TWI646556B - 閃爍器面板、放射線檢測器及其製造方法 - Google Patents

閃爍器面板、放射線檢測器及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明目的為提供一種高亮度閃爍器面板，其係藉由具有高折射率的粒子以良好的狀態被分散在閃爍器層內，而可達成螢光體的發光光線的高效率利用，顯著抑制受測者等的放射線的被曝量。本發明提供一種閃爍器面板，其係具有基板、及含有金屬化合物粒子與螢光體的閃爍器層的閃爍器面板，上述金屬化合物被覆上述螢光體，其被覆率為5%以上。

Description

閃爍器面板、放射線檢測器及其製造方法
本發明關於一種閃爍器面板、放射線檢測器及其製造方法。
以往，在醫療場所中，使用底片的放射線影像被廣泛地使用。但是，使用底片的放射線影像為類比影像資訊，因此近年來開發出了電腦放射線攝影(computed radiography：CR)或平板放射線檢測器(flat panel detector；以下稱為「FPD」)等的數位式放射線檢測器。
在FPD之中，為了將放射線轉換為可見光，使用了閃爍器面板。閃爍器面板具有含氧硫化釓(以下稱為「GOS」)或碘化銫(以下稱為「CsI」)等的放射線螢光體的閃爍器層，因應所照射的放射線，該螢光體會發出可見光，藉由將該發光以TFT或CCD轉換為電子訊號，可將放射線的資訊轉換成數位影像資訊。此處，如果為了提升閃爍器面板的亮度，而提高所照射的放射線的能量，則螢光體的發光強度也會提高。然而另一方面，為了抑制受測者等的放射線被曝量，不能過度提高所照射的放射線能量，並且需要高效率地利用螢光體的發光光線。
作為使螢光體的發光光線利用效率降低的其中一個原因，可列舉發光光線因為螢光體本身而發生散射，而在閃爍器層內被吸收。為了減低此光線的散射，有文獻提出一種使閃爍器層含有與螢光體的折射率相同程度的高折射率粒子的技術(專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-153874號公報
然而，在使閃爍器層含有高折射率粒子的先前技術中，被認為會有難以使該粒子以良好的狀態分散在閃爍器層內，因為該粒子發生凝集而變得白濁，反而助長螢光體發光光線散射的問題。
於是，本發明課題為提供一種高亮度的閃爍器面板，其藉由高折射率粒子以良好的狀態被分散在閃爍器層內，可達成螢光體的發光光線的高效率利用，可顯著抑制受測者等的放射線的被曝量。
上述的課題可藉由一種閃爍器面板來達成，其係具有基板及含金屬化合物與螢光體的閃爍器層的閃爍器面板，並且上述金屬化合物被覆前述螢光體，其被覆率為5%以上。
依據本發明，可提供一種高亮度的閃爍器面板，藉由使高折射率的粒子良好地分散在閃爍器層內，高效率地利用螢光體的發光光線，可顯著減低受測者等的放射線被曝量。
1‧‧‧放射線檢測器
2‧‧‧閃爍器面板
3‧‧‧光二極體基板
4‧‧‧基板
5‧‧‧緩衝層
6‧‧‧閃爍器層
7‧‧‧隔膜層
8‧‧‧光電轉換層
9‧‧‧輸出層
10‧‧‧基板
11‧‧‧電源部
第1圖為具備本發明之閃爍器面板的放射線檢測器的構成之剖面模式圖。
[實施發明之形態]
本發明之閃爍器面板係具有基板、及含金屬化合物與螢光體的閃爍器層之閃爍器面板，其特徵為：前述金屬化合物被覆前述螢光體，其被覆率為5%以上。
以下使用圖式，針對本發明之閃爍器面板及具備其之放射線檢測器的較佳構成進行說明，然而本發明並不受該等所限定。
第1圖為表示具備本發明之閃爍器面板的放射線檢測器的構成之剖面模式圖。放射線檢測器1包含本發明之閃爍器面板2、光二極體基板3及電源部11。本發明之閃爍器面板2具有含金屬化合物與螢光體的閃爍器層6，可吸收所照射的放射線的能量，而發出波長為300~800nm的範圍的電磁波，亦即，以可見光為中心，紫外線至紅外光的範圍的光線。
光二極體基板3具有在基板10上以2維狀的方式形成包含光二極體與TFT的畫素的光電轉換層8及輸 出層9。藉由使閃爍器面板2的出光面與光二極體基板3的光電轉換層9透過由聚醯亞胺樹脂或矽氧烷樹脂等所構成的隔膜層7而接著或密著，可構成放射線檢測器1。到達光電轉換層8的螢光體的發光光線，會在光電轉換層8經光電轉換而被輸出。
作為本發明之閃爍器面板所具有的基板的材質，可列舉例如具有放射線穿透性的玻璃、陶瓷、半導體、高分子化合物、金屬或無定形碳。作為玻璃，可列舉例如石英、硼矽酸玻璃或化學的強化玻璃。作為陶瓷，可列舉例如藍寶石、氮化矽或碳化矽。作為半導體，可列舉例如矽、鍺、砷化鎵、燐化鎵或氮化鎵。作為高分子化合物，可列舉例如纖維素醋酸酯、聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醯胺、聚醯亞胺、三醋酸酯、聚碳酸酯或碳纖維強化樹脂。作為金屬，可列舉例如鋁、鐵、銅或金屬氧化物。其中，較佳為平坦性及耐熱性優異的材質。此外，由在閃爍器面板的搬運便利性方面上閃爍器面板往輕量化發展的觀點而言，基板的厚度係以2.0mm以下為佳，1.0mm以下為較佳。
本發明之閃爍器面板所具有的閃爍器層含有金屬化合物與螢光體，但金屬化合物會與螢光體的表面接觸或接近，亦即被覆螢光體，其被覆率為5%以上，但被覆率係以20%以上為佳，50%以上為較佳。若被覆率為5%以上，則螢光體與大氣的折射率差變小，可有效率地將螢光體的發光光線導引至光二極體基板的光二極體，而能夠提升亮度。作為金屬化合物，可列舉二氧化鈦、 二氧化鋯、氧化鋁、氧化鈰、氧化錫、氧化銦、鋯石、氧化鐵、氧化鋅、氧化鈮、氮化矽、氮化硼、氮化鋁、碳化矽、氫氧化鋁鈦酸鋇或鑽石，但從高折射率及取得方便性的觀點而言，較佳為鋁化合物、錫化合物、鈦化合物、鋯化合物或鈮化合物。更具體而言，可列舉例如鋁、錫、鈦或鋯之氧化物、硫化物或氫氧化物等，但從調整塗膜及硬化膜的折射率的觀點而言，較佳為氧化鋯粒子或氧化鈦粒子。
