TWI623635B - 用以處理半導體工作件之方法及裝置 - Google Patents

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Abstract

依據本發明係提供一種處理一具有一正面與一背面的半導體工件之方法，包含以下步驟：i)將該工件的背面放在一腔室中之一工件支座上，而使該工件的正面面向該腔室中以供處理，該腔室具有一相關聯的腔室氣體壓力，且該背面係與一具有一相關聯的背部氣體壓力之背部區域呈流體導通；ii)以一第一腔室壓力Pc1及一第一背部壓力Pb1進行一工件處理步驟，其中Pc1和Pb1會產生一壓力差Pb1-Pc1，其會被保持俾可避免該工件與工件支座間之一壓力引致的接觸喪失；及iii)以一第二腔室壓力Pc2及一第二背部壓力Pb2進行一工件冷卻步驟，其中Pc2和Pb2係分別高於Pc1和Pb1，至少Pb2係足夠地高以加強該工件的冷卻，且其中Pc2和Pb2會產生一壓力差Pb2-Pc2，其會被保持俾可避免該工件與工件支座間之一壓力引致的接觸喪失。

Description

用以處理半導體工作件之方法及裝置 發明領域
本發明係有關一種用於處理半導體工件的方法及裝置。
發明背景
金屬膜的濺射沉積係廣泛地使用半導體和相關產業中。一般係希望較好能最大化該濺射膜的沉積速率，俾使每小時能被處理的晶圓數目儘可能地高。
但是，高沉積速率的物理蒸汽沉積(PVD)製程會對積體電路(IC)的製造者呈現整合的問題。若供應至該濺射標靶的功率增加，則熱電漿的能力也會增加，並引至高能物質來加熱該晶圓。在許多情況下乃必須將該晶圓溫度保持儘可能地低，以免影響先前沉積的材料其可能會敏感於升高的溫度(例如聚合物、黏劑、介電質等)。
一種既存的解決方案包含在一冷靜電卡盤(ESC)上處理晶圓。在處理壓力下，該晶圓與ESC之間的熱傳輸係非常低(M.Klick,M.Bernt,JVAC 24(2006)。用以改良該晶圓與卡盤之間的導熱性之工業標準方法係使用一背面氣 體壓力。但是，對薄的、高度彎翹，受損的，貼膠帶的，或絕緣的晶圓而言，當一氣體背壓被使用時，在該沉積製程期間，要產生一足以使該晶圓保持被夾緊的夾力會是非常有問題的。此類有問題的晶圓通常會在IC封裝產業中遇到。例如，通常係利用厚度小於100μm，典型為30~50μm厚度的薄晶圓。此類的晶圓是易碎且容易翹的。當一較厚的金屬層沉積在該晶圓上時，會遭遇一特別的問題。該金屬層通常為2~10μm厚，其會施加一增添的應力於一易碎的晶圓上。
發明概要
本發明在至少一些其實施例中，會提供一種方法可供以高沉積速率同時保持一低製程壓力而來處理薄的、彎翹的、絕緣的或其它有問題的晶圓。但是，本發明並不受限於薄的、彎翹的、絕緣的或其它有問題的晶圓，亦不受限於使用ESC裝置來支撐及/或夾住該晶圓。
依據本發明之一第一態樣係提供一種用以處理一具有一正面與一背面之半導體工件的方法，包含以下步驟：i)將該工件的背面放在一腔室中之一工件支座上，而使該工件的正面面向該腔室內以供處理，該腔室具有一相關聯的腔室氣體壓力，且該背面係與一具有一相關聯之背部氣體壓力的背部區域呈流體導通；ii)以一第一腔室壓力Pc1及一第一背部壓力Pb1進行一工件處理步驟，其中Pc1和Pb1會產生一壓力差Pb1-Pc1，其會被保 持而來避免該工件與工件支座間之一壓力引致的接觸喪失，及iii)以一第二腔室壓力Pc2及一第二背部壓力Pb2進行一工件冷卻步驟，其中Pc2和Pb2係分別高於Pc1和Pb1，至少Pb2係充分地高而可加強該工件的冷卻，且其中Pc2和Pb2會產生一壓力差，Pb2-Pc2，其會被保持而來避免該工件與該工件支座間之一壓力引致的接觸喪失。
在步驟iii)時，Pc2亦可足夠地高以加強該工件的冷卻。
