TWI647804B - 影像感測器封裝結構及其封裝方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供了一種影像感測器封裝結構及其封裝方法，封裝結構包括：待封裝晶片，待封裝晶片包括分別位於待封裝晶片兩側的第一表面和第二表面，在第一表面上設置有感光區以及位於感光區周圍的第一焊墊；設置於待封裝晶片第一表面側的基板，基板包括分別位於基板兩側的第三表面和第四表面，第三表面上設置有第二焊墊和第三焊墊；第二焊墊位於第三焊墊遠離所述感光區的一側；待封裝晶片的第一表面和基板的第三表面相對；第一焊墊和第三焊墊連接在一起。該影像感測器封裝結構形成了對待封裝晶片很好的保護，能夠防止待封裝晶片的斷裂。
Description
本發明涉及半導體晶片封裝領域，尤其涉及一種影像感測器的封裝結構及其封裝方法。
傳統的影像感測器封裝結構通常採用打線接合(Wire Bonding)進行封裝，但隨著積體電路的飛速發展，較長的引線使得產品尺寸無法達到理想要求。隨著技術的發展，晶圓級封裝逐漸取代打線接合封裝，且晶圓級封裝是目前較為常用的封裝方法。
現有的晶圓級封裝結構如圖1所示。其包括待封裝晶片200和覆蓋層300。其中，在待封裝晶片200的第一表面200a上形成有微透鏡211，並且在待封裝晶片200靠近第一表面200a的內部形成有焊墊212。在待封裝晶片200的第一表面200a以及覆蓋層300的第一表面300a之間設置有支撐結構320。支撐結構320的表面塗佈有黏合膠，用於黏接覆蓋層300和待封裝晶片200。在待封裝晶片200與覆蓋層300黏接後，在微透鏡211上方與覆蓋層300之間形成空腔310。
為了能夠將待封裝晶片200與外部的電路板實現電連接，在待封裝晶片200的第二表面200b形成有多個蝕刻槽215，該蝕刻槽215的底部與焊墊212導通。在蝕刻槽215表面上形成有絕緣層213以及導電層214，並且在導電層214上形成焊點216，焊點216與外部電路板上的焊點實現電連接，如此，就能夠將待封裝晶片200與外部電路板實現電連接。
然而，現有的晶圓級封裝結構需要在待封裝晶片上進行蝕刻工藝，增加了待封裝晶片的損壞率，而且，由於該封裝結構需要蝕刻工藝和薄膜沉積工藝，其工序較為繁瑣並且封裝成本較高。
有鑑於此，本發明的第一方面提供了一種影像感測器封裝結構，以降低待封裝晶片的損壞率。
本發明的第二方面提供了一種影像感測器封裝結構的封裝方法，以簡化封裝工序，降低封裝成本。
為了達到上述發明目的，本發明採用了如下技術方案：一種影像感測器封裝結構，包括：待封裝晶片，所述待封裝晶片包括分別位於待封裝晶片兩側的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有感光區以及位於所述感光區周圍的第一焊墊；設置於所述待封裝晶片第一表面側的基板，所述基板包括分別位於基板兩側的第三表面和第四表面，所述第三表面上設置有第二焊墊和第三焊墊；所述第二焊墊位於所述第三焊墊遠離所述感光區的一側；其中，所述待封裝晶片的第一表面和所述基板的第三表面相對；所述第一焊墊和所述第三焊墊連接。
可選的，所述基板上設置有導電層，所述導電層與所述第二焊墊和所述第三焊墊電連接，所述導電層由金屬佈線構成，所述金屬佈線的線寬和線間距在20-50微米之間。
可選的，所述金屬佈線的線寬和線間距為30微米。
可選的，所述第一焊墊及/或所述第三焊墊的表面上還形成有焊接凸點。
可選的，所述基板的材質為透明材質。
可選的，所述基板的材質為不透光材質，所述基板上設置有貫穿所述基板的開口，所述開口暴露出所述待封裝晶片的感光區。
可選的，所述基板的第四表面上設置有保護層，所述保護層覆蓋開口區域。
可選的，所述基板的第四表面上對應所述感光區的位置設置有鏡頭模組組件。
可選的，所述鏡頭組件包括透鏡和用於支撐所述透鏡的透鏡支架。
可選的，所述第二焊墊的高度大於所述待封裝晶片、所述第一焊墊以
及所述第三焊墊的高度之和。
一種影像感測器封裝結構的封裝方法，包括：提供待封裝晶片和基板；所述待封裝晶片包括分別位於待封裝晶片兩側的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有感光區以及位於所述感光區周圍的第一焊墊；所述基板包括分別位於基板兩側的第三表面和第四表面，所述第三表面上設置有第二焊墊和第三焊墊，所述第二焊墊位於所述第三焊墊遠離所述感光區的一側；按照所述第一表面和第三表面相對的方式放置所述待封裝晶片和所述基板，且使所述第一焊墊和所述第三焊墊對準；將所述第一焊墊和所述第三焊墊焊接在一起，從而將所述待封裝晶片和所述基板封裝在一起。
