TWI646682B - 有機發光顯示面板 - Google Patents

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Abstract

本揭露為一種有機發光顯示面板，藉由一輔助圖案的設置，防止電流通過具有高電洞遷移率的一共同層洩漏到相鄰的子像素。有機發光顯示面板包含設置在一非發光部中以與第一電極的邊緣重疊的一堤部、設置在一發光部中的該第一電極上以及設置在該非發光部中的該堤部上的一第一共同層、以及在該堤部上與該第一共同層接觸的一輔助圖案。

Description

有機發光顯示面板
本發明涉及一種有機發光元件，其透過輔助圖案的設置防止電流經由具有高電洞遷移率的共同層洩漏到相鄰的子像素。
近來，隨著資訊時代的來臨，視覺顯示電傳送訊號/訊息的顯示器領域迅速發展。與此相應，已開發了具有如厚度小、重量輕、功耗低等優異特性的各種平板顯示裝置，並已迅速取代傳統的陰極射線管（CRT）。
這種平板顯示裝置的代表性示例包括液晶顯示裝置（LCD）、電漿顯示面板（PDP）裝置、場發射顯示（FED）裝置和有機發光顯示（OLED）裝置）。
其中，有機發光顯示裝置被認為是具競爭性的應用，因為它不需要單獨的光源，且能夠實現緊湊的裝置設計和生動的彩色顯示。
有機發光顯示裝置包含有機發光元件，其以每個子像素為基礎獨立地驅動。這種有機發光元件包含陽極、陰極和在陽極和陰極之間的多個有機層。
有機層包括從陽極側依次設置的電洞注入層、電洞傳輸層、有機發光層和電子傳輸層。其中，有機發光層藉由電洞和電子的結合而產生的激子的能量降至基態以發光。其他層用於幫助電洞或電子向有機發光層傳輸。
另外，在有機發光顯示裝置中，為了彩色顯示，子像素被分為紅色、綠色和藍色子像素，並且在每個像素的基礎上，形成具有相應子像素顏色的有機發光層。通常，使用遮罩進行沉積來形成有機發光層。
當遮罩具有大的面積時，遮罩可能由於其重量而下塌，因此當多次使用可能導致良率的惡化。因此，除了發光層之外的其他有機層，在沒有遮罩的各個子像素中連續共同形成。
然而，由於電流可橫向流過在平面中連續形成的子像素的共同層，所以可能發生橫向電流洩漏。
圖1是表示傳統的有機發光顯示面板的低階度(low-gradation)藍色照明的照片。
圖1示出了在15階度的藍色照明下，即在低階度(low-gradation)的藍光照明時傳統的有機發光顯示面板的照明狀態。
如圖1所示，在傳統的有機發光顯示面板中，在低階度(low-gradation)藍色照明中，發生相鄰紅色子像素也被啟動的現象。這表示，其中流過啟動的藍色子像素的陽極和陰極之間的垂直電場的電流經由共同層橫向洩漏，導致相鄰的子像素被啟動。橫向洩漏電流特別是發生在如圖1所示的低階度(low-gradation)顯示中。這是因為當藍色子像素中水平流動的電流橫向流向共同有機層時，處於關閉狀態(off state)的相鄰的紅色子像素就像啟動一樣被啟動。
這是因為紅色照明所需的驅動電壓低於藍色照明所需的驅動電壓，因此即使少量的洩漏電流也導致類似於藍色照明的照明。
特別地，由橫向洩漏電流引起的這種其他彩色照明可能導致低階度顯示中的顏色混合，這可能會妨礙所期望的顏色正常顯示。
此外，當共同有機層的電洞遷移率增加時，橫向洩漏電流可能對相鄰子像素產生更大的影響。
因此，本發明涉及一種有機發光顯示面板，其實質上解決了由於先前技術的限制和缺點而引起的一個或多個問題。
本發明的目的是提供一種有機發光顯示面板，其防止電流通過具有高電洞遷移率的共同層洩漏到相鄰的子像素。根據本發明的各種實施例，可以通過輔助圖案的設置來實現該目的。
本發明的其他優點、目的和特徵將在下面的描述中部分地闡述，並且對於本領域的普通技術人員來說，以下的描述將變得顯而易見，或者可以從實踐中獲知本發明。本發明的目的和其他優點可以通過在說明書和申請專利範圍以及圖式中特別指出的結構來實現和獲得。
本發明的有機發光顯示面板可以通過在高導電的共同層上提供用於劃分子像素的圖案來防止漏電。
為了實現這些目的和其它優點，並且根據本發明的目的，如本文所體現和概括描述的，提供了一種有機發光顯示面板。根據各種實施例的有機發光顯示面板包含具有多個子像素的基板，各該子像素包含發光部和非發光部，還包含覆蓋發光部的第一電極、設置在非發光部中以與第一電極的邊緣重疊的堤部、位於在發光部中的第一電極上以及在非發光部中的堤部上的第一共同層、與堤部上的第一共同層接觸的輔助圖案、設置在輔助圖案和第一共同層上的一第二共同層、以及設置在各子像素中的第二共同層上的發光層。
輔助圖案可以包含或可以由有機材料所構成。優選地，有機材料可以是電子傳輸材料。電子傳輸材料可以是具有電子遷移率至少是電子傳輸材料的電洞遷移率的兩倍的材料。輔助圖案，例如輔助圖案的電子傳輸材料，可以具有比第一共同層（例如，第一共同層的材料或一材料）更高的電子遷移率。
該輔助圖案可以具有比第一共同層的低0.4eV至0.8eV範圍內的最高被佔據分子軌域(HOMO)能階值。
此外，第二共同層可以包含電洞傳輸材料，且該第二共同層的最低未被佔據分子軌域(LUMO)能階和HOMO能階分別高於該輔助圖案的LUMO能階和HOMO能階。
第二共同層可包含分別由不同的電洞傳輸材料組成的多層結構。
第一共同層以電洞注入材料和p型摻雜劑作為主體。
此外，輔助圖案可以沿著一列中的子像素設置成條狀。
輔助圖案可以接收施加在其相對端的電壓。
此外，輔助圖案可以以單個子像素或多個子像素中的島形(island form)來提供。
同時，基板的子像素可包含紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素，設置在紅色子像素中的發光層可以是一紅色發光層，設置在綠色子像素中的發光層可以是一綠色發光層，且設置在藍色子像素中的發光層可以是一藍色發光層。
此外，輔助圖案可僅設置在紅色子像素的發光部周圍。
藍色發光層可以與第二共同層接觸。
有機發光顯示面板還可以包含位於在第二共同層和紅色子像素中之紅色發光層之間的一第一輔助電洞傳輸層。
有機發光顯示面板還可包含位於在第二共同層和綠色子像素中之綠色發光層之間的一第二輔助電洞傳輸層。在這種情況下，第一輔助電洞傳輸層可以比第二輔助電洞傳輸層更厚。
同時，有機發光顯示面板還可包含覆蓋紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層的第三共同層和第二電極。在這種情況下，有機發光顯示面板還可包含在第二電極和第三共同層之間的一電子注入層。
輔助圖案和第三共同層可以由電子傳輸材料所構成。
