TWI619125B - 靜電容量式觸摸面板用透明導電性薄膜 - Google Patents

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    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Abstract

本發明提供一種薄膜構成簡單，另一方面，即便在實施退火處理時，也辨識出難以辨識出透明導電性膜之圖案形狀的透明導電性薄膜。所述透明導電性薄膜是在透明塑膠薄膜基材之至少一面依次層疊光學調整層及透明導電性膜而成的透明導電性薄膜，透明塑膠薄膜在150℃下加熱1小時的透明塑膠薄膜基材之與主定向軸正交的方向之熱收縮率為T1(%)、透明塑膠薄膜基材之與主定向軸平行的方向之熱收縮率為T2(%)、透明塑膠薄膜基材之厚度為L(μm)時，滿足下述關係式(1)及(2)。
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)

Description

靜電容量式觸摸面板用透明導電性薄膜
本發明涉及一種透明導電性薄膜。
特別涉及薄膜構成簡單，另一方面，即便實施退火處理時，辨識出也難以辨識出透明導電性膜之圖案形狀的透明導電性薄膜。
以往，可通過與圖像顯示部直接接觸予以輸入資訊之觸摸面板係在顯示器上配置透光性的輸入裝置而成的。
作為上述觸摸面板之代表形式，存在將2張透明電極基板以各自的透明電極層相對的方式設置間隙而進行配置而成的電阻膜式觸摸面板、利用在透明電極膜及手指之間產生的靜電容量之變化的靜電容量式觸摸面板。
其中，靜電容量式觸摸面板中，作為用於檢測手指的觸摸位置之感測器，大致存在透明導電性膜層疊於玻璃基材上而成的玻璃感測器及透明導電性膜層疊於透明塑膠薄膜基材上而成的薄膜感測器。
特別是在薄膜感測器中，大多通過將2張具備圖案化為線狀的透明導電性膜之透明導電性薄膜按各自的圖案相互交錯的方式進行配置予以形成格子狀的圖案。
然而，如此將透明導電性膜進行圖案化時，出現圖案部及非圖案部之邊界部分容易被辨識出，靜電容量式觸摸面板之美觀性變差的問題。
因此，已已公開用於解決上述問題之技術(例如，參照專利文獻1)。
更具體而言，已公開一種透明導電性薄膜之製造方法，其特徵在於，上述透明導電性薄膜在透明的薄膜基材之單面或者兩面介由至少1層的底塗層具有透明導電體層，且透明導電體層已予圖案化，並且在不具有透明導電體層之非圖案部具有至少1層的底塗層，上述製造方法具有：在透明的薄膜基材之單面或者兩面，利用有機物形成從透明的薄膜基材為第一層的底塗層之步驟；在底塗層上，利用濺射法形成透明導電體層之步驟；以及蝕刻透明導電體層而圖案化的步驟。
並且，專利文獻1中，已公開通過對具有已圖案化的透明導電體層之透明導電性薄膜實施退火處理，從而使該透明導電體層結晶，提高電導度。
專利文獻1：日本特開2011-142089號公報(申請專利範圍)
然而，專利文獻1的實施例中公開的透明導電性薄膜是如下形成的：在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下，有時稱為“PET薄膜”)之一面依次層疊2層的底塗層及透明導電體層，並且在PET薄膜之另一面介由黏著劑層貼合支撐體，該支撐體是在厚度不同的PET薄膜上層疊厚的硬塗層而成的。
因此，專利文獻1中記載的透明導電性薄膜有層構成複雜、生產成 本高的問題。
因此，本發明的發明人等，為解決上述生產成本的問題，嘗試從上述專利文獻1的實施例中的透明導電性薄膜之構成中省略支撐體。
然而，省略支撐體之情況下，又新產生退火處理後，容易辨識出圖案形狀的問題。
另外，要進一步改善生產成本，已嘗試提高退火處理溫度，縮短退火處理時間，結果又出現圖案形狀容易被辨識出的問題。
即，本發明之目的在於提供薄膜構成簡單，另一方面，即便實施退火處理時，也辨識出透明導電性膜之圖案形狀的透明導電性薄膜。
本發明的發明人等經進行深入研究，結果發現利用以下的透明導電性薄膜能夠解決上述的課題，以至完成發明。
即，提供一種透明導電性薄膜，能夠解決上述問題，其特徵在於，是在透明塑膠薄膜基材之至少一面依次層疊光學調整層及透明導電性膜而成的透明導電性薄膜，透明塑膠薄膜在150℃下加熱1小時的透明塑膠薄膜基材之與主定向軸正交的方向之熱收縮率為T1(%)、透明塑膠薄膜基材之與主定向軸平行的方向之熱收縮率為T2(%)、透明塑膠薄膜基材之厚度為L(μm)時，滿足下述關係式(1)及(2)。
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)
即，採用本發明之透明導電性薄膜，作為透明塑膠薄膜基材，使用以其主定向軸為基準而規定的熱收縮率及厚度滿足規定的關係式之透明塑膠薄膜基材。
由此，能夠實現薄膜構成簡單，另一方面，即便實施退火處理時， 也難以辨識出透明導電性膜之圖案形狀。
另外，由於在透明導電性膜及透明塑膠薄膜基材之間設置光學調整層，所以能夠使由透明導電性膜之折射率及透明塑膠薄膜基材的折射率之差引起的透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
另外，本發明之透明導電性薄膜中，宜為透明塑膠薄膜基材之與主定向軸正交的方向之熱收縮率(T1)為0~0.5%。
通過如此構成，即便實施退火處理時，也能夠使透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
另外，本發明之透明導電性薄膜中，宜為透明塑膠薄膜基材之與主定向軸平行的方向之熱收縮率(T2)為0~0.4%。
通過如此構成，即便實施退火處理時，也能夠使透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
另外，本發明之透明導電性薄膜中，宜為透明塑膠薄膜基材之厚度(L)為25~200μm。
通過如此構成，即便實施退火處理時，也能夠使透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
另外，本發明之透明導電性薄膜中，宜為光學調整層從透明塑膠基材側依次層疊中折射率層、高折射率層及低折射率層，中折射率層是折射率為1.4以上且小於1.7、比低折射率層之折射率高且比高折射率層之折射率低的層，高折射率層之折射率為1.6以上且小於2，低折射率層為折射率為1.3以上且小於1.6。
