TWI652716B - 處理系統及校準工件製程、驗證工件製造製程及在高溫處理工件的方法 - Google Patents
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Abstract
揭露一種處理系統及校準工件製程、驗證工件製造製程及在高溫處理工件的方法。因為矽在紅外線光譜帶中具有非常低的放射率，所以會在工件的至少一部分上配置塗佈層。塗佈層可為石墨或任何其他可易於應用的材料，且塗佈層在紅外線光譜中在溫度範圍內具有相對恆定的放射率。在一實施例中，將石墨塗佈層塗佈至工件的一部分，使得工件的溫度可藉由觀察塗佈層的溫度而被測量。此技術可用以校準處理室、驗證處理室內的操作條件或發展製造製程。
Description
本揭露是關於一種工件的溫度測量，且特別是一種使用紅外線感測器的矽工件的溫度測量。
離子植入是將導電性改變雜質(conductivity-altering impurity)引入工件(workpiece)的標準技術。在離子源中離子化所需的雜質材料，這些離子會被加速以形成預定能量的離子束，並在工件的表面處引導離子束。在射束中的高能離子穿透入工件材料的主體且嵌入工件材料的結晶晶格(crystalline lattice)，以形成所需導電性的區域。
近來，一些較高溫植入物(implant)(例如100℃以上)
展現發展潛力。舉例來說，鰭狀場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)非晶化植入物(amorphization implant)在溫度超過100℃實行時展現單晶再生(single crystal regrowth)的潛力。這些記載的溫度為工件本身的溫度。工件溫度測量的技術受限於處理環境的需求。舉例來說，附於工件的熱電偶是不實用的。或是，由於平台與工件間有建立良好熱接觸的問題，因此當平台的溫度與工件的溫度可能不同時，安裝到平台的熱電偶的用途有限。此外，矽的光學性質使得常見的紅外線技術的應用變得困難或不可能。
因此，任何在處理室中允許工件的溫度校準及測量的方法都是有益的。
揭露一種在處理室中測量工件溫度的改良系統與方法。因為矽在紅外線光譜帶中具有非常低的放射率，所以會在工件的至少一部分上配置塗佈層。塗佈層可為碳類或任何其他可易於應用的材料，且塗佈層於紅外線光譜中在感興趣的溫度範圍內具有相對恆定的放射率。在一實施例中，碳塗佈層塗佈至工件的一部分，使得工件的溫度可藉由觀察塗佈層的溫度而被測量。此技術可用於校準處理室、驗證處理室內的操作條件或發展製造製程。
根據一實施例，揭露一種處理系統。所述處理系統包括平台、配置在平台上的校準工件、使用紅外線光譜中的波長範圍
來測定校準工件的溫度的紅外線攝影機(IR camera)以及配置在校準工件的上表面的一部分上的塗佈層，所述塗佈層在所述波長範圍處在一溫度範圍內具有幾乎恆定的放射率。
根據第二實施例，揭露一種校準工件處理的方法。所述方法包括維持在處理室中的經加熱平台在超過100℃的高溫；將校準工件引至處理室，校準工件包括在校準工件的上表面的一部分上的塗佈層，塗佈層在所需的溫度範圍內具有相對恆定的放射率；在經加熱平台上置放校準工件；藉由聚焦紅外線攝影機在所述部分，監控校準工件隨著時間推移的溫度；並且記錄校準工件達到預定溫度的時間。在另一實施例中，所述方法更包括在記錄之後處理工件，其中所述處理包括：在經加熱平台上放置工件；等待預定的時間量；以及在等待之後處理工件，其中根據校準工件達到預定溫度的記錄時間決定預定的時間量。
