TWI647778B - 基板處理系統、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

基板處理系統、半導體裝置之製造方法及程式 Download PDF

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TWI647778B
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Abstract

本發明之課題係提高每片基板之處理均勻性。
本發明之解決手段係一基板處理系統，係具有：複數個之基板處理裝置；第1控制部，其設置於各基板處理裝置，自基板處理裝置傳送第1裝置資料；第2控制部，其自各基板處理裝置接收第1裝置資料，根據第1裝置資料生成基板處理裝置之優先順序資料，將優先順序資料傳送至第1控制部；及顯示部，其顯示優先順序資料。

Description

基板處理系統、半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於一種基板處理系統、半導體裝置之製造方法及程式。
伴隨以大型積體電路(Large Scale Integrated Circuit：以下稱為LSI)、DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)、快閃記憶體(Flash Memory)等為代表之半導體裝置之高積體化，電路圖案或在製造過程中形成之構造物之微細化也隨之發展。於進行半導體裝置之製造步驟之一步驟之基板處理裝置中，以存儲之監控資料進行FDC(Fault Detction and Classification，錯誤偵測與分類)，確認裝置之健全性，且利用警報器通知此異常而進行不良生產之防止。例如，於專利文獻1中已有記載。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2012-216697
然而，存在有因裝置之個體差而造成每片基板之處理結果變得不均勻之問題。
因此，於本揭示中，提供一種可提高每片基板之處理均勻性之技術。
根據一態樣，提供一種技術，其具有：複數個之基板處理裝置；第1控制部，其設置於各基板處理裝置，自基板處理裝置傳送第1裝置資料；第2控制部，其自各基板處理裝置接收第1裝置資料，根據第1裝置資料生成基板處理裝置之優先順序資料，將優先順序資料傳送至第1控制部；及顯示部，其顯示優先順序資料。
根據本揭示之技術，可提高每片基板之處理均勻性。
100(100a、100b、100c、100d)‧‧‧基板處理裝置
113‧‧‧第1氣體供給源
113a‧‧‧第1氣體供給管
115‧‧‧MFC
116‧‧‧閥
123‧‧‧第2氣體供給源
123a‧‧‧第2氣體供給管
125‧‧‧MFC
126‧‧‧閥
133‧‧‧第3氣體供給源
133a‧‧‧第3氣體供給管
135‧‧‧MFC
136‧‧‧閥
180‧‧‧汽化器(遙控電漿單元(RPU))
180a、180b‧‧‧遙控電漿單元(RPU)
200‧‧‧基板(晶圓)
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧移載室
204‧‧‧間隔部
207‧‧‧升降銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面(基板載置面)
212‧‧‧載置台(基板載置台)
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降部
219‧‧‧波紋管
221‧‧‧第1排氣口
223‧‧‧真空泵
224a‧‧‧排氣管
227‧‧‧壓力調整器
228‧‧‧壓力調整器
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝室
233‧‧‧絕緣塊
234‧‧‧噴淋頭
234a‧‧‧孔
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共通氣體供給管
244a‧‧‧分散板
244b‧‧‧第1電極
251‧‧‧整合器
252‧‧‧高頻電源部(高頻電源)
254‧‧‧阻抗計
256‧‧‧偏壓電極
257‧‧‧偏壓調整部
260‧‧‧控制器
260a、260b、260c、260d‧‧‧控制器
261‧‧‧CPU
262‧‧‧RAM
263‧‧‧記憶裝置
264‧‧‧I/O埠
265‧‧‧內部匯流排
267‧‧‧外部記憶裝置
268‧‧‧網絡
269‧‧‧輸入輸出裝置
270(270a~270d)‧‧‧顯示部
270a‧‧‧參數變更信息
270b‧‧‧OK鍵
270d‧‧‧參數變更畫面
270e‧‧‧信息
274‧‧‧第2控制部
275‧‧‧第1運算部
276‧‧‧第1記憶部
277‧‧‧第1傳送/接收部
285(285a、285b、285c、285d)‧‧‧資料傳送/接收部
400‧‧‧溫度控制部
500‧‧‧上位裝置
1000‧‧‧基板處理系統
1480‧‧‧基板搬入搬出口
1481‧‧‧第2排氣口
1482‧‧‧排氣管
1490(1490a、1490b、1490c、1490d)‧‧‧閘閥(GV)
2000(2000a、2000b、2000c、2000d)‧‧‧基板處理系統(基板處理裝置)
2001‧‧‧晶圓盒
2100‧‧‧IO平台
2200‧‧‧大氣搬送室
2220‧‧‧大氣搬送機器人
2300‧‧‧加載互鎖(L/L)室
2400‧‧‧真空搬送室(TM)
2410‧‧‧框體
2700‧‧‧真空搬送機器人
2800、2900‧‧‧手臂
3000‧‧‧基板處理系統
4000‧‧‧搬送機器人
4001‧‧‧搬送控制器
