TWI617654B - 金屬用硏磨液及硏磨方法 - Google Patents
金屬用硏磨液及硏磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI617654B TWI617654B TW102103542A TW102103542A TWI617654B TW I617654 B TWI617654 B TW I617654B TW 102103542 A TW102103542 A TW 102103542A TW 102103542 A TW102103542 A TW 102103542A TW I617654 B TWI617654 B TW I617654B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal
- polishing
- component
- acid
- polishing liquid
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 199
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 199
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 198
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 42
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 18
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 18
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 34
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 27
- -1 n-proline Substances 0.000 description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 16
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N gamma-aminobutyric acid Chemical compound NCCCC(O)=O BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 3
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 3
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- QSESSKWYDOHYAW-UHFFFAOYSA-N 1-methylbenzotriazol-5-amine Chemical compound NC1=CC=C2N(C)N=NC2=C1 QSESSKWYDOHYAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N L-valine Chemical compound CC(C)[C@H](N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 2
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N Valine Natural products CC(C)C(N)C(O)=O KZSNJWFQEVHDMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- QWCKQJZIFLGMSD-UHFFFAOYSA-N alpha-aminobutyric acid Chemical compound CCC(N)C(O)=O QWCKQJZIFLGMSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- XVOYSCVBGLVSOL-UHFFFAOYSA-N cysteic acid Chemical compound OC(=O)C(N)CS(O)(=O)=O XVOYSCVBGLVSOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 2
- 229960003692 gamma aminobutyric acid Drugs 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UROYYJZSTVLYKU-UHFFFAOYSA-N hydrazine;prop-2-enoic acid Chemical compound [NH3+]N.[O-]C(=O)C=C UROYYJZSTVLYKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N isocaproic acid Chemical compound CC(C)CCC(O)=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N sarcosine Chemical compound C[NH2+]CC([O-])=O FSYKKLYZXJSNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N taurine Chemical compound NCCS(O)(=O)=O XOAAWQZATWQOTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JZRWCGZRTZMZEH-UHFFFAOYSA-N thiamine Chemical compound CC1=C(CCO)SC=[N+]1CC1=CN=C(C)N=C1N JZRWCGZRTZMZEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004474 valine Substances 0.000 description 2
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKAUYVFTDYCKQA-UHFFFAOYSA-N -2-Amino-4-hydroxybutanoic acid Natural products OC(=O)C(N)CCO UKAUYVFTDYCKQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYPYHUZRZVSYKL-UHFFFAOYSA-N -3,5-Diiodotyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 NYPYHUZRZVSYKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUUPVPTYVPFAKG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylcyclohexa-1,3-diene Chemical compound CC1=C(C)C=CCC1 TUUPVPTYVPFAKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUTLAXLNPLZCOF-UHFFFAOYSA-N 1-Methylhistidine Natural products OC(=O)C(N)(C)CC1=NC=CN1 LUTLAXLNPLZCOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBOMLICNUCNMMY-KJFJCRTCSA-N 1-[(4s,5s)-4-azido-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-5-methylpyrimidine-2,4-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C(C)=CN1C1O[C@H](CO)[C@@H](N=[N+]=[N-])C1 HBOMLICNUCNMMY-KJFJCRTCSA-N 0.000 description 1
- INOGLHRUEYDAHX-UHFFFAOYSA-N 1-chlorobenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(Cl)N=NC2=C1 INOGLHRUEYDAHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKHGMSQINQQCIE-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylbenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)N=NC2=C1 OKHGMSQINQQCIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQOPKUFXAXHGRJ-UHFFFAOYSA-N 1-methylbenzotriazol-4-amine Chemical compound C1=CC=C2N(C)N=NC2=C1N YQOPKUFXAXHGRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDKSGHXRHXVMPF-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylundecane Chemical compound CCCCCCCCCC(C)(C)C QDKSGHXRHXVMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-benzotriazol-4-ylmethyl)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)CC1=CC=CC2=NNN=C12 HMOYKDCLYCJGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutanoic acid Chemical compound CCC(CC)C(O)=O OXQGTIUCKGYOAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWORFEDVDWBHSJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzotriazole Chemical compound C1=CC=CC2=NN(C)N=C21 PWORFEDVDWBHSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutyric acid Chemical compound CCC(C)C(O)=O WLAMNBDJUVNPJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(C)C(O)=O CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical compound OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-5-carboxylic acid Chemical compound C1=C(C(=O)O)C=CC2=NNN=C21 GUOVBFFLXKJFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutyric acid Chemical compound CC(C)(C)CC(O)=O MLMQPDHYNJCQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYPYHUZRZVSYKL-ZETCQYMHSA-N 3,5-diiodo-L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 NYPYHUZRZVSYKL-ZETCQYMHSA-N 0.000 description 1
- VJEFVEHNRRGNQX-UHFFFAOYSA-N 3-(benzotriazol-1-yl)propane-1,1-diol Chemical compound C1=CC=C2N(CCC(O)O)N=NC2=C1 VJEFVEHNRRGNQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRMWTNUJHUMWMS-UHFFFAOYSA-N 3-Methylhistidine Natural products CN1C=NC(CC(N)C(O)=O)=C1 BRMWTNUJHUMWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEDIKTABXQYWBL-UHFFFAOYSA-N 3-aminopropanoic acid Chemical compound NCCC(O)=O.NCCC(O)=O IEDIKTABXQYWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVBFGVVZJTXZGS-UHFFFAOYSA-N 4,7-dimethyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=C(C)C2=NNN=C12 MVBFGVVZJTXZGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCIJWPKDPZNHD-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(Br)C=CC2=NNN=C21 BQCIJWPKDPZNHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVICEEPAFUYBJG-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-2,2-difluoro-1,3-benzodioxole Chemical group C1=C(Cl)C=C2OC(F)(F)OC2=C1 CVICEEPAFUYBJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 5-hexyl-2h-benzotriazole Chemical compound CCCCCCC1=CC=C2NN=NC2=C1 GAHAURRLKFPBCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUPSFAUIWDRKKZ-UHFFFAOYSA-N 5-methoxy-2h-benzotriazole Chemical compound C1=C(OC)C=CC2=NNN=C21 SUPSFAUIWDRKKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBVYLUVLPCMTBD-UHFFFAOYSA-N 5-methylbenzotriazol-1-amine Chemical compound CC1=CC=C2N(N)N=NC2=C1 JBVYLUVLPCMTBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KADKLKFARRFTOW-UHFFFAOYSA-N 7-methylbenzotriazol-1-amine Chemical compound CC1=CC=CC2=C1N(N)N=N2 KADKLKFARRFTOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical group NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRAIXPZBKUOMKR-UHFFFAOYSA-N C(C)C1C(=CC2=CC=CC=C12)N1N=NC2=C1C=CC=C2 Chemical compound C(C)C1C(=CC2=CC=CC=C12)N1N=NC2=C1C=CC=C2 IRAIXPZBKUOMKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQCBLRJKCCGSA-UHFFFAOYSA-N COC(C(C)(C)OC)CCCCCCCC Chemical compound COC(C(C)(C)OC)CCCCCCCC GEQCBLRJKCCGSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282465 Canis Species 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- YPWSLBHSMIKTPR-UHFFFAOYSA-N Cystathionine Natural products OC(=O)C(N)CCSSCC(N)C(O)=O YPWSLBHSMIKTPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N D-cystathionine Natural products OC(=O)C(N)CCSCC(N)C(O)=O ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- XUIIKFGFIJCVMT-GFCCVEGCSA-N D-thyroxine Chemical compound IC1=CC(C[C@@H](N)C(O)=O)=CC(I)=C1OC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 XUIIKFGFIJCVMT-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N Hydroxyproline Chemical compound O[C@H]1CN[C@H](C(O)=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-DMTCNVIQSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N L-DOPA Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C(O)=C1 WTDRDQBEARUVNC-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- AHLPHDHHMVZTML-BYPYZUCNSA-N L-Ornithine Chemical compound NCCC[C@H](N)C(O)=O AHLPHDHHMVZTML-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RHGKLRLOHDJJDR-BYPYZUCNSA-N L-citrulline Chemical compound NC(=O)NCCC[C@H]([NH3+])C([O-])=O RHGKLRLOHDJJDR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N L-cystathionine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CCSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N L-cystine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CSSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- SSISHJJTAXXQAX-ZETCQYMHSA-N