TWI622850B - 光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法 - Google Patents

光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種藉由保護層保護化學放大型光阻層不受雜質影響且維持作為化學放大型光阻之功能，可形成微細之圖案的光罩基底。
本發明提供一種光罩基底，其具有藉由化學放大型光阻而形成之光阻層2、以被覆上述光阻層2之方式形成之保護層4、及設置於上述光阻層2與上述保護層4之間的緩衝層3，且上述保護層4含有酸性物質、鹼性物質、及藉由該酸性物質與該鹼性物質反應而產生之鹽，上述緩衝層3係以由上述保護層4被覆前之被覆前光阻層20之表層部分且為上述被覆前光阻層20與上述保護層4接觸之部分為構成要素者，且該部分係藉由接受自上述保護層4移動而來之上述酸性物質、上述鹼性物質及上述鹽而形成者。

Description

光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法
本發明係關於一種光罩基底、光罩基底之製造方法及轉印用光罩之製造方法。
光罩基底被用作光微影法中所使用之轉印用光罩之基底。而且轉印用光罩用於半導體圖案之形成。
伴隨半導體圖案之細密化，該圖案形成中所使用之轉印用光罩之圖案的細密化亦得到進步。轉印用光罩係藉由將形成於光罩基底上之薄膜形成為預先設定之圖案形狀而製造。
於光罩基底上，最初應形成圖案的係形成於薄膜上之光阻層。因此，光阻層之圖案化如何能以高感度形成細密之圖案成為課題。其結果為，作為製造光罩基底時所使用之光阻，使用有對曝光之光之感度較高之化學放大型光阻。
而且，關於光罩基底及化學放大型光阻，各文獻中揭示有存在以下2個應改良之方面。
第1個方面係指：於保管及移送光罩基底時，於光罩基底之最表面附著雜質。
第2個方面係指：若化學放大型光阻與外部大氣接觸則附著外部大氣中之污染物質或者化學放大型光阻其本身劣化，從而無法維持感 度。
為了改善以上2個方面，本申請人公開如下技術：於化學放大型光阻層上形成包含水溶性樹脂之防塵保護膜(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2004/088419號公報
作為用以解決以上2個課題之方法，首先可列舉於化學放大型光阻層上形成保護層。然而，關於在化學放大型光阻層上形成保護層，本發明者發現了以下方面作為新的課題。
即，作為第3個方面，若於化學放大型光阻層上形成保護層，則因保護層中所含之酸或鹼等成分、或者透過保護層而來之水分或外部氣體等會導致化學放大型光阻層之感度降低。
又，除上述方面以外，本發明者發現了以下方面作為新的課題。
作為第4個方面，若為專利文獻1中所揭示之構成，則必需較高地保持化學放大型光阻層與保護層之間的密接性。亦如先前所述，半導體圖案之細密化得到進步，需要微米尺寸或奈米尺寸之圖案。於此種微細之圖案形成中，若某個部分的化學放大型光阻層與保護層密接，另一方面，某個部分的保護層自化學放大型光阻層脫離，則會於光罩基底之主表面產生不均。該不均有最終成為微細之圖案形成之阻礙要因之虞。
又，作為第5個方面，於對化學放大型光阻層進行曝光時，有化學放大型光阻層之主表面上的曝光部分之性質發生變化之虞。例如，考慮對正型之化學放大型光阻進行數十nm之直徑之點曝光的情形。 該情形時，於對化學放大型光阻層進行曝光並去除保護層後，對化學放大型光阻層塗佈顯影液。本來必需形成數十nm之直徑之孔。即，必需使顯影液進入至數十nm之直徑之孔。假設於曝光部分之性質發生變化之情形時，顯影液未順利進入至作為數十nm之直徑之點的曝光部分，則亦有無法形成精緻之光阻圖案之虞。
因此，本發明之主要目的在於提供一種藉由保護層保護化學放大型光阻層不受雜質影響且維持作為化學放大型光阻之功能，可形成微細之圖案的光罩基底。
本發明者對用以解決上述課題之方法進行了研究。首先，為了解決1~2之方面，本發明者考慮到，較佳為沿用如專利文獻1中記載之技術般以被覆化學放大型光阻層之方式形成保護層的構造。然而，依然必需解決3~5之方面。
因此，本發明者對第3個方面之解決方法追加了研究。若為業者則通常認為保護層中所含之酸或鹼等成分於進入至化學放大型光阻層前應進行遮蔽。然而，本發明者思及與此種構思完全相反之想法。即，產生如下想法：使保護層所具有之成分有意地向化學放大型光阻層滲入。而且思及如下劃時代之方法：將化學放大型光阻層中的保護層所具有之成分滲入的部分改為緩衝層，並藉由該緩衝層，抑制保護層具有之酸或鹼之過度之滲入、及透過保護層而來之水分或外部氣體等之滲入。詳細情況係如下所述，本發明者發現，藉由如此構成，亦可與第3個方面同樣地解決第4個及第5個方面。
基於以上見解完成之本發明之構成如下。
本發明之第1構成係一種光罩基底，其具有：藉由化學放大型光阻而形成之光阻層、以被覆上述光阻層之方式形成之保護層、及 設置於上述光阻層與上述保護層之間的緩衝層，且上述保護層含有酸性物質、鹼性物質、及藉由該酸性物質與該鹼性物質反應而產生之鹽，上述緩衝層係以由上述保護層被覆前之被覆前光阻層之表層部分且為上述被覆前光阻層與上述保護層接觸之部分為構成要素者，且該部分為包含上述酸性物質、上述鹼性物質及上述鹽者。
第2構成係如第1構成之構成，其中上述光阻層含有鹼性物質，且上述保護層之鹼性物質之體積大於上述光阻層之鹼性物質。
第3構成係如第1構成之構成，其中上述光阻層含有鹼性物質，且上述保護層之鹼性物質之分子大於上述光阻層之鹼性物質。
第4構成係如第1至第3中任一構成之構成，其中上述保護層之酸性物質為芳香族化合物。
第5構成係如第1至第4中任一構成之構成，其中上述保護層之鹼性物質為胺。
第6構成係如第1至第5中任一構成之構成，其中上述緩衝層之厚度為10nm以下。
第7構成係如第1至第6中任一構成之構成，其中上述保護層可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。
