TWI619673B - 具有增進導電性之高度可溶性碳奈米管 - Google Patents

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Abstract

本發明提供用於製備具有增進之性質之碳奈米管薄膜的新穎方法。該方法主要提供在強酸存在下使碳奈米管(CNT)與包含聚芳族部分的化合物反應。在此反應製程期間，該等聚芳族部分與該等碳奈米管非共價鍵結。另外，官能化部分經該強酸進一步官能化。此雙重官能化允許CNT在溶液中以大於0.5 g/L之濃度分散而不破壞其合意的電子與物理性質。所得溶液可穩定存放數月而無可觀察到的成束，且可被合併至用於藉由包括噴墨印刷、網版印刷、快乾印刷、凹版印刷或旋塗及噴塗之多種方式印刷導電跡線的溶液中。

Description

具有增進導電性之高度可溶性碳奈米管 相關申請案
本申請案主張2011年6月24日申請之名為「使用非氧化性強酸及芘衍生物製造具有增進導電性之高度可溶性碳奈米管」(THE USE OF STRONG NON-OXIDATIVE ACIDS AND PYRENE DERIVATIVES TO PRODUCE HIGHLY SOLUBLE CARBON NANOTUBES WITH ENHANCED CONDUCTIVITY)的美國臨時專利申請案第61/500,985號之優先權權益，該案以全文引用的方式併入本文中。
聯邦獎助研究與發展計劃
本發明係依據美國國家標準與技術研究院(National Institute of Standards and Technology)之技術創新計劃(Technology Innovation Program)所授予的合同號70NANB10H001在政府支持下進行。美國政府在本發明中享有一定的權利。
本發明係關於使用強酸及經官能化之聚芳族分子對碳奈米管進行非共價官能化以增加其溶解度及/或導電性。
碳奈米管(CNT)在導電跡線應用，尤其在印刷電子學中已顯示廣闊前景。印刷CNT跡線具有多個優於傳統金屬跡線之益處，包括易於應用及機械可撓性。然而，「未加工的(raw)」CNT通常以非常無序且不純的粉末形式製造，且必須進行純化及分散以製造用於印刷CNT跡線的導電 (或半導電)「墨水」。然而，使CNT保持分散於溶液中可為一項挑戰。由於存在凡得瓦力(van der Waals forces)，使得CNT非常強烈地吸引彼此，引起其聚結並從溶液中沉積出來。為製造適用於印刷之CNT墨水，必須研發確保CNT保持分散的製程。
已使用若干方法來使碳奈米管(CNT)更分散，包括氧化法、使用界面活性劑、用增溶基團進行共價官能化、以及非共價官能化。在該等方法中，非共價官能化對碳奈米管之電子性質影響最小。共價官能化會使CNT之π型網路中產生缺陷，由此不利地影響CNT之導電性。類似地，使奈米管氧化將負面地影響CNT之電子特徵，因為氧化會破壞奈米管且可減小其尺寸。向溶液中添加添加劑(諸如界面活性劑)亦會擾亂最終的經墨水印刷之CNT薄膜的電子性質。為減小此作用，需要對印刷之CNT薄膜進行施用後之處理，包括反覆洗滌，而這會引起額外步驟、產量損失以及大量廢物，且仍不能恢復原始CNT的導電性。
已公開了對碳奈米管進行非共價官能化之若干方法。若官能基為液體，則在高溫下簡單地攪拌可為有效的。某些固體可與碳奈米管一起熔融，但很多固體在熔融前就會分解，尤其是很多聚芳族烴。亦可使用音波處理將CNT暫時分散於溶劑中。音波處理可與另一種官能化方法聯合使用，因為其暫時斷開碳奈米管束且允許官能基團進入CNT之間。然而，強音波處理或長時間音波處理具有損壞碳奈米管之傾向，很可能產生不太理想的電子性質。
需要使碳奈米管溶解同時保留且甚至增進其導電性的改良方法。
本發明藉由提供一種製備具有改良的碳奈米管溶解度及導電性之碳奈米管分散液的方法克服了先前技術之問題。該方法包含提供碳奈米管、包含至少一個聚芳族部分的化合物與酸的混合物。包含至少一個聚芳族部分的化合物與碳奈米管非共價鍵結，且該酸與該至少一個聚芳族部分反應。本發明亦關於由該方法形成之分散液。
在另一具體實例中，本發明提供一種包含非共價鍵結至包含各別聚芳族部分之化合物之碳奈米管的分散液。至少一些聚芳族部分與酸反應。以分散液之總重量作為100重量%計，該分散液具有至少約0.05重量%之碳奈米管濃度。該分散液亦可成形為具有低於約7,000 Ω/sq之薄層電阻的薄膜。
本發明之方法
本發明之方法主要關於使CNT、聚芳族部分(作為包含至少一個聚芳族部分之化合物的一部分提供)及酸反應。可先將CNT添加至酸中以分開可能形成束或群集到一起的CNT，隨後添加包含至少一個聚芳族部分的化合物。或者，可將包含至少一個聚芳族部分的化合物與酸組合，隨後添加CNT。又或者，可先將包含至少一個聚芳族部分的化合物與CNT組合，隨後添加酸。
不管添加順序如何，均應攪拌該混合物直到獲得一致的分散液，亦即，直到該分散液不變且基本上穩定。此典型地需要約6小時至約4天，更佳地約10小時至約2天，且甚至更佳地約12小時至約24小時。在此期間，混合物之溫度較佳為約0℃至約100℃，更佳為約15℃至約60℃，且甚至更佳為約20℃至約25℃。
在此反應製程期間，典型地同時發生若干事件。酸起作用而分開任何CNT簇或束。聚芳族部分將與CNT(可逆地)結合。較佳地，該等聚芳族部分與CNT非共價鍵結。如本文中所使用之術語「非共價鍵結」係用於指鍵結不像共價鍵結中一般涉及電子對之緊密共享，而是涉及電磁相互作用之更分散的變化。非共價鍵結之較佳實例包括氫鍵結以及靜電、分子間引力。
另外，酸較佳地使包含至少一個聚芳族部分的化合物官能化(例如酸可使包含至少一個聚芳族部分的化合物磺化)。有利地是，此製程可在無音波處理情況下完成。亦較佳地，在此反應期間CNT未被氧化且亦保持未官能化(或至少除可能在已確立之缺陷位點處發生之磺化外沒有進一步官能化)。
獲得了一致的反應混合物後，該混合物的溫度較佳地降低至在約-5℃至約40℃範圍內，且甚至更佳地在約-5℃至約10℃範圍內。此可藉由將所得分散液轉移至冰或冰冷的水中完成。在此階段，分散液之pH為約0至約1，且更佳地為約0至約0.5。該pH較佳藉由添加鹼(例如濃氫氧 化銨)至高酸性分散液中進行調節，將pH升高至在約0至約10範圍內，且甚至更佳地在約0至約8範圍內。隨後較佳過濾該溶液且用去離子水(「DI」)及稀氫氧化銨洗滌以產生可用於例如製備墨水之本發明碳奈米管固體或分散液(視是否使用橫流式過濾而定)。
用於進行本發明之方法的成份
