TWI647317B - 電鍍用焊錫合金及電子零件 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種可抑制外部應力型晶鬚之發生的電鍍用焊錫合金及電子零件。本發明之電鍍用焊錫合金係含有Sn與Ni，Ni之含量為0.06質量%以上、5.0質量%以下，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通的電接點。

Description

電鍍用焊錫合金及電子零件
本發明係關於使用於藉由機械性接合而導通的電接點之電鍍用焊錫合金，尤其是使用於嵌合型連接端子之電鍍用焊錫合金及電子零件。
以往，於配線材，尤其是銅或銅合金之表面，係為了防止配線材之氧化，而施行錫(Sn)、銀(Ag)、金(Au)或鎳(Ni)之電鍍。其中，Sn係成本低廉，且由於柔軟，因此在嵌合(接觸)的壓力下容易變形而增加接觸面積，接觸電阻會抑制得較低，因此，於配線材之表面施以Sn電鍍者被廣泛普遍使用。
作為此Sn電鍍用合金，近年來就環境面之對應的觀點而言，要求有無Pb材(非鉛材)、無鹵素材之使用，對於使用於配線材之各種材料，亦要求無Pb化、無鹵素化。
而且，伴隨著Sn電鍍之無Pb化，尤其是於Sn或Sn系合金電鍍中，因電鍍而發生Sn之針狀結晶之晶鬚，使 鄰接之配線材間發生短路的問題點係為大眾所知悉。
又，顯然此晶鬚的問題，於藉由機械性接合(例如，嵌合、壓附、插入、鉚接等)外部應力施加的部位(電接點)，即使施行回焊處理亦無法抑制晶鬚的發生。
於本說明書中，亦將起因於伴隨著機械性接合之外部應力而於電接點發生的晶鬚稱為「外部應力型晶鬚」。
又，作為發生原因與外部應力型晶鬚不同的晶鬚，已知有起因於伴隨著Sn電鍍中之金屬間化合物的成長之體積膨脹的「內部應力型晶鬚(自然發生型晶鬚)」、起因於伴隨著基材與Sn電鍍之間的熱膨脹差之壓縮應力的「溫度循環型晶鬚」、起因於伴隨著在高溫高濕環境中的Sn之氧化或腐蝕之壓縮應力的「氧化/腐蝕型晶鬚」。
作為解決如此之外部應力型晶鬚的問題之焊錫合金，於專利文獻1中係記載有「一種無Pb焊錫合金，其特徵為，分別包含Ag 0.1~5wt%、Cu 0.1~5wt%、作為第1添加成分之由Sb、Bi、Cd、In、Ag、Au、Ni、Ti、Zr、Hf中選出的至少1種元素及作為第2添加成分之由Ge、Zn、P、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Al、Li、Mg、Ca中選出的至少1種元素10wt%以下，且剩餘部分為Sn」([請求項10])。
又，於專利文獻2中係記載有「一種無Pb焊錫合金，其特徵為，包含Ag 0.1wt%以上3.5wt%以下、Cu 0.1wt%以上3.5wt%以下、Zn 0.002wt%以上0.5wt%以下，且剩餘部分為Sn」或「一種無Pb焊錫合金，其特徵 為，進一步添加由P、Ge、K、Cr、Mn、Na、V、Si、Ti、Al、Li、Mg、Ca、Zr中之至少1種以上作為氧化抑制元素而成」([請求項10][請求項11])。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-031550號公報
[專利文獻2]日本特開2011-192652號公報
本發明者們針對專利文獻1及2所記載之無Pb焊錫合金進行探討的結果，得知藉由添加金屬之種類或組合，並無法充分抑制外部應力型晶鬚的發生。
因此，本發明係以提供一種可抑制外部應力型晶鬚之發生的電鍍用焊錫合金及電子零件作為課題。
本發明者們為了解決上述課題而努力探討的結果，發現藉由於Sn中含有特定量之Ni及/或Co，而可抑制外部應力型晶鬚的發生，因而完成本發明。
亦即，本發明者們發現藉由以下的構成而可解決上述課題。