第8構成係如第1至第7中任一之構成，其中上述緩衝層可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。
第9構成係一種光罩基底之製造方法，其包括：保護層形成步驟，其以被覆藉由化學放大型光阻而形成之光阻層之方式，形成含有酸性物質、鹼性物質、及藉由該酸性物質與該鹼性物質反應而產生之鹽的保護層；及 緩衝層形成步驟，其藉由於上述保護層形成步驟中或其後，於由上述保護層被覆前之被覆前光阻層之表層部分且為上述被覆前光阻層與上述保護層接觸之部分，接受自上述保護層移動而來之上述酸性物質、上述鹼性物質及上述鹽，從而於上述光阻層與上述保護層之間形成緩衝層。
第10構成係一種轉印用光罩之製造方法，其包括：圖案形成步驟，其對如第1至第8中任一構成之光罩基底形成200nm以下之尺寸之圖案。
根據本發明，可提供一種藉由保護層保護化學放大型光阻層不受雜質影響且維持作為化學放大型光阻之功能，可形成微細之圖案的光罩基底。
1‧‧‧基體
2‧‧‧光阻層
3‧‧‧緩衝層
4‧‧‧保護層
10‧‧‧基板
11‧‧‧半透光膜
12‧‧‧遮光膜
12a‧‧‧第一遮光膜
12b‧‧‧第二遮光膜
12c‧‧‧第三遮光膜
13‧‧‧蝕刻光罩
15‧‧‧薄膜
20‧‧‧被覆前光阻層
21‧‧‧多層反射膜
22‧‧‧保護膜
23‧‧‧吸收體膜
圖1係本實施形態中之二元光罩基底之概略剖面圖。
圖2係本實施形態中之半透光型移相光罩基底之概略剖面圖。
圖3係本實施形態中之反射型光罩基底之概略剖面圖。
圖4係表示本實施形態中之光罩基底之製造次序之概略剖面圖。
圖5係表示本實施形態中之轉印用光罩之製造次序之概略剖面圖。
圖6係表示對由實施例1及比較例1中製作而成之各光罩基底形成之光阻圖案進行評價之結果的圖表，且係表示基於CD(Critical Dimension，臨界尺寸)寬相對於Dose量之值對光阻圖案進行評價之結果的圖表。
圖7係表示對由實施例2及比較例2中製作而成之各光罩基底形成之光阻圖案進行評價之結果的圖表，且係表示基於CD(Critical Dimension)寬相對於Dose量之值對光阻圖案進行評價之結果的圖表。
[實施形態1]
以下，主要使用圖1~圖5對本發明之實施形態進行說明。於本實施形態中，以如下順序進行說明。
1.光罩基底
1-A)概要
1-B)基體
1-B-1)基板
1-B-2)薄膜
1-C)化學放大型光阻層
1-D)緩衝層
1-E)保護層
1-F)其他
2.光罩基底之製造方法
2-A)基體準備步驟
2-B)化學放大型光阻層形成步驟
2-C)保護層形成步驟
2-D)緩衝層形成步驟
3.轉印用光罩及其製造方法
4.實施形態之效果
5.變化例
再者，針對以下無記載之內容，亦可適當採用有關光罩基底、光罩基底之製造方法、轉印用光罩及其製造方法之技術中的公知之構成(例如專利文獻1中記載之構成)。
<1.光罩基底>
1-A)概要
使用圖1~圖3對本實施形態中之光罩基底進行說明。
本實施形態中之光罩基底大致具有以下之構成。
‧成為光罩基底之基底之基體1
‧藉由化學放大型光阻而形成之化學放大型光阻層2(以下亦簡稱為「光阻層2」)
‧以覆蓋光阻層2之方式形成之緩衝層3，且為不會使酸或鹼自保護層4過度地朝向光阻層2並且取得光阻層2與保護層4之間的pH值平衡的緩衝層3
‧以被覆光阻層2(若進一步詳細而言則為緩衝層3)之方式形成之保護層4
再者，記載順序表示積層順序。即，若以天地方向而言，則自基體1觀察時光阻層2自天之方向積層，自光阻層2觀察時緩衝層3自天之方向積層。
1-B)基體1
作為本實施形態中之基體1，可為包含基板10者，亦可為專利文獻1中記載之光罩基底且為形成光阻層2前之階段者。作為基體1，可為基板10其本身，亦可於基板10上形成半透光膜11或遮光膜12或蝕刻光罩13(硬質光罩)或抗反射膜等。又，作為基板10，可為包含石英玻璃之基板10。
再者，作為該等各種膜或層之具體組成，可採用專利文獻1中記載之內容或公知之內容。若列舉一例，則可使用MoSiN膜作為半透光膜11、可使用CrON或CrN等複數種含有鉻化合物之膜作為遮光膜12、可使用MoSiN膜作為蝕刻光罩13。
以下對基板10及薄膜15進行詳細敍述。
1-B-1)基板10
作為本實施形態中之基板10，可使用玻璃基板。於透過型光罩 之情形時，基板10可選擇對在晶圓上形成圖案時之曝光之光具有較高之透過率的玻璃材料者。於反射型光罩之情形時，可選擇伴隨曝光之光之能量而產生的基板10之熱膨脹可達到最小限度的低熱膨脹玻璃。
具體而言，於透過型光罩(例如，二元光罩、移相光罩及灰色調光罩)之情形時，作為基板10之材質，可列舉合成石英玻璃、鈉鈣玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃等。作為詳細之例，於將波長193nm之ArF準分子雷射或波長254nm之KrF準分子雷射用作曝光之光的轉印型光罩之基板10中，可較佳地使用對波長300nm以下之光具有較高之透過率的合成石英玻璃。
又，於作為反射型光罩之EUV(Extreme Ultra Violet，極紫外線)光罩之情形時，於基板10中，為了抑制因曝光時之熱所致的被轉印圖案之應變，可較佳地使用具有約0±1.0×10-7/℃之範圍內、更佳為約0±0.3×10-7/℃之範圍內之低熱膨脹係數之玻璃材料即SiO2-TiO2系玻璃。
1-B-2)薄膜
對基板10之主表面形成薄膜15。關於構成形成於基板10之主表面且為光阻膜2下方之薄膜的元素，可根據由光罩基底5製造之轉印用光罩之用途進行選擇。若列舉薄膜之具體構成則可列舉以下之(1)~(5)。
(1)二元光罩基底之薄膜15
參照圖1，對二元光罩基底之薄膜15進行說明。圖1係二元光罩基底之構成圖。於製作二元光罩基底之情形時，於對曝光波長之光具有透光性之基板上形成具有遮光膜之薄膜。