適用於本發明方法中之CNT包括任何未加工的單壁、雙壁或多壁CNT(分別為SWCNT、DWCNT及MWCNT)。較佳地，該等CNT為純淨(pristine)的，亦即，CNT幾乎沒有或沒有側壁缺陷、存在之官能化或摻雜。不純淨的CNT亦可使用，但存在之官能化或摻雜可能會被酸處理破壞，且所得導電性可能受到影響。用於此製程之例示性CNT類型包括(但不限於)CG200 CNT及SG65 CNT(購自SWeNT)、XBC3350 CNT(購自CCNI)、HiPcoTM CNT(購自NanoIntegris)以及購自Thomas Swan及CheapTubes的CNT。
適用於本發明方法中之包含至少一個聚芳族部分之化合物包括具有允許非共價鍵結至CNT表面之物理及電子結構的任何未取代或經取代之聚芳族化合物。較佳地，該等聚芳族部分為平面的或有一個大的平面區域，且含有在約C10至約C100，更佳地在約C12至約C30且甚至更佳地在約C16至約C20範圍內的碳。例示性聚芳族化合物包括選自由以下組成之群之化合物的經取代(在任何位置)及未取代形式：萘、蒽、菲、芘、稠四苯、苯并蒽(tetraphene)、 (chrysene)、聯伸三苯、稠五苯、異稠五苯(pentaphene)、苝、苯并[a]芘、蔻(coronene)、蒽嵌蒽(antanthrene)、碗烯(corannulene)、卵苯(ovalene)、石墨烯、富勒烯、環狀對苯(cycloparaphenylene)、聚對苯、環芃烯(cyclophene)及類似分子，以及含有前述部分的化合物。例示性經取代聚芳族化合物包括選自由1-芘丁酸、1-芘甲胺鹽酸鹽、紅螢烯、芘以及聯伸三苯組成之群的化合物。
適用於本發明方法中之酸包括任何強酸(且較佳為磺化之強酸)或超強酸。較佳地，該酸之pKa小於約-1，較佳地小於約-12，且更佳地為約-12至約-14。例示性酸包括(但不限於)硫酸(發煙硫酸)、氯磺酸、三氟甲磺酸、對甲苯磺酸及其混合物。
CNT及包含至少一個聚芳族部分之化合物在本發明方法中之用量較佳應使得CNT與聚芳族部分的莫耳比為約25：75至約75：25，較佳地為約35：65至約65：35，更佳地為約45：55至約55：45且甚至更佳地為約50：50。以分散液之總重量作為100重量%計，該酸(或該等酸，若採用混合酸)之用量較佳地為約90重量%至約99.99重量%，更佳地為約95重量%至約99.9重量%，且甚至更佳地為約98重量%至約99.8重量%。
在一個具體實例中，所得分散液基本上不含界面活性劑。也就是說，以CNT之總重量作為100重量%計，該方法中所採用及/或最終分散液中所包括之該等界面活性劑的含量小於約1重量%，較佳地小於約0.5重量%，且更佳地 為約0重量%。
在另一具體實例中，CNT分散液基本上由或完全由CNT、包含至少一個聚芳族部分之化合物及酸(其中至少一些酸且可能全部酸都與包含至少一個聚芳族部分之化合物反應)組成。
所得分散液及其用途
應理解，本發明方法之上述雙重官能化允許CNT以大於約0.5g/L(約0.05重量%)，較佳地大於約1g/L(約0.10%)，較佳地大於約1.5g/L且更佳地以約1.5g/L至約3g/L之濃度分散且不破壞其合意的電子性質。此外，除添加任何溶劑以進一步分散CNT、製備墨水等外，不需要其它後加工步驟。也就是說，一旦使CNT分散，就不需要導電添加劑或摻雜劑。
因為對CNT的破壞降至最少或甚至得到避免，所以在此製程期間，所得分散液中CNT之D/G比率在用於製備本發明分散液之未加工的CNT之D/G比率的約0.2內，較佳地在約0.1內，且更佳地在約0.05內。
所得溶液或分散液可穩定存放(亦即，無可觀察到的成束)至少約2週，較佳地至少約3個月，且更佳地至少約6個月。此外，因為該CNT官能化為非共價的，所以其不會干擾π型網路，而是保持電子結構完整以致由所得CNT製造之薄膜為高度導電的。包含至少一個聚芳族部分之化合物的官能化亦用於增加由所得CNT分散液形成之薄膜的導電性。此官能化增加了該包含至少一個聚芳族部分 之化合物的溶解度並提供經官能化之聚芳族烴與CNT之間的π-π相互作用。
該等分散液可用於配製墨水以印刷高度導電之跡線用於印刷電子應用。薄膜可用已知方法(例如包括噴墨印刷、網版印刷、快乾印刷、凹板印刷，或旋塗及噴塗)由分散液或墨水形成。所得薄膜具有高導電性及低薄層電阻。更特定言之，該薄層電阻在85% T時將低於約7,000 Ω/sq，較佳地在85% T時低於約2,000 Ω/sq，且更佳地在85% T時為約300 Ω/sq至約600 Ω/sq。另外，利用本發明之方法，在沉積了塗層之後不需要洗滌步驟。以上性質使得本發明之分散液及薄膜適用於眾多電子器件，包括互連、積體電路、微電子器件、光電子器件、光電器件、微機電系統(microelectromechanical system，MEMS)、光伏打器件、感應器以及LED。
實施例
以下實施例闡明根據本發明之較佳方法。然而，應瞭解，該等實施例係藉助於說明提供，且其中任何內容均不應視為對本發明總範疇的限制。
實施例1
碳奈米管與1-芘丁酸的反應
在此程序中，將203 mg CG200碳奈米管(產品號724777,South West NanoTechnologies,Norman,OK)與205 mg 1-芘丁酸(產品號257354,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)置於250 ml施倫克瓶(Schlenk flask)中且用氮氣沖洗。隨 後，將60 mL發煙硫酸(20%自由SO3，產品號435597,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)經導管加入瓶中。在室溫下攪拌溶液隔夜。嘗試在冷水中中止該溶液，但導管阻塞。發煙硫酸經導管加入瓶中直到溶液自由流動，且在室溫下再次攪拌溶液隔夜。溶液自由流動且均勻。將此溶液經導管逐滴加入300 mL冰冷的DI水中。隨後用350 mL濃氫氧化銨(29重量%，產品號5820,J.T.Baker,Phillipsburg,NJ)將該溶液pH調至4.5。在恆定機械攪拌(用以防止巴克紙(buckypaper)在過濾器表面上形成)下，將溶液經10μm聚碳酸酯過濾器(IsoporeTM膜過濾器，目錄號TCTP 04700，47 mm直徑，Millipore,Billerica,MA)過濾。該過濾在連續添加100 mL DI水下執行直到溶液澄清。