L-ergothioneine Chemical compound C[N+](C)(C)[C@H](C([O-])=O)CC1=CNC(=S)N1 SSISHJJTAXXQAX-ZETCQYMHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- UKAUYVFTDYCKQA-VKHMYHEASA-N L-homoserine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCO UKAUYVFTDYCKQA-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N L-isoleucine Chemical compound CC[C@H](C)[C@H](N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- DWPCPZJAHOETAG-IMJSIDKUSA-N L-lanthionine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CSC[C@H](N)C(O)=O DWPCPZJAHOETAG-IMJSIDKUSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N L-phenylalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N L-threonine Chemical compound C[C@@H](O)[C@H](N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-GBXIJSLDSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N L-tyrosine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N N(pros)-methyl-L-histidine Chemical compound CN1C=NC=C1C[C@H](N)C(O)=O JDHILDINMRGULE-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- BRMWTNUJHUMWMS-LURJTMIESA-N N(tele)-methyl-L-histidine Chemical compound CN1C=NC(C[C@H](N)C(O)=O)=C1 BRMWTNUJHUMWMS-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- JXROFTOFHHBSBK-UHFFFAOYSA-N N1N=NC2=C1C1=CC=CC=C1C=C2.N2N=NC1=C2C2=CC=CC=C2C=C1 Chemical compound N1N=NC2=C1C1=CC=CC=C1C=C2.N2N=NC1=C2C2=CC=CC=C2C=C1 JXROFTOFHHBSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RHGKLRLOHDJJDR-UHFFFAOYSA-N Ndelta-carbamoyl-DL-ornithine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=O RHGKLRLOHDJJDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHLPHDHHMVZTML-UHFFFAOYSA-N Orn-delta-NH2 Natural products NCCCC(N)C(O)=O AHLPHDHHMVZTML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTJLXEIPEHZYQJ-UHFFFAOYSA-N Ornithine Natural products OC(=O)C(C)CCCN UTJLXEIPEHZYQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010077895 Sarcosine Proteins 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N Threonine Natural products CC(O)C(N)C(O)=O AYFVYJQAPQTCCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004473 Threonine Substances 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229940058905 antimony compound for treatment of leishmaniasis and trypanosomiasis Drugs 0.000 description 1
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 description 1
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- JCXKHYLLVKZPKE-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-amine Chemical compound C1=CC=C2N(N)N=NC2=C1 JCXKHYLLVKZPKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYZVLEJDGSWXII-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=NN(N)N=C21 YYZVLEJDGSWXII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)CC=C PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXANAQMHYPHTGY-UHFFFAOYSA-N cerium;ethyne Chemical compound [Ce].[C-]#[C] WXANAQMHYPHTGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960002173 citrulline Drugs 0.000 description 1
- 235000013477 citrulline Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 229960002433 cysteine Drugs 0.000 description 1
- 229960003067 cystine Drugs 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- PMMYEEVYMWASQN-UHFFFAOYSA-N dl-hydroxyproline Natural products OC1C[NH2+]C(C([O-])=O)C1 PMMYEEVYMWASQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229940093497 ergothioneine Drugs 0.000 description 1
- YSMODUONRAFBET-UHNVWZDZSA-N erythro-5-hydroxy-L-lysine Chemical compound NC[C@H](O)CC[C@H](N)C(O)=O YSMODUONRAFBET-UHNVWZDZSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002743 glutamine Drugs 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229960002591 hydroxyproline Drugs 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 229960000310 isoleucine Drugs 0.000 description 1
- AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N isoleucine Natural products CCC(C)C(N)C(O)=O AGPKZVBTJJNPAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- DWPCPZJAHOETAG-UHFFFAOYSA-N meso-lanthionine Natural products OC(=O)C(N)CSCC(N)C(O)=O DWPCPZJAHOETAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 229960004452 methionine Drugs 0.000 description 1