該遮光膜111含有包含鉻、鉭、釕、鎢、鈦、鉿、鉬、鎳、釩、鋯、鈮、鈀、銠等過渡金屬單體或其化合物之材料。例如可列舉：由鉻、或鉻中添加有選自氧、氮、碳等元素中之1種以上之元素的鉻化 合物構成之遮光膜111。又，例如可列舉：由鉭中添加有選自氧、氮、硼等元素中之1種以上之元素的鉭化合物構成之遮光膜111。
又，作為薄膜15之遮光膜111的構造，有遮光層與主表面抗反射層之2層構造、或進而是於遮光層與基板10之間添加有背面抗反射層的3層構造者等。又，亦可設為遮光膜111之膜厚方向上之組成連續性或階段性地不同之組成傾斜膜。
又，薄膜15之構成亦可設為於遮光膜111上具有蝕刻光罩13。該蝕刻光罩13較佳為由對包含過渡金屬矽化物之遮光膜111之蝕刻具有蝕刻選擇性(具有蝕刻耐性)的、尤其是包含鉻、或於鉻中添加有氧、氮、碳等元素之鉻化合物的材料構成。此時，藉由使蝕刻光罩13具有抗反射功能，亦可於在遮光膜111上殘留蝕刻光罩13之狀態下製作轉印用光罩。
(2)具有其他構成之二元光罩之薄膜15
又，作為二元光罩之薄膜15之其他例，亦可列舉具有含有包含過渡金屬及矽(包含過渡金屬矽化物、尤其是包含矽化鉬)之化合物之材料的遮光膜111的構成。
該遮光膜111含有包含過渡金屬及矽之化合物之材料，可列舉將該等過渡金屬及矽、與氧及/或氮作為主要之構成要素的材料。又，遮光膜111可列舉將過渡金屬、與氧、氮及/或硼作為主要之構成要素的材料。於過渡金屬中，可應用鉬、鉭、鎢、鈦、鉿、鎳、釩、鋯、鈮、鈀、釕、銠、鉻等。
尤其是於由矽化鉬之化合物形成遮光膜111之情形時，有遮光層(MoSi等)與主表面抗反射層(MoSiON等)之2層構造、或進而是於遮光層與基板10之間添加有背面抗反射層(MoSiON等)之3層構造。
又，亦可設為遮光膜111之膜厚方向上之組成連續性或階段性地不同之組成傾斜膜。
(3)半色調型移相光罩之薄膜15
圖2係半色調型移相光罩基底5之構成圖。於製作半色調型移相光罩之情形時，於對轉印時使用之曝光之光之波長具有透光性之基板10上，形成具有含有包含過渡金屬及矽(包含過渡金屬矽化物、尤其是包含矽化鉬)之化合物之材料的半透光膜11之薄膜15。
薄膜15中所含之半透光膜11係使實質上並不有助於曝光之強度之光(例如，對曝光波長為1%~30%)透過者，且係具有特定之相位差(例如180度)者。再者，半色調型移相光罩係藉由利用將該半透光膜11圖案化而成的半透光部、及未形成半透光膜11之使實質上有助於曝光之強度之光透過的透光部，使透過半透光部之光之相位相對於透過透光部之光之相位成為實質上相反的關係，從而，使穿過半透光部與透光部之邊界部附近並利用繞射現象而互相迂迴至對方之區域的光互相抵消，使邊界部中之光強度大致成為零而提高邊界部之對比度即解像度。
該半透光膜11含有包含例如過渡金屬及矽(包含過渡金屬矽化物)之化合物之材料，可列舉將該等過渡金屬及矽、與氧及/或氮作為主要之構成要素的材料。於過渡金屬中，可應用鉬、鉭、鎢、鈦、鉿、鎳、釩、鋯、鈮、鈀、釕、銠、鉻等。
又，於在半透光膜11上具有遮光膜12之形態之情形時，上述半透光膜11之材料包含過渡金屬及矽，因此，作為遮光膜12之材料，較佳為由對半透光膜11具有蝕刻選擇性(具有蝕刻耐性)的尤其是鉻、或鉻中添加有氧、氮、碳等元素之鉻化合物構成。
(4)多階光罩之薄膜15
多階光罩之薄膜15係1片以上之半透過膜與遮光膜12之積層構造。
關於半透過膜之材料，除與半色調型移相光罩基底之半透光膜11 同樣之元素以外，亦含有包含鉻、鉭、鈦、鋁等金屬單體或合金或該等之化合物的材料。
各元素之組成比或膜厚係以對曝光之光成為特定之透過率的方式接受調整。關於遮光膜111之材料亦可應用二元光罩基底之遮光膜12，但因與半透過膜之積層構造，故以成為特定之遮光性能(光學濃度)的方式調整遮光膜12之材料之組成或膜厚。
(5)反射型光罩之薄膜15
參照圖3，對反射型光罩基底(EUV光罩基底)之薄膜15進行說明。圖3係反射型光罩基底之構成圖。
反射型光罩基底之薄膜15具有如下構造：於包含具有低熱膨脹係數之玻璃材料之基板10上形成有反射曝光之光的多層反射膜21，於多層反射膜21上形成有保護膜22(覆蓋層)，且於保護膜22上形成有吸收曝光之光的吸收體膜23。
由反射型光罩基底製造而成之反射型光罩具有吸收曝光之光之吸收體膜23形成為圖案狀的構造，且入射至搭載於曝光機(圖案轉印裝置)之反射型光罩的光(EUV光)係於有吸收體膜23之部分被吸收，於無吸收體膜之部分，經多層反射膜21反射之光像穿過反射光學系統並轉印至半導體基板上。
多層反射膜21係高折射率層與低折射率層交替地積層而形成。作為多層反射膜21之例，有將Mo膜與Si膜交替地積層40週期左右而成之Mo/Si週期積層膜、Ru/Si週期多層膜、Mo/Be週期多層膜、Mo化合物/Si化合物週期多層膜、Si/Nb週期多層膜、Si/Mo/Ru週期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo週期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru週期多層膜等。根據曝光波長，可適當選擇材質。
保護膜22(覆蓋層)係保護多層反射膜21之膜，且例如由Ru構成。
又，吸收體膜23係具有吸收作為曝光之光之例如EUV光之功能 者，且可較佳地使用例如以鉭(Ta)單體或Ta為主成分之材料。就平滑性、平坦性之方面而言，此種吸收體膜23之結晶狀態較佳為具有非晶狀或微晶之結構者。
1-C)化學放大型光阻層2
於用以形成本實施形態中之光阻層2的化學放大型光阻中，存在各種限制。對於下述1-D)緩衝層3進行說明，但本實施形態中之光阻層2必需擔負自保護層4接受鹽等之重要作用。然而，根據自保護層4接受之鹽(即根據作為鹽生成之反應物的保護層4之酸性物質及鹼性物質之種類)的情況，可使用之化學放大型光阻之種類亦會發生變化。即，於光阻層2與保護層4中存在用以形成緩衝層3之配合性。關於該配合性係於以下之1-D)緩衝層3及1-E)保護層4中進行敍述。再者，若滿足上述配合性，則作為化學放大型光阻之種類，亦可使用公知者。
1-D)緩衝層3
