KR101973712B1 - 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치를 이용하여 웨이퍼를 세정하는 공정에서 웨이퍼의 표면 온도를 실시간으로 측정하여 모니터링하는 방법에 관한 것으로, (a) 반도체 웨이퍼 세정장치의 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(Multi-Station Processing Chamber, MPC) 내에서 웨이퍼 표면을 세정하는 단계; (b) 상기 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 내에 각각 설치된 비접촉의 온도센서에서 웨이퍼 표면온도를 감지하는 단계; (c) 상기 온도센서에서 감지된 웨이퍼 표면온도 신호를 증폭기에서 일정 레벨로 증폭하여 출력하는 단계; (d) 상기 각 증폭기의 신호를 컨트롤러가 수신하여 컨트롤러에 설치된 애플리케이션 형태의 웨이퍼 표면 모니터링 시스템에서 각 멀티 스테이션 프로세싱 챔버별로 각각의 웨이퍼 표면을 일정의 단위 채널로 분리하여 온도데이터로 변환하는 단계; (e) 상기 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 변환된 온도데이터를 모니터를 통해 그래픽사용자인터페이스(GUI) 그래프로 시뮬레이션 처리하여 표시하는 단계, 및 (f) 상기 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 컨트롤러에서 변환된 온도데이터를 데이터베이스(DB)에 저장하고, 온도데이터를 비교 및 분석하며, 온도데이터를 리포팅 및 인쇄하는 단계를 포함하여 이루어진 것이다. 본 발명은 반도체 웨이퍼 표면으로부터 금속 오염물질과 유기 오염물질을 제거하는 과정에서 화학적인 반응과 마찰에 의하여 웨이퍼 표면이 일정 온도 이상이 되는 것을 실시간으로 인식할 수 있어 웨이퍼의 불량률을 감소시켜 수율을 향상시킨 이점이 있다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법{Method for Monitering Real-time Semiconductor Wafer Surface Temperature In Wafer Cleaning Apparatus}
본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도를 모니터링하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼 세정장치를 이용하여 웨이퍼를 세정하는 공정에서 웨이퍼의 표면 온도를 실시간으로 측정하여 모니터링하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼 상에 제조되는 반도체 소자의 집적도가 증가됨에 따라 다층 배선 공정이 이루어지고 있다. 따라서 다층 배선 사이의 층간 절연막에 대한 단차가 증가함으로 이에 대한 평탄화 작업이 더욱 중요해지고 있다. 더욱이 웨이퍼 표면을 평탄화하기 위한 제조 기술로서, CMP(Chemical Mechanical Polishing, 화학적 기계 연마)는 웨이퍼를 연마패드(Pad)의 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 슬러리(Slurry)를 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 플래튼(Platen)과 연마헤드(Polishing Head)를 상대 운동시켜 기계적으로 웨이퍼 표면의 요철부분을 평탄화하는 기술이다.
종래에 CMP 장비를 이용하여 반도체 웨이퍼 표면으로부터 금속 오염물질과 유기 오염물질을 제거하는 과정에서 화학적인 반응과 마찰에 의하여 웨이퍼 표면이 일정 온도 이상이 되면 웨이퍼의 불량에 따른 수율이 현저히 떨어지는 문제가 있었다.