金屬化合物被覆螢光體的被覆率，可藉由以掃描式電子顯微鏡(以下稱為「SEM」；例如日立製作所製的S2400)觀察閃爍器層的剖面，由2維影像隨機選擇20個螢光體粒子，分別將周長取100等分，求得從螢光體粒子表面算起500nm以內的範圍內金屬化合物存在的區域的比例(%)，取其平均值而計算出。此外，作為為了使閃爍器層的剖面可觀察而進行研磨的方法，可列舉例如機械研磨法、切片機法、CP法(Cross-section Polisher)或聚焦離子束(FIB)加工法。
金屬化合物較佳為細粒狀，亦即金屬化合物粒子。若金屬化合物為金屬化合物粒子，則變得容易利用與螢光體的混合而被覆在螢光體表面。
含有金屬化合物與螢光體的閃爍器層的空隙率係以1~50%為佳，5~30%為較佳。藉由將空隙率設在此範圍，可在保持著高亮度的狀態下，使作為影像清晰度指標的MTF(Modulation Transfer Function；鏡片性能的其中一個評估指標，空間頻率特性)提升。
閃爍器層的空隙率，可藉由在將閃爍器層的剖面精密研磨之後，以SEM觀察，將固體成分部分(螢光體、金屬化合物及黏結劑樹脂等)與空隙部分的影像轉換為黑白影像(2階調)，以空隙部分的面積在閃爍器層的剖面面積中所占的比例來計算。另外，MTF可藉由在具備閃爍器面板的放射線檢測器放置放射線無法穿透的鉛板，由閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，根據所得到的影像，利用刃邊法來測定。
閃爍器層所含有的金屬化合物粒子較佳為被接枝化。
「金屬化合物粒子被接枝化」是指透過存在於粒子表面的羥基等，高分子化合物在金屬化合物粒子表面被化學鍵結(接枝)的狀態。藉由金屬化合物粒子被接枝化，可抑制閃爍器層產生龜裂。另外，在閃爍器層含有黏結劑樹脂的情況，金屬化合物粒子在黏結劑樹脂中的分散狀態變得良好，其結果，閃爍器層的透明性提升，可縮小黏結劑樹脂的折射率與螢光體的折射率差。
作為用於接枝化金屬化合物粒子的高分子化合物，可列舉聚(N-異丙基丙烯醯胺)、聚乙二醇、聚丙烯醯胺、聚乙烯醇、聚環氧乙烷、聚乙烯基吡咯烷酮、可溶酚醛樹脂、尿素樹脂或三聚氰胺樹脂等的水溶性高分子化合物，或聚矽氧烷、1,4-順-異戊二烯、異戊二烯彈性體、聚苯乙烯、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸正丁酯、聚氯乙烯、聚丙烯腈或聚乳酸等的非水溶性高分子化合物。
金屬化合物粒子的表面是否被接枝化，可藉由SEM或穿透式電子顯微鏡(以下稱為「TEM」)觀察金屬化合物粒子的輪廓來得知。在被接枝化的情況，金屬化合物粒子的輪廓不清楚，相對於此，在未被接枝化的情況，金屬化合物粒子的輪廓明確，可清楚地觀察到大小相當於金屬化合物粒子粒徑的粒子。
被接枝化的金屬化合物粒子的折射率係以1.7以上為佳，2.0以上為較佳。若折射率為1.7以上，則可減低與螢光體的折射率差，抑制可見光的光散射。
被接枝化的金屬化合物粒子的折射率可使用折射率測定裝置(例如，稜鏡耦合儀MODEL2010/M"；Metricon公司製)來測定。更具體而言，形成被接枝化的金屬化合物粒子的塗膜以作為被測定物，將在25℃下照射至從與塗膜表面垂直的方向之633nm(使用He-Ne雷射)的光線之折射率(TE)，設為被接枝化的金屬化合物粒子的折射率。
此外，螢光體的折射率可藉由貝克線法、液浸法或外插法來測定。又，亦可使用螢光體手冊等的資料值。
市售的金屬化合物粒子之中，特別適合作為被接枝化的金屬化合物粒子的產品，可列舉例如Opt Lake(註冊商標)TR-502、TR-504或TR-520等的氧化錫-氧化鈦複合粒子，Opt Lake(註冊商標)TR-503、TR-527、TR-528、TR-529或TR-513等的氧化矽-氧化鈦複合粒子或Opt Lake(註冊商標)TR-505等的氧化鈦粒子(以上皆為 觸媒化成工業股份有限公司製)，或氧化鋯粒子(高純度化學研究所股份有限公司製)、氧化錫-氧化鋯複合粒子(觸媒化成工業股份有限公司製)或氧化錫粒子(高純度化學研究所股份有限公司製)。
被接枝化的金屬化合物粒子的平均粒徑係以1~50nm為佳，1~30nm為較佳。若平均粒徑未滿1nm，則會有變得不易以粒子的形式存在的情形。另一方面，若平均粒徑超過50nm，則會有光線變得容易散射，閃爍器層的光透過率降低的情形。
被接枝化的金屬化合物粒子的平均粒徑，是指從SEM觀察閃爍器層的剖面的2維影像，隨機選擇200個金屬化合物粒子，分別求得該等的粒徑時的平均值。此處各金屬化合物粒子的粒徑，是指與粒子外緣相交於兩點的直線之中，最長的直線的長度。
被接枝化的金屬化合物粒子，較佳為藉由將金屬化合物粒子、烷氧基矽烷化合物、溶劑及酸觸媒混合而得到。認為在此情況下，係在將烷氧基矽烷化合物藉由酸觸媒水解而製成矽醇化合物後，藉由使該矽醇化合物縮聚合而成之耐熱性及耐候性優異的聚矽氧烷，而金屬化合物粒子被接枝化。
作為所使用的烷氧基矽烷化合物，較佳為只有3官能性烷氧基矽烷化合物、或3官能性烷氧基矽烷化合物與2官能性烷氧基矽烷化合物的組合，從使閃爍器層具有適合的硬度而提升使用性的觀點而言，含有100~70莫耳%的3官能性烷氧基矽烷化合物及0~30莫耳%的2官 能性烷氧基矽烷化合物的烷氧基矽烷化合物為更佳，含有90~80莫耳%的3官能性烷氧基矽烷化合物及10~20莫耳%的2官能性烷氧基矽烷化合物的烷氧基矽烷化合物為再更佳。
作為所使用的烷氧基矽烷化合物，較佳為含有由下述通式(1)~(3)所表示的烷氧基矽烷化合物。
R1Si(OR4)3．．．(1)
(式中，R1表示氫、烷基、烯基、芳香基或萘基或該等的取代物，R4各自獨立，表示甲基、乙基、丙基、異丙基或丁基。)
R2R3Si(OR5)2．．．(2)
(式中，R2及R3各自獨立，表示氫、烷基、烯基、芳香基或萘基或該等的取代物。R5各自獨立，表示甲基、乙基、丙基、異丙基或丁基。)
Si(OR6)4．．．(3)
(式中，R6各自獨立，表示甲基或乙基。)
此外，從耐龜裂性的觀點而言，作為R1、R4及R5，較佳為甲基或苯基。
