TWI646673B - 光電轉換元件及影像感測器 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種光電轉換元件，其是在第一電極與第二電極之間存在至少一層有機層，將光轉換為電能的光電轉換元件，且所述有機層中含有通式(1)所表示的化合物：

Description

光電轉換元件及影像感測器
本發明是有關於一種可將光轉換為電能(electric energy)的光電轉換元件。更詳細而言，本發明是有關於一種可利用於太陽電池、影像感測器(image sensor)等領域的光電轉換元件。
可將光轉換為電能的光電轉換元件可利用於太陽電池、影像感測器等。尤其廣泛使用以電荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)或互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)電路讀出光電轉換元件中由入射光產生的電流的影像感測器。
先前，於使用光電轉換元件的影像感測器中，利用無機物作為構成光電轉換膜的材料。但是，由於無機物的顏色選擇性低，故而無法僅吸收特定波長的光。因此，必須在光電轉換膜之前設置彩色濾光片(color filter)，自入射光中僅使特定的顏色(例如紅、綠及藍)選擇性地透過。但是，若使用彩色濾光片，則在 拍攝肌理細膩的對象物時對象物的間距(pitch)與撮像元件的間距發生干涉，產生與原本的圖像不同的圖像(波紋(moire)缺陷)。若為了抑制所述情況而進一步使用光學透鏡(optical lens)等，則有光利用效率及開口率降低的問題。
另一方面，近年來，影像感測器的高解析度要求不斷增高，畫素的微細化不斷發展。因此，畫素的尺寸(size)有進一步變小的傾向。藉由畫素的尺寸變小，到達各畫素的光電轉換元件的光量減少，因此感度的降低成為問題。
為了解決該些問題，對使用有機化合物的光電轉換元件進行研究。由於有機化合物根據分子結構可選擇性地吸收入射光中特定波長區域的光，故而使用有機化合物的光電轉換元件無需彩色濾光片。進而，由於吸收係數高，故而可提高光利用效率。作為使用有機化合物的光電轉換元件，具體而言，已知有陽極及陰極所夾持的光電轉換膜中導入有pn接合構造或塊材異質接面(bulk heterojunction)構造的元件構成(例如，參照專利文獻1~專利文獻3)。又，為了降低暗電流，亦已知插入有電荷阻擋層的元件構成(例如，參照專利文獻4)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2009-290190號公報
專利文獻2：日本專利特開2011-077198號公報
專利文獻3：日本專利特開2002-076391號公報
專利文獻4：日本專利特開平5-129576號公報
然而，關於將使用有機化合物的光電轉換元件用於影像感測器一事，雖然於原理上可確認其優越性，但面向實用化的技術上的課題多。尤其是顏色選擇性的提高成為重大課題之一。
因此，本發明的目的在於解決現有技術的問題，提供一種高光電轉換效率且顏色選擇性高的光電轉換元件。
本發明是一種光電轉換元件，其是在第一電極與第二電極之間存在至少一層有機層，將光轉換為電能的光電轉換元件，且所述有機層中含有通式(1)所表示的化合物：
R1~R4為烷基、環烷基、烷氧基或芳基醚基，可分別相同亦可不同；R5及R6為鹵素、氫或烷基，可分別相同亦可不同；R7為芳基、雜芳基或烯基；M表示m價金屬，為選自硼、鈹、鎂、 鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅及鉑中的至少一種；L選自鹵素、氫、烷基、芳基及雜芳基；m為1至6，在m-1為2以上的情況下，各L可相互相同亦可不同。
藉由本發明，可提供一種光電轉換效率高且具有高顏色選擇性的光電轉換元件。
10‧‧‧第一電極
13‧‧‧電子阻擋層
15‧‧‧光電轉換層
17‧‧‧電洞阻擋層
20‧‧‧第二電極
30‧‧‧入射光
31‧‧‧檢測紅色光的光電轉換元件
32‧‧‧檢測綠色光的光電轉換元件
33‧‧‧檢測藍色光的光電轉換元件
圖1是表示本發明的光電轉換元件的一例的示意剖面圖。
圖2是表示本發明的光電轉換元件的一例的示意剖面圖。
圖3是表示本發明的光電轉換元件的一例的示意剖面圖。
圖4是表示本發明的光電轉換元件的一例的示意剖面圖。
圖5是實施例1的光電轉換層中所使用的化合物的吸收光譜。
圖6是比較例1的光電轉換層中所使用的化合物的吸收光譜。
圖7是表示本發明的影像感測器的光電轉換元件的積層構造的一例的示意剖面圖。
圖8是表示本發明的影像感測器的光電轉換元件的積層構造的另一例的示意剖面圖。
圖9是實施例1的光電轉換元件的分光感度特性。
圖10是比較例1的光電轉換元件的分光感度特性。
<光電轉換元件>
本發明的光電轉換元件是在第一電極與第二電極之間存在至少一層有機層，將光轉換為電能的光電轉換元件，且所述有機層中含有下述通式(1)所表示的化合物。
此處，有機層包含至少一層將光轉換為電能的光電轉換層。圖1~圖4表示本發明的光電轉換元件的例子。圖1是在第一電極10與第二電極20之間具有光電轉換層15的光電轉換元件的例子。
除如圖1般有機層僅包含一層光電轉換層的構成以外，亦可為如圖2或圖4般在陽極與陰極之間插入有電荷阻擋層的構成。所謂電荷阻擋層，是指具有阻擋電子或電洞的功能的層。在插入至陽極與光電轉換層之間的情況下，稱為電子阻擋層13，在插入至陰極與光電轉換層之間的情況下，稱為電洞阻擋層17。有機層可僅包含該些層的任一種，亦可包含兩種。