또한, 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면을 세정(Wafer Cleaning)하는 기술은 크게 습식 세정과 건식 세정으로 구분된다. 세정 공정은 반도체 웨이퍼 표면 위의 물질을 제거한다는 점에서 식각 공정과 매우 유사하나 그 대상이 웨이퍼 표면에 존재하는 불순물들을 제거한다는 데 그 차이가 있다. 불순물은 필름, 개별 입자 혹은 입자 덩어리, 흡착된 가스 등으로 이루어진 것으로, 이들은 원자, 이온, 분자 등과 같은 물질 특성을 가지고 있다. 전통적인 실리콘 웨이퍼 세정 방법은 대부분 과산화수소(H2O2) 용액을 사용한 화학적 습식 방법이었으나, 많은 화학 물질의 소모와 사용된 물질의 폐기, 그 이후 진행되는 다른 제조 공정과의 비호환성 등으로 인하여 점차 건식 쪽으로 세정 기술의 변화를 가져오게 되었다. 우선 실리콘 웨이퍼의 습식 세정에 대해 살펴보면, 가장 오래 사용되어온 기술이 RCA 세정법으로서, 이는 습식 화학 세정에 사용되는 가장 일반적인 방법이다. RCA 세정에 사용되는 용액은 고순도의 DI(deionized) water와 과산화수소(H2O2), 수산화암모늄(NH4OH), 그리고 염산(HCl) 등으로 이루어져 있다. 이들은 보통 RCA 표준세정-1(SC-1; Standard Clean 1)과 표준세정-2 (SC-2 ; Standard Clean 2)의 두 단계로 구성된다. 제1단계에서는 강한 산화 작용으로 인하여 표면 유기물질들이 산화되어 용해되며, 잔류 금속 불순물(Au, Ag, Cu, Ni, Cd, Zn, Co, Cr 등)도 같이 제거된다. 제2단계에서는 알칼리 이온들(Al3+, Fe3+, Mg2+)과 NH4OH에는 녹지 않는 수산화 물질인 Al(OH)3, Fe(OH)3, Mg(OH)2, Zn(OH)2 및 그때까지 제거되지 않고 잔존하는 물질들이 제거된다. 경우에 따라 제1단계 후에 생성되는 수산화 물질을 효과적으로 제거하기 위하여 묽은 불산(HF) 용액을 사용하기도 한다. 이때, 세정액의 온도 변화는 여러 가지 중요한 효과들을 일으킨다. 즉, 온도가 증가하면 화학 물질들의 반응 속도도 증가하여 약 10℃ 온도 상승에 따라 약 2배 정도의 반응 속도 증가가 일어난다. 뿐만 아니라, 온도 증가는 일반적으로 오염 물질들의 용해도도 증가시켜 세정이 빨리 이루어지게 한다. 반면 온도의 증가는 웨이퍼 표면에 금속 복합물질의 도금 작용을 일으킬 수도 있다. 또한 세정 용액이 웨이퍼 표면에 잘 흡착되어야 세정 작용이 일어난다. 따라서 세정 용액의 웨이퍼 표면 부착 상태는 세정 효과의 향상을 위해 역시 고려해야 할 중요한 요소인 것이다. 고체인 웨이퍼와 액체인 용액의 표면장력이 서로 비슷하거나 고체의 표면장력이 액체보다 더 클 때 고체 표면에서의 액체 부착이 잘 일어난다. 일반적으로 많은 유기 용제들은 무기물 용액에 비해 표면장력이 낮아 웨이퍼에 잘 부착된다. 세정되는 표면의 특성이 친수성(Hydrophilic)인가 소수성(Hydrophobic)인가에 따라서도 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다.
한편, 웨이퍼 건조는 오염물질을 성공적으로 제거하기 위한 세정 공정의 중요한 마지막 단계이다. 물이 불순물을 웨이퍼 표면에 그대로 남겨 두고 증발해버리기 전에 강제적으로 물기를 제거해야만 되는 것이다. 일반적으로 사용되는 건조 방법에는 원심분리, 증기건조, 고온물(Hot-DI Water) 건조 등이 있다.