接著，在3℃下，將670 mg濕管在1公升氫氧化銨(pH 8.5)中音波處理隔夜。濃度(經圓盤過濾器量測)為0.364 g/L。該溶液在22.5 krpm下離心30分鐘，且無顯著殘餘物沉積。D/G比率經量測為0.082(633 nm雷射；見圖1)。藉由熱解重量分析(TGA；見圖2)發現金屬含量為3.1%金屬。作為比較，藉由TGA量測未加工的碳奈米管材料為8.4%金屬(圖3)。對濕樣品執行TGA(0.7449%固體)。在294.66℃出現分解峰。T起始為503.94℃。在526.90℃、539.44℃及554.32℃出現一系列峰。
將溶液噴塗於玻璃上，且依據透射率%(T%)量測薄膜的薄層電阻(表1)。T%隨塗層數目的增加而減小。所得薄膜的薄層電阻低指示非共價官能化，因為共價官能化 引入缺陷且缺陷降低導電性。
實施例2
碳奈米管與1-芘丁酸及石墨烯的反應
在此實施例中，將200 mg CG200碳奈米管、200 mg 1-芘丁酸以及200 mg xGnP®石墨烯奈米薄片(25微米直徑，批號SU52909,XG Sciences,Lansing,MI)置於250 mL施倫克瓶中並用氮氣沖洗。隨後將276公克發煙硫酸(20%自由SO3)經導管加入該瓶中。攪拌溶液2天。溶液自由流動且均勻。將此溶液經導管逐滴加入250 mL冰冷的DI水中。接著逐滴添加300 mL氫氧化銨(24重量%，產品號09870,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)。所得溶液隨後在恆定機械攪拌(用以防止巴克紙在過濾器表面形成)下，經10μm聚碳酸酯過濾器過濾。該過濾在連續添加100 mL DI水下執行直到溶液澄清。
回收的濕固體在250 mL氫氧化銨(pH 8.8)中音波處理且在22.5 krpm下離心30分鐘。所得溶液在550 nm下有1.85的光學密度(Optical Density，OD)。藉由圓盤過濾器測得濃度為0.089 g/L。D/G比率經量測為0.119(633 nm 雷射；見圖4)。作為比較，未加工的CG200管具有0.016的D/G比率(633 nm雷射；見圖5)。拉曼光譜(Raman spectra)指示該等管未高度官能化。在192.6 nm、217.7 nm以及254.0 nm處觀察到徑向呼吸模式(radial breathing mode)之顯著峰(633 nm雷射，圖6)。未加工的CG200管在215.5 nm、241.5 nm、254.3 nm、335.7 nm以及344.4 nm處有顯著的徑向呼吸模式峰(633 nm雷射，圖7)。
將溶液噴塗於玻璃上，且依據透射率%(T%)量測薄膜的薄層電阻(見表2)。
實施例3
半導電碳奈米管與1-芘丁酸的反應
在此程序中，將320 mg SG65碳奈米管(SouthWest NanoTechnologies,Norman,OK)與170 mg 1-芘丁酸置於250 mL施倫克瓶中並用氮氣沖洗。隨後將328.2公克發煙硫酸(20%自由SO3)經導管加入該瓶中。在室溫下攪拌溶液隔夜。將此溶液經導管逐滴加入250 mL冰冷的DI水中。隨後逐滴添加250 mL 29% w/v氫氧化銨。在10公升反應容器中用8公升去離子水稀釋此溶液。用橫流式過濾來過濾 該溶液且隨後回收於8公升去離子水中。接著，添加3 mL 29% w/v氫氧化銨，且將該溶液音波處理2小時。再用橫流式過濾來過濾溶液且回收於8公升去離子水中。再重複一次該過濾，將管回收於4公升去離子水中，且用29% w/v氫氧化銨將pH調至8.5。
此溶液精細分散。在22.5 krpm下將其離心兩次持續30分鐘。所得溶液在550 nm下具有0.60的光學密度(OD)。濃度為0.030 g/L(經圓盤過濾器量測)。D/G比率經量測為0.226(633 nm雷射，見圖8)。未加工的SG65管具有0.18的D/G比率(633 nm雷射，見圖9)。徑向呼吸模式之顯著峰在216.7 nm、255.0 nm、281.8 nm、293.6 nm、306.0 nm、332.5 nm以及417.3 nm處出現(633 nm雷射，見圖10)。未加工的SG65管在189.7 nm、213.4 nm、252.5 nm、279.6 nm、303.8 nm以及332.2 nm處有顯著的徑向呼吸模式峰(633 nm雷射，光譜9)。
將溶液噴塗於玻璃上，且依據透射率%量測薄膜的薄層電阻(見表3)。半導電薄膜之薄層電阻非常低。
實施例4
碳奈米管與1-芘甲胺鹽酸鹽的反應
在此實施例中，將840 mg CG200碳奈米管與1,230 mg 1-芘甲胺鹽酸鹽(產品號401633,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)置於3公升的三頸圓底燒瓶中並用氮氣沖洗。隨後將1.35公升濃硫酸(產品號435589,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)倒入燒瓶中。將此溶液經導管逐滴加入3.0公升的50體積%氫氧化銨(29重量%)於DI水中之冰冷溶液中。所得溶液攪拌隔夜。攪拌後，在10公升反應容器中用8公升DI水稀釋該溶液。在設定為3℃之溫度下，將此溶液音波處理2小時(配備N1500-C-XHSKA-120-480/12型Neptune Ultrasonics發生器的PROHT 1212型Blackstone-Ney Ultrasonics音波處理器，其中電位計設定在最大值，功率經量測為40-45 W/in2)。在音波處理下用橫流式過濾來過濾溶液且隨後於8公升去離子水中回收兩次。接著，添加3 mL 29% w/v氫氧化銨，且在音波處理下用橫流式過濾來過濾該溶液且回收於4公升去離子水中。最後，添加3 ml 29% w/v氫氧化銨且音波處理該溶液2小時。
所得溶液為高度分散的。在22.5 krpm下將其離心30分鐘。在DI水中按1：2稀釋的此溶液在550 nm下具有1.42的光學密度(OD)。其濃度經圓盤過濾器量測為0.132 g/L。過濾後，回收到3.4753公克濕產品。該樣品之TGA確定其為18.67%固體，總重量為0.649公克，或81%產率。在272.62℃觀察到少量分解。發現T起始為500.48℃且殘餘物為 12.91%。
D/G比率經量測為0.010(633 nm雷射，見圖11)。未加工的CG200管具有0.016的D/G比率(633 nm雷射，見圖5)。在197.3 nm、220.4 nm、255.8 nm、284.5 nm以及336.8 nm處有徑向呼吸模式之顯著峰(633 nm雷射，見圖12)。未加工的CG200在215.5 nm、241.5 nm、254.3 nm、335.7 nm以及344.4 nm處有顯著徑向呼吸模式峰(633 nm雷射，見圖7)。
將溶液噴塗於玻璃上，且依據透射率%量測薄膜的薄層電阻。
實施例5
碳奈米管與1-芘甲胺鹽酸鹽的反應
