TWI628517B - 評估方法，儲存媒體，曝光裝置，曝光方法以及製造物品之方法 - Google Patents

評估方法，儲存媒體，曝光裝置，曝光方法以及製造物品之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI628517B
TWI628517B TW105122920A TW105122920A TWI628517B TW I628517 B TWI628517 B TW I628517B TW 105122920 A TW105122920 A TW 105122920A TW 105122920 A TW105122920 A TW 105122920A TW I628517 B TWI628517 B TW I628517B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
optical system
projection optical
area
marks
projection
Prior art date
Application number
TW105122920A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201706728A (zh
Inventor
星野友宏
佐佐木亮
Original Assignee
佳能股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 佳能股份有限公司 filed Critical 佳能股份有限公司
Publication of TW201706728A publication Critical patent/TW201706728A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI628517B publication Critical patent/TWI628517B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70653—Metrology techniques
    • G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T5/00—Image enhancement or restoration
    • G06T5/80—Geometric correction
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10056—Microscopic image
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30204—Marker
    • G06T2207/30208—Marker matrix

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

本發明提供一種經由用預測公式獲得投影光學系統的光學特性相對於經由投影光學系統對基板的曝光時段的波動量的預測值來評估光學特性的評估方法，該方法包括：經由使用專用圖案來決定預測公式，在該專用圖案中，多個標記按矩陣佈置成投影光學系統的物平面上，其中，該決定包括：從該多個標記中選擇位於將在對基板進行曝光時在物平面上形成的照明區域中的至少兩個標記，並且基於該至少兩個標記在投影光學系統的像平面上形成的像的位置來獲得預測公式。

Description

評估方法，儲存媒體，曝光裝置，曝光方法以及製造物品之方法
本發明相關於用於評估光學特性的評估方法、儲存媒體、曝光裝置、曝光方法以及製造物品的方法。
作為在半導體設備或是其類似的製造步驟(光刻步驟)中使用的裝置，存在將原件(original)的圖案轉印到基板上的投射區域(shot regions)的曝光裝置。在曝光裝置中，一部分曝光的光在投影光學系統中被吸收，因此投影光學系統的光學特性在由該吸收產生的熱量的影響下可能會波動。結果，可能變得難以精確地將原件的圖案轉印到投射區域。
日本專利公開案第63-58349號提出了經由使用具有曝光量、曝光時段及其類似者作為變數的模型公式來預測投影光學系統的光學特性的波動量並且基於預測值來控制投影光學系統的光學特性的方法。日本專利公開案第63- 58349號還提出了測量光學特性的波動量並且基於實際測量值和預測值來決定預測公式以便減小預測值中產生的誤差的方法。
在日本專利公開案第63-58349號中，光學特性的波動量實際上是經由使用原件上的標記測量的，其中原件具有應被轉印到投射區域的電路圖案。因此，無法檢測該標記在投影光學系統的像平面上的區域中電路圖案被投影到其上的像。結果，為了減小預測值中產生的誤差而對預測公式進行的精確決定可能被執行得不夠充分。
本發明提供例如有利於精確地預測投影光學系統的光學特性的波動量的技術。
根據本發明的一個態樣，提供了一種經由用預測公式獲得投影光學系統的光學特性相對於經由所述投影光學系統對基板的曝光時段的波動量的預測值來評估所述光學特性的評估方法，所述方法包括：經由使用專用圖案來決定預測公式，在所述專用圖案中，多個標記按矩陣佈置成所述投影光學系統的物平面上，其中，所述決定步驟包括：從所述多個標記中選擇位於將在對所述基板進行曝光時在物平面上形成的照明區域中的至少兩個標記，以及基於所述至少兩個標記在所述投影光學系統的像平面上形成的像的位置來獲得所述預測公式。