이와 같이 습식 세정은 집적회로 제조 공정에 일반적으로 사용되어온 방법이지만, 웨이퍼 세정과 기타 집적회로 제조 공정들의 조합(Process Integration)에서 나타나는 공정 상호간의 비호환성, 세정되어야 하는 웨이퍼 표면 모형들의 종횡비(Aspect Ratio)의 증가, 화학 용액 속의 불순물 제거의 어려움, 고순도 화학 물질과 DI-Water의 고가격, 사용된 폐기물의 처리 등 많은 문제점들로 인하여 건식 웨이퍼 세정 기술이 빠르게 개발되어 왔다. 건식 세정에서는 오염 물질들이 다음과 같은 과정들에 의해 제거된다. 이외에 증기 세정법도 있는데, 이 방법은 플라즈마나 이온 충돌, 전자, 광자들에 의하여 촉진되는 표면 화학 반응이나 물리적인 방법으로 세정이 이루어지는 건식 세정과는 달리, 세정액을 증발시켜 발생된 증기를 기판 표면에 접촉시켜 오염 물질들을 분리해내는 세정을 말한다. 증기 세정법은 습식 세정에 비하여 건식 세정의 일반적인 장점들을 많이 가지고 있어, 세정액 자체의 잔류에 의한 오염 방지, 정확한 제어, 폐기물 처리용이, 컴퓨터 제어에 의한 안정성, 증기의 종류나 온도, 압력 변화의 다양성 및 In-Situ 공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
본 발명과 관련된 선행기술로서, 특허문헌 1은 상기 기록하는 단계 이후에 작업물을 프로세싱하는 단계를 더 포함하며, 상기 프로세싱하는 단계는, 상기 작업물을 상기 가열된 플래튼 상에 위치시키는 단계; 미리 결정된 시간의 양을 대기하는 단계; 및 상기 대기하는 단계 이후에 상기 작업물을 프로세싱하는 단계로서, 상기 미리 결정된 시간의 양은, 상기 교정작업물이 상기 미리 결정된 온도에 도달하기 위한 상기 기록된 시간에 기초하여 결정되는 단계를 포함하는 적외선을 사용하는 반도체 작업물들의 온도 측정 방법이 개시되어 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2016-0138194호(2016.12.02. 공개)
본 발명은 상기 문제를 해결하기 위한 것으로, 반도체 웨이퍼 세정장치로 웨이퍼 표면을 세정하는 공정에서 웨이퍼의 표면 온도를 측정하여 실시간으로 모니터링할 수 있도록 함으로써, 웨이퍼 세정공정에서 화학적인 반응과 마찰에 의하여 웨이퍼 표면의 불규칙적인 온도변화에 능동적으로 대처하기 위한 것이 목적이다.
또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼를 연마하는 공정에서 연마패드의 표면 온도를 실시간으로 측정하여 실시간으로 모니터링할 수 있도록 함으로써, 웨이퍼 세정공정에서 화학적인 반응과 마찰에 의하여 웨이퍼 표면의 불규칙적인 온도변화에 능동적으로 대처하기 위한 것이 다른 목적이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, (a) 반도체 웨이퍼 세정장치의 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(Multi-Station Processing Chamber, MPC) 내에서 웨이퍼 표면을 세정하는 단계; (b) 상기 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 내에 각각 설치된 비접촉의 온도센서에서 웨이퍼 표면온도를 감지하는 단계; (c) 상기 온도센서에서 감지된 웨이퍼 표면온도 신호를 증폭기에서 일정 레벨로 증폭하여 출력하는 단계; (d) 상기 각 증폭기의 신호를 컨트롤러가 수신하여 컨트롤러에 설치된 애플리케이션 형태의 웨이퍼 표면 모니터링 시스템에서 각 멀티 스테이션 프로세싱 챔버별로 각각의 웨이퍼 표면을 일정의 단위 채널로 분리하여 온도데이터로 변환하는 단계; (e) 상기 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 변환된 온도데이터를 모니터를 통해 그래픽사용자인터페이스(GUI) 그래프로 시뮬레이션 처리하여 표시하는 단계, 및 (f) 상기 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 컨트롤러에서 변환된 온도데이터를 데이터베이스(DB)에 저장하고, 온도데이터를 비교 및 분석하며, 온도데이터를 리포팅 및 인쇄하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법을 제공한 것이 특징이다.