通過如此如此構成，能夠使由透明導電性膜之折射率及透明塑膠薄 膜基材之折射率之差引起的透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
另外，本發明之透明導電性薄膜中，宜為上述中折射率層之厚度為50~5000nm，高折射率層之厚度為20~130nm，低折射率層之厚度為10~150nm。
通過如此構成，能夠使由透明導電性膜之折射率及透明塑膠薄膜基材之折射率之差引起的透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
另外，本發明之透明導電性薄膜中，宜為透明導電性膜由銦錫氧化物(以下，有時稱為“ITO”)構成，並且在光學調整層上形成圖案狀而成。
如此構成的情況下，通過實施退火處理，通常容易辨識出透明導電性膜之圖案形狀，若係若係本發明之透明導電性薄膜時，則能夠使透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
另外，本發明之透明導電性薄膜中，宜為透明導電性膜之厚度為5~500nm。
如此構成的情況下，通過實施退火處理，通常透明導電性膜之圖案形狀變得明顯，若係本發明之透明導電性薄膜時，能夠使透明導電性膜之圖案形狀難以被辨識出。
1‧‧‧透明導電性膜
2‧‧‧光學調整層
2a‧‧‧低折射率層
2b‧‧‧高折射率層
2c‧‧‧中折射率層
3‧‧‧透明塑膠薄膜基材
10‧‧‧透明導電性薄膜
圖1係用於對本發明之透明導電性薄膜進行說明的圖。
圖2a~2c係用於對透明塑膠薄膜基材之T1方向及T2方向進行說明的圖。
圖3係用於對T1/L與退火處理後的透明導電性膜之圖案的可視性之 關係進行說明的圖。
圖4係用於對T2/L與退火處理後的透明導電性膜之圖案的可視性之關係進行說明的圖。
本發明之實施方式，如圖1所示，透明導電性薄膜10之特徵在於，是在透明塑膠薄膜基材3之至少一面依次層疊光學調整層2及透明導電性膜1而成的透明導電性薄膜10，透明塑膠薄膜3在150℃下加熱1小時的透明塑膠薄膜基材3之與主定向軸正交的方向之熱收縮率為T1(%)、透明塑膠薄膜基材3之與主定向軸平行的方向之熱收縮率為T2(%)、透明塑膠薄膜基材3之厚度為L(μm)時，滿足下述關係式(1)及(2)。
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)
以下，適當地參照附圖對本發明之實施方式進行具體說明。
1.透明塑膠薄膜基材
(1)種類
作為透明塑膠薄膜基材的種類，沒有特別限制，可以使用作為光學用基材公知的透明塑膠薄膜基材。
例如，可以優選地舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、玻璃紙、二乙醯纖維素薄膜、三乙醯纖維素薄膜、乙酸丁酸纖維素薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚偏二氯乙烯薄膜、聚乙烯醇薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚碸薄膜、聚醚醚酮薄膜、聚醚碸薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜、聚醯胺薄膜、丙烯酸樹脂薄膜、降冰片烯系樹 脂薄膜、環烯烴樹脂薄膜等塑膠薄膜。
另外，其中，從耐熱性的觀點出發，更優選為聚酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、降冰片烯系樹脂薄膜、環烯烴樹脂薄膜。
另外，從透明性和兼具薄膜強度與柔軟性的觀點出發，特別優選為PET薄膜。
(2)關係式
首先，在說明本發明的關係式(1)和(2)之前，對透明導電性膜的圖案因退火處理而容易被辨識出的現象摻雜推測進行說明。
對因退火處理而被辨識出的圖案部分等通過電子顯微鏡進行觀察時，確認退火處理後的圖案部分比退火處理前有一些突起。推斷正是這些突起是退火處理後圖案形狀容易被識別的原因。
另外，如此的透明導電性膜的圖案部分突起的原因，推斷是由於已圖案化的透明導電性膜經退火處理也不發生形狀變化，另一方面，光學調整層和透明塑膠薄膜基材因退火處理而發生熱收縮，因此作為結果，只是圖案部分突起。
即，推斷起因於透明導電性膜的圖案因退火處理而容易被辨識出的現象是因為透明導電性膜和其他層的熱收縮行為不同，因此在透明導電性膜的存在圖案的部分和不存在圖案的部分產生形變。
接下來，接受上述推斷，以下根據各種研究對本發明的關係式(1)和(2)的原委進行說明。
根據上述推斷，期待通過使用熱收縮率小的透明塑膠薄膜基材，能夠抑制光學調整層和透明塑膠薄膜基材的熱收縮，進而，能夠使退火處理後的透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
然而，即便在使用以MD方向和TD方向為基準的熱收縮率小的透明塑膠薄膜基材的情況下，也無法使退火處理後的透明導電性膜的圖案形狀穩定而難以被辨識出。
對該現象進行了深入研究，結果發現通過使用不以MD方向和TD方向而以定向軸為基準顯示規定的熱收縮率的透明塑膠薄膜基材，能夠使退火處理後的透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
具體說明，如圖2a所示，MD方向和TD方向是根據製成寬1000~1500mm左右的大的薄膜時的條件得到的資訊。
另一方面，手機等的小型電子設備中使用的觸摸面板用的小的透明導電性薄膜的基材是從該大的薄膜切出多個薄膜。
因此，如圖2b所示，在薄膜的中央部分切出的透明塑膠薄膜基材，以及，如圖2c所示，在邊緣部分切出的透明塑膠薄膜基材，定向軸的方向有很大不同，熱收縮率不顯示與MD方向和TD方向對應的行為，而顯示與定向軸對應的行為。
因此，可知對透明塑膠薄膜基材而言，需要選擇不是MD方向和TD方向而是定向軸向和其垂直方向的熱收縮率為規定值內的透明塑膠薄膜基材。
然而，即便在使用以定向軸為基準的熱收縮率低的透明塑膠薄膜基材的情況下，仍然出現有時無法使退火處理後的透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出的問題。
各種研究的結果，得出以下推斷：對於退火處理後的透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出的現象，透明塑膠薄膜基材的厚度也給予影響。