- ZMMBQCILDZFYKX-UHFFFAOYSA-N methyl 2h-benzotriazole-5-carboxylate Chemical compound C1=C(C(=O)OC)C=CC2=NNN=C21 ZMMBQCILDZFYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002822 niobium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 229960003104 ornithine Drugs 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N phenylalanine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=CC=C1 COLNVLDHVKWLRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N quinaldic acid Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C(=O)O)=CC=C21 LOAUVZALPPNFOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N salicylaldoxime Chemical compound O\N=C/C1=CC=CC=C1O ORIHZIZPTZTNCU-YVMONPNESA-N 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229940043230 sarcosine Drugs 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960003080 taurine Drugs 0.000 description 1
- 229960003495 thiamine Drugs 0.000 description 1
- 235000019157 thiamine Nutrition 0.000 description 1
- 239000011721 thiamine Substances 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229940034208 thyroxine Drugs 0.000 description 1
- XUIIKFGFIJCVMT-UHFFFAOYSA-N thyroxine-binding globulin Natural products IC1=CC(CC([NH3+])C([O-])=O)=CC(I)=C1OC1=CC(I)=C(O)C(I)=C1 XUIIKFGFIJCVMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N tiglic acid Natural products CC(C)=C(C)C(O)=O UAXOELSVPTZZQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 1
- OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N tyrosine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CC=C(O)C=C1 OUYCCCASQSFEME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1472—Non-aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本發明有關於一種金屬用研磨液，其是用以研磨包含金屬之基板的至少所述金屬之一部分的金屬用研磨液，其含有：A成分：包含胺基酸之金屬溶解劑、B成分：具有苯并三唑骨架之化合物、C成分：重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物，所述B成分與所述C成分之質量比(B成分：C成分)為1：1~1：5。藉此以更高之水準同時實現高的研磨速度與低的蝕刻速度，從而可形成可靠性更高之埋設圖案。
Description
本發明有關於一種化學機械研磨中所使用之金屬用研磨液之組成及研磨方法。
近年來，隨著半導體積體電路(Large-Scale Integration，以下亦稱為「LSI」)之高積體化、高性能化而開發新的微細加工技術。化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing，以下亦稱為「CMP」)法亦是其中之一，是在LSI製造步驟中頻繁利用之技術。特別是於多層配線形成步驟中之絕緣體之平坦化、金屬插塞之形成、埋設圖案(埋設配線)之形成中利用CMP。
而且，最近為了使LSI高性能化，嘗試利用銅、銅合金、銅之氧化物及銅合金之氧化物(以下將該些總稱為「銅系金屬」)作為配線材料。然而，銅系金屬難以利用先前之鋁合金配線之形成中所頻繁使用之乾式蝕刻法來進行微細加工。因此，主要採用所謂之金屬鑲嵌(damascene)法，亦即，於預先形成有溝部之絕緣體上，以埋設所述溝部之方式堆積銅系金屬，藉由CMP將溝部
以外之銅系金屬除去而形成埋設圖案。
金屬之CMP之一般方法是於圓形之研磨壓盤(platen)上貼附研磨布，以金屬用研磨液浸漬研磨布表面，按壓基體之形成有金屬之面，於自其背面施加規定之壓力(以下稱為「研磨壓力」)之狀態下使研磨壓盤旋轉，藉由研磨液與金屬之凸部的機械摩擦而將凸部之金屬除去。
CMP中所使用之金屬用研磨液一般情況下包含氧化劑及固體研磨粒。而且，作為提高利用CMP之研磨速度的方法，有效的是添加溶解金屬之成分(金屬溶解劑、氧化金屬溶解劑、蝕刻劑等)。然而，若凹部之金屬表面之氧化層亦溶解(以下稱為「蝕刻」)而露出金屬表面，則金屬表面由於氧化劑而進一步氧化。若反覆如此則造成凹部之金屬之蝕刻，從而擔心有損平坦化效果。為了防止此現象而進一步添加保護膜形成劑。
如上所述地添加金屬溶解劑與保護膜形成劑而增加化學反應之效果，因此獲得如下效果：利用CMP之研磨速度(以下有時稱為「研磨速度」)提高，且被CMP之金屬表面之損傷亦減低。於現在，除了金屬溶解劑與保護膜形成劑以外，亦研究使用高分子電解質、膦酸等各種物質作為添加劑，藉由該些而獲得比較高的研磨速度與低的蝕刻速度。該些技術例如在專利文獻1及專利文獻2中有所揭示。
作為用以研磨銅系金屬之研磨液，已知有如下之金屬用研磨液，所述金屬用研磨液含有氧化劑、金屬溶解劑、第1保護
膜形成劑、與該第1保護膜形成劑不同之第2保護膜形成劑及水，上述第1保護膜形成劑是藉由形成物理吸附及/或化學鍵而於金屬表面形成保護膜之化合物，上述第2保護膜形成劑是輔助第1保護膜形成劑形成保護膜之化合物(參照專利文獻3)。更具體而言，揭示了如下之金屬用研磨液，所述金屬用研磨液中之上述第1保護膜形成劑是選自苯并三唑及其衍生物中之至少一種，上述第2保護膜形成劑是選自聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚醯胺酸、聚丙烯酸銨、聚甲基丙烯酸銨、聚醯胺酸銨及聚丙烯醯胺中之至少一種。此種金屬用研磨液可抑制對銅系金屬之蝕刻，且以良好之研磨速度對銅系金屬進行研磨。
而且，作為同樣之研磨液，已知有如下之金屬用研磨液，所述金屬用研磨液含有金屬溶解劑、金屬防蝕劑(保護膜形成劑)、聚丙烯酸系聚合物及水，且添加有相對於金屬用研磨液質量而言為大量(12質量%~30質量%)之過氧化氫(參照專利文獻4)。藉由此種研磨液，即使以低研磨壓力亦可獲得相對於銅系金屬而言良好之研磨速度，因此可獲得平坦性亦優異之被研磨面。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特表2010-538457號公報
專利文獻2：日本專利特表2009-514219號公報
專利文獻3：國際公開第00/13217號公報
專利文獻4：國際公開第08/108301號公報
然而，近年來要求能夠以更高之水準同時實現高的研磨速度與低的蝕刻速度，形成可靠性高的埋設圖案，以現有的研磨液變得無法充分應對該些要求。本發明鑒於上述問題點，目的在於提供對於金屬(特別是銅系金屬)能夠以更高之水準同時實現高的研磨速度與低的蝕刻速度，可形成可靠性更高的埋設圖案的金屬用研磨液。
本發明之具體的實施方式是有關於以下者。
一種金屬用研磨液，其是用以研磨包含金屬之基板的至少所述金屬之一部分的金屬用研磨液，其含有：A成分：包含胺基酸之金屬溶解劑；B成分：具有苯并三唑骨架之化合物；以及C成分：重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物，所述B成分與所述C成分之質量比(B成分：C成分)為1：1~1：5。
藉由此種金屬用研磨液可提供對於金屬(特別是銅系金屬)能夠以更高之水準同時實現高的研磨速度與低的蝕刻速度，可形成可靠性更高的埋設圖案的金屬用研磨液。
而且，本發明是有關於pH為2~6之範圍內的所述金屬用研磨液。藉由此種金屬用研磨液，可提供對銅系金屬之研磨速度更優異、研磨速度與蝕刻速度之平衡優異之金屬用研磨液。
而且，本發明是有關於更含有研磨粒之所述金屬用研磨
液。藉由此種金屬用研磨液，可提供能夠以更高之研磨速度對金屬(特別是銅系金屬)進行研磨之金屬用研磨液。
而且，本發明是有關於所研磨之金屬包含選自由銅系金屬所構成之群組(亦即，由銅、銅合金、銅之氧化物及銅合金之氧化物所構成之群組)之至少一種的所述金屬用研磨液。藉由此種金屬用研磨液，可提供研磨速度與蝕刻速度之平衡優異的金屬用研磨液。
而且，本發明是有關於一種研磨方法，所述研磨方法是使用所述金屬用研磨液，對包含金屬之基板的至少所述金屬之一部分進行研磨。藉由此種研磨方法，能夠以良好的研磨速度對包含金屬(特別是銅系金屬)之基板進行研磨，且蝕刻速度低，因此可形成可靠性更高之埋設圖案。
本申請案之揭示與2012年2月1日提出申請之日本專利特願2012-019571號中所記載之主題相關聯，其揭示內容藉由引用而援用至此。
本發明之金屬用研磨液能夠以更高之水準同時實現高的研磨速度與低的蝕刻速度，可形成可靠性更高之埋設圖案。
10‧‧‧層間絕緣膜/層間絕緣材料
11‧‧‧溝部(凹部)
12‧‧‧隆起部(凸部)
13‧‧‧階差部
14‧‧‧形成有階差部之面
20‧‧‧障壁層/障壁金屬
30‧‧‧金屬層/導電性物質層
100、200‧‧‧基板
圖1中的(a)~(d)是用以說明本發明之一實施方式之基板的研磨方法的示意剖面圖。
本發明之實施方式之金屬用研磨液是用以研磨包含金屬之基板的至少所述金屬之一部分的金屬用研磨液，其含有：包含胺基酸之金屬溶解劑(A成分)、具有苯并三唑骨架之化合物(B成分)及重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物(C成分)，所述B成分與所述C成分之質量比(B成分：C成分)為1：1~1：5。以下，依序對金屬用研磨液中所含之各成分、可任意添加之其他成分加以說明。
(A成分：包含胺基酸之金屬溶解劑)