또한, 본 발명에서, (g) 상기 컨트롤러는 해당 챔버에서 감지된 웨이퍼의 표면온도가 설정된 온도이상이라고 판단되면 모니터를 통해 경보를 하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에서, (h) 상기 컨트롤러는 멀티 스테이션 프로세싱 챔버별로 온도데이터를 통신망을 통해 공정이상진단장치로 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 컨트롤러의 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 온도데이터를 모든 챔버, 개별 챔버, 히스토리뷰 또는 레코딩뷰로 분류하여 모두 또는 선택적으로 표시할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 온도센서는 적외선(iR) 카메라를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 웨이퍼 표면의 온도를 64채널로 분리하여 모니터를 통해 그래픽사용자인터페이스(GUI)로 표시할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼 세정장치로 웨이퍼를 세정하는 공정에서 웨이퍼의 표면 온도를 무선의 온도센서로 실시간 감지할 수 있고, 온도센서에서 감지한 웨이퍼 표면 온도를 복수의 채널로 분리하여 모니터를 통해 가시적으로 표시하며, 반도체 웨이퍼 세정장치에 설치된 복수의 챔버를 일괄적으로 모니터링할 수 있도록 하고, 웨이퍼를 연마하는 공정에서 온도센서가 연마패드의 표면 온도를 보다 정확하게 감지할 수 있으며, 반도체 웨이퍼 표면으로부터 금속 오염물질과 유기 오염물질을 제거하는 과정에서 화학적인 반응과 마찰에 의하여 웨이퍼 표면 또는 연마패드가 일정 온도 이상이 되는 것을 실시간으로 인식할 수 있어 웨이퍼의 불량률을 감소시켜 수율을 향상시킨 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 실시 예로, 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 시스템을 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법으로, 도 3a는 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도를 한 번에 나타낸 사진이고, 도 3b는 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도를 세부적으로 나타낸 사진이며, 도 3c는 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도 변화를 나타낸 그래프이고, 도 3d는 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도 변화를 기록한 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법으로 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도 변화에 관한 동향을 나타낸 그래프이다.
이하 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 시스템에 관한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1에서, 온도센서(10)는 반도체 웨이퍼 세정장치(1)에 설치된 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(Multi-Station Processing Chamber, MPC)(2) 내에 설치된다. 온도센서(10)는 비접촉식 센서로 적외선(iR) 카메라가 적용될 수 있다. 더욱이 온도센서는 다중영역(Multi area)의 온도를 감지하는 것으로, 웨이퍼 표면을 64개 영역(64CH)으로 구분하여 온도를 감지한다. 온도센서(10)는 각 챔버(2) 상부 일측에 설치되어 플래튼(3) 내에 삽입된 웨이퍼(4) 표면 온도를 감지한다. 온도센서(10)는 동작범위가 대략 -30~120도이고, 온도측정범위는 대략 -70~380도이다. 그리고 도 2에서, 온도센서(10)의 측정거리범위는 대략 50~600mm이고, 측정각도는 대략 40~60도이며, 감지대상인 웨이퍼와 온도센서(10)의 설치각도는 대략 60~120도이다. 또한, 온도센서(10)는 이더넷으로 통신을 하고, USB 또는 무선으로 통신할 수 있다.
증폭기(20)는 온도센서(10)에서 감지된 신호를 받아 일정 레벨이상으로 증폭하여 출력한다. 증폭기(20)는 온도센서(10)에서 감지된 신호에 포함된 노이즈를 필터링할 수 있도록 한다.
컨트롤러(30)는 증폭기(20)에서 일정 레벨로 증폭된 온도신호를 모니터(40)를 통해 가시적으로 표시한다. 더욱이 컨트롤러(30)에 설치된 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 그래픽사용자인터페이스(GUI)로 이루어진 애플리케이션이다.
웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2) 각각의 온도데이터를 모두 표시하거나 또는 각각의 챔버별로 표시하거나 또는 히스토리뷰(History View)나 레코딩뷰(Recording View)로 분류하여 모두 또는 선택적으로 표시한다. 즉, 도 3a은 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)에서 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도를 한 번에 나타낸 사진이고, 도 3b는 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)에서 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도를 세부적으로 나타낸 사진이며, 도 3c는 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)에서 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도 변화를 나타낸 그래프이고, 도 3d는 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)에서 모니터를 통해 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 각각에서 감지된 웨이퍼 표면 온도 변화를 기록한 사진이다.
또한, 컨트롤러(30)는 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2) 중에서 해당 챔버에서 감지된 웨이퍼의 표면온도가 설정된 온도이상이라고 판단되면, 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)이 모니터(40)를 통해 경보를 함으로써 관리자에 의하여 해당 챔버에 관한 후처리가 이루어지도록 한다. 또한, 컨트롤러(30)는 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)별로 온도데이터를 통신망을 통해 공정이상진단장치(50)로 전송한다. 더욱이 컨트롤러(30)는 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)로부터 수신된 온도데이터와 더불어 비교 및 분석과 리포팅 정보 등을 DB(31)에 저장한다.
공정이상진단장치(Fault Detection and Classification, FDC) 웨이퍼 표면 모니터링 시스템의 데이터를 실시간으로 수집하고 분석한다. 더욱이 공정이상진단장치(50)는 웨이퍼 표면 모니터링 중에서 발생되는 문제를 적시에 대처할 수 있고, 누적된 데이터의 분석을 통하여 적절한 주기의 PM을 설정하여 설비의 장애를 최소화할 수 있으며, 각기 다른 데이터 간의 상관관계를 파악하고 조합하여 더 정밀한 분석업무를 할 수 있도록 함으로써, 반도체 웨이퍼 세정장치의 무결정 공정이 이루어지도록 한다.
이와 같이 이루어진 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법에 관하여 도 2의 흐름도를 참조하여 설명한다.
도 2에서, 반도체 웨이퍼 세정장치(1)의 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2) 내에서 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 웨이퍼 표면의 금속 오염물질이나 유기 오염물질을 세정하는 공정이 수행된다(S1). 이때, 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2) 내에 각각 설치된 비접촉의 온도센서(10), 즉, 적외선 카메라에서 웨이퍼 표면온도를 감지한다(S2). 그리고 온도센서(10)에서 감지된 웨이퍼 표면온도 신호를 증폭기(20)에서 일정 레벨로 증폭한 후에 컨트롤러(30)로 출력한다(S3).
컨트롤러(30)는 각 증폭기(20)의 신호를 수신하여 컨트롤러에 설치된 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)에서 각 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)별로 각각의 웨이퍼 표면을 일정의 단위 채널로 분리하여 온도데이터로 변환한다(S4). 그리고 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 변환된 온도데이터를 모니터(40)를 통해 그래픽사용자인터페이스(GUI) 그래프로 시뮬레이션 처리한 후 표시한다(S5). 또한, 컨트롤러(30)는 변환된 온도데이터를 DB(31)에 저장한다(S6). 또한, 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 컨트롤러(30)에서 변환된 온도데이터를 비교 및 분석하며, 온도데이터를 리포팅 및 인쇄한다(S7).
컨트롤러(30)는 해당 챔버(2)에서 감지된 웨이퍼의 표면온도가 설정된 온도이상이 되면, 모니터(40)를 통해 경보를 발생시켜 관리자가 인지할 수 있도록 함으로써 사후 조치가 이루어지도록 한다(S8). 컨트롤러(30)는 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)별로 온도데이터를 통신망을 통해 공정이상진단장치(50)로 전송한다(S9).
즉, 컨트롤러(30)의 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 도 3a에서, 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)의 모든 온도데이터가 모니터(40)를 통해 표시되도록 하거나, 도 3b에서, 해당하는 챔버(2)의 온도데이터가 모니터(40)를 통해 표시되도록 한다. 또한, 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)에서 발생된 온도데이터에 관한 히스토리뷰가 표시되도록 하거나, 도 3d에서, 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)에서 발생된 온도데이터에 관한 레코딩뷰가 표시되도록 한다.