根據另一實施例，揭露一種驗證工件製造處理的方法。所述方法包括將第一工件引入處理室；在處理室中的經加熱平台上配置第一工件，所述經加熱平台在大於100℃的高溫下；當第一工件位在經加熱平台上時處理第一工件；用如引入第一工件的相同方法將校準工件引入處理室，其中校準工件包含在其上表面的一部分上的塗佈層，所述塗佈層在所需溫度範圍內具有幾乎恆定的放射率；使用聚焦在具有塗佈層的部分處的紅外線攝影機以測量校準工件的溫度；以及驗證溫度在可接受的範圍內。在進一步的實施例中，所述方法更包括在驗證溫度在可接受的範圍內之
後，將第二工件引入處理室；在處理室中的經加熱平台上配置第二工件；以及當第二工件位在經加熱平台上時處理第二工件。在另一更進一步實施例中，所述方法更包括若溫度不在可接受範圍內，則實施校正措施。
根據另一實施例，揭露一種在高溫下處理工件的方法。所述方法包含在工件的上表面的第一部分塗佈塗佈層，所述塗佈層在所需溫度範圍內具有幾乎恆定的放射率；在經加熱平台上置放工件；將紅外線攝影機聚焦在第一部分以監控工件的溫度；處理工件的第二部分，第二部分與第一部分不同；以及當工件正在被處理時，根據工件的監控溫度調整經加熱平台的溫度，以維持工件在高溫下，其中所述高溫大於100℃。
15、20‧‧‧區域
100‧‧‧平台
200‧‧‧紅外線攝影機
300‧‧‧矽工件
400‧‧‧校準工件
410‧‧‧部分
700、710、720、730、740、750、800、810、820、830、840、850、860、900、910、920、930、940、950‧‧‧操作步驟
為了更理解本揭露，在此引入附圖作為參考，其中：
圖1為顯示矽的光譜放射率的圖。
圖2為經加熱平台的熱影像。
圖3為藉由頂針(lift pin)支撐於經加熱平台上的矽工件的熱影像。
圖4顯示紅外線攝影機、工件及平台的代表性結構。
圖5顯示配置在經加熱平台上的未經加熱的校準工件。
圖6顯示到達所需溫度後的圖5的校準工件。
圖7顯示用來監控工件的溫度變化的代表性流程圖。
圖8顯示用來驗證製造製程的代表性流程圖。
圖9顯示使用封閉迴路溫度控制的代表性流程圖。
如上所述，矽的光學性質使得利用紅外線技術去測量溫度變得困難或不可能。圖1顯示在多種溫度及波長下的矽的光譜放射率。在圖中表示的波長是與使用傳統紅外線攝影機的紅外線光譜相關的波長。放射率為物質藉由輻射散發能量的能力的測度。如圖1中所示，矽在低溫時喪失散發任何在紅外線光譜中的輻射的能力，其放射率接近零。當矽的溫度增加，矽的放射率也會增加。在800℃時，矽的放射率幾乎恆定於接近0.7。此光學特性由於數種原因而具有問題。
首先，在紅外線光譜中的特定波長下，矽的放射率會改變為其溫度的函數。因此，使用操作在單一波長或狹窄範圍波長下的紅外線攝影機是不可能使散發的輻射與真實溫度產生關聯。紅外線攝影機測量在特定波長或狹窄範圍波長下散發的輻射，且根據散發的輻射量與物質的放射率測定物質的溫度。在上述特定波長下的非恆定放射率使紅外線攝影機不可能只使用單一波長去測定材料的溫度。因此，傳統的紅外線攝影機無法準確地測定在低溫下矽的溫度。
再來，在低溫下接近於零的矽的放射率表示任何記錄的紅外線量測實際上與配置於矽下的材料有關。圖2顯示在接近
500℃的溫度下的經暴露的平台100的熱影像。平台100可藉由引入熱液體進入配置於平台100內的通道來加熱。或是，平台100可經由使用配置於平台100內的電性加熱元件(electrical heating element)來加熱。環繞在平台100的周邊的多個點10構成的環可表示通道，背側氣體經由所述通道朝向工件的背側供給。上述背側氣體改善從平台100到配置於平台100上的工件的熱傳導。較接近平台100的中心的三個區域15可表示在處理後用於從平台100將工件舉起的頂針(lift pin)。點型區域20可表示用於移除來自工件的電荷的接地引腳(ground pin)。