實施方式之金屬用研磨液含有金屬溶解劑，該金屬溶解劑含有胺基酸(A成分)。此處，所謂金屬溶解劑是對金屬(特別是銅系金屬)具有錯合物形成能力，且具有加快溶出速度及研磨速度之作用的成分。
所述胺基酸可列舉甘胺酸、α-丙胺酸、β-丙胺酸、2-胺基丁酸、正纈胺酸、纈胺酸、白胺酸、甘白胺酸、異白胺酸、別異白胺酸、苯丙胺酸、脯胺酸、肌胺酸、鳥胺酸、離胺酸、牛磺酸、絲胺酸、蘇胺酸、別蘇胺酸、高絲胺酸、酪胺酸、3,5-二碘-酪胺酸、β-(3,4-二羥基苯基)-丙胺酸、甲狀腺素、4-羥基-脯胺酸、半胱胺酸、甲硫胺酸、乙硫胺酸、羊毛硫胺酸、胱硫醚、胱胺酸、氧化半胱胺酸(cysteic acid)、天冬胺酸(aspartic acid)、麩胺酸、S-(羧基甲基)-半胱胺酸、4-胺基丁酸、天冬醯胺(asparagine)、麩醯胺、偶氮絲胺酸、精胺酸、刀豆胺酸、瓜胺酸、δ-羥基-離胺酸、肌酸、
犬尿胺酸、組胺酸、1-甲基-組胺酸、3-甲基-組胺酸、麥角組織胺基硫(ergothioneine)、色胺酸等。
其中，自同時實現高的研磨速度與低的蝕刻速度的觀點考慮，較佳的是低分子量之胺基酸。具體而言較佳的是分子量為200以下之胺基酸，更佳的是分子量為150以下之胺基酸。而且，較佳的是具有第一胺基(-NH2)之一級胺基酸。
其中，較佳的是分子量為200以下之一級胺基酸，具體而言可列舉甘胺酸、丙胺酸、β-丙胺酸(3-胺基丙酸)、4-胺基丁酸等。
於可充分溶解金屬之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，本發明中之金屬溶解劑之調配量較佳的是0.001質量份以上，更佳的是0.01質量份以上，進一步更佳的是0.1質量份以上，特佳的是0.3質量份以上，非常佳的是0.5質量份以上，極佳的是0.7質量份以上。於容易控制蝕刻之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，該調配量較佳的是10質量份以下，更佳的是5質量份以下，進一步更佳的是3質量份以下，特佳的是2質量份以下，極佳的是1.5質量份以下。
而且，亦可以提高研磨速度為目的而含有胺基酸以外之金屬溶解劑。胺基酸以外之金屬溶解劑可列舉無機酸化合物、有機酸化合物(其中胺基酸除外)等。其中，於同時實現對銅系金屬之高的研磨速度與低的蝕刻速度之方面而言，金屬溶解劑中之胺基酸之莫耳比較佳的是90 mol%以上，更佳的是95 mol%以上，
進一步更佳的是97 mol%以上，特佳的是99 mol%以上，非常佳的是99.9 mol%以上，極佳的是100 mol%(僅含胺基酸作為金屬溶解劑，並不含所述無機酸化合物及有機酸化合物)。另外，於添加酸作為後述之pH調整劑之情形時，其添加量亦計算為金屬溶解劑之添加量。
所述無機酸化合物可列舉鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、鉻酸等無機酸、該些無機酸之鹽等。
所述有機酸化合物可列舉甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、氧二乙酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、葡萄糖酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸等有機酸、該有機酸之酯、所述有機酸之銨鹽等。
(B成分：具有苯并三唑骨架之化合物)
本發明之實施方式之金屬用研磨液包含具有苯并三唑骨架之化合物(B成分)。具有苯并三唑骨架之化合物對金屬(特別是銅系金屬)表面形成保護膜而發揮防蝕作用。機理並不限定於此，於本說明書為方便起見將此種化合物稱為「保護膜形成劑」。而且，具有苯并三唑骨架之化合物由於其疏水性結構朝向與研磨布接觸之側，因此與研磨布之摩擦變高，具有提高研磨速度之功能。另外，具有苯并三唑骨架之化合物具有酸基(例如羧酸)
之情形時，並不作為所述有機酸化合物而計算，而是作為具有苯并三唑骨架之化合物而計算。
具有苯并三唑骨架之化合物可列舉苯并三唑、1-羥基苯并三唑、5-硝基(-1H-)苯并三唑、5-氯(-1H-)苯并三唑、1-甲基(-1H-)苯并三唑、1-乙基(-1H-)苯并三唑、1H-苯并三唑-5-羧酸甲酯、6-溴-1H-苯并三唑、1H-苯并三唑-5-羧酸、2-胺基-2H-苯并三唑、1H-苯并三唑-1-胺、1-乙醯基-1H-苯并三唑、1-胺基-7-甲基-1H-苯并三唑、1-胺基-5-甲基-1H-苯并三唑、5-甲氧基-1H-苯并三唑、1-氯-1H-苯并三唑、1-乙烯基-1H-苯并三唑、4-胺基-1-甲基-1H-苯并三唑、1-甲基-1H-苯并三唑-5-胺、1-甲基-1H-苯并三唑-5-胺、2-甲基-2H-苯并三唑、2H-苯并三唑、5,6-二甲基-1H-苯并三唑、4,7-二甲基-1H-苯并三唑、1-二羥基丙基苯并三唑、2,3-二羧基丙基苯并三唑、4-羥基苯并三唑、4-羧基(-1H-)苯并三唑、4-羧基(-1H-)苯并三唑甲酯、4-羧基(-1H-)苯并三唑丁酯、4-羧基(-1H-)苯并三唑辛酯、5-己基苯并三唑、5-甲基(-1H-)苯并三唑(tolyltriazole，甲基苯并三唑)、萘并三唑等(naphtho triazole)。
其中，自同時實現對銅系金屬之高的研磨速度與低的蝕刻速度之觀點考慮，較佳的是苯并三唑、1-羥基苯并三唑、5-甲基(-1H-)苯并三唑。
而且，除了具有苯并三唑骨架之化合物以外，亦可包含對金屬具有防蝕作用之公知的保護膜形成劑。此種化合物例如可列舉如噻唑類、咪唑類、吡唑類等這樣的唑類(其中，具有苯并
三唑骨架之化合物除外)、嘧啶類、胍類、喹哪啶酸(quinaldic acid)、柳醛肟(salicylaldoxime)等。
於蝕刻之抑制優異之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，本發明之實施方式之金屬用研磨液中之B成分(具有苯并三唑骨架之化合物)的調配量較佳的是0.0001質量份以上，更佳的是0.001質量份以上，進一步更佳的是0.005質量份以上，特佳的是0.01質量份以上。而且，於獲得對金屬之充分的研磨速度之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，該調配量較佳的是0.5質量份以下，更佳的是0.2質量份以下，進一步更佳的是0.1質量份以下，特佳的是0.05質量份以下。
而且，於除了具有苯并三唑骨架之化合物以外包含保護膜形成劑之情形時，較佳的是兩者之合計含量(保護膜形成劑之合計含量)滿足所述範圍。
(C成分：重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物)
本發明之實施方式之金屬用研磨液包含重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物(C成分)。重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物吸附於金屬(特別是銅系金屬)表面，使其表面成為親水性。由此而使研磨液成分變得容易接近金屬附近，因此具有提高研磨速度之作用。
此處，所謂丙烯酸聚合物被定義為將包含具有丙烯酸骨架(C=C-C(=O)-骨架)之化合物的單體成分聚合而所得的聚合物。
所述丙烯酸聚合物可以是將包含一種單體之單體成分聚合而所得之均聚物(homopolymer)，也可以是將包含二種以上單體之單體成分聚合而所得之共聚物(copolymer)。其中，於使金屬(特別是銅系金屬)表面之親水性提高之方面而言，較佳的是均聚物。丙烯酸聚合物可單獨使用一種或者將二種以上併用。
作為所述具有丙烯酸骨架之化合物，具有C=C-C(=O)-OH骨架之化合物(亦即具有C=C-COOH骨架之化合物)可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、乙烯基乙酸、甘菊花酸、2-三氟甲基丙烯酸、伊康酸、富馬酸、馬來酸、檸康酸、中康酸、葡萄糖酸等。
所述丙烯酸聚合物中，羧酸基之至少一部分亦可形成鹽而成為C=C-C(=O)-O-X+結構(亦即C=C-COO-X+結構)。所述鹽可列舉銨鹽、鹼金屬鹽、烷基胺鹽等。於本發明之實施方式中，可形成鹽之羧酸基之至少一部分形成鹽而成者被定義為丙烯酸聚合物之鹽。例如，將聚丙烯酸(丙烯酸之均聚物)中之羧酸基之至少一部分取代為羧酸銨鹽基之聚合物稱為「聚丙烯酸銨鹽」。
而且，所述具有丙烯酸骨架之化合物亦可為具有C=C-C(=O)-R骨架之化合物(亦即具有C=C-COR骨架之化合物。R表示有機基)，具體而言可列舉作為所述具有C=C-COOH骨架之化合物而例示之化合物之烷基酯、丙烯醯胺化合物(C=C-CONR2、R為氫或烷基)、丙烯酸醯肼化合物(C=C-CONH-NR2、R為氫或烷基)等。例如可列舉丙烯酸甲酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲
酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯醯胺、丙烯酸醯肼等。
所述丙烯酸聚合物較佳的是使包含丙烯酸、丙烯醯胺、丙烯酸醯肼之至少任一者的單體成分聚合而所得之聚合物。
根據上述，具體的丙烯酸聚合物較佳的是聚丙烯酸、聚丙烯醯胺、胺基聚丙烯醯胺、聚丙烯酸銨鹽、聚丙烯酸鈉鹽，其中於同時實現對金屬之高的研磨速度與低的蝕刻速度之觀點考慮，較佳的是聚丙烯酸(丙烯酸之均聚物)、聚丙烯酸銨鹽。
於本發明之實施方式中，於表現出對金屬之高的研磨速度之方面而言，所述丙烯酸聚合物之重量平均分子量可設為10,000以上。自同樣之觀點考慮，所述重量平均分子量較佳的是20,000以上，更佳的是30,000以上。重量平均分子量之上限並無特別規定，自溶解性之觀點考慮較佳的是500萬以下。自同時實現對金屬之高的研磨速度與低的蝕刻速度之觀點考慮，較佳的是重量平均分子量為某種程度地小。具體而言較佳的是100萬以下，更佳的是50萬以下。進一步於更優先對金屬之高的研磨速度之情形時，極佳的是將重量平均分子量設為10萬以下。
所述重量平均分子量例如可於以下之條件下，使用GPC(凝膠滲透層析儀=Gel Permeation chromatography)而測定。
(GPC測定條件)
試樣：10μL(L表示升。下同)
標準聚苯乙烯：東曹股份有限公司製造之標準聚苯乙烯(分子：190,000、17,900、9,100、2,980、578、474、370及266)
檢測器：日立製作所股份有限公司製造、RI-監視器、商品名「L-3000」
積分器：日立製作所股份有限公司製造、GPC積分器、商品名「D-2200」