作為由通式(1)所表示之3官能性烷氧基矽烷化合物，可列舉例如甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、甲基三丁氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷 、己基三甲氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷、十八烷基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-(N,N-二縮水甘油基)胺丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺丙基三甲氧基矽烷、γ-胺丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺乙基)-γ-胺丙基三甲氧基矽烷、β-氰基乙基三乙氧基矽烷、縮水甘油醚氧基甲基三甲氧基矽烷、縮水甘油醚氧基甲基三乙氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基乙基三甲氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基乙基三乙氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基乙基三甲氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基乙基三乙氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基三丙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基三異丙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基三丁氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基丁基三甲氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基丁基三乙氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基丁基三甲氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基丁基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丁基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基 丁基三乙氧基矽烷、δ-縮水甘油醚氧基丁基三甲氧基矽烷、δ-縮水甘油醚氧基丁基三乙氧基矽烷、(3,4-環氧環己基)甲基三甲氧基矽烷、(3,4-環氧環己基)甲基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三丙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三丁氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、3-(3,4-環氧環己基)丙基三甲氧基矽烷、3-(3,4-環氧環己基)丙基三乙氧基矽烷、4-(3,4-環氧環己基)丁基三甲氧基矽烷、4-(3,4-環氧環己基)丁基三乙氧基矽烷、三氟甲基三甲氧基矽烷、三氟甲基三乙氧基矽烷、三氟丙基三甲氧基矽烷、三氟丙基三乙氧基矽烷、全氟丙基乙基三甲氧基矽烷、全氟丙基乙基三乙氧基矽烷、全氟戊基乙基三甲氧基矽烷、全氟戊基乙基三乙氧基矽烷、十三氟辛基三甲氧基矽烷、十三氟辛基三乙氧基矽烷、十三氟辛基三丙氧基矽烷、十三氟辛基三異丙氧基矽烷、十七氟癸基三甲氧基矽烷或十七氟癸基三乙氧基矽烷，但從取得的方便性的觀點而言，較佳為甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷或苯基三乙氧基矽烷。
作為由通式(2)所表示的2官能性烷氧基矽烷化合物，可列舉例如二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基乙烯基二甲氧基矽烷、甲基乙烯基二乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺丙基甲 基二乙氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、縮水甘油醚氧基甲基二甲氧基矽烷、縮水甘油醚氧基甲基甲基二乙氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基乙基甲基二甲氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基乙基甲基二乙氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、α-縮水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基二丙氧基矽烷、β-縮水甘油醚氧基丙基甲基二丁氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基甲基甲氧基乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基乙基二甲氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基乙烯基二甲氧基矽烷、γ-縮水甘油醚氧基丙基乙烯基二乙氧基矽烷、三氟丙基甲基二甲氧基矽烷、三氟丙基甲基二乙氧基矽烷、三氟丙基乙基二甲氧基矽烷、三氟丙基乙基二乙氧基矽烷、三氟丙基乙烯基二甲氧基矽烷、三氟丙基乙烯基二乙氧基矽烷、十七氟癸基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氯丙基甲基二乙氧基矽烷、環己基甲基二甲氧基矽烷或十八烷基甲基二甲氧基矽烷，但從取得的方便性的觀點而言，較佳為二甲基二烷氧基矽烷、二苯基二烷 氧基矽烷或甲基苯基二烷氧基矽烷。