這裡，基板的子像素可包含紅色子像素、綠色子像素和一藍色子像素，各子像素的發光層可以是白色發光層，且進一步提供在紅色子像素中的紅色彩色濾光層、在綠色子像素中的綠色彩色濾光層、在藍色子像素中的藍色彩色濾光層。
應當理解，本發明前述的一般描述和以下詳細描述都是示例性和說明性的，並且旨在對本發明的所要求保護的申請專利範圍提供進一步說明。
參考下面的結合圖式詳細描述的實施例，本發明的優點和特徵以及獲得它們的方式將變得顯而易見。然而，本發明不限於下文揭示的實施例，並且可以以許多不同的形式實施。另外，提供這些示例性實施例，使得本發明將徹底和完整的揭示，並且將向本領域技術人員充分傳達該範圍。本發明的範圍應由申請專利範圍界定。
在用於說明本發明的示例性實施例的圖式中，例如，所示的形狀、尺寸、比例、角度和數量以實施例的方式表示，因此本發明的揭示不限於此。在說明書中，相同的圖式符號表示相同的構成元件。此外，在本發明的以下描述中，當本發明的主題將變得不清楚時，將省略對本發明的已知功能和設置的詳細描述。在本說明書中使用的術語「包含」，和/或「具有」 ，除非與術語「僅」一起使用，不排除其他元素的存在或添加。除非上下文另有明確指出，單數形式「一」，和「該」也用於包含複數形式。
在解釋本發明的各種實施例中包含的組成元件，即使沒有對其進行明確描述，組成元件被解釋為包括誤差範圍。
在本發明的各種實施例的描述中，當描述位置關係時，例如，當使用「上」，「上方」，「下」，「旁邊」或類似的描述，除非使用術語「直接」或「緊鄰」 ，一個或多個其它部分可以位於兩個部分之間。本文所用的術語「接觸」可以理解為「機械直接接觸」，換言之「具有共同的界面」。
在本發明的各種實施例的描述中，當描述時間關係時，例如，當使用「之後」，「隨後」，「下一個」，「之前」或類似的描述來描述兩個動作之間的時間關係時，除非使用術語「直接」或「僅」，否則行動可能不會連續發生。
在本發明的各種實施例的描述中，雖然術語，例如「第一」和「第二」可以用於描述各種元件，但是這些術語僅用於區分彼此相同或相似的元件。因此，在本說明書中，除非另有說明，在本發明的技術範圍中，由「第一」修改的要素可以與「第二」修改的要素相同。
本發明的各種實施例的各個特徵可以部分地或全部地彼此耦合併組合，並且其各種技術的連接和驅動是可能的。這些各種實施例可以彼此獨立地執行，或者可以彼此關聯地執行。
在本說明書中，任何層的「最低未被佔據分子軌域（Lowest unoccupied molecular orbital，LUMO）能階」和「最高被佔據分子軌域（highest occupied molecular orbital，HOMO）能階」是指佔據相應層最大重量百分比的材料的LUMO能階和HOMO能階，例如，主體材料，除非另有說明，否則不涉及摻雜在相應層上的摻雜劑材料的LOMO能階和HOMO能階。
在本說明書中，「HOMO能階」可以是通過循環伏安法（Cyclic voltammetry，CV）測量的能階，其從相對於參考電極的電位值來確定能階，其電位值是已知的。例如，任何材料的HOMO能階可以使用二茂鐵(ferrocene)(其氧化電位值和還原電位值為已知)作為參考電極來測量。
在本說明書中，術語「摻雜」是指佔據任何層的最大重量百分比的材料被添加具有不同物理性質的材料（例如，N型或P型或有機材料或無機材料），與重量百分比最大的材料相比，添加具有不同物理性質的材料的重量百分比小於10％。換句話說，「摻雜」層是指一層，其主體材料和摻雜劑材料可以基於其重量百分比彼此區分。此外，術語「未摻雜」是指除了與「摻雜」一詞相對應的情況的所有情況。例如，當任何層由單個材料形成或由具有相同或相似性質的材料的混合物形成時，該層屬於「未摻雜」層。例如，當任何層的至少一種構成材料是P型時，該層的所有其他組成材料不是N型，該層屬於「未摻雜」層。例如，當任何層的至少一個構成材料是有機材料時，並且該層的所有其他構成材料不屬於有機材料，該層屬於「未摻雜」層。例如，當任何層主要由有機材料形成時，該層的至少一種材料為N型，並且該層的至少一種其它材料為P型，當N型材料的重量百分比小於10％或P型材料的重量百分比小於10％時，該層屬於「摻雜」層。
在本說明書中，藉由反映了發光材料（例如摻雜劑材料或包含在有機發光層中的主體材料）的獨特性質的（1）光致發光（PL）光譜(photoluminescence (PL) spectrum)，乘以基於包括諸如電子傳輸層的有機層的厚度的有機發光元件的結構及其光學特性來確定的（2）外耦合光譜發射率曲線(outcoupling spectral emittance curve)，計算電致發光（EL）光譜。
在本說明書中，一堆疊是指包含有機層如一電洞傳輸層和一電子傳輸層，以及插在電洞傳輸層和電子傳輸層之間的一有機發光層的一單元結構。有機層可以進一步包含一電洞注入層、一電子阻障層、一電洞阻障層和一電子注入層，並可根據有機發光元件的結構或設計進一步包含其他有機層。
圖2是本發明的有機發光顯示面板的平面圖，並且圖3是沿圖2的線I-I'截取的橫截面圖。
如圖2和圖3所示，有機發光顯示面板包含具有多個子像素SP的基板100，各子像素SP具有發光部和非發光部，還包含設置覆蓋子像素SP的發光部（EM）的第一電極110、設置在非發光部中以與第一電極110的邊緣重疊的堤部120、在發光部中的第一電極110上以及在非發光部中的堤部120上的第一共同層131、在堤部120上並與第一共同層131接觸的輔助圖案132、在輔助圖案和第一共同層131上的一第二共同層133、以及設置在相應的子像素SP中的第二共同層133上的發光層141和發光層142。
圖2所示的各子像素SP表示非發光部位於發光部（EM）周圍。在圖2中，非發光部對應於堤部120所在的區域。雖然發光部可以位於各子像素SP的中心，但是本發明不限於此，且發光部可以位於緊鄰子像素SP的邊界的一部分。然而，發光部形成在各子像素SP的一部分中，而不是形成在整個子像素SP中，且發光部的周圍被定義為非發光部。發光部形成在子像素SP的一部分中的原因是為了防止相鄰子像素SP之間的混色，或歸因於製程的限制。子像素SP的整個區域不用作發光部，而只是其一部分被定義為發光部，且發光部被限定在堤部120開口的區域中。最近，已經多次嘗試擴大發光部。然而，必須提供發光部周圍的非發光部，雖然其面積可以根據子像素SP之間的分割而改變，且本發明的輔助圖案132被設置在相鄰子像素SP(例如，非發光部中的不同顏色的相鄰子像素，例如圖3所示的子像素R-sub和子像素B-sub）的邊界。同時，非發光部被定義在設置堤部120的區域中，且輔助圖案132被設置在堤部120的上側。
可以連接多個子像素的非發光部，並且其可以被定義為多個子像素上的單個主體。而且，非發光部對應於堤部120所處的區域。