以下參照所附圖式之示例性實施例敘述，本發明的其 它特徵將變得清楚。
1‧‧‧照明光學系統
2‧‧‧原件
3‧‧‧原件載物台
4‧‧‧投影光學系統
5‧‧‧基板
6‧‧‧基板載物台
7‧‧‧焦點測量單元
10‧‧‧控制單元
11‧‧‧資料保存單元
100‧‧‧曝光裝置
1a‧‧‧照明區域
4a‧‧‧光學元件
4b‧‧‧驅動單元
6a‧‧‧檢測單元
7a‧‧‧照射單元
7b‧‧‧光接收單元
8a‧‧‧標記
8a’‧‧‧標記
S11‧‧‧步驟
S12‧‧‧步驟
S13‧‧‧步驟
S14‧‧‧步驟
S15‧‧‧步驟
S16‧‧‧步驟
S17‧‧‧步驟
S21‧‧‧步驟
S22‧‧‧步驟
S23‧‧‧步驟
S24‧‧‧步驟
S25‧‧‧步驟
SL‧‧‧準位
X1A‧‧‧座標
X1B‧‧‧座標
圖1示出了根據第一實施例的曝光裝置的示意圖；圖2示出了根據第一實施例的曝光裝置中的曝光處理的流程圖；圖3示出了曝光時段和投影倍率的波動量之間的關係的曲線圖；圖4示出了基板載物台的座標和檢測單元的輸出之間的關係的曲線圖；圖5A示出了具有電路圖案的原件的視圖；圖5B示出了具有電路圖案的原件的視圖；圖6示出了決定預測公式的方法的流程圖；圖7A示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視圖；圖7B示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視圖；圖8A示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視圖；圖8B示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視圖；圖9A示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視圖；圖9B示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視 圖；圖10A示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視圖；以及圖10B示出了第二原件中的照明區域和所選標記的視圖。
下面將參照所附圖式來描述本發明的示例性實施例。注意，相同的附圖標記在整個附圖中表示相同的構件，並且將不對其進行重複描述。
<第一實施例>
將參照圖1來描述根據本發明的第一實施例的曝光裝置100。圖1示出了根據第一實施例的曝光裝置100的示意圖。曝光裝置100可以包括例如照明光學系統1、保持原件2的原件載物台3(保持單元)、投影光學系統4、可以在保持基板5的同時移動的基板載物台6(載物台)、以及控制單元10。控制單元10包括例如CPU和記憶體，並且控制將原件2的圖案轉印到基板5上的投射區域的處理(控制曝光裝置100的個別單元)。
照明光學系統1經由使用該系統中所包括的遮光構件(諸如遮蔽葉片)來使從光源(未示出)發出的光成形，並且用成形的光來對原件2的一部分進行照明。原件2的被照明光學系統1照明的部分在下文中將被稱為“照明區 域1a”。原件2和基板5分別被原件載物台3和基板載物台6保持，並且經由投影光學系統4被置於在光學上幾乎共軛的位置(投影光學系統4的物平面和像平面)處。投影光學系統4將原件2的圖案投影到基板5(投射區域)上。
現在將參照圖2來描述將原件2的圖案轉印到基板上的每個投射區域的處理(曝光處理)。圖2示出了根據第一實施例的曝光裝置100的曝光處理的流程圖。
在步驟S11中，控制單元10控制輸送單元(未示出)以便將形成有應被轉印到基板上的每個投射區域的電路圖案的原件2輸送到原件載物台3上，並且控制原件載物台3以便保持原件2。此時，控制單元10可以從資料保存單元11獲得指示原件2的圖案應被轉印到的投射區域的大小的資訊。在步驟S12中，控制單元10控制輸送單元(未示出)以便將基板5輸送到基板載物台6上，並且控制基板載物台6以便保持基板5。
在步驟S13中，控制單元10控制基板載物台6，以使得原件2的圖案被轉印到的目標的投射區域(在下文中將被稱為目標投射區域)位於投影光學系統4的下面。在步驟S14中，控制單元10控制焦點測量單元7以測量基板5在投影光學系統4的光軸方向上的高度，並且控制基板載物台6以使得基板5的表面位於投影光學系統4的最佳聚焦位置處。焦點測量單元7可以包括例如照射單元7a和光接收單元7b，照射單元7a用光照射基板5，光接 收單元7b接收由基板5反射的光。
在步驟S15中，控制單元10控制經由用來自照明光學系統1的光經由原件2和投影光學系統4照射目標投射區域來將原件2的圖案轉印到目標投射區域的處理(曝光處理)。在步驟S16中，控制單元10決定在基板上是否存在曝光處理應被連續執行的投射區域(下一個投射區域)。如果控制單元10決定存在下一個投射區域，則所述處理前進到步驟S17。如果控制單元10決定不存在下一個投射區域，則所述處理前進到步驟S13。在步驟S17中，控制單元10控制輸送單元(未示出)以便收回原件2和基板5。