[1]一種電鍍用焊錫合金，其係含有Sn與Ni，Ni之含量為0.06質量%以上、5.0質量%以下，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通之電接點。
[2]一種電鍍用焊錫合金，其係含有Sn與Co，Co之含量為0.01質量%以上、未達8質量%，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通之電接點。
[3]一種電鍍用焊錫合金，其係含有Sn，與Ni及Co，Ni及Co合計之含量為未達9.5質量%，滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03質量%以上之要件，及Co之含量為0.010質量%以上之要件的至少一要件，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通之電接點。
[4]如[1]~[3]中任一項之電鍍用焊錫合金，其係使用於嵌合型連接端子。
[5]一種電子零件，其係具有金屬基材，與形成於上述金屬基材之接合區域的電鍍被膜，上述電鍍被膜係含有Sn與Ni，Ni之含量為0.06質量%以上、5.0質量%以下，且剩餘部分由Sn所構成。
[6]一種電子零件，其係具有金屬基材，與形成於上述金屬基材之接合區域的電鍍被膜，上述電鍍被膜係含有Sn與Co，Co之含量為0.01質量%以上、未達8質量%，且剩餘部分由Sn所構成。
[7]一種電子零件，其係具有金屬基材，與形成於上述金屬基材之接合區域的電鍍被膜，上述電鍍被膜係含有Sn，與Ni及Co，Ni及Co合計之含量為未達9.5質量%，滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03質量%以上之要件，及Co之含量為0.010質量%以上之要件的至少一要件，且剩餘部分由Sn所構成。
如以下所示般，依據本發明，可提供一種可抑制外部應力型晶鬚之發生的電鍍用焊錫合金及電子零件。
[第1圖]第1圖(A)係使用了實施例5調製的焊錫合金(Sn-0.4Ni)之電鍍被膜的壓痕周邊部之掃描型電子顯微鏡(SEM)照片，第1圖(B)係從箭頭B方向觀察以第1圖 (A)之白線所表示的部位之剖面的剖面圖之SEM照片，第1圖(C)係從箭頭C方向觀察以第1圖(A)之白線所表示的部位之剖面的剖面圖之SEM照片，第1圖(D)係以第1圖(B)之白線所包圍的範圍之放大照片，第1圖(E)係以第1圖(C)之白線所包圍的範圍之放大照片。
[第2圖]第2圖(A)係使用了實施例15調製的焊錫合金(Sn-0.3Co)之電鍍被膜的壓痕周邊部之掃描型電子顯微鏡(SEM)照片，第2圖(B)係從箭頭B方向觀察以第2圖(A)之白線所表示的部位之剖面的剖面圖之SEM照片，第2圖(C)係從箭頭C方向觀察以第2圖(A)之白線所表示的部位之剖面的剖面圖之SEM照片，第2圖(D)係以第2圖(B)之白線所包圍的範圍之放大照片。
[第3圖]係針對含有Sn及Ni之焊錫合金，表示Ni之含量與過零時間(Zero Cross Time)的關係之圖表。
[第4圖]係針對含有Sn及Co之焊錫合金，表示Co之含量與過零時間(Zero Cross Time)的關係之圖表。
[第5圖]第5圖(A)及(B)係分別針對含有Sn、Ni及Co之焊錫合金，表示Ni及Co之含量與過零時間(Zero Cross Time)的關係之圖表。
以下，針對本發明之電鍍用焊錫合金及電子零件進行說明。
另外，於本說明書中，使用「~」所表示的數值範圍 係意味著包含「~」之前後記載的數值作為下限值及上限值之範圍，含量之%表記係意味著質量%。
[電鍍用焊錫合金]
