TWI636394B - Input detection device and electronic device - Google Patents

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TWI636394B
TWI636394B TW106116260A TW106116260A TWI636394B TW I636394 B TWI636394 B TW I636394B TW 106116260 A TW106116260 A TW 106116260A TW 106116260 A TW106116260 A TW 106116260A TW I636394 B TWI636394 B TW I636394B
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selection
magnetic field
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勝田忠義
水橋比呂志
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日商日本顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種可謀求提高檢測感度之輸入檢測裝置。 本發明之輸入檢測裝置具備：複數個驅動電極TL(n)～TL(p)，其等於俯視時相互平行配置，且各自具有一對端部n1、n2。將複數個驅動電極中之至少一個驅動電極TL(n+1)以時間上交替產生第1驅動狀態與第2驅動狀態之方式驅動，該第1驅動狀態係向上述驅動電極TL(n+1)之一端部n1供給第1驅動電壓，向其另一端部n2供給與上述第1驅動電壓不同之第2驅動電壓；第2驅動狀態係向上述驅動電極TL(n+1)之一端部n1供給上述第2驅動電壓，向其另一端部n2供給上述第1驅動電壓。

Description

輸入檢測裝置及電子裝置
本發明係關於輸入檢測裝置及電子裝置，尤其是關於具有可檢測外部物體接近之觸控檢測功能的輸入檢測裝置及電子裝置。
已知有可檢測外部物體接近或接觸之輸入檢測裝置即所謂之觸控面板。此種觸控面板可與使用液晶或OLED(Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)等之顯示裝置組合使用，且可搭載於例如行動電話或平板等電子機器。
作為檢測手指等外部物體之輸入檢測裝置已知有例如靜電電容方式之觸控面板。又，可檢測出作為外部物體之筆狀突起等之筆的觸控面板亦為已知。藉由使用筆可指定小於手指之區域、或可輸入手寫文字。作為檢測筆之觸控之方法之一，已知有電磁感應方式之觸控面板。
關於電磁感應方式之觸控面板之技術記載於例如專利文獻1。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-49301號公報
於電磁感應方式中，例如於輸入檢測裝置，設置有產生磁場之線圈(以下亦稱為磁場產生線圈)與檢測磁場之線圈(以下，亦稱為磁場檢測線 圈)。又，於外部物體即筆，內置有構成諧振電路之線圈與電容原件。
當筆接近輸入檢測裝置時，於磁場產生線圈與筆內之線圈之間產生磁場耦合。於該情形時，當於磁場產生線圈流動之電流變化時，藉由電磁感應，於筆內之線圈產生感應電壓，而對筆內之電容元件充電。伴隨充電至筆內之電容元件之電荷量，筆內之線圈產生磁場，藉由利用磁場檢測線圈檢測出磁場而檢測筆之接近。
然而，於此種觸控面板中，若筆內電容之充電量不足，則檢測感度下降，故有為了彌補該等而導致檢測期間延長等課題。
本發明之目的在於提供一種可於此種電磁感應方式之觸控面板中謀求檢測感度提高之輸入檢測裝置。
本發明一態樣之輸入檢測裝置具備：複數個驅動電極，其等於俯視時相互平行配置，且各自具有一對端部。此處，將複數個驅動電極中之至少一個第1驅動電極以時間上交替產生第1驅動狀態與第2驅動狀態之方式驅動，第1驅動狀態係向上述第1驅動電極之一端部供給第1驅動電壓，且向其另一端部供給與上述第1驅動電壓不同之第2驅動電壓；第2驅動狀態係向上述第1驅動電極之一端部供給上述第2驅動電壓，且向其另一端部供給上述第1驅動電壓。
又，本發明一態樣之輸入檢測裝置為具備驅動電極、且藉由於驅動電極流通電流而產生磁場的輸入檢測裝置。此處，驅動電極具有一端部與另一端部，且於輸入檢測裝置中，藉由於同一驅動電極中時間上交替產生電流自一端部流向另一端部之第1驅動狀態、與電流自另一端部流向一端部之第2驅動狀態，而使驅動電極產生之磁場之朝向在時間上反轉。
0‧‧‧接地電壓
1‧‧‧附觸控功能之液晶顯示裝置
2‧‧‧顯示區域
2-D‧‧‧邊
2-L‧‧‧邊
2-R‧‧‧邊
2-U‧‧‧邊
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧閘極驅動器
5‧‧‧觸控控制裝置
12-0~12-p‧‧‧單位驅動電路
13‧‧‧單位檢測電路
13-0~13-p‧‧‧單位檢測電路
100‧‧‧電子裝置
101‧‧‧電腦
102‧‧‧邊框
103‧‧‧按鈕
200‧‧‧觸控面板
500‧‧‧模組
500-D‧‧‧邊
500-L‧‧‧邊
500-R‧‧‧邊
500-U‧‧‧邊
501‧‧‧區域
502‧‧‧區域
AL(n)~AL(n+5)‧‧‧第1選擇信號
AR(n)~AR(n+5)‧‧‧第1選擇信號
BL(n)~BL(n+5)‧‧‧第2選擇信號
BR(n)~BR(n+5)‧‧‧第2選擇信號
C‧‧‧電容元件
CGB‧‧‧第2基板
CK‧‧‧時脈端子
CK-AL‧‧‧位移時脈信號
CK-AR‧‧‧位移時脈信號
CK-BL‧‧‧位移時脈信號
CK-BR‧‧‧位移時脈信號
CLK‧‧‧磁場驅動信號
CN‧‧‧連接器
COMFL‧‧‧控制信號
C-REG‧‧‧束暫存器
CSF1‧‧‧第1主面
CSF2‧‧‧第2主面
DET‧‧‧檢測電路
DP‧‧‧顯示期間
DRLR‧‧‧選擇驅動電路
DRVL‧‧‧驅動電路
DRVR‧‧‧驅動電路
DY(n-2)~DY(n+1)‧‧‧磁場檢測線圈
F6‧‧‧一點鏈線
F22(A)‧‧‧一點鏈線
F22(B)‧‧‧一點鏈線
FAL(n)~~FAL(n+5)‧‧‧位移段
FAR(n)~~FAR(n+5)‧‧‧位移段
FBL(n)~~FBL(n+5)‧‧‧位移段
FBR(n)~~FBR(n+5)‧‧‧位移段
FB1‧‧‧軟性線纜
FB2‧‧‧軟性線纜
FG‧‧‧手指
GX(n)~GX(n+4)‧‧‧磁場產生線圈
H‧‧‧高位準
I1‧‧‧電流
I2‧‧‧電流
IV0L~IV2L‧‧‧反相器電路
IV0R~IV2R‧‧‧反相器電路
L‧‧‧低位準
L1‧‧‧線圈
N0L~N7L‧‧‧N型場效電晶體
N0R~N7R‧‧‧N型場效電晶體
n1‧‧‧端部
n2‧‧‧另一端部
P0L~P7L‧‧‧P型場效電晶體
P0R~P7R‧‧‧P型場效電晶體
PDM‧‧‧像素排列
Pix‧‧‧像素
RL(0)~RL(p)‧‧‧檢測電極
Rx(0)~Rx(p)‧‧‧檢測信號
S00‧‧‧第1開關
S01‧‧‧第2開關
SCAL‧‧‧掃描電路
SCAR‧‧‧掃描電路
SCBL‧‧‧掃描電路
SCBR‧‧‧掃描電路
SCL‧‧‧第1掃描電路
SCR‧‧‧第2掃描電路
SDL‧‧‧第1選擇驅動電路
SDR‧‧‧第2選擇驅動電路
SEL(n)~SEL(n+5)‧‧‧單位選擇電路
SELG_L(n)~SELG_L(n+6)‧‧‧第2單位選擇信號
SELG_R(n)~SELG_R(n+6)‧‧‧第2單位選擇信號
SELH_L(n)~SELH_L(n+6)‧‧‧第1單位選擇信號
SELH_R(n)~SELH_R(n+6)‧‧‧第1單位選擇信號
SELL‧‧‧選擇電路
SELR‧‧‧選擇電路
SER(n)~SER(n+5)‧‧‧單位選擇電路
SL(0)~SL(p)‧‧‧信號線
S-REG‧‧‧隔開量暫存器
ST-AL‧‧‧啟動信號
ST-AR‧‧‧啟動信號
ST-BL‧‧‧啟動信號
ST-BR‧‧‧啟動信號
SW‧‧‧控制信號
t0~t11‧‧‧時刻
TC(n)~TC(n+5)‧‧‧電場觸控檢測期間
TGB‧‧‧第1基板
Ti‧‧‧輸入端子
TL(0)~TL(p)‧‧‧驅動電極
TL(n)~TL(p)‧‧‧驅動電極
To‧‧‧外部端子
TP1L‧‧‧第1傳送開關
TP1R‧‧‧第1傳送開關
TP2L‧‧‧第2傳送開關
TP2R‧‧‧第2傳送開關
TP3L‧‧‧第3傳送開關
TP3R‧‧‧第3傳送開關
TP4L‧‧‧第4傳送開關
TP4R‧‧‧第4傳送開關
TP5L‧‧‧第5傳送開關
TP5R‧‧‧第5傳送開關
TP6L‧‧‧第6傳送開關
TP6R‧‧‧第6傳送開關
TP(n-3)~TP(n+4)‧‧‧磁場觸控檢測期間
TPD‧‧‧磁場檢測期間
TPG‧‧‧磁場產生期間
TPH‧‧‧驅動信號
TPL‧‧‧驅動信號
TPSEL‧‧‧檢測時序信號
TP(ss)‧‧‧開始期間
TSF1‧‧‧第1主面
TSF2‧‧‧第2主面
TSHD‧‧‧同步信號
Tt‧‧‧外部端子
Tx(0)~Tx(p)‧‧‧電場驅動信號
UDL(n)~UDL(p)‧‧‧單位選擇驅動電路
UDR(n)~UDR(p)‧‧‧單位選擇驅動電路
USL‧‧‧單位驅動電路
USR‧‧‧單位驅動電路
VCOMDC‧‧‧顯示驅動電壓
Vd‧‧‧電壓
VGLO‧‧‧特定電壓
Vs‧‧‧接地電壓
Vs0~Vsp‧‧‧掃描線信號
VSEL1‧‧‧狀態選擇信號
VSEL2‧‧‧狀態選擇信號
XAL(n)~XAL(n+5)‧‧‧第1反轉選擇信號
XAR(n)~XAR(n+5)‧‧‧第1反轉選擇信號
XBL(n)~XBL(n+5)‧‧‧第2反轉選擇信號
XBR(n)~XBR(n+5)‧‧‧第2反轉選擇信號
1‧‧‧磁場
2‧‧‧磁場
11‧‧‧磁場
12‧‧‧磁場
+‧‧‧磁場驅動信號
△Q‧‧‧電荷量之差
圖1(A)及(B)係顯示顯示裝置之構成之俯視圖及剖視圖。
圖2(A)~(C)係顯示電磁感應方式之原理之說明圖。
圖3(A)~(C)係顯示靜電電容方式之原理之說明圖。
圖4係顯示實施形態1之顯示裝置之構成之方塊圖。
圖5係顯示實施形態1之模組之構成之俯視圖。
圖6係顯示實施形態1之第1掃描電路、第2掃描電路、第1選擇驅動電路及第2選擇驅動電路之構成的方塊圖。
圖7(A)~(D)係顯示實施形態1之掃描電路之構成之方塊圖。
圖8(A)及(B)係顯示實施形態1之第1選擇驅動電路及第2選擇驅動電路之構成之電路圖。
圖9(A)及(B)係用以說明實施形態1之磁場觸控檢測之動作之說明圖。
圖10(A)及(B)係用以說明選擇之驅動電極之驅動之說明圖。
圖11係說明實施形態1之磁場觸控檢測之整體動作之波形圖。
圖12係說明實施形態1之磁場觸控檢測之整體動作之波形圖。
圖13係說明實施形態1之電場觸控檢測之動作之波形圖。
圖14係說明實施形態1之電場觸控檢測之動作之波形圖。
圖15係說明實施形態1之電場觸控檢測之動作之方塊圖。
圖16係顯示實施形態2之第1掃描電路、第2掃描電路、第1選擇驅動電路及第2選擇驅動電路之構成的方塊圖。
圖17係顯示實施形態2之第2選擇驅動電路之構成之電路圖。
圖18係說明實施形態2之磁場觸控檢測之整體動作之波形圖。
圖19係說明實施形態2之磁場觸控檢測之整體動作之波形圖。
圖20係說明實施形態2之電場觸控檢測之動作之波形圖。
圖21係說明實施形態2之電場觸控檢測之動作之波形圖。
圖22(A)及(B)係顯示實施形態3之驅動電極之狀態之模式性俯視圖。
圖23係說明實施形態3之磁場觸控檢測之整體動作之波形圖。
圖24係說明實施形態3之磁場觸控檢測之整體動作之波形圖。
圖25係顯示實施形態1~3之電子裝置之立體圖。
圖26(A)及(B)係顯示實施形態4之觸控面板之構成之俯視圖。
以下，對本發明之各實施形態，一面參照圖式一面進行說明。另，揭示畢竟僅為一例，關於本領域技術人員對於確保發明主旨之適當變更容易想到者，當然為本發明之範圍所含有。又，圖式係為了使說明更明確，而有與實際態樣相比，對各部之寬度、厚度、形狀等模式性顯示之情形，但畢竟僅為一例，並非限定本發明之解釋者。
又，於本說明書與各圖中，關於既有之圖，有時對與上述者同樣之要素，標註相同之符號而適當省略詳細之說明。作為輸入檢測裝置，以下之說明以附觸控檢測功能之液晶顯示裝置為例進行敘述，但並非限定於此者。例如，輸入檢測裝置可為附觸控檢測功能之OLED顯示裝置，亦可為無顯示功能之觸控面板等。
(實施形態1)
於實施形態1中，提供一種附可檢測筆之觸控與手指之觸控兩者之觸控檢測功能的液晶顯示裝置(以下，亦稱為顯示裝置)。即，於實施形態1，於液晶顯示裝置中內置有電磁感應方式之觸控面板與靜電電容方式之 觸控面板。首先，說明顯示裝置之基本構成，接著，說明檢測筆之觸控之磁場檢測(以下亦稱為磁場觸控檢測)及檢測手指之觸控之電場檢測(以下，亦稱為電場觸控檢測)的原理。
<顯示裝置之基本構成>
圖1係模式性顯示顯示裝置之構成之圖。於圖1中，1係表示顯示裝置，圖1(A)係顯示顯示裝置1之平面之俯視圖，圖1(B)係顯示顯示裝置1之剖面之剖視圖。顯示裝置1具備：TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)玻璃基板(以下，亦稱為絕緣性第1基板或簡單稱為第1基板)TGB、積層於第1基板TGB之層(Layer)、彩色濾光片CFT、CF(Color Filter)玻璃基板(以下，亦稱為絕緣性第2基板或簡單稱為第2基板)CGB及積層於第2基板CGB之層(Layer)。
於圖1(A)中，TL(0)~TL(p)顯示形成於第1基板TGB之第1主面TSF1之驅動電極。又，RL(0)~RL(p)顯示形成於第2基板CGB之第1主面CSF1之檢測電極。於圖1(A)中，將第1基板TGB與第2基板CGB分開而描繪，但實際上如圖1(B)所示，以第1基板TGB之第1主面TSF1與第2基板CGB之第2主面CSF2隔著液晶層對向之方式配置。
於圖1(B)中，於第1基板TGB之第1主面TSF1與第2主面CSF2之間配置驅動電極TL(0)~TL(n+2)、液晶層及彩色濾光片CFT。於第2基板CGB之第1主面CSF1，配置複數個檢測電極RL(0)~RL(p)與偏光板。13為與檢測電極RL(n)連接之單位檢測電路。
於本說明書中，如圖1(A)所示，將自第2基板CGB及第1基板TGB之第1主面CSF1、TSF1側觀察顯示裝置1時之狀態作為俯視進行說明(圖1(B)所示之目視方向)。於俯視觀察時，驅動電極TL(0)~TL(p)於第1基板 TGB之第1主面TSF1中，於列方向(橫方向)延伸，且於行方向(縱方向)平行配置。又，檢測電極RL(0)~RL(p)於第2基板CGB之第1主面CSF1中，於行方向(縱方向)延伸，且於列方向(橫方向)平行配置。
驅動電極TL(0)~TL(p)與檢測電極RL(0)~RL(p)以立體交叉之方式配置，且相互電性分離。以圖1(B)之虛線顯示形成於驅動電極TL與檢測電極RL之間之電容。
於圖1(A)中，驅動電極TL(0)~TL(p)與檢測電極RL(0)~RL(p)以正交之方式配置，但並不限定於此，亦可以特定之角度交叉。於本實施形態中，可將驅動電極TL(0)~TL(p)兼作電磁感應方式或靜電電容方式之觸控驅動電極，將檢測電極RL(0)~RL(p)兼作電磁感應方式或靜電電容方式之觸控檢測電極。又，驅動電極TL(0)~TL(p)亦可兼作顯示裝置之共通電極。
<磁場檢測之原理>
圖2係顯示筆檢測時即磁場檢測之原理之說明圖。磁場檢測之期間由產生磁場之磁場產生期間與檢測磁場之磁場檢測期間構成。圖2(A)及(C)係顯示磁場產生期間時之動作，圖2(B)係顯示磁場檢測期間時之動作。另，圖2(A)~(C)係顯示將圖1(A)90度旋轉之狀態。
於磁場產生期間，驅動電極TL(0)~TL(p)中之特定之驅動電極間之端部電性連接，且向端部所連接之驅動電極，供給特定之電壓(例如接地電壓Vs)與磁場驅動信號。例如，將圖1所示之驅動電極TL(0)及TL(2)各者之一端部及另一端部中之另一端部在圖1之右側電性連接。藉此，將相互平行配置之驅動電極TL(0)及TL(2)串聯連接。向驅動電極TL(0)之一端部，於圖1之左側，供給接地電壓Vs，向驅動電極TL(2)之一端部，於圖1 之左側，供給磁場驅動信號。此處，磁場驅動信號係其電壓週期性變化之信號。由驅動電極TL(0)及TL(2)，構成以由該驅動電極所夾之區域(形成之區域)為內側之磁場產生線圈，該磁場產生線圈於其內側產生對應於磁場驅動信號之電壓變化之磁場。
於圖2(A)中，GX(n-1)係顯示由驅動電極TL(0)、TL(2)構成之磁場產生線圈，GX(n)~GX(n+4)各者與磁場產生線圈GX(n-1)同樣，係顯示由驅動電極TL(1)、TL(3)~TL(p)構成之磁場產生線圈。
於圖2(A)中，C及L1表示內置於筆Pen之電容元件及線圈。電容元件C與線圈L1以構成諧振電路之方式並聯連接。於磁場產生期間，向磁場產生線圈GX(n-1)~GX(n+3)各者之一端部供給接地電壓Vs。將磁場驅動信號CLK供給至磁場產生線圈GX(n)之另一端部。藉此，磁場產生線圈GX(n)產生對應於磁場驅動信號CLK之電壓變化之磁場 1。若筆Pen接近磁場產生線圈GX(n)，則磁場產生線圈GX(n)與線圈L1之間產生電磁耦合，且藉由磁場 1，於線圈L1產生由相互感應所致之感應電壓，而對電容元件C充電。