在如此配置的曝光裝置100中，一部分曝光的光在投影光學系統4中被吸收，且因此投影光學系統4的光學特性在曝光時段期間在由該吸收而產生的熱量的影響下可能會波動。結果，可能變得難以精確地將原件2的圖案轉印到投射區域。因此，曝光裝置100經由預測公式獲得投影光學系統4的光學特性相對於曝光時段的波動量的預測值，並且在基於該預測值控制改變光學特性的改變單元的同時執行曝光處理。下面將描述改變單元的佈置以及計算預測值的方法。
首先，將描述改變單元的佈置。改變單元可以包括例如驅動單元4b和基板載物台6中的至少一者，其中驅動單元4b驅動投影光學系統4的光學元件4a。當投影光學系統4的諸如投影倍率、畸變、焦點、像場彎曲、縱向倍 率和橫向倍率之間的差異等之類的光學特性改變時，控制作為改變單元的驅動單元4b是有效的。當投影光學系統4的諸如焦點之類的光學特性改變時，控制作為改變單元的基板載物台6是有效的。圖1中所示的驅動單元4b配置為驅動一個光學元件4a。然而，本發明不限於此。驅動單元4b可以被配置為驅動多個光學元件4a。
現在將描述計算預測值的方法。在第一實施例中，將描述獲得投影光學系統4的投影倍率相對於曝光時段的波動量的預測值β(t)的例子。預測值β(t)可以經由例如由以下公式給出的預測公式(模型公式)獲得：β(t)=Cβ(1-exp(-t/τ))...(1)其中，τ表示取決於投影光學系統4的光學元件4a的熱傳導的時間常數，Cβ表示指數函數的幅度，t表示曝光時段。Cβ可以經由以下公式獲得：Cβ=Cβ0．Tr．SF．I．Wrefl...(2)其中，Cβ0表示用於校正預測值中產生的誤差的係數，Tr表示原件2的透射率，SF表示取決於投射區域的大小(尺寸和/或形狀)的係數，I表示照度，Wrefl表示基板5的反射率。
如圖3中所示，在這樣獲得的預測值β(t)中可能產生相對於實際測量值的誤差。圖3示出了曝光時段和投影倍率的波動量之間的關係的曲線圖。圖3示出了根據公式(1)和(2)獲得的預測值β(t)以及經由實驗獲得的實際測量值。如果如上所述在預測值β(t)中產生相對於實 際測量值的誤差，則即使根據預測值β(t)來控制改變單元，也可能變得難以精確地將原件2的圖案轉印到每個投射區域。
因此，曝光裝置100獲得投影光學系統4的光學特性的波動量的實際測量值βm(t)，並且如以下公式所給出的，經由實際測量值βm(t)與預測值β(t)的比值來獲得係數Cβ0：Cβ0=βm(t)/β(t)...(3)然後，經由用所獲得的係數Cβ0校正上述公式(2)來決定由公式(1)給出的預測公式。獲得實際測量值βm(t)的步驟可以例如按每個基板5、每預定數量的基板5、或每批來執行。係數Cβ0可以在每次獲得實際測量值βm(t)時被改變。然而，係數Cβ0可以在曝光時段內不同的多個實際測量值βm(t)被累計之後被改變。在這種情況下，係數Cβ0可以經由對每個曝光時段的實際測量值βm(t)和預測值β(t)之間的差異執行最小平方法擬合而獲得。
現在將描述獲得投影光學系統4的光學特性的波動量的實際測量值βm(t)的方法。投影光學系統4的光學特性的波動量可以經由例如設在基板載物台6上的檢測單元6a的輸出來測量。檢測單元6a可以包括與在投影光學系統4的物平面上形成的標記對應的形狀的透射部分，並且可以配置為檢測該標記在TTL方法中經由投影光學系統4在像平面上形成的像。在這樣配置的檢測單元6a中，當 該標記在投影光學系統4的像平面上形成的像與所述透射部分匹配時，檢測單元6a的輸出達到其峰值。因此，經由使檢測單元6a在移動基板載物台6的同時檢測標記的像，控制單元10可以基於當檢測單元6a的輸出達到其峰值時的基板載物台6的座標來獲得投影光學系統4的光學特性的波動量。
如圖4中所示的波形可以經由例如使檢測單元6a在移動基板載物台6的同時檢測標記的像來獲得。圖4示出了基板載物台6的座標(位置)和檢測單元6a的輸出之間的關係的曲線圖。控制單元10對檢測單元6a的輸出設置任意準位SL，並且獲得當檢測單元6a的輸出達到準位SL時的基板載物台6的座標X1A和X1B。這允許控制單元10根據由(X1A+X1B)/2給出的公式獲得當檢測單元6a達到其峰值時的基板載物台6的座標。控制單元10可以經由使用例如不同於上述方法的微分來獲得當檢測單元6a的輸出達到其峰值時的基板載物台6的座標。
然而，如果當如上所述地獲得實際測量值βm(t)時使用具有應被轉印到投射區域的電路圖案的原件2，則無法檢測標記在投影光學系統4的像平面上的區域中電路圖案被投影到其上的像。一般來說，如圖5A和5B中所示，在具有電路圖案的原件2中，用於獲得實際測量值βm(t)的標記2b可以位於電路圖案形成區域2a的外部。因此，檢測單元6a不能在投影光學系統4的像平面上的、電路圖案被轉印到的區域中執行檢測，使得難以精 確地決定預測公式以便減小預測值β(t)中產生的誤差。注意，圖5A和5B示出了在電路圖案形成區域2a中的X方向上的尺寸不同的原件2的視圖。如圖5B中所示，即使標記2c被形成為比標記2b更靠近原件2的中心，標記2c一般也位於電路圖案形成區域2a的外部。因此，同樣在這種情況下，檢測單元6a不能在投影光學系統4的像平面上電路圖案被轉印到的區域中執行檢測。
為了應對這種情況，第一實施例的曝光裝置100經由使用專用圖案來決定(校正)預測公式，在該專用圖案中，多個標記8a按矩陣佈置成投影光學系統4的物平面上。例如，該專用圖案被形成在與其中形成有電路圖案的原件2不同的第二原件8上。當曝光裝置100決定預測公式時，原件載物台3保持第二原件8而非原件2。此外，該專用圖案被配置為使得標記8a分別在縱向方向和短邊方向上以短於投影光學系統4的物平面上的最大可照明區域的尺寸的十分之一的節距位於該最大可照明區域中。在這樣配置的專用圖案中，在最大可照明區域中可以形成100個或更多個標記8a。在第一實施例中，將描述使用具有如下專用圖案的第二原件8的範例：在該專用圖案中，標記8a以1mm的節距按矩陣佈置。
