TWI624376B - Manufacturing device and manufacturing method of bonding device - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於不對未硬化之密封材料造成任何影響下使一方吸盤自重合狀態之一方基板分離。
本發明係在被減壓至第二真空度之變壓室10內在一對基板1、2重合後，使一方吸盤11對一方基板1之吸引壓力P1自第一真空度向較其更高壓之變壓室10之第二真空度上升，藉此一方吸盤11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2成為均等之第二真空度，因此，解除自一方吸盤11之盤面之利用壓力差之對一方基板1之真空吸附。其後，藉由使變壓室10之內壓P2與一方吸盤11之吸引壓力P1自第二真空度上升至較其更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度，而利用變壓室10內之第三真空度與基板1、2間之第二真空度之密封空間3s之壓力差使未硬化之密封材料3壓縮變形，從而一方基板1之表面自一方吸盤11之盤面脫離。其後，藉由使變壓室10之內壓P2及一方吸盤11之吸引壓力P1自第三真空度上升至大氣壓，而利用壓力差使基板1、2以所期望之間隙貼合。
Description
本發明係關於一種對例如液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器(OLED，Organic Light-Emitting Diode(有機發光二極體))、電漿顯示器(PDP，Plasma Display Panel(電漿顯示面板))、軟性顯示器等平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)或感測設備、或者例如觸控面板式FPD或3D(三維)顯示器或電子書籍等之液晶模組(LCM，LCD Module)或軟性印刷配線板(FPC，Flexible Printed Circuit)等基板，貼合觸控面板、覆蓋玻璃、覆蓋膜或FPD等另一片基板之貼合設備之製造裝置、及貼合設備之製造方法。
先前，作為此種貼合設備之製造裝置及製造方法，有如下者：於晶圓及覆蓋其之蓋板之對向面之任一者或兩者以固定高度塗佈接著劑，且將該等晶圓及蓋板於經減壓之密閉空間內重合，而於其等之間形成由上述接著劑包圍之密封空間，其後，使上述密閉空間大氣開放，而與上述密封空間之內壓之間產生壓力差，利用該氣壓差對上述晶圓及上述蓋板整體上均等地加壓(例如，參照專利文獻1)。藉此，可將接著劑壓扁而於上述晶圓及上述蓋板之間形成特定之間隙，從而可不使用間隔片而將晶圓與蓋板以特定間隔平行地貼合。
進而，根據上述接著劑之塗佈高度與由該接著劑包圍之上述密封空間內之面積，計算重合時上述密封空間內所密封之氣體之容積，
並且計算將上述晶圓與上述蓋板貼合並將兩者之間隔壓扁成所期望之間隙時之上述密封空間內之密封氣體之容積，藉此以於上述密閉空間之大氣開放時產生為了將上述重合時之密封氣體容積壓縮為上述貼合後之密封氣體之容積所必需之壓力差之方式設定上述密封空間之內壓。藉此，可基於事先之計算值調整晶圓與蓋板之間之間隙。
[專利文獻1]日本專利第4373491號公報
然而，被用作接著劑之紫外線硬化型或熱硬化型之密封材料係以包圍密封空間之方式遍及全周以大致相同之高度塗佈。作為密封材料之塗佈例，存在如下情形：如圖12(a)~(c)所示，對成為晶圓或蓋板之上基板1'及下基板2'，以特定間隔為單位配置複數個密封空間3s'，於其貼合後，分割為各密封空間3s'被氣密密封之設備而使用。於此種情形時，由於必須於各個設備確實地形成密封空間3s'，故亦必須使密封材料3'之塗佈高度大致相同。
因此，如圖12(a)所示，於密封材料3'之塗佈高度產生有差異時，上基板1'及下基板2'之重合高度如圖12(b)所示般，相對於上基板1'即便有一個密封材料3'未接觸則會不充分。亦即，如圖12(c)所示，必須以上吸盤11'保持真空吸附上基板1'不變地相對於下基板2'接近移動至與所有密封材料3'分別接觸之位置。
然而，如圖12(c)所示，若以上吸盤11'所真空吸附之上基板1'按壓至大半之密封材料3'被壓扁之位置，則由於上吸盤11'之盤面與上基板1'之表面保持密接，故無法將上基板1'之表面自上吸盤11'之盤面脫離。於該狀態下即便在由密封材料3'包圍之密封空間3s'與成為密閉空
間之變壓室10'之間產生壓力差，亦無法對上基板1'及下基板2'整體上均等地加壓而使其等以特定之間隙貼合。
即，若自重合狀態之上基板1'之表面分離上吸盤11'之盤面且未於兩者間形成間隙，則存在無法實現藉由壓力差以特定間隙貼合上基板1'及下基板2'之的問題。
因此，為了解決此種問題，考慮藉由自上吸盤11'之盤面朝向上基板1'之表面吹送壓縮空氣等流體，而自重合狀態之上基板1'之表面將上吸盤11'之盤面強制性地分離。
然而，此種強制性之分離亦有如下之虞：因流體吹送導致未硬化之密封材料3'過度被壓扁且引起塗佈圖案形狀之混亂，或因過度壓扁而導致密封材料3'中所含之填充物等之固形成分與液狀成分分離，或者產生其他問題。進而，若於經減壓之變壓室10'內自上吸盤11'之盤面吹出壓縮空氣等流體，則亦有如下之虞：於上吸盤11'之管路內或變壓室10'內產生較強之空氣振動，而引起對所吸附之上基板1'之機械振動。
本發明係以應對此種問題作為課題者，其目的在於：藉由使一方吸盤在不會對未硬化之密封材料造成任何影響之前提下自重合狀態之一方基板分離，而實現不會打亂密封材料之形狀之基板彼此之貼合等。
為了達成此種目的，本發明之貼合設備之製造裝置之特徵在於：其係於經減壓之變壓室內將一對基板重合，而於其等之間形成由未硬化之密封材料包圍之密封空間，藉由於上述變壓室之大氣開放之內壓與上述密封空間之間產生之壓力差，對上述基板整體上均等地加壓而將上述基板以特定之間隙貼合者；且包括：上述變壓室，其將上述基板出入自如地收容；一對吸盤，其於上述變壓室內將上述基板以