即，確認通過增厚透明塑膠薄膜基材的厚度能夠防止退火處理後的透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出的趨勢。對於該現象，推斷利用透明塑膠薄膜基材的厚度能夠吸收熱收縮引起的形變，進而，能夠使退火處理後的透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
根據以上的推斷和研究的結果，通過考慮以透明塑膠薄膜基材的定向軸為基準的熱收縮率和厚度這兩方面，發現了穩定地得到薄膜構成簡單，另一方面，即便實施退火處理時，也辨識出難以辨識出透明導電性膜的圖案形狀的透明導電性薄膜的條件。
以下，進一步說明其詳細內容。
即，本發明的透明塑膠薄膜基材的特徵在於，150℃下加熱1小時時的透明塑膠薄膜基材的與主定向軸正交的方向的熱收縮率為T1(%)、透明塑膠薄膜基材的厚度為L(μm)時，滿足下述關係式(1)。
T1/L<0.0045 (1)
另外，從更有效地防止透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出的觀點出發，本發明的透明塑膠薄膜在150℃下加熱1小時時的透明塑膠薄膜基材的與主定向軸正交的方向的熱收縮率為T1(%)、透明塑膠薄膜基材的厚度為L(μm)時，更優選滿足下述關係式(1’)，進一步優選滿足下述關係式(1”)。
T1/L<0.0040 (1’)
T1/L<0.0035 (1”)
另外，本發明的透明塑膠薄膜基材的特徵在於，150℃下加熱1小時時的透明塑膠薄膜基材的與主定向軸平行的方向的熱收縮率為T2(%)、透明塑膠薄膜基材的厚度為L(μm)時，滿足下述關係式(2)。
T2/L<0.0035 (2)
另外，從使透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出的觀點出發，本發明的透明塑膠薄膜在150℃下加熱1小時時的透明塑膠薄膜基材的與主定向軸平行的方向的熱收縮率為T2(%)、透明塑膠薄膜基材的厚度為L(μm)時，更優選滿足下述關係式(2’)，進一步優選滿足下述關係式(2”)。
T2/L<0.0025 (2’)
T2/L<0.0020 (2”)
(3)熱收縮率
另外，優選透明塑膠薄膜基材的與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)為0~0.5%。
該原因是因為通過使熱收縮率(T1)為上述範圍內的值，即便實施退火處理時，也能夠更有效地抑制透明導電性膜和其下層的光學調整層的邊界部分的形變的產生，使透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
因此，透明塑膠薄膜基材的與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)更優選為0~0.4%，進一步優選為0~0.2%。
另外，優選透明塑膠薄膜基材的與主定向軸平行的方向的熱收縮率(T2)為0~0.4%。
該原因是因為通過使熱收縮率(T2)為上述範圍內的值，即便實施退火處理時，也能夠更有效地抑制透明導電性膜和其下層的光學調整層的邊界部分的形變的產生，使透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
因此，透明塑膠薄膜的與主定向軸平行的方向的熱收縮率(T2)更優選為0~0.3%，進一步優選為0~0.2%。
(4)厚度
另外，雖然需要考慮以上述的定向軸為基準的各方向的熱收縮率的影響，但透明塑膠薄膜基材的厚度(L)優選為25~200μm。
該原因是因為通過使透明塑膠薄膜基材的厚度(L)為上述範圍內的值，即便實施退火處理時，也能夠更有效地抑制透明導電性膜和其下層的光學調整層的邊界部分的形變的產生。
即，這是因為如果透明塑膠薄膜基材的厚度(L)為小於25μm的值，則透明塑膠薄膜基材的強度降低，因此，有時無法有效地抑制光學調整層中的透明導電性膜的存在部分和非存在部分的退火處理時的形變的產生。另一方面，是因為如果透明塑膠薄膜基材的厚度(L)為大於200μm的值，則有時透明導電性薄膜的透明性等光學特性惡化。
因此，透明塑膠薄膜基材的厚度(L)更優選為30~180μm，進一步優選為50~150μm。
應予說明，從進一步提高定向軸的直線性的觀點出發，本發明中使用的透明塑膠薄膜基材的表面的1邊的長度優選為30cm以下，更優選為20cm以下，進一步優選為15cm以下。
(5)折射率
另外，從即便在退火處理前也有效地抑制透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出的觀點出發，透明塑膠薄膜基材的折射率優選為1.45~1.70。
因此，透明塑膠薄膜基材的折射率更優選為1.50~1.70，進一步優選為1.55~1.65。
應予說明，出於提高透明塑膠薄膜基材與設置於其表面的層的密合性的目的，根據需要優選在其單面或者兩面利用氧化法、凹凸化法等實施表面處理或者實施等離子體處理。
另外，作為上述氧化法，例如，可以舉出電暈放電處理、鉻酸處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧．紫外線照射處理等，作為凹凸化法，例如，可以舉出噴砂法、溶劑處理法等。
2.光學調整層
本發明的透明導電性薄膜的特徵在於，在透明導電性膜和透明塑膠 薄膜基材之間設置光學調整層。
該原因是因為通過設置上述光學調整層，能夠使由透明導電性膜的折射率和透明塑膠薄膜基材的折射率之差引起的透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
另外，光學調整層優選從透明塑膠薄膜基材側依次層疊折射率相對高的高折射率層、折射率相對低的低折射率層而成。
並且，如圖1所示，光學調整層特別優選從透明塑膠薄膜基材側依次層疊折射率為低折射率層2a和高折射率層2b的折射率之間的值的中折射率層2c、折射率相對高的高折射率層2b、折射率相對低的低折射率層2a而成。
該原因是因為通過使光學調整層2成為如此的層疊結構，能夠使由透明導電性膜1的折射率和透明塑膠薄膜基材3的折射率之差引起的透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
以下，對構成光學調整層的中折射率層、高折射率層和低折射率層分別進行說明。
(1)中折射率層
(1)-1折射率