圖1為一實施形態之基板處理系統之概略構成圖。
圖2為一實施形態之基板處理裝置之概略構成圖。
圖3為說明一實施形態之氣體供給部之圖。
圖4為一實施形態之控制器之概略構成圖。
圖5為一實施形態之基板處理之流程圖。
圖6為一實施形態之基板處理裝置之裝置資料例。
圖7為一實施形態之基板處理系統之資料比較表例。
圖8為一實施形態之參數是否變更判定之表例。
圖9為一實施形態之參數變更之信息例。
圖10為一實施形態之參數變更顯示例。
圖11為一實施形態之帳號等級之可變更參數範圍之例子。
圖12為一實施形態之根據優先順序資料之搬送順序之設定例。
圖13為其他實施形態之基板處理系統之概略構成圖。
圖14為其他實施形態之集群式基板處理裝置之概略構成圖。
以下，對本揭示之實施形態進行說明。
<一實施形態>
以下，參照圖式對本揭示之一實施形態進行說明。以下，對本實施形態之基板處理系統進行說明。
(1)基板處理系統之構成
使用圖1、圖2、圖3、圖4，對一實施形態之基板處理系統之概略構成進行說明。圖1顯示本實施形態之基板處理系統之構成例。圖2為顯示本實施形態之基板處理裝置之概略構成之橫剖視圖。圖3為本實施形態之基板處理裝置之氣體供給系統之概略構成圖。圖4為顯示設置於基板處理裝置之控制器260與基板處理系統之連接關係之概略構成圖。
於圖1中，基板處理系統1000，係由複數個基板處理裝置100(100a、100b、100c、100d)、第2控制部274、及連接其等之網路268構成。再者，也可構成為於基板處理系統1000包含上位裝置500。基板處理裝置100，係作為半導體裝置之製造步驟之一步驟而對基板200進行處理之裝置。其中，第2控制部274，例如為群組管理控制器。此外，上位裝置500例如為主機電腦。
於使用複數個此種構成之基板處理裝置100，對複數 片基板200進行處理之情況下，可能會產生以下之問題。
(a)存在有因每個基板處理裝置之性能之差異(個體差)，而對每片基板造成處理品質不同之問題。
(b)存在有並無用以修正個體差之指標，在基板處理裝置之調整上需要時間，且生產率降低之問題。
(c)存在有因產生性能差之基板處理裝置，致使良率降低之問題。
(d)存在有於巨大之半導體元件之製造工廠中，為了找出性能差之基板處理裝置而花費時間，半導體元件之製造產量降低之問題。
為了解決此種之問題，本揭示之基板處理裝置100，其具備可取得各式各樣之資料之控制器260(260a、260b、260c、260d)、顯示各式各樣之資料之顯示部270(270a、270b、270c、270d)、及在與第2控制部274之間傳送/接收各式各樣之資料之資料傳送/接收部285(285a、285b、285c、285d)。其中，第2控制部274，具有第1運算部275、第1記憶部276、及第1傳送/接收部277。第1傳送/接收部277，係在基板處理裝置100與第2控制部274之間傳送/接收資料。第1記憶部276，係記錄有資料、以第1運算部275運算之資料、自上位裝置500傳送之資料、使用者輸入之任意資料、該等資料之資料庫等。第1運算部275，係被構成為根據上述資料內的至少一個以上之資料而進行運算處理。再者，基板處理系統，也可由系統3000構成，該系統3000具有複數個後述之基板處理系統2000(2000a、2000b、2000c、2000d)。
其次，使用圖2對基板處理裝置100之概略構成進行 說明。
(2)基板處理裝置之構成
基板處理裝置100，例如為於基板200形成絕緣膜之單元，如圖2所示，作為單片式基板處理裝置而構成。在此，對基板處理裝置100a(100)進行說明。其他之基板處理裝置100b、100c、100d，由於為相同之構成，故而省略說明。
如圖2所示，基板處理裝置100具備處理容器202。處理容器202，係作為例如水平截面為圓形且扁平之封閉容器而構成。此外，處理容器202係由例如鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等之金屬材料或石英構成。於處理容器202內形成有對作為基板之矽晶圓等基板200進行處理之處理室201、及移載室203。處理容器202係由上部容器202a及下部容器202b構成。於上部容器202a與下部容器202b之間設置有間隔部204。在此，將被上部容器202a包圍之空間且較間隔部204靠上方之空間稱為處理室201。此外，將被下部容器202b包圍之空間且為閘閥1490附近稱為移載室203。
於下部容器202b之側面設置有鄰接於閘閥1490之基板搬入搬出口1480，基板200經由基板搬入搬出口1480而於未圖示之搬送室與移載室203之間移動。於下部容器202b之底部設置有複數個升降銷207。並且，下部容器202b被接地。
於處理室201內設置有支撐基板200之基板支撐部210。基板支撐部210，主要具有載置台212、及作為加熱部之加熱器213，該載置台212具有載置基板200之載置面211。於基板載置台212上且與升降銷207對應之位置，分別設置有供升降銷207貫通之貫通孔214。此外，也可於基板載置台212設置對基板200 或處理室201施加偏壓之偏壓電極256。在此，於加熱器213連接有溫度控制部400，藉由溫度控制部400控制加熱器213之溫度。再者，加熱器213之溫度資訊係構成為可自溫度控制器400被傳送至控制器260。此外，偏壓電極256係構成為連接於偏壓調整部257，藉由偏壓調整部257而可調整偏壓。此外，偏壓調整部257，係被構成為可在與控制器260之間傳送/接收偏壓資料。