夾入上述密封材料之方式分別裝卸自如地以第一真空度吸附保持；驅動機構，其於被減壓至較上述第一真空度更高壓之第二真空度之上述變壓室內，使上述吸盤之其中一者或兩者向Z方向相對地接近移動而使上述基板重合；第一吸引壓調整機構，其對上述吸盤之其中一者之吸引壓力進行壓力調整；第二吸引壓調整機構，其對上述吸盤之另一者之吸引壓力進行壓力調整；室壓調整機構，其將上述變壓室之內壓自大氣環境壓力調整成特定之真空壓；及控制部，其分別作動控制上述驅動機構、上述第一吸引壓調整機構、上述第二吸引壓調整機構及上述室壓調整機構；上述控制部係藉由上述驅動機構將上述基板於上述第二真空度之上述變壓室內重合，而於上述基板之間形成由未硬化之上述密封材料包圍之上述密封空間後，藉由上述第一吸引壓調整機構使上述吸盤之其中一者之吸引壓力自上述基板重合時之上述第一真空度向較其更高壓且與上述變壓室之內壓均等之上述第二真空度上升，其後，藉由上述第一吸引壓調整機構及上述室壓調整機構，使上述吸盤之其中一者之吸引壓力與上述變壓室之內壓自上述第二真空度分別上升至較其更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度後，於特定時間內維持上述第三真空度不變，並以利用與上述基板間之上述密封空間之壓力差使上述基板之一者自上述吸盤之其中一者之盤面脫離之方式使未硬化之上述密封材料壓縮變形，於上述基板之一者自上述吸盤之一者之盤面脫離後，使上述吸盤之其中一者之吸引壓力與上述變壓室之內壓自上述第三真空度上升至大氣壓。
又，本發明之貼合設備之製造方法之特徵在於：其係將一對吸盤相對地向相互接近之方向移動自如地設置於變壓室內，且相對於上述吸盤，以夾入未硬化之密封材料之方式分別裝卸自如地以第一真空度吸附保持一對基板，並於減壓至較上述第一真空度更高壓之第二真空度之上述變壓室內藉由上述吸盤之接近移動使上述基板重合，而於
其等之間形成由上述密封材料包圍之密封空間，藉由於上述變壓室之大氣開放之內壓與上述密封空間之間產生之壓力差，對上述基板整體上均等地加壓而將上述基板以特定之間隙貼合者；且包含：均壓化步驟，其係於上述基板之重合後，使上述吸盤之其中一者對上述基板之其中一者之吸引壓力自上述基板重合時之上述第一真空度向較其更高壓之上述第二真空度上升，使吸引壓力與上述變壓室之上述內壓均等，而解除利用壓力差對上述基板之一者之吸附保持；升壓步驟，其係於上述均壓化步驟之後，使上述吸盤之其中一者之吸引壓力及上述變壓室之內壓分別上升至較上述第二真空度更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度；待機步驟，其係於上述升壓步驟之後，將上述吸盤之其中一者之吸引壓力及上述變壓室之內壓於特定時間內維持上述第三真空度不變，藉由與上述基板間之上述第二真空度之上述密封空間之壓力差使未硬化之上述密封材料壓縮變形，而使上述基板之一者自上述吸盤之一者脫離；及大氣開放步驟，其係於上述待機步驟中使上述基板之一者自上述吸盤之一者脫離後，使上述變壓室之內壓及上述吸盤之其中一者之吸引壓力自上述第三真空度上升至大氣壓，藉由與上述密封空間之壓力差將上述基板以特定之間隙貼合。
具有上述特徵之本發明之貼合設備之製造裝置及製造方法係於在被減壓至第二真空度之變壓室內將一對基板重合後，使一方吸盤對一方基板之吸引壓力自第一真空度向較其更高壓之變壓室之第二真空度上升，藉此使一方吸盤之吸引壓力與變壓室之內壓成為均等之第二真空度，因此，解除自一方吸盤之盤面之利用壓力差之對一方基板之真空吸附。其後，藉由使變壓室之內壓與一方吸盤之吸引壓力自第二真空度上升至較其更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度，而藉由變壓室內之第三真空度與基板間之第二真空度之密封空間之壓力差
使未硬化之密封材料壓縮變形，從而使一方基板之表面自一方吸盤之盤面脫離。其後，藉由使變壓室之內壓及一方吸盤之吸引壓力自第三真空度上升至大氣壓，而藉由壓力差使基板以特定之間隙貼合。
因此，藉由使一方吸盤在不會對未硬化之密封材料造成任何影響之前提下自重合狀態之一方基板分離，可實現不打亂密封材料之形狀之基板彼此之貼合。
其結果，即便密封材料之高度存在差異，亦能夠藉由壓力差使基板以特定之間隙貼合。
進而，與自盤面朝向基板之表面吹送壓縮空氣等流體而強制性地使其等分離之情形相比，不會將未硬化之密封材料過度地壓扁，可防止密封材料之塗佈圖案形狀之混亂、密封材料中所含之填充物等之固形成分與液狀成分之分離、及於一方吸盤之管路內或變壓室內之空氣振動之產生，從而謀求提高基板之貼合精度。
1‧‧‧基板(上基板)
1'‧‧‧上基板
2‧‧‧基板(下基板)
2'‧‧‧下基板
3‧‧‧密封材料
3'‧‧‧密封材料
3s‧‧‧密封空間
3s'‧‧‧密封空間
10‧‧‧變壓室
10'‧‧‧變壓室
10a‧‧‧腔室
10b‧‧‧擋板
11‧‧‧吸盤(上吸盤)
11'‧‧‧上吸盤
11a‧‧‧保持構件
12‧‧‧吸盤(下吸盤)
12a‧‧‧保持構件
13‧‧‧驅動機構
14‧‧‧第一吸引壓調整機構
14a‧‧‧吸引源
14b‧‧‧第一吸引管路
14c‧‧‧第一流量調整部
14d‧‧‧連絡管路
14e‧‧‧均壓調整部
15‧‧‧第二吸引壓調整機構
15b‧‧‧第二吸引管路
15c‧‧‧第二流量調整部
15d‧‧‧排氣閥
16‧‧‧室壓調整機構
16a‧‧‧排氣源
16b‧‧‧排氣管路
16c‧‧‧室壓調整部
16d‧‧‧排氣閥
17‧‧‧控制部
A‧‧‧貼合設備
B‧‧‧製造裝置
P1‧‧‧一方吸盤之吸引壓力
P2‧‧‧變壓室之內壓
S1‧‧‧重合步驟
S2‧‧‧均壓化步驟
S3‧‧‧第一待機步驟
S4‧‧‧升壓步驟
S5‧‧‧第二待機步驟
S6‧‧‧大氣開放步驟
t‧‧‧時間