以下，以第一電極10為陽極、第二電極20為陰極的情況作為例子進行說明。
(陽極及陰極)
光電轉換元件中，陽極與陰極具有用以使元件中所生成的電子及電洞流通，使電流充分流通的作用。為了使光入射至光電轉換層，陽極與陰極理想的是至少一者為透明或半透明。通常，較佳為將形成於基板上的陽極設為透明電極。
陽極較佳為包含可將電洞自光電轉換層效率良好地提取且為透明的材料。材料較佳為氧化錫、氧化銦、氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)等導電性金屬氧化物；金、銀、鉻等金屬；碘化銅、硫化銅等無機導電性物質；聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等導電性聚合物等，尤佳為使用在玻璃基板(glass substrate)上形成有透明導電膜的ITO玻璃或奈塞玻璃(NESA glass)。透明電極只要使元件中所生成的電流充分流通即可，就元件的光電轉換效率的觀點而言，較佳為低電阻。例如尤佳為電阻值為300Ω/□以下的ITO基板。在使用ITO基板的情況下，ITO的厚度可根據電阻值而任意地選擇，通常多數情況下是於50nm~300nm之間使用。又，關於玻璃基板的材質，由於以自玻璃的溶出離子少為佳，故而較佳為無鹼玻璃、或實施有SiO2等的障壁塗層(barrier coat)的鈉鈣玻璃(soda lime glass)。就機械強度的觀點而言，玻璃基板的厚度較佳為0.5mm以上。又，只要陽極穩定地發揮功能，則基板無需為玻璃，例如亦可在塑膠基板(plastic substrate)上形成ITO膜而製成陽極。ITO膜的形成方法有電子束法(electron beam method)、濺鍍法(sputtering method)、化學反應法等，並不受特別限制。
陰極的材料較佳為可將電子自光電轉換層效率良好地提取的物質。材料可列舉：鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋅、鋁、銦、鉻、鋰、鈉、鉀、鈣、鎂、銫、鍶等。為了提高電子提取效率而提高元件特性，有效的是選自鋰、鈉、鉀、鈣、鎂及銫中的低功函數金屬或包含該些低功函數金屬的合金。但是，該些低功函數金屬一般而言多數情況下在大氣中不穩定。因此，例如可列 舉使用摻雜微量的鋰或鎂、銫(真空蒸鍍的膜厚計顯示為1nm以下)而穩定性高的電極的方法作為較佳例。另外，亦可使用如氟化鋰的無機鹽。進而，為了保護電極，較佳為將鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁、銦等金屬、或使用該些金屬的合金，以及二氧化矽、二氧化鈦、氮化矽等無機物，聚乙烯醇、氯乙烯、烴系高分子等進行積層。該些電極的製作法可較佳地使用電阻加熱、電子束、濺鍍、離子鍍(ion plating)、塗佈(coating)等方法。
(光電轉換層)
光電轉換層亦可包含單獨的光電轉換元件材料，但為了獲得高光電轉換效率，較佳為包含兩種以上的光電轉換元件材料，更佳為包含供電子性的光電轉換元件材料與吸電子性的光電轉換元件材料。在光電轉換層包含兩種以上的光電轉換元件材料的情況下，該光電轉換層可為混合有兩種以上的光電轉換元件材料的一層，亦可為分別包含一種以上的光電轉換元件材料的層積層而成的多層。進而，亦可為混合層與各個單獨層混合而成的構成。
此處所謂的吸電子性是表示電子親和力高，容易接受電子的性質。另外，所謂供電子性是表示容易釋出電子的性質。在光電轉換層包含吸電子性高的n型有機半導體材料與供電子性高的p型有機半導體材料的情況下，可在藉由入射光而於光電轉換層中生成的激子恢復至基底狀態之前，效率良好地使電洞與電子分離。分離的電子與電洞分別通過n型有機半導體材料及p型有機半導體材料流向陰極與陽極，藉此可獲得高光電轉換效率。
由構成光電轉換層的光電轉換材料的光吸收波長區域決定光電轉換層的吸收波長，因此較佳為使用與所欲使用的顏色對應的光吸收特性的材料。例如，若為綠色的光電轉換元件，則由在450nm~550nm吸收光的材料構成光電轉換層。又，在如上所述般為了獲得高光電轉換效率而由兩種以上的材料構成光電轉換層的情況下，較佳為由如下材料構成光電轉換層，該材料中p型有機半導體材料與n型有機半導體材料的能階(energy level)可將電洞與電子效率良好地分離，並移動至電極側。
p型有機半導體材料只要為游離電位(ionization potential)相對小、具有供電子性的電洞傳輸性化合物，則可為任意有機化合物。p型有機半導體材料的例子可列舉：具有萘、蒽、菲、芘、(chrysene)、稠四苯、聯伸三苯、苝、螢蒽(fluoranthene)、茀、茚等縮合多環芳香族衍生物的化合物或其衍生物；環戊二烯衍生物、呋喃衍生物、噻吩衍生物、吡咯衍生物、苯并呋喃衍生物、苯并噻吩衍生物、吲哚衍生物、吡唑啉衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物；N,N'-二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺等芳香族胺衍生物；苯乙烯基胺衍生物、聯苯胺衍生物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、喹吖啶酮衍生物等。又，聚合物系p型有機半導體材料可列舉：聚苯乙炔衍生物、聚對苯衍生物、聚茀衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚噻吩衍生物。
