TWI616544B - 被覆工具及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種在基材的表面上被覆有類鑽石碳膜的被覆工具，該類鑽石碳膜的奈米壓痕硬度在50GPa以上100GPa以下，該類鑽石碳膜的氫原子以及氮原子的含量從基材側向厚度方向減少，在該類鑽石碳膜的表面，氫原子的含量在0.5原子%以下，氮原子的含量在2原子%以下。

Description

被覆工具及其製造方法
本發明係關於一種例如沖壓加工用的模具、鍛造用的模具、鋸刃等的切斷工具或鑽頭等的切削工具等被覆有類鑽石碳膜(以下亦稱「DLC皮膜」)的被覆工具以及其製造方法。
當鋁、銅以及樹脂等的被加工材料以模具進行成型加工時，有時會因為被加工材料的一部分附著於模具的表面而發生擦傷、損傷等的產品瑕疵情況。為了解決該問題，在模具的表面被覆有DLC皮膜的被覆模具已進入實際運用階段。實質上不含有氫的DLC皮膜(Tetrahedral amorphous carbon皮膜，ta-C皮膜，四面體非晶碳膜)，由於高硬度且耐磨損性優異，故被廣泛運用於被覆模具。然而，實質上不含有氫的高硬度DLC皮膜，係以使用石墨靶材的電弧離子鍍膜法形成，稱為微粒、大小為數微米的粒子(石墨球)不可避免的會混入DLC皮膜，使DLC皮膜的表面粗度惡化。
對於該等問題，專利文獻1揭示了藉由應用具備捕捉並收集微粒之機構的過濾電弧離子鍍膜法，便可被覆出平滑、高硬度且實質上不含有氫的DLC皮膜。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-297171號公報
藉由應用像專利文獻1那樣的高硬度且表面狀態平滑的DLC皮膜，以期待改善工具特性。然而，高硬度的DLC皮膜，具有與基材的密合性較差的傾向。
根據本發明人的檢討，確認出特別是在將碳化物較多的SKD11等的冷加工工具鋼(例如含碳率在1質量%以上的高碳鋼)用於基材時，會有容易在母材與碳化物之間產生間隙，並以該間隙為起點發生DLC皮膜剝離的傾向，因此被覆之後的DLC皮膜有時會發生剝離。
有鑑於以上該等問題，本發明係關於一種密合性優異的被覆工具以及其製造方法。
本發明人，發現一種可改善高硬度的DLC皮膜的密合性的具體的皮膜構造以及有效實現該構造的被覆方法，進而完成本發明。解決該問題的具體手段，如以下所述。亦即，本發明係一種在基材的表面被覆有DLC皮膜(類鑽石碳膜)的被覆工具，該DLC皮膜的奈米壓痕硬度在50GPa以上100GPa以下，該DLC皮膜的氫原子以及氮原子的含量從基材側向厚度方向(表面側)減少，在該DLC皮膜的表面，氫原子的含量在0.5原子%以下，氮原子的含量在2原子%以下，為密合性優異的被覆工具。
在該DLC皮膜的表面粗度中，算術平均粗度Ra宜在0.03μm以下，最大高度粗度Rz宜在0.5μm以下。在該DLC皮膜的基材側的表面，氫原子的含量宜在0.7原子%以上7原子%以下，氮原子的含量宜超過2原子%並在10原子%以下。另外，類鑽石碳膜的膜厚宜在0.1μm~1.5μm的範圍內。基材宜為含碳率在1質量%以上的高碳鋼或超硬合金。
另外，本發明之被覆工具的製造方法，係以過濾電弧離子鍍膜法在基材表面被覆DLC皮膜(類鑽石碳膜)的被覆工具的製造方法，包含：將含有氫原子的混合氣體導入爐內，以對該基材表面進行氣體轟擊處理的步驟；以及接著將氮氣導入氣體轟擊處理後的該爐內，一面使導入爐內的該氮氣的流量減少，一面用石墨靶材將DLC皮膜被覆於該基材表面的步驟。該混合氣體，宜為含有氬氣以及相對於混合氣體總質量在4質量%以上的氫氣的混合氣體。該被覆步驟，宜在一面使導入爐內的該氮氣的流量減少一面被覆類鑽石碳膜之後，更將氮氣的導入停止(使氮氣的導入量減少到0sccm)並被覆類鑽石碳膜。另外，在該被覆步驟中，導入爐內的氮氣的流量，宜在5sccm以上30sccm以下。
根據本發明，便可提供一種密合性優異的被覆工具以及其製造方法。
1‧‧‧碳陰極
2‧‧‧碳成膜束
3‧‧‧球狀石墨(微粒)中性粒子
4‧‧‧電磁線圈
5‧‧‧導管
6‧‧‧成膜處理室
7‧‧‧基材支架
8‧‧‧旋轉機構
【圖1】係表示本發明例的試料No.1的DLC皮膜的輝光放電發射光譜分析結果圖。
【圖2】係表示本發明例的試料No.2的DLC皮膜的輝光放電發射光譜分析結果圖。
【圖3】係表示本發明例的試料No.3的DLC皮膜的輝光放電發射光譜分析結果圖。
【圖4】係表示比較試料No.1的DLC皮膜的輝光放電發射光譜分析結果圖。
【圖5】係表示比較試料No.2的DLC皮膜的輝光放電發射光譜分析結果圖。
【圖6】係表示比較試料No.3的DLC皮膜的輝光放電發射光譜分析結果圖。
【圖7】係表示本發明例的試料No.1的DLC皮膜的歐傑電子能譜分析結果圖。
【圖8】係表示本發明例的試料No.3的DLC皮膜的歐傑電子能譜分析結果圖。
【圖9】係表示比較試料No.3的DLC皮膜的歐傑電子能譜分析結果圖。
【圖10】係實施例所使用的T字型過濾電弧成膜裝置的概略圖。
【圖11】(a)~(c)係本發明例的試料No.1~No.3的DLC皮膜的光學顯微鏡的表面觀察影像。