本實施形態中之緩衝層3係將由保護層4被覆前之被覆前光阻層20之表層部分且為被覆前光阻層20與保護層4接觸之部分作為構成要素者，且該部分藉由接受自保護層4移動而來之鹽或成為其基礎之酸性物質及鹼性物質(以後，亦將該等匯總稱為「鹽等」)而形成。
若以組成之觀點觀察，則緩衝層3係共存有保護層4具有之成分與光阻層2具有之成分的層。雖為推測，但若對共存之態樣進行詳述，則有如下見解。
1.首先，作為保護層4，本實施形態中使用含有酸性物質及鹼性物質者。
2.於保護層4之內部，藉由酸性物質與鹼性物質反應而產生鹽。
3.被覆前光阻層20之表層部分接受該鹽或未反應之酸性物質及未反應之鹼性物質之各自之一部分。
4.最終，被覆前光阻層20之表層部分成為保護層4具有之成分與 光阻層2具有之成分的共存狀態。
再者，此處提及之「被覆前光阻層20」如其名所述，為被覆保護層4前(即形成緩衝層3前)之光阻層2。於被覆保護層4後，被覆前光阻層20之表層部分變化為緩衝層3。因此，以下敍述之「光阻層2」係指於被覆前光阻層20中未變化為緩衝層3之部分。即，「被覆前光阻層20」係由「預成為保護層4之鹽進入之緩衝層3的部分」及「於保護層4之鹽等未進入之狀態下預成為光阻層2的部分」所構成。
如上所述，藉由使被覆前光阻層20之表層部分有意地自保護層4接受鹽等，而於鹽、酸性物質、及鹼性物質之間形成酸鹼反應之化學平衡之系統，從而產生緩衝作用，最終，不會使酸或鹼自保護層4過度地朝向光阻層2並且可取得光阻層2與保護層4之間的pH值平衡。
作為取得上述效果之機制，雖為推測但可認為：因光阻層2所含有之主體聚合物之成分等混合存在特定量的自保護層4接受之鹽等，故而於鹽、酸性物質、及與鹼性物質之間形成鹽生成反應之化學平衡之系統，從而於光阻層2與保護層4之間設置緩衝地帶。其結果認為，緩衝層3作為緩衝地帶而成為不會使保護層4含有之鹼成分浸透至光阻側般之構造。
藉由於光阻層2及保護層4之間設置緩衝層3，可解決本發明之課題之項目中敍述之所有問題。
具體而言，藉由設置保護層4，可解決第1個方面(附著於光罩基底之最表面之雜質)及第2個方面(與外部大氣接觸時之化學放大型光阻之劣化)。
而且，作為第3個方面，可列舉以下方面。即，若於光阻層2上形成保護層4(另一層)，則因保護層4中所含之酸或鹼等成分、或者透過保護層4而來之水分或外部氣體等會導致光阻層2之感度降低。然而，如本實施形態般，藉由利用被覆前光阻層20及保護層4而設置緩 衝層3，結果可於光阻層2與保護層4之間設置針對保護層4中所含之酸或鹼等成分、或者透過保護層4而來之水分或外部氣體等的緩衝地帶。
進而，作為第4個方面，必需較高地保持光阻層2與保護層4之間的密接性。然而，如本實施形態般，藉由於光阻層2與保護層4之間設置緩衝層3，亦可解決第4個方面。作為其理由係如下所述。
如先前所述，被覆前光阻層20之表層部分成為保護層4具有之成分與光阻層2具有之成分的共存狀態。某種意義上，成為光阻層2與保護層4於兩者之界面融合之狀態。若如此，則與光阻層2完全未接受保護層4具有之鹽等之情形相比，光阻層2與保護層4之間的密接性明顯提高。
又，作為第5個方面，於對光阻層2進行曝光時，有光阻層2之主表面上的曝光部分之性質發生變化之虞。然而，如本實施形態般，藉由於光阻層2與保護層4之間設置緩衝層3，亦可解決第5個方面。作為其理由係如下所述。
首先，如本發明之課題之項目中敍述般，例如，考慮到對正型之化學放大型光阻進行數十nm之直徑之點曝光的情形。由於光阻為疏水性，故而顯影液未順利進入至作為數十nm之直徑之點的曝光部分，從而難以形成精緻之光阻圖案。
另一方面，若將上述情形置換為本實施形態之情形，則於對光阻層2之曝光後，藉由顯影液連同保護層4一起去除光阻層2之曝光部。此時，保護層4被去除，並且緩衝層3亦以某種程度被去除。其原因在於：緩衝層3係共存有保護層4具有之成分與光阻層2具有之成分者，成為疑似被曝光之狀態，溶解性提高，去除緩衝層3。
此處，緩衝層3之去除意指被覆前光阻層20之表層部分之去除。即，可藉由被覆前光阻層20之表層部分之去除(緩衝層3之去除)而消 除因被覆前光阻層20之主表面之影響所致的顯影液難以進入至曝光部分的情況。而且，藉由顯影液而連同保護層4一起去除光阻層2之曝光部，故而光阻層2之潤濕性提高。其結果為，可消除如先前說明之先前之例般於光阻層2之主表面上顯影液不會進入至曝光部分的現象。
另外，於化學放大型光阻中，為了對基體1良好地進行塗佈而添加有界面活性劑。認為，若為形成光阻層2後且於形成保護層4前，則於表面張力之關係方面，於光阻層2之最表面存在較多的界面活性劑。因此，若為先前，則即便以覆蓋光阻層2之方式設置有保護層4，於兩者之間亦存在界面活性劑。其結果為，有光阻層2與保護層4之間的密接性降低之虞。進而較差的是，即便於去除保護層4後對光阻層2塗佈顯影液，亦存在因界面活性劑而使顯影液不會到達曝光部分的可能性。
然而，如本實施形態般，若以去除緩衝層3之形態進行被覆前光阻層20之表層部分之去除，則可連同存在於光阻層2之最表面之界面活性劑一起進行表層部分之去除。
無論如何，使用本實施形態之方法之結果為，如通常般，曝光部分較非曝光部分可藉由顯影液而發揮更高之溶解速度，即便為作為數十nm之直徑之點的曝光部分亦可形成精緻之光阻圖案。
再者，緩衝層較佳為可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。其原因在於：無論是水還是鹼性水溶液，均容易處理且成本亦低廉。
再者，作為緩衝層3之厚度，較佳為0.1nm以上且10nm以下。若為0.1nm以上，則可取得如上所述之作為緩衝層3之作用。若為10nm以下，則為來自保護層4之鹽等未過度進入被覆前光阻層20之狀態，於製造轉印用光罩時之光阻圖案之形成時不會造成不良影響。再者，緩衝層3之厚度較佳為10nm以下，但進而較佳為5nm以下且最佳為1 nm。
另外，作為緩衝層3之確認方法，可使用公知之組成分析方法(XPS等)來對緩衝層3進行指定。此時，亦可求出緩衝層3之厚度。