中折射率層的折射率比低折射率層的折射率高且比高折射率層的折射率低，進而優選折射率為1.4以上且小於1.7。
該原因是因為如果中折射率層的折射率為小於1.4的值，則有時透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出。另一方面，即便中折射率層的折射率為1.7以上的值，有時透明導電性膜的圖案形狀也容易被辨識出。
因此，中折射率層的折射率更優選為1.43以上且小於1.65，進一步優選為1.45以上且小於1.6。
(1)-2厚度
另外，中折射率層的厚度優選為50~5000nm。
該原因是因為如果中折射率層的厚度為小於50nm的值，則有時中折射率層的膜變脆，無法維持層的形狀。另一方面，如果中折射率層的厚度為超過5000nm的值，則有時透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出。
因此，中折射率層的厚度更優選為100~4000nm，進一步優選為120~200nm。
(1)-3材料物質
另外，優選中折射率層由含有二氧化矽微粒和活性能量線固化性樹脂的組合物的固化物構成。
該原因是因為通過含有二氧化矽微粒能夠賦予抗黏連性，因此不但能夠期待捲繞性的提高，而且能夠提高中折射率層與作為其上層的高折射率層的密合性，牢固地層疊。
(i)活性能量線固化樹脂
另外，中折射率層的形成中使用的活性能量線固化性樹脂是指通過照射在電磁波或者帶電粒子束中具有能量子的活性能量線，即，紫外線或者電子束等而交聯、固化的聚合性化合物，例如，可以舉出光聚合性預聚物、光聚合性單體。
另外，上述光聚合性預聚物中有自由基聚合型和陽離子聚合型，作為自由基聚合型的光聚合性預聚物，可舉出聚酯丙烯酸酯系、環氧丙烯酸酯系、氨基甲酸酯丙烯酸酯系、多元醇丙烯酸酯系等。
另外，作為聚酯丙烯酸酯系預聚物，例如，可舉出通過用(甲基)丙烯酸對由多元羧酸和多元醇縮合得到的在兩末端具有羥基的聚酯低聚物的羥基進行酯化、或者用(甲基)丙烯酸對多元羧酸加成烯化氧得到的低聚物的末端的羥基進行酯化而得到的化合物。
另外，作為環氧丙烯酸酯系預聚物，例如，可舉出通過用(甲基)丙烯酸對較低分子量的雙酚型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂的環氧環進行酯化而得到的化合物。
另外，作為氨基甲酸酯丙烯酸酯系預聚物，例如，可舉出通過用(甲基)丙烯酸對由聚醚多元醇、聚酯多元醇和聚異氰酸酯的反應得到的聚氨基甲酸酯低聚物進行酯化而得到的化合物。
並且，作為多元醇丙烯酸酯系預聚物，可舉出通過將聚醚多元醇的羥基用(甲基)丙烯酸進行酯化而得到的化合物。
應予說明，這些聚合性預聚物可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。
另一方面，作為陽離子聚合型的光聚合性預聚物，通常使用環氧系樹脂。
作為上述環氧樹脂，例如，可舉出用環氧氯丙烷等對雙酚樹脂、酚醛清漆樹脂等多元醇類進行環氧化得到的化合物，用過氧化物等對直鏈狀烯烴化合物、環狀烯烴化合物進行氧化得到的化合物等。
另外，作為光聚合性單體，例如，可舉出1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯、羥基新戊酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊基二(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二環戊烯基二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸酯 二(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、丙酸改性二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯。
應予說明，這些光聚合性單體可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。
(ii)光聚合引發劑
另外，從使活性能量線固化性樹脂高效地固化的觀點出發，優選根據需要並用光聚合引發劑。
作為上述光聚合引發劑，對於自由基聚合型的光聚合性預聚物、光聚合性單體，例如，可舉出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻正丁醚、苯偶姻異丁醚、苯乙酮、二甲基氨基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代-丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-2(羥基-2-丙基)酮、二苯甲酮、對苯基二苯甲酮、4,4’-二乙基氨基二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、2-氨基蒽醌、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苯偶醯二甲基縮酮、苯乙酮二甲基縮酮、對二甲基胺苯甲酸酯等。
另外，作為對於陽離子聚合型的光聚合性預聚物的光聚合引發劑，例如，可舉出芳香族鋶離子、芳香族羰基鋶離子、芳香族碘鎓離子等鎓和四氟硼酸鹽、六氟磷酸鹽、六氟銻酸鹽、六氟砷酸鹽等陰離子構成的化合物等。
應予說明，它們可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。
另外，作為光聚合引發劑的配合量，相對上述活性能量線固化性樹 脂100重量份，優選為0.2~10重量份的範圍內的值，更優選為1~5重量份的範圍內的值。
(iii)二氧化矽微粒
另外，作為二氧化矽微粒，可以使用含有聚合性不飽和基團的有機化合物所鍵合的二氧化矽微粒，或者，不具有如此的含有聚合性不飽和基團的有機化合物的通常的膠體二氧化矽微粒。
另外，作為含有聚合性不飽和基團的有機化合物所鍵合的二氧化矽微粒，可舉出通過使平均粒徑為0.005~1μm左右的二氧化矽微粒的表面的矽烷醇基與具有可與該矽烷醇基反應的官能團的含有聚合性不飽和基團的有機化合物反應而得到的二氧化矽微粒。
應予說明，作為上述聚合性不飽和基團，例如，可舉出自由基聚合性的丙烯醯基、甲基丙烯醯基等。
另外，作為不具有含有聚合性不飽和基團的有機化合物的通常的膠體二氧化矽微粒，優選使用平均粒徑為0.005~1μm左右、優選為0.01~0.2μm左右的二氧化矽微粒在醇系、溶纖劑系的有機溶劑中以膠體狀態懸濁而成的膠體二氧化矽。