圖3顯示由矽工件300覆蓋的相同平台。三個頂針將矽工件300支撐於經加熱平台之上。由於圖3為上視圖，平台位於工件之下，使得工件300配置於紅外線攝影機與平台之間。於圖4中顯示了上述配置的示意圖。圖4顯示配置於平台100之上的紅外線攝影機200。矽工件300配置在頂針上，從而從平台100分開矽工件300。圖3中的熱影像教示矽工件300在400℃和500℃之間的溫度下。然而，矽工件的真實溫度實際上更靠近50℃，雖然矽工件的真實溫度無法根據熱影像來測定。這是因為熱影像實際上是記錄和測量平台100的溫度(儘管會被配置在平台100前方的矽工件300稍微削弱)。
圖5顯示配置在經加熱平台上的校準工件400的熱影像，部分410清楚顯示與校準工件400的其餘部分的溫度不同。部分410可具有兩個互相垂直的直徑形狀的圖案。在其他實施例
中，部分410可以是單一直徑。部分410在先前已塗佈具有在紅外線光譜中幾乎恆定的放射率的塗佈層。在本發明中，術語“幾乎恆定的放射率”表示材料的放射率在所需的溫度範圍內的變化小於20%。在其他實施例中，上述物質的放射率在所需的溫度範圍內的變化可小於10%。另外，在目標最終溫度已知的情況中，術語“幾乎恆定的放射率”可表示在窄的溫度範圍內(像是在50℃的目標最終溫度以內)物質的放射率變化小於10%，或在一些實施例中為小於5%。紅外線攝影機通常使用固定的放射率數值，在接近於目標最終溫度的溫度下，所述放射率數值為很好的近似值。在一些實施例中，紅外線攝影機使用的固定的放射率與在目標最終溫度下的放射率相同。因此，紅外線攝影機的讀取在接近目標最終溫度的溫度下會準確。在此方法中，那些部分410的溫度測量已知為準確的，但校準工件400的其餘部分可能為不確定的。換句話說，圖3的熱影像(教示工件在大約400℃和500℃之間的溫度下)為不準確的。反而是，只有已塗佈的部分410代表工件400的真實溫度。
圖6顯示延長期間地配置在加熱平台上的相同校準工件400。注意的是，部分410現在反映非常接近經加熱平台的溫度的溫度。上述反映了工件400的真實溫度。注意的是，校準工件400的其餘部分仍顯示在比真實溫度稍微較高的溫度下。
在圖5及圖6中，校準工件400塗佈有在所需波長下的溫度內具有接近恆定的放射率的物質。在一些實施例中，所需波
長在1.0μm及3.0μm之間。在其他實施例中，所需波長可在3.0μm及5.0μm之間。在其他實施例中，所需波長可在7.5μm及14μm之間。在其他實施例中，所需波長可在1.0μm及14μm之間。在這些圖示中，塗佈層塗佈在兩個互相垂直的直徑410，然而所述塗佈層可以任何所需的圖案塗佈。
舉例來說，石墨及水的膠態懸浮液(colloidal suspension)可刷在工件的上表面上。在此實施例中，膠態懸浮液可以任何所需的圖案刷在工件的上表面上。所述的工件(現在被稱為校準工件)可用於任何在本文中敘述的步驟中。
然而，有許多其他材料可用於塗佈工件，一種這樣的塗佈層為高溫黑色塗佈層。其它材料也有可能用於塗佈工件，且本揭露不限制特定的材料。反而是，包含高溫黑色塗佈層是為了示範各種可應用的材料的可用性。結晶硼(Crystalline boron)在從300℃到650℃的溫度範圍中也具有幾乎恆定的放射率，且可作為電漿噴塗(plasma spray)。如上所述，在紅外線攝影機使用的波長下的寬廣溫度範圍內具有幾乎恆定的放射率的任何材料皆可應用。在一些實施例中，所述溫度範圍可為0℃到600℃。在其他實施例中，所述溫度範圍可為300℃到600℃。在其他實施例中，所述溫度範圍可為400℃到600℃。那些可被噴塗、塗刷或其他易於塗佈在工件表面的材料皆為有益的。塗佈層使得矽工件的溫度準確地被傳統的紅外線攝影機測量。