n型有機半導體材料只要電子親和力高且為電子傳輸性 的化合物，則可為任意材料。n型有機半導體材料的例子可列舉：萘、蒽等縮合多環芳香族衍生物；以4,4'-雙(二苯基乙烯基)聯苯為代表的苯乙烯基系芳香環衍生物、四苯基丁二烯衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、紫環酮(perinone)衍生物、吡咯并吡咯衍生物、噻二唑并吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、芳香族乙炔衍生物、醛連氮(aldazine)衍生物、吡咯亞甲基衍生物、二酮基吡咯并[3,4-c]吡咯衍生物；咪唑、噻唑、噻二唑、噁唑、噁二唑、三唑等唑衍生物及其金屬錯合物；蒽醌或聯苯醌(diphenoquinone)等醌衍生物；磷氧化物衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(III)等羥喹啉錯合物；苯并羥喹啉錯合物、羥基唑錯合物、偶氮甲鹼錯合物、托酚酮(tropolone)金屬錯合物及黃酮醇(flavonol)金屬錯合物等各種金屬錯合物。另外，亦可列舉：分子內具有硝基、氰基、鹵素或三氟甲基的有機化合物；醌系化合物、順丁烯二酸酐、鄰苯二甲酸酐等酸酐系化合物；C60、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester，PCBM)等富勒烯及富勒烯衍生物等。
下述通式(1)所表示的化合物具有1×105cm-1以上的吸收係數，與先前使用的無機系光電轉換材料相比，吸收係數亦高出1位數~2位數以上。因此，可效率良好地將光吸收並轉換為電能，因此可提高光電轉換元件的感度。進而，通式(1)所表示的化合物具有陡峭的吸收光譜(spectrum)，因此波長選擇精度高，可提高光電轉換元件的顏色選擇性。
通式(1)所表示的化合物於約450nm至550nm的波長區域吸收光，因此較佳為用於綠色的光電轉換層。此外，通式(1)所表示的化合物包含吡咯亞甲基骨架，因此作為吸電子性的光電轉換元件材料較佳地發揮功能。因此，較佳為用作n型有機半導體材料。
(電荷阻擋層)
所謂電荷阻擋層，是指用以將光電轉換層中經光電轉換而成的電子及電洞效率良好地且穩定地自電極提取的層，可列舉阻擋電子的電子阻擋層與阻擋電洞的電洞阻擋層。該些可包含無機物，亦可包含有機化合物。進而，亦可包含無機物與有機化合物的混合層。
所謂電洞阻擋層，是指用以阻擋光電轉換層中所生成的電洞流向陰極側並與電子再結合的層。根據構成各層的材料的種類，藉由插入該層而抑制電洞與電子的再結合，從而使光電轉換效率提高。電洞阻擋性材料以最高佔用分子軌道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)位準於能量上低於光電轉換材料者為佳。作為可效率良好地阻擋自光電轉換層的電洞的移動的較佳電洞阻擋性材料，具體而言，有以8-羥基喹啉鋁為代表的羥喹啉衍生物金屬錯合物；托酚酮金屬錯合物、黃酮醇金屬錯合物、苝衍生物、紫環酮衍生物、萘衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、醛連氮衍生物、雙苯乙烯基衍生物、吡嗪衍生物；聯吡啶、三聯吡啶等寡聚吡啶衍生物；啡啉衍生物、喹啉衍生物、芳香族磷氧 化物化合物等。該些電洞阻擋材料可單獨使用，亦可將兩種以上的電洞阻擋材料積層或混合而使用。
所謂電子阻擋層，是指用以阻擋光電轉換層中所生成的電子流向陽極側並與電洞再結合的層。根據構成各層的材料的種類，藉由插入該層而抑制電洞與電子的再結合，從而使光電轉換效率提高。電子阻擋性材料以最低未佔用分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)位準於能量上高於光電轉換材料者為佳。作為可效率良好地阻擋自光電轉換層的電子的移動的較佳電子阻擋性材料，具體而言，可列舉：N,N'-二苯基-N,N'-雙(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺等三苯基胺類；雙(N-烯丙基咔唑)或雙(N-烷基咔唑)類、吡唑啉衍生物、二苯乙烯(stilbene)系化合物、二苯乙烯基衍生物、腙系化合物；以噁二唑衍生物或酞菁衍生物、卟啉衍生物為代表的雜環化合物；聚合物系中側鏈上具有所述單體的聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚乙烯基咔唑、聚矽烷等。只要為形成元件製作所必需的薄膜，可自光電轉換層提取電洞，進而可傳輸電洞的化合物即可。該些電子阻擋材料可單獨使用，亦可將兩種以上的電子阻擋材料積層或混合而使用。
電洞阻擋層及電子阻擋層亦可分散於作為高分子黏合劑的聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚(N-乙烯基咔唑)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚碸、聚苯醚、聚丁二烯、烴樹脂、酮樹脂、苯氧基樹脂、聚醯胺、乙基纖維素、乙酸 乙烯酯、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等溶劑可溶性樹脂；或酚樹脂、二甲苯樹脂、石油樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂等硬化性樹脂等中而使用。