作為由通式(3)所表示的4官能性烷氧基矽烷化合物，可列舉例如四甲氧基矽烷或四乙氧基矽烷。
作為所使用的溶劑，可列舉例如二丙酮醇、丙二醇單甲醚醋酸酯(以下稱為「PGMEA」)、乳酸乙酯或γ-丁內酯，但從其透過率以及水解及縮聚合反應控制的容易性的觀點而言，較佳為PGMEA、γ-丁內酯或二丙酮醇。
作為所使用的溶劑的量，相對於烷氧基矽烷化合物100質量份，係50~500質量份為佳，80~200質量份為較佳。若溶劑的量為50質量份以上，則可抑制膠體的生成。另一方面，若溶劑的量為500質量份以下，則水解會迅速進行。
作為所使用的酸觸媒，可列舉例如鹽酸、醋酸、蟻酸、硝酸、草酸、硫酸、磷酸、聚磷酸、多元羧酸或其酸酐或離子交換樹脂，但較佳為蟻酸、醋酸或磷酸的水溶液。
作為所使用的酸觸媒的量(在酸性化合物的水溶液的情況為該酸性化合物的量)，相對於烷氧基矽烷化合物100質量份，較佳為0.05~10質量份，較佳為0.1~5質量份。若酸觸媒的量為0.05質量份以上，則水解迅速進行。另一方面，若酸觸媒的量為10質量份以下，則水解反應變得容易控制。
作為用於將酸性化合物製成水溶液所使用的水，較佳為離子交換水。作為所使用的水量，相對於烷 氧基矽烷化合物1莫耳，較佳為1.0~4.0莫耳。
從抑制急劇水解的觀點而言，酸觸媒較佳為花費1~180分鐘來添加，反應溫度係以室溫~110℃為佳，40~105℃為較佳，反應時間較佳為滴入結束後1~180分鐘。
藉由水解反應得到矽醇化合物之後，較佳為將反應液直接在50℃以上、溶劑的沸點以下進行加熱1~100小時，使其進行縮聚合反應。此外，為了提高聚矽氧烷的聚合度，亦可再加熱或添加鹼觸媒。
本發明之閃爍器面板所具有的閃爍器層含有螢光體。作為螢光體，較佳為例如由放射線轉換為可見光的效率高的摻雜鉈的碘化銫(CsI：Tl)、或摻雜鋱的氧硫化釓(GOS：Tb)。
本發明之閃爍器面板所具有的閃爍器層，係藉由含有黏結劑樹脂而可形成較均勻的連續相。作為黏結劑樹脂，可列舉例如環氧樹脂、聚矽氧樹脂(包括聚矽氧橡膠或聚矽氧膠體等的有機聚矽氧烷硬化物(交聯物))、尿素樹脂、氟樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乙烯基丁醛樹脂、丙烯酸樹脂或乙基纖維素樹脂，但以熱硬化性或光硬化性等的成型加工性、透明性、耐熱性或接著性等優異者為佳，從透明性及耐熱性等的觀點而言，環氧樹脂或聚矽氧樹脂為較佳，從耐熱性更優異的觀點而言，聚矽氧樹脂為更佳。
其中，較佳為在常溫或50~200℃的溫度下硬化，透明性、耐熱性及接著性優異的加成反應硬化型聚 矽氧組成物。作為加成反應硬化型聚矽氧組成物，可列舉例如含有具有與烯基直接鍵結的矽原子的聚矽氧、具有與氫原子直接鍵結的矽原子的聚矽氧、以及足以作為氫矽烷化反應觸媒的觸媒量的鉑系觸媒的組成物。作為這種加成反應硬化型聚矽氧組成物，可列舉例如OE6630或OE6636(任一者皆為Dow Corning Toray股份有限公司製)或SCR-1012或SCR1016(任一者皆為信越化學工業股份有限公司製)。
另外，從閃爍器層兼具高折射率、耐熱性及耐候性的觀點而言，作為聚矽氧樹脂，較佳為具有矽氧烷鍵結以及與芳香基及/或萘基直接鍵結的矽原子的聚矽氧樹脂，以具有矽氧烷鍵結以及與芳香基及萘基直接鍵結的矽原子的聚矽氧樹脂為佳。
其中，作為這種聚矽氧樹脂，較佳為使含有由下述平均單位式(4)所表示的有機聚矽氧烷(以下稱為「(A)成分」)、由下述通式(5)所表示的有機聚矽氧烷(以下稱為「(B)成分」)、由下述通式(6)所表示的有機三矽氧烷(以下稱為「(C)成分」)及氫矽烷化反應用觸媒(以下稱為「(D)成分」)的組成物進行氫矽烷化反應而成的交聯物。藉由使用此交聯物作為黏結劑樹脂，在60~250℃下儲存模數減少，藉由加熱可得到高接著力，因此可形成例如不需要黏著劑的片狀閃爍器層。
(R1 2SiO2/2)a(R1SiO3/2)b(R2O1/2)c．．．(4)
(式中，R1各自獨立，表示苯基、碳原子數1~6的烷 基或環烷基或碳原子數2~6的烯基(但是，R1的65~75莫耳%為苯基，R1的10~20莫耳%為烯基)、R2各自獨立，表示氫原子或碳原子數1~6的烷基，a、b及c滿足0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1及a+b=1的關係。)
R3 3SiO(R3 2SiO)mSiR3 3．．．(5)
(式中，R3各自獨立，表示苯基、碳原子數1~6的烷基或環烷基或碳原子數2~6的烯基(但是，R3的40~70莫耳%為苯基，R3的至少一個為烯基)，m為5~50的整數。)
(HR4 2SiO)2SiR4 2．．．(6)
(式中，R4各自獨立，表示苯基或碳原子數1~6的烷基或環烷基(但是，R4的30~70莫耳%為苯基)。)
藉由上述平均單位式(4)中的a、b及c滿足0.5≦a≦0.6、0.4≦b≦0.5、0≦c≦0.1及a+b=1的關係，所得到的交聯物會在室溫下充分硬化，另一方面，在高溫下會軟化。
在上述通式(5)之中，R3的40~70莫耳%為苯基，R3的至少一個為烯基。若苯基少於R3的40莫耳%，則會有所得到的交聯物在高溫的軟化變得不充分的情形。另一方面，若苯基超過R3的70莫耳%，則會失去所得到的交聯物的透明性，其機械強度亦降低。若R3並非至少一個為烯基，則會有(B)成分不參與交聯反應的情形。另外，藉由使上述通式(5)中的m為5~50，可維持所得到 的交聯物的機械強度，同時可保持處理操作性。
從使所得到的交聯物在高溫的軟化成為充分的觀點而言，相對於(A)成分100質量份，(B)成分的比例較佳為5~15質量份。