可選的，所述基板上設置有導電層，所述導電層與所述第二焊墊和所述第三焊墊電連接，所述導電層由金屬佈線構成，所述金屬佈線的線寬和線間距在20-50微米之間。
可選的，所述金屬佈線的線寬和線間距為30微米。
可選的，所述基板的材質為透明材質。
可選的，所述基板的材質為不透光材質，所述基板上設置有貫穿所述基板的開口，所述開口暴露出所述待封裝晶片的感光區。
可選的，還包括：在所述基板的第四表面上形成保護層，所述保護層覆蓋開口區域。
可選的，還包括：在所述基板的第四表面上對應所述感光區的位置形成鏡頭模組組件。
相較於習知技術，本發明具有以下有益效果：本發明提供的影像感測器封裝結構中，待封裝晶片上的信號能夠透過第一焊墊、第三焊墊以及第二焊墊傳輸出去，並且設置在基板第三表面上的第二焊墊能夠與外部電路板上的焊點電連接，因而，待封裝晶片與外部電路板之間可以透過第一焊墊、第三焊墊和第二焊墊實現信號的傳輸。這種信號傳輸方式無需對待封裝晶片的背面進行蝕刻，形成自待封裝晶片背面向待封裝晶片內部延伸的蝕刻槽，所以，本發明提供的晶圓級影像感測
器封裝結構，降低了待封裝晶片的損壞率。
此外，本發明提供的封裝方法只需在待封裝晶片和基板上形成焊墊，無需蝕刻工藝和薄膜沉積工藝，所以，本發明提供的封裝方法簡化了封裝工序，有利於降低封裝成本。
21‧‧‧待封裝晶片
21a‧‧‧第一表面
21b‧‧‧第二表面
22、22’‧‧‧基板
22a、22’a‧‧‧第三表面
22b、22’b‧‧‧第四表面
23‧‧‧保護層
30‧‧‧電路板
40‧‧‧鏡頭模組組件
41‧‧‧透鏡
42‧‧‧透鏡支架
200‧‧‧待封裝晶片
200a‧‧‧第一表面
200b‧‧‧第二表面
211‧‧‧微透鏡
212‧‧‧焊墊
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧導電層
215‧‧‧蝕刻槽
216‧‧‧焊點
221、221’‧‧‧第二焊墊
222、222’‧‧‧第三焊墊
223‧‧‧開口
224、224’‧‧‧焊接凸點
300‧‧‧覆蓋層
300a‧‧‧第一表面
310‧‧‧空腔
320‧‧‧支撐結構
為了清楚地理解本發明和習知技術的方案，下面將描述本發明和習知技術的技術方案所用到的附圖做一簡要說明。顯而易見地，這些附圖僅是本發明的部分實施例，本領域技術人員在未付出創造性勞動的前提下，還可以獲得其它附圖。
圖1是習知技術中晶圓級影像感測器封裝結構示意圖；圖2是本發明實施例提供的第一種影像感測器封裝結構示意圖；圖3是本發明實施例提供的第二種影像感測器封裝結構示意圖；圖4是本發明實施例提供的第三種影像感測器封裝結構示意圖；圖5是本發明實施例提供的影像感測器封裝結構的封裝方法流程示意圖。
下面結合附圖對本發明的具體實施方式進行詳細描述。
正如背景技術部分所述，習知技術中的晶圓級影像感測器的封裝結構中，其待封裝晶片的損壞率較高。
本發明為了解決上述技術問題，提供了一種影像感測器的封裝結構，其包括：待封裝晶片，所述待封裝晶片包括相對的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有感光區以及位於所述感光區周圍的第一焊墊。
設置於所述待封裝晶片第一表面側的基板，所述基板包括分別位於基板兩側的第三表面和第四表面，所述第三表面上設置有第二焊墊和第三焊墊；所述第二焊墊位於所述第三焊墊遠離所述感光區的一側；其中，所述待封裝晶片的第一表面和所述基板的第三表面相對；所述第一焊墊和所述第三焊墊連接。
在本發明提供的影像感測器封裝結構中，待封裝晶片上的信號能夠透過第一焊墊、第三焊墊以及第二焊墊傳輸出去，並且設置在基板第三表面
上的第二焊墊能夠與外部電路板上的焊點電連接，因而，待封裝晶片與外部電路板之間可以透過第一焊墊、第三焊墊和第二焊墊實現信號的傳輸。這種信號傳輸方式無需對待封裝晶片的背面進行蝕刻，形成自待封裝晶片背面向待封裝晶片內部延伸的蝕刻槽，所以，本發明提供的晶圓級影像感測器封裝結構，降低了待封裝晶片的損壞率。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。在詳述本發明實施例時，為便於說明，表示元件結構的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發明的保護範圍。此外，在實際製作中應包含長度、寬度及深度的三圍空間尺寸。