在一些實施例中，塗佈層只塗佈在工件400的上表面的
一部分。舉例來說，圖5及圖6顯示已塗佈材料的部分410為兩個互相垂直的直徑形狀。然而，在其他實施例中，校準工件400的整個上表面可被塗佈以監測整個校準工件400的熱行為(thermal behavior)。在其他實施例中，上述部分可只包含塗佈在工件上的單一直徑。所述塗佈層可以任何圖案塗佈。
舉例來說，藉由塗佈整個上表面，整個工件的溫度均勻度可利用熱影像精準地測定。在不同溫度下的點(像是位於頂針正上方的那些點)可輕易地被辨識。在另一實施例中，如圖5及圖6中所示，使用一個或多個直徑使得均勻性被估算為距工件的中心的距離的函數。換句話說，可以假設工件的溫度以某些方式與距工件的中心的距離有關，工件的中心有可能在最高溫度。因此，使用一個直徑可根據距工件中心的距離去估算工件上的任何點的溫度。使用超過一個的直徑可利用更複雜的工件的溫度資料的外推法(extrapolation)。
在其他實施例中，工件的溫度均勻性可能不需要或是沒有用處。舉例來說，在單點簡單地採樣工件的溫度可能就已足夠。在此實施例中，塗佈層可塗佈至上表面的整體或只有上表面的一部分。紅外線攝影機可接著特別聚焦在工件的已先塗佈上塗佈層的區域上。此允許了一個簡單且快的工件溫度測定。這些技術的任何一者皆可用在本文所描述的步驟中。
相對於其他技術，使用塗佈層具有許多優點。舉例來說，一旦塗佈上表面，校準工件400可用與任何其他工件的相同方法
引入製造製程。換句話說，沒有需要去特殊步驟來使用特殊塗佈的校準工件400。這使得校準步驟的多樣性得以發展。
舉例來說，在第一實施例中，當工件達到預定的溫度時，需要植入工件的製程。如圖7中所示，如上所述的校準工件可用以發展所需的製程。為了達到上述製程，位於處理室內的平台可維持在高溫，例如100℃以上，如操作步驟700中所示。校準工件可用與其他工件相同的方法引入處理室。舉例來說，在一些實施例中，校準工件置放在裝卸室(load lock)中，如操作步驟710中所示。接著，藉由位於處理室內的機器人機械裝置(robotic mechanism)從裝卸室移除校準工件，如操作步驟720中所示。接著，機器人機械裝置可將校準工件置放在平台上，如同其對於其他工作，如操作步驟730中所示。校準工件具有塗佈層，所述塗佈層在所需溫度範圍內具有幾乎恆定的放射率。在此實施例中，所需溫度範圍可為以平台的高溫為中心的100℃範圍。舉例來說，在高溫為300℃時，所需溫度範圍可為250℃到350℃。使用傳統紅外線攝影機，校準工件400的溫度可被準確地測量和監控，如操作步驟740中所示。因此，可準確地測量和記錄工件到達所需溫度的等待時間，如操作步驟750中所示。接著，上述時間可用來在所需高溫下建立植入工件的製程。為了改善測量時間的統計有效性(statistical validity)，多個校準工件可用以校準製程。所述多個校準工件可全部以如上所述的方法以及如圖7中所示引入處理室。
一旦確定上述等待時間，工件可接著經由裝卸室引入處理室且置放在經加熱平台上。在等候上述等待時間後，可接著處理工件。上述等待時間可在圖7的操作步驟750中測定。
