JP2020117744A - 金属部材、および電気コネクタ - Google Patents

Abstract

【課題】半田付けされることで取付対象物に接続する半田接続部の半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難く、安価な金属部材、および、この金属部材を備えた電気コネクタを提供すること。【解決手段】半田付けされることで取付対象物の端子に接続する半田接続部と、接続対象物の端子に接触する接触部と、を有する金属部材において、金属基材と、前記半田接続部の金属基材を被覆し、かつ、前記半田接続部の金属基材を被覆する金属めっき層のうち金属めっき層の最表層として設けられ、Ｓｎ含有率が７５〜９３質量％であり、残部がＮｉ及び不純物からなるＳｎ−Ｎｉ合金めっき層と、を有する金属部材、および、この金属部材を備えた電気コネクタ。【選択図】図３

Description

本発明は、金属部材、および電気コネクタに関する。

従来、電気コネクタは、取付対象物（例えば、電気機器等の回路基板等）に取付られ、取付対象物と接続対象物（例えば、電子機器等のケーブルのコネクタ等）との電気的な接続を図るために利用されている。そして、電気コネクタには、電気接続用端子、又は取付金具として、金属部材が設けられている。

金属部材は、半田付けされることで取付対象物に接続される半田接続部を有している。この半田接続部の最表層に、半田付け性を高める目的で、金めっき層、又はＳｎめっき層が設けた金属部材が知られている（例えば、特許文献１〜５）。
なお、接続対象物に接触する接触部の最表層に、金めっき層を設けた金属部材も知られている（例えば、特許文献６）

特開２００３−２４３０７３号公報 特開２００５−１５８３３７号公報 特開２００８−２７６９６号公報 特開２０１１−２９１８８号公報 特開２０１２−０３３４３５号公報 特開昭６３−１２１６９３号公報

しかしながら、近年、電気コネクタの低コスト化の点から、金めっき層を形成することは避けたい要請がある。
一方、Ｓｎめっき層は、短絡の原因となる針状結晶（ウィスカー）が発生し易いという問題がある。

そこで、本発明の課題は、半田付けされることで取付対象物に接続する半田接続部の半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難く、安価な金属部材、および、この金属部材を備えた電気コネクタを提供することである。

上記課題を解決するための手段は、以下の態様を含む。

請求項１に係る発明は、
半田付けされることで取付対象物に接続する半田接続部を有する金属部材において、
金属基材と、
前記半田接続部の金属基材を被覆し、かつ、前記半田接続部の金属基材を被覆する金属めっき層のうち最表層として設けられ、Ｓｎ含有率が７５〜９３質量％であり、残部がＮｉ及び不純物からなるＳｎ−Ｎｉ合金めっき層と、
を有する金属部材である。

請求項１に係る発明によれば、半田接続部の金属基材が、Ｓｎ含有率が７５〜９３質量％であり、残部がＮｉ及び不純物からなるＳｎ−Ｎｉ合金めっき層により被覆されていることで、半田付けされることで取付対象物に接続する半田接続部の半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難く、安価な金属部材が提供できる。

請求項２に係る発明は、
前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層のＳｎ含有率が、８０〜９３質量％である請求項１に記載の金属部材である。

請求項２に係る発明によれば、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層のＳｎ含有率を８０質量％以上とすることで、半田濡れ性の低下が抑えられ、活性作用が弱いハロゲンフリーフラックスを含む半田を使用しても、半田付け性の低下が抑えられる。

請求項３に係る発明は、
接続対象物に接触する接触部を有し、
前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層は、さらに、前記接触部の金属基材を被覆し、かつ、前記接触部の金属基材を被覆する金属めっき層のうち最表層として設けられている請求項１又は請求項２に記載の金属部材である。

請求項３に係る発明によれば、接触部と接続対象物との接触抵抗の上昇が抑えられる。

請求項４に係る発明は、
前記金属基材は、Ｃｕ基材、又はＣｕ合金基材であり、
かつ、前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層と前記半田接続部の前記金属基材との間に設けられた、Ｎｉめっき層、およびＮｉ合金めっき層の少なくとも一方のめっき層を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の金属部材である。