泵：日立製作所股份有限公司製造、商品名「L-6000」
脫氣裝置：昭和電工股份有限公司製造、商品名「Shodex DEGAS」
管柱：將日立化成工業股份有限公司製造、商品名「GL-R440」、「GL-R430」及「GL-R420」順次連結而使用
溶離液：四氫呋喃(THF)
測定溫度：23℃
流速：1.75mL/min
測定時間：45min
於蝕刻之抑制中表現出與B成分之併用效果之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物之調配量較佳的是0.0005質量份以上，更佳的是0.005質量份以上，進一步更佳的是0.01質量份以上，特佳的是0.02質量份以上。而且，作為上限，於可將對金屬之研磨速度維持為良好之水準的方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，較佳的是2.5質量份以下，更佳的是1質量份以下，進一步更佳的是0.5質量份以下，特佳的是0.1質量份以下。
(B成分與C成分之質量比)
自同時實現對金屬之充分之研磨速度與充分抑制蝕刻速度之觀點考慮，本發明之實施方式之金屬用研磨液重要的是獲得B成分(具有苯并三唑骨架之化合物)與C成分(重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物)之含量之平衡。具體而言，本發明之實施方式之金屬用研磨液必須將B成分與C成分之質量比(B成分：C成分)設為1：1~1：5。
藉由設為此種質量比而獲得研磨速度與蝕刻速度之平衡的理由尚不明確，但本發明者等人考慮如下。亦即，藉由吸附於金屬(特別是銅系金屬)表面之B成分(具有苯并三唑骨架之化合物)、與C成分(重量平均分子量為10,000以上之丙烯酸聚合物)，金屬(特別是銅系金屬)表面產生與研磨布之最佳之摩擦，且表面成為親水性。藉由該些而使金屬用研磨液成分變得容易供給至金屬(特別是銅系金屬)表面，因此變得能夠以高的速度使金屬(特別是銅系金屬)溶解而進行研磨。
如上所述，所述B成分與C成分之比(B成分：C成分)以質量比計而言為1：1~1：5，於同時實現對金屬之充分之研磨速度與充分抑制蝕刻速度之觀點考慮，所述比較佳的是1：1~1：4，更佳的是1：2~1：4，特佳的是1：2~1：3。若質量比為1：1以上，則存在蝕刻速度得到抑制且表現出充分之研磨速度的傾向。若質量比為1：5以下，則存在表現出高的研磨速度之傾向。而且，於包含所述B成分以外之保護膜形成劑作為保護膜形成劑之情形時，較佳的是滿足所述B成分與C成分之比，且兩者之合
計含量與C成分之比(保護膜形成劑之合計含量：C成分)滿足所述範圍。
(pH)
於變得容易抑制蝕刻之方面而言，本發明之實施方式之金屬用研磨液較佳的是將pH設為2以上。自同樣之觀點考慮，pH更佳的是3以上，進一步更佳的是4以上。而且，於獲得對金屬之充分之研磨速度之方面而言，pH較佳的是設為6以下，更佳的是5以下。自上述觀點考慮，pH較佳的是2~6之範圍。
本發明之金屬用研磨液之pH可將酸或鹼作為pH調整劑而進行調整。所述pH調整劑可列舉硫酸、鹽酸、硝酸等無機酸，氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨等無機鹼等。其中自pH調整之容易性考慮，較佳的是硫酸、氨。
(氧化劑)
本發明之實施方式之金屬用研磨液中可包含氧化劑。藉由包含氧化劑而存在如下之傾向：使金屬(特別是銅系金屬)表面成為更容易研磨之氧化金屬，從而獲得可研磨之效果。所述氧化劑可列舉過氧化氫(H2O2)、過碘酸鉀、臭氧水等。其中於穩定性之方面而言較佳的是過氧化氫。
於本發明之實施方式之金屬用研磨液包含氧化劑之情形時，於容易使金屬充分氧化、獲得良好之研磨速度之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，其調配量較佳的是0.01質量份以上，更佳的是0.1質量份以上，進一步更佳的是0.5質量份以上，
特佳的是1.0質量份以上。
另一方面，於防止於研磨後之表面產生粗糙之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，所述氧化劑之含量較佳的是10.0質量份以下，更佳的是7.0質量份以下，進一步更佳的是5.0質量份以下，特佳的是3.0質量份以下，非常佳的是2.0質量份以下。
(研磨粒)
本發明之實施方式之金屬用研磨液即使於不含研磨粒之情形亦獲得對金屬之充分之研磨速度。然而，本發明之實施方式之金屬用研磨液為了使對金屬之研磨速度提高、或者獲得與抑制蝕刻之平衡，可包含研磨粒。
所述研磨粒可列舉二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈰、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鍺、碳化矽等無機物研磨粒，聚苯乙烯、聚丙烯酸(polyacryl)、聚氯乙烯等之有機物研磨粒，所述無機物研磨粒與所述有機物研磨粒之複合研磨粒等。該些研磨粒可單獨使用一種或者將二種以上組合使用。其中，於研磨液中之分散穩定性良好、研磨時所產生之研磨損傷數少之方面而言，較佳的是二氧化矽及氧化鋁，更佳的是膠體二氧化矽及膠體氧化鋁，進一步更佳的是膠體二氧化矽。
自分散穩定性之觀點考慮，所述研磨粒較佳的是二次粒徑之平均粒徑為120nm以下。而且，自充分抑制蝕刻之觀點考慮，所述平均粒徑更佳的是100nm以下，進一步更佳的是90nm以
下，特佳的是80 nm以下。自對金屬之充分研磨速度之觀點考慮，所述二次粒徑之平均粒徑較佳的是10 nm以上，更佳的是30 nm以上，進一步更佳的是50 nm以上，特佳的是60 nm以上。如上所述，自對金屬之充分研磨速度與充分抑制蝕刻之觀點考慮，所述二次粒徑之平均粒徑較佳的是10 nm~120 nm。
於本發明中，平均粒徑可使用光繞射散射式粒度分布計(例如庫爾特電子(COULTER Electronics)公司製造之商品名COULTER N5)而測定。具體而言，量取適量之研磨粒分散液(例如原料之膠體二氧化矽、金屬研磨液等)，以進入光繞射散射式粒度分布計所必需之散射光強度之範圍的方式視需要以水加以稀釋而調製測定樣品。其次，將該測定樣品投入至光繞射散射式粒度分布計中，於散射光標準模式下進行測定，將D50所得之值作為平均粒徑。
於調配研磨粒之情形時，於維持在研磨液中之分散穩定性之方面而言，相對於研磨液之全部100質量份，研磨粒之調配量較佳的是10.0質量份以下，更佳的是5.0質量份以下，特佳的是1.0質量份以下，極佳的是0.5質量份以下。而且，為了獲得研磨粒之研磨速度提高之效果，相對於研磨液之全部100質量份而言，研磨粒之調配量更佳的是0.01質量份以上，特佳的是0.05質量份以上。
(研磨方法)
其次，對本發明之研磨方法之適宜實施方式加以說明。
本實施方式之包含金屬的基板之研磨方法是如下的研磨方法，所述研磨方法的特徵在於使用所述金屬用研磨液，對包含金屬的基板的至少所述金屬之一部分進行研磨。亦即，是將所述金屬用研磨液應用於如下的研磨方法中，所述研磨方法之特徵在於對包含金屬的基板的至少所述金屬之一部分進行研磨。
更具體而言是如下之研磨方法：於將基板之被研磨之面按壓於研磨壓盤之研磨布上的狀態下，一面將上述金屬用研磨液供給至基板的被研磨的面與研磨布之間，一面使研磨布與基板相對地運動(例如旋轉)而對基板進行研磨。
本發明之金屬用研磨液可適宜地用於所謂之金屬鑲嵌法中，所述金屬鑲嵌法是將銅系金屬堆積埋設於預先形成有溝之絕緣體上，藉由CMP除去溝部以外之銅系金屬而形成埋設圖案。以下，使用圖式對本發明之研磨方法加以詳細說明。
圖1是表示金屬鑲嵌步驟之示意剖面圖。首先，準備圖1中(a)所示之基板100。基板100包含層間絕緣材料10、障壁金屬20、導電性物質層(金屬層)30。所述層間絕緣材料10於其中一個面14包含階差部13，所述階差部13包含相互鄰接之溝部11及隆起部12。以追從包含階差部13之所述面14而包覆層間絕緣材料10之方式設置所述障壁金屬20。以填充障壁金屬20之溝部11且包覆障壁金屬20之方式設置所述導電性物質層30。另外，於半導體元件之配線形成步驟中，通常情況下，層間絕緣材料10、障壁金屬20及導電性物質層30形成於矽基板等基體上，於圖1
中省略了層間絕緣材料10之下層的結構。
本實施方式之基板的研磨方法包含如下之步驟：第1步驟，如圖1中(b)所示，對基板100之導電性物質層30進行研磨而使障壁金屬20中位於隆起部12上方的部分露出；第2步驟，如圖1中(c)所示，至少對障壁金屬20與溝部11中所填充之導電性物質層30進行研磨，使層間絕緣材料10之隆起部12露出。於本實施方式之基板之研磨方法中，於第2步驟之後亦可包含如下步驟：如圖1中(d)所示，進一步研磨層間絕緣材料10之隆起部12之一部分的步驟(過研磨步驟)。
本發明之金屬用研磨液可適宜地用於所述第1步驟之研磨中。導電性物質層30包含銅(純銅、銅合金、銅之氧化物、銅合金之氧化物等)、鎢(純鎢、鎢合金等)、銀、金等金屬作為主成分。該些中，較佳的是導電性物質層30包含以銅系金屬作為主成分。
於第2步驟中，若可對障壁金屬20及導電性物質層30進行研磨，則研磨液並無限定，較佳的是使用本實施方式中所得之所述金屬用研磨液。藉由以上步驟而所得之基板200，沿溝部11之內部之壁面而形成障壁金屬20，以掩埋溝部11之方式於障壁金屬20上形成導電性物質層30。而且，於基板200中，成為層間絕緣材料10中之隆起部12露出之狀態。
層間絕緣材料10較佳的是選自矽系覆膜及有機聚合物膜之至少一種。矽系覆膜可列舉二氧化矽、氟矽酸鹽玻璃、有機
矽酸鹽玻璃(以三甲基矽烷、二甲氧基二甲基矽烷等作為起始原料而所得之矽酸鹽玻璃)、氮氧化矽、氫化倍半矽氧烷等之二氧化矽系覆膜，碳化矽、氮化矽等之覆膜等。而且，有機聚合物膜例如可列舉全芳香族系定介電常數層間絕緣材料。層間絕緣材料10之形成中可應用CVD法、旋塗法、浸塗法、噴霧法等。而且，於層間絕緣材料10中之階差部13之形成中可應用光微影法等。
障壁金屬20具有如下功能：抑制金屬自導電性物質層30向層間絕緣材料10擴散，且使層間絕緣材料10與導電性物質層30之密接性提高。障壁金屬20之構成材料較佳的是選自如下材料之至少一種：鉭、鉭合金、鉭化合物(例如氮化鉭)、鈦、鈦合金、鈦化合物(例如氮化鈦)、鎢、鎢合金、鎢化合物(例如氮化鎢)、釕、釕合金、及釕化合物(例如氮化釕)。另外，於圖1中表示了障壁金屬20為單層結構之情形時的例子，但障壁金屬20亦可為二層以上之積層結構。