作為上述通式(6)中的R4，可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或庚基、或者環戊基或環庚基。從使所得到的交聯物在高溫的軟化成為充分、且維持透明性與機械強度的觀點而言，較佳為在上述通式(6)之中，R4的30~70莫耳%為苯基。
從使所得到的交聯物在室溫的硬化成為充分的觀點而言，相對於(A)成分中及(B)成分中的烯基的合計，(C)成分中與矽原子直接鍵結的氫原子的莫耳比較佳為0.5~2。
作為(D)成分，可列舉例如鉑系觸媒、銠系觸媒或鈀系觸媒，然而從顯著促進組成物的硬化的觀點而言，較佳為鉑系觸媒。作為鉑系觸媒，可列舉例如鉑微粉末、氯化鉑酸、氯化鉑酸的醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物或鉑-羰基錯合物，但較佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物。烯基矽氧烷可列舉例如1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷或1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷或將這些烯基矽氧烷之甲基的一部分以乙基或苯基等取代的烯基矽氧烷或將這些烯基矽氧烷的乙烯基以烯丙基或己烯基等取代的烯基矽氧烷，但從安定性優異的觀點而言，較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。另外，從較提升鉑-烯基矽氧氣烷錯合物的 安定性的觀點而言，較佳為在鉑-烯基矽氧烷錯合物中，添加例如1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四苯基二矽氧烷或1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等的烯基矽氧烷或二甲基矽氧烷寡聚物等的有機矽氧烷寡聚物，更加為添加烯基矽氧烷。
從使所得到的交聯物充分交聯、且不使著色等發生的觀點而言，(D)成分在組成物中所占的比例係以0.01~500ppm為佳，0.01~100ppm為較佳，0.01~50ppm為更佳。
組成物除了含有上述(A)~(D)成分以外，亦可含有例如乙炔基己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇或2-苯基-3-丁炔-2-醇等的炔醇、3-甲基-3-戊烯-1炔或3,5-二甲基-3-己烯-1炔等的烯炔化合物、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四己烯基環四矽氧烷或苯并三唑般的反應抑制劑。反應抑制劑在組成物中所占的比例較佳為1~5,000ppm。藉由適當地調整反應抑制劑的比例，亦可調整所得到的交聯物的儲存模數。
本發明之閃爍器面板較佳為具有區隔閃爍器層的隔牆。
又，本發明的放射線檢測器，其特徵為具備本發明之閃爍器面板。
再者，本發明的放射線檢測器之製造方法， 係具備本發明的閃爍器面板、以及具有與該閃爍器面板上被區隔的閃爍器層對向的光二極體的光二極體基板的放射線檢測器之製造方法，其特徵為：具備(A)上述閃爍器層與上述光二極體之對齊步驟、及(B)上述閃爍器面板與上述光二極體基板之貼合步驟。
在本發明之閃爍器面板具有隔牆的情況，閃爍器層會被填充至藉由隔牆而被區隔而成的槽體(cell)內，因此藉由使閃爍器面板的槽體的大小及間距與被排列在與閃爍器面板對向的光二極體基板的光二極體的大小及間距一致，即使光線因為螢光體而散射，也能夠防止該散射光到達相鄰槽體。藉由這種方式，可減少光線散射所造成之影像的模糊，可達成高精密度的攝影。
從耐久性及耐熱性的觀點而言，隔牆係藉由以玻璃作為主成分的材料所構成為佳，藉由以含有2~20質量%之鹼金屬氧化物的低熔點玻璃作為主成分的材料所構成為較佳。以含有2~20質量%之鹼金屬氧化物的低熔點玻璃作為主成分的材料，具有適當的折射率與軟化溫度，適合於大面積、高精密度地形成細線寬的隔牆。此處低熔點玻璃，是指軟化溫度為700℃以下的玻璃。又，以低熔點玻璃作為主成分，是指構成隔牆的材料的50~100質量%為低熔點玻璃粉末。
低熔點玻璃的軟化溫度，可使用示差熱分析裝置(例如，差動型示差熱天秤TG8120；Rigaku股份有限公司製)，由測定樣品所得到的DTA曲線，將吸熱峰中的吸熱結束溫度藉由切線法進行外插而算出。更具體而言 ，將氧化鋁粉末作為標準試樣，將示差熱分析裝置自室溫以20℃/分鐘昇溫，測定成為測定樣品的低熔點玻璃粉末，而得到DTA曲線。把由所得到的DTA曲線，將吸熱峰中的吸熱結束溫度藉由切線法進行外插所求得的軟化點Ts設為低熔點玻璃的軟化溫度。
藉由以含有2~20質量%之鹼金屬氧化物的低熔點玻璃作為主成分的材料所構成的隔牆，可藉由例如具備下述步驟的製造方法來製造：(1)在基板上塗布含有2~20質量%之含鹼金屬氧化物的低熔點玻璃粉末與感光性有機成分的感光性糊劑，形成感光性糊劑塗膜之塗布步驟；(2)透過具有既定開口部的光罩將所得到的感光性糊劑塗膜曝光之曝光步驟；(3)將曝光後的感光性糊劑塗膜之可溶於顯像液的部分溶解去除之顯像步驟；(4)將顯像後的感光性糊劑塗膜圖案加熱至高溫，除去有機成分，同時使低熔點玻璃軟化及燒結，而形成隔牆之燒製步驟。
燒製步驟中的燒製溫度係以500~700℃為佳，500~650℃為較佳。藉由在這樣的溫度下進行燒製，有機成分會被分解餾除，同時低熔點玻璃粉末會軟化及燒結，而形成含有低熔點玻璃的隔牆。為了完全去除有機成分，藉由將燒製溫度設為500℃以上，可充分將有機成分分解餾除以及使低熔點玻璃軟化及燒結。另一方面，若燒製溫度超過700℃，則在使用玻璃基板的情況，會 有基板變形變得顯著的情形。