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
圖1係表示本發明之實施形態之貼合設備之製造裝置之整體構成的說明圖，且係表示所搬入之基板之吸附狀態之縱剖前視圖。
圖2同為該說明圖，係表示重合步驟之狀態之縱剖前視圖。
圖3同為該說明圖，係表示均壓化步驟之狀態之縱剖前視圖。
圖4同為該說明圖，係表示均壓化步驟結束時之狀態之縱剖前視圖。
圖5同為該說明圖，係表示升壓步驟之狀態之縱剖前視圖。
圖6同為該說明圖，係表示大氣開放步驟之狀態之縱剖前視圖。
圖7同為該說明圖，係表示基板之搬出時之狀態之縱剖前視圖。
圖8係本發明之實施形態之貼合設備之製造方法之時序圖。
圖9係表示本發明之另一實施例之貼合設備之製造裝置之整體構
成的說明圖，且係表示升壓步驟之狀態之縱剖前視圖。
圖10同為該說明圖，且係表示大氣開放步驟之狀態之縱剖前視圖。
圖11係本發明之另一實施例之貼合設備之製造方法之時序圖。
圖12係表示密封材料之塗佈例之說明圖，(a)係基板之重合前之前視圖，(b)係表示重合中途之前視圖，(c)係重合後之前視圖。
以下，基於圖式詳細地說明本發明之實施形態。
本發明之實施形態之貼合設備A之製造裝置B及製造方法係如圖1~圖11所示，於變壓室10內將一對吸盤11、12相對朝相互接近之方向移動自如地設置，且相對於吸盤11、12，將一對基板1、2以夾入設置於其等之其中一者或兩者之未硬化之密封材料3之方式分別裝卸自如地以第一真空度吸附保持，且於減壓至較第1真空度更高壓之第二真空度之變壓室10內，藉由吸盤11、12之接近移動將基板1、2重合。於該等已重合之基板1、2之間形成由密封材料3包圍之密封空間3s，且藉由在變壓室10之大氣開放之內壓P2與密封空間3s之間產生之壓力差，對基板1、2整體上均等地加壓而將基板1、2以特定之間隙貼合。
若詳細地說明，則本發明之實施形態之貼合設備A之製造裝置B係如圖2~圖8及圖10、圖11所示般，包括如下構件作為主要之構成要素：變壓室10，其將一對基板1、2出入自如地收容；一對吸盤11、12，其等以於變壓室10內將一對基板1、2以夾入未硬化之密封材料3之方式裝卸自如地吸附保持之方式設置；驅動機構13，其以使吸盤11、12之其中一者或兩者向Z方向相對地接近移動之方式設置；第一吸引壓調整機構14，其對吸盤11、12之其中一者之吸引壓力進行壓力調整；第二吸引壓調整機構15，其對吸盤11、12之另一者之吸引壓力進行壓力調整；室壓調整機構16，其以將變壓室10自大氣環境壓力調
整至特定之真空壓之方式設置；及控制部17，其分別作動控制該等吸盤11、12之驅動機構13、第一吸引壓調整機構14、第二吸引壓調整機構15及室壓調整機構16等。
基板1、2係將例如FPD或感測設備等複數個構成零件一體地組裝而成之薄板狀之構造體。
一方基板1係藉由例如觸控面板、覆蓋玻璃或覆蓋膜等以覆蓋另一方基板2之方式接著，而構成FPD或感測設備等者。
進而，基板1、2係如圖1~圖7及圖9、圖10所示般，通常沿Z方向(上下方向)配置，以下將上方之基板1稱為「上基板1」，且以下將下方之基板2稱為「下基板2」。
密封材料3具有可壓縮變形之未硬化或半硬化之流動性，可使用藉由吸取紫外線等之光能進行聚合而硬化並顯現接著性之光硬化型接著劑、藉由吸收熱能而進行聚合並硬化之熱硬化型接著劑、及二液混合硬化型接著劑等。
作為密封材料3之配置方法，較佳為在使上基板1與下基板2重合前，對上基板1及下基板2之對向面之其中一者或兩者，使用例如分配器等定量噴出噴嘴，以於其內側劃分形成密封空間3s之方式塗佈成特定形狀之框狀，且以遍及包圍密封空間3s之全周以大致相同之高度連續之方式配置。較佳為於上基板1及下基板2之貼合後，藉由例如紫外線之照射或加熱等使密封材料3硬化。又，作為其他例，亦可藉由印刷等配置密封材料3。
作為密封材料3之配置例，如圖1~圖7及圖9、圖10所示，較佳為對上基板1及下基板2，以特定間隔為單位配置複數個密封空間3s，且於其貼合後分割成各密封空間3s被氣密密封之設備而使用。
變壓室10係形成於腔室10a之內部，使用例如搬送機器人等搬送機構(未圖示)，以上基板1與下基板2可跨及腔室10a內之變壓室10與
腔室10a之外部空間出入之方式，開關自如地構成腔室10a之整體或一部分。若詳細地說明，則在大氣環境下藉由搬送機構向腔室10a內之變壓室10分別搬入上基板1與下基板2，且搬出上基板1及下基板2之貼合完成後之貼合設備A。
作為腔室10a之具體例，如圖1~圖7及圖9、圖10所示，藉由在腔室10a之一部分開關自如地設置擋板10b，而將變壓室10構成為開關自如且成為密封構造。
又，作為其他例，雖未圖示，但亦可代替開關擋板式，而沿Z方向分割腔室10a，以向Z方向相對地接近或隔離之方式往復移動，藉此以開關自如且成為密封構造之方式變更變壓室10。
於腔室10a之內部，具有將上基板1裝卸自如地真空吸附之吸盤11之保持構件11a、及具有將下基板2裝卸自如地真空吸附之吸盤12之保持構件12a係分別沿Z方向往復移動自如地設置。
以下將上基板1之吸盤11稱為「上吸盤」，以下將具備上吸盤11之保持構件11a稱為「上保持構件」。以下將下基板2之吸盤12稱為「下吸盤」，以下將具備下吸盤12之保持構件12a稱為「下保持構件」。
上保持構件11a與下保持構件12a包含例如以金屬或陶瓷等剛體形成為不翹曲(彎曲)變形之厚度之平板狀的壓盤等，且以其等之對向面分別於腔室10a內相互沿Z方向對向之方式平行地配設。
於上保持構件11a之對向面設置上吸盤11，且於下保持構件12a之對向面設置下吸盤12。進而，上保持構件11a及下保持構件12a之對向面具有如不會因上吸盤11或下吸盤12之真空吸引而導致於上基板1或下基板2引起翹曲之微細之孔或槽之吸附構造。
又，視需要亦可於上保持構件11a及下保持構件12a之對向面除了設置上吸盤11或下吸盤12以外，亦設置黏著盤或靜電盤等。
上保持構件11a或下保持構件12a之其中一者、或上保持構件11a