接著，向如圖2(B)所示之磁場檢測期間移行。於磁場檢測期間，使用檢測電極RL(0)~RL(p)進行磁場之檢測。檢測電極RL(0)~RL(p)具有一對端部。檢測電極RL(0)~RL(p)之一端部及另一端部中，特定之檢測電極間之另一端部相互電性連接。例如，圖1所示之檢測電極RL(0)與RL(3)各者之另一端部於圖1之上側電性連接。藉此，將平行配置之檢測電極RL(0)、RL(3)串聯連接。於磁場檢測期間，向檢測電極RL(3)之一端部供給特定之電壓Vs，並將檢測電極RL(0)之一端部與單位檢測電路連接。藉此，形成以檢測電極RL(0)與RL(3)所夾之區域(形成之區域)為內側 之磁場檢測線圈，且藉由該磁場檢測線圈進行來自筆Pen之磁場之檢測。
於圖2B中，DY(n-2)顯示由檢測電極RL(0)、RL(3)構成之磁場檢測線圈，DY(n-1)~DY(n+1)同樣顯示由檢測電極RL(2)~RL(p)構成之磁場檢測線圈。於磁場檢測期間時，向磁場檢測線圈DY(n-2)~DY(n+1)各者之一端部供給特定之電壓Vs，並將各者另一端部之信號Rx(n-2)~Rx(n+1)供給至單位檢測電路。
於磁場產生期間，若對電容元件C進行充電，則於磁場檢測期間時，線圈L1根據充電至電容元件C之電荷，產生對應諧振電路之諧振頻率而變化之磁場 2。於圖2(B)中，於磁場檢測線圈DY(n)之內側，存在線圈L1之中心(一點鏈線)。因此，於磁場檢測線圈DY(n)與線圈L1之間產生電磁耦合，且藉由相互感應而於磁場檢測線圈DY(n)產生感應電壓。其結果，磁場檢測線圈DY(n)之另一端部之信號Rx(n)根據充電至電容元件C之電荷量而變化。與磁場檢測線圈DY(n)連接之單位檢測電路將該信號Rx(n)之變化作為檢測信號而輸出。藉此，可擷取筆Pen是否接近(觸控)、及座標。又，由於檢測信號根據電荷量而變化，故可求出與筆Pen之距離。
圖2(C)係顯示接續圖2(B)移行之磁場產生期間。與圖2(A)之不同點在於：向磁場產生線圈GX(n+1)供給磁場驅動信號CLK。此時，由於磁場產生線圈GX(n+1)之內側不存在線圈L1之中心，故不於線圈L1產生感應電壓，故而電容元件C未充電。藉此，於接續圖2(C)移行之磁場檢測期間，未檢測到筆Pen之接近。其後，同樣地藉由掃描所驅動之磁場產生線圈與磁場檢測線圈而進行顯示區域之筆Pen之檢測。
<電場檢測之原理>
圖3係顯示手指檢測時，即電場檢測之原理之說明圖。於圖3(A)中， 12-0~12-p分別表示輸出電場驅動信號之單位驅動電路，13-0~13-p分別表示單位檢測電路。又，於圖3(A)中，由實線之○圈示之脈衝信號顯示向驅動電極TL(2)供給之電場驅動信號Tx(2)之波形。將作為外部物體之手指顯示為FG。
當向驅動電極TL(2)供給電場驅動信號Tx(2)時，如圖3(B)所示，於驅動電極TL(2)、及與該驅動電極TL(2)正交之檢測電極RL(n)之間產生電場。此時，若手指FG觸控驅動電極TL(2)之附近，則於手指FG與驅動電極TL(2)之間亦產生電場，驅動電極TL(2)與檢測電極RL(n)之間產生之電場減少。藉此，驅動電極TL(2)與檢測電極RL(n)之間的電荷量減少。其結果，如圖3(C)所示，應答於驅動信號Tx(2)之供給而產生之電荷量於手指FG觸控時，與未觸控時相比減少△Q。電荷量之差以電壓差表示，且供給至單位檢測電路13-n，並作為檢測信號輸出。
關於其他驅動電極亦同樣，藉由供給電場驅動信號，於檢測電極RL(0)~RL(p)產生對應於手指FG是否觸控之信號之電壓變化，並作為檢測信號輸出。藉此，可擷取手指FG是否觸控、及座標。
如上所述，於磁場檢測時，向驅動電極TL(0)~TL(p)中之選擇之驅動電極供給接地電壓與磁場驅動信號，於電場檢測時，向選擇之驅動電極供給電場驅動信號。另一方面，於顯示時，向驅動電極TL(0)~TL(p)供給顯示驅動信號。由於驅動電極TL(0)~TL(p)各者根據顯示驅動信號而設定為相同之電壓，故驅動電極TL(0)~TL(p)可視為一個共通電極。
<顯示裝置之整體構成>
圖4係顯示實施形態1之顯示裝置1之構成之方塊圖。於圖4中，顯示裝置1具備：顯示面板(液晶面板)、控制裝置3、閘極驅動器4及觸控控制 裝置5。又，顯示裝置1具備：第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL、第2選擇驅動電路SDR及檢測電路DET。顯示面板具備：進行顯示之顯示區域(顯示部)與配置有周邊電路等之周邊區域(周邊部)。於圖4中，2為顯示區域。
顯示區域2具有將複數個像素矩陣狀配置之像素排列。於像素排列，配置有複數條信號線、複數個驅動電極、複數條掃描線及複數個檢測電極。若參照圖4敘述，則於像素排列中，信號線SL(0)~SL(p)於縱方向(行方向)延伸，且於橫方向(列方向)平行配置。又，驅動電極TL(0)~TL(p)於橫方向延伸，且於縱方向平行配置。再者，掃描線於橫方向延伸，且於縱方向平行配置。檢測電極RL(0)~RL(p)於縱方向延伸，且於橫方向平行配置。於該情形時，像素配置於藉由上述複數條信號線與複數條掃描線交叉而形成之空間。於顯示之期間(顯示期間)，根據信號線與掃描線選擇像素，並向選擇之像素施加此時之信號線之電壓、與驅動電極之電壓，且進行根據信號線與驅動電極之間之電壓差之顯示。
控制裝置3接收供給至外部端子Tt之時序信號與供給至輸入端子Ti之圖像資訊，且於顯示期間時，形成根據圖像資訊之圖像信號，並供給至複數條信號線SL(0)~SL(p)。又，控制裝置3接收供給至外部端子Tt之時序信號與來自觸控控制裝置5之控制信號SW，並形成各種信號。於圖4，由控制裝置3形成之信號中，僅對說明所需之信號為代表加以描繪。即，控制裝置3形成同步信號TSHD、驅動信號TPH、TPL、控制信號COMFL、檢測時序信號TPSEL、狀態選擇信號VSEL1、VSEL2。又，控制裝置3形成位移時脈信號CK-AR、CK-BR、CK-AL、CK-BL及啟動信號ST-AR、ST-BR、ST-AL、ST-BL。
雖無特別限制，但於該實施形態1中，控制裝置3具備隔開量暫存器(第1暫存器)S-REG。隔開量相當於磁場產生時選擇複數個驅動電極形成線圈時，配置於選擇之驅動電極之間之非選擇驅動電極的數量n。藉由隔開量n可調整筆檢測時之檢測感測或檢測精度。基於儲存於該隔開量暫存器S-REG之資訊，控制裝置3形成啟動信號ST-AR、ST-BR、ST-AL、ST-BL及位移時脈信號。又，控制裝置3具備以虛線顯示之束暫存器(第2暫存器)C-REG。儲存於束暫存器C-REG之捆扎數係選擇複數個驅動電極形成線圈時各個驅動電極所包含之鄰接之驅動電極的數量m。捆扎量m係選擇線圈之粗細之資訊，可藉由捆扎量調整輸入檢測裝置之檢測感度或檢測精度。由於該束暫存器C-REG在下文於實施形態3中進行說明，故此處省略說明。
同步信號TSHD為識別於顯示區域2中進行顯示之顯示期間與進行觸控檢測之觸控檢測期間之同步信號。控制裝置3以根據該同步信號TSHD，使觸控控制裝置5於觸控檢測期間時動作之方式控制。
閘極驅動器4於顯示時，根據來自控制裝置3之時序信號形成掃描線信號Vs0~Vsp，並供給至顯示區域2內之掃描線。於顯示期間，選擇與供給有高位準之掃描線信號之掃描線連接之像素，且選擇之像素進行根據此時供給至信號線SL(0)~SL(p)之圖像信號之顯示。
檢測電路DET於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，檢測檢測電極RL(0)~RL(p)之信號之變化，並作為檢測信號Rx(0)~Rx(p)輸出。
觸控控制裝置5接收檢測信號Rx(0)~Rx(p)，擷取被觸控之位置之座標，並自外部端子To輸出。又，觸控控制裝置5輸出控制信號SW，並接收同步信號TSHD，且與控制裝置3同步動作。
顯示區域2具有：與像素排列之列平行之邊2-U、2-D、及與像素排列之行平行之邊2-R、2-L。此處，邊2-U與邊2-D為相互對向之邊，且於該2邊之間，配置有像素排列之複數個驅動電極與複數條掃描線。又，邊2-R與邊2-L亦為相互對向之邊，且於該2邊之間，配置有像素排列之複數條信號線與複數個檢測電極。
第1掃描電路SCL及第1選擇驅動電路SDL配置為沿著顯示區域2之邊2-L，接近複數個驅動電極之一端部，第1選擇驅動電路SDL於邊2-L上，與驅動電極TL(0)~TL(p)各者之一端部連接。同樣地，第2掃描電路SCR及第2選擇驅動電路SDR配置為沿著顯示區域2之邊2-R，接近複數個驅動電極之另一端部，第2選擇驅動電路SDR於邊2-R上，與驅動電極TL(0)~TL(p)各者之另一端部連接。
第1掃描電路SCL具有：一對掃描電路SCAL、SCBL，第1選擇驅動電路SDL具有：選擇電路SELL與驅動電路DRVL。同樣地，第2掃描電路SCR具有：一對掃描電路SCAR、SCBR，第2選擇驅動電路SDR具有：選擇電路SELR與驅動電路DRVR。於本說明書中，為了區分第1掃描電路SCL及第2掃描電路SCR，有時亦將掃描電路SCBL稱為第1單位掃描電路SCBL，將掃描電路SCAL稱為第2單位掃描電路SCAL。同樣地，有時亦將掃描電路SCBR稱為第3單位掃描電路SCBR，將掃描電路SCAR稱為第4單位掃描電路SCAR。驅動電路DRVL及驅動電路DRVR各自具備：信號配線TPH與信號配線TPL。
第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR於磁場觸控檢測時，自驅動電極TL(0)~TL(p)選擇所期望之驅動電極，並向選擇之驅動電極經由信號配線TPH及TPL供給磁場 驅動信號與接地電壓，於電場觸控檢測時，亦選擇所期望之驅動電極，並向選擇之驅動電極經由信號配線TPH供給電場驅動信號。因此，於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，可視為由第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR構成驅動驅動電極之驅動電路。
關於第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR，由於在下文使用圖式詳細地進行說明，故此處不再進一步說明。
<顯示裝置1之模組構成>
圖5係顯示安裝顯示裝置1之模組500之整體構成之模式性俯視圖。雖為模式性，但圖5係對照實際配置而加以描繪。於同圖中，501表示圖1所示之第1基板TGB之區域顯示，502表示由第1基板TGB與第2基板CGB積層之區域。於模組500中，第1基板TGB在區域501與502中成為一體。又，於區域502中，以第1基板TGB之第1主面TSF1與第2基板CGB之第2主面CSF2對向之方式將第2基板CGB搭載於第1基板TGB。又，於圖5中，500-U、500-D表示模組500之短邊，500-L、500-R表示模組500之長邊。
於區域502，即於顯示區域2之邊2-L與模組500之邊500-L之間之區域，配置有圖4所示之閘極驅動器4、第1掃描電路SCL及第1選擇驅動電路SDL。於區域502，即於顯示區域2之邊2-R與模組500之邊500-R之間之區域，配置有圖4所示之第2掃描電路SCR及第2選擇驅動電路SDR。於顯示區域2之邊2-D與模組500之邊500-D之間之區域，配置有圖4所示之檢測電路DET及控制裝置3。檢測電路DET由形成於區域501之第1基板TGB之第 1主面TSF1之配線及零件構成。以於俯視觀察時覆蓋檢測電路DET之方式，將控制裝置3安裝於第1基板TGB。又，構成第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之配線及零件亦形成於區域502之第1基板TGB之第1主面TSF1。
圖4中說明之檢測信號Rx(0)~Rx(p)經由軟性線纜FB1內之配線供給至觸控控制裝置5。於區域501，連接有軟性線纜FB2，且經由設置於該軟性線纜FB2之連接器CN，於觸控控制裝置5與控制裝置3之間進行信號之收發。
於顯示區域2，如已述般，具有將複數個像素矩陣狀排列之像素排列，且具備：沿著像素排列之列配置之複數個驅動電極TL(0)~TL(p)及掃描線、與沿著排列之行配置之複數條信號線SL(0)~SL(p)及複數個檢測電極RL(0)~RL(p)。於圖5，作為例顯示2個驅動電極TL(n)、TL(m)、2條信號線SL(k)、SL(n)、及3個檢測電極RL(n-1)~RL(n)。另，於圖5中，省略掃描線，但掃描線與例示之驅動電極TL(n)、TL(m)平行延伸。
又，於圖5將像素排列以虛線PDM表示，且將配置於像素排列PDM之複數個像素中之配置於顯示區域2之4個角隅的像素、與配置於例示之驅動電極及信號線之交叉部的像素以Pix表示。
<第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之構成>
圖6係顯示實施形態1之第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之構成之方塊圖。於圖6中，為了避免圖式複雜化，僅顯示對應於配置於顯示區域2之驅動電極TL(0)~TL(p)中之驅動電極TL(n)~TL(n+5)之第1掃描電路SCL、第2掃描電路 SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之部分，但關於驅動電極TL(0)~TL(n-1)及TL(n+6)~TL(p)亦為同樣之構成。此處以圖6所示之部分為代表進行說明。
第1選擇驅動電路SDL具備：選擇電路SELL與驅動電路DRVL，且沿著顯示區域2之邊2-L配置。驅動電路DRVL具備：對應於驅動電極TL(n)~TL(n+5)之複數個單位驅動電路USL。又，選擇電路SELL亦具備對應於驅動電極TL(n)~TL(n+5)各者之單位選擇電路SEL(n)~SEL(n+5)。又，驅動電極TL(n)~TL(n+5)各自具有一對端部n1、n2。
單位驅動電路USL各者與單位選擇電路SEL(n)~SEL(n+5)一一對應，且具備：第1開關S01與第2開關S00。第1開關S01連接於對應之驅動電極之一端部n1與信號配線TPH之間，第2開關S00連接於對應之驅動電極之一端部n1與信號配線TPL之間。信號配線TPH及TPL係於磁場產生期間及電場觸控檢測期間供給不同驅動信號之信號配線。於該實施形態中，於磁場產生期間向信號配線TPH供給磁場驅動信號，於電場觸控檢測期間供給電場驅動信號。於磁場產生期間向信號配線TPL供給接地電壓，於電場觸控檢測期間向信號配線TPL供給特定之直流電壓。於該實施形態中，磁場驅動信號較佳為與接地電壓不同電壓值之直流電壓。第1開關S01根據來自對應之單位選擇電路之第1單位選擇信號進行開關控制，第2開關S00亦根據來自對應之單位選擇電路之第2單位選擇信號進行開關控制。
若以驅動電極TL(n)為例加以敘述，則單位選擇電路SEL(n)、與連接於該單位選擇電路SEL(n)之單位驅動電路USL對應於驅動電極TL(n)。驅動電極TL(n)之一端部n1經由根據來自單位選擇電路SEL(n)之第1單位選擇信號SELH_L(n)進行開關控制之第1開關S01，與信號配線TPH連接。 又，驅動電極TL(n)之一端部n1經由根據來自單位選擇電路SEL(n)之第2單位選擇信號SELG_L(n)進行開關控制之第2開關S00，與信號配線TPL連接。
其餘之驅動電極TL(n+1)~TL(n+5)各者亦其一端部n1經由根據來自對應之單位選擇電路SEL(n+1)~SEL(n+5)之第1單位選擇信號SELH_L(n+1)~SELH_L(n+5)而進行開關控制之第1開關S01，與信號配線TPH連接。又，各者之一端部n1經由根據來自對應之單位選擇電路SEL(n+1)~SEL(n+5)之第2單位選擇信號SELG_L(n+1)~SELG_L(n+5)進行開關控制之第2開關S00，與信號配線TPL連接。
於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，向構成選擇電路SELL之單位選擇電路SEL(n)~SEL(n+5)，自第1掃描電路SCL供給選擇信號。此時，分別自構成第1掃描電路SCL之一對掃描電路SCAL、SCBL供給第1選擇信號及第2選擇信號。即，一對掃描電路SCAL與掃描電路SCBL供給選擇信號至對應於各個驅動電極之單位選擇電路。於該實施形態1中，第1選擇信號由正相之第1選擇信號AL(n)~AL(n+5)與反相之第1選擇信號XAL(n)~XAL(n+5)構成。此處，反相之第1選擇信號XAL(n)~XAL(n+5)為使正相之第1選擇信號AL(n)~AL(n+5)相位反轉之選擇信號。同樣地，第2選擇信號亦由正相之第2選擇信號BL(n)~BL(n+5)、與藉由相位反轉而獲得之反相之第2選擇信號XBL(n)~XBL(n+5)構成。
於圖6中，為了避免圖式複雜化，反相之第1選擇信號僅顯示使正相之第1選擇信號AL(n)相位反轉之第1選擇信號XAL(n)。同樣地，反相之第2選擇信號僅顯示使正相之第2選擇信號BL(n)相位反轉之第2選擇信號XBL(n)。於以下之說明中，將正相之第1選擇信號稱為第1選擇信號，將 反相之第1選擇信號稱為第1反轉選擇信號。又，將正相之第2選擇信號稱為第2選擇信號，將反相之第2選擇信號稱為第2反轉選擇信號。
一對掃描電路SCAL、SCBL各自具有將複數個位移段串聯連接之位移暫存器，且向各個位移暫存器，供給位移時脈信號CK-AL、CK-BL及啟動信號ST-AL、ST-BL。