在此實施例中，在氮氣下將458 mg XBC3350碳奈米管(Continental Carbon Nanotechnologies公司，16850 Park Row,Houston,Texas,77084)與484 mg 1-芘甲胺鹽酸鹽(產品號401633,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)置於150 ml氯磺酸(產品號571024,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)中。 將其攪拌3天。將該溶液經導管逐滴加入409公克冰中且在冰浴中保持冷卻。將殘留在燒瓶中的碳奈米管用20 mL DI水洗滌至中止之溶液中。用加料漏斗逐滴添加290 mL 29% w/v氫氧化銨(29重量%，產品號5820,J.T.Baker,Phillipsburg,NJ)。在此製程期間，用冰浴使該溶液保持冷卻。在室溫下攪拌溶液隔夜。隨後在冰中冷卻該溶液且逐滴添加250 ml 29% w/v氫氧化銨。在該製程結束時量測pH為9.8。
該碳奈米管漿液的一部分隨後經10μm聚碳酸酯過濾器過濾2天。所得碳奈米管濾餅已部分乾燥且其外觀及表現如同黏土。將剩餘漿液添加至過濾器，用100 mL DI水洗滌該燒瓶至過濾器中。將碳奈米管黏土自過濾器移出且在劇烈攪拌下分數小份添加250 mL氫氧化銨的DI水溶液(pH 10.3)。此添加以每次5 mL份開始，將黏土與氫氧化銨混合直到其變得均勻。最後其變成凝膠。當該溶液具有足夠流動性時，在劇烈攪拌下添加50 ml份。一旦全部250 mL氫氧化銨均添加，該混合物即經10μm聚碳酸酯過濾器過濾。
該CNT黏土在600 mL(分兩份，每份300 mL)氫氧化銨的DI水溶液(pH 10.3)中音波處理。音波處理條件為利用附接有增幅器(booster)之1吋探針以90%功率處理45分鐘。在此製程期間，該溶液處於設定為5℃的冷卻浴中。在23.5 krpm下將此溶液離心30分鐘。最終的溶液用移液管從離心管頂端移出。
該溶液的濃度基於圓盤過濾器量測為1.088 g/L。溶液分散良好，易通過10μm聚碳酸酯過濾器而不留下任何殘餘物。將溶液稀釋10倍且噴塗於玻璃上以相對於透明度%量測薄層電阻(如表5所示)。D/G比率經量測為0.109(633 nm雷射，見圖13)。未加工的XBC3350管具有0.057的D/G比率(633 nm雷射，見圖13)。徑向呼吸模式之顯著峰在164.6 nm、221.8 nm、255.1 nm以及338.2 nm處出現(633 nm雷射，見圖14)。未加工的XBC3350管在154.5 nm、166.0 nm、218.6 nm、256.5 nm以及337.2 nm處有顯著的徑向呼吸模式峰(633 nm雷射，見圖14)。
實施例6
碳奈米管與紅螢烯的反應
在此程序中，在氮氣下將220 mg碳奈米管與230 mg紅螢烯(產品號R2206,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)在100 mL發煙硫酸(20%自由SO3，產品號435597,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)中攪拌2天。隨後將其逐滴加入250 mL冰冷的DI水中以中止反應。接著經1小時逐滴添加250 mL氫氧化銨(24重量%，產品號09870,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)。將此溶液倒入含有4公升DI水的10公升反 應器中，且音波處理17小時。此時的pH值經量測為1.98。該溶液經橫流式過濾進行過濾且隨後回收於2公升DI水中。用6 mL氫氧化銨(24% w/v)調整pH，音波處理2小時，且隨後經橫流式過濾進行過濾。再將溶液回收於2公升DI水中，用6 mL氫氧化銨(24% w/v)鹼化，且音波處理2小時。隨後再一次過濾溶液，回收於2公升DI水中且用6 mL氫氧化銨(24% w/v)鹼化。此溶液音波處理隔夜。最後，移出250 mL該溶液並在23.5 krpm下離心30分鐘。
在550 nm下量測此溶液之光學密度(OD)為1.34。將溶液噴塗於玻璃上，且相對於透明度量測其薄層電阻(表6)。
由初始溶液得到之塗層為斑污的，此指示將需要更多洗滌來改良導電性。保留在反應器中的溶液用橫流式過濾進行過濾，回收於2公升DI水中，用3 mL 29% w/v氫氧化銨鹼化，且隨後音波處理24小時。接著，將250 mL該溶液自反應器移出且在23.5 krpm下離心30分鐘。
在550 nm下量測第二份溶液的光學密度(OD)為1.21。量測濃度為0.0612 g/L(經圓盤過濾器測定)。噴塗此溶液，且相對於透明度量測其薄層電阻(見表7)。塗層 均勻。D/G比率經量測為0.138(633 nm雷射，見圖15)。未加工的CG200管有0.075的D/G比率(633 nm雷射，見圖15)。在192.4 nm、216.0 nm、254.9 nm、282.5 nm以及334.2 nm處觀察到徑向呼吸模式之顯著峰(633 nm雷射，見圖16)。未加工的CG200管在193.5 nm、218.6 nm、257.1 nm、283.7 nm、337.5 nm以及346.1 nm處有顯著的徑向呼吸模式峰(633 nm雷射，見圖16)。
實施例7
碳奈米管與發煙硫酸(無芳族烴)的反應
在此實施例中，在氮氣下將219 mg CG200碳奈米管置於182.8公克發煙硫酸(20%自由SO3，產品號435597,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)中且攪拌隔夜。該溶液經導管加入250 mL冰冷的DI水中。隨後用250 mL 29% w/v氫氧化銨(29重量%，產品號5820,J.T.Baker,Phillipsburg,NJ)中和此溶液。隨後在攪拌(用以防止巴克紙在過濾器表面形成)下經10μm聚碳酸酯過濾器(IsoporeTM膜過濾器，目錄號TCTP 04700，47 mm直徑，Millipore,Billerica,MA)過濾此混合物或分散液。所得管攪拌加入500 mL DI水中且過濾三次。然後將該等管置於500 mL氫氧化銨(pH 10.5)中 且在音波器浴槽中音波處理隔夜。該溶液高度形成束，同時無分散，這指示CNT與發煙硫酸的反應不足以使該等管官能化。
實施例8
CG200碳奈米管與1-芘甲胺鹽酸鹽(無酸)的反應