現在將參照圖6來描述根據第一實施例的決定曝光裝置100中的預測公式的方法。圖6示出了決定預測公式的方法的流程圖。
在步驟S21中，控制單元10從專用圖案中的多個標 記8a中選擇在曝光處理時(在對基板進行曝光時)位於將在物平面上形成的照明區域中的至少兩個標記8a。例如，控制單元10基於指示針對光學特性的個別項目(每一項目)在照明區域1a中將選擇的標記8a的位置和數量的選擇資訊來選擇標記8a。照明區域1a可以基於指示在步驟S11中獲得的投射區域的大小的資訊來決定。光學特性的項目可以包括例如以下中的至少一者：投影倍率、畸變、焦點、像場彎曲、以及縱向倍率和橫向倍率之間的差異。
例如，當光學特性的項目是X方向上的投影倍率時，照明區域中在X方向上具有最大位置差異的兩個標記8a的位置可以作為要選擇的標記8a的位置而被設置用於選擇資訊。因此，控制單元10可以經由基於該選擇資訊選擇標記8a來選擇如圖7A和7B中的每個圖中所示的照明區域中的兩個標記8a’。圖7A示出了當投射區域具有最大可曝光大小時的照明區域1a以及兩個所選標記8a’的視圖。圖7B示出了在X方向上其尺寸小於圖7A中的尺寸的照明區域1a以及兩個所選標記8a’的視圖。
例如，當光學特性的項目是X方向和Y方向上的投影倍率時，照明區域中在X方向和Y方向上具有最大位置差異的四個標記8a的位置可以作為要選擇的標記8a的位置而設置用於選擇資訊。因此，控制單元10可以經由基於該選擇資訊選擇標記8a來選擇如圖8A和8B中的每個圖中所示的照明區域中的四個標記8a’。圖8A示出了 當投射區域具有最大可曝光大小時的照明區域1a以及四個所選標記8a’的視圖。圖8B示出了在X方向上其尺寸小於圖8A中的尺寸的照明區域1a以及四個所選標記8a’的視圖。
存在例如期望更精確地測量投影光學系統4的投影倍率的情況。在這種情況下，照明區域中在X方向和Y方向上具有最大位置差異的四個標記8a以及在其中間位置處的標記8a的位置可以作為要選擇的標記8a的位置而設置用於選擇資訊。因此，控制單元10可以經由基於該選擇資訊選擇標記8a來選擇如圖9A和9B中的每個圖中所示的照明區域中的八個標記8a’。圖9A示出了當投射區域具有最大可曝光大小時的照明區域1a以及八個所選標記8a’的視圖。圖9B示出了在X方向上其尺寸小於圖9A中的尺寸的照明區域1a以及八個所選標記8a’的視圖。
在第一實施例中，已經描述了控制單元10自動地基於選擇資訊選擇標記8a的例子。然而，本發明不限於此。例如，專用圖案可以顯示在諸如監視器之類的顯示單元上，並且使用者可以從諸如滑鼠或鍵盤之類的輸入單元選擇標記8a。
在步驟S22中，控制單元10使檢測單元6a在移動基板載物台6的同時檢測在步驟S21中選擇的標記8a’的像。在步驟S23中，基於檢測單元6a的輸出以及基板載物台6的座標，控制單元10獲得在步驟S21中選擇的標記8a’的像的位置，並且獲得投影光學系統4的光學特性 的波動量。然後，在步驟S24中，如由上述公式(3)給出的，控制單元10基於在步驟S23中獲得的投影光學系統的光學特性的波動量的實際測量值βm(t)來獲得係數Cβ0。例如，控制單元10經由校正之前的預測公式來獲得預測值β(t)，並且基於該預測值β(t)和實際測量值βm(t)之間的比值來獲得係數Cβ0。在步驟S25中，控制單元10經由用所獲得的係數Cβ0校正上述公式(1)來決定預測公式。
如上所述，第一實施例的曝光裝置100經由使用專用圖案來決定用於預測投影光學系統4的光學特性的波動量的預測公式，在所述專用圖案中，多個標記8a按矩陣佈置成投影光學系統4的物平面上。經由使用如此決定的預測公式獲得光學特性的波動量的預測值，可以減小預測值中產生的誤差並且精確地將原件2的圖案轉印到基板5。
<第二實施例>
在第二實施例中，將參照圖6來描述用於預測投影光學系統4的畸變的波動量的預測公式的方法。在第二實施例中，將描述圖6中所示的流程圖中的各個步驟當中與第一實施例不同的步驟S21。
在步驟S21中，控制單元10從專用圖案中的多個標記8a中選擇在曝光處理時位於物平面上的照明區域中的至少兩個標記8a。當測量投影光學系統的畸變時，可以使用比用於測量投影倍率的標記8a多的標記8a。因此， 當光學特性的項目是畸變時，要選擇的標記8a的位置設置用於選擇資訊，以使得除了在測量投影倍率時選擇的標記8a之外，比其更靠近第二原件8的中心的標記8a也被選擇。這允許控制單元10經由基於該選擇資訊以選擇標記8a來選擇如圖10A和10B中所示的照明區域中的十二個標記8a’。圖10A示出了當投射區域具有最大可曝光大小時的照明區域1a以及所選標記8a’的視圖。圖10B示出了在X方向上其尺寸小於圖10A中的尺寸的照明區域1a以及所選標記8a’的視圖。
在第一實施例和第二實施例中的每一者中，已經描述了投影倍率的校正和畸變的校正彼此獨立執行的例子。然而，一般來說，投影倍率和畸變之中只有一者不會出現波動。因此，實用的是校正投影倍率和畸變兩者。在這種情況下，根據在步驟S23中獲得的標記8a的像的位置(與目標位置的偏差量)的結果，投影倍率和畸變可以彼此分離，並且用諸如最小平方法的方法量化以獲得各個係數。
