KR20140085291A

KR20140085291A - 투명 도전성 필름

Info

Publication number: KR20140085291A
Application number: KR1020130121119A
Authority: KR
Inventors: 데츠야 아라조에; 도모오 오루이; 사토루 쇼시
Original assignee: 린텍 가부시키가이샤
Priority date: 2012-12-27
Filing date: 2013-10-11
Publication date: 2014-07-07
Also published as: TWI619125B; JP2014124914A; CN103902096A; TW201426768A; JP5988867B2; KR102091475B1; CN103902096B

Abstract

본 발명은, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위해, 투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서, 투명 플라스틱 필름이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족한다.
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)

Description

투명 도전성 필름{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}

본 발명은, 투명 도전성 필름에 관한 것이다.

특히, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름에 관한 것이다.

종래, 화상 표시부에 직접 접촉하는 것에 의해 정보를 입력할 수 있는 터치 패널은, 광투과성의 입력 장치를 디스플레이 상에 배치하여 이루어지는 것이다.

이러한 터치 패널의 대표적인 형식으로서는, 2매의 투명 전극 기판을 각각의 투명 전극층이 마주 보도록 극간을 마련하면서 배치하여 이루어지는 저항막식 터치 패널이나, 투명 전극막과 손가락 사이에 생기는 정전 용량의 변화를 이용하는 정전 용량식 터치 패널이 존재한다.

이 중, 정전 용량식 터치 패널에서는, 손가락의 터치 위치를 검출하기 위한 센서로서, 대별하여 투명 도전성 막이 유리 기재 상에 적층되어 이루어지는 유리 센서와, 투명 도전성 막이 투명 플라스틱 필름 기재 상에 적층되어 이루어지는 필름 센서가 존재한다.

특히 필름 센서에 있어서는, 라인 상으로 패턴화된 투명 도전성 막을 구비한 투명 도전성 필름 2매를, 각각의 패턴이 서로 크로스하도록 배치하는 것에 의해, 격자상의 패턴이 형성되는 것이 많다.

그러나, 이와 같이 투명 도전성 막을 패턴화했을 경우, 패턴부와 비패턴부의 경계 부분이 시인되기 쉬워져 버려, 정전 용량식 터치 패널의 미관이 나빠진다는 문제가 나타났다.

그래서, 이러한 문제를 해결하기 위한 기술이 개시되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).

보다 구체적으로는, 투명한 필름 기재의 편면 또는 양면에 적어도 1층의 언더코팅층을 개재하여, 투명 도전체층을 갖고, 또한 투명 도전체층은 패턴화되어 있으며, 또한 투명 도전체층을 갖지 않는 비패턴부에는 적어도 1층의 언더코팅층을 갖는 투명 도전성 필름의 제조 방법으로서, 투명한 필름 기재의 편면 또는 양면에, 투명한 필름 기재로부터 제1층째의 언더코팅층을 유기물에 의해 형성하는 공정, 언더코팅층 상에, 스퍼터링법에 의해 투명 도전체층을 형성하는 공정, 및 투명 도전체층을, 에칭하여 패턴화하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조 방법이 개시되어 있다.

또한, 특허문헌 1에는, 패턴화된 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름에 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 당해 투명 도전체층을 결정화시켜, 전기 전도도를 향상시키는 것이 개시되어 있다.

일본국 특개 2011-142089호 공보(특허청구범위)

그러나, 특허문헌 1의 실시예에 개시되어 있는 투명 도전성 필름은, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(이하, 「PET 필름」이라고 하는 경우가 있다)의 한쪽 면에 2층의 언더코팅층 및 투명 도전체층이 차례로 적층됨과 함께, PET 필름의 다른 면에, 점착제층을 개재하여, 육후(肉厚)의 별도의 PET 필름에 육후의 하드코팅층이 적층되어 이루어지는 지지체를 첩합하여 이루어지는 것이었다.

그 때문에, 특허문헌 1에 기재된 투명 도전성 필름은, 층 구성이 복잡하며, 생산 비용이 높아진다는 문제를 갖고 있었다.

그래서, 본 발명자들은, 이러한 생산 비용의 문제를 해결하기 위해, 상술한 특허문헌 1의 실시예에 있어서의 투명 도전성 필름의 구성으로부터 지지체의 생략을 시험했다.

그러나, 지지체를 생략했을 경우, 어닐 처리 후, 패턴 형상이 시인되기 쉬워진다는 문제가 새롭게 발생했다.

또한, 생산 비용을 더 개선하기 위해, 어닐 처리 온도를 상승시키고, 어닐 처리 시간의 단축을 시험해 본 바, 패턴 형상이 더 시인되기 쉬워진다는 문제가 나타났다.

즉, 본 발명의 목적은 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은, 예의 검토를 거듭한 결과, 이하의 투명 도전성 필름에 의해 상술한 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 발명을 완성시켰다.

즉, 투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서, 투명 플라스틱 필름이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름이 제공되어, 상술한 문제를 해결할 수 있다.

T1/L<0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)

즉, 본 발명의 투명 도전성 필름에 의하면, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 그 주배향축을 기준으로 한 소정의 열수축률, 및 두께가 소정의 관계식을 만족하는 것을 사용하고 있다.

이에 따라, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

또한, 투명 도전성 막과, 투명 플라스틱 필름 기재 사이에, 광학 조정층을 마련하고 있으므로, 투명 도전성 막의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)이 0∼0.5%인 것이 바람직하다.

이와 같이 구성하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)이 0∼0.4%인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 25∼200㎛인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 광학 조정층이, 투명 플라스틱 기재 측에서, 중굴절률층과, 고굴절률층과, 저굴절률층을 순차로 적층되며, 중굴절률층이, 굴절률 1.4 이상 1.7 미만이며, 저굴절률층의 굴절률보다 높고, 또한, 고굴절률층의 굴절률보다 낮은 층이며, 고굴절률층이, 굴절률이 1.6 이상 2 미만이며, 저굴절률층이, 굴절률이 1.3 이상 1.6 미만인 것이 바람직하다.

이와 같이 구성하는 것에 의해, 투명 도전성 막의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 상기 중굴절률층의 두께가 50∼5000㎚이며, 고굴절률층의 두께가 20∼130㎚이며, 저굴절률층의 두께가 10∼150㎚인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 도전성 막이, 인듐주석 산화물(이하, 「ITO」라고 하는 경우가 있다)로 이루어짐과 함께, 광학 조정층 상에 패턴상으로 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다.

이와 같이 구성했을 경우, 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 통상, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지지만, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 투명 도전성 필름에서는, 투명 도전성 막의 두께가 5∼500㎚인 것이 바람직하다.