再者，作為求出緩衝層3之厚度之方法，可列舉如下方法：將對未設置緩衝層3之情形時之光阻層2進行顯影時的減膜量、與對設置緩衝層3之情形時之光阻層2進行顯影時的減膜量之差認定為緩衝層3之厚度。如上所述，緩衝層3中，不管曝光部分還是非曝光部分，均與保護層4之鹽等成分進入之程度相應地，容易藉由顯影液進行減膜。即，各者之減膜量之差成為因設置有緩衝層3所引起之減膜量，進而其稱為緩衝層3之減膜量。其結果為，亦可將減膜量之差設為緩衝層3之厚度。
以後，亦將上述使用有減膜量之測定方法稱為「減膜法」。
1-E)保護層4
且說，如先前所述，本實施形態中之保護層4不僅保護光罩基底之主表面不受雜質影響等，而且亦為用以形成緩衝層3之鹽等之提供源。何種鹽等進入至光阻層2時會形成緩衝層3亦存在配合性之問題。目前正對該配合性進行研究，但目前本發明者把握之內容係如下所述。
首先，較佳為光阻層2為含有鹼性物質之狀態，且保護層4之鹼性物質之體積大於光阻層2之鹼性物質。再者，所謂本說明書中之「體積大小」，係表示藉由堅實之取代基等而使分子末端之構成單元立體地擴展從而妨礙與其他分子之配列或分子內之旋轉運動的狀態。又，所謂本說明書中之「體積大小」，具體而言指α碳上之取代基之Van der Waals容積，並非以分子量唯一地規定，且是若如第三丁基般具有支鏈結構則增加的指標。
如先前亦所述，自保護層4進入之鹽係酸性物質與鹼性物質反應 而生成。因此，該鹽將該鹼性物質作為其構成之一部分。因此，若保護層4之鹼性物質之體積大於光阻層2之鹼性物質，則可防止將保護層4之鹼性物質作為構成之一部分之鹽進入至被覆前光阻層20之整體。儘管緩衝層3發揮有效之作用，但若被覆前光阻層20之整體變為緩衝層3，則無法充分發揮光阻層2之作用。為了防止此種情況，設置如上所述之鹼性物質之體積大小的規定。進而，根據上述體積大小之規定，亦可防止未形成鹽而於保護層4中游離之鹼性物質過度進入至光阻層2。
再者，關於鹼性物質之體積大小，以公知之方法研究即可，亦可使用質量分析法或層析法、傅立葉轉換紅外線光譜法、X射線繞射法等。
又，較佳為，光阻層2為含有鹼性物質之狀態，且保護層4之鹼性物質之分子大於上述光阻層2之鹼性物質。其原因在於為了發揮與上述體積大小之規定同樣之效果。
再者，所謂此處提及之「分子較大」係如文字般關於「分子之尺寸」之大小者。當然，該分子之尺寸亦可使用上述列舉之公知之方法。又，若作為簡單之方法而列舉一例，則以分子量之形式比較兩者之鹼性物質，可將分子量較大者視為分子較大。
若列舉較佳之一例，則較佳為光阻層2之鹼性物質為低級胺、保護層4之鹼性物質與其相比為高級胺。
又，保護層4之酸性物質較佳為芳香族化合物，尤佳為聚苯胺系樹脂。再者，聚苯胺系樹脂亦可於苯環上具有磺基之酸性取代基。藉由將胺基苯磺酸等酸性基取代苯胺設為保護層之成分而提高導電性，因此，於電子束描繪型之光阻之情形時有效防止以電子束進行描繪時之充電。又，保護層4之鹼性物質較佳為胺，具體而言較佳為四烷基氫化銨系之四級銨鹽。進而較佳為將兩者混合而成者設為保護層4之 構成物質。該情形時，保護層4係以聚苯胺系樹脂為主成分而構成。藉由如此，保護層4成為水溶性之聚合物，於在顯影之前去除保護層4時，可容易去除保護層4。再者，此處提及之主成分係指於組成比中超過50%而存在之成分。再者，此時，光阻層2之鹼性物質較佳為四丁基胺。
再者，與緩衝層3同樣地，保護層4較佳為可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。
1-F)其他
若具有上述構成，則亦可將其他公知之層(膜)設置於光罩基底。例如，可對基體1追加上述所述以外之層，亦可以覆蓋保護層4之方式設置其他層。
<2.光罩基底之製造方法>
其次，使用圖4對本實施形態中之光罩基底之製造方法進行說明。圖4係表示本實施形態中之光罩基底之製造方法之概略剖面圖。再者，以下之步驟之內容亦存在與<1.光罩基底>中說明之內容重複之部分。因此，關於以下無記載之內容係如<1.光罩基底>中之說明所述。
2-A)基體準備步驟
首先，準備成為光罩基底之基底之基體1。具體之構成或準備之方法可使用專利文獻1中記載之內容或公知之內容。再者，於本實施形態中，對將於包含石英玻璃之基板10上設置有半透光膜11、遮光膜12及蝕刻光罩13等薄膜15者用作基體1的情形進行敍述。
2-B)化學放大型光阻層形成步驟
於本步驟中，以覆蓋基體1之方式藉由化學放大型光阻形成光阻層2。具體之方法可使用專利文獻1中記載之內容或公知之方法。若列舉一例，則於對基體1之主表面實施HMDS(Hexamethyldisilazane，六 甲基二矽氮烷)處理後，藉由旋轉塗佈將化學放大型光阻塗佈於基體1之主表面，並進行烘烤處理。如此，以覆蓋基體1之方式形成光阻層2。
2-C)保護層形成步驟
於本步驟中，以被覆光阻層2之方式形成保護層4。具體之方法可使用專利文獻1中記載之內容或公知之方法。若列舉一例，則藉由旋轉塗佈將成為保護層4之原料之化學藥劑塗佈於光阻層2之主表面，並進行烘烤處理。
如先前亦所述，藉由存在於保護層4內部之酸性物質與同樣地存在於保護層4內部之鹼性物質反應，而產生鹽。保護層4含有該鹽。作為成為保護層4之原料的化學藥劑(塗佈液)之具體例，於酸性物質為聚苯胺且鹼性物質為胺之情形時，較佳為使塗佈液中之90質量%以上為水。藉由如此，不會使鹽過度地存在於保護層4中，而可容易形成厚度適當的緩衝層3。又，即便光阻層2中保護層4中均包含鹼性物質，亦因使90質量%以上為水，從而與包含化學放大型光阻之光阻層2中所含之鹼性物質相比，使保護層4中所含之鹼性物質較稀薄。若如此，則藉由利用濃度之差而可使保護層4中之鹼性物質不會浸透至緩衝層3及其裏側之光阻層2。
2-D)緩衝層形成步驟
於本步驟中，於保護層形成步驟中或其後，於由保護層4被覆前之被覆前光阻層20之表層部分且為被覆前光阻層20與保護層4接觸之部分，接受自保護層4移動而來之鹽等(即酸性物質、鹼性物質及鹽)。藉此，於光阻層2與保護層4之間形成緩衝層3。