在此程序中，將202 mg CG200碳奈米管、210 mg 1-芘甲胺鹽酸鹽以及1公升氫氧化銨的DI水溶液(pH 10.2)在10公升反應器中組合。該溶液在音波器浴槽中音波處理12小時，並檢查分散情況。混合物未分散。將該混合物再音波處理17小時並檢查分散情況。該混合物仍未分散。添加1公升DI水以降低濃度。然後再用音波處理該混合物24小時並檢查分散情況。再一次，混合物仍未分散，這指示缺乏強酸時，在以上條件下1-芘甲胺鹽酸鹽不足以溶解或分散該等CNT。
實施例9
碳奈米管與1,3,6,8-芘四磺酸四鈉鹽水合物(無酸)的反應
在此實施例中，將367 mg CG200碳奈米管、267 mg 1,3,6,8-芘四磺酸四鈉鹽水合物(產品號82658,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)以及250 ml氫氧化銨(pH 10.0)音波處理15小時，然後使其靜置隔夜。將此溶液在22.5 krpm下離心30分鐘，並收集分散的液體。在550 nm下量測所得溶液的光學密度(OD)為0.53。將此溶液噴塗於玻璃上，但該等玻璃片均不導電。此證明磺化之芘化合物可 溶解碳奈米管，但所得溶液非常稀。另外，噴塗由此製程產生之溶液時不產生導電塗層。
實施例10
1-芘甲胺鹽酸鹽與發煙硫酸反應以特性化反應產物
在此實施例中，在氮氣下將1.958公克1-芘甲胺鹽酸鹽(產品號401633,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)置於75 mL發煙硫酸(20%自由SO3，產品號435597,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)中，並在室溫下攪拌24小時。此混合物經導管加入在冰浴中冷卻之75 mL DI水中。然後逐滴添加75 mL 24% w/v氫氧化銨(產品號09870,Sigma Aldrich,St.Louis,MO)，同時繼續冷卻。量測pH值為0.3。然後緩慢添加氫氧化銨直到pH值為7.7。在整個製程期間溫度保持在25℃以下。
5天後形成黃色沉澱。振盪溶液並取一小份等分試樣以測試溶解度特徵。當添加0.5 mL 24% w/v氫氧化銨時沉澱迅速溶解。經10μm聚碳酸酯過濾器過濾該沉澱並收集固體。該固體易溶於200 mL DI水中。將溶液置於400 mL燒杯中，且在空氣流及設定在107℃之加熱板下進行攪拌。此液體在其開始沉澱之前濃縮至約3 mL，隨後過濾，得到銀色濕固體。將其溶解於3 mL DI水並置於閃爍瓶中。再蒸發該溶液直到其沉澱。收集固體並在真空下乾燥。
接著將10 mg乾燥的固體置於0.7 mL NMR管中的1.0 mL氘代水中。該光譜呈現於400 MHZ INOVA 400 Varian NMR上。在8.976 ppm(s)、8.748(d,JH=6.0 Hz)、8.692(d, JH=6.0 Hz)、8.522(d,JH=6.3 Hz)、8.245(s)、7.707(d,JH=5.8 Hz)、4.624(s，同位素衛星JD=26.5 Hz)及4.401(s)處觀察到顯著峰。此光譜顯示於圖17中。
藉由在50：50的甲醇：水中溶解樣品且將經過濾的樣品直接注射至ESI質譜儀中得到質譜。圖18顯示反應產物的質譜。表8顯示分子質量區域的同位素離子豐度。
反應產物的分子質量為471 Da。同位素豐度指示分子式為C17H13NO9S3。基於1H NMR及質譜，該反應產物為1-芘甲胺-3,6,8-三磺酸(見圖19)。
實施例11
嘗試用1-芘甲胺-3,6,8-三磺酸使碳奈米管溶解。
將如實施例10中所描述合成之1-芘甲胺-3,6,8-三磺酸的純化樣品(1.58公克)置於裝有含213 mg XBC 3350碳奈米管(Continental Carbon Nanotechnologies公司，Houston,Texas)之250 mL氫氧化銨(pH 10.3)的不鏽鋼燒杯中。該漿液在冷卻浴中用設定為90%功率的1英吋探針音波器音波處理45分鐘，並使溶液冷卻。該漿液再音波處理1小時，隨後在23.5 krpm下離心30分鐘。在550 nm下量測所 得溶液的光學密度為2.25。濃度(經圓盤過濾器量測)為0.0736 g/L。溶液之光學密度(OD)及濃度均比藉由本發明實施例5之製程所得者低一個數量級。
圖1為描繪實施例1中製備之樣品之D/G比率的曲線圖；圖2為顯示實施例1中製備之樣品之TGA分析的曲線圖；圖3為未加工的CG200碳奈米管之TGA分析的曲線圖；圖4為描繪實施例2中製備之樣品之D/G比率的曲線圖；圖5為顯示未加工的CG200碳奈米管之D/G比率的曲線圖；圖6為說明實施例2中製備之樣品之拉曼光譜(Raman spectrum)的曲線圖；圖7為描繪未加工的CG200碳奈米管之拉曼光譜的曲線圖；圖8為描繪實施例3中製備之樣品之D/G比率的曲線圖；圖9為顯示未加工的SG65碳奈米管之D/G比率的曲線圖；圖10為說明實施例3中製備之樣品之拉曼光譜的曲線圖； 圖11為描繪實施例4中製備之樣品之D/G比率的曲線圖；圖12為說明實施例4中製備之樣品之拉曼光譜的曲線圖；圖13為描繪實施例5中製備之樣品以及XBC3350碳奈米管之D/G比率的曲線圖(為便於閱讀，XBC3350之光譜乘以因子0.473)；圖14為描繪實施例5中製備之樣品以及XBC3350碳奈米管之拉曼光譜的曲線圖(為便於閱讀，XBC3350之光譜乘以因子0.473)；圖15為顯示實施例6中製備之第二份樣品以及CG200碳奈米管之D/G比率的曲線圖(為便於閱讀，CG200之光譜乘以因子4.212)；圖16為描繪實施例6中製備之第二份樣品以及CG200碳奈米管之拉曼光譜的曲線圖(為便於閱讀，CG200之光譜乘以因子4.212)；圖17提供1-芘甲胺鹽酸鹽與發煙硫酸之反應產物的NMR譜；圖18顯示1-芘甲胺鹽酸鹽與發煙硫酸之反應產物的質譜(mass spectrum)；及圖19顯示1-芘甲胺鹽酸鹽與發煙硫酸之反應產物的化學結構。

Claims (22)

