TWI639720B - Substrate for vapor deposition mask, method for producing substrate for vapor deposition mask, and method for producing vapor deposition mask - Google Patents

Substrate for vapor deposition mask, method for producing substrate for vapor deposition mask, and method for producing vapor deposition mask Download PDF

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Abstract

提供一種可提升藉蒸鍍所形成之圖案的精度之蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、蒸鍍遮罩的製造方法。
在金屬板的表面的長邊方向之長度是表面距離L，在金屬板的寬度方向DW的各位置之表面距離L當中之最小值是最小表面距離Lm，相對於最小表面距離Lm之在金屬板的寬度方向的各位置之表面距離L與最小表面距離Lm之差分的比率是延伸差率，在金屬板的寬度方向DW的中央部之延伸差率是3×10-5以下，在金屬板的寬度方向DW的雙方的端部之延伸差率是15×10-5以下，在金屬板的寬度方向DW的雙方的端部當中的至少一方之延伸差率係小於金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率。

Description

蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、及蒸鍍遮罩的製造方法
本發明係有關一種蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、及蒸鍍遮罩的製造方法。
蒸鍍遮罩具備第1面及第2面。第1面係與基板等之對象物對向，第2面位在第1面的相反側。貫通第1面至第2面的孔具備位在第1面的第1開口及位在第2面的第2開口。從第2開口進入孔的蒸鍍物質係將對應第1開口的位置或第1開口的形狀之圖案形成於對象物(例如，參照專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本國特開2015-055007號公報
蒸鍍遮罩所具備之孔係具有從第1開口朝向第2開口擴大之剖面積，提高從第2開口進入孔的蒸鍍物質之量，確保到達第1開口之蒸鍍物質的量。一方面，從第2開口進入孔的蒸鍍物質當中亦包含未到達第 1開口而附著於孔的壁面之蒸鍍物質。導致附著於孔的壁面之蒸鍍物質妨礙其他的蒸鍍物質到達第1開口，使圖案所具有的尺寸精度降低。
近年，為了使附著於孔的壁面之蒸鍍物質的量降低，藉以提高圖案所具有的尺寸精度，檢討將蒸鍍遮罩所具有的厚度薄化以縮小孔所具有之壁面的面積。此處，為了將蒸鍍遮罩所具有的厚度薄化，採用將用以製造蒸鍍遮罩的金屬板的厚度薄化之技術。另一方面，就在金屬板形成孔之蝕刻的步驟而言，因為金屬板具有的厚度越薄，被蝕刻的金屬之量越少，所以使金屬板接觸於蝕刻液的時間的容許範圍狹窄，難以獲得第1開口或第2開口所需的尺寸精度。特別是，就用以製造金屬板的技術而言，由於使用藉由輥將母材拉長的壓延或將析出於電極的金屬板從電極剝下的電解，所以因應於金屬板的位置而形成延伸差率相異之波形狀以作為金屬板的形狀。而且，就具有波形狀的金屬板而言，容易發生與蝕刻液接觸的時間是因應於金屬板的位置而不同的現象。如以上，針對孔尺寸難以獲得所需精度之薄的蒸鍍遮罩而言，雖藉由降低附著於孔的壁面之蒸鍍物質的量，能獲得藉由反復蒸鍍之圖案的尺寸精度，但會招致難以按各蒸鍍的圖案尺寸獲得所需精度的新課題。
本發明之目的在於提供一種可提升藉蒸鍍所形成之圖案的精度之蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、及蒸鍍遮罩的製造方法。
用以解決上述課題之蒸鍍遮罩用基材，係為具有帶狀的金屬板之蒸鍍遮罩用基材，其被使用於藉由蝕刻形成複數個孔而製造出蒸鍍遮罩，在前述金屬板的寬度方向之各位置的沿著前述金屬板的長邊方向之形狀係相異，各形狀係在前述金屬板的長邊方向具有反復的凹凸之波形狀，在前述金屬板的表面的長邊方向之長度是表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離當中之最小值是最小表面距離，相對於前述最小表面距離之在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離與前述最小表面距離之差分的比率是延伸差率，在前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率是3×10-5以下，在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部之延伸差率是15×10-5以下，在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部當中至少一方之延伸差率，係小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率。
亦可為：上述蒸鍍遮罩用基材係僅在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部當中一方之延伸差率是小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率，在前述雙方的端部之延伸差率的最大值之差係3×10-5以上且11×10-5以下。
亦可為：上述蒸鍍遮罩用基材係在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部之延伸差率是小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率，在前述雙方的端部之延伸差率及在前述中央部之延伸差率是1×10-5以下。
用以解決上述課題之蒸鍍遮罩用基材的製造方法為，具有帶狀的金屬板之蒸鍍遮罩用基材的製造方法，該蒸鍍遮罩用基材被使用於藉由蝕刻形成複數個孔而製造出蒸鍍遮罩。而且，包含壓延母材而獲得前述金屬板。在前述金屬板的寬度方向之各位置的沿著前述金屬板的長邊方向之形狀係相異，各形狀係在前述金屬板的長邊方向具有反復的凹凸之波形狀，在前述金屬板的表面的長邊方向之長度是表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離當中之最小值是最小表面距離，相對於前述最小表面距離之在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離與前述最小表面距離之差分的比率是延伸差率，為獲得前述金屬板，係在前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率是3×10-5以下、在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部之延伸差率是15×10-5以下、且以在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部當中至少一方之延伸差率成為小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率的方式壓延前述母材。