在進一步的實施例中，校準工件的溫度均勻性也可獲得。舉例來說，在一實施例中，塗佈層塗佈在校準工件的上表面的整體。紅外線攝影機200接著聚焦在上表面上的多個點，以產生熱影像。在另一實施例中，塗佈層塗佈在校準工件的上表面的至少一個直徑。紅外線攝影機200接著聚焦在直徑上的多個點。基於此，可估算校準工件的溫度均勻性。此估算可使溫度與距校準工件的中心的距離有相關聯。使用超過一個的直徑可執行更複雜的估算。
在第二實施例中，當工件達到預定溫度時，需要植入工件的製程。不像第一實施例，在此實施例中，只有在工件置放在平台上之後，才加熱所述平台。如前所述，校準工件的至少一部分的上表面塗佈有在紅外線攝影機使用的頻率下具有幾乎恆定的放射率的物質。校準工件可用與其他工件相同的方法引入處理室，如圖7的操作步驟710到操作步驟730中所示。舉例來說，在某些實施例中，校準工件置放於裝卸室中。接著，藉由位於處理室內的機器人機械裝置從裝卸室移除校準工件。機器人機械裝置可接著置放校準工件於平台上，如同其對於任何其他工件。接著，加熱平台，以及使用傳統紅外線攝影機，可準確地測量且監控校準工件的溫度。因此，可精準地測量工件及平台到達所需溫
度的時間。上述時間接著可被用來建立在所需高溫下的植入工件的製程。在進一步的實施例中，如上所述，可用如上所述的技術測量或估算工件的溫度均勻性。
在第三實施例中，熱電偶或其他溫度感測器設置在平台100上。紅外線攝影機200用來監控校準工件400的溫度。校準工件400可進入處理室，如圖7的操作步驟710到操作步驟730中所示。之後，可建立平台溫度與工件溫度的關聯性。
雖然校準工件在發展如上所述的製造製程中是有用的，但校準工件還有其他應用。舉例來說，在一實施例中，校準工件可在正常操作期間引入處理室。
在正常操作期間引入校準工件可建立使用紅外線攝影機的熱分布狀況(thermal profile)。用此方法，可驗證製造製程的操作。舉例來說，經過一段時間，在平台和工件之間的熱偶合可能會改變。在平台和工件之間的夾持力中的變動、被引導朝向工件背側的背側氣體的流量改變或其他原因會導致上述改變。上述熱偶合的改變會影響在植入期間工件的最終溫度，因而影響最終產物(resulting product)。藉由在正常操作期間引入校準工件，可在最小影響操作的情況下驗證熱偶合。此校準工件可用與標準工件相同的方法引入，且實際上可能會或可能不會在處理室中處理。反而，其目的在於藉由在不影響處理室的操作的情況下測量實際工件溫度而允許製程的定期驗證(periodic validation)。換句話說，沒有必要去實行任何特殊的程序去引入校準工件和測定實際工件
溫度。
在圖8中顯示在正常操作期間使用校準工件的流程圖。首先，如操作步驟800中所示，工件置放在裝卸室中。接著，藉由處理室內的機器人機械裝置移除此工件且將此工件置放在平台上，如操作步驟810中所示。平台可加熱至高溫以加速工件的高溫處理，如離子植入。接著，處理工件，如操作步驟820中所示。在處理完成後，藉由機器人機械裝置從平台移除工件。操作步驟800到操作步驟820的順序可重複多次。在某些點，校準工件400置放在裝卸室中，如操作步驟830中所示。用與正常工件相同的方法，機器人機械裝置從裝卸室移除校準工件400且置放校準工件400在平台上，如操作步驟840中所示。校準工件具有塗佈層，所述塗佈層在所需溫度範圍內具有幾乎恆定的放射率。在此實施例中，所需溫度範圍可為以平台的高溫為中心的100℃範圍。校準工件400置放在平台上後，可監控和測量校準工件400的溫度，如操作步驟850中所示。如上所述，此可驗證平台和工件之間的熱偶合仍在可接受的限制內。如果溫度不被接受，會啟動校正措施(corrective action)，如操作步驟860中所示。此可包括改變平台100的溫度，清潔平台100或一些其他動作。如果溫度已驗證，從平台100移除校準工件400。之後，可根據操作步驟800到操作步驟820正常地處理更多工件。