더욱이 도 4에서, 컨트롤러(30)의 웨이퍼 표면 모니터링 시스템(41)은 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(2)를 통해 웨이퍼를 세정하는 공정에서 발생되는 온도데이터에 대한 전체적인 경향을 그래프로 표출할 수도 있다.
한편, 본 발명은 반도체 웨이퍼를 연마하는 공정에서, 연마패드를 웨이퍼의 표면 위에 접촉하도록 한 상태에서 슬러리를 공급하여 웨이퍼 표면을 화학적으로 반응시키면서 플래튼(Platen)과 연마헤드(Polishing Head)를 상대 운동시켜 기계적으로 웨이퍼 표면의 금속 오염물질이나 유기 오염물질을 평탄화하는 연마공정을 수행하는 동안 연마패드의 표면 온도를 온도센서가 감지하여 신호의 증폭과 더불어 연마패드 표면을 일정 단위 채널로 분리하여 온도데이터로 변환한 후, 웨이퍼 표면 모니터링 시스템에서 변환된 온도데이터를 모니터를 통해 그래픽사용자인터페이스(GUI) 그래프로 시뮬레이션 처리하여 표시하고, 컨트롤러에서 변환된 온도데이터를 데이터베이스(DB)에 저장하고, 온도데이터를 비교 및 분석하며, 온도데이터를 리포팅 및 인쇄할 수 있다.
또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 세정공정에서 웨이퍼 표면의 온도를 실시간으로 모니터링 하지만, 반도체 웨이퍼의 연마공정에서 연마패드 표면의 온도를 실시간으로 모니터링 하는 것도 포함된다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
1: 반도체 웨이퍼 세정장치 2: 챔버 3: 플래튼 4: 웨이퍼
10: 온도센서 20: 증폭기 30: 컨트롤러 31: DB
40: 모니터 41: 웨이퍼 표면 모니터링 시스템 50: 공정이상진단장치

Claims (6)

  1. (a) 반도체 웨이퍼 세정장치의 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(Multi-Station Processing Chamber, MPC) 내에서 웨이퍼 표면을 세정하는 단계;
    (b) 상기 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 내에 각각 설치된 비접촉의 적외선(iR) 카메라를 포함하는 온도센서에서 웨이퍼 표면온도를 감지하는 단계;
    (c) 상기 온도센서에서 감지된 웨이퍼 표면온도 신호를 증폭기에서 일정 레벨로 증폭하여 출력하는 단계;
    (d) 상기 각 증폭기의 신호를 컨트롤러가 수신하여 컨트롤러에 설치된 애플리케이션 형태의 웨이퍼 표면 모니터링 시스템에서 각 멀티 스테이션 프로세싱 챔버별로 각각의 웨이퍼 표면의 온도를 64채널로 분리하여 온도데이터로 변환하는 단계;
    (e) 상기 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 변환된 온도데이터를 모니터를 통해 그래픽사용자인터페이스(GUI) 그래프로 시뮬레이션 처리하여 표시하되, 온도데이터를 모든 챔버, 개별 챔버, 히스토리뷰 또는 레코딩뷰로 분류하여 모두 또는 선택적으로 표시하는 단계;
    (f) 상기 웨이퍼 표면 모니터링 시스템은 컨트롤러에서 변환된 온도데이터를 데이터베이스(DB)에 저장하고, 온도데이터를 비교 및 분석하며, 온도데이터를 리포팅 및 인쇄하는 단계;
    (g) 상기 컨트롤러는 해당 챔버에서 감지된 웨이퍼의 표면온도가 설정된 온도이상이라고 판단되면 모니터를 통해 경보를 하는 단계, 및
    (h) 상기 컨트롤러는 멀티 스테이션 프로세싱 챔버별로 온도데이터를 통신망을 통해 공정이상진단장치로 전송하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 세정장치에서 웨이퍼 표면 온도 실시간 모니터링 방법.
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