이와 같이 구성했을 경우, 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 통상, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 눈에 띄기 쉬워지지만, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

도 1은 본 발명의 투명 도전성 필름에 대해서 설명하기 위해 제공하는 도면.
도 2(a)∼(c)는, 투명 플라스틱 필름 기재에 있어서의 T1 방향 및 T2 방향에 대해서 설명하기 위해 제공하는 도면.
도 3은 T1/L과, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴의 시인성과의 관계를 설명하기 위해 제공하는 도면.
도 4는 T2/L과, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴의 시인성과의 관계를 설명하기 위해 제공하는 도면.

본 발명의 실시형태는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층(2)과, 투명 도전성 막(1)을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름(10)으로서, 투명 플라스틱 필름(3)이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름(10)이다.

T1/L<0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)

이하, 본 발명의 실시형태를, 도면을 적의 참조하여, 구체적으로 설명한다.

1. 투명 플라스틱 필름 기재

(1) 종류

투명 플라스틱 필름 기재의 종류로서는, 특히 제한되는 것은 아니며, 광학용 기재로서 공지의 투명 플라스틱 필름 기재를 사용할 수 있다.

예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 셀로판, 디아세틸셀룰로오스 필름, 트리아세틸셀룰로오스 필름, 아세틸셀룰로오스부티레이트 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리비닐알코올 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리설폰 필름, 폴리에테르에테르케톤 필름, 폴리에테르설폰 필름, 폴리에테르이미드 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름, 폴리아미드 필름, 아크릴 수지 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름 등의 플라스틱 필름을 바람직하게 들 수 있다.

또한, 이들 중에서도, 내열성의 관점에서, 폴리에스테르 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 노르보르넨계 수지 필름, 시클로올레핀 수지 필름인 것이 보다 바람직하다.

또한, 투명성 및 필름 강도와 유연성의 양립의 관점에서, 특히 PET 필름인 것이 바람직하다.

(2) 관계식

우선, 본 발명의 관계식(1) 및 (2)를 설명하기 전에, 투명 도전성 막의 패턴이 어닐 처리에 의해 시인되기 쉬워지는 현상에 대하여, 추측을 섞어 설명한다.

어닐 처리에 의해 시인되게 된 패턴 부분 등을 전자 현미경으로 관찰하면, 어닐 처리 후의 패턴 부분이 어닐 처리 전보다도 약간 불거져나와 있는 것이 확인된다. 이러한 약간의 불거져나옴이야말로 어닐 처리 후에 패턴 형상이 인식되기 쉬워지는 원인이라고 추정되었다.

또한, 이러한 투명 도전성 막의 패턴 부분이 불거져나온 원인은, 패턴화된 투명 도전성 막은 어닐 처리에 의해서도 형상의 변화가 생기지 않는 한편, 광학 조정층 및 투명 플라스틱 필름 기재는 어닐 처리에 의해 열수축을 일으키기 때문에, 결과로써, 패턴 부분만이 불거져나오기 때문이라고 추정되었다.

즉, 투명 도전성 막의 패턴이 어닐 처리에 의해 시인되기 쉬워지는 현상은, 투명 도전성 막과 그 외의 층의 열수축 거동이 상위하기 때문에, 투명 도전성 막의 패턴 존재 부분과 비존재 부분에서 변형이 생기는 것에 기인한다고 추정되었다.

다음에, 상술한 추정을 받아, 각종의 검토에 의해 본 발명의 관계식(1) 및 (2)에 이르는 경위를, 이하에 설명한다.

상술한 추정으로부터, 열수축률이 작은 투명 플라스틱 필름 기재를 사용하는 것에 의해, 광학 조정층 및 투명 플라스틱 필름 기재의 열수축을 억제할 수 있고, 나아가서는, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다고 기대되었다.

그러나, MD 방향 및 TD 방향을 기준으로 한 열수축률이 작은 투명 플라스틱 필름 기재를 사용했을 경우여도, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 안정하여 시인되기 어렵게 할 수는 없었다.

이 현상을 예의 검토한 결과, MD 방향 및 TD 방향이 아닌, 배향축을 기준으로 하여 소정의 열수축률을 나타내는 투명 플라스틱 필름 기재를 사용하는 것에 의해, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있음이 명확해졌다.

구체적으로 설명하면, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, MD 방향 및 TD 방향은, 폭 1000∼1500㎜ 정도의 큰 필름을 제작할 때의 조건에 의해 얻어지는 정보이다.

한편, 모바일 등의 소형 전자 기기에 사용되는 터치 패널용의 작은 투명 도전성 필름의 기재는, 당해 큰 필름으로부터 복수의 필름이 잘라내어지게 된다.

이 때문에, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 필름의 중앙 부분에서 잘라낸 투명 플라스틱 필름 기재와, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 단(端)의 부분에서 잘라낸 투명 플라스틱 필름 기재에서는, 배향축의 방향이 크게 다르게 되고, 열수축률은 MD 방향 및 TD 방향에 대응한 거동을 나타내지 않고, 배향축에 대응한 거동을 나타내게 된다.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재는, MD 방향 및 TD 방향이 아닌, 배향축 방향 및 그 수직 방향의 열수축률로 소정치 내의 것을 선택할 필요가 있음이 명확해졌다.

그런데, 배향축을 기준으로 한 열수축률이 낮은 투명 플라스틱 필름 기재를 사용했을 경우여도, 아직, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 없을 경우가 있다는 문제가 나타났다.

각종 검토의 결과, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 현상은, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께도 영향을 준다는 추정이 얻어졌다.

즉, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 두껍게 하는 것에 의해, 어닐 처리 후의 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 것을 방지할 수 있는 경향이 확인되었다. 이 현상은, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께에 의해, 열수축에 의한 변형을 흡수할 수 있고, 나아가서는, 어닐 처리 후에 있어서의 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있는 것이라고 추정되었다.

이상의 추정 및 검토의 결과, 투명 플라스틱 필름 기재에 있어서의 배향축을 기준으로 한 열수축률 및 두께의 양쪽을 고려하는 것에 의해, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 안정적으로 얻어지는 조건을 알아냈다.

이하, 그 상세를 더 설명한다.

즉, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름 기재는, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1)을 만족하는 것을 특징으로 한다.

T1/L<0.0045 (1)

또한, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 것을 보다 효과적으로 방지하는 관점에서, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름은, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1')을 만족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 관계식(1")을 만족하는 것이 더 바람직하다.

T1/L<0.0040 (1')

T1/L<0.0035 (1")

또한, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름 기재는, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(2)를 만족하는 것을 특징으로 한다.

T2/L<0.0035 (2)

또한, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 하는 관점에서, 본 발명에 있어서의 투명 플라스틱 필름은, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(2')을 만족하는 것이 보다 바람직하고, 하기 관계식(2")을 만족하는 것이 더 바람직하다.