在本發明的有機發光顯示面板中，共同層連續地形成在平面中而沒有區分子像素，且在不使用沉積光罩的情況下形成。換句話說，共同層可以覆蓋所有子像素，或者共同層可以覆蓋一組子像素。
其中，第一共同層131通過將具有電洞傳輸性質的有機材料與具有比其他有機層的電洞遷移率高的p型摻雜劑混合而成，其中其他有機層包括輔助圖案132、第二共同層133（可以用作電洞傳輸層）、第一輔助電洞傳輸層134和第二輔助電洞傳輸層135（將在下文中描述），以及第三共同層150（其也將在下文中描述）。也就是說，第一共同層131（可能作為電洞注入層）在有機發光顯示面板的有機層中具有最高的電洞遷移率。這裡，由於電洞在第一電極110和有機層的界面處受到很大的能障，所以包含p型摻雜劑以減少電洞注入時的能障，且有助於平順地注入電洞。作為第一共同層131的主體材料的電洞傳輸有機材料可以具有絕對值與第一電極110的功函數相似的HOMO能階。這裡，p型摻雜劑可以為p型有機摻雜劑或無機摻雜劑。p型有機摻雜劑可以是選自下列化合物中的一種或多種所組成，化合物為下述化學式1至4、十六氟酞菁（F16CuPc）、11,11,12,12--四氰基萘基-2,6-醌二甲烷（TNAP）、3,6-二氟-2,5,7,7,8,8-六氰基 - 醌二甲烷（F2-HCNG）和四氰基醌二甲烷（TCNQ）。
化學式 1
在化學式1中，R是氰基(cyano group)、碸基(sulfone group)、亞碸基(sulfoxide group)、磺醯胺基(sulfonamide group)、磺酸酯基(sulfonate group)、硝基(nitro group)或三氟甲基(trifluoromethyl group)。
化學式 2
化學式 3
化學式 4
此外，在另一實施例中，當p型摻雜劑是無機摻雜劑時，其可以是選自金屬氧化物和金屬鹵化物所組成的組中的其中一種或多種。具體地，p型無機摻雜劑可以選自MoO3 、V2 O5 、WO3 、SnO2 、ZnO、MnO2 、CoO2 、ReO3 、TiO2 、FeCl3 、SbCl5 ，和MgF2 中的一種或多種所組成。
輔助圖案132用於斷開在其形成區域中水平傳遞的電流。在具有高電洞傳輸能力的第一共同層131上，使用相反的電子傳輸特性形成輔助圖案132，從而防止在第一共同層131上的電洞傳輸。利用這種輔助圖案132的設置，可以防止橫向電流洩漏。因此，當驅動電壓僅被施加於特定的子像素時，輔助圖案132用於防止電流洩漏到相鄰的子像素。為此，輔助圖案132可以設置在相鄰的子像素的邊界處。如圖3所示，由於輔助圖案132位於具有高電洞傳輸能力的第一共同層131上方的相鄰子像素的邊界處，所以即使一些電流在輔助圖案132下方的第一共同層131（參見路徑①）中水平流動，輔助圖案132可防止在其上方的相鄰子像素的共同層中的電流洩漏（參見路徑②）。在實際驅動時，通過在共同曾中水平傳輸的電流部會發生不期望的照明，而是產生水平傳送的電流被垂直地傳輸到未被驅動的子像素的發光層（例如圖3中子像素R-sub的發光層141）。因此，在本發明的有機發光顯示面板中，輔助圖案132設置在藍色子像素的邊界處，以阻擋未被驅動的子像素中的垂直電流路徑（例如，圖3中的子像素R-sub）。藍色子像素B-sub的閾值電壓高於紅色子像素R-sub的閾值電壓。綠色子像素G-Sub的閾值電壓低於藍色子像素B-sub的閾值電壓。由於藍色子像素B-sub的閾值電壓較高，藍色子像素B-sub的漏電流可能會啟動綠色子像素或紅色子像素，即使綠色子像素和紅色子像素並沒有要被啟動。
同時，具有高電洞遷移率的第一共同層131設置為最接近第一電極110，且第二共同層133設置為覆蓋輔助圖案132。
第二共同層133具有電洞傳輸特性，並且用於將電洞從具有電洞注入特性的第一共同層131轉移到位於其上的發光層141和發光層142。根據包含在發光層中的發光材料的共振條件(resonance condition)來確定在第一電極110和第二電極160之間可以發射相應顏色的光的每個發光層的有效高度。為了調整該高度，將提供第一輔助電洞傳輸層134。
在發射比其他子像素波長更長的光的紅色子像素中，紅色發光層141需要位於離第一電極110最遠的位置。在藍色子像素中，發出具有可見光範圍中最短波長的光，藍色發光層142需要位於最靠近第一電極110的位置。因此，為了將紅色發光層141定位於高於藍色發光層142的位置，第一輔助電洞傳輸層134設置在紅色發光層141和第二共同層133之間。也就是說，第一輔助電洞傳輸層134具有電洞傳輸特性，並且僅形成在紅色發光層141中。在一些情況下，輔助電洞傳輸層可以設置在另一個子像素中，例如，在綠色子像素中。在這種情況下，設置在綠色子像素中的輔助電洞傳輸層可以位於與紅色發光層141的第一輔助電洞傳輸層134不同的位置，並且可以具有與第一輔助電洞傳輸層134不同（例如，更小）的厚度。此外，各子像素的發光層141或發光層142可以在包含至少子像素的發光部的區域中，並且如圖所示，可以擴展到周圍的非發光部。在這種情況下，由於在藍色子像素中不設置輔助電洞傳輸層，所以藍色發光層142可以與第二共同層133直接接觸。
此外，在子像素中共同形成各具有電子傳輸性質的第三共同層150和形成為在子像素上不分離的第二電極160以覆蓋發光層141和發光層142。
在下文中，將參考輔助圖案提供的區域的垂直橫截面和子像素的發光部來描述垂直橫截面中的電流路徑。
圖4A和圖4B是非發光部（在圖3中的子像素R-sub和B-sub之間）和發光部（子像素R-sub）的示意性橫截面圖。
如圖4A所示，當觀看設置有輔助圖案132的非發光部的區域的垂直橫截面時，基板100、堤部120、第一共同層131、輔助圖案132、第二共同層133、第三共同層150和第二電極160順序設置。如圖4B所示，紅色子像素R-sub的發光部依序包含基板100、第一電極110、第一共同層131、第二共同層133、第一輔助電洞傳輸層134、紅色發光層141、第三共同層150以及第二電極160。
這裡，在圖4A的非發光部中的輔助圖案132是由電子傳輸材料所構成，與具有電洞傳輸特性的第一共同層131和第二共同層133不同，藉此可增加第一共同層131與第二共同層133之間的能障(barrier)，從而阻擋向上傳輸的垂直電流。因此，在圖4B中的紅色子像素的發光部中，只要沒有驅動電壓被施加到紅色子像素R-sub的第一電極110和第二電極160，則沒有電流在第一共同層131之上被水平地傳輸，因此沒有光從紅色發光層141發射。