圖7(A)及(B)係概略性顯示實施形態1之掃描電路SCAL、SCBL之構成之方塊圖。圖7(A)係顯示掃描電路SCAL之構成，圖7(B)係顯示掃描電路SCBL之構成。掃描電路SCAL、SCBL各者並無特別限制，但具備對應於配置於顯示區域2之驅動電極TL(0)~TL(p)各者之位移段，且藉由將該等位移段串聯連接，構成位移暫存器。於圖7(A)及(B)，僅顯示對應於圖6所示之驅動電極TL(n)~TL(n+5)之位移段FAL(n)~FAL(n+5)、FBL(n)~FBL(n+5)。
位移段FAL(n)~FAL(n+5)各自具備：時脈端子CK、資料輸入端子D及資料輸出端子Q，且與供給至時脈端子CK之位移時脈信號CK-AL之變化同步，提取供給至資料輸入端子D之資料(資訊)，並自資料輸出端子Q輸出。位移段FAL(n)之資料輸出端子Q與下一段之位移段FAL(n+1)之資料輸入端子D連接，位移段FAL(n+1)之資料輸出端子Q與下一段之位移段FAL(n+2)之資料輸入端子D連接。其後，位移段之資料輸出端子Q與下一段之位移段之資料輸入端子Q連接，藉此將位移段串聯連接。向位移段FAL(n)~FAL(n+5)各者之時脈端子CK供給位移時脈信號CK-AL。又，於圖7(A)中，向成為首段之位移段FAL(n)之資料輸入端子D供給啟動信號ST-AL。
於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，將顯示選擇驅動電極之選擇資 訊作為啟動信號ST-AL供給至位移段FAL(n)。又，於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，位移時脈信號CK-AL週期性變化。藉此，例如每當將選擇資訊即啟動信號ST-AL提取至位移段FAL(n)，且位移時脈信號CK-AL變化時，選擇資訊即啟動信號ST-AL自位移段FAL(n)向位移段FAL(n+5)順次移動。於該實施形態1中，雖無特別限制，但顯示選擇之選擇資訊係高位準。因此，高位準自位移段FAL(n)向位移段FAL(n+5)移動。
自位移段FAL(n)~FAL(n+5)之資料輸出端子Q輸出之信號成為自掃描電路SCAL輸出之第1選擇信號。由於位移段FAL(n)~FAL(n+5)各者與驅動電極TL(n)~TL(n+5)一一對應，故自位移段FAL(n)之資料輸出端子Q輸出之信號成為第1選擇信號AL(n)及第1反轉選擇信號XAL(n)。同樣地，自位移段FAL(n+1)~FAL(n+5)之資料輸出端子Q輸出之信號成為第1選擇信號AL(n+1)~AL(n+5)及第1反轉選擇信號XAL(n+1)~XAL(n+5)。因此，於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，自第1選擇信號AL(n)朝向AL(n+5)第1選擇信號順次成為高位準，自第1反轉選擇信號XAL(n)朝向XAL(n+5)第1反轉選擇信號順次成為低位準。
以構成掃描電路SCAL之位移段FAL(n)~FAL(n+5)為例進行說明，但構成掃描電路SCBL之位移段FBL(n)~FBL(n+5)亦同樣。向位移段FBL(n)~FBL(n+5)，供給CK-BL作為位移時脈信號，供給ST-BL作為啟動信號。顯示選擇之高位準之啟動信號ST-BL與位移時脈信號CK-BL之變化同步，自位移段FBL(n)朝向FBL(n+5)移動，並以第2選擇信號BL(n)~BL(n+5)及第2反轉選擇信號XBL(n)~XBL(n+5)輸出。
如上所述，由於一對掃描電路SCAL與SCBL共用單位選擇電路SEL(n)~SEL(n+5)各者，故控制裝置3以第1選擇信號AL與第2選擇信號 BL不同時相對於相同之單位選擇電路成為高位準之方式控制。
構成選擇電路SELL之單位選擇電路SEL(n)~SEL(n+5)於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，於對應之第1選擇信號或對應之第2選擇信號顯示選擇驅動電極時，根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，形成如將對應之單位驅動電路USL內之第1開關S01、第2開關S00設為接通狀態之第1單位選擇信號SELH_L(n)~SELH_L(n+5)及第2單位選擇信號SELG_L(n)~SELG_L(n+5)。
以第1掃描電路SCL及第1選擇驅動電路SDL為例進行說明，但第2掃描電路SCR及第2選擇驅動電路SDR亦相同。因此，關於第2掃描電路SCR及第2選擇驅動電路SDR係簡單說明。
第2掃描電路SCR亦具備：一對掃描電路SCAR、SCBR，且各個掃描電路SCAR、SCBR如圖7(C)及(D)所示，具備具有複數個位移段FAR(n)~FAR(n+5)、FBR(n)~FBR(n+5)之位移暫存器。向掃描電路SCAR之位移暫存器，供給高位準之啟動信號ST-AR，且與位移時脈信號CK-AR之變化同步且順次移動。又，亦向掃描電路SCBR之位移暫存器，供給高位準之啟動信號ST-BR，且與位移時脈信號CK-BR之變化同步地順次移動。此處，高位準之啟動信號ST-AR、ST-BR移動之方向與啟動信號ST-AL、ST-BL之移動方向相同。又，位移時脈信號CK-AR、CK-BR為與位移時脈信號CK-AL、CK-BL相同週期之時脈信號。
與掃描電路SCAL同樣，自掃描電路SCAR輸出對應於各個驅動電極TL(n)~TL(n+5)之第1選擇信號AR(n)~AR(n+5)、第1反轉選擇信號XAR(n)~XAR(n+5)，與掃描電路SCBL同樣，自掃描電路SCBR輸出對應於各個驅動電極TL(n)~TL(n+5)之第2選擇信號BR(n)~BR(n+5)、第2 反轉選擇信號XBR(n)~XBR(n+5)。另，於圖6中，僅顯示第1反轉選擇信號XAR(n)與第2反轉選擇信號XBR(n)。
選擇電路SELR具備：對應於驅動電極TL(n)~TL(n+5)之單位選擇電路SER(n)~SER(n+5)。一對掃描電路SCAR與SCBR共用各個單位選擇電路SER(n)~SER(n+5)。單位選擇電路SER(n)~SER(n+5)接收對應之第1選擇信號AR(n)~AR(n+5)、第1反轉選擇信號XAR(n)~XAR(n+5)、第2選擇信號BR(n)~BR(n+5)、第2反轉選擇信號XBR(n)~XBR(n+5)及狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，並形成第1單位選擇信號SELH_R(n)~SELH_R(n+5)與第2單位選擇信號SELG_R(n)~SELG_R(n+5)。
沿著顯示區域2之邊2-R配置之驅動電路DRVR具備：複數個單位驅動電路USR。單位驅動電路USR具備：第1開關S01，其連接於對應之驅動電極TL(n)~TL(n+5)之各者之另一端部n2與信號配線TPH之間；及第2開關S00，其連接於另一端部n2與信號配線TPL之間。單位驅動電路USR內之第1開關S01根據來自對應之單位選擇電路SER(n)~SER(n+5)之第1單位選擇信號SELH_R(n)~SELH_R(n+5)進行開關控制，第2開關S00根據來自對應之單位選擇電路SER(n)~SER(n+5)之第2單位選擇信號SELG_R(n)~SELG_R(n+5)進行開關控制。
與選擇電路SELL同樣，構成選擇電路SELR之單位選擇電路SER(n)~SER(n+5)於磁場觸控檢測及電場觸控檢測時，於對應之第1選擇信號或對應之第2選擇信號顯示選擇驅動電極時，根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，形成如將對應之單位驅動電路USR內之第1開關S01及第2開關S00設為接通狀態之第1單位選擇信號SELH_R(n)~SELH_R(n+5)及第2單位選擇信號SELG_R(n)~SELG_R(n+5)。
<第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之構成>
構成第1選擇驅動電路SDL之選擇電路SELL具備：對應於驅動電極TL(0)~TL(p)之複數個單位選擇電路SEL(0)~SEL(p)，驅動電路DRVL亦具備對應於驅動電極之複數個單位驅動電路USL。單位選擇電路SEL(0)~SEL(p)具有彼此相同之構成，單位驅動電路USL亦具有彼此相同之構成。同樣地，構成第2選擇驅動電路SDR之選擇電路SELR亦具備：對應於驅動電極TL(0)~TL(p)、且具有彼此相同構成之單位選擇電路SER(0)~SER(p)，驅動電路DRVR亦具備具有彼此相同構成之複數個單位驅動電路USR。
因此，此處，以對應於驅動電極TL(n)之單位選擇電路SEL(n)及單位驅動電路USL為例說明第1選擇驅動電路SDL，以對應於驅動電極TL(n)之單位選擇電路SER(n)及單位驅動電路USR為例說明第2選擇驅動電路SDR。
圖8係顯示實施形態1之第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之構成之電路圖。此處，圖8(A)係顯示構成第1選擇驅動電路SDL之單位選擇電路SEL(n)與單位驅動電路USL之構成，圖8(B)係顯示構成第2選擇驅動電路SDR之單位選擇電路SER(n)與單位驅動電路USR之構成。
單位選擇電路SEL(n)具備：N型場效電晶體(以下亦稱為N電晶體)N0L~N7L、P型場效電晶體(以下亦稱為P電晶體)P0L~P5L、反相器電路IV0L~IV2L。於本說明書中，為與N電晶體區別，對閘極標註○標記而描繪P電晶體。
N電晶體N0L與P電晶體P0L以各自之源極/汲極路徑並聯連接之方式連接各自之源極與汲極。又，向N電晶體N0L之閘極供給第1選擇信號 AL(n)，向P電晶體P0L之閘極供給第1反轉選擇信號XAL(n)。藉此，由N電晶體N0L與P電晶體P0L構成根據第1選擇信號AL(n)予以開關控制之第1傳送開關TP1L。同樣地，由N電晶體N1L與P電晶體P1L構成根據第1選擇信號AL(n)予以開關控制之第2傳送開關TP2L。
又，N電晶體N6L與P電晶體P4L其各自之源極/汲極路徑並聯連接、且向N電晶體N6L之閘極供給第2選擇信號BL(n)，向P電晶體P4L之閘極供給第2反轉選擇信號XBL(n)。藉此，由N電晶體N6L與P電晶體P4L構成根據第2選擇信號BL(n)予以開關控制之第3傳送開關TP3L。同樣地，由N電晶體N7L與P電晶體P5L構成根據第2選擇信號BL(n)予以開關控制之第4傳送開關TP4L。
向第1傳送開關TP1L之一端子供給狀態選擇信號VSEL1，向第3傳送開關TP3L之一端子供給狀態選擇信號VSEL2。又，第1傳送開關TP1L與第3傳送開關TP3L各者之另一端子共通連接，且連接於反相器電路IV1L之輸入。同樣地，向第2傳送開關TP2L之一端子供給狀態選擇信號VSEL2，向第4傳送開關TP4L之一端子供給狀態選擇信號VSEL1。又，第2傳送開關TP2L與第4傳送開關TP4L之另一端子共通地連接於反相器電路IV2L之輸入。
反相器電路IV1L之輸出係作為第1單位選擇信號SELH_L(n)而被供給至對應之單位驅動電路USL，反相器電路IV2L之輸出係作為第2單位選擇信號SELG_L(n)而被供給至單位驅動電路USL。單位驅動電路USL具備：P電晶體P6L，其連接於驅動電極TL(n)之一端部n1與信號配線TPH之間；及P電晶體P7L，其連接於驅動電極TL(n)之一端部n1與信號配線TPL之間。該P電晶體P6L相當於圖6所示之第1開關S01，P電晶體P7L相當於 圖6所示之第2開關S00。P電晶體P6L係於其閘極自反相器電路IV1L被供給第1單位選擇信號SELH_L(n)而受開關控制。又，P電晶體P7L係於其閘極自反相器電路IV2L被供給第2單位選擇信號SELG_L(n)而受開關控制。
N電晶體N2L與N3L以各自之源極/汲極路徑串聯連接於反相器電路IV1L之輸入與特定之電壓VGLO之間之方式串聯連接。向N電晶體N2L之閘極供給第2反轉選擇信號XBL(n)，向N電晶體N3L之閘極供給第1反轉選擇信號XAL(n)。藉此，於第1選擇信號AL(n)及第2選擇信號BL(n)成為低位準時，即驅動電極TL(n)為非選擇時，N電晶體N2L與N電晶體N3L為接通狀態，且向反相器電路IV1L之輸入供給特定之電壓VGLO。該特定之電壓VGLO為例如相當於低位準之接地電壓。因此，於驅動電極TL(n)為非選擇時，高位準之第1單位選擇信號SELH_L(n)自反相器電路IV1L供給至P電晶體P6L，故而P電晶體P6L為斷開狀態。
N電晶體N4L與P電晶體P2L係各自之源極/汲極路徑並聯連接，且向N電晶體N4L之閘極供給第1反轉選擇信號XAL(n)，向P電晶體P2L之閘極供給第1選擇信號AL(n)。藉此，由N電晶體N4L與P電晶體P2L構成根據第1反轉選擇信號XAL(n)開關控制之第5傳送開關TP5L。又，N電晶體N5L與P電晶體P3L係各自之源極/汲極路徑並聯連接，且向N電晶體N5L之閘極供給第2反轉選擇信號XBL(n)，向P電晶體P3L之閘極供給第2選擇信號BL(n)。藉此，由N電晶體N5L與P電晶體P3L構成根據第2反轉選擇信號XBL(n)開關控制之第6傳送開關TP6L。
第5傳送開關TP5L與第6傳送開關TP6L串聯連接，且控制信號COMFL經由串聯連接之第5傳送開關TP5L與第6傳送開關TP6L供給至反相器電路IV0L之輸入。該反相器電路IV0L之輸出與反相器電路IV2L之輸 入連接。藉此，於第1反轉選擇信號XAL(n)及第2反轉選擇信號XBL(n)為高位準時，若換言之，則於第1選擇信號AL(n)及第2選擇信號BL(n)為低位準時，第5傳送開關TP5L及第6傳送開關TP6L皆為接通狀態。由於第1選擇信號AL(n)及第2選擇信號BL(n)皆為低位準，故於對應之驅動電極TL(n)為非選擇時，向反相器電路IV2L經由第5傳送開關TP5L、第6傳送開關TP6L及反相器電路IV0L供給控制信號COMFL。
其結果，於控制信號COMFL為高位準時，第2單位選擇信號SELG_L(n)為高位準，於控制信號COMFL為低位準時，第2單位選擇信號SELG_L(n)為低位準。例如藉由將控制信號COMFL於磁場觸控檢測期間設為高位準，於電場觸控檢測期間設為低位準，而使磁場觸控檢測期間之第2單位選擇信號SELG_L(n)為高位準。
藉此，於磁場觸控檢測期間於未自掃描電路SCAL亦未自SCBL選擇驅動電極TL(n)時，第1單位選擇信號SELH_L(n)及第2單位選擇信號SELG_L(n)皆為高位準，構成單位驅動電路USL之P電晶體P6L及P7L皆為斷開狀態，故將對應之驅動電極TL(n)之一端部n1與信號配線TPH及TPL電性分離。
又，於電場觸控檢測期間，於未自掃描電路SCAL亦未自SCBL選擇驅動電極TL(n)時，由於第1單位選擇信號SELH_L(n)為高位準，第2單位選擇信號SELG_L(n)為低位準，故構成單位驅動電路USL之P電晶體P7L為接通狀態，故對應之驅動電極TL(n)之一端部n1與信號配線TPL連接。
相對於此，於第1選擇信號AL(n)或第2選擇信號BL(n)為高位準時，即，藉由掃描電路SCAL或SCBL之任一者選擇對應之驅動電極TL(n)時，構成單位驅動電路USL之P電晶體P6L及P7L根據狀態選擇信號VSEL1、 VSEL2之電壓而為接通狀態，故對應之驅動電極TL(n)之一端部n1與信號配線TPH或TPL電性連接。
即，於第1選擇信號AL(n)為高位準之情形時，第1傳送開關TP1L與第2傳送開關TP2L為接通狀態。藉此，自反相器電路IV1L將經相位反轉之狀態選擇信號VSEL1作為第1單位選擇信號SELH_L(n)供給至P電晶體P6L之閘極，自反相器電路IV2L將經相位反轉之狀態選擇信號VSEL2作為第2單位選擇信號SELG_L(n)供給至P電晶體P7L之閘極。
同樣地，於第2選擇信號BL(n)為高位準之情形時，第3傳送開關TP3L與第4傳送開關TP4L為接通狀態。其結果，自反相器電路IV1L將經相位反轉之狀態選擇信號VSEL2作為第1單位選擇信號SELH_L(n)供給至P電晶體P6L之閘極，自反相器電路IV2L將經相位反轉之狀態選擇信號VSEL1作為第2單位選擇信號SELG_L(n)供給至P電晶體P7L之閘極。
狀態選擇信號VSEL1、VSEL2係選擇於磁場觸控檢測期間選擇之驅動電極之第1驅動狀態與第2驅動狀態之信號。控制裝置3於磁場觸控檢測期間之磁場產生期間，以狀態選擇信號VSEL1與VSEL2相互不重疊之方式互補地變化複數次。
例如，於根據高位準之第1選擇信號AL(n)，將第1傳送開關TP1L與第2傳送開關TP2L設為接通狀態之情形時，將電壓週期性變化之第1單位選擇信號SELH_L(n)及第2單位選擇信號SELG_L(n)供給至P電晶體P6L、P7L。此時，由於狀態選擇信號VSEL1與VSEL2互補地變化，故第1單位選擇信號SELH_L(n)與第2單位選擇信號SELG_L(n)之電壓亦互補地變化。藉此，P電晶體P6L與P7L與狀態選擇信號VSEL1與VSEL2之變化同步而交替重複接通狀態與斷開狀態。其結果，於磁場產生期間供給至信號 配線TPH與TPL之磁場驅動信號與接地電壓經由單位驅動電路USL，時間上交替地供給至驅動電極TL(n)。