請參考圖2。圖2是本發明實施例提供的一種影像感測器封裝結構的剖面結構示意圖。如圖2所示，該影像感測器封裝結構包括：待封裝晶片21，所述待封裝晶片21包括分別位於待封裝晶片兩側的第一表面21a和第二表面21b，在所述第一表面21a上設置有感光區211以及形成於所述感光區211周圍的第一焊墊212；設置於所述待封裝晶片21第一表面21a側的基板22，所述基板22包括分別位於基板兩側的第三表面22a和第四表面22b，所述第三表面22a上設置有第二焊墊221和第三焊墊222，且所述第二焊墊221位於所述第三焊墊222遠離所述感光區211的一側；其中，所述待封裝晶片21的第一表面21a和所述基板22的第三表面22a相對；所述第三焊墊222與所述第一焊墊212連接在一起。
需要說明的是，設置在基板22上的第二焊墊221用於與封裝結構外部的電路板30電連接。具體地，電路板30上設置有焊點，第二焊墊221可以與電路板30上的焊點連接，從而實現待封裝晶片21與外部電路板30之間的電信號傳輸。需要進一步說明的是，電路板30不屬於本發明提供的影像感測器封裝結構的部件。
待封裝晶片在本發明實施例中，待封裝晶片21為影像感測器晶片，所述影像感測器可以為互補金屬氧化物(CMOS)影像感測器和電荷耦合元件(CCD)影像感測器其中的一種。
感光區211可以設置在待封裝晶片21第一表面21a的任一位置，通常情
況下，感光區211設置在待封裝晶片21第一表面21a的中心區域。
待封裝晶片21的感光區211內還可以形成有影像感測器單元(圖2中未示出)，該影像感測器單元的表面形成有微透鏡213。所述微透鏡213用於彙集照射到感光區211表面的入射光並傳遞到圖像感測器單元內。
所述感光區211的周圍設置有第一焊墊212。所述第一焊墊212的材料為導電材料，其可以為金屬材料，如Al、Au和Cu。具體地說，第一焊墊212可以為多個，其可以位於感光區211的至少一個側邊上。作為其中一個示例，第一焊墊212可以位於感光區211的四個側邊上，並且第一焊墊212在待封裝晶片21上呈矩形分佈，每一側邊上設置有若干個第一焊墊212。需要說明的是，第一焊墊212的數量多少取決於待封裝晶片的類型。在其它示例中，第一焊墊212位於感光區211相對的兩條側邊上。需要說明的是，由於第一焊墊212可以根據不同種類的晶片形成不同的分佈形狀，所以，第一焊墊212的分佈位置不限制本發明的保護範圍。
需要說明的是，作為一個完整的待封裝晶片，在本發明實施例中，待封裝晶片21上除了設置有上述所述的感光區211和位於感光區211周圍的第一焊墊212之外，還可以在其上設置有用於驅動晶片的驅動單元(圖2中未示出)、獲取感光區電流的讀取單元(圖2中未示出)、處理感光區電流的處理單元(圖2中未示出)。此外，待封裝晶片21上還可以包括其它部件，由於這些部件與本發明的發明點關係不密切，所以，在此不作詳細描述。
在本發明實施例中，基板22的材質可以為透明材質，也可以為不透光材質。具體地，基板22的材質可以與電路板30材質相同。例如基板22可以為塑膠材質或金屬銅材質。此外，基板22也可以為玻璃材質。為了使得光能夠達到待封裝晶片的感光區211，當基板22的材質為不透光材質時，如圖2所示，基板22上設置有貫穿所述基板22兩表面的開口223。該開口223能夠暴露出所述待封裝晶片21的感光區211。作為本發明的一個具體實施例，開口223的位置可以與所述感光區211的位置相對應。而且，開口223的尺寸可以大於或等於感光區211的尺寸。利用該開口223，光可以直接入射到感光區211表面。在該實施例中，第三焊墊222可以位於開口223的周圍，第二焊墊221位於第三焊墊222遠離感光區211的一側。
為了能夠將待封裝晶片21上的電路與週邊電路實現電連接，基板22上
設置有導電層(圖2中未示出)，該導電層可以由金屬佈線構成。為了減小影像感測器封裝結構的尺寸，在本發明實施例中，基板22上的金屬佈線的線寬和線間距較小，例如可以在20-50微米之間，更具體地說，基板22上的金屬佈線的線寬和線間距為30微米。相較於習知技術中採用的100微米左右的線寬和線間距，本發明提供的影像感測器封裝結構的尺寸比習知技術中的封裝結構縮小2/3左右。因此，本發明提供的影像感測器封裝結構使得製成的元件更加小型化。
需要說明的是，基板22的尺寸通常大於待封裝晶片21的尺寸，並且在本發明實施例提供的影像感測器封裝結構中，第二焊墊221相對於所述待封裝晶片21更靠外。如此，當第二焊墊221與電路板30連接在一起後，就將待封裝晶片21包裹在電路板30和基板22之間，如此，待封裝晶片就被包裹在基板22和電路板30之間，因此，基板22和電路板30能夠形成對待封裝晶片的保護，如此可以避免待封裝晶片21的斷裂。