【圖12】(a)~(f)係比較試料No.1~No.6的DLC皮膜的光學顯微鏡的表面觀察影像。
【圖13】(a)~(f)係球對盤試驗後的本發明例各試料的光學顯微鏡的表面觀察影像。
【圖14】(a)~(e)係球對盤試驗後的各比較試料的光學顯微鏡的表面觀察影像。
本發明之被覆工具，係在基材的表面上被覆有類鑽石碳膜的被覆工具，從皮膜表面所測定的奈米壓痕硬度在50GPa以上100GPa以下。本發明之被覆工具，係在基材上具有從皮膜表面所測定之奈米壓痕硬度在50GPa以上的高硬度DLC皮膜的被覆工具。若奈米壓痕硬度低於50GPa，則由於耐磨損性較低，故工具使用壽命會不夠長。另一方面，若皮膜的硬度比100GPa高，則殘留應力太高，與基材的密合度會降低。
本發明之DLC皮膜的奈米壓痕硬度，從耐磨損性良好且與基材的密合度優異的觀點來看，宜在55GPa以上，更宜在60GPa以上。另外，DLC皮膜的奈米壓痕硬度，宜在95GPa以下，更宜在90GPa以下。
奈米壓痕硬度，係將探針壓入試料(DLC皮膜)使其塑性變形時的塑性硬度，從壓入負載與壓入深度(位移)求出負載-位移曲線，以算出硬度。具體 而言，使用ELIONIX股份有限公司製的奈米壓痕裝置，以壓入負載9.8mN、最大負載維持時間1秒、負載施加後除去速度0.49mN/秒的測定條件測定皮膜表面10個點的硬度，剔除數值最大的2個點與數值最小的2個點，求出6個點的平均值。
高硬度的DLC皮膜，具有與內部應力極高之基材的密合性較差的傾向。因此，以往提出一種藉由設置硬度比DLC皮膜更低的中間皮膜以確保基材與DLC皮膜的密合性的技術。然而，根據本發明人的檢討，確認出當在基材與DLC皮膜之間隔設著金屬、碳化物或氮化物等的中間皮膜時，DLC皮膜會以中間皮膜的表面缺陷為起點率先剝離，故密合性的改善程度仍顯不足。另一方面，含有氫原子或氮原子的DLC皮膜，硬度以及殘留應力會降低已為人所習知。DLC皮膜所含有之氫原子的含量越多，硬度以及殘留應力越低。例如，當應用DLC皮膜作為被覆模具的被覆用材料時，成型中的溫度上升會使DLC皮膜所含有的氫蒸發，而在模具產生空隙等的缺陷，使模具壽命縮短。另外，DLC皮膜所含有之氮原子的含量越多時，硬度以及殘留應力也會越低。在加工非鐵系材料的情況下，容易發生熔化黏著現象。因此，隔設著含有過多氫原子或氮原子的DLC皮膜，即使密合性提高，工具特性也難以改善。
於是，本發明人檢討出一種在基材的正上方設置DLC皮膜，使該DLC皮膜的厚度方向的皮膜構造連續性變化，以降低殘留應力的方法。結果，確認出當不在厚度方向上均勻地含有氫以及氮元素，而使氫原子以及氮原子的含量在從DLC皮膜的基材側向表面側的厚度方向上均減少時，殘留應力便會降低，即使在基材使用了碳化物較多的冷加工工具鋼的情況下也不會發生剝離，進而使密 合性獲得改善。然而，當離開基材而位於表面的DLC皮膜所含有之氫原子或氮原子的含量較多時，會發生被加工材料的熔化黏著，工具壽命便容易縮短。因此，本發明之被覆工具，使氫原子以及氮原子的含量在從DLC皮膜的基材側向表面側的厚度方向上逐漸減少，進而使DLC皮膜表面的氫原子的含量在0.5原子%以下，同時使氮原子的含量在2原子%以下。亦即，此係表示，在本發明之被覆工具中，基材側的表面的氫原子的含量超過0.5原子%，基材側的表面的氮原子的含量超過2原子%。藉由具有該等皮膜構造，設置在基材的正上方的高硬度DLC皮膜相對於基材便具有較高的密合性，且可防止被加工材料的熔化黏著問題。本發明之被覆工具，應用於被覆模具可使模具壽命大幅延長，為較佳的態樣。
其中，根據與上述相同的理由，DLC皮膜的表面的氫原子的含量宜在0.4原子%以下，更宜在0.3原子%以下。另外，DLC皮膜的表面的氮原子的含量宜在1.5原子%以下，更宜在1.0原子%以下。
另外，本發明之皮膜的「表面」，係指與被加工材料接觸的表面以及其附近部位。另外，本發明之「基材側的表面」，係指與基材接觸的皮膜的表面以及其界面附近部位。
氫原子的含量，可利用彈性反衝探測分析法(elastic recoil detection analysis，ERDA)求得。另外，氮原子的含量，可利用歐傑電子能譜分析法(Auger electron spectroscopy analysis，AESA)求得。
在DLC皮膜中，若基材側的氫含量太多，即使從基材側向表面側使氫含量減少，DLC皮膜的整體所含有的氫含量仍會很多。結果，會導致硬度降低以及在工具使用中因為氫的蒸發而使工具特性變差。就提高基材側的氫含量而言，導入乙炔(C2H2)等的碳化氫系的氣體有其效果。然而，若碳化氫系的氣體大量導入，附著於爐內的碳黑會變多，裝置的維修保養會變困難。因此，在DLC皮膜的基材側的表面，氫含量宜在0.7原子%以上7原子%以下。氫含量更宜在0.7原子%以上3原子%以下，最好是在0.7原子%以上2原子%以下。另外，在DLC皮膜中，若基材側的氮含量太多，即使從基材側向表面側使氮含量減少，DLC皮膜整體所含有的氮含量仍會很多。結果，便容易發生硬度降低導致耐磨損性降低以及加工非鐵系材料時熔化黏著等問題。因此，在DLC皮膜的基材側的表面，氮含量宜超過2原子%並在10原子%以下。氮含量更宜超過2原子%並在8原子%以下，最好是超過2原子%並在5原子%以下。