同樣地，於根據高位準之第2選擇信號BL(n)，將第3傳送開關TP3L與第4傳送開關TP4L設為接通狀態之情形時，將經相位反轉之狀態選擇信號VSEL2作為第1單位選擇信號SELH_L(n)自反相器電路IV1L供給至P電晶體P6L，將經相位反轉之狀態選擇信號VSEL1作為第2單位選擇信號SELG_L(n)自反相器電路IV2L供給至P電晶體P7L。其結果，供給至信號配線TPH與TPL之磁場驅動信號與接地電壓經由單位驅動電路USL時間上交替地供給至驅動電極TL(n)。
於第1選擇信號AL(n)為高位準時，向P電晶體P6L之閘極供給經相位反轉之狀態選擇信號VSEL1，向P電晶體P7L之閘極供給經相位反轉之狀態選擇信號VSEL2。相對於此，於第2選擇信號BL(n)為高位準時，向P電晶體P6L之閘極供給經相位反轉之狀態選擇信號VSEL2，向P電晶體P7L之閘極供給經相位反轉之狀態選擇信號VSEL1。即，於掃描電路SCAL選擇驅動電極TL(n)時與掃描電路SCBL選擇驅動電極TL(n)時，連接於驅動電極之端部n1之信號配線對應於狀態選擇信號之變化而相反。
狀態選擇信號VSEL1、VSEL2於電場觸控檢測期間取相互不重疊之值，又，於電場觸控檢測期間值不變化。
以對應於驅動電極TL(n)之單位選擇電路SEL(n)與對應於其之單位驅動電路USL為例進行說明，但選擇電路SELL內其餘之單位選擇電路及驅動電路DRVL內其餘之單位驅動電路亦相同。
沿著顯示區域2(圖4)之邊2-R配置之第2選擇驅動電路SDR內之選擇電路SELR及驅動電路DRVR亦與選擇電路SELL及驅動電路DRVL同樣， 由對應於驅動電極TL(0)~TL(p)之單位選擇電路SER(0)~SER(p)與單位驅動電路USR構成。由於單位選擇電路SER(0)~SER(p)具有彼此相同之構成，複數個單位驅動電路USR亦具有彼此相同之構成，故於圖8(B)，以單位選擇電路SER(n)、及對應於該單位選擇電路SER(n)之單位驅動電路USR為代表而加以顯示。
單位選擇電路SER(n)具有與圖8(A)所示之單位選擇電路SEL(n)相同之構成，單位驅動電路USR具有與圖8(A)所示之單位驅動電路USL相同之構成。又，單位選擇電路SER(n)及單位驅動電路USR之動作與單位選擇電路SEL(n)及單位驅動電路USL相同。因此，此處僅對與單位選擇電路SEL(n)及單位驅動電路USL之對應關係加以敘述，而省略構成與動作之細節說明。
單位選擇電路SER(n)具備：N電晶體N0R~N7R、P電晶體P0R~P5R、及反相器電路IV0R~IV2R。此處，N電晶體N0R~N7R對應於圖8(A)中說明之N電晶體N0L~N7L，P電晶體P0R~P5R對應於圖8(A)中說明之P電晶體P0L~P5L，反相器電路IV0R~IV2R對應於圖8(A)中說明之反相器電路IV0L~IV2L。又，TP1R~TP6R為第1~第6傳送開關，對應於圖8(A)中說明之第1~第6傳送開關TP1L~TP6L。又，單位驅動電路USR具備：對應於圖8(A)中說明之P電晶體P6L及P7L的P電晶體P6R及P7R。
向單位選擇電路SER(n)自沿著顯示區域2之邊2-R配置之第2掃描電路SCR內之掃描電路SCAR供給第1選擇信號AR(n)與第1反轉選擇信號XAR(n)，再者，自第2掃描電路SCR內之掃描電路SCBR供給第2選擇信號BR(n)與第2反轉選擇信號XBR(n)。又，向單位選擇電路SER(n)供給狀 態選擇信號VSEL1、VSEL2、控制信號COMFL及特定之電壓VGLO，且與圖8(A)中說明之單位選擇電路SEL(n)同樣，形成第1單位選擇信號SELH_R(n)與第2單位選擇信號SELG_R(n)。
單位驅動電路USR內之P電晶體P6R與P7R連接於對應之驅動電極TL(n)之另一端部n2與信號配線TPH、TPL之間，與圖8(A)中說明之單位驅動電路USL同樣，形成第1單位選擇信號SELH_R(n)與第2單位選擇信號SELG_R(n)。
<磁場觸控檢測之基本動作>
於說明實施形態1之磁場觸控檢測及電場觸控檢測之整體動作之前，說明磁場觸控檢測之基本動作。圖9係用以說明實施形態1之磁場觸控檢測之動作之說明圖。此處之說明相當於圖2(A)及(C)中說明之磁場產生期間之動作。
於圖2(A)及(C)中，為了說明磁場檢測之原理，說明了藉由將平行配置之驅動電極間電性串聯連接而構成磁場產生線圈GX(n-1)~GX(n+3)之例。於實施形態1中，於俯視觀察時，於平行配置之一對驅動電極中，藉由將相互流通之電流方向設為相反，而於各個驅動電極產生磁場，且藉由將產生之磁場設為於由一對驅動電極所夾之區域中重疊，而產生較強之磁場。於該情形時，藉由平行配置且分別於相反方向流通電流之一對驅動電極，即便不將驅動電極彼此串聯連接，亦可視為構成了磁場產生線圈(例如GX(n))。
構成磁場產生線圈之驅動電極可為一個，但以於設為一對之驅動電極彼此流通相反電流之方式構成之磁場產生線圈係磁場強度較高，因此可提高輸入檢測裝置之檢測感度。
根據此種磁場產生線圈之構成，可將靜電電容方式之觸控面板構成之電極或金屬配線等用於電磁感應方式之觸控檢測。
以下，使用圖4、圖6~圖9，說明磁場觸控檢測之磁場產生期間之動作概要。
於圖9中，以同時選擇之一對驅動電極中之驅動電極TL(n+3)為第1驅動電極，以驅動電極TL(n+1)為第2驅動電極進行說明。
第1驅動電極TL(n+3)與第2驅動電極TL(n+1)各自包含1個驅動電極。換言之，由於包含1個各自鄰接之驅動電極，故此時捆扎量m為1。又，由於於第1驅動電極TL(n+3)與第2驅動電極TL(n+1)之間隔著1個驅動電極TL(n+2)而隔開配置，故此時隔開量n為1。
控制裝置3以掃描電路SCAL與掃描電路SCBL分別同時選擇第1驅動電極TL(n+3)與第2驅動電極TL(n+1)之端部n1之方式控制。又，以掃描電路SCAR與掃描電路SCBR分別同時選擇第1驅動電極TL(n+3)與第2驅動電極TL(n+1)之端部n2之方式控制。即，將選擇之驅動電極之兩端同時連接於不同之信號配線。
此時，控制為：掃描電路SCAL較掃描電路SCBL選擇提前n+m個量之第1驅動電極TL(n+3)，掃描電路SCBR較掃描電路SCAR選擇提前n+m個量之第1驅動電極TL(n+3)。
首先，於圖4所示之隔開量暫存器S-REG，設定顯示1(n=1)之值作為隔開量。又，於束暫存器C-REG設定1(m=1)作為捆扎量。
藉此，控制裝置3於使位移時脈信號CK-BL變化前使位移時脈信號CK-AL變化2次(捆扎量m+隔開量n)。此時，於最初時脈信號CK-AL變化1(m)次之期間，將啟動信號ST-AL設為高位準，隨後於位移時脈信號變化 1(n)次之期間，將啟動信號ST-AL設為低位準。又，控制裝置3於使位移時脈信號CK-AR變化前，使位移時脈信號CK-BR變化m+n(2)次。此時，於初次位移時脈信號CK-BR變化1(m)次之期間，亦將啟動信號ST-BR設為高位準，於隨後位移時脈信號變化1(n)次量之期間，將啟動信號ST-BR設為低位準。即，位移時脈信號CK-AL與位移時脈信號CK-BR於位移時脈信號CK-BL、CK-AR變化前，同時變化m+n次量。
控制裝置3於使位移時脈信號CK-AL及CK-BR變化m+n量後，使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR各者以相同之週期變化。又，控制裝置3於使位移時脈信號CK-BL及CK-AR初次變化時，將啟動信號ST-BL及ST-AR各者設為表示選擇驅動電極之高位準。
藉此，於掃描電路SCAL之位移暫存器中，與掃描電路SCBL之位移暫存器相比，高位準之啟動信號(選擇資訊)提前2個位移段移動。同樣地，於掃描電路SCBR之位移暫存器中，與掃描電路SCAR之位移暫存器相比，高位準之啟動信號(選擇資訊)提前2個位移段移動。即，於掃描電路SCAL及SCBL中，儲存選擇資訊之位移段之位置隔開，且一面保持隔開之狀態一面選擇資訊於位移暫存器移動。同樣地，於掃描電路SCAR及SCBR中，儲存選擇資訊之位移段之位置亦隔開，且一面保持隔開之狀態一面選擇資訊於位移暫存器移動。該隔開之量(隔開量)根據儲存於隔開量暫存器S-REG之資訊而定。
例如，圖7(B)所示之掃描電路SCBL之位移段FBL(n)於保持高位準之啟動信號時，於圖7(A)所示之掃描電路SCAL中，位移段FAL(n+2)成為保持高位準之啟動信號之狀態。此時，於圖7(C)所示之掃描電路SCAR中，位移段FAR(n)保持高位準之啟動信號，於圖7(D)所示之掃描電路SCBR 中，位移段FBR(n+2)為保持高位準之啟動信號之狀態。於該狀態下，當位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR變化時，儲存於各個位移暫存器之高位準之啟動信號移動，而位移段FAL(n+3)、FBL(n+1)、FAR(n+1)及FBR(n+3)各者向保持高位準之啟動信號之狀態變化。
藉由向該狀態變化，掃描電路SCAL將第1選擇信號AL(n+3)設為高位準，將第1選擇信號AL(n)~AL(n+2)及AL(n+4)~AL(n+5)設為低位準。同樣地，掃描電路SCBL將第2選擇信號BL(n+1)設為高位準，將第2選擇信號BL(n)及BL(n+2)~BL(n+5)設為低位準。又，掃描電路SCAR將第1選擇信號AR(n+1)設為高位準，將第1選擇信號AR(n)及AR(n+2)~AR(n+5)設為低位準。同樣地，掃描電路SCBR將第2選擇信號BR(n+3)設為高位準，將第2選擇信號BL(n)~BR(n+2)及BR(n+4)~BR(n+5)設為低位準。
其結果，與供給有高位準之第1選擇信號AL(n+3)之單位選擇電路SEL(n+3)對應之單位驅動電路USL根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，將第1驅動電極TL(n+3)之一端部n1與信號配線TPH或TPL連接。同樣地，與供給有高位準之第2選擇信號BL(n+1)之單位選擇電路SEL(n+1)對應之單位驅動電路USL根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，將對應之第2驅動電極TL(n+1)之一端部n1與信號配線TPH或TPL連接。此時，與供給有高位準之第2選擇信號BR(n+3)之單位選擇電路SER(n+3)對應之單位驅動電路USR根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，將對應之第1驅動電極TL(n+3)之另一端部n2與信號配線TPL或TPH連接，且與供給有高位準之第1選擇信號AR(n+1)之單位選擇電路SER(n+1)對應之單位驅動電路USR根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，將對應之第2驅動電極TL(n+1)之另 一端部n2與信號配線TPL或TPH連接。
由於狀態選擇信號VSEL1與VSEL2為互補性變化複數次之信號，故於一者為高位準時另一者為低位準。例如，於狀態選擇信號VSEL1為高位準，且狀態選擇信號VSEL2為低位準時，自單位選擇電路SEL(n+3)及單位選擇電路SER(n+1)輸出之第2單位選擇信號SELG_L(n+3)及SELG_R(n+1)為高位準，第1單位選擇信號SELH_L(n+3)及SELH_R(n+1)為低位準。藉此，於對應於單位選擇電路SEL(n+3)及SER(n+1)之單位驅動電路USL及USR中，P電晶體P6L及P6R(第1開關S01)為接通狀態，P電晶體P7L及P7R(第2開關S00)為斷開狀態。
相對於此，自單位選擇電路SEL(n+1)及單位選擇電路SER(n+3)輸出之第2單位選擇信號SELG_L(n+1)及SELG_R(n+3)為低位準，第1單位選擇信號SELH_L(n+1)及SELH_R(n+3)為高位準。藉此，於與單位選擇電路SEL(n+1)及單位選擇電路SER(n+3)對應之單位驅動電路USL及USR中，P電晶體P6L及P6R(第1開關S01)為斷開狀態，P電晶體P7L及P7R(第2開關S00)為接通狀態。
圖6係顯示此時之狀態。即，經由與單位選擇電路SEL(n+3)、SER(n+1)對應之單位驅動電路USL、USR內之P電晶體P6L、P6R(第1開關S01)，第1驅動電極TL(n+3)之一端部n1及第2驅動電極TL(n+1)之另一端部n2與信號配線TPH連接，且供給於圖9以+圖示之磁場驅動信號。又，經由與單位選擇電路SER(n+3)、SEL(n+1)對應之單位驅動電路USR、USL內之P電晶體P7L、P7R(第2開關S00)，驅動電極TL(n+3)之另一端部n2及驅動電極TL(n+1)之一端部n1與信號配線TPL連接，且供給於圖9以0圖示之接地電壓。
此時，於將圖9之以+圖示之磁場驅動信號設為第1驅動電壓，將圖9之以0圖示之接地電壓設為第2驅動電壓時，第1驅動電極TL(n+3)為自一端部n1供給第1驅動電壓，自另一端部n2供給第2驅動電壓之第1驅動狀態。同時，第2驅動電極TL(n+1)為自一端部n1供給第2驅動電壓，自另一端部n2供給第1驅動電壓之第2驅動狀態。
接著，當狀態選擇信號VSEL1為低位準，且狀態選擇信號VSEL2為高位準時，自單位選擇電路SEL(n+3)及單位選擇電路SER(n+1)輸出之第2單位選擇信號SELG_L(n+3)及SELG_R(n+1)為低位準，第1單位選擇信號SELH_L(n+3)及SELH_R(n+1)為高位準。藉此，於與單位選擇電路SEL(n+3)及SER(n+1)對應之單位驅動電路USL及USR中，P電晶體P6L及P6R(第1開關S01)為斷開狀態，P電晶體P7L及P7R(第2開關S00)為接通狀態。
此時，自單位選擇電路SEL(n+1)及單位選擇電路SER(n+3)輸出之第2單位選擇信號SELG_L(n+1)及SELG_R(n+3)為高位準，第1單位選擇信號SELH_L(n+1)及SELH_R(n+3)為低位準。藉此，於對應於單位選擇電路SEL(n+1)及單位選擇電路SER(n+3)之單位驅動電路USL及USR中，P電晶體P6L及P6R(第1開關S01)為接通狀態，P電晶體P7L及P7R(第2開關S00)為斷開狀態。
其結果，向驅動電極TL(n+3)之一端部n1與第2驅動電極TL(n+1)之另一端部n2自信號配線TPL供給於圖9之以0圖示之接地電壓，向TL(n+3)之另一端部n2與第2驅動電極TL(n+1)之一端部n1自信號配線TPH供給圖9之以+圖示之磁場驅動信號。
此時，第1驅動電極TL(n+3)為自一端部n1供給第2驅動電壓，自另一 端部n2供給第1驅動電壓之第2驅動狀態。同時，第2驅動電極TL(n+1)為自一端部n1供給第1驅動電壓，自另一端部n2供給第2驅動電壓之第1驅動狀態。
圖9(A)係顯示將狀態選擇信號VSEL1設為高位準，將狀態選擇信號VSEL2設為低位準時，供給至選擇之驅動電極TL(n+3)、TL(n+1)之驅動電壓之關係的圖。另一方面，圖9(B)係顯示將狀態選擇信號VSEL1設為低位準，將狀態選擇信號VSEL2設為高位準時，供給至選擇之驅動電極TL(n+3)、TL(n+1)之驅動電壓之關係的圖。
於圖9(A)中，第1驅動電極TL(n+3)為自一端部n1供給以+圖示之第1驅動電壓，自另一端部n2供給以0圖示之第2驅動電壓的第1驅動狀態。同時，第2驅動電極TL(n+1)為自一端部n1供給以0圖示之第2驅動電壓，自另一端部n2供給以+圖示之第1驅動電壓的第2驅動狀態。此時，由於電流I2自第1驅動電極TL(n+3)之一端部n1(邊2-L側)向另一端部n2(邊2-R側)之方向流動，電流I1自第2驅動電極TL(n+1)之另一端部n2(邊2-R側)向一端部n1(邊2-L側)之方向流動，故電流I2與電流I1之方向相反。藉由電流I2與I1形成之磁場 12與 11於驅動電極TL(n+2)之區域中重疊。
另一方面，於圖9(B)中，第1驅動電極TL(n+3)為自一端部n1供給第2驅動電壓，自另一端部n2供給第1驅動電壓的第2驅動狀態。同時，第2驅動電極TL(n+1)為自一端部n1供給第1驅動電壓，自另一端部n2供給第2驅動電壓的第1驅動狀態。此時，由於電流I1自第1驅動電極TL(n+3)之另一端部n2(邊2-R側)向一端部n1(邊2-L側)之方向流動，電流I2於第2驅動電極TL(n+1)中自一端部n1(邊2-L側)向另一端部n2(邊2-R側)之方向流動。即，第1驅動電極TL(n+3)及第2驅動電極TL(n+1)之驅動狀態與圖9(A)相 反。
於本說明書中，於磁場觸控期間，將向所選擇之驅動電極之一端部n1供給第1驅動電壓，向另一端部n2供給第2驅動電壓之狀態定義為第1驅動狀態，將向所選擇之驅動電極之一端部n1供給第2驅動電壓，向另一端部n2供給第1驅動電壓之狀態定義為第2驅動狀態。即，將電流自所選擇之驅動電極之端部n1向端部n2之方向流動之狀態設為第1驅動狀態，將電流自端部n2向端部n1流動之狀態設為第2驅動狀態。於本說明書中，第1驅動電壓為電壓值大於第2驅動電壓之電壓即可。例如，第1驅動電壓為電壓值高於接地電壓Vs之電壓Vd。第2驅動電壓為例如接地電壓Vs。