及下保持構件12a之兩者係沿Z方向移動自如地支持於腔室10a之壁面，且連接設置有驅動機構13。
驅動機構13包含致動器等，藉由下述控制部17，於上基板1及下基板2之重合時，以使上保持構件11a或下保持構件12a之其中一者或兩者沿Z方向相對地接近移動之方式進行作動控制。
又，於上保持構件11a或下保持構件12a之其中一者或兩者具備位置對準用驅動部(未圖示)，藉由使上保持構件11a與下保持構件12a向XYθ方向相對地移動，而將上基板1與下基板2位置對準。
於上吸盤11，設置有用以將其吸引壓力P1自大氣環境調整至特定之真空度之第一吸引壓調整機構14。
第一吸引壓調整機構14較佳為使用電動控制式之真空調節器等，作為自上基板1及下基板2之重合時之真空壓力有計劃地升壓至大氣壓之過程，預先將升壓曲線設定為1點至多點之階段性之減壓目標值，藉此控制自真空壓力至大氣壓之升壓過程之升壓速度。
若詳細地說明，則第一吸引壓調整機構14包含：第一吸引管路14b，其自上吸盤11之盤面例如朝向真空泵等吸引源14a分別連通；及第一流量調整部14c，其設置於第一吸引管路14b之中途。
第一流量調整部14c包含使第一吸引管路14b開關之開關閥或用以調整通過流量之調壓器等。
於下吸盤12，設置有用以將其吸引壓力自大氣環境調整至特定之真空度之第二吸引壓調整機構15。
第二吸引壓調整機構15包含：第二吸引管路15b，其自下吸盤12之盤面朝向例如真空泵等吸引源14a分別連通；及第二流量調整部15c，其設置於第二吸引管路15b之中途。
第二流量調整部15c包含使第二吸引管路15b開關之開關閥等。
作為上吸盤11及下吸盤12之具體例，如圖1~圖7及圖9、圖10所
示，以於上基板1與下基板2之重合後，上基板1藉由重力自上吸盤11之盤面離開之方式構成。
又，作為其他例，雖未圖示，但亦可以於上基板1與下基板2之重合後，下基板2自下吸盤12之盤面離開之方式構成。
進而，於上吸盤11之第一吸引壓調整機構14，亦可經由連絡管路14d與下述室壓調整機構16之排氣管路16b連通。於連絡管路14d之中途設置均壓調整部14e，均壓調整部14e包含使連絡管路14d開關之均壓用開關閥等。
上吸盤11之第一吸引壓調整機構14與下吸盤12之第二吸引壓調整機構15由下述控制部17分別進行作動控制，分別以下述方式設定上吸盤11之吸引壓力P1與下吸盤12之吸引壓力。
在上基板1及下基板2之重合時，上吸盤11之吸引壓力P1與下吸盤12之吸引壓力係分別設定為第一真空度。於上基板1及下基板2之重合後，上吸盤11之吸引壓力P1係以如下方式設定，即，分別階段性地自第一真空度向較其更高壓之第二真空度升壓，自第二真空度向較其更高壓且較大氣壓低壓之第三真空度升壓，且自第三真空度升壓至大氣壓。
下吸盤12之吸引壓力係以如下方式設定，即，於上基板1及下基板2之貼合完成而成為貼合設備A並自變壓室10搬出之前維持為第一真空度，於即將搬出之前瞬間升壓至大氣壓。
作為該等第一真空度、第二真空度及第三真空度之具體例，如圖8及圖11所示，第一真空度為例如1萬Pa或1萬Pa左右之高真空壓(以下稱為「高真空壓」)，第二真空度為例如5萬Pa或5萬Pa左右之中真空壓(以下稱為「中真空壓」)，第三真空度為例如7萬Pa或7萬Pa左右之低真空壓(以下稱為「低真空壓」)。
再者，此處，將大氣壓設為約10萬Pa。
另一方面，於腔室10a中，設置有與變壓室10連通且用以將其內壓P2自大氣環境調整至特定之真空度之室壓調整機構16。
室壓調整機構16包含：排氣路徑16b，其自變壓室10向例如真空泵等排氣源16a連通；及室壓調整部16c，其設置於排氣路徑16b之中途。
室壓調整部16c包含使排氣路徑16b開關之開關閥或用以調整通過流量之調壓器等，由下述控制部17進行作動控制，且以下述方式設定變壓室10之內壓P2。
於上基板1及下基板2之重合時，變壓室10之內壓P2係設定為較第一真空度(高真空壓)更高壓之第二真空度(中真空壓)。於上基板1及下基板2之重合後，變壓室10之內壓P2以經過較第二真空度(中真空壓)更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度(低真空壓)後階段性地升壓至大氣壓之方式設定。
進而，較佳為在與上吸盤11之吸引管路14b、下吸盤12之吸引管路15b、及變壓室10連通之室壓調整機構16之排氣路徑16b設置用以使各個管路內之負壓大氣開放之排氣閥。
於圖示例中，於經由連絡管路14d與上吸盤11之吸引管路14b連通之變壓室10之排氣路徑16b配置排氣閥16d，且於下吸盤12之吸引管路15b配置有排氣閥15d。
控制部17係如下控制器，即，不僅分別與吸盤11、12之驅動機構13、上吸盤11之第一吸引壓調整機構14之第一流量調整部14c或均壓調整部14e、下吸盤12之第二吸引壓調整機構15之第二流量調整部15c、變壓室10之室壓調整機構16之室壓調整部16c、及排氣閥16d、15d電性連接，亦與用以對上述變壓室10放入取出上基板1及下基板2之搬送機構、或用以使上基板1與下基板2向XYθ方向相對地移動之位置對準用驅動部、或使密封材料3硬化之硬化機構等電性連接。
控制部17對上吸盤11之第一吸引壓調整機構14之控制較佳為於上基板1及下基板2之重合時之自真空壓力至大氣壓之階段性升壓過程中，為了使上吸盤11之盤面自上基板1之表面脫離，而以不於脫離面內產生負壓之方式，進行開始以考慮該盤面之內部與變壓室10之內壓P2之均壓之微速進行脫離之控制。
成為控制部17之控制器按照預先設定於其控制電路(未圖示)之程式，以預先設定之時序依序分別進行作動控制。
若詳細地說明，則控制部17係以如下方式進行控制：在藉由驅動機構13使基板1、2夾著密封材料3而重合之狀態下，藉由第一吸引壓調整機構14使吸盤11、12之其中一者(上吸盤11)之吸引壓力P1自第一真空度向較其更高壓之變壓室10之第二真空度上升，其後，藉由第一吸引壓調整機構14及室壓調整機構16，使吸盤11、12之其中一者之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2分別上升至較變壓室10內之第二真空度更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度後，自第三真空度上升至大氣壓。