當DLC皮膜的表面存在微粒或雜質等物質時，以該等物質為起點，被加工材料會熔化黏著，而發生擦傷等缺陷。當測量一般的表面粗度亦即算術平均粗度Ra(以JIS-B-0601-2001為準)以及最大高度粗度Rz(以JIS-B-0601-2001為準)時，若具有Ra在0.03μm以下、Rz在0.5μm以下的平滑性，便可減少成為被加工材料熔化黏著起點的表面缺陷，由此點來看為較佳的態樣。Ra更宜在0.02μm以下。另外，Rz更宜在0.3μm以下。
若DLC皮膜的膜厚太薄，工具的耐久性會不足。另外，若DLC皮膜的膜厚太厚，皮膜表面粗度會有惡化的傾向。當膜厚太厚時，DLC皮膜部分剝離的可能性也會變大。因此，DLC皮膜的膜厚，宜在0.1μm~1.5μm，更宜在0.1μm~1.2μm。為了賦予被覆工具充分的耐磨損性，DLC皮膜的膜厚宜在0.2μm以上。為了同時得到平滑的表面粗度與優異的耐磨損性，DLC皮膜的膜厚宜在0.5μm~1.2μm。
基材，並無特別限制，可因應用途或目的等適當選擇。例如，可使用超硬合金、冷加工工具鋼、高速工具鋼、塑膠模具用鋼、熱加工工具鋼等。在基材之中，從密合性的提高效果較高的觀點來看，若母材的碳化物太多則皮膜剝離容易發生，因此宜使用含碳量在1質量%以上的高碳鋼或超硬合金。高碳鋼，例如JIS-SKD11等。
接著，說明本發明之被覆工具的製造方法。本發明之被覆工具的製造方法，係用過濾電弧離子鍍膜法(filtered arc ion plating method)在基材的表面上被覆類鑽石碳膜的被覆工具的製造方法。具體而言，本發明之被覆工具的製造方法包含：將含有氫的混合氣體導入爐內，對該基材的表面進行氣體轟擊處理的步驟；以及將氮氣導入氣體轟擊處理後的該爐內，一面使導入爐內的該氮氣的流量減少，一面用石墨靶材將類鑽石碳膜被覆在該基材的表面上的步驟。
本發明之被覆工具的DLC皮膜，可用以往習知的過濾電弧離子鍍膜裝置被覆。尤其，若使用T字型過濾電弧離子鍍膜裝置，便可被覆成更平滑的DLC皮膜， 故為較佳的態樣。為了使DLC皮膜的氮含量從基材側向表面側減少，一面使導入爐內的氮氣的流量減少，一面用石墨靶材被覆DLC皮膜便可達成。另一方面，為了使DLC皮膜的氫含量從基材側向表面側減少，在被覆DLC皮膜之前，實施含有氫氣的混合氣體的氣體轟擊處理，有其效果。
若對DLC皮膜被覆前的基材，實施以往的氬氣的氣體轟擊處理，則在皮膜與基材的界面會存在較多的氧，密合性會變差。存在於該界面的氧，完全是因為基材表面最初形成的氧化膜所致的，為氬氣的氣體轟擊處理未完全除去的殘存元素。相對於此，若使用含有氫的混合氣體對基材的表面進行氣體轟擊處理，則基材表面的氧化膜會與氫離子發生反應而還原，如是便可利用氣體轟擊處理將氧化膜以及表面的污垢除去。在以含有氫的混合氣體對基材的表面進行過氣體轟擊處理之後，爐內會殘存氫。因此，在氣體轟擊處理結束之後，將氮氣導入爐內，一面使氣體流量減少一面對石墨靶材輸入電力以被覆DLC皮膜，藉此DLC皮膜中便不會含有過多的氫，如是便可形成氫以及氮從基材側向表面側減少的皮膜構造。
含有氫氣的混合氣體，宜為含有氬氣與相對於混合氣體總質量在4質量%以上的氫氣的混合氣體為佳。若氫濃度在4質量%以上，以混合氣體的氣體轟擊處理除去氧化膜的效果會更好。另外，氣體轟擊處理後爐內殘留的氫變少，在DLC皮膜的基材側便不易含氫。在氣體轟擊處理時，從提高高硬度DLC皮膜的密合性的觀點來看，對基材所施加之負壓的偏壓電壓宜在-2500V~-1500V。若對基材所施加之負壓的偏壓電壓較小，氣體離子的衝擊能量會較低，故蝕刻效果 會較小，高硬度DLC皮膜的密合性會有降低的傾向。另外，若對基材所施加之負壓的偏壓電壓較大，電漿會不穩定，會發生異常放電現象。當異常放電發生時，會在工具表面形成異常放電(電弧放電)痕，故有時會在工具表面產生凹凸。為了均勻地除去基材表面的氧化物，混合氣體的氣體轟擊處理宜在30分以上。在混合氣體的氣體轟擊處理後，亦可將乙炔等的碳化氫氣體導入爐內，使基材側的氫含量增加。
DLC皮膜被覆時，基材溫度宜在200℃以下。若溫度比200℃更高，DLC皮膜會進一步石墨化，硬度會有降低的傾向。另外，DLC皮膜被覆時，對基材所施加之偏壓電壓宜在-300V~-50V。若對基材所施加之負壓的偏壓電壓在-50V以下，碳離子的衝擊能量便不會太小而容易維持，DLC皮膜便不易發生空隙等的缺陷。另外，若對基材所施加之負壓的偏壓電壓在-300V以上，在成膜中便不易發生異常放電現象。對基材所施加之偏壓電壓更宜在-200V~-100V。DLC皮膜被覆時，基材溫度宜在200℃以下。若溫度比200℃更高，DLC皮膜會進一步石墨化，硬度會有降低的傾向。另外，DLC皮膜被覆時，對基材所施加之偏壓電壓的絶對值宜在50V~300V。若對基材所施加之負壓的偏壓電壓的絶對值在50V以上，碳離子的衝擊能量較大，DLC皮膜不易發生空隙等的缺陷。另外，若對基材所施加之負壓的偏壓電壓的絶對值在300V以下，更可防止成膜中的異常放電現象。對基材所施加之偏壓電壓更宜在-200V~-100V。