若對具體之方法進行說明，則於在保護層形成步驟中進行緩衝層形成步驟之情形時，於保護層形成步驟中之烘烤處理時，被覆前光阻層20之表層部分接受自保護層4移動而來之鹽等。又，作為於保護 層形成步驟後進行緩衝層形成步驟之情形，於在保護層形成步驟中之烘烤處理後溫度降低至室溫時，被覆前光阻層20之表層部分接受自保護層4移動而來之鹽等。
再者，關於緩衝層3之形成機制，雖為推測，但可列舉以下之觀點。於被覆前光阻層20之鹼性物質與保護層4之鹼性物質為同種之化合物(例如均為胺)之情形時，由於彼此為胺故而兩鹼性物質易於混合。然而，若如上所述使塗佈液稀薄，則保護層4之中之鹼性物質難以浸透至被覆前光阻層20。其結果為，於被覆前光阻層20與保護層4之間形成有兩鹼性物質聚集之部分。其中，被覆前光阻層20接受保護層4之主要鹼性物質(即胺與聚苯胺鍵結而成之鹽)。而且，與此同時亦接受未反應之酸性物質及鹼性物質，形成化學平衡。其結果為，被覆前光阻層20之表層部分變化為緩衝層3。
然而，上述內容始終為推測，本發明者正對詳細情況進行潛心研究。
藉由經過以上步驟適當地進行洗淨等其他處理，而製造本實施形態中之光罩基底。
<3.轉印用光罩及其製造方法>
其次，使用圖5對本實施形態中之轉印用光罩及其製造方法進行說明。圖5係表示本實施形態中之轉印用光罩之製造方法之概略剖面圖。本實施形態中之轉印用光罩之製造方法成為以下內容。
對藉由上述<2.光罩基底之製造方法>製造而成之光罩基底，進行對應於特定之圖案形狀的曝光後，進行藉由顯影而形成光阻圖案之圖案形成步驟，最終製造出具有特定之凹凸圖案的基體1或基板10。再者，此處提及之圖案形成步驟可指形成光阻圖案，進一步而言，亦可指對基體1或基板10形成凹凸圖案。
此處，本實施形態之光罩基底成為如下狀態：藉由保護層4保護 光阻層2不受雜質影響且維持作為化學放大型光阻之功能，可形成微細之圖案。其結果為，藉由對本實施形態之光罩基底進行曝光及顯影，可製造出形成有微細之圖案之轉印用光罩。再者，作為圖案之尺寸，較佳為200nm以下。若為本實施形態中之轉印用光罩之製造方法，則即便為50nm以下之微細之圖案亦可穩定地形成。此處提及之圖案之形狀可為任意之形狀。例如可為直線狀、可為點狀、亦可為將兩者組合而成之形狀。
<4.實施形態之效果>
根據本實施形態，取得以下效果。
使被覆前光阻層20之表層部分有意地自保護層4接受鹽等(鹽、成為其基礎之酸性物質及鹼性物質)。藉此，於鹽、酸性物質、及鹼性物質之間形成酸鹼反應之化學平衡之系統，從而產生緩衝作用。其結果為，最終不會使酸或鹼自保護層4過度地朝向光阻層2，並且可取得光阻層2與保護層4之間的pH值平衡。
具體而言，藉由設置保護層4，可解決第1個方面(附著於光罩基底之最表面之雜質)及第2個方面(與外部大氣接觸時之化學放大型光阻之劣化)。其結果為，先前之附有保護膜之光罩基底可有效防止對光阻層2直接施加來自外部之物理衝擊或者灰塵附著於光阻層2。
而且，關於第3個方面，藉由利用被覆前光阻層20及保護層4而設置緩衝層3，結果，可於光阻層2與保護層4之間設置針對保護層4中所含之酸或鹼等成分、或者透過保護層4而來之水分或外部氣體等的緩衝地帶。因存在成為該緩衝地帶之緩衝層3，故而，即便環境中之氧等、以及源自收納容器之外部氣體等透過保護層4，緩衝層3亦可防止其等進入至光阻層2。其結果為，即便於形成有光阻層2之狀態下長期地保管光罩基底，亦不會因環境中之氣體之影響而產生感度變化。因未產生感度變化，而無需於轉印用光罩之製造前不久(即圖案狀之 曝光前不久)便開始形成光阻層2這一步驟複雜化。
進而，關於第4個方面，被覆前光阻層20之表層部分成為保護層4具有之成分與光阻層2具有之成分的共存狀態。某種意義上，成為光阻層2與保護層4於兩者之界面融合的狀態。若如此，則與光阻層2完全未接受保護層4具有之鹽之情形相比，光阻層2與保護層4之間的密接性明顯提高。
又，關於第5個方面，可藉由被覆前光阻層20之表層部分之去除(緩衝層3之去除)而消除因被覆前光阻層20之主表面之影響所致之顯影液難以進入至曝光部分的情況。其結果為，可消除如先前說明之先前之例般於光阻層2之主表面上顯影液持續附著於曝光部分的性質。其結果為，如通常般，曝光部分較非曝光部分可藉由顯影液而發揮更高之溶解速度，即便進行較高之照射劑量(Dose)之曝光，又，即便為作為數十nm之直徑之點的曝光部分，亦可形成精緻之光阻圖案。
如以上般，根據本實施形態，可提供一種藉由保護層4保護光阻層2不受雜質影響且維持作為化學放大型光阻之功能，可形成微細之圖案的光罩基底及與其關聯之技術。
<5.變化例>
本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態，亦包含在使藉由發明之構成要件或其組合所獲得之特定之效果導出之範圍內、加以各種變更或改良的形態。
(光阻層2之原料與保護層4之原料之配合性)
於上述實施形態中，光阻層2具有鹼性物質，根據保護層4中之鹼性物質之體積大小或尺寸而規定保護層4中之鹽之進入程度。然而，該等為一例，亦存在原本不依存於鹼性物質而藉由其他物質決定鹽之進入程度的可能性。又，不論保護層4中之酸性物質還是鹼性物質，即便使用上述列舉之例以外之化合物，只要結果可形成緩衝層3 即可。
作為保護層之鹼性物質，可列舉可溶於水且具有體積相對較大之結構的胺系化合物。胺系化合物之分子中所含之碳原子之數量較佳為1~30。作為具體之例，可列舉：哌、啉、戊基胺、二丙基胺、乙二胺、2-庚基胺、2-胺基吡啶、2-胺基乙醇、環己基胺、二異丙基胺、4-二甲胺基吡啶、2-二甲胺基乙醇、N,N-二乙基乙二胺、N-異丙基乙二胺、3-二甲胺基丙腈、N,N-二甲基環己基胺、N,N-二甲基-正十二烷基胺、(S)-(+)-2-胺基-1-丁醇、N,N-二甲基-1,3-丙二胺、2-胺基-2-甲基-1,3-丙二醇、2-胺基-2-甲基-1,3-丙二醇、N,N,N',N'-四甲基乙二胺、N,N,N',N'-四甲基-1,3-丙二胺等。
於鹼性物質為四級胺之情形時，較佳為氫化銨。較佳為下述通式(1)所示之氫氧化銨化合物。式(1)中，作為R1、R2、R3、R4，可列舉碳數1~7之烷基、醇基、及芳基。具體而言，可列舉：四甲基氫化銨、乙基三甲基氫化銨、四乙基氫化銨、三乙基丁基氫化銨、三丁基乙基氫化銨、四-正丁基氫化銨、四-第二丁基氫化銨、四-第三丁基氫化銨等。
