TWI615942B - 發光裝置 - Google Patents

發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI615942B
TWI615942B TW106116029A TW106116029A TWI615942B TW I615942 B TWI615942 B TW I615942B TW 106116029 A TW106116029 A TW 106116029A TW 106116029 A TW106116029 A TW 106116029A TW I615942 B TWI615942 B TW I615942B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photovoltaic
unit
electrode pad
photovoltaic unit
support structure
Prior art date
Application number
TW106116029A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201727866A (zh
Inventor
謝明勳
劉欣茂
Original Assignee
晶元光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 晶元光電股份有限公司 filed Critical 晶元光電股份有限公司
Publication of TW201727866A publication Critical patent/TW201727866A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI615942B publication Critical patent/TWI615942B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

發光二極體單元包含一第一光電單元，其中，第一光電單元包含一第一電極墊以及一第二電極墊；一第二光電單元，其中，第二光電單元包含一第三電極墊以及一第四電極墊；一第一支撐結構包覆第一光電單元以及第二光電單元；以及一第一端點形成在第一支撐結構之上並與第一光電單元電連接。

Description

發光裝置
本發明係關於一種發光裝置，更包含一種發光顯示器模組。
固態發光元件中之發光二極體元件（Light Emitting Diode；LED）具有低耗電量、低發熱量、操作壽命長、耐撞擊、體積小、反應速度快、以及可發出穩定波長的色光等良好光電特性，因此常應用於家電、儀表之指示燈及光電產品等領域。與商業電子產品走向輕薄短小的趨勢類似，光電元件也進入微封裝的時代，而發展出晶粒級封裝。此外，隨著光電科技的發展，固態照明在照明效率、操作壽命以及亮度等方面有顯著的進步，因此近年來發光二極體已經被應用於一般的照明用途上。
近年來，利用複數個發光二極體做為像素的顯示器模組的技術正在發展。然而，在此領域中，如何運用發光二極體製造具有較小體積之像素仍是重要的議題。
本發明之一實施例係揭露一種發光二極體單元。發光二極體單元包含一第一光電單元，其中，第一光電單元包含一第一電極墊以及一第二電極墊；一第二光電單元，其中，第二光電單元包含一第三電極墊以及一第四電極墊；一第一支撐結構包覆第一光電單元以及第二光電單元；以及一第一端點形成在第一支撐結構之上並與第一光電單元電連接。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
以下實施例將伴隨著圖式說明本發明之概念，在圖式或說明中，相似或相同之部分分係使用相同之標號，並且在圖式中，元件之形狀或厚度可擴大或縮小。需特別注意的是，圖中未繪示或描述之元件，可以是熟習此技藝之人士所知之形式。