基板載置台212係藉由軸217所支撐。軸217係貫通處理容器202之底部，並且於處理容器202之外部連接於升降部218。藉由使升降部218動作而使軸217及基板載置台212升降，可使載置於基板載置面211上之基板200升降。再者，軸217下端部之周圍，係藉由波紋管219所覆蓋，處理室201內係保持為氣密。再者，升降部218也可被構成為可在與控制器260之間傳送/接收基板載置台212之高度資料(位置資料)。再者，基板載置台212之位置，係被構成為至少可設定2個以上。例如，第1處理位置及第2處理位置。再者，第1處理位置及第2處理位置，係分別被構成為可進行調整。
於基板200之搬送時，基板載置台212係朝晶圓移載位置移動，且於基板200之第1處理時，朝以圖2之實線所示之第1處理位置(晶圓處理位置)移動。此外，於第2處理時，朝以圖2之虛線所示之第2處理位置移動。再者，晶圓移載位置，係升降銷207之上端自基板載置面211之上面突出之位置。
具體而言，於使基板載置台212下降至晶圓移載位置時，升降銷207之上端自基板載置面211之上面突出，升降銷207自下方支撐基板200。此外，於使基板載置台212上升至晶圓處理 位置時，升降銷207自基板載置面211之上面埋入，變成基板載置面211自下方支撐基板200。再者，由於升降銷207與基板200直接接觸，因而較佳為例如以石英或氧化鋁等之材質形成。
(排氣系統)
於處理室201(上部容器202a)之側面側設置有對處理室201之環境氣體進行排氣之作為第1排氣部之第1排氣口221。於第1排氣口221連接有排氣管224a，於排氣管224a依序串聯連接有將處理室201內控制為既定的壓力之APC等之壓力調整器227及真空泵223。第一排氣系統(排氣管線)，主要由第1排氣口221、排氣管224a、壓力調整器227構成。再者，真空泵223也可作為第一排氣系統之構成。此外，於移載室203之側面側設置有對移載室203之環境氣體進行排氣之第2排氣口1481。此外，於第2排氣口1481設置有排氣管1482。於排氣管1482設置有壓力調整器228，且被構成為可將移載室203內之壓力調整為既定之壓力。此外，也可經由移載室203對處理室201內之環境氣體進行排氣。此外，壓力調整器227，係被構成為可與控制器260傳送/接收壓力資料或閥開度之資料。此外，真空泵223係被構成為可朝控制器260傳送泵之NO/OFF資料或負載資料等。
(氣體導入口)
於設置在處理室201之上部之噴淋頭234之上面(頂壁)設置有蓋231。於蓋231設置有用以朝處理室201內供給各種氣體之氣體導入口241。關於連接於氣體供給部即氣體導入口241之各氣體供 給單元之構成，容待後述。
(氣體分散單元)
作為氣體分散單元之噴淋頭234，具有緩衝室232、及分散板244a。再者，分散板244a亦可作為第1活化部即第1電極244b而被構成。於分散板244a設置有複數個將氣體分散供給於基板200之孔234a。噴淋頭234係設置於氣體導入口241與處理室201之間。自氣體導入口241導入之氣體，被供給於噴淋頭234之緩衝室232(亦稱分散部)，且經由孔234a被供給於處理室201。
再者，於將分散板244a作為第1電極244b而構成之情況下，第1電極244b係由導電性之金屬構成，且作為用以激發處理室201內之氣體之活化部(激發部)之一部分而構成。並且被構成為可對第1電極244b供給電磁波(高頻電力或微波)。再者，於由導電性構件構成蓋231時，於蓋231與第1電極244b之間設置有絕緣塊233，成為將蓋231與第1電極244b之間絕緣之構成。
(活化部(電漿生成部))
接著，對設置有作為活化部之第1電極244b之情況之構成進行說明。於作為活化部之第1電極244b連接有整合器251及高頻電源部252，且被構成為可供給電磁波(高頻電力或微波)。藉此，可使供給於處理室201內之氣體活化。此外，第1電極244b係被構成為可生成電容耦合型之電漿。具體而言，第1電極244b係被形成為導電性之板狀，且構成為被支撐於上部容器202a。活化部至少由第1電極244b、整合器251及高頻電源部252構成。再者，也 可於第1電極244b與高頻電源252之間設置阻抗計254。藉由設置阻抗計254，可根據測量之阻抗，反饋控制整合器251、高頻電源252。此外，高頻電源252，係被構成為可與控制器260傳送/接收電力資料，整合器251係被構成為可與控制器260傳送/接收整合資料(行進波資料、反射波資料)，阻抗計254係被構成為可與控制器260傳送/接收阻抗資料。
(供給系統)
於氣體導入口241連接有共通氣體供給管242。共通氣體供給管242之內部具有連通構造，自共通氣體供給管242供給之氣體，經由氣體導入口241被供給於噴淋頭234內。
於共通氣體供給管242連接有圖3所示之氣體供給部。氣體供給部連接有第1氣體供給管113a、第2氣體供給管123a、及第3氣體供給管133a。
自包含第1氣體供給管113a之第1氣體供給部，主要供給含第1元素氣體(第1處理氣體)。此外，自包含第2氣體供給管123a之第2氣體供給部，主要供給含第2元素氣體(第2處理氣體)。此外，自包含第3氣體供給管133a之第3氣體供給部，主要供給含第3元素氣體。
(第1氣體供給部)
於第1氣體供給管113a且自上游方向起依序設置有第1氣體供給源113、流量控制器(流量控制部)即質量流量控制器(MFC)115、及開閉閥即閥116。
自第1氣體供給管113a，且經由MFC115、閥116、共通氣體供給管242朝噴淋頭234供給含第1元素氣體。
含第1元素氣體，係處理氣體之一種。含第1元素氣體係含矽(Si)之氣體，例如為六氯矽乙烷(Si2Cl6、縮稱HCDS)等之氣體。
第1氣體供給部，主要由第1氣體供給管113a、MFC115、及閥116構成。
並且，也可考慮於第1氣體供給部包含有第1氣體供給源113、使第1氣體活化之遙控電漿單元(RPU)180a之任一者或兩者。
(第2氣體供給部)