用以解決上述課題之蒸鍍遮罩的製造方法為，包含於具有帶狀的金屬板形成阻劑層，藉由以前述阻劑層作為遮罩的蝕刻在前述金屬板形成複數個孔而形成遮罩部。在前述金屬板的寬度方向之各位置的沿著前述金屬板的長邊方向之形狀係相異，各形狀係在前述金屬板的長邊方向具有反復的凹凸之波形狀，在前述金屬板的表面的長邊方向之長度是表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離當中之最小值是最小表 面距離，相對於前述最小表面距離之在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離與前述最小表面距離之差分的比率是延伸差率，為獲得前述金屬板，在前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率是3×10-5以下、在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部之延伸差率是15×10-5以下、及在前述金屬板的寬度方向的雙方的端部當中至少一方之延伸差率是小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率。
亦可為：上述蒸鍍遮罩的製造方法中更包含對於複數個前述遮罩部，將是前述各遮罩部所分別具備的1個側面且是形成有前述孔的開口之前述側面、及單一的框架部，以前述單一的框架部包圍前述各遮罩部所具有的前述複數個孔之方式相互地接合。
依據上述各構成，可提升藉由蒸鍍所形成之圖案的精度。
C‧‧‧核心
F‧‧‧應力
L‧‧‧表面距離
S‧‧‧蒸鍍對象
V‧‧‧空間
W‧‧‧尺寸
CP‧‧‧夾鉗
DL‧‧‧長邊方向
DW‧‧‧寬度方向
EP‧‧‧電極
H1‧‧‧第1開口
H2‧‧‧第2開口
Lm‧‧‧最小表面距離
PC‧‧‧中心
PR‧‧‧阻劑層
RC‧‧‧中央部
RE‧‧‧端部
RM‧‧‧阻劑遮罩
SH‧‧‧階差
SP‧‧‧支持體
TM‧‧‧中間轉印基材
ZE‧‧‧非測量範圍
ZL‧‧‧測量範圍
EPS‧‧‧電極表面
1‧‧‧蒸鍍遮罩用基材
1a‧‧‧母材
1b‧‧‧壓延材
1Sa、321‧‧‧第1面
1Sb、322‧‧‧第2面
2‧‧‧測定用基材
2a‧‧‧第1貫通孔
2S‧‧‧表面
3a‧‧‧第2貫通孔
4‧‧‧第1保護層
10‧‧‧遮罩裝置
20‧‧‧主框架
21‧‧‧主框架孔
30‧‧‧蒸鍍遮罩
31‧‧‧框架部
31E‧‧‧內緣部
32、32A、32B、32C‧‧‧遮罩部
32BN‧‧‧接合部
32E‧‧‧外緣部
32H‧‧‧孔
32K‧‧‧基材
32LH‧‧‧大孔
32SH‧‧‧小孔
33、33A、33B、33C‧‧‧框架孔
50‧‧‧壓延裝置
51、52‧‧‧壓延輥
53‧‧‧退火裝置
61‧‧‧第2保護層
311‧‧‧接合面
312‧‧‧非接合面
323‧‧‧遮罩板
圖1係顯示蒸鍍遮罩用基材的立體構造之立體圖。
圖2係將蒸鍍遮罩用基材的平面構造連同測定用基材一起顯示之平面圖。
圖3係將說明表面距離用的曲線圖連同測定用基材的剖面構造一起顯示之圖。
圖4係用以說明延伸差率的曲線圖。
圖5係顯示遮罩裝置的平面構造之平面圖。
圖6係將遮罩部的剖面構造的一例子作部分顯示之剖面圖。
圖7係將遮罩部的剖面構造的其他例子作部分顯示之剖面圖。
圖8係將遮罩部的緣與框架部之接合構造的一例子作部分顯示之剖面圖。
圖9係將遮罩部的緣與框架部之接合構造的其他例子作部分顯示之剖面圖。
圖10(a)係顯示蒸鍍遮罩的平面構造的一例子之平面圖，(b)係顯示蒸鍍遮罩的剖面構造的一例子之剖面圖。
圖11(a)係顯示蒸鍍遮罩的平面構造的其他例子之平面圖，(b)係顯示蒸鍍遮罩的剖面構造的其他例子之剖面圖。
圖12係顯示用以製造蒸鍍遮罩用基材之壓延步驟的步驟圖。
圖13係顯示用以製造蒸鍍遮罩用基材之加熱步驟的步驟圖。
圖14係顯示用以製造遮罩部的蝕刻步驟之步驟圖。
圖15係顯示用以製造遮罩部的蝕刻步驟之步驟圖。
圖16係顯示用以製造遮罩部的蝕刻步驟之步驟圖。
圖17係顯示用以製造遮罩部的蝕刻步驟之步驟圖。
圖18係顯示用以製造遮罩部的蝕刻步驟之步驟圖。
圖19係顯示用以製造遮罩部的蝕刻步驟之步驟圖。
圖20(a)~(h)係說明蒸鍍遮罩的製造方法的一例之步驟圖。
圖21(a)~(e)係說明蒸鍍遮罩的製造方法的一例之步驟圖。
圖22(a)~(f)係說明蒸鍍遮罩的製造方法的一例之步驟圖。
圖23係將在各實施例的測定用基材的平面構造連同尺寸一起顯示的平面圖。
圖24係顯示實施例1之延伸差率的曲線圖。
圖25係顯示實施例2之延伸差率的曲線圖。
圖26係顯示實施例3之延伸差率的曲線圖。
圖27係顯示比較例1之延伸差率的曲線圖。
圖28係顯示比較例2之延伸差率的曲線圖。
圖29係顯示比較例3之延伸差率的曲線圖。
參照圖1至圖29來說明蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、及蒸鍍遮罩的製造方法的一實施形態。
[蒸鍍遮罩用基材的構成]
如圖1所示，蒸鍍遮罩用基材1係具有帶狀的金屬板。蒸鍍遮罩用基材1係在作為短邊方向的寬度方向DW的各位置具有在長邊方向DL反復的凹凸之波形狀。在蒸鍍遮罩用基材1的寬度方向DW之各位置係具有彼此不同的波形狀。再者，圖1中，為說明蒸鍍遮罩用基材1所具有的形狀，將波形狀作比實際上還誇 大地顯示。蒸鍍遮罩用基材1所具有的厚度為15μm以上且50μm以下。蒸鍍遮罩用基材1所具有的厚度之均一性為，例如，相對於厚度的平均值之厚度之最大值與厚度之最小值的差分之比率是5%以下。
構成蒸鍍遮罩用基材1的材料係鎳或鐵鎳合金，例如含有30質量%以上的鎳之鐵鎳合金，當中，將36質量%鎳與64質量%鐵之合金作為主成分，亦即以恆範鋼者較佳。在將36質量%鎳與64質量%鐵之合金作為主成分的情況，殘餘成分係包含鉻、錳、碳、鈷等之添加物。在構成蒸鍍遮罩用基材1的材料是恆範鋼的情況，蒸鍍遮罩用基材1的熱膨脹係數係例如1.2×10-6/℃左右。若為具有這樣的熱膨脹係數之蒸鍍遮罩用基材1，則在由蒸鍍遮罩用基材1所製造的遮罩之熱膨脹所導致的大小變化與在玻璃基板之熱膨脹所導致的大小變化是相同的程度，故作為蒸鍍對象的一例，適合使用玻璃基板。
[延伸差率]
如圖2所示，在蒸鍍遮罩用基材1的寬度方向DW之各位置，在蒸鍍遮罩用基材1的表面的長邊方向DL之長度係表面距離L。在表面距離L的測量中，首先，實施蒸鍍遮罩用基材1在寬度方向DW的全體(全寬)被切斷的分切(slit)步驟，切出測定用基材2M作為在蒸鍍遮罩用基材1的長邊方向DL的一部分。在測定用基材2M的寬度方向DW之尺寸W係與在蒸鍍遮罩用基材1的寬度方向DW之尺寸相等。其次，針對測定用基 材2M的表面2S，測量在長邊方向DL的各位置之高度。屬於要測量在長邊方向DL的各位置之高度的範圍即測量範圍ZL，係排除在測定用基材2M的長邊方向DL的雙方的端部之非測量範圍ZE的範圍。在各非測量範圍ZE所具有的長邊方向DL之長度，係依切斷蒸鍍遮罩用基材1的分切步驟而可能具有與蒸鍍遮罩用基材1不同的波形狀之範圍，是被排除測定高度的範圍。在各非測量範圍ZE所具有的長邊方向DL之長度係例如100mm。