第1A圖顯示本發明之一實施例中之一光電單元1之剖面圖。光電單元1具有一面積小於50mil2之底表面S1，例如，面積為4mil x 6mil或2mil x 5mil。光電單元1包含一具有底表面S1之基板101；及一發光結構102，形成於相對底表面S1一側之基板101上。發光結構102包含一第一半導體層102a，具有一第一極性；一第二半導體層102c，具有一第二極性；及一發光層102b形成於第一半導體層102a與第二半導體層102c之間。第一半導體層102a與第二半導體層102c分別提供電子、電洞，使電子、電洞於發光層102b中結合以發光。發光層102b之材料包含Ⅲ-Ⅴ族半導體材料。根據發光層102b之材料，光電單元1可發出紅光、綠光或藍光。一第一保護層103形成於發光結構102之一或多個表面上且由一或多種介電材料，例如二氧化矽或氮化矽，所組成。一透明導電層108形成在發光結構102之第二半導體層102c上以擴散電流。透明導電層108由一導電材料所組成，例如氧化銦錫（ITO）、鎘錫氧化物（CTO）、銻氧化錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、及鋅錫氧化物。一第一連接墊104形成在第一保護層103上且電連接至第一半導體層102a。一第二連接墊105形成在發光結構102上且透過透明導電層108電連接至第二半導體層102c。形成第一保護層103以避免第一電極墊104與第二電極墊105透過透明導電層108所產生的短路路徑。在此實施例中，第一保護層103具有一延伸部1031，其覆蓋發光層102b、第二半導體層102c及透明導電層108的側壁。第一連接墊104覆蓋第一保護層103之延伸部1031。第一保護層103與第一連接墊104皆具有一L形之剖面。第1B圖顯示第1A圖之光電單元1之上視圖，且未顯示一第一連接墊104及第二連接墊105。第一保護層103形成在透明導電層108且大致地覆蓋透明導電層108一半的面積。第一半導體層102a之一部分係曝露以與第一連接墊104電連接。第1C圖顯示顯示第1A圖之光電單元1之上視圖。
第2A圖顯示本發明之一實施例中之一光電單元2之剖面圖。光電單元2具有一面積小於50mil2之底表面S1，例如，面積為4mil x 6mil或2mil x 5mil。參照第2A圖，除了與光電單元1類似的部分，光電單元2更包括一第一延伸墊204；一第二延伸墊205；及一第二保護層203。第一延伸墊204及第二延伸墊205可分別地形成在第一連接墊104與第二連接墊105上，且彼此電連接。第二保護層203係用以物理性地分隔第一延伸墊204及第二延伸墊205。第二保護層203由一或多種介電材料，例如二氧化矽或氮化矽，所組成。第2B圖顯示第2A圖之光電單元2之上視圖。第一延伸墊204大於第一連接墊104。第二延伸墊205大於第二連接墊105。
第3A圖顯示本發明之一實施例中之一光電單元3之剖面圖。光電單元3具有一面積小於50mil2之底表面S1，例如，面積為4mil x 6mil或2mil x 5mil。參照第3A圖，光電單元3包含一具有底表面S1之基板101；及一發光結構102，形成於基板101上。發光結構102包含一第一半導體層102a，具有一第一極性；一第二半導體層102c，具有一第二極性；及一發光層102b形成於第一半導體層102a與第二半導體層102c之間。第一半導體層102a與第二半導體層102c分別提供電子、電洞，使電子、電洞於發光層102b中結合以發光。發光層102b之材料包含Ⅲ-Ⅴ族半導體材料。根據發光層102b之材料，光電單元3可發出紅光、綠光或藍光。光電單元更包含一保護層303形成於發光結構102之一或多個表面上，其中保護層303由一或多種介電材料，例如二氧化矽或氮化矽，所組成。一透明導電層108形成在發光結構102之第二半導體層102c上以擴散電流。透明導電層108由一導電材料所組成，例如氧化銦錫（ITO）、鎘錫氧化物（CTO）、銻氧化錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、及鋅錫氧化物。一第一電極墊304及一第二電極墊305形成在基板101之同一側，且分別電連接至第一半導體層102a及第二半導體層102c。第一電極墊304及第二電極墊305彼此物理性地分離。在此實施例中，保護層303具有一第一延伸部3031，其覆蓋發光層102b、第二半導體層102c及透明導電層108的側壁。保護層303更具有一第二延伸部3032，覆蓋發光層102b、第一及第二半導體層102a、102c及透明導電層108的側壁。第一電極墊304覆蓋保護層303之第一延伸部3031。第二電極墊305覆蓋保護層303之第二延伸部3032。第一電極墊304與第二電極墊305皆具有一L形之剖面。第3B圖顯示第3A圖之光電單元3之上視圖。