在更進一步的實施例中，也可獲得校準工件的溫度均勻性。舉例來說，在一實施例中，塗佈層塗佈至校準工件的上表面
的整體。紅外線攝影機200接著聚焦在上表面上的多個點，以產生熱影像。在其他實施例中，塗佈層塗佈到校準工件的上表面的至少一個直徑。紅外線攝影機200接著聚焦在直徑上的多個點。根據此方法，可估算校準工件的溫度均勻性。此估算可使溫度與距校準工件的中心的距離有關。使用超過一個的直徑可實行更複雜的估算。
在其他實施例中，在處理室中處理具有工件的一小部分被塗佈的一些工件，如圖9中所示。換句話說，這些校準過的工件做為校準工件及正常處理過的工件。這些校準過的工件可在來自紅外線攝影機的溫度回饋(temperature feedback)下處理。在此實施例中，工件的不是用於產品的一小部分可具有塗佈在其上的塗佈層，如操作步驟900中所示。上述方法允許處理操作以封閉迴圈方法執行，而不是如上所述的開放迴圈校準。舉例來說，當在處理校準後的工件時，可監控校準後的工件的溫度，並且藉由即時調整平台的溫度而可做立即的校正。在需要在工件處理的期間更嚴格的溫度控制的情況下，此技術將是可實施的。因此，在塗佈層被塗佈到表面的一部分後，校準過的工件被移動至平台，如操作步驟910中所示。接著，處理校準過的工件，如操作步驟920中所示，用與典型地完成其他工件相同的方式。當正在處理校準過的工件時，紅外線攝影機可藉由聚焦在塗佈部分上連續地監控校準過的工件的溫度，如操作步驟930中所示。塗佈部分的監控溫度接著被用在控制工件300的溫度，如操作步驟940中所示。
這比其他可能的方式具有更嚴格的溫度控制。在處理完校準過的工件後，從平台上移除校準過的工件，如操作步驟950中所示。其它校準過的工件可接著使用在圖9中所示的順序處理。
描述於本申請的上述技術已描述其關於矽工件的用途。雖然這些技術適用於矽，但也適用於在工作溫度範圍中的具有低或可變的紅外線放射率的其他物質。例如，石英也具有大的放射率變化。石英的放射率可由在20℃下接近0.9的值變化到在750℃下幾乎0.3的值。上述校準技術具有如石英工件般相似的應用。對於在所需溫度範圍內具有可變放射率的任何其他材料也是有利於本技術。
本揭露不限制在本文描述的特定實施例的範圍內。其它對於本揭露的各種實施例與修改以及本文中的描述，由上述描述和附圖對於所屬技術領域中具有通常知識者將是顯而易見的。因此，此類其他實施例和修改都在本揭露的範圍中。再來，雖然本揭露在文中描述為了特定的目的在特定的環境中的特定實施方法之內容，但所屬技術領域中具有通常知識者可理解其利用不限於此，且本揭露在任何環境中為了任何目的都可有利地實施。從而，下面敘述的申請專利範圍應以如本文中所述的本揭露的全部範圍和精神來理解。
Claims (15)
- 一種處理系統，包括：平台；校準工件，配置在所述平台上；紅外線攝影機，使用在紅外線光譜中的波長範圍去測定所述校準工件的溫度；以及塗佈層，配置在所述校準工件的上表面的一部分上，所述塗佈層在所述波長範圍在溫度範圍內具有變化小於20%的放射率。
- 如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中所述溫度範圍在0℃及600℃之間。