有機層的形成方法有電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、分子積層法、塗佈法等，並無特別限定，就特性方面而言，較佳為電阻加熱蒸鍍或電子束蒸鍍。各有機層的厚度亦受有機物質的電阻值的影響，但較佳為1nm~1000nm之間。
<光電轉換元件材料>
本發明的光電轉換元件於有機層中含有通式(1)所表示的化合物。
R1~R4為烷基、環烷基、烷氧基或芳基醚基，可分別相同亦可不同。R5及R6為鹵素、氫或烷基，可分別相同亦可不同。R7為芳基、雜芳基或烯基。M表示m價金屬，為選自硼、鈹、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅及鉑中的至少一種金屬。L為選自鹵素、 氫、烷基、芳基及雜芳基中的基。m為1至6，在m-1為2以上的情況下，各L可相互相同亦可不同。
該些取代基中，氫亦可為氘。
又，所謂烷基，是表示例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基等飽和脂肪族烴基。進而，可具有亦可不具有取代基。經取代的情況下的追加的取代基並無特別限制，例如可列舉烷基、芳基、雜芳基等，該方面於以下的記載中亦共通。又，烷基的碳數並無特別限定，就獲取的容易性或成本(cost)的方面而言，較佳為1以上且20以下，更佳為1以上且8以下的範圍。
所謂環烷基，是表示例如環丙基、環己基、降冰片基、金剛烷基等飽和脂環式烴基，其可具有亦可不具有取代基。烷基部分的碳數並無特別限定，較佳為3以上且20以下的範圍。
所謂烯基，是表示例如乙烯基、烯丙基、丁二烯基等包含雙鍵的不飽和脂肪族烴基，其可具有亦可不具有取代基。烯基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且20以下的範圍。
所謂烷氧基，是表示例如甲氧基、乙氧基、丙氧基等經由醚鍵而鍵結有脂肪族烴基的官能基，該脂肪族烴基可具有亦可不具有取代基。烷氧基的碳數並無特別限定，較佳為1以上且20以下的範圍。
所謂芳基醚基，是表示例如苯氧基等經由醚鍵而鍵結有芳香族烴基的官能基。芳香族烴基可具有亦可不具有取代基。芳 基醚基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。
所謂鹵素，是表示氟、氯、溴或碘。
所謂芳基，是表示例如苯基、萘基、聯苯基、茀基、菲基、聯伸三苯基、聯三苯基等芳香族烴基。芳基可具有亦可不具有取代基。芳基的碳數並無特別限定，較佳為6以上且40以下的範圍。
所謂雜芳基，是表示呋喃基、苯硫(thiophenyl)基、吡啶基、喹啉基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、萘啶基、苯并呋喃基、苯并苯硫基、吲哚基等在一個或多個環內具有碳以外的原子的環狀芳香族基，其可未經取代亦可經取代。雜芳基的碳數並無特別限定，較佳為2以上且30以下的範圍。
所述取代基中，R1~R4較佳為不會使通式(1)的吡咯亞甲基骨架的共軛伸長，不對吸收波長造成影響的烷基。烷基中，就熱穩定性優異而言，更佳為甲基或第三丁基。進而，就合成的容易性而言，可尤佳地使用甲基。
作為R5及R6，就熱穩定性的觀點而言，較佳為烷基或氫，就吸收光譜中容易獲得窄半值寬的方面而言，更佳為氫。
又，通式(1)中，M較佳為選自由硼、鈹、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅及鉑所組成的組群中的至少一種。就提供陡峭的光譜，獲得更高的吸收係數的方面而言，尤佳為硼。在M為硼的情況下，m成為3(m-1為2)。
L以1價或0價的基通過分子內的1個或2個原子與M 鍵結。此處所謂0價，例如在L為吡啶基的情況下，是指通過非共用電子對而對M進行配位的情況等。又，所謂通過2個原子與M鍵結，意指所謂螯合配位。烷基、芳基及雜芳基的說明如上所述。
在M為硼的情況下，L較佳為選自氟、含氟芳基、含氟雜芳基及含氟烷基中的基，就獲得更高的螢光量子產率而言，更佳為氟或含氟芳基。就合成的容易性而言，L進而較佳為氟。此處，所謂含氟芳基，是指含有氟的芳基，例如可列舉氟苯基、三氟甲基苯基及五氟苯基等。所謂含氟雜芳基，是指含有氟的雜芳基，例如可列舉氟吡啶基、三氟甲基吡啶基及三氟吡啶基等。所謂含氟烷基，是指含有氟的烷基，可列舉三氟甲基或五氟乙基等。
又，在M為硼以外的情況下，L較佳為螯合配位子。
就可獲得更高的吸收係數及更高的耐熱性的方面而言，R7較佳為選自芳基及雜芳基中的基，就吸收係數的方面而言，更佳為芳基。進而，R7較佳為大體積取代基。藉由R7為大體積而可防止分子的凝聚，因此可獲得經時性穩定高的光電轉換效率。
此種大體積取代基的較佳例可列舉下述通式(2)所表示的結構。
[化3]
R8為芳基或雜芳基。芳基及雜芳基的說明如上所述。l為1~3的整數。在l為2以上的情況下，R8可分別相同亦可不同。更具體而言，R8較佳為下述通式(3)~通式(5)的任一者所表示的基。
此處，R9~R12為烷基、芳基或雜芳基。烷基、芳基及雜芳基的說明如上所述。就可獲得更高的光電轉換效率的方面而言，可更佳地使用烷基，就防止分子的凝聚而言，尤其可列舉甲基及第三丁基作為較佳例。
通式(2)中，l更佳為2。又，R8更佳為通式(5)所表示的基。
以下表示通式(3)~通式(5)所表示的基的具體例，但並不限定於該些。
[化5]
此處，所述具體例的基可進而經取代亦可未經取代。取代基的說明如上所述。以下表示通式(1)所表示的化合物的一例。
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