請求項４に係る発明に係る発明によれば、金属基材として、Ｃｕ基材、又はＣｕ合金基材を採用しても、Ｎｉめっき層、およびＮｉ合金めっき層の少なくとも一方のめっき層により、半田付け性の低下の原因となるＣｕ原子がＳｎ−Ｎｉ合金めっき層へ拡散することが抑制される。その結果、半田接続部の半田付け性の低下が抑制される。

請求項５に係る発明は、
前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層の厚さは、０．５〜１μｍである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の金属部材である。

請求項５に係る発明によれば、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層の厚さを０．５〜１μｍとすることで、生産性良く、半田接続部の半田付け性を高められる。

請求項６に係る発明は、
請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の金属部材と、
前記金属部材を保持するハウジングと、
を有する電気コネクタである。

請求項６に係る発明によれば、半田付けされることで取付対象物に接続する半田接続部の半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難く、安価な金属部材を備える電気コネクタが提供できる。

本発明によれば、半田付けされることで取付対象物に接続する半田接続部の半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難く、安価な金属部材、および、この金属部材を備えた電気コネクタを提供することができる。

本実施形態に係る電気コネクタを示す概略斜視図である。 本実施形態に係る電気コネクタを示す概略断面図である。 本実施形態に係る金属部材を示す概略構成図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の一例である本実施形態に係る金属部材、および、それを備える電気コネクタについて説明する。
なお、本明細書において、実質的に同じ機能を有する部材には、全図面を通して同じ符合を付与し、重複する説明は省略する場合がある。
また、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本実施形態に係る電気コネクタ１００は、図１〜図２に示すように、複数の電気接続端子１０（金属部材の一例）と、電気接続端子１０を保持するハウジング２０と、を有している。

（ハウジング）
ハウジング２０は、例えば、外形が略立方体形状で構成されている。そして、ハウジング２０は、例えば、取付対象物２００（例えば、電気機器等の回路基板等）に当接する当接部２２と、接続対象物３００（例えば、電子機器等のケーブルのコネクタ等）が嵌め込まれる嵌合部２４と、電気接続端子１０を保持するための貫通孔２６Ａが設けられた保持部２６と、を有している。
なお、ハウジング２０は、上記態様に限定されるわけではない。ハウジング２０の態様は、目的に応じた態様を適宜選択できる。

（電気接続端子（金属部材））
電気接続端子１０は、例えば、図３に示すように、屈曲した長尺状の端子であり、一端側に、半田付けされることで取付対象物２００の端子２０２に接続する半田接続部１０Ａと、他端側に、接続対象物３００の端子３０２に接触する接触部１０Ｂと、を有している。

電気接続端子１０は、例えば、ハウジング２０の保持部２６の貫通孔２６Ａに挿入されて、ハウジング２０に保持されている。そして、電気接続端子１０は、例えば、電気コネクタ１００が取付対象物２００に取り付けられたとき半田接続部１０Ａが取付対象物２００の端子２０２と対面し、接触部１０Ｂがハウジング２０の嵌合部２４の底部から突出して、ハウジング２０に保持されている。

電気接続端子１０は、金属基材１２と、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４と、Ｎｉめっき層、およびＮｉ合金めっき層の少なくとも一方のめっき層１６（以下「Ｎｉ系めっき層１６」と称する）と、を有している。

金属基材１２は、めっき層が被覆される対象の金属基材である。金属基材１２は、Ｃｕ基材、Ｃｕ合金基材、Ｆｅ合金基材等が挙げられる。これらの中でも、金属基材１２としては、導電率が高く、安価な、Ｃｕ基材、又はＣｕ合金基材が好ましい。
なお、Ｃｕ合金基材としては、りん青銅基材（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ合金基材）、黄銅基材（Ｃｕ−Ｚｎ合金基材）等が例示できる。

Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４は、例えば、金属基材１２を被覆し、かつ最表層として設けられている。そして、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４は、Ｓｎ含有率が７５〜９３質量％であり、残部がＮｉ及び不純物からなる。
ここで、電気接続端子１０は、一般的に、キャリアと連結された状態の金属基材１２に対して、めっき処理を施した後、めっき処理後の金属基材１２をキャリアと分断して製造する。そのため、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４は、キャリアと連結していた部分以外の金属基材１２の全面に被覆されていることがよい。
なお、不純物とは、めっき層の原材料の製造過程で混入する成分、めっき層の形成の過程で混入する成分等が例示され、意図的にめっき層に含有させたものではない成分を指す。

Ｓｎ含有率が７５質量％未満であると半田付け性が低下する。一方、Ｓｎ含有率が９３質量％超えであると、針状結晶（ウィスカー）が発生し易くなる。
そのため、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４が、半田接続部１０Ａの金属基材１２を被覆し、かつ最表層として設けられていることで、半田接続部１０Ａの半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難く、安価な電気コネクタ１００となる。
なお、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４の上に、さらにＳｎめっき層が存在すると、そのＳｎめっき層が原因となって、針状結晶（ウィスカー）が発生する。

Ｓｎ含有率が７８〜９３質量％（好ましくは８０〜９３質量％）であると、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４の導電率が高くなる。
そのため、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４が接触部１０Ｂの金属基材１２を被覆し、かつ最表層として設けられていることで、接触部１０Ｂと接続対象物３００の端子３０２との接触抵抗の上昇が抑えられる。

つまり、半田接続部１０Ａおよび接触部１０Ｂを有する電気接続端子１０の場合、Ｓｎ含有率が７８〜９３質量％（好ましくは８０〜９３質量％）であることがよい。ただし、半田接続部１０Ａを有し、接触部１０Ｂを有さない電気接続端子１０の場合（例えば、電気接続端子１０を取付金具として適用する場合）、Ｓｎ含有率は、７５〜９３質量％であってもよい。

特に、同じめっき処理で、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４により、半田接続部１０Ａおよび接触部１０Ｂの金属基材１２を被覆することで、半田接続部１０Ａ専用のめっき層、接触部１０Ｂ専用のめっき層を別々に施さなくてもよいため、電気コネクタの低コスト化の点で有利である。

ここで、Ｓｎ含有率は、半田付け性向上および導電率向上の観点から、８０質量％以上が好ましく、８５質量％以上がより好ましい。一方、Ｓｎ含有率は、針状結晶（ウィスカー）の発生抑制の観点から、９２質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましい。

なお、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４において、Ｓｎ含有率が７５質量％以上８０質量％未満であっても、半田付け性は高いが、Ｎｉ含有率が多く、半田との濡れ性が低下することがあるため、半田付けにあたっては、活性作用が強いフラックス（例えば、ハロゲン系物質としての臭素を含むフラックス）を含んだ半田を用いる必要がある。
しかし、半田付け時には、はんだペーストからフラックス成分が飛散することがしばしばある。そして、飛散したフラックスが、取付対象物や、取付対象物に実装された他の電子部品に付着すると、腐食が生じてしまうおそれがある。
一方、Ｓｎ含有率が８０〜９３質量％であると、Ｎｉ含有率が下がるため、半田との濡れ性の低下が抑えられ、必ずしも活性作用が強いフラックスを含む半田を使用する必要がない。つまり、活性作用が弱いハロゲンフリーフラックスを含む半田を使用しても、半田付け性の低下が抑えられる。
よって、Ｓｎ含有率は、８０〜９３質量％が好ましい。

Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４の厚さは、０．５〜１μｍが好ましい。
Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４の厚さが０．５μｍ未満であると半田付け性が低下する傾向がある。Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４を厚さ１μｍよりも厚く形成すると、めっき時間および使用金属の増加等から、生産性が低下する傾向がある。

Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４は、電気めっき法等の周知の方法により形成できる。

Ｎｉ系めっき層１６は、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４と金属基材１２との間に設けられている。つまり、Ｎｉ系めっき層１６は、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４の下地層である。