在基板及隔牆表面，較佳為形成反射率80%以上的反射層。藉由形成反射層，可有效率地將螢光體的發光光線導引至光二極體基板的光二極體，而能夠提升亮度。在隔牆表面形成有反射率80%以上的反射層的情況，可抑制螢光體的發光光線到達相鄰槽體，亦即抑制所謂的串擾(crosstalk)。反射層的反射率係以85%以上為佳，90%以上為較佳。此處反射率，是指對於波長550nm的光線的反射率。
形成於基板等的反射層的反射率，可藉由分光測色計的SCI模式來測定。
在反射層的表面，較佳為進一步形成有低折射率層。藉由形成低折射率層，可在閃爍器層與低折射率層的界面發生全反射。亦即，藉由與光纖同樣的原理，可更有效率地將螢光體的發光光線導引至光二極體基板的光二極體，而能夠提升亮度。於隔牆表面的反射層的表面，在進一步形成有低折射率層的情況，可抑制螢光體的發光光線到達相鄰槽體，亦即抑制所謂的串擾。
低折射率層的折射率係以1.5以下為佳，1.45以下為較佳。
低折射率層的折射率，可使用折射率測定裝置來測定。更具體而言，可將在25℃下，從與低折射率層的表面垂直的方向照射633nm(使用He-Ne雷射)的光線之折射率(TE)設為低折射率層的折射率。
從形成低折射率且緻密的低折射率層的觀點 而言，低折射率層較佳為含有選自包含二氧化矽、水玻璃、聚矽氧樹脂、氟化鎂及氟系樹脂之群組中的化合物。
[實施例]
以下列舉實施例及比較例對本發明作進一步具體說明，然而本發明並不受這些例子所限定。
(金屬化合物粒子)
金屬化合物粒子採用以下的物品。
氧化矽-氧化鈦複合粒子“Opt Lake(註冊商標)TR-527”(觸媒化成工業股份有限公司製；平均粒徑15nm，折射率2.50，氧化鈦粒子20質量%)
氧化錫粒子“SN1”(平均粒徑19nm，折射率2.38)
氧化鋁粒子“SA1”(平均粒徑34nm，折射率1.76)
氧化鈰粒子“CS1”(平均粒徑34nm，折射率2.20)
氧化鋯“ZS1”(平均粒徑15nm，折射率2.40，氧化鋯粒子20質量%，PGMEA80質量%)
氧化鎂粒子“MS1”(平均粒徑44nm，折射率1.76)
氧化鋅粒子“AS1”(平均粒徑94nm，折射率1.95)
氧化鈮粒子“NS1”(平均粒徑15nm，折射率2.30，氧化鈮粒子20質量%，PGMEA80質量%)
氧化鈦粒子“TS1”(平均粒徑30nm，折射率2.50，氧化鈦粒子20質量%，PGMEA80質量%)
氧化鈦粒子“TS2”(平均粒徑50nm，折射率2.50，氧化鈦粒子20質量%，PGMEA80質量%)
氧化鈦粒子“TS3”(平均粒徑70nm，折射率2.50，氧化鈦粒子20質量%，PGMEA80質量%)
(金屬化合物粒子的接枝化)
金屬化合物粒子如以下所述般接枝化。首先，將72.8g的烷氧基矽烷化合物(甲基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷及/或二甲基二甲氧基矽烷的混合物)、38.8g(固體成分)的金屬化合物粒子及126.9g的PGMEA裝入反應容器中，並加以攪拌，以反應溫度不超過40℃之方式，滴入21.9g的水及0.36g的磷酸。滴入結束後，在反應容器安裝蒸餾裝置，將所得到的溶液在浴溫105℃下加熱攪拌2.5小時，將水解所產生的甲醇餾除，同時使其反應。然後，進一步在浴溫115℃下加熱攪拌2小時，冷卻至室溫，而得到以聚矽氧烷接枝化的金屬化合物粒子。
(閃爍器層用糊劑的調製)
閃爍器層用糊劑的原料及製作方法的例子，如以下所述。
螢光體：GOS：Tb(日亞化學公司股份有限公司製；中值粒徑(D50)10μm，折射率2.2)
黏結劑樹脂1：“OE6630(A液、B液)”(Dow Corning Toray公司製；A液/B液的體積比率=1/4)
黏結劑樹脂2：乙基纖維素(Hercules公司製)
將0.3g的被接枝化的金屬化合物粒子(固體成分)或未被接枝化的金屬化合物粒子、9.7g的螢光體及20g的PGMEA，甚至因應必要將0.3g的黏結劑樹脂1或黏結劑樹脂2加以混合，使用行星式攪拌脫泡裝置(Mazerustar KK-400；Kurabo公司製)以1000rpm攪拌脫泡20分鐘，而得到閃爍器層用糊劑。
(實施例1)
將“Opt Lake(註冊商標)TR-527"以表1記載的比率的烷氧基矽烷化合物進行接枝化，使用此而得到閃爍器層用糊劑1(並未添加黏結劑樹脂)。以棒塗布機將此閃爍器層用糊劑1塗布在作為基板的高反射聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(E6SQ；東麗股份有限公司製；厚度250μm，反射率96%)上，使塗膜的厚度成為400μm，在100℃下乾燥30分鐘並使其硬化，而製作出閃爍器面板。
將所製作出的閃爍器面板設置於FPD(PaxScan2520(Varian公司製))，製作出放射線檢測器。從閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，並以FPD檢測閃爍器面板的亮度。金屬化合物所致之螢光體的被覆率為74%。閃爍器層的空隙率為30%。
(比較例1)
將9.7g的螢光體、0.3g的黏結劑樹脂2及20g的萜品醇加以混合，使用行星式攪拌脫泡裝置(Mazerustar KK-400；Kurabo公司製)以1000rpm攪拌脫泡20分鐘，而得到不含金屬化合物粒子的閃爍器層用糊劑21。以棒塗布機將此閃爍器層用糊劑21塗布在作為基板的高反射聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(E6SQ；東麗股份有限公司製；厚度250μm，反射率96%)上，使塗膜的厚度成為400μm，在100℃下乾燥30分鐘並且使其硬化，而製作出閃爍器面板。
將所製作出的閃爍器面板設置於FPD(PaxScan2520)，製作出放射線檢測器。從閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，並以FPD檢測閃 爍器面板的亮度。閃爍器層不含金屬化合物，因此金屬化合物所致之螢光體的被覆率為0%。閃爍器層的空隙率為30%。從實施例1開始的亮度評估，是將此比較例1的亮度定為100而進行相對評估。將實施例1的相對評估的結果揭示於表1。