通式(1)所表示的化合物可利用例如日本專利特表平8-509471號公報或日本專利特開2000-208262號公報中記載的方法而製造。即，藉由使吡咯亞甲基化合物與金屬鹽於鹼共存下反應而獲得目標吡咯亞甲基系金屬錯合物。
又，關於吡咯亞甲基-氟化硼錯合物的合成，可以「有機化學期刊(J.Org.Chem.)」、vol.64,No.21,pp.7813-7819(1999)，「應用化學國際英文版(Angew.Chem.,Int.Ed.Engl.)」、vol.36,pp.1333-1335(1997)等中記載的方法作為參考而製造。即，使下述通式(6)所表示的化合物與通式(7)所表示的化合物於二氯甲烷中反應，形成吡咯亞甲基骨架後，於胺的存在下，添加三氟化硼二乙醚，藉此獲得吡咯亞甲基-氟化硼錯合物。
進而，關於通式(6)所表示的化合物，例如使溴化苯甲醛與硼酸衍生物藉由鈴木偶合(Suzuki Coupling)(參考文獻：「化學評論(Chem.Rev.)」、vol.95(1995))進行反應，藉此可獲得R7中導入有各種芳基及雜芳基的化合物。
通式(1)所表示的化合物於光電轉換元件中用於光電轉換層。進而，在光電轉換層包含具有供電子性及吸電子性的關係的兩種光電轉換元件材料的情況下，通式(1)所表示的化合物是作為n型有機半導體材料發揮功能。
<影像感測器>
影像感測器是將光學映像轉換為電信號的半導體元件。一般而言，影像感測器包含將光轉換為電能的所述光電轉換元件及將電能讀出為電信號的電路。根據影像感測器的用途，可將多個光電轉換元件排列於一維直線或二維平面。又，在單色(monocolor)的影像感測器的情況下，可僅具有一種光電轉換元件，在彩色影像感測器的情況下，具有兩種以上的光電轉換元件。例如具有檢測紅色光的光電轉換元件、檢測綠色光的光電轉換元件、及檢測藍色光的光電轉換元件。各顏色的光電轉換元件可以積層構造、即於一個畫素積層有多個光電轉換元件的構造構成，亦可以多個光電轉換元件橫向排列的矩陣構造構成。
此外，於光電轉換元件積層於一個畫素的構造的情況下，可為如圖7所示般依序積層有檢測綠色光的光電轉換元件32、檢測藍色光的光電轉換元件33、檢測紅色光的光電轉換元件31的3層構造，亦可為如圖8所示般檢測綠色光的光電轉換元件32整面配置於上層，檢測紅色光的光電轉換元件31及檢測藍色光的光電轉換元件33以矩陣構造形成於下層的2層構造。該些構造中，檢測綠色光的光電轉換元件配置於與入射光30最近的層。
另外，矩陣構造的情況下的光電轉換元件的排列可選自拜耳(bayer)排列、蜂巢(honeycomb)排列、條狀(stripe shape)排列、三角形(delta)排列等排列。
如上所述，通式(1)所表示的化合物於綠色區域具有 陡峭的吸收光譜，因此在用作綠色的光電轉換元件的光電轉換元件材料時，可選擇性地吸收綠色光，並使紅色光與藍色光透過。該情況下，當為如圖7般垂直積層有光電轉換元件的構造時，藉由設置綠色的光電轉換元件作為最上層、即與入射光最近的層，可使綠色的光電轉換元件中紅色光及藍色光的檢測雜訊(noise)變得極少。又，由於綠色的光電轉換元件中紅色光及藍色光的吸收少，故而下層的紅色及藍色的光電轉換元件中可以極高感度檢測到光。因此，可提供顏色分離性優異的彩色影像感測器。各顏色的積層的順序並不限於此，亦可與圖7不同，就所述觀點而言，在檢測綠色光的光電轉換元件使用本發明的光電轉換元件的情況下，較佳為將綠色的光電轉換元件配置於最上層的構成。又，在藍色的光電轉換元件的顏色選擇性優異的情況下，就短波長的檢測容易性的觀點而言，亦可為將藍色的光電轉換元件配置於最上層的構成。
又，亦可為：檢測綠色光的光電轉換元件使用本發明的光電轉換元件，檢測紅色光的光電轉換元件及檢測藍色光的光電轉換元件適當組合使用先前使用的無機系光電轉換材料或有機光電轉換材料。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明進行說明，但本發明並不限定於該些例。此外，下述各實施例中的化合物的編號是指所述記載的化合物的編號。另外，下述表示關於構造分析的評價方法。
化合物的質子核磁共振(Proton Nuclear Magnetic Resonance，1H-NMR)是使用超導FTNMR EX-270(日本電子股份有限公司製造)，利用氘代氯仿溶液進行測定。
化合物的吸收光譜是使用U-3200型分光光度計(日立製作所股份有限公司製造)，於石英基板上以50nm的膜厚蒸鍍測定樣品(sample)而進行測定。吸收係數是藉由朗伯-比爾定律(Lambert-Beer Law)而計算。
合成例1
化合物[1]的合成方法
將3,5-二溴苯甲醛(3.0g)、4-第三丁基苯基硼酸(5.3g)、四(三苯基膦)鈀(0)(0.4g)、碳酸鉀(2.0g)添加至燒瓶(flask)中，並進行氮氣置換。向其中添加經脫氣的甲苯(30mL)及經脫氣的水(10mL)，回流4小時。將反應溶液冷卻至室溫，將有機層分液後利用飽和食鹽水進行洗滌。將該有機層利用硫酸鎂進行乾燥並過濾後，將溶劑蒸餾去除。藉由矽膠管柱層析法(silica gel column chromatography)對所獲得的反應產物進行精製，以白色固體的形式獲得3,5-雙(4-第三丁基苯基)苯甲醛(3.5g)。
將3,5-雙(4-第三丁基苯基)苯甲醛(1.5g)及2,4-二甲基吡咯(0.7g)添加至反應溶液中，添加脫水二氯甲烷(200mL)及三氟乙酸(1滴)，於氮氣環境下，攪拌4小時。添加2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(0.85g)的脫水二氯甲烷溶液，進而攪拌1小時。反應結束後，添加三氟化硼二乙醚錯合物(7.0mL)及二 異丙基乙基胺(7.0mL)，攪拌4小時後，進而添加水(100mL)並進行攪拌，對有機層進行分液。將該有機層利用硫酸鎂進行乾燥並過濾後，將溶劑蒸餾去除。藉由矽膠管柱層析法對所獲得的反應產物進行精製，獲得下述所示的化合物[1]0.4g(產率18%)。