本發明之第1樣態之電鍍用焊錫合金係含有Sn與Ni，Ni之含量為0.06質量%以上、5.0質量%以下，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通的電接點。
又，本發明之第2樣態之電鍍用焊錫合金係含有Sn與Co，Co之含量為0.01質量%以上、未達8質量%，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通的電接點。
又，本發明之第3樣態之電鍍用焊錫合金係含有Sn，與Ni及Co，Ni及Co合計之含量為未達9.5質量%，滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03質量%以上之要件，及Co之含量為0.010質量%以上之要件的至少一要件，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通之電接點。
本發明之第1樣態至第3樣態之焊錫合金(以下，將此等統稱為「本發明之焊錫合金」)，係如上述般，藉由於Sn中含有特定量之Ni及/或Co，而可抑制外部應力型晶鬚的發生。
其詳內容雖尚未明瞭，但可推測大致為以下所述。
首先，本發明者們推測發生外部應力型晶鬚的原因係 藉由來自外部的機械性應力而發生構成電鍍被膜的Sn原子之擴散，其後，藉由Sn原子進行再結晶化，而發生鬍鬚狀結晶的晶鬚。
接著，可推測藉由於Sn中含有特定量之Ni及/或Co，於電鍍被膜內部存在Sn-Ni化合物、Sn-Co化合物、Sn-Ni-Co化合物，藉此可抑制Sn原子之擴散，其結果，可抑制晶鬚的成長或發生。
關於此事，亦可從使用了後述之實施例調製的焊錫合金之電鍍被膜的剖面圖之結果進行推測。
又，本發明者們理解到於使用了含有特定少量之Ni的焊錫合金之Sn電鍍中，係無法抑制上述之內部應力型晶鬚一事，若考慮此見解，則藉由本發明之焊錫合金而可抑制外部應力型晶鬚的發生之效果，可說是非常意外的效果。
以下，針對本發明之焊錫合金之合金組成進行詳細敘述。
<Ni(第1樣態)>
於本發明之第1樣態中，Ni之含量為0.06%以上、5.0%以下。
在此，Ni係對晶鬚之發生抑制及破裂或龜裂之發生造成影響的元素，若Ni之含量為未達0.06%則不會展現抑制晶鬚之發生的效果。
於本發明中，Ni之含量，就在藉由熔融電鍍形成電 鍍被膜的情況之電子零件之耐熱性的觀點，或在藉由電性電鍍形成電鍍被膜的情況之電鍍被膜之外觀的觀點等而言，較佳為未達5.0%。
又，Ni之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.6%以下者，就可更抑制晶鬚之發生的觀點而言，更佳為0.40%以上。
<Co(第2樣態)>
於本發明之第2樣態中，Co之含量為0.01%以上、未達8%。
在此，Co係對晶鬚之發生抑制及破裂或龜裂之發生造成影響的元素，若Co之含量為未達0.01%則不會展現抑制晶鬚之發生的效果，若為8%以上則藉由外部應力而於電鍍被膜表面產生破裂或龜裂。
於本發明中，Co之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.4%以下者，就可更抑制晶鬚之發生的觀點而言，更佳為超過0.1%。
<Ni及Co(第3樣態)>
於本發明之第3樣態中，Ni及Co之含量合計為未達9.5%。
在此，於含有Ni及Co之第3樣態中，係滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03%以 上之要件，及Co之含量為0.010%以上之要件的至少一要件。
而且，在滿足Ni之含量為0.03%以上之要件的情況，Co之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.4%以下者。