圖3係顯示在測定用基材2M的長邊方向DL的各位置之高度的一例的曲線圖，係將在含有測定用基材2M的長邊方向DL的剖面之剖面構造連同高度一起作顯示的圖。
如圖3所示，被測定高度的長邊方向DL的各位置係以可複製蒸鍍遮罩用基材1所具有的波形狀的凹凸之間隔排列。被測定高度的長邊方向DL的各位置，例如係在長邊方向DL以1mm之間隔排列。將在長邊方向DL的各位置之高度連結的折線LC之長度係以表面距離L被算出。蒸鍍遮罩用基材1之延伸差率係依式1所決定。亦即，當將在蒸鍍遮罩用基材1的寬度方向DW之各位置的表面距離L當中之最小值設為最小表面距離Lm時，相對於最小表面距離Lm之各表面距離L與最小表面距離Lm之差分的比率是延伸差率。
延伸差率=(L-Lm)/Lm…(式1)
圖4係顯示在蒸鍍遮罩用基材1的寬度方向DW之各位置之延伸差率。圖4的上段所示之實線係 在寬度方向DW之中央部之延伸差率比其他的部分還大的一例，圖4的下段所示之實線係在寬度方向DW的一端部之延伸差率比其他的部分還大的一例。
如圖4所示，蒸鍍遮罩用基材1之延伸差率，係在寬度方向DW的中央部RC具有極大值，在中央部RC與端部RE之交界附近具有極小值。而且，蒸鍍遮罩用基材1之延伸差率係從中央部RC朝向寬度方向DW的雙方的端部RE增大。寬度方向DW的中央部RC係將在蒸鍍遮罩用基材1的寬度方向DW之中心PC設為在中央部RC的寬度方向DW之中心。在寬度方向DW的中央部RC所具有的寬度方向DW之長度為在蒸鍍遮罩用基材1所具有的寬度方向DW之長度的40%。在寬度方向DW的各端部RE所具有的寬度方向DW之長度，係在蒸鍍遮罩用基材1所具有的寬度方向DW之長度的30%。如此的蒸鍍遮罩用基材1之延伸差率係滿足以下3個條件。
[條件1]在雙方的端部RE當中的至少一方之延伸差率係小於在寬度方向DW的中央部RC之延伸差率。
[條件2]中央部RC所具有的延伸差率係3×10-5以下。
[條件3]雙方的端部RE所具有的延伸差率係15×10-5以下。再者，雙方的端部RE所具有的延伸差率，較佳為10×10-5以下。
如圖4的上段之實線所示，在滿足條件1的例子方面，就在各端部RE之延伸差率是小於在中央部RC之延伸差率的蒸鍍遮罩用基材1而言，在中央部RC的表面之凹凸反復的數量或在中央部RC的表面之階差是大於各端部RE。如此的蒸鍍遮罩用基材1係容易使被供予蒸鍍遮罩用基材1的表面之液體從中央部RC朝向各端部RE，再從各端部RE朝向蒸鍍遮罩用基材1的外側流出。
如圖4的下段之實線所示，在滿足條件1的其他例子方面，就僅在一端部RE之延伸差率是小於在中央部RC之延伸差率的蒸鍍遮罩用基材1而言，在一端部RE的表面之凹凸反復的數量或在一端部RE的表面之階差是比中央部RC或另一端部RE還大。如此的蒸鍍遮罩用基材1係容易使被供予蒸鍍遮罩用基材1的表面之液體從一端部RE朝向另一端部RE，再從另一端部RE朝向蒸鍍遮罩用基材1的外側流出。
被供予蒸鍍遮罩用基材1的表面之液體係例如用以顯影存在於蒸鍍遮罩用基材1表面的阻劑層之顯影液、用以將顯影液從表面除去之洗淨液。又，被供予蒸鍍遮罩用基材1的表面之液體係例如用以蝕刻蒸鍍遮罩用基材1之蝕刻液、用以將蝕刻液從表面除去之洗淨液。又，被供予蒸鍍遮罩用基材1的表面之液體係例如用以將在蒸鍍遮罩用基材1的表面經蝕刻後殘存之阻劑層剝離之剝離液、用以將蝕刻液從表面除去之洗淨液。而且，若為被供予蒸鍍遮罩用基材1的表面之液流 中不易產生淤塞的上述各構成，可於蒸鍍遮罩用基材1的表面內提高採用液體的處理之加工的均一性。
此外，在未滿足條件1的例子方面，就在各端部RE之延伸差率是大於在中央部RC之延伸差率的蒸鍍遮罩用基材1而言，被供予蒸鍍遮罩用基材1表面的液體容易從各端部RE朝蒸鍍遮罩用基材1的外側流動，一方面，亦容易從各端部RE朝中央部RC流動。結果，在中央部RC易生囤液，成為採用液體的處理之加工的均一性在蒸鍍遮罩用基材1的表面內降低的要因。如此一來，滿足條件1的構成及藉其所能獲得之效果係依在中央部RC之延伸差率與在各端部RE之延伸差率之差而產生，藉由認識在使用液體之表面加工的課題而首次被導出。
[遮罩裝置的構成]
圖5係顯示具備使用蒸鍍遮罩用基材1所製造的蒸鍍遮罩之遮罩裝置的概略平面構造之平面圖。圖6係顯示蒸鍍遮罩所具備之遮罩部的剖面構造的一例之剖面圖，圖7係顯示蒸鍍遮罩所具備之遮罩部的剖面構造之其他例的剖面圖。再者，遮罩裝置所具備之蒸鍍遮罩的數量或蒸鍍遮罩30所具備之遮罩部的數量係一例。
如圖5所示，遮罩裝置10具備主框架20及3個蒸鍍遮罩30。主框架20具有支持複數個蒸鍍遮罩30之矩形框狀，被安裝於用以進行蒸鍍之蒸鍍裝置。主框架20係在遍及各蒸鍍遮罩30所位在的範圍之大致全體，具有貫通主框架20的主框架孔21。
各蒸鍍遮罩30具備具有帶板狀的複數個框架部31及在各框架部31各有3個的遮罩部32。框架部31具有支持遮罩部32的狹條狀，被安裝於主框架20。框架部31係在遍及遮罩部32所位在的範圍之大致全體，具有貫通框架部31的框架孔33。框架部31具有高於遮罩部32的剛性，且具有包圍框架孔33的框狀。各遮罩部32係在區劃框架孔33的框架部31的框架內緣部各有1個且透過熔著或接著而固定。
如圖6所示，遮罩部32的一例係由遮罩板323所構成。遮罩板323亦可為由蒸鍍遮罩用基材1所形成的1片板構件，亦可為由蒸鍍遮罩用基材1所形成的1片板構件與樹脂板之積層體。
遮罩板323具備第1面321及第2面322，該第2面322是第1面321的相反側的面。第1面321係在遮罩裝置10被安裝於蒸鍍裝置的狀態下與玻璃基板等之蒸鍍對象對向。第2面322係與蒸鍍裝置的蒸鍍源對向。遮罩部32具有貫通遮罩板323的複數個孔32H。孔32H的壁面相對於遮罩板323的厚度方向，在剖視中具有傾斜。孔32H的壁面的形狀在剖視中，亦可為圖6所示那樣的直線狀，亦可為朝孔32H的外側伸出的半圓弧狀，亦可為具有複數個彎曲點之複雜的曲線狀。
遮罩板323的厚度係1μm以上且50μm以下，較佳為，2μm以上且20μm以下。若遮罩板323的厚度是50μm以下，則可將形成於遮罩板323的孔32H之深度設為50μm以下。如此，若為薄的遮罩板323，則 縮小孔32H所具有的壁面的面積，使附著於孔32H的壁面之蒸鍍物質的量降低。
第2面322係含有為孔32H的開口之第2開口H2，第1面321係含有為孔32H的開口之第1開口H1。第2開口H2在平面視圖中是大於第1開口H1。各孔32H係為從蒸鍍源昇華的蒸鍍物質通過之通路，從蒸鍍源昇華的蒸鍍物質係從第2開口H2朝向第1開口H1前進。若為第2開口H2是大於第1開口H1的孔32H，則可增加從第2開口H2進入孔32H的蒸鍍物質之量。再者，在沿著第1面321的剖面之孔32H的面積亦可為從第1開口H1朝向第2開口H2，從第1開口H1朝向第2開口H2單調遞增。
如圖7所示，遮罩部32的其他例子為，具有貫通遮罩板323的複數個孔32H。第2開口H2在平面視圖中是大於第1開口H1。孔32H係由具有第2開口H2的大孔32LH及具有第1開口H1的小孔32SH所構成。大孔32LH的剖面積係從第2開口H2朝向第1面321單調遞減。小孔32SH的剖面積係從第1開口H1朝向第2面322單調遞減。孔32H的壁面，在剖視中係大孔32LH與小孔32SH連接的部位，亦即，在遮罩板323的厚度方向的中間具有朝孔32H的內側突出的形狀。在孔32H的壁面突出的部位與第1面321之間的距離係階差(Step-height)SH。就圖6所說明的剖面構造之例子而言，階差SH為零。就易於確保到達第1開口H1的蒸鍍物質之量的觀點而言，以階差SH為零之構成較佳。再者， 在獲得階差SH為零之遮罩部32的構成中，遮罩板323的厚度薄到從蒸鍍遮罩用基材1的單面的濕蝕刻可形成孔32H的程度，例如為50μm以下。