應予說明，二氧化矽微粒的平均粒徑，例如，可以通過Zeta電位測定法求得。
另外，作為二氧化矽微粒的配合量，相對於活性能量線固化性樹脂100重量份，優選為5~400重量份，更優選為20~150重量份，進一步優選為30~100重量份。
(1)-4中折射率層形成用的組合物
另外，中折射率層優選通過預先製備中折射率層形成用的組合物，如後所述進行塗佈．乾燥、固化來形成。
該組合物可以通過如下方式製備：根據需要，在適當的溶劑中按各 自規定的比例添加活性能量線固化性樹脂、光聚合引發劑、二氧化矽微粒、以及根據希望使用的各種添加成份，使其溶解或者分散。
應予說明，作為各種添加成份，例如，可舉出抗氧化劑、紫外線吸收劑、(近)紅外線吸收劑、矽烷系偶聯劑、光穩定劑、流平劑、抗靜電劑、消泡劑等。
另外，作為使用的溶劑，例如，可舉出己烷、庚烷等脂肪族烴，甲苯、二甲苯等芳香族烴，二氯甲烷、二氯乙烷等鹵代烴，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇，丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、異佛爾酮、環己酮等酮，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯，乙基溶纖劑等溶纖劑系溶劑等。
作為如此製備的中折射率層形成用的組合物的濃度、黏度，只要是能夠塗覆，就沒有特別限定，可以根據情況適當地選擇。
因此，通常，從容易將得到的中折射率層的膜厚調整在規定的範圍的觀點出發，優選以固體成份濃度0.05~10重量%的方式進行稀釋，更優選以成為0.1~8重量%的方式進行稀釋。
(2)高折射率層
(2)-1折射率
高折射率層的折射率優選為1.6以上且小於2。
該原因是因為如果高折射率層的折射率為小於1.6的值，則有時得不到與低折射率層的顯著的折射率差，透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出。另一方面，如果高折射率層的折射率為2以上的值，則有時高折射率層的膜變脆。
因此，高折射率層的折射率更優選為1.6以上且小於1.9，進一步優選為1.6以上且小於1.8。
(2)-2厚度
另外，高折射率層的厚度優選為20~130nm。
該原因是因為如果高折射率層的厚度為小於20nm的值，則有時高折射率層的膜變脆，無法維持層的形狀。另一方面，如果高折射率層的厚度為超過130nm的值，則有時透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出。
因此，高折射率層的厚度更優選為23~120nm，進一步優選為30~110nm。
(2)-3材料物質
另外，優選高折射率層由含有金屬氧化物微粒和活性能量線固化性樹脂組合物的固化物構成。
該原因是因為通過含有金屬氧化物微粒，從而高折射率層的折射率的調整變得容易。
另外，金屬氧化物的種類，優選地舉出氧化鉭、氧化鋅、氧化銦、氧化鉿、氧化鈰、氧化錫、氧化鈮、銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)等。
另外，從在不降低透明性的情況下實現高折射率化的觀點出發，特別優選選自氧化鈦和氧化鋯中的至少1種。
應予說明，這些金屬氧化物可以單獨使用1種，也可以並用2種以上。
另外，優選使金屬氧化物微粒的平均粒徑為0.005μm~1μm的範圍內的值。
應予說明，金屬氧化物微粒的平均粒徑例如可以通過使用Zeta電位測定法的測定法求得。
另外，作為高折射率層中使用的活性能量線固化性樹脂和光聚合引 發劑，可以適當地使用中折射率層的說明中列舉的物質。
另外，作為金屬氧化物微粒的配合量，相對於活性能量線固化性樹脂100重量份，優選為20~2000重量份，更優選為80~1000重量份，進一步優選為150~400重量份。
(2)-4高折射率層形成用的組合物
另外，高折射率層優選通過預先製備高折射率層形成用的組合物，如後所述進行塗佈．乾燥、固化來形成。
該組合物可以如下製備：根據需要在適當的溶劑中按各自規定的比例添加活性能量線固化性樹脂、光聚合引發劑、金屬氧化物微粒、以及根據希望使用的各種添加成份，使其溶解或者分散。
應予說明，對於各種添加成份、溶劑、高折射率層形成用的組合物的濃度、黏度等，與中折射率層的說明中的內容相同。
(3)低折射率層
(3)-1折射率
低折射率層的折射率優選為1.3以上且小於1.6。
該原因是因為如果低折射率層的折射率為小於1.3的值，則有時低折射率層的膜變脆。另一方面，如果低折射率層的折射率為1.6以上的值，則有時得不到與高折射率層的顯著的折射率差，透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出。
因此，低折射率層的折射率更優選為1.3以上且小於1.5，進一步優選為1.3以上且小於1.45。
(3)-2厚度
另外，低折射率層的厚度優選為10~150nm。
該原因是因為如果低折射率層的厚度為小於10nm的值，則有時低折射率層的膜變脆，無法維持層的形狀。另一方面，如果低折射率層的厚度為超過150nm的值，則有時透明導電性膜的圖案形狀容易被辨識出。
因此，低折射率層的厚度更優選為15~135nm，進一步優選為20~120nm。
(3)-3材料物質
另外，低折射率層優選由含有二氧化矽微粒和活性能量線固化性樹脂的組合物的固化物構成。
該原因是因為通過含有二氧化矽微粒，不但能夠使低折射率層的折射率的調整變得容易，而且能夠提高低折射率層與作為其上層的透明導電性膜、作為其下層的高折射率層的密合性，牢固地層疊。
另外，作為二氧化矽微粒，優選為中空二氧化矽微粒或者多孔二氧化矽微粒。
該原因是因為若係中空二氧化矽微粒或者多孔二氧化矽微粒，則能夠更有效地使低折射率層的折射率降低到規定的範圍內。
並且，為了發揮作為低折射率層的效果，優選二氧化矽微粒的平均粒徑為1μm以下，優選為10~100nm的範圍內的值。
應予說明，二氧化矽微粒的平均粒徑例如可以通過Zeta電位測定法求得。
另外，作為二氧化矽微粒的配合量，相對於上述活性能量線固化性樹脂100重量份，優選為50~500重量份，更優選為80~300重量份，進一步優選為100~250重量份。
(3)-4低折射率層形成用的組合物