這裡，上述電子傳輸材料是指電子傳輸材料的電子遷移率至少是電子傳輸材料的電洞遷移率的兩倍的材料。因此，當輔助圖案132是具有電洞傳輸特性的第一共同層131和第二共同層132之間的中間層時，輔助圖案132可以防止從第一共同層131向上傳輸的電洞被提供給第二共同層133。也就是說，輔助圖案132在作為藍色子像素的邊界的非發光部中攔截垂直電流，且還攔截轉移到包含除了被施加驅動電壓的子像素之外的其他子像素中的輔助圖案132上方的第二共同層133的水平電流。
另一方面，當在另一個子像素(例如，在藍色子像素)中施加電壓到第一電極110和第二電極160時，將通過第一共同層131和第二共同層133引入第一電極110和第二電極160中的電洞，以及通過第三共同層150引入到第一電極110和第二電極160中的電子，在藍色發光層142中彼此結合以產生激子。當激子的能量下降到基態時，發射光。
圖5是表示輔助圖案的外圍層的帶隙特性的視圖。
如圖5所示，輔助圖案132由電子傳輸材料形成，其HOMO能階低於鄰近的第一共同層131和第二共同層133的HOMO能階的量的範圍在0.4eV到0.8eV的範圍內。也就是說，輔助圖案132和鄰近的第一共同層131或第二共同層133之間的HOMO能階的差（ΔHOMO1，ΔHOMO2）為0.4eV至0.8eV。這裡，HOMO能階的大小是基於負值本身來確定的。當比較絕對值時，輔助圖案132的HOMO能階的絕對值高於相鄰的第一共同層131和第二共同層133的HOMO能階。
輔助圖案132可以與具有最高電洞遷移率的第一共同層131接觸。在某些情況下，除了第二共同層133之外，還可以在輔助圖案132上方進一步設置單個電洞傳輸層或多個電洞傳輸層。額外的電洞傳輸層可以是僅選擇性地在對應的子像素中提供的輔助電洞傳輸層，或者可以是共同層。在任何情況下，輔助圖案132防止電洞從第一共同層131向上垂直傳輸到電洞傳輸層。
此外，第二共同層133包含電洞傳輸材料。第二共同層133具有比輔助圖案132的LUMO能階和HOMO能階更高的LUMO能階和HOMO能階。第二共同層133具有高LUMO能階的原因是為了防止電子或來自相鄰發光層的激子。此外，第二共同層133具有高HOMO能階的原因是因為電洞傳輸材料的HOMO能階高於電子傳輸材料的HOMO能階。
有助於注入電洞的第一共同層131可以被設置成多層，使得其下側具有電洞注入功能，並且其上側具有電洞傳輸功能。第二共同層133不僅可以用作電洞傳輸層，還可以用作電子或激子阻擋層。
第二共同層133可以分別使用不同的電洞傳輸材料形成為多層結構。
在下文中，將詳細描述本發明的有機發光顯示面板，其包括不同顏色的子像素。
圖6是表示根據本發明的第一實施例的有機發光顯示面板的橫截面圖。
如圖6所示，根據本發明的第一實施例的有機發光顯示面板具有設置從左側依序形成的紅色子像素R-sub、綠色子像素G-sub和藍色子像素B-sub。除了紅色子像素R-sub和綠色子像素G-sub分別包含第一輔助電洞傳輸層134和第二輔助電洞傳輸層135以便設置適合共振條件的發光位置，各子像素具有相同的發光部的設置，其基板100上依序形成第一電極110、第一共同層131、第二共同層133、第一輔助電洞傳輸層134或第二輔助電洞傳輸層135（在藍色子像素B-sub中省略）、發光層141、發光層143和發光層142、第三共同層150和第二電極160。
設置非發光部以使堤部120、第一共同層131、輔助圖案132、第二共同層133、第三共同層150和第二電極160順序在基板100上形成。
這裡，電子注入層（未示出）可以進一步形成在第二電極160和第三共同層150彼此面對的表面上。電子注入層可以由例如LiF、Li2 O、Li、Ca、Mg或Sm等鹼金屬或鹼土金屬的有機材料所構成，且可以與形成第二電極160的製程相同的製程所製成。
輔助圖案132可以僅設置在堤部120的上方而不阻擋發光部中的垂直電流的路徑。輔助圖案132可以具有給定的厚度或更小，例如，厚度為50Å或更小（換句話說，大於0且小於或等於50Å），因為輔助圖案132過厚時可能對發光部的正常垂直電流路徑產生影響。也就是說，可以控制輔助圖案132的寬度和厚度以阻止特定區域中的橫向洩漏電流的路徑，並且不會影響發光部中的垂直電流，其是取決於第一電極和第二電極之間驅動電壓的使用。
同時，第一共同層131的厚度範圍從大約40Å至160Å，並且有助於從第一電極110注入電洞。在一些情況下，第一共同層131可以形成為多層，使得與第一電極110接觸的一層可幫助注入電洞，且其上方的層可幫助電洞的運輸。在這種情況下，用於注入電洞的層可以具有小於100Å的厚度（換句話說，大於0且小於100Å），而用於傳輸電洞的層可具有500Å至1500Å的範圍的厚度。
設置在輔助圖案132上方的第二共同層133、第一輔助電洞傳輸層134和第二輔助電洞傳輸層135、發光層141、發光層143和發光層142以及第三共同層150，可以具有比輔助圖案132的厚度更大的厚度，例如在大約100Å至1500Å範圍中的厚度。
在一些情況下，第二共同層133可以使用不同的電洞傳輸材料形成為多層。在這些層中，與發光層142接觸的層可以具有小的50Å的厚度。
同時，輔助圖案132可以由與第三共同層150相同的電子傳輸材料所構成。
圖7是表示根據本發明的第二實施例的有機發光顯示面板的橫截面圖。
如圖7所示，根據本發明的第二實施例的有機發光顯示面板包含相應子像素中的一共同白色發光層240，其他如了第一電極110和輔助圖案232之外的其他層形成在相應的子像素中。在這種情況下，平坦化層270設置在第二電極260上，用於保護設置在各個子像素中的有機發光二極體並使表面平坦化，且彩色濾光層281、彩色濾光層282和彩色濾光層283設置在平坦化層270上並且用於透射各子像素的相應顏色的光。
設置各子像素的發光部被配置成在基板100上依序形成第一電極110、第一共同層231、第二共同層233、發光層240、第三共同層250和第二電極260。
發光層240可以是發射白色的單個白色發光層，或者可以採取堆疊的形式，包括多個發光層、相鄰發光層之間的電荷產生層，以及各發光層和相鄰的電荷產生層之間的共同層。在第二實施例的有機發光顯示面板中，發光層240可以形成在所有的子像素中，而不區分子像素，並且可以不使用沉積光罩而形成，並且各子像素的顏色的區別可以由彩色濾光層281、彩色濾光層282和彩色濾光層283來實現。在一些情況下，彩色濾光層281、彩色濾光層282和彩色濾光層283可以形成在單獨的相對基板（未示出）上，而不是形成在平坦化層270上。
各子像素的非發光部被配置成在基板100上依序形成堤部120、第一共同層231、輔助圖案232、第二共同層233、第三共同層250和第二電極260。