於第2氣體供給管123a且自上游方向起依序設置有第2氣體供給源123、MFC125、及閥126。
自第2氣體供給管123a，且經由MFC125、閥126、共通氣體供給管242朝噴淋頭234內供給含第2元素氣體。
含第2元素氣體，係處理氣體之一種。含第2元素氣體係含氮(N)之氣體，例如為氨氣(NH3)或氮氣(N2)等之氣體。
第2氣體供給部，主要由第2氣體供給管123a、MFC125、及閥126構成。
並且，也可考慮於第2氣體供給部包含有第2氣體供給源123、使第1氣體活化之遙控電漿單元(RPU)180b之任一者或兩者。
(第3氣體供給部)
於第3氣體供給管133a且自上游方向起依序設置有第3氣體供給源133、MFC135、及閥136。
自第3氣體供給管133a，且經由MFC135、閥136、共通氣體供給管242朝噴淋頭234供給惰性氣體。
惰性氣體係不易與第1氣體反應之氣體。惰性氣體例如為氮氣(N2)、氬氣(Ar)、氦氣(He)等之氣體。
第3氣體供給部，主要由第3氣體供給管133a、MFC135、及閥136構成。
在此，構成第1氣體供給部、第2氣體供給部、第3氣體供給部各者之MFC、閥、(汽化器)、(RPU)，係被構成為可與控制器260進行傳送/接收，且分別傳送/接收以下之資料。MFC：流量資料；閥：開度資料；(汽化器：汽化量資料)；(RPU：電力資料)。
(控制部)
如圖1、圖2及圖3所示，基板處理裝置100，具有控制基板處理裝置100之各部分之動作之控制器260。
圖4為顯示控制器260之概略構成圖、及第2控制部274、網絡268、上位裝置500等之連接構成圖。控制部即控制器260，係作為電腦而構成，該電腦具備CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)261、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)262、記憶裝置263、及I/O埠264。RAM262、記憶裝置263及I/O埠264，係被構成為可經由內部匯流排265而與CPU261進行資 料交換。於控制器260係構成為可連接有例如作為觸控面板等而構成之輸入輸出裝置269、外部記憶裝置267、傳送/接收部285等。輸入輸出裝置269，也可被構成為還包含作為通知部(顯示部270)之顯示畫面，該通知部係通知基板處理裝置100之狀態、自第2控制部274接收之資料。
記憶裝置263，例如由快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive，硬式磁碟機)等構成。於記憶裝置263內可讀取地存儲有控制基板處理裝置之動作之控制程式、記載有後述之基板處理之程序或條件等之處理配方、於至設定使用於對基板200之處理之處理配方為止之過程中產生之運算資料或處理資料等。再者，處理配方係以使控制器260執行後述之基板處理步驟之各程序，而可獲得既定之結果之方式組合而成者，且作為程式發揮功能。以下，將此處理配方或控制程式等單純地統稱為程式。再者，本說明書中使用稱為程式之詞彙之情況，具有僅包含處理配方單體之情況、僅包含控制程式單體之情況、或者包含兩者之情況。此外，RAM262係作為暫時保持有藉由CPU261讀取之程式、運算資料、處理資料等資料之記憶體區域(工作區域)而被構成。
I/O埠264被連接於閘閥1490、升降部218、溫度控制部400、壓力調整器227、228、真空泵223、整合器251、高頻電源部252、MFC115、125、135、閥116、126、136、偏壓調整部257等。此外，也可連接於阻抗計254、RPU180、真空搬送機器人2700、大氣搬送機器人2220等。再者，本揭示之連接，係指雖然也包含以物理性之纜線連接各部分之意思，但也包含可直接或間接地傳送/接收各部分之信號(電子資料)之意思。
作為運算部之CPU261，係被構成為讀取且執行來自記憶裝置263之控制程式、並且根據來自輸入輸出裝置269之操作指令之輸入等而自記憶裝置263讀取處理配方。此外，被構成為對自傳送/接收部285輸入之設定值、與記憶於記憶裝置263之處理配方或控制資料進行比較‧運算，而可算出運算資料。此外，被構成為可根據運算資料，執行對應之處理資料(處理配方)之決定處理等。並且，CPU261係被構成為根據讀取之處理配方之內容，控制閘閥1490之開閉動作、升降部218之升降動作、朝溫度控制部400之電力供給動作、根據溫度控制部400之基板載置台212之溫度調整動作、壓力調整器227、228之壓力調整動作、真空泵223之開關控制、MFC115、125、135之氣體流量控制動作、RPU180a、180b之氣體之活化動作、閥116、126、136之氣體之開放/截斷控制、整合器251之電力之整合動作、高頻電源252之電力控制、偏壓調整部257之調整動作、根據阻抗計254測量之測量資料之整合器251之整合動作、或高頻電源252之電力控制動作等。各部分之控制，係藉由CPU261內之傳送/接收部傳送/接收根據處理配方之內容之控制資訊而進行。
再者，控制器260不限於作為專用之電腦而構成之情況，也可作為通用之電腦而構成。例如，藉由準備存儲上述程式(資料)之外部記憶裝置(例如，磁碟、軟盤或硬碟等之磁碟、CD或DVD等之光碟、MO等之光磁碟、USB記憶體或記憶卡等之半導體記憶體)267，且使用上述外部記憶裝置267將程式(資料)安裝於通用之電腦等，即可構成本實施形態之控制器260。再者，用以對電腦供給程式之手段，不限於經由外部記憶裝置267供給之情況。例如， 也可使用傳送/接收部285或網絡268(網際網絡或專用線路)等之通信手段，而不經由外部記憶裝置267地供給程式(資料)。再者，記憶裝置263或外部記憶裝置267，係作為非暫時之電腦可讀取之記錄媒體而構成。以下，將其等單純地統稱為記錄媒體。再者，於本說明書中，於使用稱為記錄媒體之詞彙之情況下，具有僅包含記憶裝置263單體之情況、僅包含外部記憶裝置267單體之情況、或者包含其等兩者之情況。