另一方面，在滿足Co之含量為0.010%以上之要件的情況，Ni之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.6%以下者。
再者，在滿足Ni之含量為0.03%以上之要件，及Co之含量為0.010%以上之要件的情況，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，Ni之含量較佳為0.6%以下者，Co之含量較佳為0.4%以下者。
又，Ni及Co之合計含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.6%以下者，就可更抑制晶鬚之發生的觀點而言，更佳為超過0.1%者。
本發明之焊錫合金係由於可充分抑制外部應力型晶鬚的發生，因此可作為藉由機械性接合而導通的電接點而適合使用於嵌合型連接端子。
具體而言，較佳為於連接器之連接銷(金屬端子)、或與連接器嵌合之撓性扁平電纜(FFC)之末端連接部(接合區域)使用本發明之焊錫合金者。
以下，針對本發明之電子零件進行詳細敘述。
[電子零件]
本發明之第1樣態之電子零件係具有金屬基材，與形成於上述金屬基材之接合區域的電鍍被膜，上述電鍍被膜係含有Sn與Ni，Ni之含量為0.06質量%以上、5.0質量%以下，且剩餘部分由Sn所構成。
又，本發明之第2樣態之電子零件係具有金屬基材，與形成於上述金屬基材之接合區域的電鍍被膜，上述電鍍被膜係含有Sn與Co，Co之含量為0.01質量%以上、未達8質量%，且剩餘部分由Sn所構成。
又，本發明之第3樣態之電子零件係具有金屬基材，與形成於上述金屬基材之接合區域的電鍍被膜，上電鍍被膜係含有Sn，與Ni及Co，Ni及Co合計之含量為未達9.5質量%以下，滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03%以上之要件，及Co之含量為0.010%以上之要件的至少一要件，且剩餘部分由Sn所構成。
本發明之第1樣態至第3樣態之電子零件(以下，將此等統稱為「本發明之電子零件」)，係如上述般，藉由具有於Sn中含有特定量之Ni及/或Co的電鍍被膜，而可抑制電鍍被膜表面之外部應力型晶鬚的發生。
在此，可抑制外部應力型晶鬚的發生之理由，由於可推測為與上述之本發明之焊錫合金相同，因此記載省略。
以下，針對本發明之電子零件的構成進行詳細敘述。
<金屬基材>
本發明之電子零件所具有之金屬基材雖無特別限定，但可適當列舉例如：構成上述之撓性扁平電纜(FFC)之末端連接部(接合區域)的金屬基材，或構成電極的金屬基材。
作為上述金屬基材，具體而言，可列舉例如Cu基材、Ni基材、Au基材等，就容易形成使用了本發明之焊錫合金的電鍍被膜之理由而言，較佳為Cu基材，更佳為將Cu基材作為心材並於表面施以Ni電鍍的基材。
又，上述金屬基材的厚度雖無特別限定，但就電子零件之強度確保及薄型化的觀點而言，較佳係設為0.05~0.5mm。
<電鍍被膜>
本發明之電子零件所具有的電鍍被膜係形成於上述金屬基材之接合區域的電鍍被膜，具有Sn，與以下詳述之第1樣態至第3樣態所示之各元素的電鍍被膜。
(Ni(第1樣態))
於本發明之第1樣態中，Ni之含量為0.06%以上、5.0%以下。
在此，Ni係對晶鬚之發生抑制及破裂或龜裂之發生造成影響的元素，若Ni之含量為未達0.06%則不會展現抑制晶鬚之發生的效果。
於本發明中，Ni之含量，就在藉由熔融電鍍形成電 鍍被膜的情況之電子零件之耐熱性的觀點，或在藉由電性電鍍形成電鍍被膜的情況之電鍍被膜之外觀的觀點等而言，較佳為未達5.0%。