[遮罩部的接合構造]
圖8係顯示遮罩部32與框架部31之接合構造所具有的剖面構造的一例。圖9係顯示遮罩部32與框架部31之接合構造所具有的剖面構造的其他例子。
如圖8所示的例子，遮罩板323的外緣部32E係未具備孔32H的區域。遮罩板323所具有的第2面322中被遮罩板323的外緣部32E所包含之部分係遮罩部所具備的側面的一例，被接合於框架部31。框架部31具備區劃框架孔33的內緣部31E。內緣部31E具備與遮罩板323對向之接合面311、及非接合面312，該非接合面312是接合面311的相反側的面。內緣部31E的厚度T31，亦即，接合面311與非接合面312之距離比起遮罩板323所具有的厚度T32厚很多，因此，框架部31具有比遮罩板323還高的剛性。特別是，框架部31對於內緣部31E因自重而垂下或內緣部31E朝遮罩部32變位具有高的剛性。內緣部31E的接合面311具備和第2面322接合之接合部32BN。
接合部32BN係遍及內緣部31E的大致全周連續地或間歇地存在。接合部32BN亦可為藉接合面311與第2面322之熔著所形成的熔著痕，亦可為將接合面311與第2面322接合之接合層。框架部31係將內緣部31E的接合面311和遮罩板323的第2面322接合， 並將使遮罩板323被朝其外側拉伸那樣的應力F施加於遮罩板323。再者，框架部31亦同樣，將會朝其外側拉伸那樣的應力與在遮罩板323的應力F相同程度地，藉由主框架20施加。因此，就從主框架20卸下的蒸鍍遮罩30而言，依主框架20與框架部31之接合所引起的應力被解除，施加於遮罩板323的應力F亦被緩和。在接合面311之接合部32BN的位置係以使應力F對遮罩板323等方性作用的位置者較佳，依據遮罩板323的形狀及框架孔33的形狀而被適宜選擇。
接合面311係接合部32BN所存在的平面，從第2面322的外緣部32E朝向遮罩板323的外側擴展。換言之，內緣部31E具備第2面322朝其外側擬似擴張之面構造，從第2面322的外緣部32E朝遮罩板323的外側擴展。因此，在接合面311擴展的範圍中，相當於遮罩板323的厚度之空間V容易被形成在遮罩板323的周圍。結果，在遮罩板323的周圍，可抑制蒸鍍對象S與框架部31產生實體上的干涉。
圖9所示的例子中亦是，第2面322的外緣部32E具備未形成有孔32H的區域。第2面322的外緣部32E藉由接合部32BN的接合而被接合於框架部31所具備之接合面311。而且，框架部31係將會使遮罩板323被朝其外側拉伸那樣的應力F施加於遮罩板323，並在接合面311擴展的範圍中，形成相當於遮罩板323的厚度之空間V。
[遮罩部的數量]
圖10係顯示蒸鍍遮罩30所具備之孔32H的數量與遮罩部32所具備之孔32H的數量之關係的一例。又，圖11係顯示蒸鍍遮罩30所具備之孔32H的數量與遮罩部32所具備之孔32H的數量之關係的其他例。
如圖10(a)的例子所示，框架部31具有3個框架孔33。如圖10(b)的例子所示，蒸鍍遮罩30為，在各框架孔33具備各1個遮罩部32。區劃框架孔33A的內緣部31E係和1個遮罩部32A接合，區劃框架孔33B的內緣部31E與其他的1個遮罩部32B接合，區劃框架孔33C的內緣部31E與其他的1個遮罩部32C接合。
此處，蒸鍍遮罩30係被反復使用於複數個蒸鍍對象。因此，蒸鍍遮罩30所具備之各孔32H在孔32H的位置或孔32H的構造等被要求高的精度。如圖10所示的構成，若為1個框架部31所需之孔32H的數量以3個遮罩部32分割並承擔的構成，則即使是在1個遮罩部32的一部分發生變形的情況，與1個框架部31所需之孔32H的數量以單一的遮罩部來承擔的構成相比，可將與變形的遮罩部32交換之新的遮罩部32的大小縮小。而且，亦可抑制蒸鍍遮罩30的製造或蒸鍍遮罩30的補修等所需之各種材料的消耗量。再者，有關孔32H的位置或孔32H的構造之檢查，係以被施加應力F的狀態，亦即，在框架部31接合有遮罩部32的狀態下進行者較佳。就此觀點，上述的接合部32BN係以作成能將變形的遮罩部32交換成新的遮罩部32之構成較佳。而 且，構成遮罩部32的遮罩板323的厚度越薄且孔32H越小，遮罩部32的良率越下降。因此，在各框架孔33具備各1個遮罩部32的構成，亦特別適合於遮罩部32被要求高精細的蒸鍍遮罩30。
如圖11(a)的例子所示，框架部31具有3個框架孔33。如圖11(b)的例子所示，蒸鍍遮罩30具備各框架孔33共同的1個遮罩部32。區劃框架孔33A的內緣部31E、區劃框架孔33B的內緣部31E、區劃框架孔33C的內緣部31E係與和其等共同之1個遮罩部32接合。
再者，若為以1個遮罩部32來承擔1個框架部31所需之孔32H的數量之構成，則可將接合於框架部31的遮罩部32之數量設為1個，故可減輕框架部31與遮罩部32之接合所需的負荷。而且，構成遮罩部32的遮罩板323的厚度越厚，又，孔32H的尺寸越大，遮罩部32的良率容易提高。因此，具備各框架孔33共同的遮罩部32之構成亦特別適合於遮罩部32被要求低解析度的蒸鍍遮罩30。
[蒸鍍遮罩用基材的製造方法]
圖12及圖13係顯示於蒸鍍遮罩用基材的製造方法使用壓延進行製造的例子。
如圖12所示，在蒸鍍遮罩用基材的製造方法中，首先，準備是由恆範鋼等所形成之母材1a且是延伸於長邊方向DL的母材1a。其次，以母材1a的長邊方向DL與搬送母材1a的搬送方向成為平行的方式，朝向具備一對 的壓延輥51、52的壓延裝置50搬送母材1a。當母材1a到達一對的壓延輥51、52之間時，母材1a被一對的壓延輥51、52所壓延。因此，藉由母材1a沿著長邊方向DL被伸長，可獲得壓延材1b。壓延材1b雖會被捲繞於核心C，但壓延材1b亦可為不捲繞於核心C而在伸長成帶狀的狀態下被處理。壓延材1b的厚度係例如10μm以上且50μm以下。這時，以滿足上述的條件1、2、3之方式設定壓延輥51、52之間的推壓力與壓延輥51、52的旋轉速度。
如圖13所示，為去除被蓄積在壓延材1b內部的殘留應力，使用退火裝置53對壓延材1b進行退火。藉此，可獲得蒸鍍遮罩用基材1。壓延材1b的退火因為是將壓延材1b沿著長邊方向DL一邊拉伸一邊進行，故相較於退火前的壓延材1b，可獲得減低殘留應力之蒸鍍遮罩用基材1。再者，壓延步驟及退火步驟每一者亦可按以下方式變更並實施。亦即，例如，就壓延步驟而言，亦可為使用具備複數對的壓延輥之壓延裝置。又，亦可藉由將壓延步驟及退火步驟反復複數次來製造蒸鍍遮罩用基材1。又，就退火步驟而言，亦可不是將壓延材1b沿著長邊方向DL一邊拉伸一邊進行，而是對被捲繞於核心C之狀態的壓延材1b進行。
再者，在對被捲繞於核心C之狀態的壓延材1b進行退火步驟時，會有因蒸鍍遮罩用基材1被捲繞於核心C而在退火後的蒸鍍遮罩用基材1上形成反應蒸鍍遮罩用基材1被捲繞於核心C時的直徑之翹曲的特徵 之情況。因此，依據蒸鍍遮罩用基材1被捲繞於核心C時的直徑大小或形成母材1a的材料，以將壓延材1b沿著長邊方向DL一邊拉伸一邊將壓延材1b退火者較佳。
在蒸鍍遮罩用基材1的製造方法是使用電解之情況，被用於電解的電極表面形成有蒸鍍遮罩用基材1，之後，從電極表面使蒸鍍遮罩用基材1離型。在構成蒸鍍遮罩用基材1的材料是恆範鋼的情況，被用於電解的電解浴係含有鐵離子供給劑、鎳離子供給劑及pH緩衝劑。被用於電解的電解浴亦可含有應力緩和劑、Fe3+離子罩護劑、蘋果酸或檸檬酸等之錯合劑等，被調整為適合於電解的pH之弱酸性的溶液。鐵離子供給劑係例如硫酸亞鐵七水合物、氯化亞鐵、胺磺酸鐵等。鎳離子供給劑係例如硫酸鎳(II)、氯化鎳(II)、胺磺酸鎳、溴化鎳。pH緩衝劑係例如硼酸、丙二酸。丙二酸係亦作為Fe3+離子罩護劑發揮功能。應力緩和劑係例如糖精鈉。用於電解的電解浴，例如係含有上述的添加劑之水溶液，藉由5%硫酸或碳酸鎳等之pH調整劑，例如調整成pH是2以上且3以下。