  1. 一種製備碳奈米管分散液的方法，該方法包含：提供碳奈米管、包含至少一個聚芳族部分之化合物與磺化之酸的混合物；使該等碳奈米管與該包含至少一個聚芳族部分之化合物非共價鍵結；及以該酸使該化合物磺化。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該提供之前，該等碳奈米管中之至少一些形成束或群集，且在該提供期間，該酸將該等成束或群集的碳奈米管中之至少一些分離開來。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該非共價鍵結及該反應實質上同時發生。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該提供包含首先將該等碳奈米管與該酸混合，且接著添加該包含至少一個聚芳族部分之化合物。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該等碳奈米管中之至少一些形成束或群集，且在該混合期間，該酸將該等成束或群集的碳奈米管中之至少一些分離開來。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該提供包含首先將該包含至少一個聚芳族部分之化合物與該酸混合，且接著添加該等碳奈米管。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等碳奈米管係選自由單壁碳奈米管、雙壁碳奈米管及多壁碳奈米管組成 之群。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該包含至少一個芳族部分之化合物係選自由經取代及未取代的化合物組成之群，該等經取代及未取代的化合物係選自由以下組成之群：萘、蒽、菲、芘、稠四苯、苯并蒽、、聯伸三苯、稠五苯、異稠五苯、苝、苯并[a]芘、蔻、蒽嵌蒽、碗烯、卵苯、石墨烯、富勒烯、環狀對苯、聚對苯、環芃烯以及含有前述部分的化合物。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該酸具有小於約-1之pKa。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該酸係選自由發煙硫酸、氯磺酸、三氟甲磺酸、對甲苯磺酸及其混合物組成之群。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等碳奈米管及該等包含至少一個聚芳族部分之化合物係以使得碳奈米管與聚芳族部分的莫耳比為約25：75至約75：25之量提供。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中以該分散液之總重量作為100重量%計，該酸係以約90重量%至約99.99重量%之含量存在。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中以該分散液之總重量作為100重量%計，由該非共價鍵結及該反應產生之該碳奈米管分散液具有至少約0.05重量%的碳奈米管濃度。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中由該非共價鍵結及該反應產生之該碳奈米管分散液可成形為具有低於約 7,000Ω/sq之薄層電阻的薄膜。
  15. 一種分散液，其包含非共價鍵結至包含各別聚芳族部分之化合物之碳奈米管，該等聚芳族部分中之至少一些與酸反應，該分散液：不含界面活性劑；以該分散液之總重量作為100重量%計，具有至少約0.05重量%之碳奈米管濃度；且可成形為具有低於約7,000Ω/sq之薄層電阻的薄膜。
  16. 如申請專利範圍第15項之分散液，其中該等碳奈米管係選自由單壁碳奈米管、雙壁碳奈米管及多壁碳奈米管組成之群。
  17. 如申請專利範圍第15項之分散液，其中該包含至少一個芳族部分之化合物係選自由經取代及未取代的化合物組成之群，該等經取代及未取代的化合物係選自由以下組成之群：萘、蒽、菲、芘、稠四苯、苯并蒽、、聯伸三苯、稠五苯、異稠五苯、苝、苯并[a]芘、蔻、蒽嵌蒽、碗烯、卵苯、石墨烯、富勒烯、環狀對苯、聚對苯、環芃烯以及含有前述部分的化合物。
  18. 如申請專利範圍第15項之分散液，其中該酸具有小於約-1之pKa。
  19. 如申請專利範圍第15項之分散液，其中該酸係選自由硫酸、氯磺酸、三氟甲磺酸、對甲苯磺酸及其混合物組成之群。
  20. 如申請專利範圍第15項之分散液，其中該等碳奈米 管及該等包含至少一個聚芳族部分之化合物係以使得碳奈米管與聚芳族部分的莫耳比為約25：75至約75：25之量提供。
  21. 如申請專利範圍第15項之分散液，其中以該分散液之總重量作為100重量%計，該分散液中之碳奈米管濃度為至少約0.10重量%。
  22. 如申請專利範圍第15項之分散液，其中該分散液可成形為具有低於約2,000Ω/sq之薄層電阻的薄膜。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5213025B2 (ja) * 2008-02-14 2013-06-19 国立大学法人 東京大学 ナノカーボン物質分散液とその製造方法、ナノカーボン物質構成体
WO2013074712A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-23 Vorbeck Materials Graphene containing compositions
US9642258B2 (en) 2012-04-18 2017-05-02 Brewer Science Inc. All-organic inductor-capacitor tank circuit for radio frequency sensor applications
JP6454267B2 (ja) 2012-04-26 2019-01-16 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 多官能アルコールへのカーボンナノチューブ分散体
US20140256204A1 (en) * 2013-03-08 2014-09-11 E I Du Pont De Nemours And Company Method of coupling and aligning carbon nanotubes in a nonwoven sheet and aligned sheet formed therefrom
WO2015016490A1 (ko) * 2013-08-01 2015-02-05 인하대학교 산학협력단 세라믹이 코팅된 흑연의 제조방법
JP6106339B2 (ja) 2013-08-01 2017-03-29 エルジー・ケム・リミテッド 分散剤、その製造方法およびこれを含む炭素系素材の分散組成物
CN105453316B (zh) * 2013-08-01 2018-01-02 Lg化学株式会社 导电材料组合物、使用该导电材料组合物的用于形成锂二次电池的电极的浆料组合物以及锂二次电池