作為示例，第二焊墊221可以為金屬焊球。該第二焊墊221的材料可以採用本領域慣用的金屬焊接材料，如金屬錫。需要說明的是，可以存在多個第二焊墊221，其在基板22上可以呈矩形分佈，也可以呈兩條相互平行的直線形分佈。
在本發明實施例中，第三焊墊222可以為金屬凸塊。其金屬材料可以為Al、Au或Cu。需要說明的是，第三焊墊222在基板上的位置與所述第一焊墊212在待封裝晶片上的位置相對應。當第一焊墊212在待封裝晶片21上呈矩形分佈時，第三焊墊222在基板22上也呈矩形分佈。並且，第三焊墊222的數量與第一焊墊212的數量相同。
需要說明的是，為了實現與待封裝晶片21上的第一焊墊212的焊接，該第三焊墊222的表面上可以形成有焊接凸點224。該焊接凸點224用於與第一焊墊212的結合，從而將第一焊墊212和第二焊墊222焊接在一起，進而將基板22和待封裝晶片21的封裝在一起。
在本發明實施例中，用於形成焊接凸點224的材料與第一焊墊212的材料和兩者的連接工藝相關。當第一焊墊212的材料為Al時，所述焊接凸點224的材料為Au，連接工藝為超音波熱壓方式；當所述第一焊墊212的材料為Au時，所述焊接凸點224的材料為Sn，連接工藝為共晶鍵合方式。
作為本發明實施例的變型，焊接凸點也可以形成在第一焊墊212的表面上，此時，第三焊墊222表面上可以不形成有焊接凸點，此時，透過形成在第一焊墊212表面上的焊接凸點將第一焊墊212和第三焊墊222焊接在一起。形成於第一焊墊212表面上的焊接凸點與材料與第三焊墊222的材料和兩者的連接工藝相關。當第三焊墊222的材料為Al時，所述焊接凸點224的材料為Au，連接工藝為超聲熱壓方式；當所述第三焊墊222的材料為Au時，所述焊接凸點224的材料為Sn，連接工藝為共晶鍵合方式。
在本發明實施例中，電路板30可以為硬性印刷電路板PCB板也可以為軟性電路板FPC。需要說明的是，電路板30上設置有很多焊點，設置在所述基板22上的第二焊墊221與電路板30上的焊點連接，從而將封裝後的待封裝晶片21和基板22與電路板30連接在一起。
需要說明的是，在該影像感測器封裝結構中，待封裝晶片21與電路板30之間透過第一焊墊212、焊接凸點224、第三焊墊222、導電層以及第二焊墊221傳送電信號。這種信號傳輸方式無需對待封裝晶片的背面進行蝕刻，形成自待封裝晶片背面向待封裝晶片內部延伸的蝕刻槽，所以，本發明提供的晶圓級影像感測器封裝結構，降低了待封裝晶片的損壞率。
在本發明實施例中，設置於待封裝晶片21上的第一焊墊212通常為由第一表面21a凸出的焊墊，設置於基板22上的第三焊墊222為由第三表面22a凸出的焊墊。另外，為了使得電路板30能夠保護封裝新片21的第二表面，電路板30與基板22之間的距離應不小於第一焊墊212、第三焊墊222、待封裝晶片21以及電路板30上的焊點的高度之和。如此，在本發明實施例中，第二焊墊221的高度和電路板30上的焊點的高度之和不小於待封裝晶片21、所述第一焊墊212以及所述第三焊墊222的高度之和。而且，第二焊墊221的高度與所述待封裝晶片21、所述第一焊墊212以及所述第三焊墊222的高度之和相比，其差值不小於100微米。
作為本發明的可選實施例，為了防止感光區被外界污染，如圖2所示，在基板22的第四表面上還設置有用於保護感光區211的保護層23。該保護層23可以為塑膠薄膜或玻璃層。需要說明的是，當基板22上設置有開口223時，該保護層23還覆蓋該開口223表面區域。
需要說明的是，當保護層23為透明材料層時，在後續組裝鏡頭模組元
件時，可以直接在該保護層23上組裝，也可以將該保護層23去除，在基板22的第四表面上組裝鏡頭模組元件。但是，當保護層23為不透明材料層時，在後續組裝鏡頭模組元件之前，需要先去除該不透明材料層，在基板22的第四表面上對應感光區的位置組裝鏡頭模組元件。
此外，需要說明的是，當開口223上方不覆蓋有保護層23時，形成的圖像感測器不會出現色差或鬼影等光學現象，所以，在後續組裝鏡頭模組元件時，最好去除掉保護層或玻璃層，這樣有利於提高影像感測器的影像品質。
需要說明的是，圖2所示的影像感測器封裝結構中，其基板22為不透明基板。作為本發明的另一實施例，基板22也可以採用透明基板，如採用玻璃基板。當基板22為透明基板時，由於光能透過透明基板到達感光區211，所以，此時，在基板上可以不設置有開口。該影像感測器封裝結構示意圖如圖3所示。