又，作為保護層4之酸性物質，為具有羧基、磺基等酸性基之有 機酸類，而不論芳香族、脂肪族。作為具有羧基之酸性物質，可列舉飽和脂肪酸類、不飽和脂肪酸類、芳香族脂肪酸類等。又，作為具有磺基之有機酸類，可列舉苯磺酸類、烷基苯磺酸類、胺基苯磺酸類、烷基取代胺基苯磺酸類等。
[實施例]
其次，表示實施例，對本發明具體地進行說明。當然，本發明並不限定於以下實施例。
再者，於以下實施例中設置有保護層4，另一方面，於比較例中未設置保護層4。
又，於實施例1(及比較例1)中使用正型之光阻，於實施例2(及比較例2)中使用負型之光阻。
<實施例1>
2-A)基體準備步驟
於本實施例中，製作對基板10按積層順序設置有半透光膜11、遮光膜12、蝕刻光罩13者作為基體1。再者，於本實施例中採用圖2中記載之構成。
首先，於包含石英玻璃且具有透光性之基板10上，使用單片式DC(Direct Current，直流)濺鍍裝置形成半透光膜11。半透光膜11係設為以Mo、Si、及N為主要構成要素之、膜厚69nm之單層MoSiN膜。作為此時之條件係如下所述。
濺鍍靶使用鉬(Mo)與矽(Si)之混合靶(原子%比Mo：Si=10：90)，於氬氣(Ar)、氮氣(N2)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣壓0.3Pa，氣體流量比Ar：N2：He=5：49：46)下，將DC電源之電力設為2.8kW，進行反應性濺鍍(DC濺鍍)。濺鍍後，於250℃下進行5分鐘之加熱處理(退火處理)。
再者，半透光膜11亦為ArF準分子雷射(波長193nm)用之移相 膜。再者，於ArF準分子雷射(波長193nm)中，該移相膜之透過率成為5.24%，相位差成為173.85度。
其後，於半透光膜11上使用單片式DC濺鍍裝置形成遮光膜12。遮光膜12係以如下方式製成為3層構造。
首先，形成膜厚30nm之CrOCN層作為第1遮光膜12a。作為此時之條件係如下所述。
濺鍍靶使用鉻靶，於氬氣、二氧化碳、氮氣及氦氣之混合氣體環境(氣壓0.2Pa，氣體流量比Ar：CO2：N2：He=22：39：6：33)中，將DC電源之電力設為1.7kW，進行反應性濺鍍。
其次，形成膜厚4nm之CrN層作為第2遮光膜12b。此時之條件係如下所述。
使用鉻靶，於氬氣與氮氣之混合氣體環境(氣壓0.1Pa，氣體流量比Ar：N2=83：17)中，將DC電源之電力設為1.7kW，進行反應性濺鍍。
最後，形成膜厚14nm之CrOCN層作為第3遮光膜12c。此時之條件係如下所述。
使用鉻靶，於氬氣、二氧化碳、氮氣及氦氣之混合氣體環境(氣壓0.2Pa，氣體流量比Ar：CO2：N2：He=21：37：11：31)中，將DC電源之電力設為1.8kW，進行反應性濺鍍。
根據以上步驟，形成總膜厚為48nm之遮光膜12。再者，就該遮光膜12而言，於與移相膜之積層構造中波長193nm時之光學濃度(O.D.)為3.1。
其後，於遮光膜12上，使用單片式DC濺鍍裝置形成膜厚10nm之蝕刻光罩13。再者，蝕刻光罩13之組成係設為Mo：2.3原子%、Si：56.6原子%、N：41.1原子%。作為形成蝕刻光罩13時之條件係如下所述。
濺鍍靶使用鉬(Mo)與矽(Si)之混合靶(原子%比Mo：Si=4：96)，設為氬氣(Ar)、氮氣(N2)及氦氣(He)之混合氣體環境(氣壓0.1Pa，氣體流量比Ar：N2：He=6：11：16)，將DC電源之電力設為3.0kW。
如此，製作本實施例中之基體1。
2-B)化學放大型光阻層形成步驟
於特定之條件下對上述基體1之表面實施HMDS處理。其後，將正型光阻且電子束描繪用之化學放大型光阻(Fuji Film Electronic Materials公司製造之XFP-255HC)旋轉塗佈於基體1之主表面。其後，使用加熱乾燥裝置進行特定之加熱乾燥處理(烘烤處理)。被覆前光阻層20之膜厚係設為120nm。
2-C)保護層形成步驟
將成為保護層4之原料之化學藥品劑(塗佈液)旋轉塗佈於光阻層2上。再者，作為塗佈液中之溶劑，使用水與異丙醇。質量比係設為水：IPA=90：10。作為塗佈液中之溶質，使用Mitsubishi Rayon公司製造之AquaSave(註冊商標)。此時，溶質與溶劑之質量比係設為溶質：溶劑=1~3：97~99。其後，使用加熱乾燥裝置進行特定之加熱乾燥處理(烘烤處理)。保護層4之膜厚係設為20nm。
2-D)緩衝層形成步驟
利用保護層形成步驟中之烘烤處理，使保護層4之鹽等進入至被覆前光阻層20之表層部分，藉此形成緩衝層3。再者，使用減膜法求出緩衝層3之厚度，結果為，緩衝層3之厚度為5nm。
經過以上步驟，製作本實施例中之光罩基底。然後，於本實施例中，將該光罩基底於室溫下於樹脂製盒內保管3個月。對保管3個月後之光罩基底進行下述評價試驗。
<比較例1>
於比較例1中未設置保護層4。即，未進行2-C)保護層形成步驟及 2-D)緩衝層形成步驟。除此以外，與實施例1同樣地製作比較例1中之光罩基底。然後，將該光罩基底於室溫下於樹脂製盒內保管3個月。對保管3個月後之光罩基底進行下述評價試驗。
<參考例1>
再者，作為參考例，以與本實施例同樣之方法另行製成光罩基底，未進行3個月之保管而進行以下評價試驗。即，可以說，參考例1之光罩基底表現為因經時而劣化前之光罩基底，以下之評價結果越接近參考例1則越可抑制光阻感度之降低。
再者，雖以「參考例」為名，但參考例1之光罩基底係根據本實施例製成者，當然為本發明之一具體例。
<評價1>
對各光罩基底依次進行利用電子束之曝光、曝光後之120℃下之烘烤處理(亦稱為Post Exposure Bake=PEB)、顯影，形成光阻圖案。然後對該光阻圖案進行評價。對光阻圖案之評價係基於CD(Critical Dimension)寬相對於Dose量之值而進行。將其結果示於圖6。再者，當測定CD時，使用有SEM(Scanning Electron Microscope，掃描電子顯微鏡)(Advantest公司製造之E3620)。