在第一實施例和第二實施例中的每一者中，也已經描述了基於與投射區域的大小對應的照明區域1a的大小來選擇標記的例子。然而，控制單元10可以自動地基於配方資訊來選擇標記。在這種情況下，選擇標記8a的方法包括以下所示的幾種方法。
(1)選擇照明區域中的標記8a以使得X方向上的位置差異變為最大(例如，圖7A和7B中所示的標記8a’的位置)的方法。
(2)選擇照明區域中的標記8a以使得X方向和Y方向上的位置差異變為最大(例如，圖8A和8B中所示的標記8a’的位置)的方法。
(3)除了照明區域中被選為使得X方向和Y方向上的位置差異變為最大的標記8a之外，還選擇標記8a的中間位置處的標記8a(例如，圖9A和9B中所示的標記8a’的位置)的方法。
(4)除了照明區域中被選為使得X方向和Y方向上的位置差異變為最大的標記8a以及這些標記8a的中間位置處的標記8a之外，還選擇更靠近中心的標記8a(例如，圖10A和10B中所示的標記8a’的位置)的方法。
<第三實施例>
在第三實施例中，將描述作為投影光學系統4的光學特性的聚焦位置(最佳聚焦位置)的校正。類似於投影光學系統4的投影倍率，投影光學系統4的聚焦位置可以經由例如設在基板載物台6上的檢測單元6a的輸出來測量。當標記在投影光學系統4的像平面上形成的像位於投影光學系統4的最佳聚焦位置處時，檢測單元6a的輸出達到其峰值。因此，控制單元10可以基於當檢測單元6a的輸出達到其峰值時投影光學系統4和檢測單元6a之間的位置關係來獲得投影光學系統4的最佳聚焦位置。
投影光學系統4的聚焦位置的波動量的預測值F(t)可以經由例如由以下公式給出的預測公式(模型公式)獲 得：F(t)=CF(1-exp(-t/τ))...(4)其中，τ表示取決於投影光學系統4的光學元件的熱傳導的時間常數，CF表示指數函數的幅度，t表示曝光時段。CF可以經由以下公式獲得：CF=CF0．Tr．SF．I．Wrefl...(5)其中，CF0表示用於校正預測值中產生的誤差的係數，Tr表示原件2的透射率，SF表示取決於投射區域的大小(尺寸和/或形狀)的係數，I表示照度，Wrefl表示基板5的反射率。
在如此獲得的預測值F(t)中產生相對於實際測量值的誤差。如果如上所述在預測值F(t)中產生相對於實際測量值的誤差，則即使根據預測值F(t)控制改變單元，也可能變得難以精確地將原件2的圖案轉印到每個投射區域。因此，同樣在第三實施例中地，類似於在第一實施例中，獲得投影光學系統4的聚焦位置的波動量的實際測量值Cm(t)，並且如由以下公式所給出的，經由實際測量值Cm(t)和預測值C(t)的比值來獲得係數CF0：CF0=Cm(t)/C(t)...(6)
同樣在第三實施例中，經由使用專用圖案來決定投影光學系統的聚焦位置的波動量的預測值F(t)，在所述專用圖案中，多個標記按矩陣佈置成投影光學系統4的物平面上。決定預測公式的方法的描述與第一實施例中參照圖6給出的描述相同，因此被省略。注意，在第三實施例 中，驅動投影光學系統4的光學元件的驅動單元4b和基板載物台6中的至少一者可以用作改變投影光學系統4的光學特性的改變單元。例如，當驅動單元4b作為改變單元時，控制單元10基於經由預測公式獲得的預測值F(t)來控制驅動單元4b以改變投影光學系統4的聚焦位置，以使得基板5位於投影光學系統4的最佳聚焦位置處。當基板載物台6作為改變單元時，控制單元10基於預測值F(t)來控制基板載物台6以改變基板和投影光學系統4之間的距離，以使得基板5位於投影光學系統4的最佳聚焦位置處。
<物品製造方法的實施例>
根據本發明的實施例的物品製造方法適合於製造物品，例如諸如半導體設備或具有微型結構的元件之類的微型設備。根據本實施例的物品製造方法包括：使用上述曝光裝置在塗覆到基板的光阻劑上形成潛像圖案的步驟(對基板進行曝光的步驟)、以及對具有在該步驟中形成的潛像圖案的基板進行顯影的步驟。該製造方法還包括其他已知步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平面化、蝕刻、抗蝕劑移除、切片、接合、和包裝)。根據本實施例的物品製造方法在物品的性能、品質、生產率和生產成本中至少一者以上優於習知方法。
<其它實施例>
本發明的實施例還可以經由讀出並且執行記錄在儲存媒體(其也可以被更完整地稱為“非暫時性電腦可讀取儲存媒體”)上的電腦可執行指令(例如，一個或多個程式)以執行上述實施例中的一個或多個實施例的功能和/或包括用於執行上述一個或多個實施例的功能的一個或多個電路(例如，專用積體電路(ASIC))的系統或裝置的電腦來實現，以及可以經由由系統或裝置的電腦例如經由從儲存媒體讀出並執行電腦可執行指令以執行上述實施例中的一個或多個實施例的功能和/或控制一個或多個電路以執行上述實施例中的一個或多個實施例的功能而執行的方法來實現。電腦可以包括一個或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，並且可以包括用於讀出並執行電腦可執行指令的單獨的電腦或單獨的處理器的網路。電腦可執行指令可以例如從網路或儲存媒體提供給電腦。儲存媒體可以包括例如以下的一個或多者：硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式計算系統的儲存裝置、光碟(諸如壓縮磁碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)或藍光光碟(BD)TM)、快閃記憶體設備、記憶卡以及其類似者。