被使用在電解之電解條件，係蒸鍍遮罩用基材1所具有的厚度、蒸鍍遮罩用基材1中之組成比等是依電解浴的溫度、電流密度及電解時間而被調整之條件。在使用了上述電解浴的電解條件中之陽極係例如純鐵與鎳。電解條件中之陰極係例如SUS304等之不鏽鋼板。電解浴的溫度係例如40℃以上且60℃以下。電流密度係例如1A/dm2以上且4A/dm2以下。這時，以滿足上述的條件1、2、3之方式設定電極表面之電流密度。
再者，藉電解所獲得之蒸鍍遮罩用基材1或藉壓延所獲得之蒸鍍遮罩用基材1，亦可藉由化學研磨而被薄化加工，亦可藉由電氣研磨被薄化加工。被用在化學研磨的研磨液係例如以過氧化氫為主成分之鐵系合金用的化學研磨液。被用在電氣研磨的電解液係過氯酸系的電解研磨液或硫酸系的電解研磨液。這時，因為滿足上述的條件1、2、3，故針對利用研磨液研磨的結果或利用洗淨液洗淨研磨液的結果，在蒸鍍遮罩用基材1之表面的不均受到抑制。
[遮罩部的製造方法]
針對圖7所示用以製造遮罩部32之步驟，參照圖14至圖19作說明。再者，因為於圖6所說明的用以製造遮罩部32之步驟係與在圖7說明的用以製造遮罩部32的步驟將小孔32SH作為貫通孔，省略用以形成大孔32LH的步驟之步驟同樣，故省略其重複的說明。
如圖14所示，在製造遮罩部時，首先，準備含有第1面1Sa與第2面1Sb之蒸鍍遮罩用基材1、貼附於第1面1Sa之第1乾膜阻劑2、及貼附於第2面1Sb之第2乾膜阻劑3。2個乾膜阻劑2、3每一者係與蒸鍍遮罩用基材1分開形成的膜。其次，於第1面1Sa貼附第1乾膜阻劑2，且於第2面1Sb貼附第2乾膜阻劑3。
如圖15所示，將乾膜阻劑2、3中形成孔的部位以外之部分曝光，將曝光後的乾膜阻劑顯影。藉此，於第1乾膜阻劑2形成第1貫通孔2a，且，於第2 乾膜阻劑3形成第2貫通孔3a。在要曝光第1乾膜阻劑2時，在第1乾膜阻劑2中與蒸鍍遮罩用基材1相接之面的相反側的面上，載放以使光到達要形成第1貫通孔2a的部分以外的部分之方式所建構的底版。在要曝光第2乾膜阻劑3時，在第2乾膜阻劑3中與蒸鍍遮罩用基材1相接之面的相反側的面上，載放以使光到達要形成第2貫通孔3a的部分以外的部分之方式所建構的底版。又，在要顯影曝光後的乾膜阻劑時，在顯影液方面，例如使用碳酸鈉水溶液。這時，因為滿足上述的條件1、2、3，故針對利用顯影液顯影的結果或利用其洗淨液洗淨的結果，在蒸鍍遮罩用基材1之表面的不均受到抑制。結果，關於第1貫通孔2a的形狀或大小，且第2貫通孔3a的形狀或大小，可提高於蒸鍍遮罩用基材1的表面內之均一性。
如圖16所示，例如，將第1乾膜阻劑2作為遮罩，使用氯化鐵液蝕刻蒸鍍遮罩用基材1的第1面1Sa。此時，於第2乾膜阻劑3形成第2保護層61，俾蒸鍍遮罩用基材1的第2面1Sb和第1面1Sa不同時被蝕刻。第2保護層61的形成材料只要是不易被氯化鐵液蝕刻的材料即可。藉此，在蒸鍍遮罩用基材1的第1面1Sa隔著第1乾膜阻劑2的第1貫通孔2a，形成向第2面1Sb凹陷的小孔32SH。小孔32SH具有在第1面1Sa開口的第1開口H1。這時，因為滿足上述條件1、2、3，故針對利用蝕刻液蝕刻的結果或利用其洗淨液洗淨的結果，在蒸鍍遮罩用基材1之表面的不均受到抑制。結果， 關於小孔32SH的形狀或大小，可提高於蒸鍍遮罩用基材1的表面內之均一性。
蝕刻蒸鍍遮罩用基材1的蝕刻液係酸性的蝕刻液，在蒸鍍遮罩用基材1是由恆範鋼構成的情況，只要是可蝕刻恆範鋼的蝕刻液即可。酸性的蝕刻液係例如對過氯酸鐵液及過氯酸鐵液與氯化鐵液之混合液混合有過氯酸、鹽酸、硫酸、蟻酸及醋酸中任一者的溶液。蝕刻蒸鍍遮罩用基材1的方法係亦可為將蒸鍍遮罩用基材1浸泡於酸性的蝕刻液之浸泡式，亦可為對蒸鍍遮罩用基材1噴附酸性的蝕刻液之噴霧式。
如圖17所示，將形成於蒸鍍遮罩用基材1的第1面1Sa之第1乾膜阻劑2及接於第2乾膜阻劑3之第2保護層61去除。又，在蒸鍍遮罩用基材1的第1面1Sa形成用以防止蝕刻第1面1Sa的第1保護層4。第1保護層4的形成材料只要是難以被氯化鐵液所蝕刻的材料即可。
如圖18所示，將第2乾膜阻劑3作為遮罩，使用氯化鐵液蝕刻蒸鍍遮罩用基材1的第2面1Sb。藉此，在蒸鍍遮罩用基材1的第2面1Sb經由第2乾膜阻劑3的第2貫通孔3a，朝向第1面1Sa形成凹陷的大孔32LH。大孔32LH具有在第2面1Sb開口的第2開口H2，在與第2面1Sb對向的平面視圖中，第2開口H2大於第1開口H1。這時，因為滿足上述條件1、2、3，故針對利用蝕刻液蝕刻的結果或利用洗淨液洗淨蝕刻液的結果，在蒸鍍遮罩用基材1之表面的不均受到抑制。結果， 關於大孔32LH的形狀或大小，可提高於蒸鍍遮罩用基材1的表面內之均一性。這時所用的蝕刻液亦為酸性的蝕刻液，且蒸鍍遮罩用基材1是由恆範鋼構成的情況，只要是可蝕刻恆範鋼的蝕刻液即可。蝕刻蒸鍍遮罩用基材1的方法亦可為將蒸鍍遮罩用基材1浸泡於酸性的蝕刻液之浸泡式，亦可為對蒸鍍遮罩用基材1噴附酸性的蝕刻液之噴霧式。
如圖19所示，藉由將第1保護層4與第2乾膜阻劑3從蒸鍍遮罩用基材1去除，可獲得形成有複數個小孔32SH及繋接於各小孔32SH的大孔32LH之遮罩部32。
再者，在形成用以形成蒸鍍遮罩用基材1的壓延用的母材1a時，通常，為了除去既混入用以形成壓延用的母材的材料中的氧，例如，使粒狀的鋁或鎂等之脫氧劑被混入用以形成母材的材料。鋁或鎂係以氧化鋁或氧化鎂等之金屬氧化物被包含於母材中。此等金屬氧化物的大部分係於母材被壓延前從母材被去取。一方面，金屬氧化物的一部分係殘留在成為壓延對象的母材上。關於這點，依據在蒸鍍遮罩用基材1的製造上使用電解之製造方法，可抑制金屬氧化物混合於遮罩部32。
[蒸鍍遮罩的製造方法]
說明蒸鍍遮罩的製造方法的各例子。再者，參照圖20，說明使用藉濕蝕刻形成孔的方法之一例。又，參照圖21，說明使用藉電解形成孔的方法之一例，參照圖22，說明使用藉電解形成孔之方法的其他例子。又， 製造在圖6說明的使用遮罩部32之蒸鍍遮罩的方法及在圖7說明的具備遮罩部32的蒸鍍遮罩之方法係指：對基材32K進行的蝕刻之形態相異，但其以外的步驟大致相同。以下，主要說明在圖6說明的具備遮罩部32之蒸鍍遮罩的製造方法，關於在圖7說明的具備遮罩部32之蒸鍍遮罩的製造方法，省略其重複的說明。
如圖20(a)~(h)所示的例子，在蒸鍍遮罩的製造方法的一例中，首先，準備基材32K(參照圖20(a))。再者，基材32K除了被加工作為遮罩板323之上述的蒸鍍遮罩用基材1以外，以更具備用以支持其蒸鍍遮罩用基材1之支持體SP者較佳。再者，基材32K的第1面321相當於上述的第1面1Sa，基材32K的第2面322相當於上述的第2面1Sb。
其次，藉由在基材32K所具有的第2面322形成阻劑層PR(參照圖20(b))，對阻劑層PR進行曝光及顯影，而在第2面322形成阻劑遮罩RM(參照圖20(c))。其次，藉由從使用有阻劑遮罩RM的第2面322進行濕蝕刻而在基材32K上形成孔32H(參照圖20(d))。這時，在被開始濕蝕刻的第2面322上形成第2開口H2，比其還慢被進行蝕刻的第1面321上形成比第2開口H2小的第1開口H1。其次，藉由使阻劑遮罩RM自第2面322被除去，而製造出上述的遮罩部32(參照圖20(e))。最後，藉由第2面322中的外緣部32E接合於框架部31的內緣部31E，支持體SP自遮罩部32離型，製造出蒸鍍遮罩30(參照圖20(f)至(h))。