T2/L<0.0025 (2')

T2/L<0.0020 (2")

(3) 열수축률

또한, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)은, 0∼0.5%인 것이 바람직하다.

이 이유는, 열수축률(T1)을 이러한 범위 내의 값으로 하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막과, 그 하층의 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서의 변형의 발생을, 보다 효과적으로 억제하여, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)은 0∼0.4%인 것이 보다 바람직하고, 0∼0.2%인 것이 더 바람직하다.

또한, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)은, 0∼0.4%인 것이 바람직하다.

이 이유는, 열수축률(T2)을 이러한 범위 내의 값으로 하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막과, 그 하층의 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서의 변형의 발생을, 더 효과적으로 억제하여, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.

따라서, 투명 플라스틱 필름의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)은, 0∼0.3%인 것이 보다 바람직하고, 0∼0.2%인 것이 더 바람직하다.

(4) 두께

또한, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)는, 상술한 배향축을 기준으로 한 각 방향에 있어서의 열수축률의 영향을 고려할 필요가 있지만, 25∼200㎛인 것이 바람직하다.

이 이유는, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)를 이러한 범위 내의 값으로 하는 것에 의해, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막과, 그 하층의 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서의 변형의 발생을, 보다 한층 더 효과적으로 억제할 수 있기 때문이다.

즉, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 25㎛ 미만의 값으로 되면, 투명 플라스틱 필름 기재의 강도가 저하하는 것에 의해, 광학 조정층에 있어서의 투명 도전성 막의 존재 부분과 비존재 부분에서의 어닐 처리 시의 변형의 발생을 효과적으로 억제할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 200㎛를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 필름에 있어서의 투명성 등의 광학 특성이 악화하는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)는, 30∼180㎛인 것이 보다 바람직하고, 50∼150㎛인 것이 더 바람직하다.

또, 본 발명에 사용하는 투명 플라스틱 필름 기재의 표면에 있어서의 1변의 길이는, 배향축의 직선성을 보다 향상시키는 관점에서, 30㎝ 이하인 것이 바람직하고, 20㎝ 이하인 것이 보다 바람직하고, 15㎝ 이하인 것이 더 바람직하다.

(5) 굴절률

또한, 어닐 처리 전에 있어서도 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 것을 효과적으로 억제하는 관점에서, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률은, 1.45∼1.70인 것이 바람직하다.

따라서, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률은, 1.50∼1.70인 것이 보다 바람직하고, 1.55∼1.65인 것이 더 바람직하다.

또, 투명 플라스틱 필름 기재는, 그 표면에 마련되는 층과의 밀착성을 향상시키는 목적으로, 소망에 따라 편면 또는 양면에, 산화법이나 요철화법 등에 의해 표면 처리를 실시하거나, 혹은, 프라이머 처리를 실시하거나 하는 것도 바람직하다.

또한, 상술한 산화법으로서는, 예를 들면, 코로나 방전 처리, 크롬산 처리(습식), 화염 처리, 열풍 처리, 오존·자외선 조사 처리 등을 들 수 있고, 요철화법으로서는, 예를 들면, 샌드 블라스트법, 용제 처리법 등을 들 수 있다.

2. 광학 조정층

본 발명의 투명 도전성 필름은, 투명 도전성 막과, 투명 플라스틱 필름 기재 사이에, 광학 조정층을 마련하는 것을 특징으로 한다.

이 이유는, 이러한 광학 조정층을 마련하는 것에 의해, 투명 도전성 막의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.

또한, 광학 조정층은, 투명 플라스틱 필름 기재 측에서, 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절률층과, 굴절률이 상대적으로 낮은 저굴절률층을 순차로 적층하여 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 광학 조정층은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 투명 플라스틱 필름 기재 측에서, 굴절률이 저굴절률층(2a) 및 고굴절률층(2b)에 있어서의 굴절률 사이의 값이 되는 중굴절률층(2c)과, 굴절률이 상대적으로 높은 고굴절률층(2b)과, 굴절률이 상대적으로 낮은 저굴절률층(2a)을 순차로 적층하여 이루어지는 것이 특히 바람직하다.

이 이유는, 광학 조정층(2)을 이러한 적층 구조로 하는 것에 의해, 투명 도전성 막(1)의 굴절률과, 투명 플라스틱 필름 기재(3)의 굴절률의 차에 기인한 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있기 때문이다.

이하, 광학 조정층을 구성하는 중굴절률층, 고굴절률층 및 저굴절률층에 대하여, 각각 설명한다.

(1) 중굴절률층

(1)-1 굴절률

중굴절률층의 굴절률은, 저굴절률층의 굴절률보다 높고, 또한, 고굴절률층의 굴절률보다 낮고, 또한, 굴절률이 1.4 이상 1.7 미만인 것이 바람직하다.

이 이유는, 중굴절률층의 굴절률이 1.4 미만의 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 중굴절률층의 굴절률이 1.7 이상의 값으로 되어도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 중굴절률층의 굴절률은, 1.43 이상 1.65 미만인 것이 보다 바람직하고, 1.45 이상 1.6 미만인 것이 더 바람직하다.

(1)-2 두께

또한, 중굴절률층의 두께는, 50∼5000㎚인 것이 바람직하다.

이 이유는, 중굴절률층의 두께가 50㎚ 미만의 값으로 되면, 중굴절률층의 막이 취약해져, 층의 형상을 유지할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 중굴절률층의 두께가 5000㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 중굴절률층의 두께는, 100∼4000㎚인 것이 보다 바람직하고, 120∼200㎚인 것이 더 바람직하다.

(1)-3 재료 물질

또한, 중굴절률층이, 실리카 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

이 이유는, 실리카 미립자를 함유하는 것에 의해, 안티 블록킹성을 부여할 수 있기 때문에, 권취성의 향상을 기대할 수 있을 뿐만 아니라, 중굴절률층의 상층인 고굴절률층과의 밀착성에 대해서도 향상시켜서, 강고하게 적층시킬 수 있기 때문이다.

(i) 활성 에너지선 경화 수지

또한, 중굴절률층의 형성에 사용되는 활성 에너지선 경화성 수지란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것, 즉, 자외선 또는 전자선 등을 조사하는 것에 의해, 가교, 경화하는 중합성 화합물을 의미하고, 예를 들면, 광중합성 프리폴리머나 광중합성 모노머를 들 수 있다.

또한, 상술한 광중합성 프리폴리머에는, 라디칼 중합형과 양이온 중합형이 있으며, 라디칼 중합형의 광중합성 프리폴리머로서는, 폴리에스테르아크릴레이트계, 에폭시아크릴레이트계, 우레탄아크릴레이트계, 폴리올아크릴레이트계 등을 들 수 있다.