研磨裝置例如適宜的是包含如下者之裝置：保持基板之固定器、貼附研磨墊之研磨壓盤、於研磨墊上供給研磨液之機構。例如可列舉荏原製作所股份有限公司製造之研磨裝置(型號：EPO-111)、應用材料(Applied Materials)公司製造之研磨裝置(商品名：Mirra3400、Reflextion、Reflextion LK)等。研磨墊並無特別限制，例如可使用一般的不織布、發泡聚胺基甲酸酯(polyurethane)、多孔質氟樹脂等。而且，研磨墊較佳的是實施了可積存研磨液之溝加工的研磨墊。
研磨條件並無特別限制，自使基板並不飛出之觀點考慮，研磨壓盤之旋轉速度較佳的是200 min-1以下，自抑制研磨面之損傷之觀點考慮，對基板所施加之壓力(加工負載)較佳的是100 kPa以下。於研磨期間，較佳的是藉由泵等對研磨墊連續地供給研磨液。其供給量並無限制，較佳的是研磨墊之表面一直被研磨液覆蓋。
研磨結束後，較佳的是於流水中對基板進行充分清洗，進一步使用旋轉乾燥器等將基板上所附著之水滴拂落後使其乾燥。藉由如上述地進行研磨，可消除表面之凹凸，獲得基板整個面平滑之面。藉由反覆進行規定次數的形成膜及對其進行研磨之步驟，可製造具有所期望之層數之基板。
本發明之研磨液不僅僅可用於如上所述之半導體基板上所形成之金屬之研磨，而且亦可用於研磨磁頭等之基板。
實施例以下，藉由實施例對本發明加以說明。但本發明並不受該些實施例限定。
(金屬用研磨液之調製)
(實施例1)
於1 L之塑膠製容器中加入純水80質量份，以成為表1中所記載之調配量之方式溶解甘胺酸(A成分)。另外，表1~表3中之調配量是質量份。
其次，以成為表1中所記載之調配量之方式溶解重量平均分子量為40,000之聚丙烯酸(C成分)。
其次，以成為表1中所記載之調配量之方式溶解苯并三唑(B成分)。
其次，以成為表1中所記載之調配量之方式混合過氧化氫(30質量/體積%水溶液)。
最後，混合適量之純水，調製合計100質量份之金屬用研磨液。
(實施例2)
於1 L之塑膠製容器中加入純水80質量份，以成為表1中所記載之調配量之方式溶解甘胺酸(A成分)。
其次，以成為表1中所記載之調配量之方式溶解重量平均分子量為40,000之聚丙烯酸(C成分)。
其次，以成為表1中所記載之調配量之方式溶解苯并三唑(B成分)。
其次，以作為二氧化矽粒子之調配量成為表1中所記載之調配量的方式混合平均粒徑為70 nm之膠體二氧化矽(二氧化矽粒子之含量：20質量%)。其次，以成為表1中所記載之調配量之方式混合過氧化氫(30質量/體積%水溶液)。
最後，混合適量之純水，調製合計100質量份之金屬用研磨液。
(實施例3~實施例9、比較例1~比較例12)
以最終的金屬用研磨液中所含之各成分成為如表1~表
3中所記載的方式變更所添加之成分、添加量，除此以外與實施例2同樣地進行而調製100質量份之金屬用研磨液。
藉由以下所示之評價項目對上述所得之金屬用研磨液進行評價。將結果示於表1~表3中。
(研磨速度評價條件)
(1)基板：形成有厚度為1 μm之銅的矽基板(毯覆式晶圓(blanket wafer))
(2)研磨壓力：21 kPa
(3)基板與研磨壓盤之相對速度：36 m/min
(4)研磨液供給量：200 mL/min
(5)研磨布：發泡聚胺基甲酸酯樹脂(霓達哈斯(NITTA HAAS)公司製造之IC-1010)
(蝕刻評價條件)
(1)基板：形成有厚度為1 μm之銅的矽基板晶片(20 mm×20 mm)
(2)研磨液溫度：60℃±3℃
(3)攪拌速度：100 min-1
(4)測定時間：2 min
(5)研磨液量：100 mL
(評價項目)
(1)研磨速度：根據電阻值換算銅之CMP前後之膜厚差而求出。
(2)蝕刻速度：於100 mL容器中加入金屬用研磨液100 mL，將溫度維持為60℃，於以100 min-1進行攪拌之金屬用研磨液中浸漬所述蝕刻評價用基板2分鐘，根據電阻值換算浸漬前後之銅之膜厚差而求出。
如實施例1~實施例4所示，於使用A成分之甘胺酸作為金屬溶解劑，使用B成分之苯并三唑、1-羥基苯并三唑或5-甲基-1H-苯并三唑作為保護膜形成劑，使用C成分之重量分子量為40,000之丙烯酸聚合物作為添加劑之情形時，顯示良好之研磨速度、實用的蝕刻速度。均是B成分與C成分之質量比成為1：2.5(保護膜形成劑與聚丙烯酸之質量比為1：2.5，保護膜形成劑是相當於B成分之化合物，聚丙烯酸是相當於C成分之化合物)。於如實施例5所示的將丙烯酸聚合物之重量平均分子量設為500,000之情形時亦同樣顯示出良好之研磨速度。於如實施例6所示的使用A成分之丙胺酸作為金屬溶解劑之情形時亦顯示出良好之研磨
速度。進一步於如實施例7~實施例9中所示的提高pH之情形時，可維持良好之研磨速度且實現低的蝕刻速度。
另一方面，於如比較例1所示的未添加丙烯酸聚合物之情形時，存在研磨速度較實施例更差之傾向。
於如比較例2所示的丙烯酸聚合物之重量平均分子量低至1,000之情形(保護膜形成劑與聚丙烯酸之質量比為1：2.5，但聚丙烯酸並不相當於C成分之情形)時，存在研磨速度較實施例更差之傾向。於如比較例3~比較例6所示的B成分與C成分之質量比為1：1~1：5之範圍外之情形時，存在研磨速度、蝕刻較實施例更差之傾向。而且，若如比較例7所示的將金屬溶解劑設為蘋果酸而代替A成分，則存在蝕刻速度較實施例更差之傾向。另外，於如比較例9~比較例12所示的使用並不具有苯并三唑骨架之保護膜形成劑之情形(保護膜形成劑並不相當於B成分之情形)時，存在研磨速度較實施例更差之傾向。
[產業上之可利用性]
藉由本發明之金屬用研磨液及使用其之研磨方法，對於金屬(特別是銅系金屬)能夠以更高之水準同時實現高的研磨速度與低的蝕刻速度，可形成可靠性更高的埋設圖案。
Claims (5)
- 一種金屬用研磨液，其用以研磨包含金屬之基板的至少所述金屬之一部分，所述金屬用研磨液包括：A成分：包含胺基酸之金屬溶解劑；B成分：具有苯并三唑骨架之化合物；以及C成分：重量平均分子量為20,000以上之丙烯酸聚合物，所述金屬溶解劑中之胺基酸之莫耳比是90mol%以上，所述B成分與所述C成分之質量比(B成分：C成分)為1：1~1：5。
- 如申請專利範圍第1項所述之金屬用研磨液，其中pH為2~6之範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述之金屬用研磨液，其更含有研磨粒。
- 如申請專利範圍第1項所述之金屬用研磨液，其中所述金屬包含選自由銅、銅合金、銅之氧化物及銅合金之氧化物所構成之群組的至少一種。
- 一種研磨方法，其特徵在於：使用如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之金屬用研磨液，對包含金屬之基板的至少所述金屬之一部分進行研磨。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-019571 | 2012-02-01 | ||
| JP2012019571 | 2012-02-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201335349A TW201335349A (zh) | 2013-09-01 |
| TWI617654B true TWI617654B (zh) | 2018-03-11 |
Family
ID=48905207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102103542A TWI617654B (zh) | 2012-02-01 | 2013-01-30 | 金屬用硏磨液及硏磨方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10037894B2 (zh) |
| JP (2) | JP6334172B2 (zh) |
| KR (1) | KR102033495B1 (zh) |
| CN (1) | CN104093810B (zh) |
| SG (2) | SG10201604674VA (zh) |
| TW (1) | TWI617654B (zh) |
| WO (1) | WO2013115172A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6366308B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP6274926B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-02-07 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
| JP2018092960A (ja) * | 2015-04-03 | 2018-06-14 | Jsr株式会社 | 洗浄用組成物および洗浄方法 |
| WO2017130749A1 (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| CN108300331A (zh) * | 2018-02-10 | 2018-07-20 | 雷春生 | 一种金属抛光液 |
| EP3918110A4 (en) * | 2019-01-31 | 2022-11-02 | FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. | ETCHING COMPOSITIONS |
| CN114990685B (zh) * | 2022-06-07 | 2024-06-28 | 上海应用技术大学 | 一种铜电解抛光液及电解抛光方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150264A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 有機絶縁材料膜及び銅膜複合材料用研磨材及び研磨方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6896825B1 (en) | 1998-08-31 | 2005-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Abrasive liquid for metal and method for polishing |