又，Ni之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.6%以下者，就可更抑制晶鬚之發生的觀點而言，更佳為0.40%以上。
(Co(第2樣態))
於本發明之第2樣態中，Co之含量為0.01%以上、未達8%。
在此，Co係對晶鬚之發生抑制及破裂或龜裂之發生造成影響的元素，若Co之含量為未達0.01%則不會展現抑制晶鬚之發生的效果，若為8%以上則藉由外部應力而於電鍍被膜表面產生破裂或龜裂。
於本發明中，Co之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.4%以下者，就可更抑制晶鬚之發生的觀點而言，更佳為超過0.1%。
(Ni及Co(第3樣態))
於本發明之第3樣態中，Ni及Co之含量合計為未達9.5%。
在此，於含有Ni及Co之第3樣態中，係滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03質量 %以上之要件，及Co之含量為0.010質量%以上之要件的至少一要件。
而且，在滿足Ni之含量為0.03%以上之要件的情況，Co之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.4%以下者。
另一方面，在滿足Co之含量為0.010%以上之要件的情況，Ni之含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.6%以下者。
再者，在Ni之含量為0.03%以上之要件，及Co之含量為0.010%以上之要件皆滿足的情況，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，Ni之含量較佳為0.6%以下者，Co之含量較佳為0.4%以下者。
又，Ni及Co之合計含量，就在藉由熔融電鍍形成電鍍被膜的情況之濕潤性的觀點而言，較佳為0.6%以下者，就可更抑制晶鬚之發生的觀點而言，更佳為超過0.1%者。
在此，電鍍被膜之形成(電鍍)方法並無特別限定，例如，可藉由在調製本發明之焊錫合金之後，使所調製的焊錫合金在噴流焊錫槽等熔融而進行電鍍的熔融電鍍法；以使所形成之電鍍被膜成為上述之第1樣態至第3樣態所示之組成範圍的方式，來使用1種或2種之電鍍液並利用電鍍裝置進行電鍍的電性(電解)電鍍法等之以往周知的方法而形成。
本發明之電子零件，係除了在使用本發明之焊錫合金 並藉由熔融電鍍法而形成電鍍被膜的情況以外，即使在以使形成於電子零件的電鍍被膜成為上述之第1樣態至第3樣態所示之組成範圍的方式來進行電鍍之藉由電性電鍍法而形成電鍍被膜的情況，亦可抑制外部應力型晶鬚的發生。
電鍍被膜之厚度雖無特別限定，但在熔融電鍍法中較佳係設為10~30μm，在電性電鍍法中較佳係設為1~5μm。
[實施例]
以下，使用實施例，針對本發明之焊錫合金來詳細地進行說明。但，本發明並不限定於此。
[熔融電鍍]
使用具有以下述表1~表4的合金組成之焊錫合金，對於Ni電鍍之Cu板(尺寸：30mm×30mm×0.3mm，Ni電鍍厚：3μm)施行熔融電鍍，而形成電鍍被膜(厚度：10μm)。另外，熔融電鍍後，以異丙醇(IPA)進行洗滌1分鐘，以丙酮進行5分鐘超音波洗淨，將助焊劑殘渣去除。
針對使用於熔融電鍍的使用裝置、電鍍條件係如以下所示。
<使用裝置>
Solder Checker SAT-5200(RHESCA製)
<電鍍條件>
‧浸漬速度：5mm/s
‧浸漬深度：20mm
‧浸漬時間：7秒
‧焊錫槽溫度：250℃~400℃
‧使用助焊劑：ES-1090(千住金屬工業製)
[電性電鍍]
將Ni電鍍之Cu板(尺寸：30mm×30mm×0.3mm，Ni電鍍厚：3μm)，與作為陽極使用之碳板，浸漬於裝有以使成為具有下述表1~表4所示的合金組成之電鍍被膜的方式來調製的電鍍液之燒杯內，施加電流，藉此來施行電性電鍍，而形成電鍍被膜(厚度：5μm)。