繼而，作為用以生產貼合設備A之製造方法，說明設定於控制部17之控制電路之程式。
本發明之實施形態之貼合設備A之製造方法包含如下主要步驟：上基板1與下基板2之重合步驟S1；均壓化步驟S2，其係使上吸盤11或下吸盤12之其中一者(上吸盤11)之吸引壓力P1自第一真空度(高真空壓)向第二真空度(中真空壓)上升；升壓步驟S4，其係使變壓室10之內壓P2及上吸盤11或下吸盤12之其中一者(上吸盤11)之吸引壓力P1上升至第三真空度(低真空壓)；及大氣開放步驟S6，其係使變壓室10之內壓P2及上吸盤11或下吸盤12之其中一者(上吸盤11)之吸引壓力P1上升至大氣壓。
尤其是於升壓步驟S4中，較佳為使變壓室10之內壓P2及上吸盤
11或下吸盤12之其中一者(上吸盤11)之吸引壓力P1自第二真空度(中真空壓)向第三真空度(低真空壓)逐漸上升。
又，上吸盤11或下吸盤12之另一者(下吸盤12)之吸引壓力係在自重合步驟S1至均壓化步驟S2、升壓步驟S4、大氣開放步驟S6之所有步驟中，維持為第一真空度(高真空壓)。
進而，除此之外，亦可於均壓化步驟S2與升壓步驟S4之間包含第一待機步驟S3，該第一待機步驟S3係在特定時間內維持上吸盤11或下吸盤12之其中一者之吸引壓盤P1。
較佳為在升壓步驟S4與大氣開放步驟S6之間包含第二待機步驟S5，該第二待機步驟S5係在特定時間內維持變壓室10之內壓P2及上吸盤11或下吸盤12之其中一者之吸引壓力P1。
亦即，較佳為以如下方式進行控制：於使上吸盤11或下吸盤12之其中一者之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2分別上升至第三真空度(低真空壓)後，在特定時間內維持第三真空度(低真空壓)不變，其後，自第三真空度(低真空壓)上升至大氣壓。
作為貼合設備A之製造方法之具體例，首先，如圖1所示，將上基板1與下基板2分別自外部朝向變壓室10內之上吸盤11與下吸盤12搬入。於該時點，上吸盤11與下吸盤12藉由驅動機構13之作動沿Z方向隔離開地移動。
上吸盤11之吸引壓力P1係打開成為第一吸引壓調整機構14之第一流量調整部14c之開關閥，藉由調壓器壓力調整為第一真空度(高真空壓)。下吸盤12之吸引壓力係打開成為第二吸引壓調整機構15之第二流量調整部15c之開關閥，被壓力調整為第一真空度(高真空壓)。藉此，上基板1與下基板2係相對於上吸盤11及下吸盤12以第一真空度(高真空壓)分別不可移動地被吸附保持。
進而，在變壓室10成為密閉狀態後，打開成為室壓調整機構16
之壓力調整部16c之排氣閥，藉由調壓器使變壓室10之內壓P2減壓至較第一真空度(高真空壓)更高壓之第二真空度(中真空壓)。因此，在上基板1未自上吸盤11之盤面落下且位置未向XY方向偏移之同時，於下吸盤12之盤面中下基板2之位置未向XY方向偏移。
繼之，於圖2所示之重合步驟S1中，在減壓至第二真空度(中真空壓)之變壓室10內，藉由驅動機構13之作動使上吸盤11與下吸盤12沿Z方向相對地接近移動，而使上基板1與下基板2夾著密封材料3沿Z方向重合。
藉此，於上基板1與下基板2之間，形成由密封材料3包圍之密封空間3s，且密封空間3s內之壓力成為第二真空度(中真空壓)。
繼之，於圖3所示之均壓化步驟S2中，保持打開成為上吸盤11之第一流量調整部14c之開關閥不變，藉由上吸盤11之第一吸引壓調整機構14之第一流量調整部14c之作動，使吸附上基板1之上吸盤11之吸引壓力P1自第一真空度(高真空壓)上升至較其更高壓之第二真空度(中真空壓)。
較佳為於均壓化步驟S2結束時，如圖4所示，上吸盤11之第一吸引壓調整機構14以利用連絡管路14d連通上吸盤11之吸引管路14b與變壓室10之排氣管路16b之方式進行控制。
藉此，上吸盤11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2分別成為均等之第二真空度(中真空壓)。因此，至此時，自上吸盤11之盤面之利用壓力差對上基板1之真空吸附被解除。
進而，為了確實地解除上基板1之真空吸附，較佳為藉由第一待機步驟S3於特定時間內，將上吸盤11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2維持為第二真空度(中真空壓)。
繼其後，在圖5所示之升壓步驟S4中，藉由成為室壓調整機構16之壓力調整部16c之調壓器，使變壓室10之內壓P2自第二真空度(中真
空壓)上升至較其更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度(低真空壓)。
與此同時，藉由第一吸引壓調整機構14之第一流量調整部14c或均壓調整部14e之作動，使上吸盤11之吸引壓力P1自第二真空度(中真空壓)上升至第三真空度(低真空壓)。
於以圖示例作為其具體例之情形時，上吸盤11之第一流量調整部14c以如下方式進行控制：藉由經由連絡管路14d連通上吸盤11之吸引管路14b與變壓室10之排氣管路16b，而使上吸盤11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2之上升連動且以相同壓力向第三真空度(低真空壓)上升。
又，作為其他例，雖未圖示，但亦可藉由上吸盤11之第一吸引壓調整機構14之第一流量調整部14c之作動，使上吸盤11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2之上升大致同時地逐漸上升至第三真空度(低真空壓)。