氣體轟擊處理後導入爐內的氮氣的流量宜在30sccm以下。若氣體的流量比30sccm更大，DLC皮膜所含有之氮含量會增加，容易發生硬度降低導致耐磨損 性降低以及加工非鐵系材料時熔化黏著等問題。另一方面，若導入爐內的氮氣的流量太少，使DLC皮膜的殘留壓縮應力降低的程度會不夠充分。因此，在氣體轟擊處理後，導入爐內的氮氣的流量，從使DLC皮膜的殘留壓縮應力降低的觀點來看，宜在5sccm以上。然後，DLC皮膜，宜一面使導入爐內的氮氣流量階段性減少一面進行被覆，之後將氮氣的導入停止，最後在不導入氮氣的情況下被覆DLC皮膜為佳。
本發明之被覆工具的製造方法，係以過濾電弧離子鍍膜法在基材的表面上被覆類鑽石碳膜。由於使用過濾電弧離子鍍膜裝置，雖容易獲得平滑的DLC皮膜，惟當膜厚變厚時，表面粗度可能會降低。此時，藉由對被覆後的DLC皮膜的表面進行研磨處理，可使被覆工具達到較佳的表面狀態。另外，為了使基材與DLC皮膜的密合性提高，宜使DLC皮膜被覆前的基材更加平滑。具體而言，基材的表面粗度，在測定一般的表面粗度亦即算術平均粗度Ra(以JIS-B-0601-2001為準)以及最大高度粗度Rz(以JIS-B-0601-2001為準)時，宜研磨到Ra在0.06μm以下且Rz在0.1μm以下。然後，基材的表面粗度更宜Ra在0.05μm以下且Rz在0.08μm以下。
【實施例】
以下，藉由實施例更具體說明本發明，惟本發明在不超出其發明精神的範圍內，不限於以下的實施例。另外，只要並未特別否定，「部」為質量基準。
(實施例1)
<成膜裝置>
成膜裝置使用T字型過濾電弧離子鍍膜裝置。裝置的概略圖顯示於圖10。在成膜處理室(6)內具有裝設著設置有石墨靶材的碳陰極(cathode)(1)的電弧放電式蒸發源，以及搭載基材用的基材支架(7)。基材支架之下設有旋轉機構(8)，基材透過基材支架自轉且公轉。符號(2)係表示碳成膜束，符號(3)係表示球狀石墨(微粒)中性粒子。當在石墨靶材表面上使電弧放電發生時，僅具有電荷的碳被電磁線圈(4)彎曲並到達成膜處理室，而在基材上被覆皮膜。不具有電荷的微粒不會被電磁線圈彎曲而被捕捉收集在導管(5)內。
<基材>
DLC皮膜被覆之後的剝離狀態與熔化黏著性的評價，係使用尺寸為φ20×5mm且煉製成60HRC的相當於JIS-SKD11鋼材的基材。奈米壓痕硬度、皮膜分析、破裂面膜厚測定，係使用由鈷含量為10質量%的碳化鎢(WC-10質量% Co)所構成的超硬合金製的基材(尺寸：4mm×8mm×25mm，平均粒度：0.8μm，硬度：91.2HRA)。刮痕試驗係使用尺寸為21mm×17mm×2mm的相當於JIS-SKH51鋼材的基材。上述任一基材，均在DLC皮膜被覆之前，研磨到算術平均粗度Ra在0.01μm以下且最大高度粗度Rz在0.07μm以下。然後，研磨之後，脫脂洗淨，固定於處理室內的基材支架。對各基材按照以下的條件被覆DLC皮膜。
<實施例1(試料No.1)>
將成膜處理室真空吸引到5×10-3Pa為止，利用加熱器將基材加熱到150℃附近並保持90分鐘。之後，將對基材所施加之負壓的偏壓電壓設為-2000V，並實 施90分鐘的在氬氣中含有5質量%的氫氣的混合氣體的氣體轟擊處理。混合氣體的流量為50sccm~100sccm。在氣體轟擊處理後，將10sccm氮氣導入成膜處理室，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，對石墨靶材輸入50A的電流，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，使氮氣為5sccm，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜30分鐘。
<實施例2(試料No.2)>
到氣體轟擊處理為止與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將10sccm氮氣導入成膜處理室，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流於50A~80A階段性增加，並被覆DLC皮膜約30分鐘。接著，使氮氣流量為5sccm，並被覆DLC皮膜約30分鐘。接下來，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜約70分鐘。
<實施例3(試料No.3)>
到氣體轟擊處理為止與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將20sccm氮氣導入成膜處理室，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流於50A~80A階段性增加，並被覆DLC皮膜約30分鐘。接著，使氮氣流量從20sccm到5sccm階段性變化，並被覆DLC皮膜約30分鐘。接著，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜約70分鐘。
<實施例4(試料No.4)>