針對電鍍液之原料或摻合、電鍍時之電流密度、燒杯內之浴溫、電流流動之時間(電鍍時間)，係依據以往周知的方法，適於各參考例、各實施例及各比較例各者地進行調整。
<最大晶鬚長度>
針對形成有電鍍被膜之Ni電鍍之Cu板，藉由依照JEITA RC-5241所規定的「電子機器用連接器之晶鬚測驗方法」之球壓頭法，測定外部應力晶鬚的長度。另外，測定係在相同的樣品之任意的3部位進行，測定晶鬚長度成 為最大者。又，針對比較例2、5~8、12及13所形成的電鍍被膜，起因於存在電鍍被膜中之多量的Ni或Co，而藉由球壓頭法產生了龜裂，因此，不進行晶鬚長度的測定。
針對使用於試驗的試驗裝置/條件、晶鬚長度的測定裝置/條件係如以下所示。
又，將測定結果、最大晶鬚長度成為30μm以下者作為將外部應力型晶鬚之發生進行抑制者而評估為「○」，將最大晶鬚長度為超過30μm者作為無法抑制外部應力型晶鬚之發生者而評估為「×」。
將最大晶鬚之測定值及評估結果顯示於下述表1~表4。
(試驗裝置)
滿足於JEITA RC-5241之「4.4荷重試驗機」所規定的規格之荷重試驗機(氧化鋯球壓頭之直徑：1mm)
(試驗裝置)
‧荷重：300g
‧試驗期間：10天(240小時)
(測定裝置/條件)
‧FE-SEM：Quanta FEG250(FEI製)
‧加速電壓：10kV
於供藉由球壓頭法進行晶鬚試驗的樣品當 中，以聚焦離子束(FIB)切出使用了實施例5調製的焊錫合金(Sn-0.4Ni)之電鍍被膜的壓痕周邊部之剖面。將以SMI3050SE(Hitachi High-Tech Science製)之掃描型電子顯微鏡(SEM)拍攝電鍍被膜之壓痕周邊部的表面，或壓痕周邊部的剖面者顯示於第1圖。
相同地，將以掃描型電子顯微鏡(SEM)拍攝使用了實施例15調製之焊錫合金(Sn-0.3Co)的電鍍被膜之壓痕周邊部的表面及壓痕周邊部的剖面者顯示於第2圖。
如由第1圖及第2圖所示之電鍍被膜的剖面圖所得知般，於電鍍被膜之內部可確認針狀的結晶(以虛線所包圍的部分)，將此結晶藉由能量分散型X射線分析(EDS)分析的結果，從電鍍被膜(Sn-0.4Ni)係檢測出Sn及Ni，從電鍍被膜(Sn-0.3Co)係檢測出Sn及Co。
另外，於本例中，將最大晶鬚長度為30μm以下之合金作為實施例來處理，將最大晶鬚長度為超過30μm之合金，或者即使最大晶鬚長度為30μm以下卻於電鍍自體發生龜裂之合金作為比較例。
由表1~表4所示之結果，可知Ni或Co之含量較少的合金，相較於在使用了參考例1及2調製之合金的情況，其最大晶鬚長度無法抑制(比較例1、3及4)。
又，可知含有Ni或Co，且Ni或Co之含量較少的合金，相較於在使用了參考例1及2調製之合金的情況，其最大晶鬚長度無法抑制(比較例9~11)。
進而，由參考例3的結果，可知不含有Ni及Co之合金，即使藉由電性電鍍其最大晶鬚長度亦無法抑制。
進而，可知多量含有Ni及/或Co之合金，雖將晶鬚的發生作抑制，但會沿著壓痕而於電鍍自體發生龜裂，而不適於作為嵌合用途使用者(比較例2、5~8、12及13)。
相對於此，可知Ni之含量、Co之含量，以及在含有Ni及Co的情況之合計含量為特定的範圍之合金，任一者相較於在使用了參考例1調製之合金的情況，皆可抑制最大晶鬚長度(實施例1~5、11~13、15及20~24)。其結果，即使在藉由電性電鍍形成電鍍被膜的情況亦可作相同地確認(實施例6~10、14、16~19及25~29)。
尤其，由實施例1~5之對比，可知若Ni之含量為超過0.30質量%，則最大晶鬚長度成為10μm，相較於以往耐晶鬚性為良好的Sn-Pb合金(參考例2)，其可抑制晶鬚的發生。