(2)基板處理步驟
其次，參照圖5、圖6、圖7及圖8，對作為半導體裝置(半導體元件)之製造步驟之一步驟，於基板上形成絕緣膜，且使用其結果對各基板處理裝置之設定進行更新之步驟例，及上述基板處理系統1000之處理流程、各步驟之表格例進行說明。再者，其中作為絕緣膜，係形成例如作為氮化膜之氮化矽(SiN)膜。此外，此製造步驟之一步驟，係以上述基板處理系統1000、基板處理裝置100而進行。再者，於以下之說明中，各部分之動作，係藉由控制器260所控制。
以下，對基板處理步驟進行說明。
(裝置設定步驟S300)
於進行基板處理時，首先，於控制器260中設定以各基板處理裝置100進行之處理配方。例如，將記錄於記憶裝置263之資料讀入RAM262，且經由I/O埠264，於各部分設定設定值。再者，處理配方之設定，也可藉由自經由網絡268而連接之第2控制部274 或上位裝置500傳送處理配方而進行。各部分之動作之設定之後，進行製造步驟S301。
(製造步驟S301)
於製造步驟S301中，根據處理配方控制第1氣體供給部，將第1氣體供給於處理室201，並且控制排氣系統而對處理室201進行排氣，然後對基板200進行處理。再者，在此，也可控制第2氣體供給部，使第2氣體與第1氣體同時存在於處理空間而進行CVD處理、或交互地供給第1氣體與第2氣體而進行循環處理。此外，於將第2氣體作成電漿狀態進行處理之情況下，也可藉由朝第1電極244b供給高頻電力，而於處理室201內生成電漿。此外，也可利用下述之方法即使用RPU180b使第2氣體活化之方法。
作為膜處理方法之具體例即循環處理，可考慮以下之方法。例如，作為第1氣體，可使用二氯矽烷(SiH2Cl2(dichlorosilane：DCS))氣體，作為第2氣體，可使用氨氣(NH3)。於第1步驟中，朝基板200供給DCS氣體，於第2步驟中，朝基板200供給氨氣(NH3)。於第1步驟與第2步驟之間，作為吹淨步驟供給氮氣(N2)並對處理室201內之環境氣體進行排氣。藉由進行複數次執行此第1步驟、吹淨步驟、第2步驟之循環處理，於基板200上形成氮化矽(SiN)膜。於進行使用電漿之處理之情況下，藉由至少於第2氣體之供給中朝第1電極244b及RPU180b之任一者或兩者供給高頻電力，將第2氣體電漿化。
如以上方式進行製造步驟S301。於製造步驟S301之後，進行取得構成裝置之各部分之資料之裝置資料取得步驟S302。
(裝置資料取得步驟S302)
各部分之資料(裝置資料)，係經由信號線被傳送至控制器260。控制器260係以作為資料接收部之I/O埠264接收各部分之資料，且記錄於RAM262及記憶裝置263之任一者或兩者。在此接收之資料，藉由CPU261而被變換運算為第1裝置資料。由CPU261生成之第1裝置資料，係被記錄於RAM262及記憶裝置263之任一者或兩者。具體而言，第1裝置資料，例如為顯示於圖6之表中之資料。於各部分之測量值表X1~X6存儲各部分之資料(測量值)。藉由存儲之測量值與基準值(B)之分離程度，生成點數資料，且於第1裝置資料A1之表(a1~a6)中存儲點數資料。此外，將點數資料之合計值存儲於綜合評價表αa。再者，其中，作為a1~a6之資料，係顯示溫度、氣體流量、處理室壓力、高頻電力、行進波電力、反射波電力，但不限於此，也可被構成為追加其他之測量值，或者也可僅選擇必要之測量值而生成第1裝置資料。例如也可構成為，作為測量值4、測量值5、測量值6，係使用壓力調整器227之開度資料、汽化器180之汽化量資料、基板載置台212之位置資料、泵之負載資料。此外，於不使用電漿之處理之情況下，也可僅為圖6所示之資料構成中的測量值1、測量值2、測量值3之資料，也可如上述交換成測量值4、測量值5、測量值6。再者，在此之點數化，係測量值自基點B朝正方向遠離、或朝負方向遠離，而以任意單位進行評價。例如，根據在以FDC確認裝置之可靠性之過程中使用之運算式，輸出第1裝置資料A1。
(資料傳送‧接收步驟S303)
如此生成之第1裝置資料，自傳送/接收部285經由網絡268被傳送至第2控制部274。再者，此時，也可構成為經由網絡268朝上位裝置500傳送第1裝置資料。在此，第2控制部274，係於設置在第2控制部274之第1記憶部276，存儲自各基板處理裝置100之控制器260傳送之複數個之第1裝置資料。具體而言，第1記憶部276具有如圖7所示之資料表，記錄有第1裝置資料A1、第1裝置資料B1、第1裝置資料C1、...、第1裝置資料N1。在此，顯示輸入有與基板處理裝置100a、100b、100c對應之第1裝置資料A1、B1、C1、及第N個之基板處理裝置100n(未圖示)之第1裝置資料N1之例子。如此，各第1裝置資料(A1、B1、C1、...、N1)，分別被輸入與各基板處理裝置之英文字母(a、b、c、...、n)對應之資料存儲部位(a1~a6、b1~b6、c1~c6、...、n1~n6)。綜合評價之資料，分別被輸入αa、αb、αc、...、αn。
第1裝置資料之數量，係與設置在基板處理系統1000之基板處理裝置100中的、工作中之基板處理裝置100之數量N對應。再者，也可被構成為取得被設置於基板處理系統1000之複數個之基板處理裝置100中的任意之基板處理裝置100之第1裝置資料並予記錄。此外，也可於第2控制部274輸入有作為範本之第2裝置資料M1。第2裝置資料M1，例如為上位裝置資料、存儲在與存在於其他之網絡之第1控制部相同之控制部(未圖示)之資料、或使用者任意設定之任意裝置資料等。上位裝置資料，係自上位裝置500經由網絡268而被存儲。此外，存在於其他之網絡之基板處理系統的基板處理裝置之資料，經由網絡268而被輸入。任意裝置資 料，由使用者直接輸入第2控制部274。圖7中，作為第2裝置資料M1，輸入有與測量值1~測量值6對應之資料y1~y6之資料。此外，輸入有綜合評價資料αy、良率順序資料βy。