如同第1C圖所示，第一連接墊104及第二連接墊105可作為連接至一外部電源（圖未示）之一電連接路徑。第2B圖所示之第一延伸墊204及第二延伸墊205或第3B圖所示之第一電極墊304與第二電極墊305亦可分別具有類似於第一連接墊104及第二連接墊105之功用。以第一連接墊104為例，若第一連接墊104的上表面面積具有足夠大的面積，光電單元1將可易於連接或對準一外部結構，例如外部電源。第一延伸墊204形成在第一連接墊104上更可擴大連接面積，因此相對於光電單元1，光電單元2可容許更大之對準誤差。因此，第一電極墊304之上表面面積可近似於第一延伸墊204之上表面面積，及第二電極墊305之上表面面積可近似於第二延伸墊205之上表面面積。
第4A~4C圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件4之製造方法。參照第4A圖，複數個光電單元，其可為一或多種前述之光電單元1、2、3，可提供於一暫時載板10上。暫時載板10之材料可包括至少導電材料及絕緣材料其中之一。導電材料包括含碳物質、複合材料、金屬、半導體或及其組合。含碳物質，例如鑽石、類碳鑽、石墨或碳纖維。複合材料，例如金屬基複合材料（Metal Matrix Composite，（MMC））、陶瓷基複合材料（Ceramic Matrix Composite，（CMC））、及/或聚合物基複合材料（Polymer Matrix Composite，（PMC））。半導體，例如矽、硒化鋅、砷化鎵、碳化矽、磷化鎵、磷砷化镓、磷化銦、鎵酸鋰、或鋁酸鋰。金屬，例如鎳、銅、或鋁。絕緣材料包括有機材料、無機材料、或及其組合。有機材料，例如環氧樹脂（Epoxy）、聚亞醯胺（PI ）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、Su8、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚醯亞胺（Polyetherimide）、氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer）。無機材料，例如藍寶石、氧化鋅、鑽石、玻璃、石英或氮化鋁。
參照第4A~4C圖，以光電單元3為例，可進一步提供一連接層12以將複數個光電單元3連接至一暫時載板10。每一光電單元3可包含一發光二極體晶片，具有一第一電極墊304及一第二電極墊305，如第3A圖所示，連接至連接層12。連接層12包括一或多種黏結材料。黏結材料可為一絕緣材料、一UV膠帶、或一熱剝離膠帶（thermal release tape）。絕緣材料包括但不限於苯并環丁烯（BCB）、Su8、環氧樹酯、或塗佈旋轉玻璃（SOG）。
於前述步驟之後，光電單元3可被第一支撐結構16所包覆（encapsulated），如第4B圖所示。第一支撐結構16可為透明結構，主要由一或多種之有機材料或無機材料所構成。有機材料可為環氧樹脂（Epoxy）、聚亞醯胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、Su8、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚醯亞胺（Polyetherimide）、或氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer）。無機材料可為玻璃、氧化鋁、SINR或塗佈旋轉玻璃（SOG）。第一支撐結構16可填充於兩鄰近光電單元3之間的空間16t中。覆蓋於光電單元3之第一支撐結構16可固定且支撐光電單元3，且增加光電單元3的機械強度。此外，第一支撐結構16之一表面S3可為一平滑表面或一粗糙表面。一第二支撐結構18可進一步形成在第一支撐結構16上，以加強支撐光電單元3及第一支撐結構16。第二支撐結構18包括不同於第一支撐結構16之材料或具有比第一支撐結構16大之硬度。