圖3所示的影像感測器封裝結構與圖2所示的影像感測器封裝結構基本相同，其不同之處僅在於圖3所示的基板22’為透明基板，其上未設置有與感光區211對應的開口。在圖3中，22’a和22’b分別表示基板22’的第三表面和第四表面。221’表示設置在所述基板22’第三表面上的第二焊墊，222’表示設置在所述基板22’第三表面上的第三焊墊，224’表示設置在所述第三焊墊222’上的焊接凸點。
需要說明的是，作為本發明實施例的擴展，也可以在透明基板上設置有開口，此時影像感測器封裝結構與圖2所示的結構相同。
需要說明的是，圖2和圖3所示的影像感測器封裝結構，在基板22的第四表面上不設置有鏡頭模組元件。為了製作成影像元件，需要在製作影像元件時將鏡頭模組元件安裝在基板22的第四表面上對應所述感光區的位置。
作為本發明的另一實施例，還可以在圖2和圖3所示的影像感測器封裝結構中，在其基板的第四表面上對應所述感光區的位置設置有鏡頭模組元件，如此可以免去後續組裝鏡頭模組元件的過程。具體參見圖4。
需要說明的是，圖4是在圖2所示的影像感測器封裝結構的基礎上進行
的改進，圖4所示的影像感測器封裝結構與圖2所示的影像感測器封裝結構有諸多相似之處，為了簡要起見，在此僅著重描述其不同之處，其相似之處請參見圖2的相關描述。
如圖4所示的影像感測器封裝結構，除了具有圖2所示的各個部件以外，還包括：設置在所述基板22第四表面上對應所述感光區的位置的鏡頭模組組件40，所述鏡頭模組組件40包括透鏡41和用於支撐透鏡41的透鏡支架42。其中，透鏡41的位置與所述開口223的位置相對應，且透鏡41的尺寸大於或等於開口223的尺寸，使得外界光能透過透鏡照射到影像感測器的感光區211表面。若基板22為透明基板且其上不設置有開口時，此時透鏡41的尺寸大於或等於感光區211的尺寸。
需要說明的是，圖4所示的影像感測器封裝結構中不包括圖2所示的保護層23。作為本發明實施例的擴展，當設置在基板第四表面上方的保護層為透明材料層時，也可以直接在該保護層的上方形成鏡頭模組元件40，在此不再詳細描述。
在其它實施例中，在基板22的第四表面上還可以具有其它元件，如電阻、電感、電容、積體電路塊或光學元件等，具體元件類型可根據基板和待封裝晶片的類型進行選擇。
另外，當透鏡41的尺寸大於開口的尺寸時，透鏡支架42和開口邊緣有一定的橫向距離，且所述基板22與透鏡41之間有一定的縱向距離，因此，在透鏡支架42和基板22之間的基板22第四表面上可以形成其它元件，該其它元件能夠在透鏡支架42和基板22之間形成高密度堆疊結構，從而有利於元件的小型化。此外，在透鏡41和開口223之間還可以形成光學元件，例如偏振鏡、紅外線濾鏡等，用於提高圖像感測器的成像品質。
以上為本發明實施例提供的影像感測器封裝結構的具體實施方式。
基於上述實施例提供的影像感測器封裝結構，相應地，本發明實施例還提供了影像感測器封裝結構的封裝方法。具體參見圖5。
圖5是本發明實施例提供的影像感測器封裝結構的封裝方法流程示意圖。如圖5所示，該封裝方法包括以下步驟：S501、提供待封裝晶片和基板，所述待封裝晶片包括分別位於待封裝
晶片兩側的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有感光區以及位於所述感光區周圍的第一焊墊；所述基板包括分別位於基板兩側的第三表面和第四表面，所述第三表面上設置有第二焊墊和第三焊墊，所述第二焊墊位於所述第三焊墊遠離所述感光區的一側；如圖2所示，待封裝晶片21包括相對的第一表面21a和第二表面21b，在所述第一表面上設置有感光區211以及位於所述感光區211周圍的第一焊墊212；在感光區211內設置有影像感測器單元(圖2中未示出)，該影像感測器單元的表面形成有微透鏡213。所述微透鏡213用於匯集照射到感光區110表面的入射光並傳遞到圖像感測器單元內。
繼續如圖2所示，基板22包括分別位於基板兩側的第三表面22a和第四表面22b，在第三表面22a上形成有第二焊墊221和第三焊墊223。所述基板22的材質可以為透明材質，也可以為不透明材質。當基板22為不透明材質時，為了使光能夠入射到待封裝晶片的感光區，基板22上還設置有貫穿兩表面的開口223，該開口223能夠暴露出封裝後的待封裝晶片的感光區。
為了實現第二焊墊221與第三焊墊230的電連接，所述基板上設置有導電層，所述導電層由金屬佈線構成，所述金屬佈線的線寬和線間距在20-50微米之間。更進一步地，所述金屬佈線的線寬和線間距為30微米。
S502、按照所述第一表面和第三表面相對的方式放置所述待封裝晶片和所述基板，且使所述第一焊墊和所述第三焊墊對準。