另外，低折射率層優選通過預先製備低折射率層形成用的組合物，如後所述進行塗佈．乾燥、固化來形成。
該組合物可以通過以下方式製備：根據需要在適當的溶劑中按各自規定的比例添加上述的活性能量線固化性樹脂、光聚合引發劑、二氧化矽微粒、以及根據希望使用的各種添加成份，使其溶解或者分散。
應予說明，對於各種添加成份、溶劑、低折射率層形成用的組合物的濃度、黏度等，與中折射率層的說明中的內容相同。
3.透明導電性膜
(1)材料物質
本發明的透明導電性薄膜中，作為層疊於光學調整層上的透明導電性膜的材料物質，只要是兼具透明性和導電性就沒有特別限定，例如，可舉出氧化銦、氧化鋅、氧化錫、銦錫氧化物(ITO)、錫銻氧化物、鋅鋁氧化物、銦鋅氧化物等。
另外，作為材料物質，特別優選使用ITO。
該原因是因為若係ITO，則通過採用適當的制膜條件能夠形成透明性和導電性優異的透明導電性膜。
(2)厚度
另外，透明導電性膜的厚度優選為5~500nm。
該原因是因為如果透明導電性膜的厚度為小於5nm的值，則有時不但透明導電性膜變脆，而且得不到充分的導電性。另一方面，如果透明導電性膜的厚度為超過500nm的值，則有時透明導電性膜引起的顏色變深，圖案形狀容易被識別。
因此，透明導電性膜的厚度更優選為15~250nm，進一步優選為20 ~100nm。
(3)圖案形狀
另外，透明導電性膜優選在光學調整層上形成為線狀或格子狀的圖案形狀。
另外，優選上述圖案形狀的存在透明導電性膜的部分的線寬和不存在透明導電性膜的部分的線寬大致相等。
並且，該線寬通常為0.1~10mm，優選為0.2~5mm，特別優選為0.5~2mm。
應予說明，不限於上述線狀或格子狀的線寬是一定的情況，例如，可以自由選擇與靜電電容式的觸摸面板所要求的形狀相連的線寬。
具體而言，可舉出菱形部分和線部反復相連而成的的圖案形狀等，如此的圖案形狀也包含在“線狀”的範疇中。
應予說明，如此形成透明導電性膜時，通過實施退火處理，通常透明導電性膜的圖案形狀變得明顯，若係本發明的透明導電性薄膜，則能夠使透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
4.透明導電性薄膜的製造方法
本發明的透明導電性薄膜可以通過包含下述步驟(a)~(c)的製造方法得到。
(a)準備透明塑膠薄膜基材的步驟，所述透明塑膠薄膜基材在150℃下加熱1小時時的透明塑膠薄膜基材的與主定向軸正交的方向的熱收縮率為T1(%)、透明塑膠薄膜基材的與主定向軸平行的方向的熱收縮率為T2(%)、透明塑膠薄膜基材的厚度為L(μm)時，滿足下述關係式(1)和(2)
(b)在透明塑膠薄膜基材的單面形成光學調整層的步驟
(c)在得到的光學調整層上形成透明導電性膜的步驟
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)
以下，省略與到此為止的內容重複的部分，只詳述不同部分。
應予說明，對於光學調整層，作為優選的形態，以從透明塑膠基材側依次層疊中折射率層、高折射率層、低折射率層而成的構成的形式進行說明。
(1)步驟(a)：準備透明塑膠薄膜基材的步驟
準備透明塑膠薄膜基材，所述透明塑膠薄膜基材在150℃下加熱1小時時的透明塑膠薄膜基材的與主定向軸正交的方向的熱收縮率為T1(%)、透明塑膠薄膜基材的與主定向軸平行的方向的熱收縮率為T2(%)、透明塑膠薄膜基材的厚度為L(μm)時，滿足下述關係式(1)和(2)。
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)
應予說明，透明塑膠薄膜基材的詳細內容已經說明，所以省略。
(2)步驟(b)：形成光學調整層的步驟
在滿足關係式(1)和(2)的透明塑膠薄膜基材的單面，根據希望用以往公知的方法塗佈上述中折射率層形成用的組合物並形成塗膜後，乾燥，對其照射活性能量線使塗膜固化，由此形成中折射率層。
另外，作為中折射率層形成用的組合物的塗佈方法，例如，可舉出棒塗法、刮板塗法、輥塗法、刮刀塗佈法、模塗法、凹版塗佈法等。
另外，作為乾燥條件，優選60~150℃下進行10秒~10分鐘左右。
並且，作為活性能量線，例如，可舉出紫外線、電子束等。
另外，作為紫外線的光源，可舉出高壓汞燈、無極燈，金屬鹵化物燈、氙燈等，其照射量通常優選為100~500mJ/cm2。
另一方面，作為電子束的光源，可舉出電子束加速器等，其照射量通常優選為150~350kV。
接著，在形成的中折射率層上形成(不形成中折射率層的情況下，直接在透明塑膠薄膜基材上形成)高折射率層。
即，高折射率層與在透明塑膠薄膜基材上形成中折射率層的情況相同，可以通過塗佈．乾燥上述高折射率層形成用的組合物，並且照射活性能量線使其固化來形成。
接著，在形成的高折射率層上進一步形成低折射率層。
即，低折射率層與在透明塑膠薄膜基材上形成中折射率層的情況相同，可以通過塗佈．乾燥上述低折射率層形成用的組合物，並且照射活性能量線使其固化來形成。
(3)步驟(c)：形成透明導電性膜的步驟
對步驟(b)中得到的光學調整層，可以通過利用真空蒸鍍法、濺射法、CVD法、離子鍍法、噴霧法、溶膠-凝膠法等公知的方法形成透明導電性膜，從而得到透明導電性薄膜。
另外，作為濺射法，可舉出使用化合物的通常的濺射法，或者使用金屬靶的反應性濺射法等。
此時，作為反應性氣體，優選導入氧、氮、水蒸氣等或並用臭氧添加、離子輔助等。
另外，對於透明導電性膜，可以通過像上述那樣制膜後，利用光刻 法形成規定的圖案的抗蝕掩模後，利用公知的方法實施蝕刻處理，形成線狀的圖案等。
應予說明，作為蝕刻液，優選地舉出鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸等酸的水溶液等。
(4)退火步驟
另外，為了提高透明導電性膜的結晶性，降低電阻率，優選設置退火步驟進行規定的退火處理。
即，優選將得到的透明導電性薄膜在130~180℃的溫度條件下暴露0.5~2小時。
應予說明，一般而言，通過進行上述退火處理，出現在透明導電性膜和其下層的底塗層的邊界部分產生形變，因此透明導電性膜的圖案形狀容易辨識出的問題。
對於這點，若係本發明的透明導電性薄膜，則能夠抑制如此的形變的產生，進而使透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
實施例
以下，參照實施例進一步詳細說明本發明的透明導電性薄膜。
[實施例1]
1.中折射率層形成用的組合物的製備