即使在其中發光層240是共同層的第二實施例的設置中，由於子像素被單獨驅動，所以輔助圖案232限定了被驅動的子像素的邊界和不被驅動的相鄰的子像素的邊界，從而防止從被驅動子像素到相鄰子像素的橫向電流洩漏。
以下將描述形成輔助圖案132或輔助圖案232的範圍。
圖8繪示出可以形成輔助圖案的範圍的橫截面圖。
如圖8所示，輔助圖案132或輔助圖案232可以形成在其中形成堤部120的非發光部中，並且當具有最大寬度時可以形成在整個非發光部中。例如，當輔助圖案132或輔助圖案232具有最大寬度時，輔助圖案132或輔助圖案232不僅可以形成在堤部120的平坦部上，而且還可以形成在堤部120的傾斜部的部分或全部上。此外，輔助圖案132或輔助圖案232需要至少具有其功能所需的寬度，且輔助圖案132的寬度可以是堤部120的平坦部的寬度的1/10以上。
輔助圖案132或輔助圖案232可以僅形成在不同顏色的子像素中具有最大驅動電壓的子像素SP的邊界處，或者可以形成在子像素SP的每個邊界處。例如，輔助圖案132或輔助圖案232可以僅在極大地受到漏電流的影響的紅色子像素和藍色子像素的邊界處形成，或者可以按順序形成在相鄰子像素的所有邊界處以防止相鄰子像素之間的電流洩漏。
圖9A和9B繪示出本發明的輔助圖案的不同應用實施例的平面圖。
如圖9A所示，在一個實施例中，輔助圖案130可以沿著各子像素SP中的非發光部的一側形成，並且因此可以沿列方向上的各子像素SP形成為長線（條狀(stripe)）形狀。因此，輔助圖案130可以在向其相對端施加電壓時防止電流洩漏。在這種情況下，由於輔助圖案130是由電子傳輸材料形成的有機圖案，所以即使向其施加電壓，輔助圖案130也不起電線的作用，而是作為接地圖案，以阻擋其形成區域中的垂直傳輸電流的路徑。
同時，儘管如上所述將電壓施加到輔助圖案130的相對端，但是本發明不限於此。如圖9B所示，輔助圖案130a可以在每個子像素SP中圖案化以具有一島狀(island shape)。此外，輔助圖案130a可以形成在兩個相鄰子像素SP的每個邊界處，或者可以形成在包括兩個或更多個子像素SP的每個單位的邊界，使得各個單元的輔助圖案130a可以彼此間隔開。在這種情況下，每個輔助圖案130a可以處於沒有施加電壓的浮置狀態。
圖9A和圖9B都示出了具有電子傳輸特性的輔助圖案130或輔助圖案130a與具有電洞傳輸特性的第一共同層131接觸以防止電流洩漏。
以下，進行說明關於比較例和本發明的實施例的驅動電壓、發光效率和壽命，並且根據電流洩漏的程度對本發明的有機發光顯示面板的效果進行描述。
在所有比較例和實施例中，對藍色子像素進行實驗。此時，如圖3所示，藍色子像素的發光部包含在基板上依次形成由銦錫氧化物（ITO）所構成的第一電極110、由亞芳基、芳基和雜基中的任一個的電洞傳輸有機物和p型摻雜劑形成的第一共同層131、由亞芳基、芳基和雜基中的任一個的電洞傳輸有機物形成的第二共同層133(第二共同層133具有比第一共同層131更高的LUMO能階)、一藍色發光層142、由電子傳輸材料組成的第三共同層150、和由金屬合金(例如Mg：Ag或Ca：Ag)形成的第二電極160。第一共同層131包含厚度為100 Å和1100 Å的雙層，第二共同層133的厚度為50 Å，藍色發光層142的厚度為200 Å，第三共同層150的厚度為 300 Å，第二電極160的厚度為200 Å。
此外，比較例的非發光部和實施例彼此相同，除了在實施例的非發光部中，具有50 Å厚度的輔助圖案132進一步形成在堤部120上的第一共同層131和第二共同層133之間。
圖10繪示出本發明和比較例的壽命特性的圖。
在圖10中，虛線表示比較例的壽命，實線表示本發明的實施例的壽命。如圖10所示，基於將初始亮度降低到其95％所花費的時間，比較本發明實施例與比較例的壽命，可以發現本發明實施例的壽命比比較例增加約30％以上。由於有機發光顯示面板基本上被使用直到其亮度降低到上述值以下，因此使用期間的壽命可能會進一步增加。
此外，當特定的子像素啟動時，不會發生相鄰子像素的電流洩漏，這可增加子像素的發光效率。在本發明的實施例中，與比較例相比，發光效率提高了約102％。
圖11是表示本發明的有機發光顯示面板的低階度(low-gradation)藍色照明中的強度與波長的關係的曲線圖。
如圖11所示，在本發明的有機發光顯示面板中可以看出，在低階度(low-gradation)藍色照明中，沒有光從與藍色子像素相鄰的紅色子像素中發射，並且僅在藍色波長處觀察到脈衝，這使得能夠在驅動特定顏色的子像素時，能夠顯示具有高純度色度而不進行顏色混合。這意味著當一個特定的子像素（實施例中的一藍色子像素）啟動時，其他子像素不發光，並且不會發生橫向電流洩漏。
圖12A和圖12B繪示出根據一比較例和本發明的實施例，在有機發光面板中使用色彩座標(color coordinate)的藍色階度(gradation)的變化的圖。
圖12A示出了在比較例的有機發光顯示面板中，藍色的階度為G15、G31和G63時的色彩座標。較高的階度數字意味著更強的階度(gradation)。觀察到，在G15的階度處，色彩座標(color coordinate)出現在靠近紅色範圍的位置，其對應於相同藍色系列中的低階度 (gradation)。由此，可以看出，G31的中階度的色彩座標(color coordinate)和G63的高階度的色彩座標(color coordinate)處於相似的位置，而G15的低階度的色彩座標被偏移到接近紅色範圍。
另一方面，如圖12B所示，可以確認藍色的G15、G31和G63的低、中、高階度的色彩座標位於相鄰位置，並且在低階度顯示時不會發生特定顏色的混合。
如上所述，在本發明的有機發光顯示面板中，可以在輔助圖案的位置處防止發生在使用共同層的結構中的相鄰子像之間的漏電流，輔助圖案使用不同於相鄰層的傳輸性質的堆疊的特定位置形成。因此，生動的階度顯示從被驅動的特定子像素到相鄰子像素沒有漏電流，因而可增加有機發光顯示面板的發光效率和壽命。
同時，儘管上文沒有描述，包含第一電極和第二電極及其間的有機層的各子像素的有機發光二極體或第一電極或第二電極連接到用於各子像素的驅動薄膜電晶體。驅動薄膜電晶體可以在有機發光二極體下方的基板上形成，並且在相同的製程中，可以進一步形成於各子像素中連接到驅動薄膜電晶體的開關薄膜電晶體、感測薄膜電晶體和存儲電容器。
此外，在第二電極形成之後，可以進一步形成覆蓋層以覆蓋相應的子像素，還可以在其上設置其中有機層和有機層交替地堆疊在另一層之上的薄膜封裝。薄膜電晶體和薄膜封裝可以具有通常已知的結構，並且在本說明書中省略其描述。