特に、金属基材１２として、Ｃｕ基材、又はＣｕ合金基材を採用した場合、基材からＣｕ原子がＳｎ−Ｎｉ合金めっき層１４に拡散し、半田付け性を低下させることがある。そのため、Ｎｉ系めっき層１６を、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４の下地層として設けることで、Ｃｕ基材、又はＣｕ合金基材からＣｕ原子がＳｎ−Ｎｉ合金めっき層１４に拡散することを防ぐことができる。その結果、半田付け性の低下を防ぐことができる。

ただし、Ｎｉ系めっき層１６は、必要に応じて、任意に設けられる層である。

なお、Ｎｉ系めっき層１６のうち、Ｎｉ合金めっき層としては、Ｎｉ−Ｐ合金めっき層等が例示できる。

Ｎｉ系めっき層１６の厚さは、１μｍ以上が好ましく、２〜３μｍがより好ましい。ただし、このＮｉ系めっき層１６の厚さは、Ｎｉめっき層、又はＮｉ合金めっき層の単層の厚さである。

電気接続端子１０は、上記態様に限定されるものではない。半田接続部１０Ａの金属基材１２を被覆し、かつ最表層として設けられ、Ｓｎ含有率が７５〜９３質量％であり、残部がＮｉ及び不純物からなるＳｎ−Ｎｉ合金めっき層１４を有する以外は、電気接続端子１０の態様は、目的に応じた態様を適宜選択できる。

以上説明した電気コネクタ１００は、半田付けされることで取付対象物２００の端子２０２に接続する半田接続部１０Ａの半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難く、安価な電気接続端子１０（金属部材の一例）を備えた電気コネクタとなる。

なお、本実施形態では、電気接続端子１０の最表層として、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４を設けた態様を説明したが、これに限られない。Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４は、金属基材１２を被覆する金属めっき層のうち最表層として設けられていればよい。

ここで、「Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４が、金属基材１２を被覆する金属めっき層のうち最表層として設けられている」とは、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４上に、さらに金属めっき層（Ｓｎめっき層、Ａｕめっき層等）が存在しないことを意味する。つまり、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層１４上に、金属めっき層以外の層（変色防止剤層、半田濡れ性劣化防止剤層等）であれば、存在してもよいことを意味する。

また、本実施形態では、電気接続端子１０が、接続対象物３００の端子３０２に接触する接触部１０Ｂを有する態様を説明したが、これに限られない。例えば、電気接続端子１０は、接触部１０Ｂを有さない端子であってもよい。

ただし、接触部１０Ｂを有することで、電気接続端子１０は、半田接続部１０Ａに加え、半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難くい接触部１０Ｂを有する電子接続端子となる。そして、この態様の電気接続端子１０は、半田接続部１０Ａおよび接触部１０Ｂを一括しためっき処理により製造できるという利点がある。

また、本実施形態では、金属部材を電気接続端子１０に適用した態様を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、金属部材は、取付金具等に適用してもよい。
例えば、金属部材を取付金具に適用した場合、半田接続部１０Ａは、取付対象物２００の金属部に半田付けされればよい。

以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、これら各実施例は、本発明を制限するものではない。

（実施例１〜１５、比較例１〜２）
Ｓｎ含有率１〜１１％、Ｐ含有率０．１５％以下、残部がＣｕ及び不純物からなるＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金基材（りん青銅基材）の全面に、電気めっき法により、厚さ１μｍのＮｉめっき層を被覆した。
その後、Ｎｉめっき層を被覆したＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金基材（りん青銅基材）の全面に、電気めっき法により、表１〜表２に示すＳｎ含有率（質量％）で、残部がＮｉおよび不純物からなり、厚さが１μｍのＳｎ−Ｎｉ合金めっき層を被覆した。
この操作により、実施例１〜１５、比較例１〜２の、金属部材、および、その試験片（ｐｉｎ）を作製した。