| US20020062600A1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-05-30 | Mandigo Glenn C. | Polishing composition |
| JP2004153086A (ja) | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Showa Denko Kk | 金属研磨組成物、金属膜の研磨方法および基板の製造方法 |
| WO2004039905A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Showa Denko K.K. | Composition for polishing metal, polishing method for metal layer, and production method for wafer |
| JP5110244B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2012-12-26 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
| KR100961116B1 (ko) * | 2005-04-14 | 2010-06-07 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 연마 조성물 |
| JP2007073548A (ja) | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Fujimi Inc | 研磨方法 |
| JP5135755B2 (ja) | 2005-10-21 | 2013-02-06 | 日立化成工業株式会社 | 銅及び銅合金用研磨剤並びにそれを用いた研磨方法 |
| US7265055B2 (en) | 2005-10-26 | 2007-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium substrates |
| JP5412706B2 (ja) | 2005-11-01 | 2014-02-12 | 日立化成株式会社 | 銅膜及び絶縁材料膜用研磨材及び研磨方法 |
| KR20090122182A (ko) | 2007-03-08 | 2009-11-26 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 금속용 연마액 및 피연마막의 연마 방법 |
| US20090056231A1 (en) | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Daniela White | Copper CMP composition containing ionic polyelectrolyte and method |
| JP2009088243A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 研磨液 |
| JP5447789B2 (ja) | 2009-04-15 | 2014-03-19 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および該分散体の調製方法、ならびに化学機械研磨方法 |
| JP5743397B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2015-07-01 | 日立化成株式会社 | 銅用研磨剤、及び化学的機械的研磨方法 |
-
2013
- 2013-01-29 SG SG10201604674VA patent/SG10201604674VA/en unknown
- 2013-01-29 SG SG11201404531UA patent/SG11201404531UA/en unknown
- 2013-01-29 US US14/376,382 patent/US10037894B2/en active Active
- 2013-01-29 WO PCT/JP2013/051877 patent/WO2013115172A1/ja active Application Filing
- 2013-01-29 JP JP2013556408A patent/JP6334172B2/ja active Active
- 2013-01-29 CN CN201380007749.2A patent/CN104093810B/zh active Active
- 2013-01-29 KR KR1020147021865A patent/KR102033495B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-30 TW TW102103542A patent/TWI617654B/zh active
-
2016
- 2016-12-06 JP JP2016236606A patent/JP6327326B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150264A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 有機絶縁材料膜及び銅膜複合材料用研磨材及び研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140370707A1 (en) | 2014-12-18 |
| JP6327326B2 (ja) | 2018-05-23 |
| SG10201604674VA (en) | 2016-07-28 |
| TW201335349A (zh) | 2013-09-01 |
| KR20140119096A (ko) | 2014-10-08 |
| JP2017085124A (ja) | 2017-05-18 |
| SG11201404531UA (en) | 2014-09-26 |
| JP6334172B2 (ja) | 2018-05-30 |
| WO2013115172A1 (ja) | 2013-08-08 |
| CN104093810A (zh) | 2014-10-08 |
| JPWO2013115172A1 (ja) | 2015-05-11 |
| CN104093810B (zh) | 2016-01-20 |
| US10037894B2 (en) | 2018-07-31 |
| KR102033495B1 (ko) | 2019-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6327326B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
| JP5381701B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
| JP5176077B2 (ja) | 金属用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
| WO2008044477A1 (fr) | Dispersion aqueuse pour polissage chimico-mécanique et procédé de polissage chimico-mécanique pour dispositif semi-conducteur | |
| KR20100065304A (ko) | 금속용 연마액 및 연마 방법 | |
| TWI399428B (zh) | Ｃｍｐ研磨液以及使用此ｃｍｐ研磨液的基板研磨方法 | |
| JP3780767B2 (ja) | 金属用研磨液及び基板の研磨方法 | |
| JP4618987B2 (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
| JP4935843B2 (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
| JP2010103409A (ja) | 金属用研磨液及びこの金属用研磨液を用いた研磨方法 | |
| JP4759779B2 (ja) | 基板の研磨方法 | |
| JP2004259867A (ja) | 化学的機械的研磨用スラリー | |
| JP5573234B2 (ja) | Ｃｍｐ研磨液及びこのｃｍｐ研磨液を用いた基板の研磨方法 | |
| JP3902897B2 (ja) | 金属用研磨液を用いた基板の研磨方法 | |
| JP2001144044A (ja) | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 | |
| JP2004363141A (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
| JP3902896B2 (ja) | 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法 | |
| JP2009152647A (ja) | 金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法 | |
| JP2001127027A (ja) | 金属研磨方法 | |
| JP2009259950A (ja) | Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた基板の研磨方法 | |
| TWI471923B (zh) | 化學機械拋光液 | |
| JP4062903B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
| JP2008118112A (ja) | Ｃｍｐ用研磨液及び基板の研磨方法 | |
| JPWO2008108301A1 (ja) | 金属用研磨液及び被研磨膜の研磨方法 | |
| JP2006216828A (ja) | 金属用研磨液を使用する研磨方法 |