也可與此複數之第1裝置資料之存儲同步，自上位裝置500經由網絡268將各基板處理裝置100之處理之良率順序資料存儲於良率順序表βa~βn。
(資料運算步驟S304)
於將各資料存儲在第2控制部274之第1記憶部276之後，以第1運算部275進行資料之運算。於資料被輸入良率順序表之情況下，於優先順序資料表γa~γn，與良率順序對應地存儲優先順序資料。此外，於資料未被存儲於良率順序表之情況下，比較被存儲於各第1裝置資料之綜合評價資料αa~αn之資料，且根據任意之規則，於優先順序資料表γa~γn存儲優先順序資料。在此，顯示自綜合評價之資料之值大者依序存儲優先順序資料之例子。再者，於上位裝置資料表內存儲有資料之情況下，也可被構成為比較各第1裝置資料與上位裝置資料，且自差異最小之第1裝置資料依序存儲優先順序資料。
此外，也可根據優先順序資料中的與屬於下位之集團之下位資料對應之第1裝置資料、及與屬於上位集團之上位資料對應之第1裝置資料及第2裝置資料之任一者或兩者，生成與下位資料對應之基板處理裝置之參數變更資料。例如，如圖8所示，作為下位資料係根據第1裝置資料C1，作為上位資料係根據第1裝置資料A1及上位裝置資料之任一者或兩者，而自各測量值之乖離程 度，判定是否需要變更基板處理裝置100c之參數。參數之是否變更之判定資料，被輸入c1p~c6p之資料表。再者，資料表之資料單元數，係與第1裝置資料之資料表之資料單元數一致。參數變更之是否判定，例如，在與各測量值對應之資料具有任意之數值以上之差異之情況則判斷為需要，若在任意之數值範圍內則判斷為不需要。再者，較佳為，也可根據優先順序資料最小(最上位)之第1裝置資料與優先順序資料最大(最下位)之第1裝置資料之差異，判定是否需要變更裝置之參數，而生成參數變更資料。藉由依此方式構成，於複數個基板處理裝置中，可早期發現成為特性差之處理結果之基板處理裝置中的需要變更之參數。並且，可抑制因維護帶來之處理之停止而引起之半導體元件之製造產量之降低。
(資料傳送‧接收步驟S305)
以第2控制部274生成之優先順序資料，被傳送至各基板處理裝置100之控制器260、上位裝置500、後述之搬送機器人4000等之一個以上之構成。於控制器260中，傳送之優先順序資料，被記錄於RAM262及記憶裝置263之任一者或兩者。
(資料通知步驟S306)
設置於各基板處理裝置100之控制器260，係使接收之優先順序資料顯示於顯示部270。
(設定檢查步驟S307)
控制器260對是否有接收參數變更資料進行檢查，進而進行 Y/N判定。於接收參數變更資料之情況下，控制器260做出Y判定。於Y判定之情況下，進行參數變更步驟S308。相反地，於未接收參數變更資料之情況下，控制器260做出N判定，執行搬送設定變更步驟S309。
(參數變更步驟S308)
於參數變更步驟S308中，使顯示部270顯示需要變更參數之意旨。例如，顯示如圖9所示之參數變更信息270a。參數變更信息270a至少具有OK鍵270b。於按下OK鍵270b之情況下，如圖10所示，顯示參數變更畫面270d。於參數變更畫面270d中，對在圖8中被判定為需要參數變更之參數，顯示為可輸入資料，而對被判定為不需要參數變更之參數，顯示為不可輸入資料。如此，藉由顯示需要變更之參數，可減少使各基板處理裝置100之性能均勻化之維護時間。亦即，可因維護時間之減少而提高半導體元件之製造產量。
再者，此時之可輸入資料之參數，也可根據操作基板處理裝置100(輸入輸出裝置269)之使用者(操作者)之帳號等級(使用者等級)而變更。圖11顯示根據使用者之帳號等級之參數之操作範圍之例子。其中，分別顯示使用者等級1~4之各操作範圍例。使用者等級1係將所有參數之操作設定為不可，使顯示部270顯示不可操作之信息270e。此外，於顯示不可操作之情況下，也可對第2控制部274或上位裝置500傳送請求能操作之使用者等級之專員之通知資料。此外，也可如圖11所示，顯示呼叫擔當者之按鈕。若按下呼叫擔當者之按鈕，則控制器260將呼叫擔當者之資料傳送 至第2控制部274或上位裝置500之任一者或兩者。其次，使用者等級2係被設定為可進行行進波電力及反射波電力之調整。使用者等級3係被設定為除了使用者等級2可操作之參數外，還可進行處理室壓力及高頻電力之調整。使用者等級4係被設定為除了使用者等級3可操作之參數外，還可進行溫度及氣體流量之調整。如此，也可構成為變更可根據使用者之帳號等級而變更之參數。藉由依此方式構成，於參數變更時，可避免進行錯誤的變更。
(搬送設定變更步驟S309)
於搬送設定變更步驟S309中，第2控制部274根據優先順序資料，生成設定各基板處理裝置100之使用優先順序(搬送順序)之搬送資料。搬送資料係被傳送至上位裝置500、控制搬送基板200或後述之晶圓盒2001之搬送機器人4000之搬送控制器4001等之至少一者以上。例如，如圖12所示，於優先順序資料之接收之前(資料接收次數為0次)，為依照第1基板處理裝置100a、第2基板處理裝置100b、第3基板處理裝置100c、第4基板處理裝置100d之順序進行搬送之狀態，於接收優先順序資料之後，將基板之搬送順序變更為第2基板處理裝置100b、第1基板處理裝置100a、第3基板處理裝置100c、第4基板處理裝置100d。如此，每當接收優先順序資料後即交換搬送順序。藉由依此方式構成，可持續地進行所期特性之基板處理。再者，其中，搬送設定變更步驟S309，係顯示在設定檢查步驟S307之後進行之例子，但不限於此，也可構成為在生成優先順序資料之後進行。