需要說明的是，為了使得第一焊墊和第三焊墊較為容易地實現對準，在基板22上可以設置有對準標記。具體地說，該對準標記可以為形成於第三表面22a上的待封裝晶片位置標記。並且該待封裝晶片位置標記的形狀與待封裝晶片的形狀相似，其尺寸等於或略大於待封裝晶片的尺寸。例如，當待封裝晶片的形狀為正方形時，則對應的形成於基板22上的待封裝晶片位置標記也為正方形。
當將待封裝晶片21放置在基板22上的待封裝晶片位置標記上後，第一焊墊212和第三焊墊222也就自動對準。
作為本發明實施例的擴展，也可以在待封裝晶片和基板上形成相互配合的對準標記，當待封裝晶片上的對準標記與基板上的對準標記配合對準後，也就實現了第一焊墊212和第三焊墊222的對準。
S503、將所述第一焊墊和所述第三焊墊焊接在一起，從而將所述待封裝晶片和所述基板封裝在一起。
所述焊接是透過形成於第一焊墊212或第三焊墊222表面上的焊接凸點224將第一焊墊212和第三焊墊222焊接在一起。所述焊接方式包括共晶鍵合、超聲熱壓、熱壓焊接和超音波壓焊等。
透過以上步驟即可形成本發明實施例所述的影像感測器封裝結構。由於本發明提供的封裝方法只需在待封裝晶片和基板上形成焊墊，無需蝕刻工藝和薄膜沉積工藝，所以，本發明提供的封裝方法簡化了封裝工序，有利於降低封裝成本。
另外，為了實現封裝結構與電路板的電連接，還可以將封裝後的基板上的第二焊墊焊接在所述電路板上。需要說明的是，本發明實施例所述的電路板可以為本領域慣用的電路板，並且該電路板可以為硬性的印刷電路板，也可以為軟性電路板。
為了防止上述形成的影像感測器封裝結構的感光區被外界污染，作為本發明的可選實施例，上述封裝方法還可以包括以下步驟：S504、在所述基板的第四表面上形成保護層，當所述基板上設置有開口時，所述保護層覆蓋開口區域：具體地，繼續如圖2所示，在基板22的第四表面22b上形成保護層23，並且當所述基板上設置有開口時，該保護層覆蓋開口區域。需要說明的是，該保護層23可以為塑膠薄膜或玻璃層。
需要說明的是，在本發明實施例中，對步驟S504的執行順序不做限定。其可以在封裝晶片21和基板22封裝之前執行，也可以在其之後執行。作為示例，本發明實施例在待封裝晶片21和基板22封裝之後執行步驟S504。
此外，作為本發明的另一實施例，上述所述的封裝方法還可以包括以下步驟，以使形成的封裝結構具有鏡頭模組元件。
S505、在所述基板的第四表面上對應所述感光區的位置形成鏡頭模組組件：如圖4所示，在基板22的第四表面22b上對應所述感光區的位置形成鏡頭模組組件40，所述鏡頭模組組件40包括透鏡41和用於支撐透鏡41的透鏡支架42。其中，透鏡41的位置與所述開口223的位置相對應，且透鏡41的尺
寸大於或等於開口223的尺寸，使得外界光能透過透鏡照射到影像感測器的感光區211表面。若基板22為透明基板且其上不設置有開口時，此時透鏡41的尺寸大於或等於感光區211的尺寸。
以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。
Claims (16)
- 一種影像感測器封裝結構，其包括：待封裝晶片，所述待封裝晶片包括分別位於待封裝晶片兩側的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有感光區以及位於所述感光區周圍的第一焊墊；以及設置於所述待封裝晶片第一表面側的基板，所述基板包括分別位於基板兩側的第三表面和第四表面，所述第三表面上設置有第二焊墊和第三焊墊；所述第二焊墊位於所述第三焊墊遠離所述感光區的一側；其中，所述待封裝晶片的第一表面和所述基板的第三表面相對；所述第一焊墊和所述第三焊墊連接，所述第一焊墊和/或所述第三焊墊的表面上還形成有焊接凸點，所述導電凸點用於焊接所述第一焊墊和所述第三焊墊，所述焊接凸點的材料與所述第一焊墊和/或第三焊墊的材料相關。
- 根據請求項1所述的封裝結構，其中所述基板上設置有導電層，所述導電層與所述第二焊墊和所述第三焊墊電連接，所述導電層由金屬佈線構成，所述金屬佈線的線寬和線間距在20-50微米之間。
- 根據請求項2所述的封裝結構，其中所述金屬佈線的線寬和線間距為30微米。
- 根據請求項1所述的封裝結構，其中所述基板的材質為透明材質。
- 根據請求項1所述的封裝結構，其中所述基板的材質為不透光材質，所述基板上設置有貫穿所述基板的開口，所述開口暴露出所述待封裝晶片的感光區。
- 根據請求項5所述的封裝結構，其中所述基板的第四表面上設置有保護層，所述保護層覆蓋開口區域。