其它實施例
本發明的實施例還可以經由如下的方法來實現，即，經由網路或者各種儲存媒體將執行上述實施例的功能的軟體(程式)提供給系統或裝置，該系統或裝置的電腦或是 中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)讀出並執行程式的方法。
雖然已經參照示例性實施例描述了本發明，但是要理解本發明不限於所揭示的示例性實施例。申請專利範圍應被賦予最廣泛的解釋，以便涵蓋所有這種修改以及等同的結構和功能。

Claims (14)

  1. 一種評估投影光學系統之光學特性的方法，其藉由使用預測公式來預測相對於經由該投影光學系統對基板的曝光時段的該光學特性之波動量以評估該光學特性，該方法包括：經由使用專用圖案來決定該預測公式，在所述專用圖案中，多個標記按矩陣佈置於該投影光學系統的物平面上，其中，該決定包括：基於根據該基板上的投射區域的大小所決定的該物平面上的照明區域之資訊，從該多個標記中之將定位在該照明區域中的標記中選擇至少兩個標記，以及基於所述至少兩個標記在該投影光學系統的像平面上形成的像的位置來獲得該預測公式。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，在該決定中，經由使用該專用圖案形成於其中的原件來決定該預測公式。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，在該獲得中，根據從該至少兩個標記之該些像的該些位置獲得的該光學特性的實際測量值來獲得該預定公式中包括的係數。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，在該專用圖案中，不少於100個的標記位於該物平面上的最大可照明區域中。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，在該專用圖案中，該些標記分別在縱向方向和短邊方向上以短於該區域的尺寸的十分之一的節距位於該物平面上的最大可照明區域中。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，在該選擇中，基於對該光學特性的個別項目將在該照明區域中所選擇的標記的位置和數量的條件之資訊而選擇將被用於將被評估的該光學特性的項目的該至少兩個標記。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述的方法，其中，該光學特性的該些項目包括以下中的至少一者：投影倍率、畸變、焦點、像場彎曲、以及縱向倍率和橫向倍率之間的差異。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，該決定包括獲得要曝光的該投射區域的該大小的資訊，以及根據該投射區域的該所獲得的大小來決定該照明區域。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，該照明區域被決定以照明佈置有原件的電路圖案將被轉印到該投射區域上的區域。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，在該選擇中將被選擇的該至少兩個標記係根據該照明區域的大小而改變。
  11. 一種非暫時性電腦可讀取儲存媒體，其儲存使電腦執行評估投影光學系統的光學特性之評估方法的每一步驟，該方法藉由使用預測公式來預測相對於經由該投影光學系統對基板的曝光時段的該光學特性之波動量以評估該光學特性，該方法包括：經由使用專用圖案來決定該預測公式，其中，多個標記佈置成該投影光學系統的物平面上之一矩陣，其中，該決定包括：基於根據該基板上的投射區域的大小所決定的該物平面上的照明區域之資訊，從該多個標記中之將定位在該照明區域中的標記中選擇至少兩個標記，以及基於在該投影光學系統的像平面上形成的該至少兩個標記之像的位置來獲得該預測公式。
  12. 一種對基板進行曝光的曝光裝置，該裝置包括：投影光學系統，配置為將原件的圖案投影到該基板上；改變單元，配置為改變該投影光學系統的光學特性；以及控制單元，配置為經由使用其中多個標記按矩陣佈置於該投影光學系統的物平面上的專用圖案來決定用於預測該光學特性相對於曝光時段的波動量的預測公式，並且基於經由該預測公式的該所預測的波動量來控制該改變單元，其中，該控制單元基於根據該基板上的投射區域的大小所決定的該物平面上的照明區域之資訊，從該多個標記中之將定位在該照明區域中的標記中選擇至少兩個標記，以及基於該至少兩個標記在該投影光學系統的像平面上形成的像的位置來獲得該預測公式。
  13. 一種經由投影光學系統對基板進行曝光的曝光方法，該方法包括：經由使用專用圖案來決定預測公式，在所述專用圖案中，多個標記按矩陣佈置於該投影光學系統的物平面上，該預測公式用於預測該投影光學系統的光學特性相對於曝光時段的波動量；以及基於經由該預測公式的該所預測的波動量，經由調整該投影光學系統的該光學特性來經由該投影光學系統對該基板進行曝光，其中，該決定包括：基於根據該基板上的投射區域的大小所決定的該物平面上的照明區域之資訊，從該多個標記中之將定位在該照明區域中的標記中選擇至少兩個標記，以及基於該至少兩個標記在該投影光學系統的像平面上形成的像的位置來獲得該預測公式。