藉由升壓步驟S4，變壓室10之內壓P2與上吸盤11之吸引壓力P1分別成為第三真空度(低真空壓)，因此，變壓室10之內壓P2即第三真空度(低真空壓)、與於基板1、2之間由密封材料3包圍之密封空間3s內之壓力即第二真空度(中真空壓)產生壓力差。
因此，若至升壓步驟S4結束時，則利用該壓力差使未硬化之密封材料3壓縮變形，從而基板1之表面開始自上吸盤11之盤面脫離。
此時，由於利用變壓室10內之第三真空壓(低真空壓)與基板1、2間之第二真空度(中真空壓)之密封空間3s之壓力差，使未硬化之密封材料3充分且確實地壓縮變形，故較佳為藉由第二待機步驟S5在特定時間內將變壓室10之內壓P2與上吸盤11之吸引壓力P1維持為第三真空度(低真空壓)。
繼其後，在圖6所示之大氣開放步驟S6中，藉由成為室壓調整機
構16之壓力調整部16c之調壓器，使變壓室10之內壓P2自第三真空度(低真空壓)上升至較其更高壓之大氣壓。與此同時，藉由第一吸引壓調整機構14之第一流量調整部14c或均壓調整部14e之作動，使上吸盤11之吸引壓力P1自第三真空度(低真空壓)上升至大氣壓。
於以圖示例作為其具體例之情形時，關閉自上吸盤11之吸引管路14b朝向吸引源14a之路徑，且藉由均壓調整部14e經由連絡管路14d連通上吸盤11之吸引管路14b與變壓室10之排氣管路16b，藉此，上吸盤11之吸引壓力P1被控制為與變壓室10之內壓P2之上升同時地逐漸上升至大氣壓。
又，作為其他例，雖未圖示，但亦可藉由上吸盤11之第一吸引壓調整機構14之第一流量調整部14c之作動，使上吸盤11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2之上升大致同時地逐漸上升至大氣壓。
藉由大氣開放步驟S6，變壓室10之內壓P2與上吸盤11之吸引壓力P1分別成為大氣壓，因此，變壓室10之內壓P2即大氣壓、與基板1、2間密封空間3s內之壓力即第二真空度(中真空壓)之壓力差擴大。
利用該擴大之壓力差使未硬化之密封材料3進一步壓縮變形，從而上基板1之表面自上吸盤11之盤面完全脫離，且上基板1及下基板2整體上被均等地壓扁而以所期望之間隙貼合。
繼而，在變壓室10之內壓P2上升至大氣壓或大氣壓附近時，關閉成為室壓調整機構16之壓力調整部16c之排氣閥，且打開設置於變壓室10之排氣路徑16b之排氣閥16d，釋放變壓室10之排氣路徑16b及上吸盤11之吸引管路14b內之壓力。
此時，如圖6中以二點鏈線所示，藉由驅動機構13之作動使上吸盤11與下吸盤12沿Z方向相對地隔離開地移動，從而夾著密封材料3貼合之上基板1及下基板2不可移動地被吸附保持於下吸盤12之盤面。
在大氣開放步驟S6後，如圖7所示，關閉成為下吸盤12之流量調
整部14e之開關閥，且打開設置於下吸盤12之吸引管路14c之排氣閥15d，釋放下吸盤12之吸引管路14c內之壓力。
於該狀態下，自變壓室10內向外部搬出使上基板1及下基板2以所期望之間隙貼合而成之貼合設備A。
其後重複上述作動。
根據此種本發明之實施形態之貼合設備A之製造裝置B及製造方法，於如圖2所示般在減壓至第二真空度(中真空壓)之變壓室10內將一對基板1、2重合之重合步驟S1之後，於圖3所示之均壓化步驟S2中使一方吸盤(上吸盤)11對一方基板(上基板)1之吸引壓力P1自第一真空度(高真空壓)向較其更高壓之變壓室10之第二真空度(中真空壓)上升。藉此，如圖4所示，一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2成為均等之第二真空度(中真空壓)，故自一方吸盤(上吸盤)11之盤面之利用壓力差對一方基板(上基板)1之真空吸附被解除。在其後之圖5所示之升壓步驟S4中，使變壓室10之內壓P2與一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1上升至較變壓室10內之第二真空度(中真空壓)更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度。藉此，利用變壓室10內之第三真空度(低真空壓)與基板1、2間之第二真空度(中真空壓)之密封空間3s之壓力差使未硬化之密封材料3壓縮變形，從而一方基板(上基板)1之表面自一方吸盤(上吸盤)11之盤面離開。在其後之圖6所示之大氣開放步驟S6中，使變壓室10之內壓P2及一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1自第三真空度(低真空壓)上升至大氣壓。
若列舉具體例進行說明，則於在重合步驟S1中於基板1、2間由未硬化之密封材料3密封之密封空間3s內，封入有變壓室10之中真空壓(5萬Pa)。
於其後之升壓步驟S4中，當使變壓室10之內壓P2上升至低真空壓(7萬Pa)時，相對於基板1、2必然產生密封材料3之內外差壓量(2萬
Pa)。
於其後之大氣開放步驟S6中，由於在大氣壓(10萬Pa)中獲得約1000g/cm2之真空差壓之密接力，故於密封材料3之內外差壓量(2萬Pa)時，可獲得約200g/cm2之密接力。
藉此，未硬化之密封材料3向厚度方向壓縮變形，且基板1、2之厚度整體上變薄其壓縮量，因此，利用壓力差使基板1、2以所期望之間隙貼合。
根據實驗，在貼合前之上基板1及下基板2中，密封材料3之塗佈高度之差異平均為60μm，於將重合步驟S1之藉由驅動機構13對密封材料3之壓扁尺寸設為10μm之情形時，若於升壓步驟S4結束時升壓至低真空壓(7萬Pa)，則密封材料平均被壓扁20μm，而上基板1及下基板2之間隙壓縮變形至平均40μm。進而，若於大氣開放步驟S6結束時升壓至大氣壓(10萬Pa)，則密封材料3平均被壓扁35μm，而上基板1及下基板2之間隙壓縮變形至作為目標之25μm。以此方式製作之貼合設備A係即便與密封單元內之間產生差壓，亦可確認其為於密封材料3與上基板1及下基板2之接觸界面未產生差壓所致之空氣貫通之穩定密封狀態，從而可達成目的。