如第4C圖所示，於形成第一支撐結構16及第二支撐結構18之後，移除暫時載板10及連接層12以曝露複數個光電單元3及第一支撐結構16。複數個導電結構40，其係位於相對於第二支撐結構18之位置且形成在所曝露出之光電單元3及第一支撐結構16上。導電結構40可分別連接至光電單元3之第一電極墊304及第二電極墊305，如第3A圖所示。每一導電結構40具有一上表面面積（圖未示）大於第一連接墊104及第二連接墊105其中之一（顯示於第5A圖）；或大於或等於第一延伸墊204及第二延伸墊205其中之一（顯示於第5B圖），或大於或等於第一電極墊304及第二電極墊305其中之一（顯示於第5C圖）。最後，沿著開口17切割複數個光電元件4使彼此分離，如第4C圖所示。至少光電元件4之一長度、寬度、及/或面積與光電單元1、2、或3係為相同的數量級。
第5A圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件4a之剖面圖，係由第4A至4C圖之步驟所製成。光電元件4a包括一光電單元1；一第一支撐結構16，以圍繞光電單元1；及一第二支撐結構18，形成在第一支撐結構16上。較佳地，第一支撐結構16可形成為一可圍繞光電單元1之形狀。導電結構40包含一第一導電結構401及一第二導電結構402，其形成在光電單元1上且分別連結至光電單元1之第一連接墊104及第二連接墊105。第一導電結構401之面積大於第一連接墊104之面積，且第二導電結構402之面積大於第二連接墊105之面積。設置在發光結構102上之第一保護層103可物理性地分開第一連接墊104及第二連接墊105，且保護發光結構102。一反射層280可形成於光電單元1和導電結構40之間，且進一步形成在第一支撐結構上16。反射層280可由一或多種反射材料所組成，像是介電材料或金屬氧化物。介電材料例如二氧化矽、氮化矽；金屬氧化物例如二氧化鈦或其他白色物質。在本發明的一實施例中，反射層280可為單層或疊層。光電元件4a與光電單元1之體積比介於1.2:1及10:1之間，較佳地，介於2:1及5:1之間。第二支撐結構18具有一第一寬度W1。光電單元1具有一第二寬度W2。第一寬度W1大於第二寬度W2。第一連接墊104與第二連接墊105相隔一第一距離（d1），且第一導電結構401與第二導電結構402相離一第三距離（d3）。介於第一電極墊104即第二電極墊105間之第一距離大於介於第一導電結構401與第二導電結構402間之第三距離。一反射層280可形成於光電單元1和導電結構40之間，且進一步形成在第一支撐結構上16。反射層280可由一或多種反射材料所組成，像是介電材料或金屬氧化物。介電材料例如二氧化矽、氮化矽；金屬氧化物例如二氧化鈦或其他白色物質。在本發明的一實施例中，反射層280可為單層或疊層。
第5B圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件4b之剖面圖，係由第4A至4C圖之步驟所製成。光電元件4b包含光電單元2；一第一支撐結構16，形成在光電單元2上；及一第二支撐結構18，形成在第一支撐結構16上。第一支撐結構16可形成為一圍繞光電單元2之形狀。導電結構40包含一第一導電結構401及一第二導電結構402，其形成在光電單元2上且分別連結至第一延伸墊204及第二延伸墊205。一反射層280可形成於光電單元2和第一支撐結構16上。反射層280可由一或多種反射材料所構成，像是介電材料或金屬氧化物。介電材料例如二氧化矽、氮化矽；金屬氧化物例如二氧化鈦或其他白色物質。在本發明的一實施例中，反射層280可為單層或疊層。第一導電結構401具有一大於或等於第一延伸墊204之面積，且第二導電結構402具有一大於或等於第二延伸墊205之面積。光電元件4b與光電單元2之體積比介於1.2:1及10:1之間，較佳地，介於2:1及5:1之間。第二支撐結構18具有一第一寬度W1；光電單元2具有一第二寬度W2；第一寬度W1大於第二寬度W2，例如第一寬度至少為第二寬度之1.5倍。第一連接墊104與第二連接墊105相隔一第一距離（d1），第一延伸墊204與第二延伸墊205相隔一第二距離（d2），且第一導電結構401與第二導電結構402相隔一第三距離（d3）。介於第一電極墊104與第二電極墊105間之第一距離大於介於第一延伸墊204與第二延伸墊205間之第二距離，且更大於介於第一導電結構401與第二導電結構402間之第三距離。然而，第5B圖僅作為例示並非限制。第二距離可等於、大於、或小於第三距離。