US20150087858A1 (en) * 2013-09-25 2015-03-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Carbon nanotube suspensions and methods of making the same
KR101666478B1 (ko) * 2013-12-26 2016-10-14 주식회사 엘지화학 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물
KR101682007B1 (ko) 2013-12-26 2016-12-02 주식회사 엘지화학 그래핀의 제조 방법
GB201401721D0 (en) 2014-01-31 2014-03-19 Univ Manchester Ink formulation
CN105295554B (zh) * 2014-08-01 2018-04-06 北京阿格蕾雅科技发展有限公司 高分散、粘度可控的碳纳米管透明电极墨水
JP6516248B2 (ja) * 2014-12-08 2019-05-22 国立大学法人福井大学 導電性炭素材料への分子識別機能を有する生体分子の固定化方法
DE102015102553A1 (de) 2015-02-23 2016-08-25 Technische Hochschule Nürnberg Georg Simon Ohm Dispergier-Additiv
EP3326219A1 (en) 2015-07-24 2018-05-30 The University of Manchester Ink formulation
US10836639B1 (en) 2016-10-26 2020-11-17 Air Stations Llc/Elevated Analytics Llc Joint Venture Air quality measurement system
US10866226B1 (en) 2017-02-07 2020-12-15 Air Stations Llc/Elevated Analytics Llc Joint Venture Multi-point ground emission source sensor system
US10928371B1 (en) 2017-03-31 2021-02-23 Air Stations Llc/Elevated Analytics Llc Joint Venture Hand-held sensor and monitor system
WO2019124026A1 (ja) * 2017-12-19 2019-06-27 日本ゼオン株式会社 繊維状炭素ナノ構造体、繊維状炭素ナノ構造体の評価方法および表面改質繊維状炭素ナノ構造体の製造方法
US11208571B2 (en) 2018-08-08 2021-12-28 University Of Maryland, College Park Methods for nondestructive dispersing of carbon nanomaterials in water
CN110669210B (zh) * 2019-09-11 2020-11-24 华中科技大学 一种蓖麻油基聚酯材料、其制备和应用
WO2024002397A1 (en) 2022-06-29 2024-01-04 Centrum organické chemie, s.r.o. Hybrid composite for preparing thin conductive layers, a method for the preparation thereof, and thin conductive layer prepared from the hybrid composite

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070078215A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Yoon Seon M Dispersant for carbon nanotube and composition comprising the same

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4891448A (en) * 1987-11-23 1990-01-02 The Dow Chemical Company Alkylation of polycyclic aromatic compounds to alkylates enriched in the para-substituted isomers
US5110981A (en) * 1991-06-18 1992-05-05 Henkel Corporation Process for making alkyl naphthalene sulfonate surfactants
JP2005530667A (ja) * 2002-01-15 2005-10-13 ナノダイナミックス・インコーポレイテッド 浮遊カーボンナノチューブ組成物、その製造方法および使用方法
US7192642B2 (en) * 2002-03-22 2007-03-20 Georgia Tech Research Corporation Single-wall carbon nanotube film having high modulus and conductivity and process for making the same
US20040034177A1 (en) * 2002-05-02 2004-02-19 Jian Chen Polymer and method for using the polymer for solubilizing nanotubes
US7572393B2 (en) * 2002-09-05 2009-08-11 Nanosys Inc. Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures
JP4266752B2 (ja) * 2002-11-01 2009-05-20 三菱レイヨン株式会社 カーボンナノチューブ含有組成物及びその調製方法、またそれを用いた複合体及びその製造方法