在容器內，將100重量份的作為活性能量線固化性樹脂的含有反應性二氧化矽微粒的硬塗劑(JSR株式會社製，OPSTAR Z7530，固體成份濃度73重量%，液體成份：甲基乙基酮)、3.7重量份的光引發劑(BASF株式會社製，IRGACURE 907，固體成份濃度：100重量%)、0.1重量份的流平劑(BYK Chemie株式會社製，BYK-355，固體成份濃度：52重量 %，液體成份：乙酸丙二醇單甲基醚酯)，1350重量份的作為稀釋溶劑的丙二醇單甲醚收容後，均勻混合，製備固體成份濃度：約5.3重量%的中折射率層形成用的組合物。
應予說明，含有反應性二氧化矽微粒的硬塗劑(JSR株式會社製，OPSTAR Z7530，液體成份：甲基乙基酮)的組成如下。
2.高折射率層形成用的組合物的製備
在容器內，將100重量份的作為活性能量線固化性樹脂的高折射率塗佈劑(Atomix株式會社製，AtomcompobridHUV SRZ100，含有作為高折射率劑的奈米尺寸的氧化鋯微粒，固體成份濃度：30重量%，液體成份：2-丁酮)、0.9重量份的光引發劑(BASF株式會社製，IRGACURE 907，固體成份濃度100重量%)、0.03重量份的流平劑(BYK Chemie株式會社製，BYK-355，固體成份濃度：52重量%，液體成份：乙酸丙二醇單甲基醚酯)、1492.5重量份的作為稀釋溶劑的甲基異丁基酮、1492.5重量份的環己酮收容後，均勻混合，製備固體成份濃度：1重量%的高折射率層形成用的組合物。
3.低折射率層形成用的組合物的製備
在容器內，將100重量份的作為活性能量線固化性樹脂的硬塗劑(荒川化學工業株式會社製，BEAMSET 575CB，固體成份濃度：100重量%)、488重量份的中空二氧化矽溶膠(日揮觸媒化成株式會社製，Sururia4320，平均粒徑50nm，固體成份濃度：20重量%)、0.9重量份的光引發劑(BASF株式會社製，IRGACURE 907，固體成份濃度：100重量%)、0.1重量份的流平劑(BYK Chemie株式會社製，BYK-355，固體 成份濃度：52重量%)、9700重量份的作為稀釋溶劑的甲基異丁基酮，9700重量份的環己酮收容後，均勻混合，製備固體成份濃度：1重量%的低折射率層形成用的組合物。
應予說明，硬塗劑(荒川化學工業株式會社製，BEAMSET 575CB，固體成份濃度：100重量%)的組成如下。
4.中折射率層的形成
作為透明塑膠薄膜基材，準備厚度(L)：125μm、與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)：0.43%、與主定向軸平行的方向的熱收縮率(T2)：0.05%、T1/L：0.0034%/μm、T2/L：0.0004%/μm的PET薄膜。
接著，在準備好的PET薄膜的表面用線棒#4塗敷中折射率層形成用的組合物。
應予說明，主定向軸的方向使用相位差測定裝置(王子計測機器株式會社製，KOBRA-WR)測定。
另外，T1和T2通過比較150℃下加熱基材1小時前後的各方向的長度來計算。
接著，用70℃的烘箱乾燥1分鐘後，在氮氣氛下使用高壓汞燈照射200mJ/cm2的紫外線，在PET薄膜的表面形成了厚度150nm、折射率1.49的中折射率層。
5.高折射率層的形成
接著，在形成的中折射率層上用線棒#4塗敷高折射率層形成用的組合物。
接著，用70℃的烘箱乾燥1分鐘後，在氮氣氛下使用高壓汞燈照射 200mJ/cm2的紫外線，在中折射率層上形成了厚度23nm、折射率1.87的高折射率層。
6.低折射率層的形成
接著，在形成的高折射率層上用線棒#4塗敷低折射率層形成用的組合物。
接著，用70℃的烘箱乾燥1分鐘後，在氮氣氛下使用高壓汞燈照射200mJ/cm2的紫外線，在高折射率層上形成了厚度74nm、折射率1.39的低折射率層，在PET薄膜上形成了3層結構的光學調整層。
7.透明導電性膜的形成
接著，將形成了光學調整層的PET薄膜切成縱90mm×橫90mm後，使用ITO靶(氧化錫10重量%，氧化銦90重量%)進行濺射，在光學調整層上的中央部形成縱60mm×橫60mm的正方形、厚度30nm的透明導電性膜。
接著，在得到的透明導電性膜的表面上形成圖案化為格子狀的光致抗蝕劑膜。
接著，室溫下，通過在10重量%的鹽酸中浸漬1分鐘進行蝕刻處理後，除去光致抗蝕劑膜，得到具有圖案化的透明導電性膜的透明導電性薄膜。
該透明導電性薄膜在光學調整層上的整面上具有透明導電性膜，該透明導電性膜具有1邊2mm的正方形的空隙由線寬2mm的透明導電性的線部被劃分成格子狀的圖案形狀、厚度30nm。
8.評價
對得到的具有圖案化的透明導電性膜的透明導電性薄膜進行加熱 時，在圖案化的透明導電性膜和光學調整層的邊界部分是否辨識出形變進行評價。
即，將得到的透明導電性薄膜用各自設定為150℃的烘箱加熱1小時後，在反射光下，目視觀察在透明導電性膜和光學調整層的邊界部分是否產生形變。
更具體而言，將透明導電性薄膜設置於距白色螢光燈1m的位置，在白色螢光燈映入透明導電性薄膜的狀態下，在與設置白色螢光燈的一側同一側的距透明導電性薄膜30cm的位置，目視觀察是否產生形變。
而且，根據下述判定基準對得到的觀察結果進行評價。將得到的結果示於表1。
應予說明，作為實際的透明導電性薄膜的使用形態，一般是通過使2張具有圖案化為線狀的透明導電性膜的透明導電性薄膜旋轉90°進行配置而形成格子狀的圖案，本評價中，為了簡化，使1張透明導電性薄膜中的透明導電性膜形成格子狀圖案進行評價。
○：在反射光下，看不出透明導電性膜的圖案。
×：在反射光下，辨識出透明導電性膜的圖案。
[實施例2]
實施例2中，作為透明塑膠薄膜基材，使用厚度(L)：125μm、與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)：0.21%、與主定向軸平行的方向的熱收縮率(T2)：0.24%、T1/L：0.0016%/μm、T2/L：0.0019%/μm的PET薄膜，除此之外，與實施例1相同地製造透明導電性薄膜，並進行評價。將得到的結果示於表1。
[實施例3]
實施例3中，作為透明塑膠薄膜基材，使用厚度(L)：50μm、與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)：0.19%、與主定向軸平行的方向 的熱收縮率(T2)：0.15%，T1/L：0.0038%/μm，T2/L：0.003%/μm的PET薄膜，除此之外，與實施例1相同地製造透明導電性薄膜，並進行評價。將得到的結果示於表1。