(實施例2~5)
將金屬化合物粒子變更為表1所記載的粒子，除此之外與實施例1同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。將結果揭示於表1。
由實施例1~5與比較例1的對比，可知藉由閃爍器層含有被接枝化的金屬化合物粒子，提升了閃爍器面板的亮度。
(實施例6~8)
將金屬化合物粒子變更為表2所記載的粒子，除此之外與實施例1同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。將結果揭示於表2。
由實施例6~8與比較例1的對比，可知藉由使閃爍器層含有被接枝化的金屬化合物粒子，提升了閃爍器面板的亮度。
(實施例9及10)
將金屬化合物粒子變更為表3記載的粒子，除此之外與實施例1同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。將結果揭示於表3。
由實施例9及10與比較例1的對比，可知藉由使閃爍器層含有被接枝化的金屬化合物粒子，提升了閃爍器面板的亮度。
(實施例11~15)
將黏結劑樹脂2變更為黏結劑樹脂1，除此之外與實施例1同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。將結果揭示於表4。
由實施例11~15與比較例1的對比，可知藉由使閃爍器層含有被接枝化的金屬化合物粒子，提升了閃爍器面板的亮度。
(實施例16~20)
變更閃爍器層用糊劑的調製比率，除此之外與實施例11同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。將結果揭示於表5。
由實施例16~20與比較例1的對比，可知藉由使閃爍器層含有被接枝化的金屬化合物粒子，提升了閃爍器面板的亮度。
(隔牆用糊劑的調製)
原料如以下所述。
感光性單體M-1：三羥甲基丙烷三丙烯酸酯
感光性單體M-2：四丙二醇二甲基丙烯酸酯
感光性聚合物：使相對於由丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=40/40/30的質量比所構成的共聚物中的羧基為0.4當量的甲基丙烯酸縮水甘油酯發生加成反應而成的聚合物(重量平均分子量43000，酸價100)
光聚合起始劑：2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-啉基苯基)丁酮-1(IC369；BASF公司製)
聚合抑制劑：1,6-己二醇-雙[(3,5-二-三級丁基-4-羥苯基)丙酸酯])
紫外線吸收劑溶液：Sudan IV(東京應化工業股份有限公司製)的γ-丁內酯0.3質量%溶液
熱聚合起始劑：1,1'-偶氮雙(環己烷-1-羰腈)
黏結劑聚合物：乙基纖維素(Hcrcules公司製)
黏度調整劑：Flownon EC121(共榮社化學公司製)
溶劑：γ-丁內酯
二氧化矽分散體：IPA-ST-UP(固體成分15.6質量%、異丙醇溶劑)
低熔點玻璃粉末A：SiO2 27質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、Li2O 7質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 23質量%，折射率(ng)1.56，軟化溫度588℃，熱膨脹係數68×10-7，平均粒徑2.3μm
高熔點玻璃粉末A：SiO2 30質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 27質量%，折射率(ng)1.55，軟化溫度790℃，熱膨脹係數32×10-7，平均粒徑2.3μm
將4質量份的感光性單體M-1、6質量份的感光性單體M-2、24質量份的感光性聚合物、6質量份的光聚合起始劑、0.2質量份的聚合抑制劑及12.8質量份的紫外線吸收劑溶液在38質量份的溶劑中以溫度80℃進行加熱溶解。將所得到的溶液冷卻後，添加9質量份的黏度調整劑，得到有機溶液1。有機溶液1的塗膜的折射率(ng)為1.555。
在60質量份的有機溶液1中添加30質量份的低熔點玻璃粉末A以及10質量份的高熔點玻璃粉末A，以三輥混練機加以混練，而得到隔牆用糊劑。
(反射層用塗布劑的製作)
將20質量份的二氧化鈦粒子“CR-EL"(石原產業股份有限公司製；平均粒徑0.25μm)混合至80質量份的萜品醇中，使用行星式攪拌脫泡裝置以1000rpm攪拌脫泡20分鐘，而得到反射層用塗布劑A。
另外，將40質量份的二氧化鈦粒子“CR-EL"混合至3質量份的乙基纖維素、6質量份的四丙二醇二甲基丙烯酸酯、1質量份的熱聚合起始劑及50質量份的萜品醇中，以同樣的方法得到反射層用塗布劑B。
(實施例21)
以模具塗布機將隔牆用糊劑塗布在500mm×500mm的玻璃基板(OA-10；日本電氣硝子公司製；熱膨脹係數38×10-7，厚度0.7mm)，使乾燥後的厚度成為500μm，並進行乾燥，而形成隔牆用糊劑塗膜。接下來，透過形成了對應於所希望的隔牆圖案的開口部的光罩(具有縱橫間距皆為127μm、線寬20μm的格子狀開口部的鉻光罩)，以超高壓水銀燈(600mJ/cm2)使隔牆用糊劑塗膜曝光。將曝光後的隔牆用糊劑塗膜在0.5質量%的乙醇胺水溶液中顯像，除去未曝光部分，而形成格子狀圖案。進一步以585℃在空氣中將圖案燒成15分鐘，而得到具有隔牆間距127μm、隔牆頂部寬度25μm、隔牆底部寬度50μm、隔牆高度340μm且大小為480mm×480mm的格子狀隔牆的構件。
然後，將實施例1的閃爍器層用糊劑填充在被隔牆區隔的空間亦即槽體內，製作出閃爍器面板。將所製作出的閃爍器面板設置於FPD(PaxScan2520；Varian公司製)，而製作出放射線檢測器。從閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，並以FPD檢測閃爍器面板的亮度。又，測定MTF。金屬化合物所致之螢光體的被覆率為74%。