KR100704795B1 (ko) * 2002-11-01 2007-04-09 미츠비시 레이온 가부시키가이샤 탄소 나노튜브 함유 조성물, 이를 포함하는 도막을 갖는복합체, 및 이들의 제조 방법
US20040113127A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 Min Gary Yonggang Resistor compositions having a substantially neutral temperature coefficient of resistance and methods and compositions relating thereto
JP4041409B2 (ja) * 2003-02-05 2008-01-30 独立行政法人科学技術振興機構 多環式芳香族炭素系固体強酸
US20070280876A1 (en) 2004-03-25 2007-12-06 William Marsh Rice University Functionalization of Carbon Nanotubes in Acidic Media
US20050222333A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Che-Hsiung Hsu Aqueous electrically doped conductive polymers and polymeric acid colloids
JP3751016B2 (ja) 2004-07-16 2006-03-01 国立大学法人 東京大学 カーボンナノチューブ分散膜及び発光体
CN101287986B (zh) * 2005-06-14 2012-01-18 三美电机株式会社 场效应晶体管、具备该场效应晶体管的生物传感器及检测方法
WO2007066649A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. カーボンナノチューブ含有組成物、複合体、およびそれらの製造方法
KR101224739B1 (ko) * 2006-01-23 2013-01-21 삼성전자주식회사 아로마틱이미드계 탄소나노튜브용 분산제 및 그를포함하는 탄소나노튜브 조성물
KR100773551B1 (ko) * 2006-04-14 2007-11-07 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 분산액 및 그 제조 방법
US20100137528A1 (en) 2006-08-29 2010-06-03 Sample Jennifer L Method for Functionalizing Nanotubes and Improved Polymer-Nanotube Composites Formed Using Same
KR101444484B1 (ko) * 2006-10-18 2014-09-24 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 나노튜브 와이어링
EP2154108A4 (en) 2007-04-27 2014-06-25 Kuraray Co MONOFEUILLE CARBON NANOTUBE DISPERSION LIQUID AND PROCESS FOR PRODUCING SINGLE CARBON NANOTUBE DISPERSION LIQUID
US7850874B2 (en) * 2007-09-20 2010-12-14 Xintek, Inc. Methods and devices for electrophoretic deposition of a uniform carbon nanotube composite film
US20090169819A1 (en) * 2007-10-05 2009-07-02 Paul Drzaic Nanostructure Films
FR2923083B1 (fr) * 2007-10-24 2015-04-17 Centre Nat Rech Scient Realisation d'une couche mince en materiau semiconducteur organique moleculaire.
JP5431960B2 (ja) * 2007-12-07 2014-03-05 大同塗料株式会社 カーボンナノチューブ含有導電体の製造方法
JP5213025B2 (ja) * 2008-02-14 2013-06-19 国立大学法人 東京大学 ナノカーボン物質分散液とその製造方法、ナノカーボン物質構成体
KR101655942B1 (ko) * 2008-09-09 2016-09-08 썬 케미칼 코포레이션 탄소 나노튜브 분산
JP2010163568A (ja) * 2009-01-16 2010-07-29 Toray Ind Inc 導電性組成物および導電性複合体
KR101135578B1 (ko) * 2009-11-30 2012-04-17 현대자동차주식회사 표면개질제를 사용하여 결정성 탄소의 친수성을 증가시키는 방법 및 이를 이용한 백금 담지 촉매의 제조방법
CN101780379B (zh) * 2009-12-10 2012-08-01 安徽金阳纳米科技有限公司 一种高浓度碳纳米管水分散体及其制备方法
CN103429529B (zh) 2010-12-17 2016-08-10 Nano-C公司 表现出增强的溶解度的官能化碳纳米管及其制备方法
CN102073428B (zh) * 2011-01-07 2013-02-13 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于碳纳米管薄膜的电容式柔性透明触摸屏

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070078215A1 (en) * 2005-10-05 2007-04-05 Yoon Seon M Dispersant for carbon nanotube and composition comprising the same

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