依據本發明之一第二態樣係提供一種處理一具有一正面和一背面的半導體工件之方法，包含以下步驟：i)將該工件的背面放在一腔室中之一工件支座上，而使該工件的正面面向該腔室內以供處理，該腔室具有一相關聯的腔室氣體壓力，且該背面係與一具有一相關聯的背部氣體壓力之背部區域呈流體導通；ii)以一第一腔室壓力及Pc1及一第一背部壓力Pb1來進行一工件處理步驟，其中Pc1和Pb1會產生一壓力差，Pb1-Pc1，其係被保持在小於+2Torr；iii)以一第二腔室壓力Pc2及一第二背部壓力Pb2來進行一工件冷卻步驟，其中Pc2和Pb2係分別高於Pc1和Pb1，Pb2係大於或等於0.5Torr，且其中Pc2和Pb2會產生一壓力差，Pb2-Pc2，其係被保持在小於+2Torr。
該步驟ii)和iii)可形成一處理/冷卻循環，其會被重複地進行。
該壓力差，Pb1-Pc1和Pb2-Pc2各可被保持在小於+1Torr。
該壓力差，Pb1-Pc1和Pb2-Pc2各可被保持在-0.5至+0.5Torr的範圍內。
在步驟iii)時該壓力差Pb2-Pc2可被保持在大約0Torr。在某些實施例中，於至少步驟iii)時，該腔室係與該背部區域呈流體導通，因此Pb2會實質上等於Pc2。
在步驟ii)時該壓力差Pb1-Pc1可被保持在大約0Torr。該腔室在步驟ii)時可與該背部區域呈流體導通，因此Pb1係實質上等於Pc1。
在某些實施例中，Pc2係在0.5至20Torr的範圍內，較好約為1Torr。
該工件可被該工件支座夾緊於定位。
在某些實施例中，該工件支座包含一靜電卡盤。典型地，該工件係被該靜電卡盤夾住。此能造成改良的冷卻和較高的產出。但是，在其它實施例中，該工件不是被該靜電卡盤夾住。其亦可能使用其它類型的工件支座和夾具，譬如機械夾具。
在某些實施例中，該處理步驟可為一PVD(物理蒸汽沉積)製程。在其它實施例中，該處理步驟係為一非PVD製程，譬如一化學蒸汽沉積製程(CVD)，例如一電漿加強的化學蒸汽沉積製程(PECVD)，離子植入，或反應離子蝕刻。
該處理步驟可為一金屬濺射製程，譬如一鋁濺射製程。由該處理步驟製成的金屬層會施加一應力於該工件，特別是薄的晶圓。與本發明相關聯之較小的壓力差係特別有利於防止該工件遭受更多不良的應力。
該半導體工件可由至少一種半導體材料製成。或者，該半導體工件可包含至少一種半導體材料以及一或多種非半導體材料，譬如絕緣體和金屬等。如前所述，一非半導體材料譬如一金屬會施加一應力於該工件。
典型地，該半導體工件為一半導體晶圓。該半導體晶圓可為一薄的、彎翹的、受損的、貼膠帶的、或絕緣的晶圓，雖在這方面本發明並沒有限制。
該半導體工件可被處理來製成一積體電路(IC)。
依據本發明之一第三態樣係提供一種半導體處理裝置，包含：一腔室，一工件支座置設在該腔室中；一氣體供應和泵抽裝置用以提供該腔室中之一所需的腔室氣體壓力，及一背部區域中之一所需的背部氣體壓力，該背部區域在使用時係與一半導體工件之一後表面呈流體導通；及一控制裝置構製成能控制該半導體處理裝置，包括該氣體供應和泵抽裝置，而來進行如本發明之該第一和第二態樣的方法。
雖本發明已被描述如上，但其延伸至陳明於上，或在以下說明、圖式或申請專利範圍中的特徵之任何發明性組合。例如，任何相關於本發明之該第一或第二態樣的特徵亦可被併入本發明的第三態樣中，且反之亦然。
1‧‧‧進氣閘
2‧‧‧高真空閥
3‧‧‧背壓泵閥
4‧‧‧背壓控制閥
5‧‧‧背壓供應閥
10‧‧‧PVD沉積腔室
12‧‧‧靜電卡盤
本發明可被以各種不同方式來實行，且特定實施例現將參照所附圖式僅藉由舉例來被說明：圖1為一可配合本發明使用的裝置之半示意圖；及 圖2示出在一鋁沉積製程中晶圓溫度(℃)成為不同冷卻步驟的時間之一函數。
較佳實施例之詳細說明
在一PVD工具的沉積循環時由一晶圓消除熱是一普遍的問題。較理想是於該PVD沉積循環時，該晶圓的溫度係保持在預定點。
由該晶圓消除熱的傳統方法係使用一機械夾具或靜電卡盤來將該晶圓固持於該平台頂面上，並以一鈍氣譬如He來加壓該晶圓的背面上之一空穴至1~15Torr。該較高壓力的He會協助由該晶圓傳熱至該平台。圖1於下示出一習知型式之具有一靜電卡盤(ESC)12的PVD沉積腔室10之一簡化截面圖。該裝置更包含一處理氣體入口具有一處理入口氣體閥1，一處理氣體出口具有一高真空閥2及一泵(未示出)，及一通至該靜電卡盤12的背部壓力入口包含一背壓供應閥5與一背壓控制閥4其會控制送至該處理晶圓的背壓。該裝置更包含一靜電卡盤背壓泵閥3，其能在閥2和3開啟且閥1被關閉時使背壓氣體被抽空。