如結果所示，可知實施例1之光罩基底較比較例1之光罩基底，相對於電子束之Dose量的CD性能較高。又，可知實施例1之光罩基底表現出與參考例1之光罩基底大致同等之結果。由此可知，如實施例1般，藉由於光阻層2與保護層4之間設置緩衝層3而可抑制光阻感度之降低。
<實施例2>
於實施例1中之光阻層2之形成中，除形成有負型之光阻層2以外，以相同之次序製作光罩基底。再者，作為負型之光阻，使用有Fuji Film Electronic Materials公司製造之XFN-003。
<比較例2>
於比較例2中未設置保護層4。即，未進行2-C)保護層形成步驟及2-D)緩衝層形成步驟。除此以外，與實施例2同樣地製作比較例2中之光罩基底。
<評價2>
對實施例2及比較例2中所製作之各光罩基底依次進行利用電子束之曝光、曝光後之120℃下之烘烤處理(PEB)、顯影，形成光阻圖案。
對於由實施例2及比較例2中所製作之各光罩基底形成的光阻圖案進行評價。對光阻圖案之評價係基於CD(Critical Dimension)寬相對於Dose量之值而進行。然而，由於實施例2及比較例2中使用負型之光阻，故而作為圖案之評價，進行IS(Isolated Spaces，隔離間隙)評價。將其結果示於圖7。
如結果所示，實施例2之光罩基底可增加Dose量，即便為將非曝光部分之寬(間隙寬)調整為180nm以下(進而言之為160nm左右)之情形，亦可發揮優異之顯影性。
另一方面，比較例2之光罩基底並未發揮如實施例2般優異之顯影性。尤其是於將Dose量調整為32μC/cm2以上且將間隙寬調整為180nm以下之情形時，於顯影時產生非曝光部分未徹底溶解(所謂之間隙未徹底消失)之現象。
<總結>
如上可知，於本實施例中，可提供一種藉由保護層4來保護光阻層2不受雜質影響且維持作為化學放大型光阻之功能，可形成微細之圖案的光罩基底。

Claims (16)

  1. 一種光罩基底，其具有：藉由化學放大型光阻而形成之光阻層、以被覆上述光阻層之方式形成之保護層、及設置於上述光阻層與上述保護層之間的緩衝層，且上述光阻層含有鹼性物質，上述保護層含有酸性物質、鹼性物質、及藉由該酸性物質與該鹼性物質反應而產生之鹽，上述緩衝層係以由上述保護層被覆前之被覆前光阻層之表層部分且為上述被覆前光阻層與上述保護層接觸之部分為構成要素者，且該部分包含上述保護層之上述酸性物質、上述鹼性物質及上述鹽，上述保護層之上述鹼性物質之體積大於上述光阻層之上述鹼性物質。
  2. 如請求項1之光罩基底，其中上述保護層之上述酸性物質為芳香族化合物。
  3. 如請求項1之光罩基底，其中上述保護層之上述鹼性物質為胺。
  4. 如請求項1之光罩基底，其中上述緩衝層之厚度為10nm以下。
  5. 如請求項1之光罩基底，其中上述保護層可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。
  6. 如請求項1之光罩基底，其中上述緩衝層可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。
  7. 一種光罩基底之製造方法，其包括：保護層形成步驟，其以被覆藉由化學放大型光阻而形成且含 有鹼性物質之光阻層之方式，形成含有酸性物質、鹼性物質、及藉由該酸性物質與該鹼性物質反應而產生之鹽的保護層；及緩衝層形成步驟，其藉由於上述保護層形成步驟中或其後，於由上述保護層被覆前之被覆前光阻層之表層部分且為上述被覆前光阻層與上述保護層接觸之部分，接受自上述保護層移動而來之上述酸性物質、上述鹼性物質及上述鹽，從而於上述光阻層與上述保護層之間形成緩衝層；上述保護層之上述鹼性物質之體積大於上述光阻層之上述鹼性物質。
  8. 一種轉印用光罩之製造方法，其包括：圖案形成步驟，其對如請求項1至6中任一項之光罩基底形成200nm以下之尺寸之圖案。
  9. 一種光罩基底，其具有：藉由化學放大型光阻而形成之光阻層、以被覆上述光阻層之方式形成之保護層、及設置於上述光阻層與上述保護層之間的緩衝層，且上述光阻層含有鹼性物質，上述保護層含有酸性物質、鹼性物質、及藉由該酸性物質與該鹼性物質反應而產生之鹽，上述緩衝層係以由上述保護層被覆前之被覆前光阻層之表層部分且為上述被覆前光阻層與上述保護層接觸之部分為構成要素者，且該部分包含上述保護層之上述酸性物質、上述鹼性物質及上述鹽，上述保護層之上述鹼性物質之分子大於上述光阻層之上述鹼性物質。
  10. 如請求項9之光罩基底，其中上述保護層之上述酸性物質為芳香族化合物。
  11. 如請求項9之光罩基底，其中上述保護層之上述鹼性物質為胺。
  12. 如請求項9之光罩基底，其中上述緩衝層之厚度為10nm以下。
  13. 如請求項9之光罩基底，其中上述保護層可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。
  14. 如請求項9之光罩基底，其中上述緩衝層可溶於水及鹼性水溶液中之任一者或其兩者。
  15. 一種光罩基底之製造方法，其包括：保護層形成步驟，其以被覆藉由化學放大型光阻而形成且含有鹼性物質之光阻層之方式，形成含有酸性物質、鹼性物質、及藉由該酸性物質與該鹼性物質反應而產生之鹽的保護層；及緩衝層形成步驟，其藉由於上述保護層形成步驟中或其後，於由上述保護層被覆前之被覆前光阻層之表層部分且為上述被覆前光阻層與上述保護層接觸之部分，接受自上述保護層移動而來之上述酸性物質、上述鹼性物質及上述鹽，從而於上述光阻層與上述保護層之間形成緩衝層；上述保護層之上述鹼性物質之分子大於上述光阻層之上述鹼性物質。
  16. 一種轉印用光罩之製造方法，其包括：圖案形成步驟，其對如請求項9至14中任一項之光罩基底形成200nm以下之尺寸之圖案。
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