從上述說明可以看出，本發明的有機發光顯示面板具有以下效果。
第一，通過提供具有高導電性的輔助圖案與共同層接觸，可以防止輔助圖案處的橫向電流洩漏。在這種情況下，可以防止電流傳遞到與啟動的子像素相鄰的子像素的高導電共同層的上側，這可以防止橫向電流洩漏到未啟動的相鄰子像素。
第二，通過防止橫向電流洩漏，可以防止在低階度驅動期間來自與啟動的子像素相鄰的子像素的非預期發射的光，從而防止低階度下的顏色混色。因此，在圖像顯示時，可以提高色純度。
第三，不需要增加驅動電壓以防止由於低階度下色純度增加而導致的顏色混合，這可增加有機發光顯示面板的發光效率和壽命。
根據各種實施例的有機發光顯示面板包含：包含多個子像素的一基板，各該子像素包含一發光部和一非發光部；至少設置在各該發光部中的一第一電極；設置在至少兩個相鄰子像素的該些非發光部中並且與所述至少兩個相鄰子像素的該些第一電極的邊緣重疊的一堤部；設置在至少兩個相鄰子像素的該些發光部的該些第一電極和在至少兩個相鄰子像素的該些非發光部的堤部上的第一共同層， 第一共同層有電洞傳輸特性；設置在在第一共同層之上，在至少兩個相鄰子像素的該些發光部之間並與第一共同層接觸的一輔助圖案，輔助圖案具有電子傳輸性質；設置在輔助圖案和第一共同層上的一第二共同層，第二共同層具有電洞傳輸特性；以及該至少兩個相鄰子像素各進一步包含設置在該第二共同層上的發光層。
在一個或多個實施例中，輔助圖案由電子傳輸材料形成。
在一個或多個實施例中，輔助圖案具有一最高被佔據分子軌域能階的一值，該值低於該第一共同層的一最高被佔據分子軌域能階的一值，該值在0.4eV至0.8eV的範圍中。
在一個或多個實施例中，第二共同層包含一電洞傳輸材料，並且該第二共同層具有一最低未被佔據分子軌域能階和一最高被佔據分子軌域能階，該最低未被佔據分子軌域能階和該最高被佔據分子軌域能階分別高於該輔助圖案的一最低未被佔據分子軌域能階和一最高被佔據分子軌域能階。
在一個或多個實施例中，該第二共同層包含分別由不同的電洞傳輸材料組成的多個層。
在一個或多個實施例中，該第一共同層包含作為一主體的一電洞注入材料和一p型摻雜劑。
在一個或多個實施例中，該輔助圖案沿著一列中的該些子像素設置在一條帶中。
在一個或多個實施例中，該輔助圖案被設置為接收施加在其相對端的一電壓。
在一個或多個實施例中，在一單個子像素或該些子像素中以一島狀形式提供該輔助圖案。
在一個或多個實施例中該些子像素包含一紅色子像素、一綠色子像素，和一藍色子像素，設置在該紅色子像素中的該發光層是一紅色發光層，設置在該綠色子像素中的該發光層是一綠色發光層，並且設置在該藍色子像素中的該發光層是一藍色發光層，其中僅在該紅色子像素的該發光部周圍提供該輔助圖案。
在一個或多個實施例中，該藍色發光層與該第二共同層接觸。
在一個或多個實施例中，該紅色子像素更包含設置在該第二共同層和該紅色發光層之間的一第一輔助電洞傳輸層。
在一個或多個實施例中，該綠色子像素更包含設置在該第二共同層和該綠色發光層之間的一第二輔助電洞傳輸層，其中該第一輔助電洞傳輸層比該第二輔助電洞傳輸層厚。
在一個或多個實施例中，有機發光顯示面板更包含： 覆蓋該紅色發光層、該綠色發光層和該藍色發光層的一第三共同層和一第二電極；以及設置在該第二電極和該第三共同層之間的一電子注入層。
在一個或多個實施例中，輔助圖案和該第三共同層由一電子傳輸材料形成。
在一個或多個實施例中，該些子像素包含一紅色子像素、一綠色子像素，和一藍色子像素，其中各該子像素的該發光層是一白色發光層，並且其中一紅色彩色濾光層設置在該紅色子像素中的，一綠色彩色濾光層設置在該綠色子像素中，一藍色彩色濾光層設置在該藍色子像素中；其中該白色發光層為覆蓋該第二共同層的一共同層。
雖然以上參照圖式詳細描述了本發明的實施例，但是對於本領域技術人員顯而易見的是，本發明不限於上述實施例，並且可以在本發明的精神和範圍中設計各種替代、修改和變更。因此，本發明揭示的各種實施例並不限制本發明的技術精神，本發明的技術精神的範圍不受實施例的限制。因此，為了說明的目的而提供所揭示的實施例，並不意圖限制本發明的技術範圍，並且本發明的技術範圍不受實施例的限制。本發明揭示的範圍應根據以下申請專利範圍進行解釋，並且落入與申請專利範圍相當的範圍中的所有技術思想應被理解為屬於本發明揭示的範圍。
100‧‧‧基板
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧堤部
130‧‧‧輔助圖案
130a‧‧‧輔助圖案
131‧‧‧第一共同層
132‧‧‧輔助圖案
133‧‧‧第二共同層
134‧‧‧第一輔助電洞傳輸層
135‧‧‧第二輔助電洞傳輸層
141‧‧‧發光層
142‧‧‧發光層
143‧‧‧發光層
150‧‧‧第三共同層
160‧‧‧第二電極
231‧‧‧第一共同層
232‧‧‧輔助圖案
233‧‧‧第二共同層
240‧‧‧發光層
250‧‧‧第三共同層
260‧‧‧第二電極
270‧‧‧平坦化層
281‧‧‧彩色濾光層
282‧‧‧彩色濾光層
283‧‧‧彩色濾光層
圖1是表示傳統的有機發光顯示面板的低階度藍色照明的照片。 圖2是本發明的有機發光顯示面板的平面圖。 圖3是沿圖2的線I-I'截取的橫截面圖。 圖4A和圖4B是非發光部和發光部的示意性橫截面圖。 圖5是表示輔助圖案的外圍層的帶隙特性的視圖。 圖6是表示根據本發明的第一實施例的有機發光顯示面板的橫截面圖。 圖7是表示根據本發明的第二實施例的有機發光顯示面板的橫截面圖。 圖8繪示出可以形成輔助圖案的範圍的橫截面圖。 圖9A和9B繪示出本發明的輔助圖案的不同應用實施例的平面圖。 圖10繪示出本發明和比較例的壽命特性的圖。 圖11是表示本發明的有機發光顯示面板的低階度藍色照明中的強度與波長的關係的曲線圖。 圖12A和圖12B繪示出根據一比較例和本發明的實施例，在有機發光面板中使用色彩座標(color coordinate)的藍色階度(gradation)的圖。

Claims (17)