1H-NMR(CDCl3,ppm)：7.95(s,1H),7.63-7.48(m,10H),6.00(s,2H),2.58(s,6H),1.50(s,6H),1.37(s,18H)。
又，化合物[1]的光吸收特性如下。
吸收光譜：λmax514nm(薄膜：50nm)
半值寬：39nm
吸收係數：1.21×105/cm
(包含化合物D-1及化合物[1]的膜的光吸收特性)
於石英基板上將下述所示的化合物D-1與所述化合物[1]以蒸鍍速度比1：1蒸鍍50nm。測定蒸鍍膜的吸收光譜，結果如圖5所示，成為僅於綠色區域具有吸收的陡峭的吸收光譜。又，光吸 收特性如下。
吸收光譜：λmax514nm
半值寬：39nm
吸收係數：7.42×104/cm
(包含化合物D-1及化合物A-1的膜的光吸收特性)
使用化合物A-1代替化合物[1]，除此以外，利用與合成例1相同的方法於石英基板上蒸鍍化合物D-1及化合物A-1，測定吸收光譜。如圖6所示，成為不僅於綠區域，而且於紅區域及藍區域亦具有吸收的寬吸收光譜。又，光吸收特性如下。
吸收光譜：λmax529nm
半值寬：142nm
吸收係數：9.06×104/cm
實施例1
以如下方式製作使用化合物[1]的光電轉換元件。將沈積有150nm ITO透明導電膜的玻璃基板(旭硝子股份有限公司製造，15 Ω/□，電子束蒸鍍品)切斷成30mm×40mm，進行蝕刻(etching)，獲得陽極基板。針對所獲得的陽極基板，使用丙酮及「Semico Clean(註冊商標)56」(古內化學(Furuuchi Chemical)股份有限公司製造)，各進行15分鐘超音波洗滌後，利用超純水進行洗滌。繼而，使用異丙醇進行15分鐘超音波洗滌，進而於熱甲醇中浸漬15分鐘後，進行乾燥。在即將製作元件之前，對該陽極基板進行1小時紫外線(Ultraviolet，UV)-臭氧處理，並設置於真空蒸鍍裝置內，進行排氣，直至裝置內的真空度成為5×10-5Pa以下。於該陽極基板的ITO層上，藉由電阻加熱法蒸鍍氧化鉬30nm作為電子阻擋層。其次，以蒸鍍速度比1：1共蒸鍍化合物D-1與化合物[1]作為光電轉換層。其次，將鋁蒸鍍100nm而製成陰極，從而獲得5mm×5mm見方的元件。此處所謂的膜厚是石英振盪式膜厚檢測器顯示值。
比較例1
蒸鍍光電轉換層時，使用化合物A-1代替化合物[1]，除此以外，以與實施例1相同的方式製作光電轉換元件。
[化17]
將對實施例1及比較例1的各光電轉換元件施加偏壓電壓(bias voltage)(-3V)時的分光感度特性分別示於圖9及圖10。此外，分光感度特性是使用分光感度測定裝置(SM-250，分光計器股份有限公司製造)，求出將400nm~700nm的單色光照射至光電轉換元件時的輸出電流，藉此進行測定。
於實施例1的元件中，可於波長450nm以上且550nm以下的綠色區域內選擇性良好地進行光電轉換。另一方面，於比較例1的元件中，波長小於450nm的藍色區域及波長長於550nm的波長的紅色區域亦進行光電轉換，成為顏色選擇性差的結果。
實施例2~實施例3
將化合物D-1與化合物[1]的蒸鍍速度比分別變更為2：1、3：1，除此以外，以與實施例1相同的方式製作光電轉換元件。將對各光電轉換元件施加偏壓電壓(-5V)時的光電轉換特性示於表1。任一元件均顯示顏色選擇性良好的光電轉換特性。
實施例4~實施例10、比較例2
使用下述所示的化合物代替化合物[1]作為n型半導體材料， 除此以外，以與實施例1相同的方式製作光電轉換元件。將對各光電轉換元件施加偏壓電壓(-5V)時的光電轉換特性示於表1。於實施例4~實施例10中，吸收光譜的半值寬小且顏色選擇性良好，但於比較例2中，吸收光譜的半值寬大，顏色選擇性惡化。
[化19]
[產業上之可利用性]
本發明的光電轉換元件可應用於影像感測器或太陽電池等領域。具體而言，可利用於搭載於行動電話、智慧型手機(smart phone)、平板型個人電腦(tablet personal computer)、數位靜態相機(digital still camera)等的撮像元件、或光電動勢產生器、可見光感測器等的感測裝置(sensing device)等領域。

Claims (13)

  1. 一種光電轉換元件，其是在第一電極與第二電極之間存在至少一層有機層，將光轉換為電能的光電轉換元件，且所述有機層中含有通式(1)所表示的化合物：R1~R4為烷基、環烷基、烷氧基或芳基醚基，可分別相同亦可不同；R5及R6為鹵素、氫或烷基，可分別相同亦可不同；R7為芳基、雜芳基或烯基；M表示m價金屬，為選自硼、鈹、鎂、鋁、鉻、鐵、鎳、銅、鋅及鉑中的至少一種；L選自鹵素、氫、烷基、芳基及雜芳基；m為1至6，在m-1為2以上的情況下，各L可相互相同亦可不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光電轉換元件，其中通式(1)的R1~R4為甲基，R5及R6為氫。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光電轉換元件，其中通式(1)的M為硼，L為氟或含氟芳基，m-1為2。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光電轉換元件，其中通式(1)的R7為芳基或雜芳基。