當正常夾緊處理時，其閥構態將如表1中所示。該晶圓後方的空穴係保持在約10Torr(背壓)，而該PVD製程係在約2m Torr進行。此構態將可容許該晶圓與該ESC之間有一良好的傳熱，但其中有一甚大的壓力差(5×103)會增加某些類型之晶圓釋脫夾住的趨勢。然而有一逐漸增多數目的情況，譬如薄的晶圓和載體上的晶圓，此釋脫靜電夾住 的風險會使該製法不能實用於一生產環境。雖機械夾具亦可被使用，但它們對關於微粒的產生會有大問題，因此另擇的方法典型會較佳。
針對有釋脫夾住風險的晶圓類型，一另擇的方法會在(部份的)沉積製程之後進行一專用的冷卻步驟。在表2中吾人可看到一腔室“回充”製法，其中於該沉積步驟時該晶圓溫度係被容許升高至一可接受之值，當該濺射製程停止而後續一“回充”冷卻製程步驟時，該腔室壓力會升高至約1Torr。熱會喪失於該平台總成和腔室壁等。該1Torr的腔室壓力Pc2係被如下地達成：在該沉積製程停止後，保留閥1開放，直到此回充壓力達到為止。嗣所有的閥會如表2中所述地操作。
此方法可使晶圓能被成功地處理，但具有顯著的產能缺點。由於缺乏該ESC夾緊力及該背壓，故對該平台的熱傳會喪失。又，被沉積步驟必須被保持較短且該冷卻步驟較長，俾可維持一低晶圓溫度。此會嚴重地影響該製法的產出。
故一種新穎的處理方法係被推薦來安全地處理晶圓，其不能使用表1的標準ESC方法，但相較於表2中所述的“回充”方法會提供更大的產能。
表3中所述的製法於該沉積循環時會使用一ESC來夾住該晶圓。但是，不像一傳統的ECS製法(表1)，Pb1-Pc1會藉開啟閥4同時關閉閥5而被最小化。一修正的“回充”步驟亦會被用來藉開啟閥3和4而保持一Pb2-Pc2的小壓力差。使用此技術乃可能顯著地增長該沉積步驟(視晶圓類型而定)並縮短該冷卻步驟而造成高產出，且同時又能避免與該晶圓的正面和背面間有一高壓力差相關聯的釋脫夾住問題。
習知類型的腔室可被調配而藉提供該等閥1~5的適當控制來進行本發明。此乃可藉在處理時以一可依據適當軟體來操作之適當調配的控制系統(未示出)來控制該等閥的操作而來方便地實行。
在圖2中吾人可看出在一高功率16kW之2μm鋁沉積製程中，各種不同冷卻步驟的成效成為時間之一函數。該冷卻步驟係在每一沉積循環之後被進行。該平台/ESC係被控制在0℃，而該晶圓會進入該20℃的腔室。
其可看出一15秒1Torr的冷卻步驟係比一10Torr 的回充步驟對減低該晶圓的溫度顯著地更有效率，160℃對比182℃，而以基本壓力夾住亦會達成一優於未夾緊製法的稍微改良，即210℃對比216℃。
針對一高功率16kW，3μm鋁製程而具有一小於200℃之熱預算的產出比較則可見於表4中。在該二例中，該等矽晶圓皆被黏接於玻璃載體晶圓上，其具有一聚醯亞胺保護膠帶在接觸該平台總成的玻璃面上。該傳統的回充製法需要多個冷卻步驟來保持所須的膜表面幾何形狀和熱預算控制，而該新穎製法只需要二個較短的回充步驟(其中沒有沉積會發生)，並因此會提供較大的產能。
配合ESC夾緊而在該晶圓的正面和背面使用一相等的壓力可促成彎翹晶圓的安全處理，提供較佳的溫度控制，並使沉積能進行一較長的連續週期，相較於一沒有夾住的習知技術回充製法。使用加壓的回充與靜電夾緊結合，會增加冷卻的效率並能造成較高的產出。
由一操作觀點視之，其係可方便地藉開啟閥3和4以使該腔室與該晶圓背面區域呈流體導通而來均等化該腔室壓力與該背壓。但是，熟練的讀者將會瞭解在變化實施 例中，該腔室與該晶圓背面區域亦可不呈流體導通，而是各形成分開的氣體供應系統的一部份。此等分開的氣體供應系統之氣體壓力可被設定並保持，而使該晶圓的正面和背面所經歷的壓力相等，或被設定為能達到一依據本發明所需的壓力差。