於該實施形態1中，藉由使狀態選擇信號VSEL1、VSEL2之值互補性變化，可根據狀態選擇信號之變化週期每特定時間將選擇之驅動電極之驅動狀態交替地切換為第1驅動狀態與第2驅動狀態。即，於第1驅動電極TL(n+3)中，根據狀態選擇信號之變化交替地產生圖9(A)所示之第1驅動狀態與圖9(B)所示之第2驅動狀態。同時，於第2驅動電極TL(n+1)中，根據狀態選擇信號之變化交替地產生圖9(A)所示之第2驅動狀態與圖9(B)所示之第1驅動狀態。另，於圖6及圖9中，對於第1驅動電極自第1驅動狀態轉變為第2驅動狀態之動作進行了說明，但亦可於第2驅動狀態後轉變為第1驅動狀態。該等可藉由狀態選擇信號之值予以調整。
如此，於選擇之驅動電極中，藉由以時間上交替產生第1驅動狀態與第2驅動狀態之方式驅動，可使較強之磁場連續地持續產生所期望之時間。
於圖10，說明不使驅動電極之驅動狀態交替反轉之情形之比較例。圖10(A)與圖9(A)同樣為第1驅動電極TL(n+3)處於第1驅動狀態，且第2驅 動電極TL(n+1)處於第2驅動狀態之狀態。隨著時間經過，於第1驅動電極TL(n+3)與第2驅動電極TL(n+1)流通之電流I2與I1係變化量逐漸減少，且於經過特定時間後，電流之變化量達到恆定而不流通電流。伴隨此而產生之磁場 11、 12亦減弱，因此僅以圖10(A)之狀態，有無法對筆內之線圈電容充分地充電，或充電耗費時間之情形。又，當不流通電流時，如圖10(B)所示，必須將向第1驅動電極TL(n+3)與第2驅動電極TL(n+1)之端部n1與端部n2供給例如接地電壓之重設狀態期間設定特定時間。藉由於圖10(B)之重設狀態期間後返回圖10(A)之驅動狀態，電流I2、I1再次開始流通而產生磁場 11、 12，但由於重設狀態期間為無助於磁場產生之時間，故有藉由進行重設操作而導致磁場觸控檢測期間變長之問題。
於本說明書中，於選擇之驅動電極產生磁場時，由於交替連續地進行如使流通之電流方向，即產生之磁場方向反轉之第1驅動狀態與第2驅動狀態，故可連續地持續產生較強之磁場，即使於較短之時間亦可將筆內之電容充分充電。藉此，於磁場檢測期間藉由使筆Pen產生之磁場 2增強，而可謀求提高輸入檢測裝置之檢測感度。又，由於不包含始終向驅動電極之兩端供給不同之電壓，不產生磁場之重設狀態期間，故可縮短磁場觸控檢測之磁場產生期間。或，由於磁場 2增強，故可縮短磁場產生期間及/或磁場檢測期間，可謀求觸控檢測所耗費時間之縮短化。藉由謀求縮短觸控檢測耗費之時間，可謀求顯示區域2之大型化及/或高精細化。
於磁場產生期間，藉由使狀態選擇信號VSEL1、VSEL2變化，第1驅動電極及第2驅動電極各者至少1次以上驅動成第1驅動狀態與第2驅動狀態。雖無特別限制，但於第1驅動電極及第2驅動電極中，以自第1驅動狀態(或第2驅動狀態)向第2驅動狀態(或第1驅動狀態)變化之時序為在第1驅 動電極及/或第2驅動電極流通之電流之變化量(電流變化量)小於特定值之時序或電流時間上恆定之時序進行。使該驅動狀態變化之時序可藉由控制使狀態選擇信號VSEL1、VSEL2變化之時序而加以變更。
自第1驅動狀態(或第2驅動狀態)向第2驅動狀態(或第1驅動狀態)變化之次數係只要變化可將筆內之電容充分充電之次數即可，雖無特別限制，但於特定期間內使其至少變化1次即可。
又，於本實施形態中，較佳於磁場產生期間，向信號配線TPH供給第1驅動電壓作為直流電壓，向信號配線TPL供給第2驅動電壓作為直流電壓。
<磁場觸控檢測之整體動作>
接著，說明實施形態1之顯示裝置1之磁場觸控檢測之整體動作。使用波形圖說明實施形態1之顯示裝置1之動作，但為了避免圖式複雜化，波形圖分為圖11及圖12。
於圖11，顯示共通供給至圖4所示之第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之控制信號COMFL、檢測時序信號TPSEL、狀態選擇信號VSEL1、VSEL2及驅動信號TPH、TPL之波形、與供給至第1掃描電路SCL之位移時脈信號CK-AL、CK-BL及啟動信號ST-AL、ST-BL之波形。又，於圖11，顯示自圖6所示之單位選擇電路SEL(n)~SEL(n+5)輸出之第1單位選擇信號SELH_L(n)~SELH_L(n+5)及第2單位選擇信號SELG_L(n)~SELG_L(n+5)之波形。
另一方面，於圖12，顯示供給至第2掃描電路SCR之位移時脈信號CK-AR、CK-BR及啟動信號ST-AR、ST-BR之波形、與自圖6所示之單位 選擇電路SER(n)~SER(n+5)輸出之第1單位選擇信號SELH_R(n)~SELH_R(n+5)及第2單位選擇信號SELG_R(n)~SELG_R(n+5)之波形。藉由將圖12配置於圖11之下側而完成顯示顯示裝置1之動作之波形圖。
於圖11及圖12中，DP顯示於顯示區域2中進行圖像顯示之顯示期間。又，TP(n-1)~TP(n+4)顯示磁場檢測期間(以下亦稱為磁場觸控檢測期間)。又，TP(ss)顯示開始磁場觸控檢測之開始期間。於該實施形態1中，磁場觸控檢測期間TP(n-1)~TP(n+4)各者如圖2說明般，由磁場產生期間與磁場檢測期間構成。於圖11中，作為例對構成磁場觸控檢測期間TP(n+3)之磁場產生期間標註符號TPG，對磁場檢測期間標註符號TPD。關於其他之磁場觸控檢測期間，同樣地亦由磁場產生期間TPG與接續其之磁場檢測期間TPD構成磁場觸控檢測期間。
於該實施形態1中，雖無特別限制，但控制裝置3以於開始期間TP(ss)以後，交替產生磁場觸控檢測期間與顯示期間DP之方式進行控制。又，控制裝置3控制為於1次磁場觸控檢測期間，於1個驅動電極區域中產生磁場。於該實施形態1中，控制為自驅動電極TL(0)之區域向驅動電極TL(p)之區域順次產生磁場。於圖11及圖12所示之磁場觸控檢測期間TP(n-1)之磁場產生期間，控制為於驅動電極TL(n-1)之區域中產生磁場。同樣地，控制為於磁場觸控檢測期間TP(n)~TP(n+4)各者之磁場產生期間，於驅動電極TL(n)~TL(n+4)之區域中產生磁場。
於該實施形態1中，控制裝置3根據控制信號COMFL使第1掃描電路SCL及第2掃描電路SCR等掌握磁場觸控檢測期間TP、與顯示期間DP。又，根據檢測時序信號TPSEL使第1掃描電路SCL及第2掃描電路SCR等掌握磁場產生期間TPG。即，控制裝置3於磁場觸控檢測期間TP將控制信號 COMFL設為高位準，於顯示期間DP設為低位準。又，於磁場產生期間TPG時，將檢測時序信號TPSEL設為高位準。第1掃描電路SCL及第2掃描電路SCR於檢測時序信號TPSEL為高位準時，輸出上述第1選擇信號及第2選擇信號。又，圖4所示之檢測電路DET於控制信號COMFL為高位準且檢測時序信號TPSEL為低位準時動作。控制裝置3於控制信號COMFL與檢測時序信號TPSEL為低位準之顯示期間DP，將圖像信號供給至信號線SL(0)~SL(p)並進行顯示。
控制裝置3於各個磁場產生期間TPG時，使狀態選擇信號VSEL1、VSEL2之電壓週期性變化複數次。又，於磁場產生期間TPG，控制裝置3向信號配線TPL供給接地電壓Vs，向信號配線TPH供給電壓值高於接地電壓Vs之直流電壓Vd。控制裝置3於顯示期間DP向信號配線TPL供給顯示驅動電壓VCOMDC。VCOMDC為相當於顯示期間之共通電極電位之特定直流電壓。於該實施形態中VCOMDC為電位低於接地電壓之負直流電壓，但並不限定於此，而可設定為任意值。
控制裝置3於時刻t5，自開始期間TP(ss)開始後，開始使位移時脈信號CK-BL、CK-AR變化，但關於位移時脈信號CK-AL及CK-BR，亦可先於時刻t5，使位移時脈信號CK-AL及CK-BR變化儲存於隔開量暫存器S-REG之隔開量n與儲存於束暫存器C-REG之捆扎量m之合計數量。於圖11及圖12之例中，顯示於隔開量暫存器S-REG儲存1作為隔開量n，於束暫存器C-REG儲存1作為捆扎量m之情形。因此，控制裝置3於先於時刻t5之時刻t1及t3使位移時脈信號CK-AL及CK-BR變化2次。又，控制裝置3於時刻t0至時刻t2之期間，即於位移時脈信號CK-AL及CK-BR變化捆扎量，即變化1次之期間，將啟動信號ST-AL及ST-BR設為顯示選擇驅動電極之 高位準，其後設為低位準。
其後，於時刻t4，控制裝置3將啟動信號ST-BL及ST-AR設為顯示選擇驅動電極之高位準。控制裝置3於時刻t5，使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR變化，其後，每磁場觸控檢測期間，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR變化。此時，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR以彼此成為相同週期之方式變化。
藉此，於掃描電路SCAL之位移暫存器中，儲存顯示選擇驅動電極之高位準之啟動信號ST-AL之位移段，較於掃描電路SCBL之位移暫存器中，儲存高位準之啟動信號ST-BL之位移段更提前前進2段。同樣地，於掃描電路SCBR之位移暫存器中，儲存顯示選擇驅動電極之高位準之啟動信號ST-BR之位移段，較於掃描電路SCAR之位移暫存器中，儲存高位準之啟動信號ST-AR之位移段更提前前進2段。即，掃描電路SCAL、SCBR與掃描電路SCBL、SCAR相比，選擇提前相當於隔開量n+捆扎量m個的2個之驅動電極。
當位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR週期性變化，且到達磁場觸控檢測期間TP(n-1)時，掃描電路SCAL之位移段FAL(n)(參照圖7(A))保持高位準之啟動信號，並輸出高位準之第1選擇信號AL(n)。於磁場觸控檢測期間TP(n-1)，藉由狀態選擇信號VSEL1、VSEL2變化，如圖11所示，自對應於位移段FAL(n)之單位選擇電路SEL(n)輸出與狀態選擇信號VSEL1、VSEL2之變化同步變化的第1單位選擇信號SELH_L(n)、第2單位選擇信號SELG_L(n)。
此時，於掃描電路SCBR之位移段FBR(n)(參照圖7(D))中，由於亦保 持高位準之啟動信號，故位移段FBT(n)輸出高位準之第2選擇信號BR(n)。因此，於磁場觸控檢測期間TP(n-1)，如圖12所示，自對應之單位選擇電路SER(n)輸出與狀態選擇信號VSEL1、VSEL2之變化同步變化之第1單位選擇信號SELH_R(n)及第2單位選擇信號SELG_R(n)。
此時，於狀態選擇信號VSEL1為高位準且狀態選擇信號VSEL2為低位準之期間，成為向驅動電極TL(n)之端部n1經由信號配線TPH供給第1驅動電壓Vd，且向端部n2經由信號配線TPL供給第2驅動電壓Vs的第1驅動狀態。又，於狀態選擇信號VSEL1為低位準且狀態選擇信號VSEL2為高位準之期間，成為向驅動電極TL(n)之端部n1經由信號配線TPL供給第2驅動電壓Vs，且向端部n2經由信號配線TPH供給第1驅動電壓Vd的第2驅動狀態。於磁場觸控檢測期間TP(n-1)之磁場產生期間TPG，由於狀態選擇信號VSEL1與VSEL2之值分別各交替變化4次，故驅動電極TL(n)如下交替變化4次：第1驅動狀態→第2驅動狀態→第1驅動狀態→第2驅動狀態。
當位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR變化，且到達磁場觸控檢測期間TP(n+1)時，高位準之啟動信號自位移段FAL(n+1)向位移段FAL(n+2)移動，並儲存於位移段FAL(n+2)。同樣地，高位準之啟動信號自位移段FBR(n+1)向位移段FBR(n+2)移動，並儲存於位移段FBR(n+2)。
此時，於掃描電路SCBL之位移暫存器之位移段FBL(n)(參照圖7(B))，於時刻t5，提取至掃描電路SCBL之位移暫存器之高位準之啟動信號自前段之位移段移動，並儲存於位移段FBL(n)。同樣地，此時，於掃描電路SCAR之位移暫存器之位移段FAR(n)(參照圖7(C))，於時刻t5，提取至掃描電路SCAR之位移暫存器之高位準之啟動信號自前段之位移段移 動，並儲存於位移段FAR(n)。
因此，於磁場觸控檢測期間TP(n+1)之磁場產生期間TPG，不僅自與位移段FAL(n+2)、FBR(n+2)對應之單位選擇電路SEL(n+2)、SER(n+2)，還自與位移段FAL(n)、FBR(n)對應之單位選擇電路SEL(n)、SER(n)輸出與狀態選擇信號VSEL1、VSEL2之週期性變化同步之第1單位選擇信號與第2單位選擇信號。即，如圖11及圖12所示，自單位選擇電路SEL(n+2)、SER(n+2)輸出週期性變化之第1單位選擇信號SELH_L(n+2)、SELH_R(n+2)及第2單位選擇信號SELG_L(n+2)、SELG_R(n+2)，還自單位選擇電路SEL(n)、SER(n)輸出週期性變化之第1單位選擇信號SELH_L(n)、SELH_R(n)及第2單位選擇信號SELG_L(n)、SELG_R(n)。
藉此，於磁場觸控檢測期間TP(n+1)之磁場產生期間TPG，隔著驅動電極TL(n+1)之驅動電極TL(n)、TL(n+2)各者根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2之週期性變化，交替變為第1驅動狀態與第2驅動狀態。
即，於狀態選擇信號VSEL1為高位準且狀態選擇信號VSEL2為低位準之期間，成為向驅動電極TL(n+2)之端部n1供給第1驅動電壓Vd，且向端部n2供給第2驅動電壓Vs的第1驅動狀態，同時成為向驅動電極TL(n)之端部n1供給第2驅動電壓Vs，且向端部n2供給第1驅動電壓Vd的第2驅動狀態。又，於狀態選擇信號VSEL1為低位準且狀態選擇信號VSEL2為高位準之期間，成為向驅動電極TL(n+2)之端部n1經由信號配線TPL供給第2驅動電壓Vs，且向端部n2經由信號配線TPH供給第1驅動電壓Vd的第2驅動狀態，並且成為向驅動電極TL(n)之端部n1供給第1驅動電壓Vd，且向端部n2供給第2驅動電壓Vs的第1驅動狀態。於磁場觸控檢測期間TP(n-1) 之磁場產生期間TPG，由於狀態選擇信號VSEL1與VSEL2之值分別各交替變化4次，故驅動電極TL(n+2)與驅動電極TL(n)各自之驅動狀態交替變化4次。
由於磁場觸控檢測期間TP(n+2)~TP(n+4)各自之動作，除了高位準之啟動信號藉由移動，而與狀態選擇信號VSEL1、VSEL2之週期性變化同步，且使變化之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號順次移動以外，皆與磁場觸控檢測期間TP(n+1)相同，故省略說明。
另，圖6所示之連接狀態相當於圖11及圖12中以一點鏈線F6圈示之時序時。
於該實施形態1中，掃描電路SCAL及SCBR各者之位移暫存器於圖11及圖12所示之時刻t1，於提取高位準之啟動信號後，與位移時脈信號CK-AL、CK-BR之變化同步，提取顯示非選擇驅動電極之低位準。同樣地，掃描電路SCBL及SCAR各者之位移暫存器於圖11及圖12所示之時刻t5，於提取高位準之啟動信號後，與位移時脈信號CK-BL、CK-AR之變化同步，提取顯示非選擇驅動電極之低位準。
藉此，保持高位準啟動信號之位移段除外之位移段於磁場觸控檢測期間時，輸出低位準之第1選擇信號及第2選擇信號。例如，若以圖11及圖12所示之磁場觸控檢測期間TP(n+1)敘述，則位移段FAL(n)~FAL(n+1)、FAL(n+3)~FAL(n+5)、FBL(n+1)~FBL(n+5)、FAR(n+1)~FAR(n+5)及FBR(n)~FBR(n+1)、FBR(n+3)~FBR(n+5)保持非選擇之低位準。
其中，關於與第1選擇信號及第2選擇信號兩者為低位準之位移段FAL(n+1)、FAL(n+3)~FAL(n+5)、FBL(n+1)、FBL(n+5)、 FAR(n+1)、FAR(n+3)~FAR(n+5)及FBR(n+1)、FBR(n+3)~FBR(n+5)對應之驅動電極TL(n+1)、TL(n+3)，係如圖8中說明般，端部n1、n2皆為不與信號配線TPH、TPL之任一者分離之浮動電位。藉此，可降低非選擇驅動電極與選擇驅動電極之間之寄生電容，可使輸入檢測裝置之檢測速度提高。
又，於該實施形態1中，控制裝置3於磁場觸控檢測期間時，以圖4所示之閘極驅動器4將所有之掃描線GL(0)~GL(p)設為浮動狀態之方式控制閘極驅動器4。再者，於磁場觸控檢測期間時，控制裝置3將所有之信號線SL(0)~SL(p)設為浮動狀態。藉此，於使選擇之驅動電極之電壓變化時，可降低掃描線及信號線與選擇之驅動電極間之寄生電容之充放電，可提高使選擇之驅動電極之電壓變化之速度。
於磁場觸控檢測期間，於接續於磁場產生期間TPG之磁場檢測期間TPD中，進行來自筆Pen之磁場之檢測，但磁場檢測期間TPD之動作與圖2(B)中說明之動作相同。即，由形成於第2基板CGB之檢測電極RL(0)~RL(p)構成如DY(n-2)~DY(n+1)之磁場檢測線圈，而檢測來自筆Pen之磁場。由於與圖2(B)中說明之動作相同，故省略磁場檢測期間TPD之動作。
<電場觸控檢測之動作>
實施形態1之顯示裝置1可檢測磁場觸控檢測與電場觸控檢測兩者。接著，說明進行電場觸控檢測時之動作。
顯示裝置1之構成亦與電場觸控檢測時相同，藉由控制裝置3形成之信號之波形與磁場觸控檢測時不同。使用波形圖說明電場觸控檢測之動作，但為了避免圖式複雜化，此處波形圖亦分為圖13及圖14。藉由將圖14配置於圖13之下側而完成波形圖。由於圖13及圖14與圖11及圖12類 似，故此處主要說明不同點。