此外，也可構成為於搬送順序中的進入下位集團之狀 態持續了既定次數之情況、或者於既定期間中進入下位集團之次數被計數既定次數之情況下，使顯示部270顯示需要參數之變更之信息、或需要維護之意旨之處理是否繼續資料。圖12顯示該例子。其中，對於第4基板處理裝置100d，於持續了n次搬送順序排在第4位之狀態時，作為處理是否繼續資料，生成通知處理停止/參數變更/維護之一個以上之信息之資料。再者，也可構成為對第2控制部274或上位裝置500之任一者或兩者通知處理是否繼續資料。藉由依此方式構成，可避免在優先順序低之基板處理裝置100之處理，可抑制每片基板之處理均勻性(良率)之降低。較佳為，於搬送順序中的最下位之狀態持續了既定次數之情況下，傳送處理是否繼續資料。
此外，於搬送順序為下位集團之狀態持續了既定次數之情況、或者於既定期間中被計數既定次數之情況下，也可構成為取消搬送順序為朝屬於下位集團之基板處理裝置100之搬送，進行僅使用其他之基板處理裝置100之退縮動作。較佳為，被構成為取消搬送順序為朝最下位之基板處理裝置100之搬送，進行僅使用其他之基板處理裝置100之退縮動作。
以上，對本揭示之一實施形態具體地進行了說明，但本揭示不限於上述實施形態，也可於不超出其實質內容之範圍進行各種之變更。
上述說明中，第2控制部274，係被構成為不包含於各基板處理裝置100內，但如圖13所示，也可設置於各基板處理裝置100之任一者。圖13中，顯示設置於第1基板處理裝置100a內之例子。
此外，對顯示部270被組入輸入輸出裝置269之例子進行了說明，但不限於此，也可設為使顯示部270與輸入輸出裝置269獨立。例如，也可作為自輸入輸出裝置獨立之顯示器。
此外，於上述之基板處理系統1000中，顯示了以第2控制部274控制處理一片基板之基板處理裝置100之構成，但不限於此，如圖14所示，也可準備複數台具有複數個基板處理裝置100之集群式基板處理裝置2000，作成以第2控制部274控制複數個集群式基板處理裝置2000之基板處理系統3000。
集群式基板處理裝置2000係處理基板200者，主要由IO平台2100、大氣搬送室2200、加載互鎖(L/L)室2300、真空搬送室2400、基板處理裝置100(100a、100b、100c、100d)構成。其次，對各構成具體地進行說明。於圖14之說明中，前後左右係被設定為：X1方向為右、X2方向為左、Y1方向為前、Y2方向為後。
(大氣搬送室‧IO平台)
於集群式基板處理裝置2000之近前方設置有IO平台(載入埠)2100。於IO平台2100上搭載有複數個晶圓盒2001。晶圓盒2001係作為搬送基板200之載體而被使用，於晶圓盒2001內係構成為分別以水平姿勢存儲有複數片未處理之基板200或處理完之基板200。
晶圓盒2001係藉由搬送晶圓盒之搬送機器人4000，被搬送至IO平台2100。搬送機器人4000，係藉由搬送控制器4001所控制。使搬送控制器4001設定搬送順序之搬送資料，係可被構 成為藉由第2控制部274所控制，或者也可構成為藉由上位裝置500而被控制。各構成係藉由網絡268所連接。上位裝置500或第2控制部274，根據上述之優先順序資料來控制搬送機器人4000，以既定之搬送順序，將晶圓盒2001搬送至各集群式基板處理裝置2000之IO平台2100。
IO平台2100係與大氣搬送室2200鄰接。大氣搬送室2200，在與IO平台2100不同之面連結有後述之加載互鎖室2300。
於大氣搬送室2200內設置有移載基板200之作為第1搬送機器人之大氣搬送機器人2220。
(加載互鎖(L/L)室)
加載互鎖室2300，係與大氣搬送室2200鄰接。L/L室2300內之壓力，由於根據大氣搬送室2200之壓力及真空搬送室2400之壓力而變動，因而被構成為可承受負壓之構造。
(真空搬送室)
集群式基板處理裝置2000，具備作為搬送室之真空搬送室(傳送模組：TM)2400，該真空搬送室係構成在負壓下搬送基板200之搬送空間。構成TM2400之框體2410，俯視時被形成為五角形，於五角形之各邊連結有L/L室2300及處理基板200之基板處理裝置100。於TM2400之大致中央部設置有作為第2搬送機器人之真空搬送機器人2700，該第2搬送機器人係在負壓下移載(搬送)基板200者。再者，其中，雖然顯示將真空搬送室2400設為五角形之例子，但也可為四角形或六角形等之多邊形。
設置於TM2400內之真空搬送機器人2700，具有可獨立動作之二個手臂2800及2900。真空搬送機器人2700，係藉由上述控制器260所控制。再者，於設定有使用設置於集群式基板處理裝置2000之複數個基板處理裝置100之優先順序(搬送順序)資料之情況下，控制器260也可構成為根據此優先順序資料來設定真空搬送機器人2700。亦即，於本例中，控制器260係構成為可進行與第2控制部相同之資料處理。藉由依此方式構成，可進一步提高基板處理之良率。
如圖14所示，閘閥(GV)1490，係設置於每個基板處理裝置。具體而言，於基板處理裝置100a與TM2400之間設置有閘閥1490a，且在與基板處理裝置100b之間設置有GV1490b。在與基板處理裝置100c之間設置有GV1490c，且在與基板處理裝置100d之間設置有GV1490d。
藉由各GV1490進行開放‧關閉，可進行經由設置於各基板處理裝置100之基板搬入搬出口1480之基板200之出入。
此外，於上述說明中，對交互地供給第1氣體與第2氣體而予以成膜之方法進行了記述，但也可應用於其他之方法。例如，如第1氣體與第2氣體之供給時間重疊之方法。
此外，於上述說明中，對供給2種類之氣體而進行處理之方法進行了記述，但也可為使用一種類之氣體之處理。