또한, 폴리에스테르아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 다가 카르복시산과 다가 알코올의 축합에 의해 얻어지는 양말단에 수산기를 갖는 폴리에스테르 올리고머의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해, 혹은, 다가 카르복시산에 알킬렌옥사이드를 부가하여 얻어지는 올리고머의 말단의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.

또한, 에폭시아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 비교적 저분자량의 비스페놀형 에폭시 수지나 노볼락형 에폭시 수지의 옥실란환에, (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.

또한, 우레탄아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 예를 들면, 폴리에테르폴리올이나 폴리에스테르폴리올과 폴리이소시아네이트의 반응에 의해 얻어지는 폴리우레탄 올리고머를, (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.

또한, 폴리올아크릴레이트계 프리폴리머로서는, 폴리에테르폴리올의 수산기를 (메타)아크릴산으로 에스테르화하는 것에 의해 얻어지는 화합물을 들 수 있다.

또, 이들의 중합성 프리폴리머는 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.

한편, 양이온 중합형의 광중합성 프리폴리머로서는, 통상, 에폭시계 수지가 사용된다.

이러한 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 수지나 노볼락 수지 등의 다가 페놀류에 에피클로로히드린 등으로 에폭시화하여 얻어지는 화합물, 직쇄상 올레핀 화합물이나 환상 올레핀 화합물을 과산화물 등으로 산화하여 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다.

또한, 광중합성 모노머로서는, 예를 들면, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜아디페이트디(메타)아크릴레이트, 히드록시피발산네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐디(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디시클로펜테닐디(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 인산디(메타)아크릴레이트, 알릴화 시클로헥실디(메타)아크릴레이트, 이소시아누레이트디(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능 아크릴레이트를 들 수 있다.

또, 이들의 광중합성 모노머는 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.

(ⅱ) 광중합 개시제

또한, 활성 에너지선 경화성 수지를 효율적으로 경화시키는 관점에서, 소망에 따라 광중합 개시제를 병용하는 것도 바람직하다.

이러한 광중합 개시제로서는, 라디칼 중합형의 광중합성 프리폴리머나 광중합성 모노머에 대해서는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸에테르, 벤조인이소부틸에테르, 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤, 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈, p-디메틸아민벤조산에스테르 등을 들 수 있다.

또한, 양이온 중합형의 광중합성 프리폴리머에 대한 광중합 개시제로서는, 예를 들면, 방향족 설포늄 이온, 방향족 옥소설포늄 이온, 방향족 요오도늄 이온 등의 오늄과, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스페이트, 헥사플루오로안티모네이트, 헥사플루오로아르세네이트 등의 음이온으로 이루어지는 화합물 등을 들 수 있다.

또, 이들은 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 조합시켜서 사용해도 된다.

또한, 광중합 개시제의 배합량으로서는, 상술한 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 0.2∼10중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하고, 1∼5중량부의 범위 내의 값으로 하는 것이 보다 바람직하다.

(ⅲ) 실리카 미립자

또한, 실리카 미립자로서는, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합한 실리카 미립자, 혹은, 이러한 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 갖지 않는 통상의 콜로이달 실리카 미립자를 사용할 수 있다.

또한, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물이 결합한 실리카 미립자로서는, 평균 입경이 0.005∼1㎛ 정도의 실리카 미립자의 표면에 있어서의 실라놀기에, 당해 실라놀기와 반응할 수 있는 관능기를 갖는 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 반응시키는 것에 의해 얻어지는 것을 들 수 있다.

또, 상술한 중합성 불포화기로서는, 예를 들면, 라디칼 중합성의 아크릴로일기나 메타크릴로일기 등을 들 수 있다.

또한, 중합성 불포화기 함유 유기 화합물을 갖지 않는 통상의 콜로이달 실리카 미립자로서는, 평균 입경이 0.005∼1㎛ 정도, 바람직하게는 0.01∼0.2㎛ 정도의 실리카 미립자가, 알코올계나 셀로솔브계의 유기 용제 중에 콜로이드 상태에서 현탁하여 이루어지는 콜로이달 실리카를 호적하게 사용할 수 있다.

또, 실리카 미립자의 평균 입경은, 예를 들면, 제타 전위 측정법에 의해 구할 수 있다.

또한, 실리카 미립자의 배합량으로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 5∼400중량부인 것이 바람직하고, 20∼150중량부인 것이 보다 바람직하고, 30∼100중량부인 것이 더 바람직하다.

(1)-4 중굴절률층 형성용의 조성물

또한, 중굴절률층은, 중굴절률층 형성용의 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하고, 경화하는 것에 의해 형성되는 것이 바람직하다.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합 개시제, 실리카 미립자, 및 소망에 따라 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 가하여, 용해 또는 분산시키는 것에 의해 조제할 수 있다.

또, 각종 첨가 성분으로서는, 예를 들면, 산화 방지제, 자외선 흡수제, (근)적외선 흡수제, 실란계 커플링제, 광안정제, 레벨링제, 대전 방지제, 소포제 등을 들 수 있다.

또한, 사용하는 용매로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄 등의 지방족 탄화수소, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 염화메틸렌, 염화에틸렌 등의 할로겐화탄화수소, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 2-펜탄온, 이소포론, 시클로헥산온 등의 케톤, 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르, 에틸셀로솔브 등의 셀로솔브계 용제 등을 들 수 있다

이와 같이 하여 조제된 중굴절률층 형성용의 조성물의 농도, 점도로서는, 코팅 가능한 것이면 되며, 특히 한정되지 않고, 상황에 따라 적의 선정할 수 있다.

따라서, 통상, 얻어지는 중굴절률층의 막 두께를 소정의 범위로 조절하기 쉬운 관점에서, 고형분 농도 0.05∼10중량%가 되도록 희석하는 것이 바람직하고, 0.1∼8중량%가 되도록 희석하는 것이 보다 바람직하다.

(2) 고굴절률층

(2)-1 굴절률

고굴절률층의 굴절률은, 1.6 이상 2 미만인 것이 바람직하다.

이 이유는, 고굴절률층의 굴절률이 1.6 미만의 값으로 되면, 저굴절률층과의 유의한 굴절률차가 얻어지지 않게 되어, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 고굴절률층의 굴절률이 2 이상의 값으로 되면, 고굴절률층의 막이 취약해지는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 고굴절률층의 굴절률은, 1.6 이상 1.9 미만인 것이 보다 바람직하고, 1.6 이상 1.8 미만인 것이 더 바람직하다.

(2)-2 두께

또한, 고굴절률층의 두께는, 20∼130㎚인 것이 바람직하다.

이 이유는, 고굴절률층의 두께가 20㎚ 미만의 값으로 되면, 고굴절률층의 막이 취약해져, 층의 형상을 유지할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 고굴절률층의 두께가 130㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 고굴절률층의 두께는, 23∼120㎚인 것이 보다 바람직하고, 30∼110㎚인 것이 더 바람직하다.