- 根據請求項1-6任一項所述的封裝結構，其中所述基板的第四表面上對應所述感光區的位置設置有鏡頭模組組件。
- 根據請求項7所述的封裝結構，其中所述鏡頭組件包括透鏡和用於支撐所述透鏡的透鏡支架。
- 根據請求項1-6任一項所述的封裝結構，其中所述第二焊墊的高度大於所述待封裝晶片、所述第一焊墊以及所述第三焊墊的高度之和。
- 一種影像感測器封裝結構的封裝方法，其包括：提供待封裝晶片和基板；所述待封裝晶片包括分別位於待封裝晶片兩側的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有感光區以及位於所述感光區周圍的第一焊墊；所述基板包括分別位於基板兩側的第三表面和第四表面，所述第三表面上設置有第二焊墊和第三焊墊，所述第二焊墊位於所述第三焊墊遠離所述感光區的一側，所述第一焊墊和/或所述第三焊墊的表面上還形成有焊接凸點，所述導電凸點用於焊接所述第一焊墊和所述第三焊墊，所述焊接凸點的材料與所述第一焊墊和/或第三焊墊的材料相關；按照所述第一表面和第三表面相對的方式放置所述待封裝晶片和所述基板，且使所述第一焊墊和所述第三焊墊對準；以及將所述第一焊墊和所述第三焊墊焊接在一起，從而將所述待封裝晶片和所述基板封裝在一起。
- 根據請求項10所述的方法，其中所述基板上設置有導電層，所述導電層與所述第二焊墊和所述第三焊墊電連接，所述導電層由金屬佈線構成，所述金屬佈線的線寬和線間距在20-50微米之間。
- 根據請求項11所述的方法，其中所述金屬佈線的線寬和線間距為30微米。
- 根據請求項10所述的方法，其中所述基板的材質為透明材質。
- 根據請求項10所述的方法，其中所述基板的材質為不透光材質，所述基板上設置有貫穿所述基板的開口，所述開口暴露出所述待封裝晶片的感光區。
- 根據請求項14所述的方法，還包括：在所述基板的第四表面上形成保護層，所述保護層覆蓋開口區域。
- 根據請求項10-15任一項所述的方法，還包括：在所述基板的第四表面上對應所述感光區的位置形成鏡頭模組組件。
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Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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| CN111725185A (zh) * | 2019-03-04 | 2020-09-29 | 苏州多感科技有限公司 | 图像传感器及其制备方法、图像识别方法、电子设备 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200849507A (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-16 | Advanced Chip Eng Tech Inc | CMOS image sensor chip scale package with die receiving through-hole and method of the same |
| TW200947638A (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-16 | Azurewave Technologies Inc | Image-sensing chip package module with reduced thickness |
| TW201110676A (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-16 | Visera Technologies Co Ltd | Electronic assembly for an image sensing device, wafer level lens set |
| TW201130104A (en) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Chipmos Technologies Inc | Semiconductor structure |
| TW201135922A (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-16 | Kingpak Tech Inc | Wafer level image sensor packaging structure and manufacturing method for the same |