相同地，由實施例11~15之對比，可知若Co之含量為超過0.10質量%，則最大晶鬚長度成為10μm，相較於以往耐晶鬚性為良好的Sn-Pb合金(參考例2)，其可抑制晶鬚的發生。
另外，將形成電鍍被膜之金屬基材變更為「未施行Ni電鍍的Cu板」的結果，可知其有著與實施例1~29相同的傾向。
<濕潤性>
針對含有Sn，與Ni及/或Co之焊錫合金，藉由以JIS Z 3198-4所規定的潤濕平衡法，測定過零時間。將結果顯示於第3圖~第5圖。
由第3圖所示的結果，可知若Ni之含量為0.6%以 下，則過零時間為短，而濕潤性為良好，相同地，由第4圖所示的結果，可知若Co之含量為0.4%以下，則過零時間為短，而濕潤性為良好。又，由第5圖所示的結果，可知即使在含有Ni及Co的情況，若Ni之含量為0.6%以下，或Co之含量為0.4以下，則濕潤性亦為良好。
另外，針對使用於評估的試驗裝置、試驗條件係如以下所示。
(試驗裝置)
Solder Checker SAT-5200(RHESCA製)
(試驗條件)
‧浸漬速度：10mm/s
‧浸漬深度：2mm
‧浸漬時間：5秒
‧焊錫槽溫度：250℃
‧使用助焊劑：ES-1090(千住金屬工業製)
‧使用Cu板：30mm×3mm

Claims (7)

  1. 一種用於抑制外部應力型晶鬚的電鍍用焊錫合金，其係含有Sn與Ni，Ni之含量為0.06質量%以上、1.00質量%以下(不包括0.06~0.3質量%之情形)，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通之電接點。
  2. 一種用於抑制外部應力型晶鬚的電鍍用焊錫合金，其係含有Sn與Co，Co之含量為0.01質量%以上、1.00質量%以下(不包括0.01~0.5質量%之情形)，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通之電接點。
  3. 一種用於抑制外部應力型晶鬚的電鍍用焊錫合金，其係含有Sn，與Ni及Co，Ni及Co合計之含量為未達9.5質量%，滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03質量%以上之要件，及Co之含量為0.010質量%以上之要件的至少一要件，且剩餘部分由Sn所構成之使用於藉由機械性接合而導通之電接點。
  4. 如請求項1~3中任一項之電鍍用焊錫合金，其係使用於嵌合型連接端子。
  5. 一種電子零件，其係具有金屬基材，與形成於前述金屬基材之藉由機械性接合而導通之電接點的電鍍被膜，前述電鍍被膜係含有Sn與Ni之焊錫合金，Ni之含量為0.06質量%以上、1.00質量%以下(不包括0.06~0.3質量%之情形)，且剩餘部分由Sn所構成之用於抑制外部應力型晶鬚的電鍍被膜。
  6. 一種電子零件，其係具有金屬基材，與形成於前述金屬基材之藉由機械性接合而導通之電接點的電鍍被膜，前述電鍍被膜係含有Sn與Co之焊錫合金，Co之含量為0.01質量%以上、1.00質量%以下(不包括0.01~0.5質量%之情形)，且剩餘部分由Sn所構成之用於抑制外部應力型晶鬚的電鍍被膜。
  7. 一種電子零件，其係具有金屬基材，與形成於前述金屬基材之藉由機械性接合而導通之電接點的電鍍被膜，前述電鍍被膜係含有Sn，與Ni及Co之焊錫合金，Ni及Co合計之含量為未達9.5質量%，滿足Ni及Co之含量任一者皆超過0質量%且Ni之含量為0.03質量%以上之要件，及Co之含量為0.010質量%以上之要件的至少一要件，且剩餘部分由Sn所構成之用於抑制外部應力型晶鬚的電鍍被膜。
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