(2)-3 재료 물질

또한, 고굴절률층이, 금속 산화물 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

이 이유는, 금속 산화물 미립자를 함유하는 것에 의해, 고굴절률층에 있어서의 굴절률의 조정이 용이해지기 때문이다.

또한, 금속 산화물의 종류는, 산화탄탈륨, 산화아연, 산화인듐, 산화하프늄, 산화세륨, 산화주석, 산화니오븀, 인듐주석 산화물(ITO), 안티몬주석 산화물(ATO) 등을 바람직하게 들 수 있다.

또한, 투명성을 저하시키지 않고 고굴절률화를 실현하는 관점에서, 산화티타늄 및 산화지르코늄으로부터 선택되는 적어도 1종류인 것이 특히 바람직하다.

또, 이들의 금속 산화물은, 1종 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 된다.

또한, 금속 산화물 미립자의 평균 입경은, 0.005㎛∼1㎛의 범위 내의 값으로 하는 것이 바람직하다.

또, 금속 산화물 미립자의 평균 입경은, 예를 들면, 제타 전위 측정법을 사용한 측정법에 의해 구할 수 있다.

또한, 고굴절률층에 사용되는 활성 에너지선 경화성 수지 및 광중합 개시제로서는, 중굴절률층의 설명에 있어서 들어진 것을 적의 사용할 수 있다.

또한, 금속 산화물 미립자의 배합량으로서는, 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 20∼2000중량부인 것이 바람직하고, 80∼1000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼400중량부인 것이 더 바람직하다.

(2)-4 고굴절률층 형성용의 조성물

또한, 고굴절률층은, 고굴절률층 형성용의 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하고, 경화하는 것에 의해 형성되는 것이 바람직하다.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합 개시제, 금속 산화물 미립자, 및 소망에 따라 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 가하여, 용해 또는 분산시키는 것에 의해 조제할 수 있다.

또, 각종 첨가 성분, 용매, 고굴절률층 형성용의 조성물의 농도, 점도 등에 대해서는, 중굴절률층의 설명에 있어서의 내용과 같다.

(3) 저굴절률층

(3)-1 굴절률

저굴절률층의 굴절률은, 1.3 이상 1.6 미만인 것이 바람직하다.

이 이유는, 저굴절률층의 굴절률이 1.3 미만의 값으로 되면, 저굴절률층의 막이 취약해지는 경우가 있기 때문이다. 한편, 저굴절률층의 굴절률이 1.6 이상의 값으로 되면, 고굴절률층과의 유의한 굴절률차가 얻어지지 않게 되어, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 저굴절률층의 굴절률은, 1.3 이상 1.5 미만인 것이 보다 바람직하고, 1.3 이상 1.45 미만인 것이 더 바람직하다.

(3)-2 두께

또한, 저굴절률층의 두께는, 10∼150㎚인 것이 바람직하다.

이 이유는, 저굴절률층의 두께가 10㎚ 미만의 값으로 되면, 저굴절률층의 막이 취약해져, 층의 형상을 유지할 수 없게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 저굴절률층의 두께가 150㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 저굴절률층의 두께는, 15∼135㎚인 것이 보다 바람직하고, 20∼120㎚인 것이 더 바람직하다.

(3)-3 재료 물질

또한, 저굴절률층이, 실리카 미립자 및 활성 에너지선 경화성 수지를 함유하는 조성물의 경화물로 이루어지는 것이 바람직하다.

이 이유는, 실리카 미립자를 함유하는 것에 의해, 저굴절률층에 있어서의 굴절률의 조정이 용이해질 뿐만 아니라, 저굴절률층의 상층인 투명 도전성 막이나, 하층인 고굴절률층과의 밀착성에 대해서도 향상시켜서, 강고하게 적층시킬 수 있기 때문이다.

또한, 실리카 미립자로서는, 중공 실리카 미립자 또는 다공질 실리카 미립자인 것이 바람직하다.

이 이유는, 중공 실리카 미립자 또는 다공질 실리카 미립자이면, 저굴절률층의 굴절률을 보다 효과적으로 소정의 범위 내까지 저하시킬 수 있기 때문이다.

또한, 저굴절률층으로서의 효과를 발휘시키기 위해서는, 실리카 미립자의 평균 입경이, 1㎛ 이하의 것이 바람직하고, 10∼100㎚의 범위 내의 값인 것이 바람직하다.

또한, 실리카 미립자의 배합량으로서는, 상술한 활성 에너지선 경화성 수지 100중량부에 대하여, 50∼500중량부인 것이 바람직하고, 80∼300중량부인 것이 보다 바람직하고, 100∼250중량부인 것이 더 바람직하다.

(3)-4 저굴절률층 형성용의 조성물

또한, 저굴절률층은, 저굴절률층 형성용의 조성물을 미리 조제하고, 후술과 같이 도포·건조하여, 경화하는 것에 의해 형성되는 것이 바람직하다.

당해 조성물은, 필요에 따라, 적당한 용매 중에 상술한 활성 에너지선 경화성 수지, 광중합 개시제, 실리카 미립자, 및 소망에 따라 사용되는 각종 첨가 성분을, 각각 소정의 비율로 가하여, 용해 또는 분산시키는 것에 의해 조제할 수 있다.

또, 각종 첨가 성분, 용매, 저굴절률층 형성용의 조성물의 농도, 점도 등에 대해서는, 중굴절률층의 설명에 있어서의 내용과 같다.

3. 투명 도전성 막

(1) 재료 물질

본 발명의 투명 도전성 필름에 있어서, 광학 조정층 상에 적층되는 투명 도전성 막의 재료 물질로서는, 투명성과 도전성을 아울러 가지는 것이면 특히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐주석 산화물(ITO), 주석안티몬 산화물, 아연알루미늄 산화물, 인듐아연 산화물 등을 들 수 있다.

또한, 특히, 재료 물질로서 ITO를 사용하는 것이 바람직하다.

이 이유는, ITO이면, 적당한 조막 조건을 채용함으로써, 투명성 및 도전성이 뛰어난 투명 도전성 막을 형성할 수 있기 때문이다.

(2) 두께

또한, 투명 도전성 막의 두께는, 5∼500㎚인 것이 바람직하다.

이 이유는, 투명 도전성 막의 두께가 5㎚ 미만의 값으로 되면, 투명 도전성 막이 취약해질 뿐만 아니라, 충분한 도전성이 얻어지지 않게 되는 경우가 있기 때문이다. 한편, 투명 도전성 막의 두께가 500㎚를 초과한 값으로 되면, 투명 도전성 막에 기인한 색미(色味)가 강해져, 패턴 형상이 인식되기 쉬워지는 경우가 있기 때문이다.

따라서, 투명 도전성 막의 두께는, 15∼250㎚인 것이 보다 바람직하고, 20∼100㎚인 것이 더 바람직하다.