於磁場觸控檢測中，如已經說明般，為了識別磁場產生期間與磁場檢測期間而使用檢測時序信號TPSEL。相對於此，於電場觸控檢測中，如圖3中說明般，藉由以驅動電極產生電場，利用檢測電極檢測出此時之電場變化而進行觸控檢測。因此，由於不要求識別產生電場之期間與檢測電場之期間，且不使用檢測時序信號TPSEL，故而於圖13及圖14中予以省略。又，於磁場觸控檢測中於觸控期間控制信號COMFL為高位準，但於電場觸控檢測中控制信號COMFL始終維持低位準。即，根據控制信號COMFL為高位準或低位準，而識別是磁場觸控檢測還是電場觸控檢測。
於該實施形態1中，與磁場觸控檢測時同樣地，控制裝置3以交替產生顯示期間與電場觸控檢測期間之方式進行控制。於圖13及圖14中，DP表示顯示期間，TC(n)~TC(n+5)表示於驅動電極TL(n)~TL(n+5)之區域中進行電場觸控檢測之電場觸控檢測期間。又，TC(ss)顯示開始電場觸控檢測之開始期間。
控制裝置3於電場觸控檢測時，如圖13所示，將控制信號COMFL設為低位準L，將驅動信號TPL設為顯示驅動電壓VCOMDC。又，控制裝置3於開始期間TC(ss)及電場觸控檢測期間(於圖13、圖14中為TC(n)~TC(n+5))中，使驅動信號TPH之電壓於接地電壓Vs與電壓值高於接地電壓之電壓Vd之間週期性變化。該週期性變化之交流信號相當於電場驅動信號。再者，控制裝置3於電場觸控檢測期間時，將狀態選擇信號VSEL2設為低位準L，於開始期間TC(ss)及電場觸控檢測期間時，使狀態選擇信號VSEL1自低位準L向高位準H變化。
控制裝置3於磁場觸控檢測時，使用儲存於隔開量暫存器S-REG之隔 開量，產生位移時脈信號與啟動信號，但於電場觸控檢測時，不使用隔開量，而產生位移時脈信號與啟動信號。即，於電場觸控檢測之情形時，如圖13及圖14所示，於時刻t0，控制裝置3使啟動信號ST-AL及ST-AR變化與捆扎量m=1對應之1次，而自低位準向顯示選擇驅動電極之高位準變化。又，每開始期間TC(ss)及電場觸控檢測期間，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL及CK-AR自低位準變化為高位準。即，使位移時脈信號CK-AL、CK-AR週期性變化。另一方面，於電場觸控檢測時，控制裝置3如圖13及圖14所示，將啟動信號ST-BL及ST-BR各者維持為低位準L，且將位移時脈信號CK-BL及CK-BR維持為低位準L。即，於電場觸控檢測時，不使位移時脈信號CK-BL、CK-BR變化。即，於電場觸控檢測時，僅掃描電路SCAL與掃描電路SCAR選擇驅動電極，掃描電路SCBL與掃描電路SCBR不選擇驅動電極。
於時刻t0，藉由位移時脈信號CK-AL、CK-AR變化，掃描電路SCAL、SCAR之位移暫存器提取表示選擇驅動電極之高位準之啟動信號ST-AL、ST-AR。相對於此，由於位移時脈信號CK-BL、CK-BR不變化，故掃描電路SCBL、SCBR之位移暫存器不提取啟動信號ST-BL、ST-BR，而輸出先前之狀態。雖無特別限制，但掃描電路SCBL、SCBR之位移暫存器於較時刻t0更早之時刻被重設，故自掃描電路SCBL、SCBR輸出之第2選擇信號全部為低位準。
每當電場觸控檢測期間重複時，當位移時脈信號CK-AL、CK-AR變化，且到達電場觸控檢測期間TC(n)時，與位移時脈信號CK-AL、CK-AR之變化同步，圖7(A)及(C)所示之位移段FAL(n)、FAR(n)提取並保持自前段之位移段輸出之顯示選擇之高位準之啟動信號ST-AL、ST-AR。其結 果，自位移段FAL(n)、FAR(n)輸出之第1選擇信號AL(n)、及第3選擇信號AR(n)自低位準向高位準變化。藉此，於圖8所示之單位選擇電路SEL(n)、SER(n)各者中，第1傳送開關TP1L、TP1R及第2傳送開關TP2L、TP2R為接通狀態。
此時，由於狀態選擇信號VSEL1為高位準H，狀態選擇信號VSEL2為低位準L，故如圖13及圖14所示，第2單位選擇信號SELG_L(n)、SELG_R(n)為高位準，第1單位選擇信號SELH_L(n)、SELH_R(n)為低位準。藉此，於與單位選擇電路SEL(n)、SER(n)對應之單位驅動電路USL、USR中，P電晶體P6L、P6R為接通狀態，P電晶體P7L、P7R為斷開狀態。其結果，與位移段FAL(n)、FAR(n)對應之驅動電極TL(n)之一端部n1經由P電晶體P6L與信號配線TPH連接，另一端部n2經由P電晶體P6R與信號配線TPH連接。
於電場觸控檢測期間TC(n)中，驅動電極TL(n)向其兩端n1、n2供給週期性變化之交流電場驅動信號，此時，檢測電極RL輸出與電場驅動信號對應之檢測信號。
另，由於掃描電路SCBL、SCBR於電場觸控檢測時，繼續輸出低位準之第2選擇信號，故未自任一個掃描電路選擇未被掃描電路SCAL、SCAR選擇之驅動電極。
如圖8中說明般，與磁場觸控檢測期間不同，於電場觸控檢測期間，由於控制信號COMFL為低位準，故於供給至單位選擇電路SEL(n)、SER(n)之第1選擇信號及第2選擇信號為低位準時，自反相器電路IV2L及IV2R輸出低位準之第2單位選擇信號SELG_L及SELG_R，且非選擇之驅動電極之端部n1及端部n2與信號配線TPL連接。
於電場觸控檢測期間TC(n)中，自與未被掃描電路SCAL及SCAR選擇之驅動電極TL(n+1)~TL(n+5)對應之單位選擇電路SEL(n)~(n+5)及SER(n)~(n+5)輸出高位準之第1單位選擇信號SELH_L(n+1)~SELH_L(n+5)及SELH_R(n+1)~SELH_R(n+5)、與低位準之第2單位選擇信號SELG_L(n+1)~(n+5)及SELG_R(n+1)~(n+5)，且各者之端部n1及n2與信號配線TPL連接，並供給顯示驅動電壓VCOMDC。藉由向非選擇之驅動電極之兩端部供給直流之顯示驅動電壓VCOMDC，可降低非選擇驅動電極對檢測電極造成之雜訊。
以電場觸控檢測期間TC(n)為例進行說明，但藉由顯示選擇驅動電極之高位準於位移段移動，於電場觸控檢測期間TC(n+1)~TC(n+5)中亦同樣，於選擇之驅動電極TL(n+1)~TL(n+5)中產生電場。例如，於圖13及圖14中，於電場觸控檢測期間TC(n+2)之時序中，位移段FAL(n+2)、FAR(n+2)保持顯示選擇驅動電極TL(n+2)之高位準。藉此，輸出如圖13及圖14所示之第2單位選擇信號SELG_L(n)~SELG_L(n+5)、SELG_R(n)~SELG_R(n+5)及第1單位選擇信號SELH_L(n)~SELH_L(n+5)、SELH_R(n)~SELH_R(n+5)，且第2開關S00(P7L、P7R)、第1開關S01(P6L、P6R)為如圖15所示之狀態。於該狀態中，選擇驅動電極TL(n+2)，且於其兩端n1、n2連接信號配線TPH，於該驅動電極TL(n+2)中，產生根據電場驅動信號之電場。另，由於圖15所示之方塊圖係僅第1開關S01、第2開關S00之連接改變，其他皆與圖6所示之方塊圖相同，故省略說明。
於電場觸控檢測期間TC(n)~TC(n+5)各者中，使用形成於第2基板之檢測電極RL(0)~RL(p)，如圖3中說明般檢測電場之變化。由於使用檢 測電極之電場變化之檢測與圖3中說明者同樣，故省略說明。
又，於顯示期間DP中由於控制信號COMFL及檢測時序信號COMSEL為低位準，或，任一個掃描電路皆未選擇驅動電極，故根據圖8所示之電路之動作，向所有之單位選擇電路SEL輸出高位準之第1單位選擇信號SELH_L與低位準之第2單位選擇信號SELG_L，向所有之單位選擇電路SER輸出高位準之第1單位選擇信號SELH_R與低位準之第2單位選擇信號SELG_R，且將所有之驅動電極與信號配線TPL連接，並供給顯示驅動信號VCOMDC。此時，驅動電極TL作為顯示裝置之共用電極發揮功能。
(實施形態2)
圖16係顯示實施形態2之第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR之構成的方塊圖。由於圖16與上文說明之圖6相似，故此處主要說明不同點。不同點在於：自掃描電路SCAR與掃描電路SCBR向第2選擇驅動電路SDR輸出之選擇信號之連接在圖16與圖6中不同。即，供給至構成第2選擇驅動電路SDR之單位選擇電路SER(n)~SER(n+5)之第1選擇信號AR(n)~AR(n+5)及第1反轉選擇信號XAR(n)~XAR(n+5)、與第2選擇信號BR(n)~BR(n+5)及第2反轉選擇信號XBR(n)~XBR(n+5)之連接部位予以調換。除了該不同點以外，圖16與圖6皆相同。
圖17係顯示實施形態2之第2選擇驅動電路SDR之構成之電路圖。於圖17，顯示構成第2選擇驅動電路SDR之複數個單位選擇電路中之單位選擇電路SER(n)與對應於該單位選擇電路SER(n)之單位驅動電路USR的構成。實施形態2之構成第1選擇驅動電路SDL之單位選擇電路SEL(n)~ SEL(n+5)及單位驅動電路USL之構成與實施形態1相同。例如，圖16所示之單位選擇電路SEL(n)與對應於該單位選擇電路SEL(n)之單位驅動電路USL具有圖8(A)所示之構成。關於圖16所示之單位選擇電路SEL(n+1)~SEL(n+5)與對應於各者之單位驅動電路USL，亦各自具有如圖8(A)所示之構成。
圖17所示之單位選擇電路SER(n)與圖8(B)所示之單位選擇電路同樣，具備：第1傳送開關TP1R~第6傳送開關TP6R、N電晶體N2R、N3R及反相器電路IV0R~IV2R。該等第1傳送開關TP1R~第6傳送開關TP6R、N電晶體N2R、N3R及反相器電路IV0R~IV2R之相互連接與圖8(B)相同。又，對應於單位選擇電路SER(n)之單位驅動電路USR之構成與圖8(B)所示之單位驅動電路相同。
於圖8(B)所示之單位選擇電路中，第1傳送開關TP1R、第2傳送開關TP2R及第5傳送開關TP5R根據來自掃描電路SCAR之第1選擇信號AR(n)及第1反轉選擇信號XAR(n)進行開關控制，N電晶體N3R根據第1反轉選擇信號XAR(n)進行開關控制。又，於圖8(B)之單位選擇電路中，第3傳送開關TP3R、第4傳送開關TP4R及第6傳送開關TP6R根據來自掃描電路SCBR之第2選擇信號BR(n)及第2反轉選擇信號XBR(n)進行開關控制，N電晶體N2R根據第2反轉選擇信號XBR(n)進行開關控制。
相對於此，於圖17所示之單位選擇電路SER(n)中，第1傳送開關TP1R、第2傳送開關TP2R及第5傳送開關TP5R根據來自掃描電路SCBR之第2選擇信號BR(n)及第2反轉選擇信號XBR(n)進行開關控制，N電晶體N3R根據第2反轉選擇信號XBR(n)進行開關控制。又，於圖17之單位選擇電路中，第3傳送開關TP3R、第4傳送開關TP4R及第6傳送開關TP6R根據 來自掃描電路SCAR之第1選擇信號AR(n)及第1反轉選擇信號XAR(n)進行開關控制，N電晶體N2R根據第1反轉選擇信號XAR(n)進行開關控制。此處，以單位選擇電路SER(n)為例進行說明，但其他之單位選擇電路SER(n+1)~SER(n+5)亦同樣。藉此，於實施形態2中，第1選擇信號AR(n)為高位準時之動作、與第2選擇信號BR(n)為高位準時之動作相對於實施形態1調換。
<磁場觸控檢測之整體動作>
接著，使用波形圖說明實施形態2之顯示裝置1之磁場觸控檢測之整體動作。此處為了避免圖式之複雜化，波形圖亦分為圖18及圖19。藉由將圖19配置於圖18之下側而完成顯示顯示裝置1之動作之波形圖。由於圖18及圖19與圖11及圖12類似，故此處主要說明不同點。
與實施形態1同樣，於該實施形態2中，控制裝置3亦基於儲存於隔開量暫存器S-REG之隔開量與儲存於束暫存器C-REG之捆扎量之資訊，形成啟動信號ST-AR、ST-BR、ST-AL、ST-BL及位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR、CK-BR。於實施形態1中，於開始期間TP(ss)之前，使位移時脈信號CK-AL、CK-BR變化基於隔開量之次數，且於使位移時脈信號CK-AL、CK-BR初次變化時，將顯示選擇驅動電極之高位準之啟動信號ST-AL、ST-BR供給至掃描電路SCAL、SCBR。相對於此，於實施形態2中，控制裝置3使供給至掃描電路SCAL、SCAR之位移時脈信號CK-AL、CK-AR於開始期間TP(ss)之前，變化基於隔開量與捆扎量之合計之次數，且於使位移時脈信號CK-AL、CK-AR初次變化捆扎量m之次數時，將顯示驅動電極的選擇之高位準之啟動信號ST-AL、ST-AR供給至掃描電路SCAL、SCAR。
即，控制裝置3於圖18及圖19中，於先於開始期間TP(ss)開始之時刻t5的時刻t1時，使位移時脈信號CK-AL、CK-AR變化。於該實施形態2中亦然，由於基於隔開量與捆扎量之次數與實施形態1同樣皆為2次，故於先於時刻t5之時刻t1與時刻t3，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL、CK-AR變化。又，控制裝置3於時刻t0至時刻t2中，將啟動信號ST-AL、ST-AR設為顯示選擇驅動電極之高位準。其後，於時刻t4，控制裝置3將啟動信號ST-BL、ST-BR設為顯示選擇驅動電極之高位準。以後，每磁場觸控檢測期間(例如TP(n)~TP(n+5))，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR變化。此時，控制裝置3以位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR彼此成為相同週期之方式，使該等位移時脈信號變化。
藉此，掃描電路SCAL、SCAR輸出第1選擇信號，該第1選擇信號指定較藉由自掃描電路SCBL、SCBR輸出之第2選擇信號指定之驅動電極更靠近驅動電極TL(p)側2個之驅動電極。
當位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR、CK-BR變化，且到達例如磁場觸控檢測期間TP(n-1)時，於掃描電路SCAL及SCAR各者中，位移段FAL(n)、FAR(n)(參照圖7)自前段之位移段提取並保持高位準之啟動信號ST-AL、ST-AR。藉此，第1選擇信號AL(n)、AR(n)成為高位準。藉由第1選擇信號AL(n)為高位準，於圖8(A)所示之單位選擇電路SEL(n)中，第1傳送開關TP1L、第2傳送開關TP2L為接通狀態，且單位選擇電路SEL(n)如圖18所示，輸出根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2變化之第1單位選擇信號SELH_L(n)、第2單位選擇信號SELG_L(n)。相對於此，藉由第1選擇信號AR(n)為高位準，於圖17所示之單位選擇電路SER(n)中，第3 傳送開關TP3R、第4傳送開關TP4R為接通狀態。其結果，如圖19所示，單位選擇電路SER(n)輸出根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2變化之第1單位選擇信號SELH_R(n)、第2單位選擇信號SELG_R(n)。
此時，由於單位選擇電路SER(n)中第1選擇信號AR(n)與第2選擇信號BR(n)之連接關係與單位選擇電路SEL(n)調換，故對應於狀態選擇信號VSEL1與狀態選擇信號VSEL2之值輸出之第1單位選擇信號SELH_R(n)、第2單位選擇信號SELG_R(n)之值與實施形態1相反。
藉此，於狀態選擇信號VSEL1為高位準且狀態選擇信號VSEL2為低位準時，成為向驅動電極TL(n)端部n1自信號配線TPH供給第1驅動電壓Vd，向端部n2自信號配線TPL供給第2驅動電壓Vs的第1驅動狀態。又，於狀態選擇信號VSEL1為低位準且狀態選擇信號VSEL2為高位準時，成為向驅動電極TL(n)之端部n1自信號配線TPL供給第2驅動電壓Vs，向端部n2自信號配線TPH供給第1驅動電壓Vd的第2驅動狀態。
接著，當位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR變化，且到達例如磁場觸控檢測期間TP(n+1)時，於掃描電路SCAL、SCBL、SCAR及SCBR之位移暫存器中，高位準之啟動信號移動，且到達至位移段FAL(n+2)、FAR(n+2)、FBL(n)及FBR(n)。藉此，掃描電路SCAL及SCAR以選擇驅動電極TL(n+2)之方式將第1選擇信號AL(n+2)及AR(n+2)設為高位準，掃描電路SCBL及SCBR以選擇驅動電極TL(n)之方式將第2選擇信號BL(n)及BR(n)設為高位準。
藉由使第1選擇信號AL(n+2)及AR(n+2)為高位準，根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，如圖18及圖19所示，使第1單位選擇信號SELH_L(n+2)、SELH_R(n+2)及第2單位選擇信號SELG_L(n+2)、 SELG_R(n+2)變化。其結果，驅動電極TL(n+2)交替變為第1驅動狀態與第2驅動狀態，並產生磁場。
又，藉由第2選擇信號BL(n)、BR(n)為高位準，圖8(A)所示之第3傳送開關TP3L、第4傳送開關TP4L為接通狀態，圖17所示之第1傳送開關TP1R、第2傳送開關TP2R為接通狀態。藉此，根據狀態選擇信號VSEL1、VSEL2，如圖18及圖19所示，使第1單位選擇信號SELH_L(n)、SELH_R(n)及第2單位選擇信號SELG_L(n)、SELG_R(n)變化。其結果，驅動電極TL(n)交替變為第1驅動狀態與第2驅動狀態，並產生磁場。