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的光電轉換元件，其中通式(1)的R7以下述通式(2)表示：R8為芳基或雜芳基；l為1~3的整數；在l為2以上的情況下，R8可分別相同亦可不同。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的光電轉換元件，其中所述有機層包含光電轉換層，所述光電轉換層中含有所述通式(1)所表示的化合物。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的光電轉換元件，其中所述光電轉換層包含兩種光電轉換元件材料，且其中一種為所述通式(1)所表示的化合物。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的光電轉換元件，其中所述兩種光電轉換元件材料分別為供電子性及吸電子性的光電轉換元件材料，所述通式(1)所表示的化合物為吸電子性的光電轉換元件材料。
  9. 一種影像感測器，其包含如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的光電轉換元件。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的影像感測器，其具有兩種以上的光電轉換元件，且其中一種光電轉換元件為如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的光電轉換元件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的影像感測器，其中所述兩種以上的光電轉換元件具有積層構造。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的影像感測器，其具有檢測紅色光、綠色光及藍色光的光電轉換元件，檢測所述綠色光的光電轉換元件為如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的光電轉換元件。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的影像感測器，其中所述檢測綠色光的光電轉換元件配置於與入射光最近的層。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015178116A1 (ja) * 2014-05-23 2015-11-26 ソニー株式会社 光電変換素子、固体撮像装置、有機光吸収材料及び有機光吸収材料中間体
JP6587800B2 (ja) 2014-12-26 2019-10-09 Ｊｆｅスチール株式会社 積層鉄心の製造方法
US10038019B2 (en) 2015-12-29 2018-07-31 Industrial Technology Research Institute Image sensor and manufacturing method thereof
US10038033B2 (en) 2015-12-29 2018-07-31 Industrial Technology Research Institute Image sensor
WO2018043237A1 (ja) * 2016-09-05 2018-03-08 東レ株式会社 色変換組成物、色変換シート、それを含む発光体、照明装置、バックライトユニットおよびディスプレイ
JP6834400B2 (ja) * 2016-11-22 2021-02-24 ソニー株式会社 撮像素子、積層型撮像素子、撮像装置及び電子装置
EP3770982A4 (en) * 2018-03-23 2022-01-05 Sumitomo Chemical Company Limited ELEMENT FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION
JP7397621B2 (ja) * 2018-10-31 2023-12-13 三星電子株式会社 有機化合物とそれを含む有機光電素子、イメージセンサ、及び電子素子
TW202109907A (zh) * 2019-07-30 2021-03-01 日商索尼股份有限公司 攝像元件及攝像裝置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200948931A (en) * 2008-03-19 2009-12-01 Toray Industries Light-emitting element material and light-emitting element
TW201113265A (en) * 2009-09-29 2011-04-16 Fujifilm Corp Photoelectric conversion device, photoelectric conversion device material, photosensor and imaging device
EP2402351A1 (en) * 2009-02-27 2012-01-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Pyrromethene-boron complex compounds and organic electro- luminescent elements using same