（比較例３）
Ｓｎ含有率１〜１１％、Ｐ含有率０．１５％以下、残部がＣｕ及び不純物からなるＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金基材（りん青銅基材）の全面に、厚さ２μｍのＮｉめっき層、および厚さ０．１２μｍのＡｕめっき層を順次形成した。
この操作により、比較例３の、金属部材、および、その試験片（ｐｉｎ）を作製した。

（比較例４）
Ｓｎ含有率１〜１１％、Ｐ含有率０．１５％以下、残部がＣｕ及び不純物からなるＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金基材（りん青銅基材）の全面に、厚さ１μｍのＮｉめっき層、および厚さ３μｍのＳｎめっき層を順次形成した。
この操作により、比較例４の、金属部材、および、その試験片（ｐｉｎ）を作製した。

（各種試験）
得られた各例の金属部材、および、その試験片（ｐｉｎ）に対して、次の試験を実施した。その結果を表１〜表２に示す。

−ウィスカー試験１（アクリル板試験）−
厚さ５ｍｍの一対の透明アクリル板に金属部材の試験片（ｐｉｎ）を挟み、固定板を用いてネジで締め付けた。締め付けトルクは１．２±０．１Ｎ／ｍとした。そして、室温（１５〜３５℃）湿度（２５〜８５％ＲＨ）環境下で、一対の透明アクリル板に挟み込んだ状態の金属部材の試験片（ｐｉｎ）を１０００時間放置後、試験片を観察し、ウィスカーの発生の有無を確認する試験をした。

−ウィスカー試験２（組み立て品試験）−
金属部材を所定形状の樹脂製ハウジングに保持させ、コネクターを組み立てた。そして、室温（１５〜３５℃）湿度（２５〜８５％ＲＨ）環境下で、組み立て体を４０００時間放置後、金属部材を観察し、ウィスカーの発生の有無を確認する試験した。

ここで、ウィスカー試験１〜２において、観察で５０μｍ以上のウィスカーが発生している場合、ウィスカーが発生したと判断した。表中には、試験した試験片（ｐｉｎ）の数に対するウィスカーが発生した試験片（ｐｉｎ）の数（ウィスカー発生ｐｉｎ数／試験ｐｉｎ数と表記）を示した。

なお、ウィスカー試験１〜２はＳｎ含有率が多いほど発生し易いため、低Ｓｎ含有量側の例の試験は不実施とした。

−半田濡れ性試験１（活性フラックス試験）−
メニスコグラフ法に従って、半田濡れ性試験１を実施した。具体的には次の通りである。
Ａｇ含有率３．０質量％、Ｃｕ含有率０．５質量％、残部がＳｎおよび不純物からなる半田を２４５℃に加熱した。
活性フラックス（成分：臭素（Ｂｒ））を表面に塗布した金属部材を、加熱により溶融した半田に、浸漬速度２５ｍｍ／秒で浸漬した。浸漬深さは、金属部材のテーパ−部＋０．２ｍｍ（合計で０．５ｍｍ以下の場合は０．５ｍｍ）とした。
そして、ゼロクロスタイム、および、濡れ応力を測定した。

−半田濡れ性試験２（ハロゲンフリーフラックス試験）−
メニスコグラフ法に従って、半田濡れ性試験２を実施した。具体的には次の通りである。
Ａｇ含有率３．０質量％、Ｃｕ含有率０．５質量％、残部がＳｎおよび不純物からなる半田を２４５℃に加熱した。
ハロゲンフリーフラックス（成分：ロジン）を塗布した金属部材を、加熱により溶融した半田に浸漬速度２５ｍｍ／秒で浸漬した。浸漬深さは、金属部材のテーパ−部＋０．２ｍｍ（合計で０．５ｍｍ以下の場合は０．５ｍｍ）とした。
そして、ゼロクロスタイム、および、濡れ応力を測定した。

ここで、半田濡れ性試験１〜２において、ゼロクロスタイム３秒以下のとき良好と判断した。また、金属部材を引き上げ後、半田濡れ状態を確認し、浸漬エリアの９５％以上が濡れていない場合、不濡れと判断した。