因此，藉由使一方吸盤(上吸盤)11在不會對未硬化之密封材料3造成任何影響之前提下自重合狀態之一方基板(上基板)1分離，可實現不打亂密封材料3之形狀之基板1、2彼此之貼合。
其結果，即便密封材料3之高度存在差異，亦可藉由壓力差將基板1、2以特定之間隙貼合。
進而，與自盤面朝向基板之表面吹送壓縮空氣等流體而強制性地使其等分離之情形相比，不會過度地壓扁未硬化之密封材料3，可防止密封材料3之塗佈圖案形狀之混亂、密封材料3中所含之填充物等之固形成分與液狀成分之分離、及一方吸盤(上吸盤)11之管路內或變
壓室10內之空氣振動之產生，從而謀求提高基板1、2之貼合精度。
尤其是於以使一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1及變壓室10之內壓P2分別上升至第三真空度(低真空壓)後，於特定時間內維持第三真空度(低真空壓)不變，其後，自第三真空度(低真空壓)上升至大氣壓之方式進行控制之情形時，等待直至利用在升壓步驟S4中產生之變壓室10內之第三真空度(低真空壓)與基板1、2間之第二真空度(中真空壓)之密封空間3s之壓力差使未硬化之密封材料3充分且確實地壓縮變形為止。藉此，即便未硬化之密封材料3之壓縮變形速度較慢，亦於待機步驟S5中進行並完成密封材料3之壓縮變形，從而使一方基板(上基板)1之表面自一方吸盤(上吸盤)11之盤面完全脫離。
因此，可使一方吸盤(上吸盤)11更確實地自重合狀態之一方基板(上基板)1分離。
其結果，提高一方吸盤(上吸盤)11自一方基板(上基板)1之分離性能，而謀求進一步提高基板1、2之貼合精度。
進而，於藉由第一吸引壓調整機構14及室壓調整機構16，以使吸盤11、12之其中一者之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2自第二真空度向第三真空度階段性地上升之方式進行控制之情形時，於升壓步驟S4中，利用變壓室10內之第三真空度(低真空壓)與基板1、2間之第二真空度(中真空壓)之密封空間3s之壓力差，使未硬化之密封材料3逐漸壓縮變形，因此，一方基板(上基板)1之表面自一方吸盤(上吸盤)11之盤面以微速脫離。
因此，完全不會經由一方基板(上基板)1對未硬化之密封材料3造成影響，可使一方吸盤(上吸盤)11更確實地自一方基板(上基板)1分離。
其結果，提高一方吸盤(上吸盤)11自一方基板(上基板)1之分離性能，從而謀求進一步提高基板1、2之貼合精度。
其次，基於圖式說明本發明之各實施例。
該實施例1係如圖4及圖8所示，於均壓化步驟S2結束時，一方吸盤(上吸盤)11之第一吸引壓調整機構14係以利用連絡管路14d連通一方吸盤(上吸盤)11之吸引管路14b與變壓室10之排氣管路16b之方式進行控制。
在圖4所示之例中，關閉成為上吸盤11之第一流量調整部14c之開關閥而切斷通往吸引源14a之通路，同時打開成為均壓調整部14e之均壓用開關閥，藉此，上吸盤11之吸引管路14b與變壓室10之排氣管路16b經由連絡管路14d而連通，藉由成為室壓調整機構16之壓力調整部16c之調壓器，使其等逐漸上升至第三真空度(低真空壓)。
藉此，變壓室10之排氣管路16b經由連絡管路14d與上吸盤11之吸引管路14b連通，因此，上吸盤11之吸引壓力P1亦與變壓室10之內壓P2之上升同時地逐漸上升至第三真空度(低真空壓)。
根據此種本發明之實施例1之貼合設備A之製造裝置B及製造方法，即便不於一方吸盤(上吸盤)11之吸引管路14b、及變壓室10之排氣管路16b分別設置壓力感測器等進行管理控制，亦藉由利用連絡管路14d使吸引管路14b與排氣管路16b連通，而通過連絡管路14d使一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2分別成為均等之第二真空度(中真空壓)。因此，解除自一方吸盤(上吸盤)11之盤面之利用壓力差對一方基板(上基板)1之真空吸附。
因此，能以簡單之構造及控制使一方基板(上基板)1自一方吸盤(上吸盤)11確實地脫離。
其結果，有如下優點：以低成本提高一方吸盤(上吸盤)11與一方基板(上基板)1之分離性能，而謀求基板1、2之貼合精度之進一步提高。
進而，藉由使用變壓室10之壓力調整用之室壓調整機構16，可同時且準確地一併調整變壓室10之內壓P2與一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1。
其結果，有如下優點：與壓力感測器等之測定誤差無關，可精密地控制一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2，從而操作性與經濟性優異。
該實施例2係如圖9~圖11所示，至少於大氣開放步驟S6中代替實施例1之圖6及圖8，而如圖10及圖11所示，以使一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1自較變壓室10之內壓P2略高之第三真空度(低真空壓)上升至大氣壓之方式進行控制之構成與圖1~圖8所示之實施例1不同，除此以外之構成與圖1~圖8所示之實施例1相同。
進而，圖9~圖11所示之實施例2係於升壓步驟S4中代替實施例1之圖5及圖8，而如圖9及圖11所示，以使一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1自較變壓室10之內壓P2略高之第二真空度(中真空壓)上升至第三真空度(低真空壓)之方式進行控制。
又，作為其他例，雖未圖示，但亦可使升壓步驟S4與實施例1之圖5及圖8同樣地，以使一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1與變壓室10之內壓P2之上升連動地以相同壓力向第三真空度(低真空壓)上升之方式進行控制。