再者，在圖7說明的具備遮罩部32之蒸鍍遮罩的製造方法中，上述的步驟是對未具有支持體SP的基材32K中與第1面321對應的基材32K的面施加，藉此，形成小孔32SH。其次，用以保護小孔32SH的阻劑等被填充於小孔32SH。接著，上述的步驟施加在與第2面322對應之基材32K的面，藉以製造遮罩部32。
圖20(f)所示的例子中，在將第2面322的外緣部32E接合於框架部31的內緣部31E的方法方面，使用電阻熔接。這時，在具有絕緣性的支持體SP形成有複數個孔SPH。各孔SPH係形成在支持體SP中的與成為接合部32BN的部位對向之部位上。而且，在對遮罩部32施加有朝向其外側的應力之狀態下，藉由通過孔SPH的通電而形成間歇的接合部32BN，藉此，使外緣部32E與內緣部31E熔著。
在圖20(g)所示的例子中，作為將第2面322的外緣部32E接合於框架部31的內緣部31E之方法，使用雷射熔接。這時，使用具透光性的支持體SP，通過支持體SP對成為接合部32BN的部位照射雷射光。而且，藉由照射間歇的雷射光而形成間歇的接合部32BN，或藉由連續地持續照射雷射光而形成連續的接合部32BN，藉此，使外緣部32E與內緣部31E熔著。再者，於支持體SP是在遮罩部32被施加朝向其外側的應力之狀態下支持遮罩部32的情況，關於對遮罩部32施加應力在此熔接中亦可省略。
在圖20(h)所示的例子中，作為將第2面322的外緣部32E接合於框架部31的內緣部31E之方法，使用超音波熔接。這時，外緣部32E與內緣部31E是被夾鉗CP等所挾持，對成為接合部32BN的部位施加超音波。被直接施加超音波的構件亦可為框架部31，亦可為遮罩部32。再者，在使用超音波熔接的情況，於框架部31或支持體SP形成因夾鉗CP所致之壓著痕跡。
再者，於圖8及圖9所說明之蒸鍍遮罩亦可藉圖21(a)~(e)所示的其他例子或藉圖22(a)~(f)所示的其他例子來製造。
如圖21(a)~(e)所示的例子，在蒸鍍遮罩的製造方法的其他例子中，首先，於被使用在電解之電極EP的表面，形成阻劑層PR(參照圖21(a))，該被使用在電解之電極EP的表面為電極表面EPS。其次，藉由對阻劑層PR進行曝光及顯影，屬圖案的一例之阻劑遮罩RM被形成於電極表面EPS(參照圖21(b))。在與電極表面EPS正交的剖面中，阻劑遮罩RM具有頂部是位在電極表面EPS的倒錐台狀，具有與電極表面EPS的距離越大，在沿著電極表面EPS的剖面之面積越大的形狀。其次，進行使用具有阻劑遮罩RM的電極表面EPS之電解，電極表面EPS中的在阻劑遮罩RM以外的區域擴展的金屬板被形成為遮罩部32(參照圖21(c))。
這時，在阻劑遮罩RM所占有的空間以外金屬會堆積而形成金屬板，所以具有仿效阻劑遮罩RM的形狀之形狀的孔被形成於金屬板。且遮罩部32的孔 32H自我整合地形成。亦即，與電極表面EPS接觸的面是作為具有第1開口H1的第1面321發揮功能，屬具有比第1開口H1還大的開口之第2開口H2的最表面是作為第2面322發揮功能。
其次，從電極表面EPS僅去除阻劑遮罩RM，藉此，形成將第1開口H1到第2開口H2設為中空的孔32H(參照圖21(d))。最後，在具有第2開口H2的第2面322的外緣部32E接合內緣部31E的接合面311，其次，用以將遮罩部32從電極表面EPS剝下的應力被施加於框架部31。或是接合於支持體等之遮罩部32從電極表面EPS被剝下，在其遮罩部32的第2面322中之外緣部32E接合內緣部31E的接合面311。藉以製造在框架部31接合有遮罩部32的狀態之蒸鍍遮罩30(參照圖21(e))。
如圖22(a)~(f)所示的例子，在蒸鍍遮罩的製造方法之其他例子中，首先，於被使用在電解之電極表面EPS形成阻劑層PR(參照圖22(a))。其次，藉由對阻劑層PR進行曝光及顯影，作為圖案的一例之阻劑遮罩RM被形成於電極表面EPS(參照圖22(b))。在與電極表面EPS正交的剖面中，阻劑遮罩RM具有底部是位在電極表面EPS的錐台狀，具有與電極表面EPS的距離越大，則沿著電極表面EPS的剖面之面積越小的形狀。其次，進行使用具有阻劑遮罩RM的電極表面EPS之電解，電極表面EPS中在阻劑遮罩RM以外的區域擴展的金屬板被形成為遮罩部32(參照圖22(c))。
此處，在阻劑遮罩RM所占有的空間以外金屬也會堆積而形成金屬板，所以具有仿效阻劑遮罩RM的形狀之形狀的孔被形成於金屬板。而且，遮罩部32中的孔32H自我整合地形成。亦即，與電極表面EPS接觸的面是作為具有第2開口H2的第2面322發揮功能，第1開口H1的最表面是作為第1面321發揮功能，該第1開口H1具有比第2開口H2還小的開口。
其次，從電極表面EPS僅去除阻劑遮罩RM，藉此，形成將第1開口H1到第2開口H2設為中空的孔32H(參照圖22(d))。而且，在具有第1開口H1的第1面321接合有中間轉印基材TM，其次，用以將遮罩部32從電極表面EPS剝下的應力被施加於中間轉印基材TM。藉此，於中間轉印基材TM接合著遮罩部32的狀態下使第2面322從電極表面EPS分離(參照圖22(e))。最後，在具有第2開口H2之第2面322的外緣部32E，接合有內緣部31E的接合面311，其次，中間轉印基材TM從遮罩部32被剝下。藉此，製造在框架部31接合有遮罩部32的狀態之蒸鍍遮罩30(參照圖22(f))。
[實施例]
參照圖23至圖29來說明各實施例。
[實施例1]
對將恆範鋼作為材料的母材1a進行壓延步驟及從壓延後的金屬板可在寬度方向DW獲得所期望大小的方式實施切斷金屬板的分切步驟。藉此，製造壓延材1b，對壓延材1b施加退火步驟，得到寬度方向DW的長度是 500mm且厚度是20μm的實施例1的蒸鍍遮罩用基材1。其次，如圖23所示，長邊方向DL之長度是700mm的實施例1之測定用基材2M，從實施例1的蒸鍍遮罩用基材1切出。接著，在涵蓋測定用基材2M的寬度方向DW的全體之範圍測定被切出之測定用基材2M的表面距離L，得到在實施例1的測定用基材2M之延伸差率。這時，在表面距離L的測定條件方面，使用以下所示之條件。
測定裝置：尼康(Nicon)公司製CNC影像測定系統VMR-6555
測量範圍ZL的長邊方向DL之長度：500mm
非測量範圍ZE的長邊方向DL之長度：100mm
長邊方向DL的測定間隔：1mm
寬度方向DW的測定間隔：20mm
實施例1之延伸差率的測定結果顯示於圖24及表1。再者，表1所示之延伸差率係在中央部RC及各端部RE之最大值。
如圖24所示，確認了實施例1的中央部RC所具有的延伸差率之最大值係2.42×10-5以下，各端部RE所具有的延伸差率係10×10-5以下，滿足上述條件2、3。而且，實施例1中，確認了在寬度方向DW的雙方的端部RE當中一者(端部A)的延伸差率之最大值是4.56×10-5，比在中央部RC之延伸差率還大，在寬度方向DW的雙方的端部RE當中的另一者(端部B)的延伸差率之最大值是1.53×10-5，比在寬度方向DW的中央部RC之延伸差率還小。亦即，確認了滿足上述條件1。再者，在寬度 方向DW的各端部RE之延伸差率的最大值之差為3.03×10-5。
[實施例2]