到氣體轟擊處理為止與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將5sccm的C2H2氣體導入成膜處理室5分鐘。之後，將C2H2的導入停止，導入10sccm氮氣，對基材施加-150V的偏壓電壓，使基材溫度在100℃以下。然後，對石墨靶材施加50A的電流，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，使氮氣的流量為5sccm，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜約30分鐘。
<實施例5(試料No.5)>
到氣體轟擊處理為止與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將100sccm的在氬氣中含有5質量%的氫氣的混合氣體導入成膜處理室5分鐘。之後，將混合氣體的導入停止，導入10sccm氮氣，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流為50A，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，使氮氣流量為5sccm，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜約30分鐘。
<實施例6(試料No.6)>
到氣體轟擊處理為止與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將10sccm的C2H2氣體導入成膜處理室10分鐘。之後，同時導入10sccm的C2H2氣體與15sccm的氮氣，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流於50A~80A階段性增加，並被覆DLC皮膜約6分鐘。接著，將C2H2氣體的導入停止，導入15sccm的氮氣流量，並被覆DLC皮膜約45分鐘。接著，使氮氣流量從15sccm到5sccm階段性變化，並被覆DLC皮膜約45分鐘。接著，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜約100分鐘。
<實施例7(試料No.7)>
到氣體轟擊處理為止與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將C2H2氣體導入成膜處理室。之後，將C2H2的導入停止，導入10sccm氮氣，對基材施加-150V的偏壓電壓，使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流為50A，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，再次將C2H2氣體導入爐內。之後，將C2H2氣體的導入停止，使氮氣流量為5sccm，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜約30分鐘。
<比較例1(比較試料No.1)>
到氣體轟擊處理為止與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，不導入氮氣，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流為50A，並形成DLC皮膜約50分鐘。
<比較例2(比較試料No.2)>
氣體轟擊處理僅以氬氣進行。在氣體轟擊處理後，將10sccm氮氣導入成膜處理室，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流為50A，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，使氮氣流量為5sccm，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，將氮氣的導入停止，並被覆DLC皮膜約30分鐘。
<比較例3(比較試料No.3；習知例)>
氣體轟擊處理僅以氬氣進行。在氣體轟擊處理後，不導入氮氣，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流為50A，並形成DLC皮膜約50分鐘。
<比較例4(比較試料No.4；習知例)>
在DLC皮膜被覆之前，對基材表面僅以氬氣進行氣體轟擊處理，被覆約3μm的CrN作為中間皮膜。在中間皮膜被覆之後，不導入氮氣，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流為50A，並形成DLC皮膜約50分鐘。
另外，上述的任何試料，均以基材溫度在200℃以下的方式一面重複成膜與冷卻一面被覆DLC皮膜。針對被覆有DLC皮膜的各試料，進行硬度測定、密合性評價、熔化黏著性評價、構造分析。以下，說明該測定條件。
<比較例5(比較試料No.5)>