(3) 패턴 형상

또한, 투명 도전성 막이, 광학 조정층 상에 라인상 혹은 격자상과 같은 패턴 형상으로 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상술한 패턴 형상은, 투명 도전성 막이 존재하는 부분의 선폭과, 투명 도전성 막이 존재하지 않는 부분의 선폭이, 거의 같은 것이 바람직하다.

또한, 당해 선폭은, 통상, 0.1∼10㎜이며, 바람직하게는, 0.2∼5㎜이며, 특히 바람직하게는 0.5∼2㎜이다.

또, 상술한 라인상 혹은 격자상에 있어서의 선폭은 일정한 경우에 한정되지 않고, 예를 들면, 정전 용량식의 터치 패널에 요구되는 형상으로 이어지는 것 등을 자유롭게 선택할 수 있다.

구체적으로는, 마름모꼴 부분과 선부가 반복하여 이어지는 패턴 형상 등을 들 수 있고, 이러한 패턴 형상도 「라인상」의 범주에 포함된다.

또, 투명 도전성 막을 이와 같이 형성했을 경우, 어닐 처리를 실시하는 것에 의해, 통상, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 눈에 띄기 쉬워지지만, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

4. 투명 도전성 필름의 제조 방법

본 발명의 투명 도전성 필름은, 하기 공정(a)∼(c)를 포함하는 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.

(a) 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 투명 플라스틱 필름 기재를 준비하는 공정

(b) 투명 플라스틱 필름 기재의 편면에, 광학 조정층을 형성하는 공정

(c) 얻어진 광학 조정층 상에, 투명 도전성 막을 형성하는 공정

T1/L<0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)

이하, 지금까지의 내용과 중복하는 부분은 생략하고, 다른 부분만을 상술(詳述)한다.

또, 광학 조정층은, 바람직한 태양으로서, 투명 플라스틱 기재 측에서, 중굴절률층과, 고굴절률층과, 저굴절률층을 순차로 적층하여 이루어지는 구성으로서 설명한다.

(1) 공정(a) : 투명 플라스틱 필름 기재를 준비하는 공정

150℃에서 1시간 가열했을 경우의 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 투명 플라스틱 필름 기재를 준비한다.

T1/L<0.0045 (1)

T2/L<0.0035 (2)

또, 투명 플라스틱 필름 기재의 상세에 대해서는, 이미 설명했기 때문에, 생략한다.

(2) 공정(b) : 광학 조정층을 형성하는 공정

관계식(1) 및 (2)를 만족하는 투명 플라스틱 필름 기재의 편면에, 소망에 따라, 상술한 중굴절률층 형성용의 조성물을, 종래 공지의 방법으로 도포하여 도막을 형성한 후, 건조하고, 이것에 활성 에너지선을 조사하여 도막을 경화시키는 것에 의해, 중굴절률층이 형성된다.

또한, 중굴절률층 형성용의 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 바 코팅법, 나이프 코팅법, 롤 코팅법, 블레이드 코팅법, 다이 코팅법, 그라비어 코팅법 등을 들 수 있다.

또한, 건조 조건으로서는, 60∼150℃에서 10초∼10분 정도 행하는 것이 바람직하다.

또한, 활성 에너지선으로서는, 예를 들면, 자외선이나 전자선 등을 들 수 있다.

또한, 자외선의 광원으로서는, 고압 수은 램프, 무전극 램프, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등을 들 수 있고, 그 조사량은, 통상, 100∼500mJ/㎠로 하는 것이 바람직하다.

한편, 전자선의 광원으로서는, 전자선 가속기 등을 들 수 있고, 그 조사량은, 통상, 150∼350㎸로 하는 것이 바람직하다.

이어서, 형성된 중굴절률층 상에(중굴절률층을 형성하지 않는 경우에는, 투명 플라스틱 필름 기재 상에 직접), 고굴절률층을 형성한다.

즉, 고굴절률층은, 투명 플라스틱 필름 기재 상에 중굴절률층을 형성하는 것과 같이 하여, 상술한 고굴절률층 형성용의 조성물을 도포·건조함과 함께, 활성 에너지선을 조사하여 경화시키는 것에 의해 형성할 수 있다.

이어서, 형성된 고굴절률층 상에, 또한 저굴절률층을 형성한다.

즉, 저굴절률층은, 투명 플라스틱 필름 기재 상에 중굴절률층을 형성하는 것과 같이 하여, 상술한 저굴절률층 형성용의 조성물을 도포·건조함과 함께, 활성 에너지선을 조사하여 경화시키는 것에 의해 형성할 수 있다.

(3) 공정(c) : 투명 도전성 막을 형성하는 공정

공정(b)에서 얻어진 광학 조정층에 대하여, 진공 증착법, 스퍼터링법, CVD법, 이온 플레이팅법, 스프레이법, 졸겔법 등의 공지의 방법에 의해, 투명 도전성 막을 형성하는 것에 의해, 투명 도전성 필름을 얻을 수 있다.

또한, 스퍼터링법으로서는, 화합물을 사용한 통상의 스퍼터링법, 혹은 금속 타겟을 사용한 반응성 스퍼터링법 등을 들 수 있다.

이때, 반응성 가스로서 산소, 질소, 수증기 등을 도입하거나, 오존 첨가나 이온 어시스트 등을 병용하거나 하는 것도 바람직하다.

또한, 투명 도전성 막은, 상술한 바와 같이 하여 제막한 후, 포토리소그래피법에 의해 소정의 패턴의 레지스트 마스크를 형성한 후, 공지의 방법에 의해 에칭 처리를 실시함으로써, 라인상의 패턴 등을 형성할 수 있다.

또, 에칭액으로서는, 염산, 황산, 질산, 인산 등의 산의 수용액 등을 바람직하게 들 수 있다.

(4) 어닐 공정

또한, 투명 도전성 막의 결정성을 높이고, 저항률을 저하시키기 위해서, 어닐 공정을 마련하여 소정의 어닐 처리를 행하는 것이 바람직하다.

즉, 얻어진 투명 도전성 필름을 130∼180℃의 온도 조건하에 0.5∼2시간 노출하는 것이 바람직하다.

또, 일반적으로는, 이러한 어닐 처리를 행하는 것에 의해, 투명 도전성 막과, 그 하층의 언더코팅층과의 경계 부분에 있어서 변형이 생겨 버리므로, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 쉬워진다는 문제가 나타난다.

이 점, 본 발명의 투명 도전성 필름이면, 그러한 변형의 발생을 억제하고, 나아가서는 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다.

[실시예]

이하, 실시예를 참조하여, 본 발명의 투명 도전성 필름을 더 상세하게 설명한다.