第5C圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件4c之剖面圖，係由第4A至4C圖之步驟所製成。光電元件4c包含光電單元3；一第一支撐結構16，形成在光電單元3上；及一第二支撐結構18，形成在第一支撐結構16上。光電單元3可被第一支撐結構16所圍繞。一第一導電結構401及一第二導電結構402形成在光電單元3上且分別連結至第一電極墊304及第二電極墊305。一反射層280可形成於光電單元3和第一支撐結構16上。反射層280可由一或多種反射材料所構成，像是介電材料或金屬氧化物。介電材料例如二氧化矽、氮化矽；金屬氧化物例如二氧化鈦或其他白色物質。第一導電結構401具有一大於或等於第一電極墊304之面積，且第二導電結構402具有一大於或等於第二電極墊305之面積。光電元件4c與光電單元3之體積比介於1.2:1及10:1之間，較佳地，介於2:1及5:1之間。第二支撐結構18具有一第一寬度W1且光電單元3具有一第二寬度W2。第一寬度W1大於第二寬度W2，例如第一寬度至少為第二寬度之1.5倍。第一電極墊304與第二電極墊305相隔一第四距離（d4），且第一導電結構401與第二導電結構402相隔一第三距離（d3）。介於第一電極墊304與第二電極墊305間之第四距離大於或等於介於第一導電結構401與第二導電結構402間之第三距離。然而，第5C圖僅作為例示並非限制。
第6A~6B、7A~7B、8、9A~9B、10A~10B圖顯示本發明之一實施例中之一發光元件之製造方法。在第6A~6B、7A~7B、8、9A~9B、10A~10B圖中，在下列描述中，係以光電單元3為例，但其步驟亦可應用在上述之一或多種光電單元1、2或光電元件4a、4b、4c。第6A圖顯示複數個光電單元3之上視圖。光電元件3具有一第一電極墊304及一第二電極墊305且彼此以一第一間距P1形成在一暫時基板70上。在另一實施例中，光電單元3可以一第一間距P1成長在一成長基板（圖未示）上。第6B圖顯示一沿著第6A圖中線Y-Y’之剖面圖，且提供一暫時載板100以轉移光電單元3至一暫時載板100。詳言之，光電單元3可藉由手動選取或機械選取從暫時基板70轉移至暫時載板100之預定位置。光電單元3亦可藉由一黏著層（圖未示）轉移至暫時載板100。此外，光電元件3可逐次（one by one）或批次（batch）轉移。
第7A圖為上視圖，顯示本發明中複數個光電單元3形成於一暫時載板100，而第7B圖顯示一沿著第7A圖中線Z-Z’之剖面圖。第7B圖顯示光電單元3從暫時基板70或成長基板（圖未示）轉移至暫時載板100且彼此之間具有一第二間距（P2）。暫時載板100包含類似於暫時載板10之材料。暫時載板100之材料可包括至少導電材料及絕緣材料其中之一。導電材料包括含碳物質、複合材料、金屬、半導體、或及其組合。含碳物質，例如鑽石、類碳鑽、石墨或碳纖維。複合材料，例如金屬基複合材料（Metal Matrix Composite，（MMC））、陶瓷基複合材料（Ceramic Matrix Composite，（CMC））、及/或聚合物基複合材料（Polymer Matrix Composite，（PMC））。半導體，例如矽、硒化鋅、砷化鎵、碳化矽、磷化鎵、磷砷化镓、磷化銦、鎵酸鋰、或鋁酸鋰。金屬，例如鎳、銅、或鋁。絕緣材料包括有機材料、無機材料、或及其組合。有機材料，例如環氧樹脂（Epoxy）、聚亞醯胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、Su8、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚醯亞胺（Polyetherimide）、氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer）。