使在壓延輥51、52之間的推壓力高於實施例1的推壓力，將其他的條件設定成和實施例1的條件同樣，藉以獲得寬度方向DW的長度是500mm且厚度是15μm的實施例2的蒸鍍遮罩用基材1。其次，與實施例1同樣地，從實施例2的蒸鍍遮罩用基材1切出測定用基材2M，在涵蓋測定用基材2M的寬度方向DW的全體之範圍測定被切出之測定用基材2M的表面距離L，得到在實施例2的測定用基材2M之延伸差率。
實施例2之延伸差率的測定結果顯示於圖25及表1。
如圖25所示，確認了實施例2的中央部RC所具有的延伸差率之最大值係0.75×10-5且各端部RE所具有的延伸差率之最大值係0.10×10-5及0.68×10-5。而且，實施例2中，在寬度方向DW的雙方的端部RE之延伸差率是小於在寬度方向DW的中央部RC之延伸差率，確認了滿足上述條件1、2、3。
[實施例3]
使在壓延輥51、52之間的推壓力高於實施例1的推壓力，且設為與實施例2相異的分布，並將其他的條件設定成和實施例1的條件同樣，藉以獲得寬度方向DW的長度是500mm且厚度是15μm的實施例3的蒸鍍遮罩用基材1。其次，與實施例1同樣地，從實施 例3的蒸鍍遮罩用基材1切出測定用基材2M，在涵蓋測定用基材2M的寬度方向DW的全體之範圍測定被切出之測定用基材2M的表面距離L，得到在實施例3的測定用基材2M之延伸差率。
實施例3之延伸差率的測定結果顯示於圖26及表1。
如圖26所示，確認了實施例3的中央部RC所具有的延伸差率之最大值係1.23×10-5以下，各端部RE所具有的延伸差率係15×10-5以下，滿足上述條件2、3。而且，實施例3中，確認了在寬度方向DW的雙方的端部RE當中的一者(端部B)的延伸差率之最大值是1.11×10-5，小於在中央部RC之延伸差率，在寬度方向DW的雙方的端部RE當中的另一者(端部A)的延伸差率之最大值是12.50×10-5，大於在中央部RC之延伸差率。亦即，確認了滿足上述條件1。再者，在寬度方向DW的各端部RE之延伸差率的最大值之差係11.39×10-5。
[比較例1]
使在壓延輥51、52之間的推壓力高於實施例1的推壓力，且使壓延輥51、52的旋轉速度高於實施例1的旋轉速度，並將其他的條件設定成和實施例1的條件同樣，藉以獲得寬度方向DW的長度是500mm且厚度是20μm的比較例1的蒸鍍遮罩用基材1。其次，與實施例1同樣地，從比較例1的蒸鍍遮罩用基材1切出測定用基材2M，在涵蓋測定用基材2M的寬度方向DW的全體之範圍測定被切出之測定用基材2M的表面距離L，得到在比較例1的測定用基材2M之延伸差率。
比較例1之延伸差率的測定結果顯示於圖27及表1。
如圖27所示，確認了比較例1的中央部RC所具有的延伸差率之最大值係9.68×10-5，各端部RE所具有的延伸差率係15×10-5以下，未滿足上述條件2。而且，比較例1中，在寬度方向DW的雙方的端部RE之延伸差率是大於在寬度方向DW的中央部RC之延伸差率，亦確認了未滿足上述條件1。
[比較例2]
從比較例1變更在壓延輥51、52之間的推壓力之分布，將其他的條件設定成和比較例1的條件同樣，藉以獲得寬度方向DW的長度是500mm且厚度是20μm的比較例2的蒸鍍遮罩用基材1。其次，與比較例1同樣地，從比較例2的蒸鍍遮罩用基材1切出測定用基材2M，在涵蓋測定用基材2M的寬度方向DW的全體之範圍測定被切出之測定用基材2M的表面距離L，得到在比較例2的測定用基材2M之延伸差率。
比較例2之延伸差率的測定結果顯示於圖28及表1。
如圖28所示，確認了比較例2的中央部RC所具有的延伸差率之最大值係19.66×10-5，各端部RE當中的一者(端部A)之延伸差率係15×10-5以上，未滿足上述條件2及3。而且，比較例2中，確認了在寬度方向DW的雙方的端部RE當中的另一者(端部B)的延伸差率之最大值是4.48×10-5，比在中央部RC之延伸差率還小，在寬度 方向DW之雙方的端部RE當中的另一者(端部A)之延伸差率之最大值是26.54×10-5，比在中央部RC之延伸差率還大。亦即，確認了滿足上述條件1。
[比較例3]
從比較例1變更在壓延輥51、52之間的推壓力之分布，將其他的條件設定成和比較例1的條件同樣，藉以獲得寬度方向DW的長度是500mm且厚度是20μm的比較例3的蒸鍍遮罩用基材1。其次，與比較例1同樣地，從比較例3的蒸鍍遮罩用基材1切出測定用基材2M，在涵蓋測定用基材2M的寬度方向DW的全體之範圍測定被切出之測定用基材2M的表面距離L，得到在比較例3的測定用基材2M之延伸差率。
比較例3之延伸差率的測定結果顯示於圖29及表1。
如圖29所示，確認了比較例3的中央部RC所具有的延伸差率之最大值係1.19×10-5。另一方面，確認了在比較例3的寬度方向DW的雙方的端部RE當中的一者(端部B)的延伸差率之最大值是3.24×10-5，大於在中央部RC之延伸差率，在寬度方向DW的雙方的端部RE當中的另一者(端部A)的延伸差率之最大值是16.10×10-5，大於在中央部RC之延伸差率。亦即，確認了滿足上述條件2，但未滿足上述條件1、3。
[圖案的精度]
使用各實施例1、2、3及各比較例1、2、3的蒸鍍遮罩用基材1，在蒸鍍遮罩用基材1的第1面1Sa貼附厚度10μm的第1乾膜阻劑2。其次，使曝光遮罩接觸於第1乾膜阻劑2並進行曝光的曝光步驟及顯影步驟，將具有30μm的直徑之複數個貫通孔2a於第1乾膜阻劑2形成格子狀。接著，以第1乾膜阻劑2為遮罩對施以第1面1Sa蝕刻，將呈格子狀存在之複數個孔32H形成於蒸鍍遮罩用基材1。而且，針對各孔32H測量在蒸鍍遮罩用基材1的寬度方向DW之開口直徑。在各孔32H的寬度方向DW的開口直徑之不均顯示於表1。再者，表1中，於各孔32H所具有的開口直徑當中的開口直徑之最大值與開口直徑之最小值的差是2.0μm以下的水準記載標誌○，於開口直徑之最大值與開口直徑之最小值的差是比2.0μm大的水準記載標誌×。
如表1所示，各實施例1、2、3中，確認了開口直徑的不均都是2.0μm以下。另一方面，各比較例1、2、3中，確認了開口直徑的不均都是大於2.0μm。
再者，比較例1中，在各端部RE之延伸差率大於在中央部RC之延伸差率，又，在中央部RC之延伸差率是9.68×10-5，大於3×10-5，未滿足條件1、2。而且，比較例1中，雖滿足條件3，但亦確認了因為於在寬度方向DW之過大的延伸差率所伴隨的表面之大的凹凸，導致在開口直徑產生不均。
又，實施例1、3和比較例2中，皆是在一端部RE之延伸差率小於在中央部RC之延伸差率，滿足上述條件1。又，相對地，實施例1、3中，皆是在中央部RC之延伸差率為3.0×10-5以下，一方面，比較例2中，中央部RC之延伸差率超過3.0×10-5，未滿足上述條件2。又，實施例1、2中，在雙方的端部RE之延伸差率是15×10-5以下，一方面，比較例3中，在一端部RE之延伸差率是超過15×10-5以下，未滿足上述條件3。而且，在實施例1、2之開口直徑的不均係2.0μm以下，一方面，在比較例2之開口直徑的不均大於2.0μm。
結果，從此等實施例1、3與比較例2之比較，在中央部RC之延伸差率是3×10-5以下及在各端部RE之延伸差率是15×10-5以下，亦即，確認了因滿足條件2、3，故開口直徑的不均受到抑制。換言之，即便是一端部RE之延伸差率為滿足比中央部RC之延伸差率還小的蒸鍍遮罩用基材1而亦未滿足上述條件2、3的構成中，亦確認了起因於根本的過大延伸差率所伴隨之大的凹凸，導致在開口直徑產生不均。