[실시예1]

1. 중굴절률층 형성용의 조성물의 조제

용기 내에, 활성 에너지선 경화성 수지로서, 반응성 실리카 미립자를 함유하는 하드코팅제(JSR(주)제, 옵스타 Z7530, 고형분 농도 73중량%, 액체 성분 : 메틸에틸케톤)를 100중량부와, 광개시제(BASF(주)제, 이르가큐어 907, 고형분 농도 : 100중량%)를 3.7중량부와, 레벨링제(빅케미(주)제, BYK-355, 고형분 농도 : 52중량%, 액체 성분 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)를 0.1중량부와, 희석 용제로서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르를 1350중량부를 수용한 후, 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 : 약 5.3중량%인 중굴절률층 형성용의 조성물을 조제했다.

또, 반응성 실리카 미립자를 함유하는 하드코팅제(JSR(주)제, 옵스타 Z7530, 액체 성분 : 메틸에틸케톤)의 조성은 이하와 같다.

·반응성 실리카 미립자와 다관능 아크릴레이트를 함유하는 전활성 에너지선 경화 화합물 70중량%

·광개시제 3중량%

·메틸에틸케톤 27중량%

2. 고굴절률층 형성용의 조성물의 조제

용기 내에, 활성 에너지선 경화성 수지로서, 고굴절률 코팅제(아토믹스(주)제, 아톰컴포브리드 HUV SRZ100, 고굴절률제로서의 나노미터 사이즈의 산화지르코늄 미립자 함유, 고형분 농도 : 30중량%, 액체 성분 : 2-부탄온)를 100중량부와, 광개시제(BASF(주)제, 이르가큐어 907, 고형분 농도 100중량%)를 0.9중량부와, 레벨링제(빅케미(주)제, BYK-355, 고형분 농도 : 52중량%, 액체 성분 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)를 0.03중량부와, 희석 용제로서, 메틸이소부틸케톤을 1492.5중량부와, 시클로헥산온을 1492.5중량부를 수용한 후, 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 : 1중량%인 고굴절률층 형성용의 조성물을 조제했다.

3. 저굴절률층 형성용의 조성물의 조제

용기 내에, 활성 에너지선 경화성 수지로서, 하드코팅제(아라카와가가쿠고교(주)제, 빔세트 575CB, 고형분 농도 : 100중량%)를 100중량부와, 중공 실리카졸(닛키쇼쿠바이가세이(주)제, 슬라리어 4320, 평균 입경 50㎚, 고형분 농도 : 20중량%)을 488중량부와, 광개시제(BASF(주)제, 이르가큐어 907, 고형분 농도 : 100중량%)를 0.9중량부와, 레벨링제(빅케미(주)제, BYK-355, 고형분 농도 : 52중량%)를 0.1중량부와, 희석 용제로서, 메틸이소부틸케톤을 9700중량부와, 시클로헥산온을 9700중량부를 수용한 후, 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 : 1중량%인 저굴절률층 형성용의 조성물을 조제했다.

또, 하드코팅제(아라카와가가쿠고교(주)제, 빔세트 575CB, 고형분 농도 : 100중량%)의 조성은 이하와 같다.

·우레탄아크릴레이트를 함유하는 활성 에너지선 경화성 화합물 95중량%

·광개시제 5중량%

4. 중굴절률층의 형성

투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.43%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.05%, T1/L : 0.0034%/㎛, T2/L : 0.0004%/㎛의 PET 필름을 준비했다.

이어서, 준비한 PET 필름의 표면에, 중굴절률층 형성용의 조성물을 마이어바 #4로 도공했다.

또, 주배향축의 방향은, 위상차 측정 장치(오지게이소쿠기기(주)제, KOBRA-WR)를 사용하여 측정했다.

또한, T1 및 T2는, 기재를 150℃에서 1시간 가열하는 전후에서의 각 방향의 길이를 비교하는 것에 의해 산출했다.

이어서, 70℃의 오븐에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프를 사용하고 200mJ/㎠의 자외선을 조사하여, PET 필름의 표면에 두께 150㎚, 굴절률 1.49 중굴절률층을 형성했다.

5. 고굴절률층의 형성

이어서, 형성한 중굴절률층 상에, 고굴절률층 형성용의 조성물을 마이어바 #4로 도공했다.

이어서, 70℃의 오븐에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프를 사용하고 200mJ/㎠의 자외선을 조사하여, 중굴절률층 상에 두께 23㎚, 굴절률 1.87의 고굴절률층을 형성했다.

6. 저굴절률층의 형성

이어서, 형성한 고굴절률층 상에, 저굴절률층 형성용의 조성물을 마이어바 #4로 도공했다.

이어서, 70℃의 오븐에서 1분간 건조시킨 후, 질소 분위기하에서 고압 수은 램프를 사용하고 200mJ/㎠의 자외선을 조사하여, 고굴절률층 상에 두께 74㎚, 굴절률 1.39의 저굴절률층을 형성하고, PET 필름 상에 3층 구조의 광학 조정층을 형성했다.

7. 투명 도전성 막의 형성

이어서, 광학 조정층을 형성한 PET 필름을 종 90㎜×횡 90㎜로 자른 후, ITO 타겟(산화주석 10중량%, 산화인듐 90중량%)을 사용하여 스퍼터링을 행하고, 광학 조정층 상의 중앙부에 종 60㎜×횡 60㎜의 정방형상, 두께 30㎚의 투명 도전성 막을 형성했다.

이어서, 얻어진 투명 도전성 막의 표면 상에 격자상으로 패턴화된 포토레지스트 막을 형성했다.

이어서, 실온하에서, 10중량%의 염산에 1분간 침지시키는 것에 의해 에칭 처리를 행한 후, 포토레지스트 막을 제거하여, 패턴화된 투명 도전성 막을 갖는 투명 도전성 필름을 얻었다.

당해 투명 도전성 필름은, 광학 조정층 상의 전면에, 선폭 2㎜의 투명 도전성의 선부에 의해 1변 2㎜의 정방형의 공극이 격자상으로 구획화된 패턴 형상을 갖는 두께 30㎚의 투명 도전성 막을 갖는 것이었다.

8. 평가

얻어진 패턴화된 투명 도전성 막을 갖는 투명 도전성 필름을 가열했을 때에, 패턴화된 투명 도전성 막과 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서 변형이 시인되는지의 여부를 평가했다.

즉, 얻어진 투명 도전성 필름을, 각각 150℃로 설정한 오븐에서 1시간 가열한 후, 반사광 하, 목시(目視)로 투명 도전성 막과, 광학 조정층과의 경계 부분에 있어서 변형이 일어나 있는지의 여부를 관찰했다.

보다 구체적으로는, 투명 도전성 필름을 백색 형광등으로부터 1m의 위치에 설치하고, 투명 도전성 필름에 백색 형광등을 비춘 상태에서, 백색 형광등이 설치되어 있는 것과 같은 측에 있어서의 투명 도전성 필름으로부터 30㎝의 위치로부터, 목시로 변형이 일어나 있는지의 여부를 관찰했다.