到氣體轟擊處理為止，與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將10sccm氮氣導入成膜處理室，對基材施加-150V的偏壓電壓，並使基材溫度在100℃以下。然後，對石墨靶材輸入50A的電流，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，使氮氣為5sccm，並被覆DLC皮膜約10分鐘。接著，將氮氣的導入停止，導入20sccm的C2H2氣體，並被覆DLC皮膜30分鐘。
<比較例6(比較試料No.6)>
到氣體轟擊處理為止，與試料No.1相同。在氣體轟擊處理後，將20sccm氮氣導入成膜處理室，對基材施加-150V的偏壓電壓，使基材溫度在100℃以下。然後，令輸入石墨靶材的電流於50A~80A階段性增加，並被覆DLC皮膜約30分鐘。接著，使氮氣流量從20sccm到5sccm階段性變化，並被覆DLC皮膜約30分鐘。接著，導入5sccm氮氣，並被覆DLC皮膜約70分鐘。
<測定以及評價>
-硬度的測定-
使用ELIONIX股份有限公司製的奈米壓痕裝置，測定皮膜表面的硬度。以壓入負載9.8mN、最大負載維持時間1秒、負載施加後除去速度0.49mN/秒的測定條件測定10個點，剔除數值最大的2個點與數值最小的2個點，求出6個點的平均值。確認出作為標準試料的熔融石英的硬度為15GPa，CVD鑽石皮膜的硬度為100GPa。
-表面粗度的測定-
使用東京精密股份有限公司製的接觸式表面粗度測定器SURFCOM480A，根據JIS-B-0601-2001，利用粗度曲線測定算術平均粗度Ra與最大高度粗度Rz。測定條件為，評價長度：4.0mm，測定速度：0.3mm/s，臨界值：0.8mm。
-密合性的評價-
使用MITUTOYO股份有限公司製的光學顯微鏡以約800倍的倍率觀察被覆之後的試料的DLC皮膜表面並評價剝離狀況。DLC皮膜的表面剝離的評價基準如以下所述。
<表面剝離的評價基準>
A：無表面剝離，B：有微小剝離，C：有剝離。
另外，使用CSM公司製刮痕試驗機(REVETEST)測定剝離負載。測定條件為，測定負載：0~100N，負載速度：99.25N/min，刮痕速度：10mm/min，刮痕距離：10mm，AE感度：5，壓頭：洛式硬度、鑽石，前端半徑：200μm，硬體設定：Fn接觸0.9N，Fn速度：5N/s，Fn除去速度：10N/s，接近速度：2%/s。將初期碎屑發生負載視為A負載，將基材在刮痕底部完全露出時的負載視為B負載，進行評價。
-GD-OES分析-
為了確認氮成分的分布，從DLC皮膜表面到基材進行輝光放電發射光譜分析儀(GD-OES)的構造分析。裝置使用HORIBA JOBIN YVON製的JY-5000RF型GD-OES。分析條件為，使用Ar作為濺鍍用氣體，壓力：600Pa，輸出：35W，模組：6V，相位4：V，氣體置換時間：20秒，預備濺鍍時間：30秒，背景：10秒，測定時間：90秒~120秒。由於氮的發光強度較低，故確認峰值強度為30倍。作為代表例，本發明例的試料No.1~No.3以及比較試料No.1~No.3的GD-OES的強度輪廓顯示於圖1~圖6。
-AES分析-
從DLC皮膜的表面到基材進行歐傑電子能譜分析法(AES分析)的氮成分的定量分析。裝置使用PERKIN ELMER公司製的PHI650(掃描型歐傑電子能譜分析裝置)。分析以下述的分析條件進行。
(分析條件)
一次電子的能量：3keV，電流：約260nA，入射角度：相對於試料法線為30度，分析區域：約5μm×5μm。
(離子濺鍍(Ar+)的條件)
能量：3keV，電流：25mA，入射角度：相對於試料法線約為58度，濺鍍速度：約50nm/min。
作為代表例，圖7表示本發明例的試料No.1的測定結果，圖8表示本發明例的試料No.3的測定結果，圖9表示比較例的比較試料No.3的測定結果。
-ERDA分析-
為了確認氫成分的分布，利用彈性反衝探測分析法(ERDA分析)，在DLC皮膜的基材側與表面側進行氫濃度分析。裝置使用National Electrostatics Corporation製Pelletron 3SDH。令能量2.3MeV的He++離子相對於試料面的法線以75度的角度入射，在散射角30度的位置利用半導體檢測器檢測出反衝的氫粒子(H、H+)。
-球對盤試驗-
為了評價熔化黏著性，使用球對盤試驗機(CSM Instruments公司製Tribometer)。一面將鋁A5052球(直徑6mm)以5N的負載抵壓於被覆有DLC皮膜的基材，一面令圓盤狀試驗片以100mm/秒的速度旋轉。試驗距離為100m。
整理試驗結果並顯示於表1。本發明例的試料No.1~No.7，被覆後的表面並無剝離，刮痕試驗的密合性也比比較例更優異。比起膜厚在1μm以上的本發明例的試料No.6而言，膜厚較薄的本發明例的試料No.1~No.5以及No.7，其DLC皮膜有變得更平滑的傾向。圖11、圖12表示代表例的DLC皮膜被覆之後的試料表面的光學顯微鏡觀察影像。比較試料No.1、比較試料No.2在被覆後確認出直徑為20μm左右的微小剝離。在比較例之中，於DLC皮膜的基材側無論是氫或氮均未含有的比較試料No.3，或是在基材與DLC皮膜之間隔著氮化物的中間皮膜的比較試料No.4，在DLC皮膜被覆之後也確認出直徑為100μm左右的較大剝離，刮痕負載也較低。圖13表示本發明例的試料的代表例的球對盤試驗後的表面觀察影像，圖14表示比較試料的代表例的球對盤試驗後的表面觀察影像。本發明例均在球對盤試驗確認出並未發生皮膜剝離或熔化黏著。另一方面，比較例均發生皮膜剝離，亦確認出伴隨著剝離發生的熔化黏著。為了確認密合性優異的DLC皮膜的皮膜構造，茲進行分析。本發明例的試料以及比較試料No.2，根據GD-OES分析，確認出從基材側向表面側氮濃度逐漸減少。