(比較例2)
將實施例1的閃爍器層用糊劑變更為比較例1的閃爍器層用糊劑，除此之外與實施例21同樣地製作出閃爍器面板，將其設置於FPD(PaxScan2520)，而製作出放射線檢測器。從閃爍器面板的基板側照射管電壓80kVp的放射線，並以FPD檢測閃爍器面板的亮度。又，測定MTF。金 屬化合物所致之螢光體的被覆率為0%。
實施例21~26中的亮度與MTF的評估，是將此比較例2的亮度與MTF為100而進行相對評估。將實施例21的相對評估的結果揭示於表6。
(實施例22)
使用棒塗布機，將反射層用塗布劑A塗布在隔牆及基板的表面，形成厚度為10μm的反射層(反射率89%)，除此之外與實施例21同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。金屬化合物所致之螢光體的被覆率為74%。將結果揭示於表6。可知藉由形成反射層，提升了亮度及MTF。
(實施例23)
使用棒塗布機，將水玻璃(38質量%的矽酸鈉溶液；和光純藥工業股份有限公司製；折射率1.46)塗布在反射層的表面，形成厚度為3μm的低折射率層(折射率1.46)，除此之外與實施例22同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。金屬化合物所致之螢光體的被覆率為74%。將結果揭示於表6。可知藉由形成低折射率層，進一步提升了亮度及MTF。
(實施例24)
使用棒塗布機，將反射層用塗布劑B塗布在隔牆及基板的表面，形成厚度為10μm的反射層(反射率90%)，除此之外與實施例21同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。金屬化合物所致之螢光體的被覆率為74%。將結果揭示於表6。可知藉由形成反射層，提升了亮度及MTF。
(實施例25)
使用棒塗布機，將奈米二氧化矽分散糊劑(10質量%的IPA-ST-UP、2質量%的OE6630、0.1質量%的磷酸、0.9質量%的超純水及87質量%的PGMEA的混合物)塗布在反射層的表面，形成厚度為2μm的低折射率層(折射率1.38)，除此之外與實施例24同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。金屬化合物所致之螢光體的被覆率為74%。將結果揭示於表6。可知藉由形成低折射率層，進一步提升了亮度及MTF。
(實施例26)
使用將以與實施例1同樣的比率被接枝化的金屬化合物粒子(固體成分)0.3g、摻雜鉈的碘化銫(CsI：Tl；中值粒徑(D50)20μm，折射率1.8)9.7g及PGMEA 20.0g混合而成的閃爍器層用螢光體糊劑22，除此之外與實施例25同樣地製作出閃爍器面板，並且進行評估。金屬化合物被覆螢光體的被覆率為55%。將結果揭示於表6。可知提升了亮度及MTF。

Claims (20)

  1. 一種閃爍器面板，其係具有基板、及含有金屬化合物粒子與螢光體的閃爍器層之閃爍器面板，該金屬化合物粒子被覆該螢光體，其被覆率為5%以上，且該金屬化合物粒子被接枝化。
  2. 如請求項1之閃爍器面板，其中該閃爍器層之空隙率為1~50%。
  3. 如請求項1或2之閃爍器面板，其中含有氧硫化釓或碘化銫作為該螢光體。
  4. 如請求項1之閃爍器面板，其中進一步具有區隔該閃爍器層的隔牆。
  5. 如請求項1、2或4中任一項之閃爍器面板，其中該金屬化合物粒子的折射率為1.7以上。
  6. 如請求項1、2或4中任一項之閃爍器面板，其中含有選自包含鋁化合物粒子、錫化合物粒子、鈦化合物粒子、鋯化合物粒子及鈮化合物粒子之群組中的金屬化合物粒子作為該金屬化合物粒子。
  7. 如請求項1、2或4中任一項之閃爍器面板，其中該金屬化合物粒子的平均粒徑為1~50nm。
  8. 如請求項1、2或4中任一項之閃爍器面板，其中該金屬化合物粒子係藉由將金屬化合物粒子、烷氧基矽烷化合物、溶劑及酸觸媒混合而得到。
  9. 如請求項8之閃爍器面板，其中該烷氧基矽烷化合物含有70~100莫耳%的3官能烷氧基矽烷及0~30莫耳%的2官能烷氧基矽烷化合物。
  10. 如請求項1、2或4中任一項之閃爍器面板，其中該閃爍器層進一步含有黏結劑樹脂。
  11. 如請求項10之閃爍器面板，其中含有聚矽氧樹脂作為該黏結劑樹脂。
  12. 如請求項11之閃爍器面板，其中含有具有矽氧烷鍵結與直接和芳香基及/或萘基鍵結的矽原子的聚矽氧樹脂作為該聚矽氧樹脂。
  13. 如請求項4之閃爍器面板，其中前述隔牆係藉由以含有2~20質量%之鹼金屬氧化物的低熔點玻璃作為主成分的材料所構成。
  14. 如請求項1之閃爍器面板，其中在該基板的表面形成有對於波長550nm的光線的反射率80%以上的反射層。
  15. 如請求項4之閃爍器面板，其中在該隔牆表面形成有對於波長550nm的光線的反射率80%以上的反射層。
  16. 如請求項14或15之閃爍器面板，其中在該反射層的表面進一步形成有折射率為1.5以下之低折射率層。
  17. 如請求項16之閃爍器面板，其中該低折射率層含有選自包含二氧化矽、水玻璃、聚矽氧樹脂、氟化鎂及氟系樹脂之群組中的化合物。
  18. 如請求項1、2或4中任一項之閃爍器面板，其中該基板為玻璃基板、陶瓷基板或薄膜。
  19. 一種放射線檢測器，其具備如請求項1至18中任一項之閃爍器面板。
  20. 一種放射線檢測器之製造方法，其係具備如請求項4至15中任一項之閃爍器面板與光二極體基板的放射線檢測器之製造方法，其中該光二極體基板具有與該閃爍器面板之被區隔的閃爍器層對向的光二極體，其具備(A)該閃爍器層與該光二極體之對齊步驟、及(B)該閃爍器面板與該光二極體基板之貼合步驟。
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