Claims (18)

  1. 一種藉由物理蒸汽沉積(PVD)處理一具有一正面與一背面之半導體工件的方法，包含以下步驟：i)將該工件的背面放在一腔室中之一工件支座上，而使該工件的正面面向該腔室內以供處理，該腔室具有一相關聯的腔室氣體壓力，且該背面係與一具有一相關聯的背部氣體壓力之背部區域呈流體導通；ii)以一第一腔室壓力Pc1及一第一背部壓力Pb1進行一PVD工件處理步驟，其中Pc1和Pb1會產生一壓力差Pb1-Pc1，其會被保持俾可避免該工件與工件支座間之一壓力引致的接觸喪失；及iii)以一第二腔室壓力Pc2及一第二背部壓力Pb2來進行一工件冷卻步驟，其中Pc2和Pb2係分別高於Pc1和Pb1，Pb2和Pc2的每一者係高至足以加強該工件的冷卻，且其中Pc2和Pb2會產生一壓力差Pb2-Pc2，其會被保持俾可避免該工件與工件支座間之一壓力引致的接觸喪失。
  2. 一種藉由物理蒸汽沉積(PVD)處理一具有一正面與一背面之半導體工件的方法，包含以下步驟：i)將該工件的背面放在一腔室中之一工件支座上，而使該工件的正面面向該腔室內以供處理，該腔室具有一相關聯的腔室氣體壓力，且該背面係與一具有一相關聯的背部氣體壓力之背部區域呈流體導通；ii)以一第一腔室壓力Pc1及一第一背部壓力Pb1來進 行一PVD工件處理步驟，其中Pc1和Pb1會產生一壓力差，Pb1-Pc1，其係被保持在小於+2Torr；iii)以一第二腔室壓力Pc2及一第二背部壓力Pb2來進行一工件冷卻步驟，其中Pc2和Pb2係分別高於Pc1和Pb1，Pb2係大於或等於0.5Torr，且其中Pc2和Pb2會產生一壓力差，Pb2-Pc2，其係被保持在小於+2Torr。
  3. 如請求項1的方法，其中該壓力差Pb1-Pc1及Pb2-Pc2係各被保持在小於+1Torr。
  4. 如請求項1的方法，其中該壓力差Pb1-Pc1及Pb2-Pc2係各被保持在-0.5至+0.5Torr的範圍內。
  5. 如請求項1的方法，其中在步驟iii)時該壓力差Pb2-Pc2係保持在約0Torr。
  6. 如請求項5之方法，其中在步驟iii)時該腔室係與該背部區域呈流體導通，因此Pb2係實質上等於Pc2。
  7. 如請求項1的方法，在中在步驟ii)時該壓力差Pb1-Pc1係保持在約0Torr。
  8. 如請求項7之方法，其中在步驟ii)時該腔室係與該背部區域呈流體導通，因此Pb1係實質上等於Pc1。
  9. 如請求項1的方法，其中Pc2係在0.5至20Torr的範圍內。
  10. 如請求項9的方法，其中Pc2係約1Torr。
  11. 如請求項1的方法，其中該工件係被該工件支座夾住於定位。
  12. 如請求項1的方法，其中該工件支座包含一靜電卡盤。
  13. 如請求項12之方法，其中該工件係被該靜電卡盤夾住。
  14. 如請求項1的方法，其中該處理步驟是一金屬濺射製程。
  15. 如請求項1的方法，其中該半導體工件是一半導體晶圓。
  16. 如請求項15之方法，其中該半導體晶圓係為一薄的、彎翹的、受損的、貼膠帶的，或絕緣的晶圓。
  17. 如請求項1的方法，其中該半導體工件係被處理來製成一積體電路。
  18. 一種半導體處理裝置，包含：一腔室；一工件支座置設於該腔室中；一氣體供應及泵抽裝置用以提供一所需的腔室氣體壓力於該腔室中與一所需的背部氣體壓力於一背部區域中，該背部區域在使用時係與一半導體工件之一後表面呈流體導通，及一控制裝置構設成能控制該半導體處理裝置，包括該氣體供應及泵抽裝置，來進行一如請求項1至17中之任一項的方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI555112B (zh) * 2015-02-11 2016-10-21 力晶科技股份有限公司 半導體製程設備以及預防破片的方法
US11987874B2 (en) * 2019-01-23 2024-05-21 Semiconductor Components Industries, Llc Backside metal formation methods and systems