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446157A (en) 1990-04-23 1995-08-29 Morgan; Lee R. Boron difluoride compounds useful in photodynamic therapy and production of laser light
JPH05129576A (ja) 1991-11-06 1993-05-25 Mitsubishi Kasei Corp 画像読み取り素子
JP3159259B2 (ja) 1999-01-13 2001-04-23 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3423279B2 (ja) 2000-09-01 2003-07-07 科学技術振興事業団 有機半導体薄膜太陽電池
EP1597938A2 (en) * 2003-02-28 2005-11-23 Ciba SC Holding AG Electroluminescent device
JP4815124B2 (ja) * 2004-12-02 2011-11-16 富士フイルム株式会社 撮像装置及び固体撮像素子の信号処理方法、並びにデジタルカメラ及びその制御方法
JP2008109097A (ja) * 2006-09-28 2008-05-08 Toray Ind Inc 光起電力素子用材料および光起電力素子
EP2125752B1 (en) * 2007-03-29 2015-08-12 Basf Se Heterocyclic bridged biphenyls
JP5171178B2 (ja) 2007-09-13 2013-03-27 富士フイルム株式会社 イメージセンサ及びその製造方法
US8569087B2 (en) 2007-11-12 2013-10-29 Konica Minolta Holdings, Inc. Method for manufacturing organic electronic element
KR20090123540A (ko) 2008-05-28 2009-12-02 삼성전자주식회사 유기 광전 변환막, 이를 구비하는 광전 변환 소자 및이미지 센서
JP2010225838A (ja) 2009-03-24 2010-10-07 Toray Ind Inc 光起電力素子
JP2011116964A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Sumitomo Chemical Co Ltd 化合物及びそれを用いた素子
AU2012333149A1 (en) * 2011-08-02 2014-02-13 The Regents Of The University Of Michigan Compounds capable of undergoing symmetry breaking intramolecular charge transfer in a polarizing medium and organic photovoltaic devices comprising the same
JP5851268B2 (ja) * 2012-02-14 2016-02-03 出光興産株式会社 有機薄膜太陽電池素子用材料、及びそれを用いた有機薄膜太陽電池
KR101860084B1 (ko) 2012-07-06 2018-05-23 삼성전자주식회사 유기 광전 재료, 상기 유기 광전 재료를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서
CN103172650A (zh) * 2013-03-04 2013-06-26 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 含有三苯胺结构的强荧光氟硼二吡咯化合物及其制备方法与应用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200948931A (en) * 2008-03-19 2009-12-01 Toray Industries Light-emitting element material and light-emitting element
EP2402351A1 (en) * 2009-02-27 2012-01-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Pyrromethene-boron complex compounds and organic electro- luminescent elements using same
TW201113265A (en) * 2009-09-29 2011-04-16 Fujifilm Corp Photoelectric conversion device, photoelectric conversion device material, photosensor and imaging device

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