| TW201316496A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-04-16 | Sony Corp | 固態影像拾取裝置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417293B2 (en) * | 2004-04-27 | 2008-08-26 | Industrial Technology Research Institute | Image sensor packaging structure |
| CN1956201A (zh) * | 2005-10-24 | 2007-05-02 | 林协裕 | 图像感测器件的封装结构 |
| CN102569324B (zh) * | 2012-02-22 | 2017-03-01 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 图像传感器的封装结构及封装方法 |
| KR101963809B1 (ko) * | 2012-04-25 | 2019-03-29 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지 |
| CN103400845B (zh) * | 2013-08-13 | 2016-08-10 | 南通大学 | 影像传感器封装方法 |
| CN204905258U (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-23 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构 |
| CN105097862A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-11-25 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 影像传感器封装结构及其封装方法 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200849507A (en) * | 2007-05-24 | 2008-12-16 | Advanced Chip Eng Tech Inc | CMOS image sensor chip scale package with die receiving through-hole and method of the same |
| TW200947638A (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-16 | Azurewave Technologies Inc | Image-sensing chip package module with reduced thickness |
| TW201110676A (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-16 | Visera Technologies Co Ltd | Electronic assembly for an image sensing device, wafer level lens set |
| TW201130104A (en) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Chipmos Technologies Inc | Semiconductor structure |
| TW201135922A (en) * | 2010-04-06 | 2011-10-16 | Kingpak Tech Inc | Wafer level image sensor packaging structure and manufacturing method for the same |
| TW201316496A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-04-16 | Sony Corp | 固態影像拾取裝置 |
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