驅動電極TL(n)產生之磁場、與驅動電極TL(n+2)產生之磁場於驅動電極TL(n+1)之區域中重疊。由於各個磁場係藉由重複第1驅動狀態與第2驅動狀態而產生，故可增加產生之磁場變化。
其後，於磁場觸控檢測期間TP(n+2)~TP(n+5)各者中，同樣產生磁場。另，圖16所示之連接狀態於圖18及圖19中相當於由一點鏈線F16圈示之時序時。
於實施形態2中，於磁場觸控檢測期間，非選擇之驅動電極為浮動電位。又，於磁場觸控檢測期間，掃描線及信號線為浮動電位。
<電場觸控檢測之動作>
與實施形態1同樣，於實施形態2中，可進行電場觸控檢測。接著，使用波形圖說明電場觸控檢測時之動作。為了避免圖式之複雜化，此處波形圖亦分為圖20及圖21。藉由將圖21配置於圖20之下側而完成波形圖。由於圖20及圖21與圖13及圖14類似，故主要說明不同點。
於實施形態2中，亦與實施形態1同樣，控制裝置3於電場觸控檢測時，不使用隔開量而產生位移時脈信號與啟動信號。然而，於實施形態1 不同，由於將第1選擇信號AR(n)與第2選擇信號BR(n)為高位準時之動作調換，故控制裝置3如圖20及圖21所示，於時刻t0，代替啟動信號ST-AR而使啟動信號ST-BR自低位準向顯示選擇之高位準變化。又，每開始期間TC(ss)及電場觸控檢測期間，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL及CK-BR自低位準變化為高位準。即，使位移時脈信號CK-AL、CK-BR週期性變化。又，控制裝置3如圖20及圖21所示，將啟動信號ST-BL及SR-AR各者維持為低位準L，將位移時脈信號CK-BL及CK-AR維持為低位準L。即，於電場觸控檢測時，位移時脈信號CK-BL、CK-AR不變化。
當位移時脈信號CK-AL、CK-BR變化，且將顯示選擇驅動電極之高位準之啟動信號ST-AL、ST-BR保持於位移段FAL(n)、FBR(n)(參照圖7)時，成為電場觸控檢測期間TC(n)。藉由位移段FAL(n)、FBR(n)儲存高位準之啟動信號ST-AL、ST-BL，第1選擇信號AL(n)及第2選擇信號BR(n)為高位準。藉此，圖8(A)所示之第1傳送開關TP1L及第2傳送開關TP2L、與圖17所示之第1傳送開關TP1R及第2傳送開關TP2R為接通狀態。於電場觸控檢測期間TC(n)中，由於狀態選擇信號VSEL1為高位準，狀態選擇信號VSEL2為低位準，故如圖20及圖21所示，第1單位選擇信號SELH_L(n)及SELH_R(n)為高位準，第2單位選擇信號SELG_L(n)及SELG_R(n)為低位準。
其結果，驅動電極TL(n)之一端部n1經由單位驅動電路USL內之P電晶體P6L與信號配線TPH連接，另一端部n2經由單位驅動電路USR內之P電晶體P6R與信號配線TPH連接。藉此，於電場觸控檢測期間TC(n)中，自驅動電極TL(n)之兩端部供給被供給至信號配線TPH之週期性變化之電場驅動信號，並產生電場。
以電場觸控檢測期間TC(n)為例進行說明，但於其他之電場觸控檢測期間中亦同樣。又，於該實施形態2中，由於電場觸控檢測期間中亦將控制信號COMFL設為低位準，故對非選擇之驅動電極供給顯示驅動電壓VCOMDC，因而可謀取雜訊之減低。又，於顯示期間DP中，所有之驅動電極皆為非選擇故自信號配線TPL供給顯示驅動電壓VCOMDC。
於磁場觸控檢測期間，來自筆Pen之磁場如圖2中說明般，藉由形成於第2基板之檢測電極RL(0)~RL(p)之檢測，於電場觸控檢測期間，電場之變化亦如圖3中說明般，由檢測電極RL(0)~RL(p)檢測。
(實施形態3)
於實施形態3中，第1驅動電極與第2驅動電極各自包含複數個鄰接之驅動電極，且各自同時變化為第1驅動狀態與第2驅動狀態。即，相互鄰接之複數個驅動電極實質上同時被設為第1驅動狀態，且於接下來之時序，實質上同時被設為第2驅動狀態。若第1驅動電極與第2驅動電極包含鄰接之複數個驅動電極，則可增強產生之磁場。又，由於時間上交替地設為第1驅動狀態與第2驅動狀態，故可增加磁場之變化。
再者，於實施形態3中，以俯視時夾著1個驅動電極之方式將2個束驅動電極隔開配置，各個束驅動電極以各個束驅動電極中產生之磁場於被隔在中間之驅動電極之區域中重疊之方式驅動。藉此，可於被夾著之驅動電極(以下亦稱為第3驅動電極)之區域中產生更強之磁場。
該實施形態3之顯示裝置1之構成與實施形態1同樣，且藉由使供給至第1掃描電路SCL及第2掃描電路SCR之啟動信號及位移時脈信號與實施形態1不同而得以實現。首先，使用圖22說明實施形態3之磁場觸控檢測之動作概要。圖22係顯示實施形態3之驅動電極之狀態之模式性俯視圖。
於圖22中，TL(n-1)~TL(p)表示配置於第1基板TGB之驅動電極。如圖1等中說明般，驅動電極TL(0)~TL(p)於俯視時於第1基板TGB中相互平行配置，於圖22，明示該等驅動電極中之驅動電極TL(n-1)~TL(n+8)及TL(p)。又，於圖22中，S01及S00表示圖6中說明之第1開關及第2開關，TPH及TPL表示圖6中說明之信號配線。
於圖22中，顯示於磁場觸控檢測期間時，將相鄰之3個驅動電極作為束驅動電極使用之情形。當然，構成束驅動電極之驅動電極之數量並非限定於此者。驅動電極TL(n-1)~TL(p)各者係將其一端部n1經由第1開關S01與信號配線TPH連接，經由第2開關S00與信號配線TPL連接。又，驅動電極TL(n-1)~TL(p)各者之另一端部n2係經由第1開關S01與信號配線TPH連接，經由第2開關S00與信號配線TPL連接。另，於圖22中，僅對驅動電極TL(p)標註符號n1、n2。
與驅動電極TL(n-1)~TL(p)之一端部n1連接之第1開關S01及第2開關S00構成實施形態1中所述之單位驅動電路USL，且根據來自選擇電路SELL(圖6)之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號進行開關控制。又，與驅動電極TL(n-1)~TL(p)之另一端部n2連接之第1開關S01及第2開關S00構成實施形態1中所述之單位驅動電路USR，且根據來自選擇電路SELR(圖6)之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號進行開關控制。
於磁場觸控檢測期間，根據來自選擇電路SELL之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號，以將驅動電極TL(n)~TL(n+2)之一端部n1與信號配線TPL連接之方式控制第1開關S01及第2開關S00。此時，根據來自選擇電路SELR之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號，以將驅動電極TL(n)~TL(n+2)之另一端部n2與信號配線TPH連接之方式控制第1開關S01及第 2開關S00。於磁場觸控檢測期間，如實施形態1中所述般，向信號配線TPL供給接地電壓Vs，向信號配線TPH供給高於接地電壓Vs之電壓Vd。於圖22中，將接地電壓Vs圖示為0，且電壓Vd圖示為+。
此時，根據來自選擇電路SELL之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號，以將驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)之一端部n1與信號配線TPH連接之方式控制第1開關S01及第2開關S00。又，根據來自選擇電路SELR之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號，以將驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)之另一端部n2與信號配線TPL連接之方式控制第1開關S01及第2開關S00。
藉此，如圖22(A)所示，驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)作為束驅動電極成為第1驅動狀態，驅動電極TL(n)~TL(n+2)作為束驅動電極成為第2驅動狀態。於成為第1驅動狀態之束驅動電極中，電流自一端部n1流向另一端部n2，於成為第2驅動狀態之束驅動電極中，相反地電流自另一端部n2流向一端部n1。藉此，於構成各個束驅動電極之複數個驅動電極中產生磁場，且於被夾在中間之驅動電極(第3驅動電極)TL(n+3)之區域中磁場重疊。此時可將驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)視為第1驅動電極，將驅動電極TL(n)~TL(n+2)視為第2驅動電極。
於時間上接下來之時序中，根據來自選擇電路SELL之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號，以向驅動電極TL(n)~TL(n+2)之一端部n1供給第2電壓Vd(+)之方式控制，根據來自選擇電路SELR之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號，以向驅動電極TL(n)~TL(n+2)之另一端部n2供給第1電壓Vs(0)之方式控制。此時，如下控制驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)：根據來自選擇電路SELL之第1單位選擇信號及第2單位選擇信號，向其一端部n1供給第1電壓Vs(0)，根據來自選擇電路SELR之第1單位選擇信號 及第2單位選擇信號，向其另一端部n2供給第2電壓Vd(+)。
藉此，於上述接下來之時序中，如圖22(B)所示，由驅動電極TL(n)~TL(n+2)構成之束驅動電極自第2驅動狀態向第1驅動狀態變化，由驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)構成之束驅動電極自第1驅動狀態向第2驅動狀態變化。於圖22(B)之情形時，由於於各個束驅動電極流通之電流之方向亦相反，故於配置於束驅動電極之間之驅動電極TL(n+3)之區域中，藉由各個束驅動電極產生之磁場重疊。
<磁場觸控檢測之整體動作>
接著，使用波形圖說明實施形態3之顯示裝置1之磁場觸控檢測之整體動作。此處，為了避免圖式複雜化，波形圖亦分為圖23及圖24。可藉由將圖24配置於圖23之下側而完成波形圖。由於圖23及圖24與圖11及圖12類似，故主要說明不同點。例如，由於控制信號COMFL、檢測時序信號TPSEL、狀態選擇信號VSEL1、VSEL2及驅動信號TPH、TPL之波形與圖11相同，故省略說明。
於該實施形態3中，控制裝置3以交替產生顯示期間DP與磁場觸控檢測期間之方式進行控制。於圖23及圖24，作為磁場觸控檢測期間，係顯示於驅動電極TL(n-3)~TL(n+4)之區域中，產生重疊之磁場的磁場觸控檢測期間TP(n-3)~TP(n+4)。
於該實施形態3中，控制裝置3基於儲存於束暫存器C-REG之捆扎量(構成束驅動電極之驅動電極之數量)m之資訊、與儲存於隔開量暫存器S-REG之隔開量n之資訊，形成啟動信號ST-AL、ST-BL、ST-AR、ST-BR及位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR、CK-BR。即，控制裝置3如下控制：使用啟動信號ST-AL、ST-BL及時脈信號CK-AL、CK-BL，使 掃描電路SCAL及SCBL之位移暫存器根據捆扎量m之資訊之次數地連續儲存顯示選擇驅動電極之高位準之啟動信號。又，控制裝置3如下控制：使用啟動信號ST-AL、ST-BL及時脈信號CK-AL、CK-BL，於掃描電路SCAL之位移暫存器中儲存啟動信號之位移段、與掃描電路SCBL之位移暫存器中儲存啟動信號之位移段之間根據m+n之資訊之次數地產生段數差。
同樣地，如下控制：使用啟動信號ST-AR、ST-BR及時脈信號CK-AR、CK-BR，使掃描電路SCAR及SCBR之位移暫存器根據捆扎量m之資訊之次數地連續儲存顯示選擇驅動電極之高位準的啟動信號。又，如下控制：根據啟動信號ST-AR、ST-BR及時脈信號CK-AR、CK-BR，於掃描電路SCAR之位移暫存器中儲存啟動信號之位移段、與掃描電路SCBR之位移暫存器中儲存啟動信號之位移段之間根據m+n之資訊之次數地產生段數差。
此處，以構成束驅動電極之驅動電極之個數m如圖22所示為3個(m=3)，且於束驅動電極間夾有1個驅動電極之情形(隔開量n=1)為例進行說明。
如圖23及圖24所示，於先於開始期間TP(ss)開始之時刻t10的時刻t0，控制裝置3使啟動信號ST-AL及ST-BR變化為顯示選擇驅動電極之高位準，且於時刻t4之前，維持高位準。接著，控制裝置3於時刻t1、t2及t3，使位移時脈信號CK-AL及CK-BR變化m次即3次。藉此，掃描電路SCAL、SCBR之位移暫存器連續提取高位準之啟動信號ST-AL、ST-BR，並儲存於3個連續之位移段。其後，於時刻t4，控制裝置3將啟動信號ST-AL及ST-BR設為低位準。
接著，於時刻t5，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL及CK-BR變化對應於隔開量之n次數即1次。因此，掃描電路SCAL及SCBR之位移暫存器於時刻t5當位移時脈信號CK-AL、CK-BR變化時，提取並保持低位準之啟動信號。藉此，於掃描電路SCAL、SCBR各者之位移暫存器，儲存連續之3個高位準之啟動信號與1個低位準之啟動信號。於該時點，掃描電路SCAL與掃描電路SCBR較掃描電路SCBL、掃描電路SCAR，位移時脈信號多變化m+n=4段。
接著，於時刻t6，控制裝置3使啟動信號ST-BL及ST-AR變化為高位準，且於時刻t11之前，維持高位準。又，於時刻t7、t8及t9之各者，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR、CK-BR變化m次數即3次。其後，每磁場觸控檢測期間，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR、CK-BR變化。另，如圖23及圖24所示，控制裝置3於時刻t1、t2、t3及t5，不使位移時脈信號CK-BL、CK-AR變化。
為了維持段差量，於時刻t7、t8、t9時，位移時脈信號CK-AL、CK-BR亦變化與位移時脈信號CK-BL、CK-AR同樣之次數，但由於啟動信號ST-AL、ST-BR維持為低位準，故掃描電路SCAL、SCBR之位移暫存器於時刻t7、t8及t9之各者時，提取低位準之啟動信號。另一方面，於時刻t7、t8、t9時，由於啟動信號ST-BL、ST-AR為顯示選擇驅動電極之高位準，故掃描電路SCBL、SCAR之位移暫存器於各個時刻皆提取高位準之啟動信號。
若以自時刻t10開始之開始期間TP(ss)之時序，敘述掃描電路SCAL、SCBR，SCBL、SCAR各者之位移暫存器儲存之狀態，則如下所示。即，掃描電路SCAL、SCBR之位移暫存器成為儲存3個高位準之啟動 信號，其後儲存4個低位準之啟動信號之狀態。相對於此，掃描電路SCBL、SCAR之位移暫存器成為儲存3個高位準之啟動信號之狀態。即，各個掃描電路連續儲存m個高位準之啟動信號，且掃描電路SCAL與SCBR較掃描電路SCBL與SCAR前進m+n個位移段。
其後，每磁場觸控檢測期間，控制裝置3使位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR變化，每當此時一面維持上述狀態，一面使高位準之啟動信號於各個位移暫存器內移動。
當位移時脈信號CK-AL、CK-BL、CK-AR及CK-BR重複變化，且到達磁場觸控檢測期間TP(n+3)時，成為如下之狀態：於掃描電路SCAL之位移暫存器中，位移段FAL(n+4)~FAL(n+6)儲存高位準之啟動信號，於掃描電路SCBR之位移暫存器中，位移段FBR(n+4)~FBR(n+6)儲存高位準之啟動信號。
此時，成為如下之狀態：於掃描電路SCBL之位移暫存器中，位移段FBL(n)~FBL(n+2)儲存高位準之啟動信號，於掃描電路SCAR之位移暫存器中，位移段FAR(n)~FAR(n+2)儲存高位準之啟動信號。於圖7顯示上述之位移段FAL(n)~FAL(n+5)、FBL(n)~FBL(n+5)、FAR(n)~FAR(n+5)及FBR(n)~FBR(n+5)。
另，於圖7未顯示上述位移段FAL(n+6)、FBL(n+6)、FAR(n+6)及FBR(n+6)，但該等係位移段FAL(n+5)、FBL(n+5)、FAR(n+5)及FBR(n+5)之後段。
藉由位移段FAL(n+4)~FAL(n+6)及FAR(n)~FAR(n+2)儲存高位準之啟動信號，第1選擇信號AL(n+4)~AL(n+6)及AR(n)~AR(n+2)為高位準。又，藉由位移段FBL(n+4)~FBL(n+6)及FBR(n)~FBR(n+2)儲存高 位準之啟動信號，第2選擇信號BL(n+4)~BL(n+6)及BR(n)~BR(n+2)為高位準。於對應於該等位移段之單位選擇電路中，由於供給有高位準之第1選擇信號或第2選擇信號，故如實施形態1中說明般，第1傳送開關與第2傳送開關或第3傳送開關與第4傳送開關為接通狀態。