[比較例1]
比較例1中，作為透明塑膠薄膜基材，使用厚度(L)：125μm、與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)：0.76%，與主定向軸平行的方向的熱收縮率(T2)：0.84%、T1/L：0.0061%/μm、T2/L：0.0067%/μm的PET薄膜，除此之外，與實施例1相同地製造透明導電性薄膜，並進行評價。將得到的結果示於表1。
[比較例2]
比較例2中，作為透明塑膠薄膜基材，使用厚度(L)：125μm、與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)：0.6%、與主定向軸平行的方向的熱收縮率(T2)：0.44%、T1/L：0.0048%/μm、T2/L：0.0035%/μm的PET薄膜，除此之外，與實施例1相同地製造透明導電性薄膜，並進行評價。將得到的結果示於表1。
[比較例3]
比較例3中，作為透明塑膠薄膜基材，使用厚度(L)：50μm、與主定向軸正交的方向的熱收縮率(T1)：0.8%、與主定向軸平行的方向的熱收縮率(T2)：0.57%、T1/L：0.016%/μm、T2/L：0.0114%/μm的PET薄膜，除此之外，與實施例1相同地製造透明導電性薄膜，並進行評價。將得到的結果示於表1。
表1
另外，如圖3所示，對於T1/L(%/μm)和透明導電性膜的圖案的可視性的關係，根據實施例1~3和比較例1~3的結果作成散點圖進行驗證。
即，圖3中示出了採用T1/L(%/μm)為橫軸，採用透明導電性膜的圖案的可視性的相對評價值(-)為縱軸的散點圖。
應予說明，透明導電性膜的圖案的可視性的相對值如下進行設定。
相對值5：在反射光下，看不出透明導電性膜的圖案。
相對值1：在反射光下，辨識出透明導電性膜的圖案。
由上述散點圖可理解，能夠確認T1/L(%/μm)的值和透明導電性膜的圖案的可視性(-)之間存在明確的相關關係。
即，可以確認存在T1/L(%/μm)的值為小於0.0045時，透明導電性膜的圖案辨識出難以辨識出，另一方面，T1/L(%/μm)的值為0.0045以上時，透明導電性膜的圖案容易被辨識出的相關關係。
另外，如圖4所示，T2/L(%/μm)和透明導電性膜的圖案的可視性的關係也根據實施例1~3和比較例1~3的結果作成散點圖進行驗證。
即，圖4中示出採用以T2/L(%/μm)為橫軸、採用透明導電性膜的圖案的可視性的相對評價值(-)為縱軸的散點圖。
應予說明，透明導電性膜的圖案的可視性的相對值按與圖3中相同的基準進行設定。
由上述散點圖可以理解，能夠確認T2/L(%/μm)的值和透明導電性膜的圖案的可視性(-)之間存在明確的相關關係。
即，能夠確認存在T2/L(%/μm)的值為小於0.0035時，透明導電性膜的圖案難以被辨識出，另一方面，T2/L(%/μm)的值為0.0035以上時，透明導電性膜的圖案變得容易被辨識出的相關關係。
因此，如下的本發明的效果可通過實施例得到充分確認，即，薄膜構成簡單的規定的透明導電性薄膜中，通過滿足關係式(1)和(2)，能夠使透明導電性膜的圖案形狀難以被辨識出。
工業上的可利用性
以上，如上詳述的那樣，根據本發明，在透明塑膠薄膜基材的至少一面依次層疊光學調整層和透明導電性膜而成的透明導電性薄膜中，作為透明塑膠薄膜基材，使用以其主定向軸為基準的規定的熱收縮率滿足規定的關係式的透明塑膠薄膜基材，從而能夠得到薄膜構成簡單，另一方面，即便實施退火處理時，透明導電性膜的圖案形狀也難以被辨識出的透明導電性薄膜。
因此，可期待本發明的透明導電性薄膜顯著地有助於液晶顯示器等顯示裝置的高品質化。
1‧‧‧透明導電性膜
2‧‧‧光學調整層
2a‧‧‧低折射率層
2b‧‧‧高折射率層
2c‧‧‧中折射率層
3‧‧‧透明塑膠薄膜基材
10‧‧‧透明導電性薄膜

Claims (8)

  1. 一種靜電容量式觸摸面板用透明導電性薄膜，其係在透明塑膠薄膜基材之至少一面依次層疊光學調整層及透明導電性膜而成的透明導電性薄膜，其中將該透明塑膠薄膜在150℃下加熱1小時的該透明塑膠薄膜基材之與主定向軸正交的方向之熱收縮率設為T1(%)、該透明塑膠薄膜基材之與主定向軸平行的方向之熱收縮率設為T2(%)、該透明塑膠薄膜基材之厚度設為L時，滿足下述關係式(1)及(2)，T1/L<0.0045 (1) T2/L<0.0035 (2)其中，L之單位為μm；並且該透明塑膠薄膜基材之一邊長度為30cm以下，該透明導電性薄膜經予形成為圖案狀者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電性薄膜，其中該透明塑膠薄膜基材之與該主定向軸正交的方向之熱收縮率T1為0~0.5%。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電性薄膜，其中該透明塑膠薄膜基材之與該主定向軸平行的方向之熱收縮率T2為0~0.4%。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電性薄膜，其中該透明塑膠薄膜基材之厚度L為25~200μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電性薄膜，其中該光學調整層是從透明塑膠薄膜基材側依次層疊中折射率層、高折射率層和低折射率層而成，該中折射率層是折射率為1.4以上且小於1.7、並且比該低折射率層之折射率高且比該高折射率層之折射率 低的層，該高折射率層之折射率為16以上且小於2，該低折射率層之折射率為1.3以上且小於1.6。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的透明導電性薄膜，其中該中折射率層之厚度為50~5000nm，所述高折射率層之厚度為20~130nm，並且，所述低折射率層之厚度為10~150nm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電性薄膜，其中該透明導電性膜由銦錫氧化物構成。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電性薄膜，其中該透明導電性膜的厚度為5~500nm。
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