根據此種本發明之實施例2之貼合設備A之製造裝置B及製造方法，在大氣開放步驟S6中，藉由一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1之上升、與變壓室10之內壓P2之上升之微小之壓力差，使微量之空氣自一方吸盤(上吸盤)11之盤面朝向一方基板(上基板)1之表面流動，而一方吸盤(上吸盤)11之盤面與一方基板(上基板)1之表面之間隙必然會擴大。
因此，能以簡單之控制完全不會經由一方基板(上基板)1對未硬化之密封材料3造成影響，而更確實地使一方基板(上基板)1自一方吸盤(上吸盤)11分離。
其結果，有如下優點：以低成本提高一方吸盤(上吸盤)11自一方基板(上基板)1之分離性能，從而謀求基板1、2之貼合精度之進一步提高。
進而，於如圖示例般在升壓步驟S4中，亦以使一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1自較變壓室10之內壓P2略高之第二真空度(中真空壓)上升至第三真空度(低真空壓)之方式進行控制之情形時，在升壓步驟S4中，藉由一方吸盤(上吸盤)11之吸引壓力P1之上升、與變壓室10之內壓P2之上升之微小之壓力差，使微量之空氣自一方吸盤(上吸盤)11之盤面朝向一方基板(上基板)1之表面流動，從而一方吸盤(上吸盤)11之盤面與一方基板(上基板)1之表面之間隙必然擴大。
因此，於圖示例之情形時，若進行至升壓步驟S4，則一方基板(上基板)1之表面開始自一方吸盤(上吸盤)11之盤面脫離。
因此，有如下優點：相較於圖1~圖8所示之實施例1，可更容易且確實地使一方基板(上基板)1自一方吸盤(上吸盤)11分離。
再者，於圖示例中，雖藉由驅動機構13使吸盤11、12之兩者沿Z方向相對地接近移動而將基板1、2重合，但並不限定於此，亦可使吸盤11、12之其中一者朝向另一者接近移動而將基板1、2重合。
Claims (5)
- 一種貼合設備之製造裝置，其特徵在於：其係於經減壓之變壓室內將一對基板重合，且於其等之間形成由未硬化之密封材料包圍之密封空間，藉由於上述變壓室之經大氣開放之內壓與上述密封空間之間產生之壓力差，對上述基板整體上均等地加壓而將上述基板以特定之間隙貼合者；且包括：上述變壓室，其將上述基板出入自如地收容；一對吸盤，其等於上述變壓室內將上述基板以夾入上述密封材料之方式分別裝卸自如地以第一真空度吸附保持；驅動機構，其於減壓至較上述第一真空度更高壓之第二真空度之上述變壓室內，使上述吸盤之其中一者或兩者沿Z方向相對地接近移動而使上述基板重合；第一吸引壓調整機構，其對上述吸盤之其中一者之吸引壓力進行壓力調整；第二吸引壓調整機構，其對上述吸盤之另一者之吸引壓力進行壓力調整；室壓調整機構，其將上述變壓室之內壓自大氣環境壓力調整至特定之真空壓；及控制部，其分別作動控制上述驅動機構、上述第一吸引壓調整機構、上述第二吸引壓調整機構及上述室壓調整機構；上述控制部係藉由上述驅動機構使上述基板於上述第二真空度之上述變壓室內重合，而於上述基板之間形成由未硬化之上述密封材料包圍之上述密封空間後，藉由上述第一吸引壓調整機構使上述吸盤之其中一者之吸引壓力自上述基板重合時之上述第一真空度向較其更高壓且與上述變壓室之內壓均等之上述 第二真空度上升，其後，藉由上述第一吸引壓調整機構及上述室壓調整機構，使上述吸盤之其中一者之吸引壓力與上述變壓室之內壓自上述第二真空度分別上升至較其更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度後，於特定時間內維持上述第三真空度不變，並以利用與上述基板間之上述密封空間之壓力差使上述基板之一者自上述吸盤之其中一者之盤面脫離之方式使未硬化之上述密封材料壓縮變形，於上述基板之一者自上述吸盤之一者之盤面脫離後，使上述吸盤之其中一者之吸引壓力與上述變壓室之內壓自上述第三真空度上升至大氣壓。
- 如請求項1之貼合設備之製造裝置，其中藉由上述第一吸引壓調整機構及上述室壓調整機構，以自上述第二真空度向上述第三真空度階段性地上升之方式控制上述吸盤之其中一者之吸引壓力與上述變壓室之內壓。
- 如請求項1或2之貼合設備之製造裝置，其中上述第一吸引壓調整機構係以使上述吸盤之其中一者之吸引管路與上述變壓室之排氣管路以連絡管路連通之方式進行控制。
- 如請求項1或2之貼合設備之製造裝置，其中以自上述第三真空度上升至大氣壓之方式控制上述吸盤之其中一者之吸引壓力使其較上述變壓室之內壓略高。
- 一種貼合設備之製造方法，其特徵在於：其係將一對吸盤相對地向相互接近之方向移動自如地設置於變壓室內，且相對於上述吸盤，以夾入未硬化之密封材料之方式分別裝卸自如地以第一真空度吸附保持一對基板，於減壓至較上述第一真空度更高壓之第二真空度之上述變壓室內藉由上述吸盤之接近移動使上述基板重合，而於其等之間形成由上述密封材料包圍之密封空間，藉由於上述變壓室之經大氣開放之內壓與上述密封空間之 間產生之壓力差，對上述基板整體上均等地加壓而將上述基板以特定之間隙貼合者；且包含：均壓化步驟，其係於上述基板之重合後，使上述吸盤之其中一者對上述基板之其中一者之吸引壓力自上述基板重合時之上述第一真空度向較其更高壓之上述第二真空度上升，而使吸引壓力與上述變壓室之上述內壓均等，從而解除利用壓力差對上述基板之一者之吸附保持；升壓步驟，其係於上述均壓化步驟之後，使上述吸盤之其中一者之吸引壓力及上述變壓室之內壓分別上升至較上述第二真空度更高壓且與大氣壓相比成負壓之第三真空度；待機步驟，其係於上述升壓步驟之後，將上述吸盤之其中一者之吸引壓力及上述變壓室之內壓於特定時間內維持上述第三真空度不變，且藉由與上述基板間之上述第二真空度之上述密封空間之壓力差使未硬化之上述密封材料壓縮變形，而將上述基板之一者自上述吸盤之一者脫離；及大氣開放步驟，其係於上述待機步驟中使上述基板之一者自上述吸盤之一者脫離後，使上述變壓室之內壓及上述吸盤之其中一者之吸引壓力自上述第三真空度上升至大氣壓，且藉由與上述密封空間之壓力差將上述基板以特定之間隙貼合。
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