又，實施例1、3和比較例3中，皆是在中央部RC之延伸差率係3×10-5以下，滿足條件2。相對地，實施例1、3中，皆是在一端部RE之延伸差率小於在中央部RC之延伸差率，滿足上述條件1，一方面，比較例3中，在各端部RE之延伸差率皆是大於在中央部RC之延伸差率，未滿足上述條件1。又，實施例1、2中，在雙方的端部RE之延伸差率是15×10-5以下，滿足上述條件3，一方面，比較例3中，在一端部RE之延伸差率超過15×10-5以下，未滿足上述條件3。而且，在實施例1、2之開口直徑的不均係2.0μm以下，一方面，在比較例3之開口直徑的不均大於2.0μm。
結果，從此等實施例1、2與比較例3之比較，確認了因未滿足條件3而產生開口直徑不均。換言之，就在中央部RC之延伸差率是小於在雙方的端部RE之延伸差率的蒸鍍遮罩用基材1而言，即便在一端部RE之延伸差率是比在另一端部RE之延伸差率大很多，確認了起因於在中央部RC之囤液等，會導致在開口直徑產生不均。
依據上述實施形態，可獲得以下列舉的效果。
(1)提高有關遮罩部32所具備之孔的形狀或孔的大小之精度，進一步可提高藉蒸鍍所形成之圖案的精度。再者，曝光阻劑的方法不限於使曝光遮罩接觸於阻劑的方法，亦可為不使曝光遮罩接觸於阻劑之曝光。若為使曝光遮罩接觸於阻劑的方法，則因為曝光遮罩的表面被 蒸鍍遮罩用基材按住，所以起因於蒸鍍遮罩用基材所具備之波形狀的曝光精度的降低受到抑制。即使是任一曝光方法，在以液體加工表面的步驟之精度被提高，進一步可提高藉蒸鍍所形成之圖案的精度。
(2)關於利用顯影液顯影的結果或利用其洗淨液洗淨的結果，在蒸鍍遮罩用基材1的表面之不均受到抑制。結果，關於經曝光步驟、顯影步驟所形成之第1貫通孔2a或第2貫通孔3a，可於蒸鍍遮罩用基材1的表面內提高其形狀或大小的均一性。
(3)關於利用蝕刻液蝕刻的結果或利用其洗淨液洗淨蝕刻液的結果，在蒸鍍遮罩用基材1的表面之不均受到抑制。又，關於利用剝離液剝離阻劑層之結果或利用其洗淨液洗淨剝離液之結果，在蒸鍍遮罩用基材1的表面之不均受到抑制。結果，關於小孔32SH的形狀或大小及大孔32LH的形狀或大小，可提高在蒸鍍遮罩用基材1的表面內之均一性。
(4)1個框架部31所需之孔32H的總數量，例如以3個遮罩部32來承擔。亦即，將1個框架部31所需之遮罩部32的總面積例如分割成3個遮罩部32。因此，即使是在1個框架部31中遮罩部32的一部分發生變形的情況，亦無需交換1個框架部31的所有的遮罩部32。而且，與1個框架部31具備1個遮罩部32的構成相比，亦可將與變形的遮罩部32交換之新的遮罩部32的大小縮小成1/3左右。
(5)在使用了測定用基材2M的表面距離L之測定中，將測定用基材2M的長邊方向DL的雙方的端部設為非測量範圍ZE，從表面距離L的測定對象排除。各非測量範圍ZE係因蒸鍍遮罩用基材1之切斷而可能具有與蒸鍍遮罩用基材1相異的波形狀之範圍。因此，若為將非測量範圍ZE從測定對象排除之測定，則可提高表面距離L的精度。

Claims (6)

  1. 一種蒸鍍遮罩用基材，係為具有帶狀的金屬板之蒸鍍遮罩用基材，其被使用於藉由蝕刻形成複數個孔而製造出蒸鍍遮罩，構成前述金屬板的材料係鎳或鐵鎳合金，前述金屬板的厚度為10μm以上且50μm以下，在前述金屬板的寬度方向之各位置的沿著前述金屬板的長邊方向之形狀係彼此相異，各形狀係在前述金屬板的長邊方向具有重複的凹凸之波形狀，在前述金屬板的表面的長邊方向之長度是表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離當中之最小值是最小表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離與前述最小表面距離之差分相對於前述最小表面距離的比率是延伸差率，在前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率是3×10-5以下，在前述金屬板的寬度方向的兩個端部之延伸差率是15×10-5以下，在前述金屬板的寬度方向的兩個端部當中至少一者之延伸差率，係小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率。
  2. 如請求項1之蒸鍍遮罩用基材，其中在前述金屬板的寬度方向的兩個端部當中僅一者之延伸差率是小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率，前述兩個端部之延伸差率的最大值之差係3×10-5以上且11×10-5以下。
  3. 如請求項1之蒸鍍遮罩用基材，其中在前述金屬板的寬度方向的兩個端部之延伸差率是小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率，前述兩個端部之延伸差率及前述中央部之延伸差率是1×10-5以下。
  4. 一種蒸鍍遮罩用基材的製造方法，係為具有帶狀的金屬板之蒸鍍遮罩用基材的製造方法，該蒸鍍遮罩用基材被使用於藉由蝕刻形成複數個孔而製造出蒸鍍遮罩，包含將壓延母材而獲得的壓延材進行退火而獲得前述金屬板，構成前述金屬板的材料係鎳或鐵鎳合金，前述金屬板的厚度為10μm以上且50μm以下，在前述金屬板的寬度方向之各位置的沿著前述金屬板的長邊方向之形狀係彼此相異，各形狀係在前述金屬板的長邊方向具有重複的凹凸之波形狀，在前述金屬板的表面的長邊方向之長度是表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離當中之最小值是最小表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離與前述最小表面距離之差分相對於前述最小表面距離的比率是延伸差率，在獲得前述金屬板的步驟中係以在前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率是3×10-5以下、在前述金屬板的寬度方向的兩個端部之延伸差率是15×10-5以下、且在前述金屬板的寬度方向的兩個端部當中至少一者之延伸差率成為小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率的方式壓延前述母材。
  5. 一種蒸鍍遮罩的製造方法，係包含於具有帶狀的金屬板形成阻劑層，以及藉由以前述阻劑層作為遮罩的蝕刻在前述金屬板形成複數個孔而形成遮罩部，該蒸鍍遮罩的製造方法為，構成前述金屬板的材料係鎳或鐵鎳合金，前述金屬板的厚度為10μm以上且50μm以下，在前述金屬板的寬度方向之各位置的沿著前述金屬板的長邊方向之形狀係彼此相異，各形狀係在前述金屬板的長邊方向具有重複的凹凸之波形狀，在前述金屬板的表面的長邊方向之長度是表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離當中之最小值是最小表面距離，在前述金屬板的寬度方向的各位置之表面距離與前述最小表面距離之差分相對於前述最小表面距離的比率是延伸差率，在獲得前述金屬板的步驟中在前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率是3×10-5以下、在前述金屬板的寬度方向的兩個端部之延伸差率是15×10-5以下、及在前述金屬板的寬度方向的兩個端部當中至少一者之延伸差率是小於前述金屬板的寬度方向的中央部之延伸差率。
  6. 如請求項5之蒸鍍遮罩的製造方法，其中更包含對於複數個前述遮罩部，將是前述各遮罩部所分別具備的1個側面且是形成有前述孔的開口之前述側面、及單一的框架部，以前述單一的框架部包圍前述各遮罩部所具有的前述複數個孔之方式相互地接合。
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