  1. 一種有機發光顯示面板，包含： 一基板，包含多個子像素，各該子像素包含：一發光部和一非發光部； 一第一電極設置在各該發光部中； 一堤部設置在該些非發光部中； 在該些發光部中的該些第一電極上以及該堤部上設置一第一共同層； 一輔助圖案設置在該第一共同層上，並接觸該第一共同層； 一第二共同層設置在該輔助圖案和該第一共同層上；以及 該些子像素包含一發光層設置在該第二共同層上。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該輔助圖案由一電子傳輸材料形成。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該輔助圖案具有一最高被佔據分子軌域能階的一值，該值低於該第一共同層的一最高被佔據分子軌域能階的一值，該值在0.4eV至0.8eV的範圍中。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該第二共同層包含一電洞傳輸材料，並且該第二共同層具有一最低未被佔據分子軌域能階和一最高被佔據分子軌域能階，該最低未被佔據分子軌域能階和該最高被佔據分子軌域能階分別高於該輔助圖案的一最低未被佔據分子軌域能階和一最高被佔據分子軌域能階。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該第二共同層包含分別由不同的電洞傳輸材料組成的多個層。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該第一共同層包含作為一主體的一電洞注入材料和一p型摻雜劑。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該輔助圖案沿著一列中的該些子像素設置在一條帶中。
  8. 如請求項7所述之有機發光顯示面板，其中該輔助圖案被設置為接收施加在其相對端的一電壓。
  9. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中在一單個子像素或該些子像素中以一島狀形式提供該輔助圖案。
  10. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該些子像素包含一紅色子像素、一綠色子像素，和一藍色子像素，設置在該紅色子像素中的該發光層是一紅色發光層，設置在該綠色子像素中的該發光層是一綠色發光層，並且設置在該藍色子像素中的該發光層是一藍色發光層； 其中僅在該紅色子像素的該發光部周圍提供該輔助圖案。
  11. 如請求項10所述之有機發光顯示面板，其中該藍色發光層與該第二共同層接觸。
  12. 如請求項10所述之有機發光顯示面板，該紅色子像素更包含設置在該第二共同層和該紅色發光層之間的一第一輔助電洞傳輸層，並且該綠色子像素更包含設置在該第二共同層和該綠色發光層之間的一第二輔助電洞傳輸層，其中該第一輔助電洞傳輸層比該第二輔助電洞傳輸層厚。
  13. 如請求項10所述之有機發光顯示面板，更包含： 一第三共同層和一第二電極，覆蓋該紅色發光層、該綠色發光層和該藍色發光層；以及 一電子注入層，設置在該第二電極和該第三共同層之間。
  14. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該第三共同層由一電子傳輸材料形成。
  15. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該些子像素包含一紅色子像素、一綠色子像素，和一藍色子像素，其中各該子像素的該發光層是一白色發光層，並且其中一紅色彩色濾光層設置在該紅色子像素中的，一綠色彩色濾光層設置在該綠色子像素中，一藍色彩色濾光層設置在該藍色子像素中； 其中該白色發光層為覆蓋該第二共同層的一共同層。
  16. 如請求項10所述之有機發光顯示面板，其中該輔助圖案位於該藍色子像素的一邊界。
  17. 如請求項1所述之有機發光顯示面板，其中該輔助圖案僅設置在該堤部之上。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110447117B (zh) 2017-02-20 2022-11-04 诺瓦尔德股份有限公司 电子半导体器件，电子半导体器件的制备方法和化合物
US10651412B2 (en) * 2017-06-21 2020-05-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel to reduce light leakage and method for manufacturing the same, and display device
US10700299B2 (en) * 2017-08-01 2020-06-30 Zixu Optronics Technology (Shanghai) Limited Method for manufacturing organic light emitting diode using conductive protective layer
CN112424968A (zh) * 2018-07-19 2021-02-26 夏普株式会社 显示设备、显示设备的制造方法、显示设备的制造装置
CN109599426B (zh) * 2018-12-11 2021-03-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板和显示装置
CN109560116B (zh) * 2018-12-20 2020-10-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可折叠oled显示面板
US20220181577A1 (en) * 2019-03-19 2022-06-09 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR102555413B1 (ko) * 2019-05-15 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP7478521B2 (ja) * 2019-08-09 2024-05-07 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102671914B1 (ko) * 2019-10-25 2024-06-03 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
JP7432353B2 (ja) * 2019-12-19 2024-02-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110993678B (zh) * 2019-12-20 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制备方法及显示装置
CN111261794B (zh) * 2020-01-21 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