  14. 一種製造物品的方法，該方法包括：經由投影光學系統使用曝光方法對基板進行曝光；顯影經曝光之該基板；以及處理經顯影之該基板以製造該物品，其中該曝光方法包含：經由使用專用圖案來決定預測公式，在所述專用圖案其中，多個標記按矩陣佈置成該投影光學系統的物平面上，該預測公式用於預測該投影光學系統的光學特性相對於曝光時段的波動量；以及基於經由該預測公式的該所預測的波動量，經由調整該投影光學系統的該光學特性來經由該投影光學系統對該基板進行曝光，其中，該決定包括：基於根據該基板上的投射區域的大小所決定的該物平面上的照明區域之資訊，從該多個標記中之將定位在該照明區域中的標記中選擇至少兩個標記，以及基於該至少兩個標記在該投影光學系統的像平面上形成的像的位置來獲得該預測公式。
TW105122920A 2015-08-10 2016-07-20 評估方法，儲存媒體，曝光裝置，曝光方法以及製造物品之方法 TWI628517B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015158496A JP6588766B2 (ja) 2015-08-10 2015-08-10 評価方法、露光方法、露光装置、プログラム、および物品の製造方法
JP2015-158496 2015-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201706728A TW201706728A (zh) 2017-02-16
TWI628517B true TWI628517B (zh) 2018-07-01

Family

ID=57995705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105122920A TWI628517B (zh) 2015-08-10 2016-07-20 評估方法，儲存媒體，曝光裝置，曝光方法以及製造物品之方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9996916B2 (zh)
JP (1) JP6588766B2 (zh)
KR (1) KR102078067B1 (zh)
CN (1) CN106444291B (zh)
TW (1) TWI628517B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6554141B2 (ja) * 2017-05-26 2019-07-31 キヤノン株式会社 決定方法、露光方法、情報処理装置、プログラム及び物品の製造方法
JP6567004B2 (ja) * 2017-08-30 2019-08-28 キヤノン株式会社 パターン形成装置、決定方法、プログラム、情報処理装置及び物品の製造方法
JP6944323B2 (ja) * 2017-09-21 2021-10-06 キヤノン株式会社 計算方法、露光方法、プログラム、露光装置、および物品の製造方法
JP7186531B2 (ja) * 2018-07-13 2022-12-09 キヤノン株式会社 露光装置、および物品製造方法
JP7213757B2 (ja) * 2019-05-31 2023-01-27 キヤノン株式会社 露光装置、および物品製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4629313A (en) * 1982-10-22 1986-12-16 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus
US20110181855A1 (en) * 2008-09-25 2011-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure apparatus with optimized adjustment possibility

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5994032A (ja) * 1982-11-22 1984-05-30 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影露光装置
JPH0821531B2 (ja) * 1986-08-29 1996-03-04 株式会社ニコン 投影光学装置
JPH09162106A (ja) * 1995-12-11 1997-06-20 Nikon Corp 走査型露光装置
AU2940600A (en) * 1999-03-24 2000-10-09 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP2001168000A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Nikon Corp 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法
US7403264B2 (en) 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