- 如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中所述塗佈層沿著所述上表面的直徑塗佈。
- 如申請專利範圍第1項所述的處理系統，其中所述塗佈層塗佈在所述上表面的整體上。
- 一種校準工件製程的方法，包括：維持在處理室中的經加熱平台在大於100℃的高溫下；引入校準工件至所述處理室，所述校準工件包括在其上表面的一部分上的塗佈層，所述塗佈層在所需溫度範圍內具有變化小於20%的放射率；置放所述校準工件在所述經加熱平台上；藉由將紅外線攝影機聚焦在所述部分以監控隨著時間推移的所述校準工件的溫度；以及記錄所述校準工件達到預定溫度的時間。
- 如申請專利範圍第5項所述的校準工件製程的方法，更包括在所述記錄之後處理工件，其中所述處理包括：置放所述工件在所述經加熱平台上；等待預定的時間量；以及在所述等待後處理所述工件，其中所述預定的時間量是根據所述校準工件到達所述預定溫度的記錄時間而決定。
- 如申請專利範圍第5項所述的校準工件製程的方法，其中所述塗佈層塗佈在所述校準工件的所述上表面的整體，以及更包括藉由將所述紅外線攝影機聚焦在所述上表面的多個點來測定所述校準工件的溫度均勻性。
- 如申請專利範圍第5項所述的校準工件製程的方法，其中所述部分包括所述上表面的直徑，以及更包括藉由將所述紅外線攝影機聚焦在所述直徑的多個點來估算所述校準工件的溫度均勻性。
- 一種驗證工件製造製程的方法，包括：引入第一工件進入處理室；在所述處理室中配置所述第一工件在經加熱平台上，所述經加熱平台在大於100℃的高溫下；當所述第一工件在所述經加熱平台上時，處理所述第一工件；用與引入所述第一工件相同的方法引入校準工件進入所述處理室，其中所述校準工件包括在所述校準工件的上表面的一部分上的塗佈層，所述塗佈層在所需溫度範圍內具有變化小於20%的放射率；使用聚焦在具有所述塗佈層的所述部分的紅外線攝影機以測量所述校準工件的溫度；以及驗證所述溫度位於可接受的範圍內。
- 如申請專利範圍第9項所述的驗證工件製造製程的方法，更包括：在驗證所述溫度在所述可接受的範圍內之後，引入第二工件進入所述處理室；在所述處理室中配置所述第二工件在所述經加熱平台上；以及當所述第二工件在所述經加熱平台上時，處理所述第二工件。
- 如申請專利範圍第9項所述的驗證工件製造製程的方法，更包括若所述溫度不在所述可接受的範圍內，則執行校正措施。
- 如申請專利範圍第9項所述的驗證工件製造製程的方法，其中所述引入包括：在裝卸室中配置工件；以及使用配置於所述處理室中的機器人機械裝置，從所述裝卸室移除所述工件。
- 如申請專利範圍第9項所述的驗證工件製造製程的方法，其中所述塗佈層塗佈在所述校準工件的所述上表面的整體，以及更包括藉由將所述紅外線攝影機聚焦在所述上表面上的多個點以測定所述校準工件的溫度均勻性。
- 如申請專利範圍第9項所述的驗證工件製造製程的方法，其中所述部分包含所述上表面的直徑，以及更包括藉由將所述紅外線攝影機聚焦在所述直徑上的多個點以估算所述校準工件的溫度均勻性。
- 一種在高溫處理工件的方法，包括：將塗佈層塗佈至工件的上表面的第一部分，所述塗佈層在所需溫度範圍內具有變化小於20%的放射率；在經加熱平台上置放所述工件；將紅外線攝影機聚焦在所述第一部分以監控所述工件的溫度；處理所述工件的第二部分，所述第二部分與所述第一部分不同；以及當正在處理所述工件時，根據所述工件的所監控的溫度調整所述經加熱平台的溫度，以維持所述工件在高溫下，其中所述高溫大於100℃。
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