AES分析的結果，確認出在本發明例的試料的DLC皮膜的基材側的表面，含有2.8原子%~3.7原子%的氮。另一方面，本發明例的試料的DLC皮膜的表面的氮含量在檢出界限以下(1.0原子%以下)。另外，在基材側所觀察到的峰值(例 如在圖7中濺鍍深度1000nm~1700nm附近的峰值)，係N與W的歐傑峰值的干涉所造成的。根據ERDA分析，確認出本發明例的試料的DLC皮膜，在基材側的表面含有1.0原子%~7.8原子%的氫，相反地表面的氫含量在檢出界限以下(0.2原子%以下)。作為代表例，本發明例的試料No.4~No.7的膜厚方向的氫濃度分析的詳細內容顯示於表2。確認出本發明例的氫濃度均從DLC皮膜的基材側向表面側逐漸減少。根據以上的分析，確認出密合性優異的本發明例，從基材側向表面側，氮含量以及氫含量逐漸減少。
比較試料No.1~比較試料No.3，並未確認出從基材側向表面側氮含量以及氫含量逐漸減少的皮膜構造。因此，比起本發明例的試料而言密合性更低，且亦發生了熔化黏著的情況。另外，比較試料No.4，由於在基材與DLC皮膜之間隔設著另外設置的由氮化物所構成的中間皮膜，故以氮化物皮膜的表面缺陷為起點發生DLC皮膜的表面剝離，刮痕試驗的密合性也較低。比較試料No.5，從基材側向表面側氮含量逐漸減少，惟氫含量逐漸增加。因此，比起本發明例的試料而言皮膜硬度以及密合性較低，且亦發生了熔化黏著的情況。比較例6，從基材側向表面側氮含量以及氫含量逐漸減少，惟表面的氮含量較多。因此，比起本發明例的試料而言皮膜硬度以及密合性較低，且亦發生了熔化黏著的情況。
【表1】
【表2】
日本專利申請案第2013-073617號的揭示內容其全部內容藉由參照方式併入本說明書。本說明書所記載的全部文獻、專利申請案以及技術規格，以與各別的文獻、專利申請案以及技術規格藉由參照而併入係具體地且各別地記載的情況相同程度地，藉由參照方式併入本說明書中。

Claims (7)

  1. 一種被覆工具，其在基材的表面上被覆有類鑽石碳膜，其特徵為：該類鑽石碳膜的奈米壓痕硬度在50GPa以上100GPa以下；該類鑽石碳膜的氫原子以及氮原子的含量從該基材側向沿厚度方向減少；在該類鑽石碳膜的表面，氫原子的含量在0.5原子%以下，氮原子的含量在2原子%以下；在該類鑽石碳膜的基材側的表面，氫原子的含量在1.2原子%以上7原子%以下，氮原子的含量超過2原子%並在8原子%以下；在該類鑽石碳膜的從基材側的表面於厚度方向的膜厚20.8%的位置，氫原子的含量在0.9原子%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之被覆工具，其中，該類鑽石碳膜的表面粗度為：算術平均粗度Ra在0.03μm以下，最大高度粗度Rz在0.5μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之被覆工具，其中，該類鑽石碳膜的膜厚在0.1μm~1.5μm。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之被覆工具，其中，該基材為含碳率在1質量%以上的高碳鋼或超硬合金。
  5. 一種被覆工具的製造方法，其以過濾電弧離子鍍膜法在基材的表面上被覆類鑽石碳膜，包含：將含有氫氣的混合氣體導入爐內，以對該基材的表面進行氣體轟擊處理的步驟；以及將5sccm以上30sccm以下的氮氣導入氣體轟擊處理後的該爐內，一面使導入爐內的該氮氣的流量減少，一面用石墨靶材將類鑽石碳膜被覆在該基材的表面上的步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之被覆工具的製造方法，其中，該混合氣體，係含有氬氣以及相對於混合氣體總質量在4質量%以上之氫氣的混合氣體。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之被覆工具的製造方法，其中，該被覆步驟，在一面使導入爐內的該氮氣的流量減少一面被覆類鑽石碳膜之後，更停止氮氣的導入並被覆類鑽石碳膜。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105102665A (zh) * 2013-03-29 2015-11-25 日立金属株式会社 覆盖工具及其制造方法
JP6211987B2 (ja) * 2014-04-22 2017-10-11 株式会社神戸製鋼所 Ｚｎめっき鋼板の熱間成形用金型
KR20190016147A (ko) * 2014-08-01 2019-02-15 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 피복 공구의 제조 방법
