者，於另一例示性實施例中，儘管未繪示於第21圖中，第一基板13之上表面可首先被固定。當堆疊結構10藉由上固定單元330(即第一真空抽取部分331及第二真空抽取部分333)被固定時，上容置單元310可移動至下傳輸部100之上方，舉例來說。然後，上容置單元310可移動於負Y軸方向，即方向A，以放置堆疊結構10於下容置單元110上，且下固定單元130可固定第二基板11之下表面。
於第一區域PA1中具有上表面固定之第一基板13、以及具有下表面固定之第二基板11係共同傳輸於方向B，即正X軸方向。特別是，上容置單元310藉由移動於方向B，即正X軸方向而傳輸具有藉由上固定單元330而被固定之上表面之第一基板13，且同時具有藉由下固定單元130而被固定之下表面之第二基板11係沿著第一傳送段111被傳輸於正X軸方向。
換句話說，於第一區域PA1中具有上表面固定之第一基板13可沿著直線M2移動，其中直線M2可平行於X軸。
此外，具有下表面固定之第二基板11可沿著第一傳送段111被傳輸，其與直線M2之垂直距離係為定值。
參照第22圖，於第一區域PA1中或於第一區域PA1以及第二區域PA2之間之界線處，第一基板13及第二基板11可初始地被分離。
特別是，第一基板13及第二基板11可於進入第二區域PA2之前被止動。也就是說，上容置單元310之移動及下容置單元110之移動可被終止。然後，分離器之刀片510被移動於負X軸方向中以插入於第一基板13及第二基板11之間，且被移動於Z軸方向中以部分分離相互接觸之第一基板13及第二基板11。
再者，藉由以正Y軸方向移動固定第一基板13之上表面之邊緣之固定單元之第一真空抽取部分331，而形成間隙19於第一基板13及第二基板11之間之程序可進一步被執行。於此案例中，間隙19使得刀片510更輕易地插入於第一基板13及第二基板11之間，如上述參照第18圖。
儘管未繪示於第22圖中，於一例示性實施例中，間隙19可亦被形成於第一基板13及第二基板11之側面之間，如上述參照第19圖。於此案例中，刀片510可於負Z軸方向中移動以插入於間隙19中。
參照第23圖，當移動於第二區域PA2中，第一基板13及第二基板11係逐漸地被分離。
特別是，藉由移動上容置單元310於方向B中，即正X軸方向，具有藉由上固定單元(即第一真空抽取部分331及第二真空抽取部分333)而被固定之上表面之第一基板13被傳輸於正X軸方向。同時，具有藉由下固定單元130而被固定之下表面之第二基板11沿著第二傳送段113於方向D中被傳輸，即藉由正X軸方向及負Y軸方向之加總所指出之方向。也就是說，於第二傳送段113中，第二基板11係被傳輸於X軸之正方向及Y軸之負方向中。因此，固定第一基板13之上表面之力量、移動第一基板13於正X軸方向中之力量、固定第二基板11之下表面之力量以及移動第二基板11於正X軸方向及負Y軸方向中之力量作用為可逐漸地分離第一基板13及第二基板11的外力。
換句話說，於第二區域PA2中具有上表面固定之第一基板13可沿著直線M2被傳輸，而具有下表面固定之第二基板11可沿著第二傳送段113被傳輸，其中第二傳送段113與直線M2之垂直距離增加。因此，第一基板13及第二基板11可逐漸地相互分離。
於此，因為第二基板11係為可撓性，第二基板11與第一基板13之分離可從第一傳送段111與第二傳送段113之間或第一區域PA1與第二區域PA2之間之界線逐漸地實現。
包括輔助刀片710a之輔助分離器可更設置於第二傳送段113之一側上，以進一步分離第一基板13及第二基板11，如上述參照第20圖。
儘管未繪示於第23圖中，於一例示性實施例中，離子產生器930a及930b(視第20圖)可設置於第一區域PA1與第二區域PA2之間或第一傳送段111與第二傳送段113之間之界線之側邊，其為第一基板13及第二基板11之分離開始處。於此案例中，離子產生器930a及930b可供應離子至第一基板13及第二基板11之分離表面，藉此移除靜電，如上述參照第20圖。於第一基板13及第二基板11之分離前，藉由使用離子產生器910a及910b(視第20圖)供應離子，負荷於堆疊結構10上之靜電亦可被初始地移除，如上述參照第20圖。
本發明之例示性實施例提供至少一下述優點。
藉由逐漸地增加間隙於第一基板及第二基板之間，使分離第一基板及第二基板更加地穩定為可能的。於分離程序中最小化基板損傷之機率亦為可能的。
再者，於分離程序中藉由控制靜電而最小化靜電效應，而降低或有效地防止外來物質所造成之汙染係為可能的。
然而，本發明之功效並不局限於本文所闡述之內容。本發明所屬技術領域中具有通常知識者將藉由參考申請專利範圍，而變得更加瞭解本發明之上述及其他之功效。
雖然本發明已參照其例示性實施例而具體地顯示及描述，所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不脫離本發明如定義於所附之申請專利範圍之精神與範疇下，可對其進行形式及細節上的任何改變。例示性實施例應僅視為描述性之意義，而非用以限制性之目的。

Claims (19)