なお、半田濡れ性試験１〜２はＳｎ含有率が多いほど良好になるため、高Ｓｎ含有率側の例の試験は不実施とした。

−接触抵抗試験−
金属部材の接触抵抗試験を、電気接点シミュレーター（商品名：ＣＲＳ−１、製造元：株式会社 山崎精機研究所）により実施した。

試験条件は、ライダー：評価めっき仕様ソケット接点部、接点形状Ｒ＝０．６ｍｍ、フラット：評価めっき仕様プラグ接点部、測定電流ＡＣ１ｍＡ、測定電圧ＡＣ２０ｍＶ（ＭＡＸ）、摺動距離１ｍｍ（１ｍｍ／分）、負荷加重５００ｍＮ一定とした。
接触抵抗試験は、ガス試験前の初期（ｉｎｉｔｉａｌ）、Ｈ_２Ｓガス試験後、ＳＯ_２ガス試験後の各々で実施した。

Ｈ_２Ｓガス試験は、温度４０℃、相対湿度７５％ＲＨ、Ｈ_２Ｓ濃度３ｐｐｍの雰囲気下に、時間９６時間、金属部材を放置することで実施した。
ＳＯ_２ガス試験は、温度４０℃、相対湿度７５％ＲＨ、ＳＯ_２濃度１０ｐｐｍの雰囲気下に、時間９６時間、金属部材を放置することで実施した。

なお、接触抵抗試験、又はガス試験後の接触抵抗試験はＳｎ含有率が多いほど良好になるため、高Ｓｎ含有率側の例の試験は不実施とした。

上記結果から、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層が最表層に存在する実施例の金属部材では、半田接続部の半田付け性が良好で、しかも、針状結晶（ウィスカー）が発生し難いことがわかる。
また、特に、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層のＳｎ含有率が８０質量％以上である実施例の金属部材は、活性が低いハロゲンフリーのフラックスを塗布した状態でも、半田に対する濡れ性が高いことがわかる。つまり、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層のＳｎ含有率が８０質量％以上である実施例の金属部材は、活性が低いハロゲンフリーのフラックス入り半田に対しても濡れ性が高く、半田付け性が良好であることがわかる。また、接触抵抗も低く、導通性も良好であることもわかる。

１０ 電気接続端子（金属部材の一例）
１０Ａ 半田接続部
１０Ｂ 接触部
１２ 金属基材
１４ Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層
１６ Ｎｉめっき層、およびＮｉ合金めっき層の少なくとも一方のめっき層（Ｎｉ系めっき層）
２０ ハウジング
２２ 当接部
２４ 嵌合部
２６ 保持部
２６Ａ 貫通孔
１００ 電気コネクタ
２００ 取付対象物
２０２ 取付対象物の端子
３００ 接続対象物
３０２ 接続対象物の端子

Claims (6)

1. 半田付けされることで取付対象物に接続する半田接続部を有する金属部材において、
   金属基材と、
   前記半田接続部の金属基材を被覆し、かつ、前記半田接続部の金属基材を被覆する金属めっき層のうち最表層として設けられ、Ｓｎ含有率が７５〜９３質量％であり、残部がＮｉ及び不純物からなるＳｎ−Ｎｉ合金めっき層と、
   を有する金属部材。
2. 前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層のＳｎ含有率が、８０〜９３質量％である請求項１に記載の金属部材。
3. 接続対象物に接触する接触部を有し、
   前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層は、さらに、前記接触部の金属基材を被覆し、かつ、前記接触部の金属基材を被覆する金属めっき層のうち最表層として設けられている請求項１又は請求項２に記載の金属部材。
4. 前記金属基材は、Ｃｕ基材、又はＣｕ合金基材であり、
   かつ、前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層と前記半田接続部の前記金属基材との間に設けられた、Ｎｉめっき層、およびＮｉ合金めっき層の少なくとも一方のめっき層を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の金属部材。
5. 前記Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき層の厚さは、０．５〜１μｍである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の金属部材。
6. 請求項１〜請求項５のいずれか１項記載の金属部材と、
   前記金属部材を保持するハウジングと、
   を有する電気コネクタ。