藉此，如圖23及圖24所示，第1單位選擇信號SELH_L(n)~SELH_L(n+2)、SELH_L(n+4)~SELH_L(n+6)、SELH_R(n)~SELH_R(n+2)、SELH_R(n+4)~SELH_R(n+6)根據狀態驅動信號VSEL1、VSEL2之變化而變化。同樣地，第2單位選擇信號SELG_L(n)~SELG_L(n+2)、SELG_L(n+4)~SELG_L(n+6)、SELG_R(n)~SELG_R(n+2)、SELG_R(n+4)~SELG_R(n+6)亦根據狀態驅動信號VSEL1、VSEL2之變化而變化。
根據上述第1單位選擇信號及第2單位選擇信號之變化，驅動電極TL(n)~TL(n+2)之一端部n1與信號配線TPH或TPL連接，另一端部n2與信號配線TPL或TPH連接。同樣地，驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)之一端部n1與信號配線TPL或TPH連接，另一端部n2與信號配線TPH或TPL連接。藉此。驅動電極TL(n)~TL(n+2)、TL(n+4)~TL(n+6)各者產生磁場。由於構成束驅動電極之驅動電極TL(n)~TL(n+2)係於各者流通之電流方向相同，故產生之磁場之朝向相同而磁場重疊。同樣地，由於構成束驅動電極之驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)係於各者流通之電流方向相同，故產生之磁場之朝向亦相同而磁場重疊。其結果，於被夾在該2個束驅動電極之間之驅動電極TL(n+3)之區域中，由2個束驅動電極產生之磁場重疊。
於圖23及圖24中，根據由一點鏈線F22(A)顯示之時序時之波形，成 為圖22(A)所示之驅動狀態，根據由一點鏈線F22(B)顯示之時序時之波形，成為圖22(B)所示之驅動狀態。
即，於F22(A)中狀態選擇信號VSEL1為高位準且狀態選擇信號VSEL2為低位準。此時，處於自第1驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)之端部n1供給第1驅動電壓Vd，自端部n2供給第2驅動電壓Vs之第1驅動狀態，同時，第2驅動電極TL(n)~TL(n+2)為自端部n1供給第2驅動電壓Vs，自端部n2供給第1驅動電壓Vd之第2驅動狀態。於接下來之時序F22(B)中狀態選擇信號VSEL1為低位準且狀態選擇信號VSEL2為高位準。此時，處於自第1驅動電極TL(n+4)~TL(n+6)之端部n1供給第2驅動電壓Vs，自端部n2供給第1驅動電壓Vd之第2驅動狀態，同時，為自第2驅動電極TL(n)~TL(n+2)之端部n1供給第1驅動電壓Vd，自端部n2供給第2驅動電壓Vs之第1驅動狀態。如此，於1次磁場觸控檢測期間TP(n+3)中，根據狀態選擇信號之互補性變化之次數交替重複圖22(A)所示之驅動狀態與圖22(B)所示之驅動狀態。
此處，以磁場觸控檢測期間TP(n+3)為例進行說明，但於其他之磁場觸控檢測期間中亦同樣。另，由於磁場檢測期間TPD之動作與使用圖2說明之動作相同，故省略說明。
於該實施形態3中，於磁場觸控檢測期間，由於第1驅動電極及第2驅動電極為包含相鄰之複數個驅動電極之束驅動電極，故可增強產生之磁場。又，由於構成束驅動電極之各個第1驅動電極與第2驅動電極設為時間上交替之第1驅動狀態與第2驅動狀態，故可增加磁場之變化。作為結果，可使蓄積於筆Pen之電容元件C(圖2)之電荷量進一步增強，可謀求提高檢測感度。
圖25係顯示具備實施形態1~3中說明之顯示裝置1之電子裝置100之構成的立體圖。電子裝置100具備：具備顯示裝置1之平板型電腦101與筆Pen。於圖25中，2表示上述顯示區域，102表示以包圍顯示區域2之方式配置之邊框。又，103表示電腦101之按鈕。電腦101可為筆記型或桌上型電腦。電子裝置100可不具備筆Pen，而電腦101為電子裝置100。
電腦101於顯示期間DP於顯示區域2進行圖像之顯示，於磁場觸控檢測期間TP(n)~TP(n+5)中進行顯示區域2之有無筆Pen之接近或接觸、及座標之檢測。又，於電場觸控檢測期間TC(n)~TC(n+5)中進行顯示區域2之有無手指之接近或接觸、及座標之檢測。且電腦101根據該等之檢測結果進行處理。
(實施形態4)
於實施形態1~3中，說明與顯示裝置1一體化之輸入檢測裝置。又，於圖25說明使用顯示裝置1之電子裝置之例。於該實施形態4中，作為輸入檢測裝置係以觸控面板進行說明。於該情形時，觸控面板可視為輸入檢測裝置，亦可視為電子裝置。圖26係顯示實施形態4之觸控面板200之構成之模式性俯視圖。
該實施形態4之觸控面板不具有顯示功能。觸控面板200具備：俯視觀察時於橫方向延伸，且於縱方向平行配置之複數個驅動電極TL(0)~TL(p)、及於縱方向延伸，且於橫方向平行配置之複數個檢測電極。於圖26例示驅動電極TL(0)~TL(p)中之驅動電極TL(n)~TL(p)。於圖26中，省略檢測電極，但其以俯視觀察時與驅動電極TL(0)~TL(p)交叉之方式配置。例如，驅動電極TL(0)~TL(p)如圖1所示形成於第1基板TGB，檢測電極如圖1所示形成於第2基板CGB。藉此，驅動電極與檢測電極電性分 離。
驅動電極TL(n)~TL(p)於磁場產生期間時產生磁場。若未圖示之筆Pen於磁場產生期間時接近，則對筆Pen內之電容元件C充電，且於磁場檢測期間時，筆Pen內之線圈L1產生磁場。於磁場檢測期間，藉由由檢測電極構成之磁場檢測線圈檢測來自筆Pen之磁場。
驅動電極TL(n)~TL(p)之一端部n1經由配置於驅動電極一端部與觸控面板200之邊2-L之間之信號配線與選擇驅動電路DRLR連接。又，驅動電極TL(n)~TL(p)之另一端部n2經由配置於驅動電極另一端部與觸控面板200之邊2-R之間之信號配線與選擇驅動電路DRLR連接。
選擇驅動電路DRLR具備：經由信號配線與對應之驅動電極TL(n)~TL(p)之一端部n1連接之單位選擇驅動電路UDL(n)~UDL(p)、及經由信號配線與對應之驅動電極TL(n)~TL(p)之另一端部n2連接之單位選擇驅動電路UDR(n)~UDR(p)。
單位選擇驅動電路UDL(n)~UDL(p)於磁場產生期間時，選擇驅動電極，並向選擇之驅動電極之一端部n1供給接地電壓Vs或電壓值高於接地電壓之電壓Vd。同樣地，單位選擇驅動電路UDR(n)~UDR(p)於磁場產生期間時，選擇驅動電極，並向選擇之驅動電極之另一端部n2供給電壓Vd或接地電壓Vs。即，於該實施形態中，不使用掃描電路而自選擇驅動電路DRLR經由對應於各個驅動電極之信號配線選擇性供給接地電壓Vs與電壓Vd。
單位選擇驅動電路UDL(n)~UDL(p)、與單位選擇驅動電路UDR(n)~UDR(p)相互同步動作，且於磁場產生期間時，選擇相同之驅動電極。又，對選擇之驅動電極供給不同電壓即第1驅動電壓與第2驅動電壓。於該 實施形態中將電壓Vd設為第1驅動電壓，將接地電壓Vs設為第2驅動電壓，但第1驅動電壓與第2驅動電壓係只要第1驅動電壓較第2驅動電壓電壓值更高，則各自皆可為任意之值。第1驅動電壓、第2驅動電壓可分別為交流電壓，亦可為直流電壓。
於圖26(A)中，選擇驅動電極TL(n+1)與TL(n+3)。向選擇之驅動電極TL(n+1)之一端部n1自單位選擇驅動電路UDL(n+1)供給以0圖示之接地電壓Vs，向另一端部n2自單位選擇驅動電路UDR(n+1)供給以+圖示之電壓Vd。又，向選擇之驅動電極TL(n+3)之一端部n1自單位選擇驅動電路UDL(n+3)供給電壓Vd，向另一端部n2自單位選擇驅動電路UDR(n+3)供給接地電壓Vs。
於相同之磁場產生期間，於接下來之時序中，如圖26(B)所示，向選擇之驅動電極TL(n+1)之一端部n1自單位選擇驅動電路UDL(n+1)供給接地電壓Vs，向另一端部n2自單位選擇驅動電路UDR(n+1)供給電壓Vd。又，向選擇之驅動電極TL(n+3)之一端部n1自單位選擇驅動電路UDL(n+3)供給電壓Vd，向另一端部n2自單位選擇驅動電路UDR(n+3)供給接地電壓Vs。
藉此，於圖26(A)中，驅動電極TL(n+3)為第1驅動狀態，驅動電極TL(n+1)為第2驅動狀態。又，於接下來之時序中，驅動電極TL(n+1)為第1驅動狀態，驅動電極TL(n+3)為第2驅動狀態(圖26(B))。藉此，可於選擇之驅動電極各者中增加磁場之變化。
其結果，可增加於被夾在選擇之驅動電極TL(n+1)與TL(n+3)之間之驅動電極TL(n+2)之區域中重疊之磁場之變化，可謀求提高檢測感度。於相同之磁場產生期間，圖26(A)所示之狀態與圖26(B)所示之狀態不限於1 次而重複複數次。於圖26中，顯示選擇驅動電路DRLR與觸控面板200分離之例，但並非限定於此者。例如，可將選擇驅動電路DRLR安裝於觸控面板200。例如，可將選擇驅動電路DRLR配置於可撓性基板，並與配置有驅動電極TL(0)~TL(p)之玻璃基板連接。
於實施形態1~4中，於俯視時相互平行配置之驅動電極，於磁場產生期間時於相互不同之方向流通電流，且於由驅動電極夾持之區域中產生較強之磁場。於基於產生磁場之觀點來看之情形時，於磁場產生期間時，可視為由以使電流於互不相同之方向流通之方式驅動之至少一對驅動電極構成磁場產生線圈。於該情形時，可視為由圖4所示之第1掃描電路SCL、第2掃描電路SCR、第1選擇驅動電路SDL及第2選擇驅動電路SDR構成驅動磁場產生線圈之驅動電路。該驅動電路如下驅動磁場產生線圈：於1次磁場觸控檢測期間，於選擇之磁場產生線圈流通之電流之方向以特定時間間隔複數次反轉。即，以使於選擇之磁場產生線圈流通之電流之方向經過特定時間後反轉之方式進行驅動。
於本發明之思想範疇中，若為本領域技術人員，則可想到各種變化例及修正例，且應了解該等變化例及修正例亦屬於本發明之範圍。
例如，對上述各實施形態，本領域技術人員適當地進行構成要素之追加、刪除或設計變更，或進行步驟之追加、省略或條件變更，只要具備本發明之主旨，則亦包含於本發明之範圍。
例如，於實施形態中，說明驅動電極TL(0)~TL(p)於列方向延伸，且於行方向平行配置之情形，但列方向及行方向係根據觀察之視點而變化。改變觀察視點，而使驅動電極TL(0)~TL(p)於行方向延伸，且於列方向並列配置之情形亦包含於本發明之範圍。又，本說明書中使用之「平 行」意指彼此自一端跨至另一端不交叉地延伸。因此，即便以一條線(或電極)之一部分或全部相對於另一條線(或電極)傾斜之狀態設置，只要該等線並非一端至另一端交叉者，則於本說明書中，亦將該狀態設為「平行」。

Claims (18)

  1. 一種輸入檢測裝置，其具備：複數個驅動電極，其等於俯視時相互平行配置，且各自具有一對端部；且將上述複數個驅動電極中之至少一個第1驅動電極以時間上交替產生第1驅動狀態與第2驅動狀態之方式驅動，該第1驅動狀態係向上述第1驅動電極之一端部供給第1驅動電壓，向其另一端部供給與上述第1驅動電壓不同之第2驅動電壓，第2驅動狀態係向上述第1驅動電極之一端部供給上述第2驅動電壓，向其另一端部供給上述第1驅動電壓。
  2. 如請求項1之輸入檢測裝置，其中於上述複數個驅動電極中，與上述第1驅動電極平行配置之第2驅動電極係於上述第1驅動電極為上述第1驅動狀態時，被設為向其一端部供給上述第2驅動電壓、向其另一端部供給上述第1驅動電壓的上述第2驅動狀態，上述第2驅動電極係於上述第1驅動電極為上述第2驅動狀態時，被設為向其一端部供給上述第1驅動電壓、向其另一端部供給上述第2驅動電壓的上述第1驅動狀態。
  3. 如請求項2之輸入檢測裝置，其中上述複數個驅動電極具備：第3驅動電極，其配置於上述第1驅動電極與上述第2驅動電極之間，且藉由將上述第1驅動電極及上述第2驅動電極各者於時間上交替設為上述第1驅動狀態與上述第2驅動狀態，而於配置有上述第3驅動電極之區域，由上述第1驅動電極產生之磁場與由上述第2驅動電極產生之磁場重疊。
  4. 如請求項1至3中任一項之輸入檢測裝置，其中上述輸入檢測裝置具備：磁場產生期間，其藉由上述第1驅動電極產生磁場；及磁場檢測期間，其檢測外部物體基於上述磁場產生期間產生之磁場而產生之磁場；且將上述第1驅動電極以於上述磁場產生期間產生1次以上之上述第1驅動狀態與上述第2驅動狀態之方式驅動。
  5. 如請求項1至3中任一項之輸入檢測裝置，其中上述輸入檢測裝置係於以上述第1驅動電極成為上述第1驅動狀態之方式被驅動時，於上述第1驅動電極流通之電流之變化量小於特定值之時序，以上述第1驅動電極成為上述第2驅動狀態之方式進行驅動。
  6. 如請求項1至3中任一項之輸入檢測裝置，其中上述輸入檢測裝置係於以上述第1驅動電極成為上述第1驅動狀態之方式被驅動時，於上述第1驅動電極流通之電流為恆定之時序，以上述第1驅動電極成為上述第2驅動狀態之方式進行驅動。
  7. 如請求項2或3之輸入檢測裝置，其中藉由時間上交替地將上述第1驅動電極及上述第2驅動電極各者驅動為上述第1驅動狀態及上述第2驅動狀態，於上述第1驅動電極及上述第2驅動電極各者流通之電流之方向變化，且於上述第1驅動電極及上述第2驅動電極各者產生之磁場之朝向變化。
  8. 如請求項1至3中任一項之輸入檢測裝置，其中上述第1驅動電極包含相鄰之複數個驅動電極。
  9. 如請求項2或3之輸入檢測裝置，其中上述輸入檢測裝置具備：第1單位掃描電路及第2單位掃描電路，其等接近上述複數個驅動電極之一端部而配置；第1選擇驅動電路，其向由上述第1單位掃描電路選擇之驅動電極之一端部供給上述第1驅動電壓，向由上述第2單位掃描電路選擇之驅動電極之一端部供給上述第2驅動電壓；第3單位掃描電路及第4單位掃描電路，其等接近上述複數個驅動電極之另一端部而配置；及第2選擇驅動電路，其向由上述第3單位掃描電路選擇之驅動電極之另一端部供給上述第1驅動電壓，向由上述第4單位掃描電路選擇之驅動電極之另一端部供給上述第2驅動電壓；且上述第1單位掃描電路與上述第4單位掃描電路係於上述複數個驅動電極中，選擇相同之驅動電極作為上述第1驅動電極，上述第2單位掃描電路與上述第3單位掃描電路係於上述複數個驅動電極中，選擇相同之驅動電極作為上述第2驅動電極。
  10. 如請求項9之輸入檢測裝置，其中上述第1單位掃描電路、上述第2單位掃描電路、上述第3單位掃描電路及上述第4單位掃描電路各者具備串聯連接之複數個位移段，且具備位移暫存器，其根據位移時脈信號使表示選擇驅動電極之選擇資訊於上述複數個位移段位移；且上述第1單位掃描電路之位移暫存器中儲存上述選擇資訊之位移段之位置，與上述第2單位掃描電路之位移暫存器中儲存上述選擇資訊之位移段之位置隔開，上述第1選擇驅動電路向與儲存上述選擇資訊之位移段之位置對應之驅動電極，供給上述第1驅動電壓與上述第2驅動電壓，上述第3單位掃描電路之位移暫存器中儲存上述選擇資訊之位移段之位置，與上述第4單位掃描電路之位移暫存器中儲存上述選擇資訊之位移段之位置隔開，上述第2選擇驅動電路向與儲存上述選擇資訊之位移段之位置對應之驅動電極，供給上述第2驅動電壓與上述第1驅動電壓。
  11. 如請求項10之輸入檢測裝置，其中上述輸入檢測裝置具備第1暫存器，其儲存決定上述隔開之隔開量之資訊。
  12. 一種輸入檢測裝置，其藉由於驅動電極流通電流而產生磁場，且上述驅動電極具有一端部與另一端部，藉由於同一驅動電極中時間上交替產生電流自上述一端部流向上述另一端部之第1驅動狀態、與電流自上述另一端部流向上述一端部之第2驅動狀態，而使上述驅動電極產生之磁場之朝向於時間上反轉。
  13. 如請求項12之輸入檢測裝置，其中上述輸入檢測裝置具備：第1基板，其形成有上述驅動電極；第2基板，其搭載於上述第1基板；及檢測電極，其形成於上述第2基板，且以俯視時與上述驅動電極交叉之方式配置，且藉由上述檢測電極檢測外部物體根據上述磁場而產生之磁場。
  14. 一種具備輸入檢測裝置之電子裝置，其具備如請求項1至3中任一項之上述輸入檢測裝置。
  15. 如請求項2或3之輸入檢測裝置，其中上述複數個驅動電極具備配置於上述第1驅動電極與上述第2驅動電極之間之第3驅動電極，且於將上述1驅動電極與上述第2驅動電極各者時間上交替設為上述第1驅動狀態與上述第2驅動狀態時，上述第3驅動電極被設為浮動電位。
  16. 一種電子裝置，其具有：如請求項1至3中任一項之輸入檢測裝置，及複數個像素；且於各像素中，向上述驅動電極供給顯示驅動信號。
  17. 一種輸入檢測裝置，其係如請求項1至3中任一項之輸入檢測裝置，具有：掃描線，及信號線；且於上述驅動電極為上述第1驅動狀態或上述第2驅動狀態之至少任一者時，將掃描線或信號線之至少任一者設為浮動電位。
  18. 一種輸入檢測裝置，其具有：複數個驅動電極，其等配置於至少包含一個第1驅動電極之第1基板上；第1選擇驅動電路，其接近上述複數個驅動電極之一端部而配置；及第2選擇驅動電路，其接近上述複數個驅動電極之另一端部而配置；且於第1期間，上述第1選擇驅動電路向上述第1驅動電極之一端部供給第1驅動電壓，上述第2選擇驅動電路向上述第1驅動電極之另一端部供給與上述第1驅動電壓不同之第2驅動電壓，於與上述第1期間不同之第2期間，上述第1選擇驅動電路向上述第1驅動電極之一端部供給上述第2驅動電壓，上述第2選擇驅動電路向上述第1驅動電極之另一端部供給上述第1驅動電壓。
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