CN111446280B (zh) 2020-04-23 2023-05-26 视涯科技股份有限公司 一种显示面板以及显示装置
CN111710704B (zh) * 2020-06-29 2022-11-15 云谷（固安）科技有限公司 显示面板以及显示装置
CN111710793B (zh) * 2020-06-30 2022-11-08 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置
CN111799385A (zh) * 2020-07-21 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制备方法、显示基板、显示装置
JP2022074751A (ja) * 2020-11-05 2022-05-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN113675247B (zh) * 2021-07-29 2022-01-07 北京京东方技术开发有限公司 显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
CN114023910A (zh) * 2021-11-05 2022-02-08 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201131777A (en) * 2009-10-09 2011-09-16 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
US20120068202A1 (en) * 2009-03-23 2012-03-22 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, method of manufacturing the same and display equipment using active matrix substrate manufactured by the same method
US20140217372A1 (en) * 2013-02-06 2014-08-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of manufacturing the same
US20160155978A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
WO2007011061A1 (en) * 2005-07-22 2007-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2007243044A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4484081B2 (ja) * 2006-12-22 2010-06-16 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
JP2014049405A (ja) * 2012-09-04 2014-03-17 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
WO2016047021A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置の製造方法および有機ｅｌ表示装置
JP6546387B2 (ja) * 2014-10-28 2019-07-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102430339B1 (ko) * 2014-11-27 2022-08-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2016103395A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180013601A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102656232B1 (ko) * 2016-08-31 2024-04-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 어레이 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR102594346B1 (ko) * 2016-08-31 2023-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120068202A1 (en) * 2009-03-23 2012-03-22 Seiko Epson Corporation Active matrix substrate, method of manufacturing the same and display equipment using active matrix substrate manufactured by the same method
TW201131777A (en) * 2009-10-09 2011-09-16 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device
US20140217372A1 (en) * 2013-02-06 2014-08-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of manufacturing the same
US20160155978A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same

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Publication number Publication date
CN108122943A (zh) 2018-06-05
US10050089B2 (en) 2018-08-14
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