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050118830A1 (en) * 2003-11-29 2005-06-02 Appleyard Nicholas J. Method of processing a workpiece
TWI304230B (en) * 2003-05-30 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd Method and system for etching a high-k dielectric material

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3633386A1 (de) 1986-10-01 1988-04-14 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum
US6193811B1 (en) * 1999-03-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Method for improved chamber bake-out and cool-down
JP4287579B2 (ja) * 2000-08-02 2009-07-01 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及び方法
JP4578701B2 (ja) * 2001-02-26 2010-11-10 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理方法
JP4153708B2 (ja) * 2002-03-12 2008-09-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2007502547A (ja) * 2003-05-30 2007-02-08 東京エレクトロン株式会社 Ｈｉｇｈ−ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
US7297894B1 (en) * 2006-09-25 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Method for multi-step temperature control of a substrate
JP5247175B2 (ja) * 2008-02-06 2013-07-24 株式会社アルバック 真空処理装置
CN102217055B (zh) * 2008-11-21 2013-09-18 芝浦机械电子株式会社 衬底处理方法及衬底处理装置
US20100247804A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Applied Materials, Inc. Biasable cooling pedestal
CN102568991B (zh) * 2010-12-17 2014-09-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 反应腔的输气管道系统及其控制方法
US9793144B2 (en) * 2011-08-30 2017-10-17 Evatec Ag Wafer holder and temperature conditioning arrangement and method of manufacturing a wafer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI304230B (en) * 2003-05-30 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd Method and system for etching a high-k dielectric material
US20050118830A1 (en) * 2003-11-29 2005-06-02 Appleyard Nicholas J. Method of processing a workpiece

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