  1. 一種用以分離相互接觸之第一基板及第二基板之基板分離設備，該基板分離設備包含：一上傳輸部，於包含有相互垂直正交之一X軸及一Y軸之一XY座標系統中固定該第一基板且傳輸該第一基板於一正X軸方向；一下傳輸部，設置於該上傳輸部之下方，與該上傳輸部間隔一間隙，且固定及傳輸該第二基板；以及一分離器，該分離器於包含有該X軸、該Y軸及垂直正交於該X軸及該Y軸之一Z軸之一XYZ座標系統中以一Z軸方向分離該第二基板以及該第一基板；其中該下傳輸部包含：一第一傳送段，傳輸該第二基板於該正X軸方向；以及一第二傳送段，傳輸該第二基板於該正X軸方向及一負Y軸方向；以及其中該分離器包含：一刀片，該刀片藉由在一負X軸方向上移動以插入於該第二基板及該第一基板之間，以藉由沿著該Z軸方向移動來分離該第一基板及該第二基板；一第一刀片支架，連接於該刀片以固定該刀片；以及一刀片驅動單元，於該Z軸方向移動一第三刀片支架。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其中該第二傳送段之上表面接觸於該XY座標系統中具有一負斜率之一直線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板分離設備，其中該負斜率之絕對值係為定值。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之基板分離設備，其中該第二傳送段包含隨著與該第一傳送段之距離增加而增加之該負斜率之絕對值之一部分。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其中該第二傳送段之上表面包含一傾斜面，且該傾斜面包含一平面或一曲面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其中由該第一傳送段之上表面及該第二傳送段之上表面所形成之角度介於從約180度至小於約225度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板分離設備，其中該第一傳送段之上表面及該第二傳送段之上表面面對該上傳輸部。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其中該分離器連接該上傳輸部。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其更包含一輔助分離器，該輔助分離器以一負X軸方向分離該第二基板及該第一基板。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板分離設備，其中該輔助分離器設置於該第二傳送段之側邊上或於該第一傳送段及該第二傳送段之間之一界線之側邊上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之基板分離設備，其中該輔助分離器包含：一輔助刀片，插入於該第二基板及該第一基板之間以於該負X軸方向中分離該第一基板及該第二基板；以及一輔助刀片支架，連接於該輔助刀片以固定該輔助刀片。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其中該上傳輸部包含：一上容置單元；一上固定單元，設置於該上容置單元下方以固定該第一基板之上表面；以及一上驅動單元，移動該上容置單元。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板分離設備，其中該上固定單元包含一真空抽取部分，該真空抽取部分真空吸住該第一基板之上表面。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其中該下傳輸部更包含：一下容置單元，該第二基板設置於該下容置單元之上表面上，且該下容置單元包含該第一傳送段及該第二傳送段；一下固定單元，固定該第二基板之下表面；以及一下驅動單元，移動設置於該下容置單元上之該第二基板。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之基板分離設備，其中該下固定單元包含一真空抽取部分，該真空抽取部分真空吸住該第二基板之下表面。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之基板分離設備，其中該下容置單元更包含一傳輸帶。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之基板分離設備，其更包含一離子產生器，該離子產生器供應一離子以中和負荷於該第二基板或該第一基板上之靜電。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之基板分離設備，其中該離子產生器係一光電離器，該光電離器藉由X光輻射產生該離子。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之基板分離設備，其中該離子產生器係設置於該第一傳送段及該第二傳送段之間之一界線之側邊上或於該第二傳送段之側邊上。
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