無機材料，例如藍寶石、氧化鋅、鑽石、玻璃、石英或氮化鋁。在一實施例中，暫時載板100可為一膠帶，其包含一或多層黏結層以連結光電單元。光電單元3彼此以一第二間距P2形成在一暫時載板100上，第二間距P2大於第一間距P1。亦即，當光電單元從暫時基板70轉移至暫時載板100時，兩鄰近光電單元間的空間被擴大。因此，其他光電單元可設置在此擴大空間中。例如，如第8圖所示，一第一組複數個發藍光之光電單元77B轉移至暫時載板100，且因兩鄰近光電單元77B間的距離被擴大，一第二組複數個發綠光之光電單元77G及/或一第三組複數個發紅光之光電單元77R可藉由第6A~7B圖所示之方法而以一適當距離分別設置在（或轉移至）暫時載板100。因此，光電單元77B、77G、77R可以一重複藍-綠-紅之圖案排列。在另一實施例中，光電單元77B、77G、77R之順序與數量可被調整。第一組光電單元77B、第二組光電單元77G、及第三組光電單元77R至少之一可具有類似於光電單元1、2、或3之結構。
第9A圖顯示本發明之一實施例中光電單元之上視圖，具有一第一電極墊304及一第二電極墊305之光電單元形成在一第一支撐結構73上。第9B圖顯示一沿著第9A圖中線A-A’之剖面圖。第一支撐結構73可製成以具有凹洞，凹洞係配置以容納至少一光電單元3。覆蓋光電元件3之第一支撐結構73可固定並支撐光電單元3，且增加光電單元3的機械強度。第一支撐結構73可為透明結構，由一或多種透明材料所構成。透明材料由一或多種有機材料或無機材料所構成。有機材料可為環氧樹脂（Epoxy）、聚亞醯胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、Su8、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚醯亞胺（Polyetherimide）、或氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer）。無機材料可為玻璃、氧化鋁、SINR或塗佈旋轉玻璃（SOG）。 在一實施例中，一波長轉換層111'，如第9A圖所示，可為一長條狀並圍繞每一光電單元3且形成於暫時載板100之部分表面100s上。在另一實施例中，波長轉換層可形成以圍繞每一光電單元3且形成於暫時載板100之全部表面100s上。
第10A圖顯示本發明之一實施例中複數個光電單元3之剖面圖，光電單元3具有一第一電極墊304及一第二電極墊305且進一步形成在一第二支撐結構71上。第10B圖顯示一沿著第10A圖中線B-B’之剖面圖。第二支撐結構71可包括不同於第一支撐結構73之材料或具有比第一支撐結構73大之硬度。第二支撐結構71可包含一或多種透明材料，例如藍寶石、鑽石、玻璃、環氧樹脂、石英、壓克力、氧化矽、氮化鋁、氧化鋅、矽膠、或及其組合。第二支撐結構71對於光為透明，像是太陽光或光電元件所發出的光。第二支撐結構71的厚度可介於300 μm到700 μm之間。此外，一波長轉換層111圍繞每一光電單元。第二支撐結構71之至少一表面為平坦面，例如第10B圖所示之表面S2；或一粗糙面，例如第10C圖所示之表面S4；或一曲面，例如第10D圖所示之表面S6。第二支撐結構71之表面S4為鋸齒狀。第二支撐結構71之曲面S6具有多個位置對應於光電單元之曲狀突出部，藉以增加光取出。
第11A圖顯示本發明之一實施例中複數個光電單元之上視圖，光電單元係被一第二支撐結構71和一第一支撐結構73所支撐。如第10B圖所示，光電單元3從一暫時載板100上移除且曝露電極墊304、305（連接墊104、105或延伸墊204、205）後，翻轉第二支撐結構71及第一支撐結構73。第11B圖顯示一沿著第11A圖中線C-C’之剖面圖。