JP2006279029A (ja) * 2005-03-01 2006-10-12 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4984038B2 (ja) * 2006-07-27 2012-07-25 株式会社ニコン 管理方法
JP2009231564A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Toshiba Corp スキャン露光装置の補正方法
JP2011221312A (ja) 2010-04-09 2011-11-04 Nikon Corp フォーカステストマスク、フォーカス計測方法、及び露光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4629313A (en) * 1982-10-22 1986-12-16 Nippon Kogaku K.K. Exposure apparatus
US20110181855A1 (en) * 2008-09-25 2011-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure apparatus with optimized adjustment possibility

Also Published As

Publication number Publication date
US9996916B2 (en) 2018-06-12
CN106444291A (zh) 2017-02-22
JP2017037194A (ja) 2017-02-16
CN106444291B (zh) 2019-08-16
KR20170018786A (ko) 2017-02-20
KR102078067B1 (ko) 2020-02-17
US20170045825A1 (en) 2017-02-16
TW201706728A (zh) 2017-02-16
JP6588766B2 (ja) 2019-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI628517B (zh) 評估方法，儲存媒體，曝光裝置，曝光方法以及製造物品之方法
TWI628696B (zh) 製程窗優化器
US10031429B2 (en) Method of obtaining position, exposure method, and method of manufacturing article
TWI695233B (zh) 計算方法、曝光方法、儲存媒體、曝光裝置以及製造物品之方法
US8367284B2 (en) Exposure device, exposure method, and method for manufacturing semiconductor device
EP3086175B1 (en) Method for hotspot detection and ranking of a lithographic mask
JP6440498B2 (ja) リソグラフィシステム、リソグラフィ方法、および物品の製造方法
JP5045445B2 (ja) マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラム、マスクパターン補正装置、露光条件設定方法、露光条件設定プログラム、露光条件設定装置、半導体装置製造方法、半導体装置製造プログラムおよび半導体装置製造装置
US10042266B2 (en) Determination method, exposure apparatus, storage medium, and method of manufacturing article
JP6591482B2 (ja) 露光方法
JP2018092078A (ja) 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法
JP4997748B2 (ja) フォーカスモニターマークを有するフォトマスクの転写シミュレーション方法
JP3211810B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び集積回路の製造方法
JP2011035333A (ja) 走査型露光装置、走査型露光方法、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2019109311A (ja) 計測装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測方法
EP3709083A1 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
JP3149869B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2020095218A (ja) 決定方法、露光方法、物品の製造方法、およびプログラム
JP2024065682A (ja) 露光方法、露光装置及び物品の製造方法
JP2009266904A (ja) 位置検出装置、露光装置及びデバイス製造方法
JPH11317359A (ja) 露光装置及び露光方法