此外，於上述說明中，對成膜處理進行了記述，但也可應用於其他之處理。例如，具有使用電漿之擴散處理、氧化處理、氮化處理、氮氧化處理、還原處理、氧化還原處理、蝕刻處理、加熱處理等。例如，於僅使用反應氣體對基板表面或形成於基板之膜 進行電漿氧化處理或電漿氮化處理時，也可應用本揭示。此外，也可應用於僅使用反應氣體之電漿退火處理。也可將其等之處理作為第1處理，然後進行上述之第2處理。
此外，於上述說明中，對半導體裝置之製造步驟進行了記述，但實施形態之發明，也可於半導體裝置之製造步驟以外加以應用。例如，具有液晶裝置之製造步驟、太陽能電池之製造步驟、發光元件之製造步驟、玻璃基板之處理步驟、陶瓷基板之處理步驟、導電性基板之處理步驟等之基板處理。
此外，於上述說明中，顯示了使用含矽氣體作為原料氣體、且使用含氮氣體作為反應氣體而形成氮化矽膜之例子，但也可應用於使用其他氣體之成膜。例如，具有含氧之膜、含氮之膜、含碳之膜、含硼之膜、含金屬之膜、及含有複數種該等元素之膜等。再者，作為該等之膜，例如具有AlO膜、ZrO膜、HfO膜、HfAlO膜、ZrAlO膜、SiC膜、SiCN膜、SiBN膜、TiN膜、TiC膜、TiAlC膜等。
此外，於上述說明中，顯示了在一個處理室處理一片基板之裝置構成，但不限於此，也可為在水平方向或垂直方向排列複數片基板之裝置。

Claims (11)

  1. 一種基板處理系統，其具有：複數個之基板處理裝置；第1控制部，其設置於上述各基板處理裝置，自上述基板處理裝置傳送第1裝置資料；第2控制部，其自上述各基板處理裝置接收上述第1裝置資料，根據上述第1裝置資料生成上述基板處理裝置之優先順序資料，將上述優先順序資料傳送至上述第1控制部；及顯示部，其顯示上述優先順序資料；上述第2控制部係被構成為根據上述優先順序資料，設定複數個上述基板處理裝置之使用優先順序，並以根據上述使用優先順序將基板搬送至上述基板處理裝置之方式傳送搬送資料。
  2. 如請求項1之基板處理系統，其中，上述第2控制部係被構成為根據上述優先順序資料中的與下位資料對應之上述第1裝置資料、及與上位資料對應之上述第1裝置資料和被記錄於上述第2控制部之第2裝置資料之任一者或兩者，生成與上述下位資料對應之上述基板處理裝置之參數變更資料，將上述參數變更資料傳送至上述第1控制部，上述第1控制部係被構成為根據上述參數變更資料，使上述顯示部顯示參數變更信息。
  3. 如請求項2之基板處理系統，其中，上述第1控制部係被構成為根據上述參數變更資料與上述基板處理裝置之使用者等級，使上述顯示部顯示上述基板處理裝置之參數中的可變更之參數。
  4. 如請求項1之基板處理系統，其中，上述第2控制部係被構成為於生成複數次上述優先順序資料之後，對處理次數未達到既定次數之上述基板處理裝置之第1控制部，傳送是否處理繼續資料。
  5. 如請求項2之基板處理系統，其中，上述第2控制部係被構成為於生成複數次上述優先順序資料之後，對處理次數未達到既定次數之上述基板處理裝置之第1控制部，傳送是否處理繼續資料。
  6. 如請求項3之基板處理系統，其中，上述第2控制部係被構成為於生成複數次上述優先順序資料之後，對處理次數未達到既定次數之上述基板處理裝置之第1控制部，傳送是否處理繼續資料。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下之步驟：具有複數個基板處理裝置，並以上述各基板處理裝置處理基板之步驟；設置於上述各基板處理裝置之第1控制部，將第1裝置資料傳送至第2控制部之步驟；上述第2控制部根據複數個之上述第1裝置資料，生成上述基板處理裝置之優先順序資料，並將上述優先順序資料傳送至上述第1控制部之步驟；上述第1控制部使設置在上述基板處理裝置之顯示部顯示上述優先順序資料之步驟；及上述第2控制部根據上述優先順序資料，設定複數個上述基板處理裝置之使用優先順序，並傳送根據上述使用優先順序將上述基板搬送至複數個上述基板處理裝置之搬送資料之步驟。
  8. 如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中，具有：上述第2控制部根據上述優先順序資料中的與下位資料對應之上述第1裝置資料、及與上位資料對應之上述第1裝置資料和被記錄於上述第2控制部之上述第2裝置資料之任一者或兩者，生成與上述下位資料對應之上述基板處理裝置之參數變更資料，將上述參數變更資料傳送至上述第1控制部之步驟；及上述第1控制部根據上述參數變更資料，使上述顯示部顯示參數變更信息之步驟。
  9. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中，具有：上述第1控制部根據上述參數變更資料與上述基板處理裝置之使用者等級，使上述顯示部顯示上述基板處理裝置之參數中的可變更之參數之步驟。
  10. 如請求項7之半導體裝置之製造方法，其中，具有：上述第2控制部於生成複數次上述優先順序資料之後，對處理次數未達到既定次數之上述基板處理裝置之第1控制部，傳送是否處理繼續資料之步驟。
  11. 一種記錄有利用電腦使基板處理系統執行以下程序之程式之記錄媒體，該程序包含有：具有複數個基板處理裝置，以上述各基板處理裝置處理基板之程序；設置於上述各基板處理裝置之第1控制部將第1裝置資料傳送至第2控制部之程序；上述第2控制部根據複數個上述第1裝置資料，生成上述基板處理裝置之優先順序資料，並將上述優先順序資料傳送至上述第1控制部之程序；上述第1控制部使設置在上述基板處理裝置之顯示部顯示上述優先順序資料之程序；及上述第2控制部根據上述優先順序資料，設定複數個上述基板處理裝置之使用優先順序，並傳送根據上述使用優先順序將上述基板搬送至複數個上述基板處理裝置之搬送資料之程序。
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