JP6855863B2 (ja) * 2017-03-22 2021-04-07 日本製鉄株式会社 チタン板のプレス用金型及びチタン板のプレス成形方法
JP6855864B2 (ja) * 2017-03-22 2021-04-07 日本製鉄株式会社 チタン板のプレス用金型及びチタン板のプレス成形方法
WO2019058587A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 日本アイ・ティ・エフ株式会社 アーク式成膜装置および成膜方法
CN108950479A (zh) * 2018-08-16 2018-12-07 佛山市南海唐立新五金工具有限公司 类金刚石涂层锯片制备方法及类金刚石涂层锯片
EP4206455A4 (en) * 2021-09-30 2024-02-21 TPR Co., Ltd. SLIDING ELEMENT
CN114318287B (zh) * 2021-12-23 2023-11-03 深圳技术大学 金刚石自支撑膜的制备方法和金刚石自支撑膜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070114637A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Article with protective film
JP2009220238A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Tungaloy Corp 非晶質炭素被覆工具

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01201095A (ja) * 1988-02-04 1989-08-14 Idemitsu Petrochem Co Ltd ダイヤモンド状炭素膜とその製造方法
JPH1192934A (ja) * 1997-09-17 1999-04-06 Daido Steel Co Ltd 硬質炭素厚膜及びその製造方法
JP2001062605A (ja) * 1999-08-30 2001-03-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 非晶質カーボン被覆工具
DE10018143C5 (de) * 2000-04-12 2012-09-06 Oerlikon Trading Ag, Trübbach DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems
JP3719708B2 (ja) * 2001-06-13 2005-11-24 住友電気工業株式会社 非晶質カーボン被覆工具およびその製造方法
EP1479946B1 (en) * 2003-05-23 2012-12-19 Nissan Motor Co., Ltd. Piston for internal combustion engine
JP5741891B2 (ja) * 2009-06-19 2015-07-01 株式会社ジェイテクト Ｄｌｃ膜形成方法
JP2012066285A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Hitachi Tool Engineering Ltd アルミニウム板加工金型
CN105102665A (zh) * 2013-03-29 2015-11-25 日立金属株式会社 覆盖工具及其制造方法
KR20190016147A (ko) * 2014-08-01 2019-02-15 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 피복 공구의 제조 방법
JP2016056435A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社神戸製鋼所 硬質摺動部材の製造方法、および硬質摺動部材

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070114637A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Article with protective film
JP2009220238A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Tungaloy Corp 非晶質炭素被覆工具

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CN105102665A (zh) 2015-11-25

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