그리고, 얻어진 관찰 결과를, 하기 판정 기준에 따라 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

또, 실제의 투명 도전성 필름의 사용 태양으로서는, 라인 상으로 패턴화된 투명 도전성 막을 갖는 투명 도전성 필름 2매를, 90° 회전시켜서 배치하는 것에 의해 격자상의 패턴이 형성되는 것이 일반적이지만, 본 평가에서는, 간략화를 위해, 1매의 투명 도전성 필름에 있어서의 투명 도전성 막을 격자상으로 패턴 형성하여 평가했다.

○ : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되지 않음

× : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인됨

[실시예2]

실시예2에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.21%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.24%, T1/L : 0.0016%/㎛, T2/L : 0.0019%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

[실시예3]

실시예3에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 50㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.19%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.15%, T1/L : 0.0038%/㎛, T2/L : 0.003%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

[비교예1]

비교예1에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.76%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.84%, T1/L : 0.0061%/㎛, T2/L : 0.0067%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

[비교예2]

비교예2에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 125㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.6%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.44%, T1/L : 0.0048%/㎛, T2/L : 0.0035%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

[비교예3]

비교예3에서는, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 두께(L) : 50㎛, 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1) : 0.8%, 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2) : 0.57%, T1/L : 0.016%/㎛, T2/L : 0.0114%/㎛의 PET 필름을 사용한 외에는, 실시예1과 같이 투명 도전성 필름을 제조함과 함께, 평가했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, T1/L(%/㎛)과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 관계에 대하여, 실시예1∼3 및 비교예1∼3의 결과에 의거하여, 산포도를 제작하여 검증했다.

즉, 도 3에 있어서는, T1/L(%/㎛)을 횡축으로 채용하고, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대 평가치(-)를 종축으로 채용한 산포도가 나타나 있다.

또, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대치는, 이하와 같이 설정했다.

상대치 5 : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되지 않음

상대치 1 : 반사광 하에서, 투명 도전성 막의 패턴이 시인됨

이러한 산포도로부터 이해되는 바와 같이, T1/L(%/㎛)의 값과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성(-) 사이에는, 명확한 상관 관계가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.

즉, T1/L(%/㎛)의 값이 0.0045 미만일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 어려운 한편, T1/L(%/㎛)의 값이 0.0045 이상일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 쉬워진다는 상관 관계의 존재를 확인할 수 있었다.

또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, T2/L(%/㎛)과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 관계에 대해서도, 실시예1∼3 및 비교예1∼3의 결과에 의거하여, 산포도를 제작하여 검증했다.

즉, 도 4에 있어서는, T2/L(%/㎛)을 횡축으로 채용하고, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대 평가치(-)를 종축으로 채용한 산포도가 나타나 있다.

또, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성의 상대치는, 도 3에 있어서와 같은 기준으로 설정했다.

이러한 산포도로부터 이해되는 바와 같이, T2/L(%/㎛)의 값과, 투명 도전성 막의 패턴의 시인성(-) 사이에는, 명확한 상관 관계가 존재하는 것을 확인할 수 있었다.

즉, T2/L(%/㎛)의 값이 0.0035 미만일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 어려운 한편, T2/L(%/㎛)의 값이 0.0035 이상일 때에는, 투명 도전성 막의 패턴이 시인되기 쉬워진다는 상관 관계의 존재를 확인할 수 있었다.

따라서, 필름 구성이 간략한 소정의 투명 도전성 필름에 있어서, 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것에 의해, 투명 도전성 막의 패턴 형상을 시인되기 어렵게 할 수 있다는 본 발명의 효과가, 실시예에 의해 충분히 확인되게 된다.

이상, 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름에 있어서, 투명 플라스틱 필름 기재로서, 그 주배향축을 기준으로 한 소정의 열수축률이 소정의 관계식을 만족하는 것을 사용하는 것에 의해, 필름 구성이 간략한 한편, 어닐 처리를 실시했을 경우여도, 투명 도전성 막의 패턴 형상이 시인되기 어려운 투명 도전성 필름을 얻을 수 있게 되었다.

따라서, 본 발명의 투명 도전성 필름은, 액정 디스플레이 등의 디스플레이 장치의 고품질화에 현저하게 기여하는 것이 기대된다.

1 : 투명 도전성 막, 2 : 광학 조정층, 2a : 저굴절률층, 2b : 고굴절률층, 2c : 중굴절률층, 3 : 투명 플라스틱 필름 기재, 10 : 투명 도전성 필름

Claims

투명 플라스틱 필름 기재의 적어도 한쪽 면에, 광학 조정층과, 투명 도전성 막을 순차로 적층하여 이루어지는 투명 도전성 필름으로서,
상기 투명 플라스틱 필름이, 150℃에서 1시간 가열했을 경우의 상기 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률을 T1(%)로 하고, 상기 투명 플라스틱 필름 기재의 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률을 T2(%)로 하고, 상기 투명 플라스틱 필름 기재의 두께를 L(㎛)로 했을 때에, 하기 관계식(1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
T1/L<0.0045 (1)
T2/L<0.0035 (2)
제1항에 있어서,
상기 투명 플라스틱 필름 기재의 상기 주배향축과 직교하는 방향에 있어서의 열수축률(T1)이 0∼0.5%인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
제1항에 있어서,
상기 투명 플라스틱 필름 기재의 상기 주배향축과 평행한 방향에 있어서의 열수축률(T2)이 0∼0.4%인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
제1항에 있어서,
상기 투명 플라스틱 필름 기재의 두께(L)가 25∼200㎛인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
제1항에 있어서,
상기 광학 조정층이, 투명 플라스틱 필름 기재 측에서 중굴절률층과, 고굴절률층과, 저굴절률층을 순차로 적층되어 이루어지고, 상기 중굴절률층이, 굴절률 1.4 이상 1.7 미만임과 함께, 상기 저굴절률층의 굴절률보다 높고, 또한, 상기 고굴절률층의 굴절률보다 낮은 층이며, 상기 고굴절률층이, 굴절률 1.6 이상 2 미만이며, 상기 저굴절률층이, 굴절률 1.3 이상 1.6 미만인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
제5항에 있어서,
상기 중굴절률층의 두께가 50∼5000㎚이며, 상기 고굴절률층의 두께가 20∼130㎚이며, 또한, 상기 저굴절률층의 두께가 10∼150㎚인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
제1항에 있어서,
상기 투명 도전성 막이, 인듐주석 산화물로 이루어짐과 함께, 패턴상으로 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
제1항에 있어서,
상기 투명 도전성 막의 두께가 5∼500㎚인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.