第12A及13A圖顯示光電單元3之上視圖，複數個光電單元3中，各自的電極墊304、305（連接墊104、105或延伸墊204、205）藉由導電元件75彼此串聯連接。在另一實施例中，光電單元3可藉由導電元件75彼此並聯連接（圖未示）。第12B及13B圖分別顯示沿著第12A圖中線D-D’及第13A圖中線E-E’之剖面圖。如第12B及13B圖所示，導電元件75具有一部分設置在介於兩光電單元間之第一支撐結構73上。反射層115藉由微影及蝕刻製程形成在光電單元3上。反射層115可由一或多種反射材料所組成，像是介電材料或金屬氧化物。介電材料例如二氧化矽、氮化矽；金屬氧化物例如二氧化鈦或其他白色物質。在本發明的一實施例中，反射層115可為單層或疊層。第12A~12B圖顯示第一支撐結構73的一部份表面S8被反射層115所覆蓋，且第一支撐結構73中未被反射層115所覆蓋之一部份表面S9係被波長轉換層111''所覆蓋；且第一支撐結構73中未被反射層115及波長轉換層111''所覆蓋之一部份表面S10係被導電元件75所覆蓋。反射層115形成在介於兩光電單元間之第一支撐結構73上。波長轉換層111''與波長轉換層111的材料可為相同或不同。導電元件75包含一或多種金屬。金屬例如銀、金、鈦、銅、或及其合金。
第13A~13B圖顯示另一實施例，第一支撐結構73的一部份表面S8被反射層115所覆蓋，且第一支撐結構73中未被反射層115所覆蓋之一部份表面S10係被導電元件75所覆蓋。
如第14圖所示，位於暫時載板100上之光電單元77B、77R、77G應用第9A~10B圖所示之方法使得光電單元77B、77R、77G可被第二支撐結構71及第一支撐結構73所支撐，且曝露連接墊104、105（或延伸墊204、205，或電極墊304、305）（圖未示）。導電元件75（圖未示）係形成以電連接光電單元77B、77R、77G。在一實施例中，如第15A圖所示，包含一或多種金屬材料之三個端點86B、86R、86G係形成以分別電連接光電單元77B、光電單元77R、光電單元77G。端點87進一步形成以電連接光電單元77B、光電單元77R、光電單元77G，因此光電單元77B、77R、77G彼此並聯連接。端點86B、86R、86G、87的形成方法包含電鍍、化學沉積及金屬佈線其中之一。端點86B、86R、86G、87中，至少一個可由金屬所組成，例如金、銀、鈦、銅、或及其組合。在定義陣列圖案中之行及列後，複數個光電單元77B、77R、77G可被分開製成為封裝發光單元（此後稱為封裝LED單元）且設置在第二支撐結構71及第一支撐結構73上，如第15B圖所示。封裝LED單元包含至少一光電單元77B、至少一光電單元77R、及至少一光電單元77G，其排列成一直線。封裝LED單元可為一LED顯示模組中之一像素（pixel）。選擇性地，多個封裝LED單元可進一步固定在一載板且彼此連接成為一LED顯示模組中之一像素（圖未示）。
第16A~16C圖顯示本發明之一實施例中之一發光顯示器模組9（此後稱為LED顯示器模組）。第16A圖顯示一LED顯示器模組9之示意圖。第16B圖顯示LED顯示器模組9之上視圖。第16C圖顯示發光二極體模組90（此後稱為LED模組）之上視圖。LED顯示器模組9包含一基板91及固定在基板91上之複數個LED模組90。LED模組90與相鄰之LED模組90彼此緊靠著，亦即無空隙存在鄰近之LED模組90之間。在本實施例中，每一LED模組90為長方形且具有一長度x及一寬度y。LED顯示器模組9在長度方向具有m個LED模組90且在寬度方向具有n個LED模組90，因此LED顯示器模組9一為長方形，且具有一長度m*x及一寬度n*y；其中，m及n為正整數；m*x：n*y=16：9或4：3；m：n=16：9或4：3。
如第16A~16C圖及第17圖所示，LED模組90包含一第一承載板901；一第二承載板902，第一承載板901放置其上；及放置於第一承載板901上之複數個封裝LED單元900。封裝LED單元900彼此以一第一距離P3相隔開，且位於第一承載板901上每一行及每一列之兩端的封裝LED單元900與第一承載板901之對應邊相距一第二距離P3/2；其中P3＜0.6 mm。例如，封裝LED單元A1具有一第一側9001及一第二側9002，且第一承載板901具有一第一邊9011及一第二邊9012。第一側9001與第一邊9011之距離為P3/2及第二側9002與第二邊9012之距離為P3/2。在一實施例中，封裝LED單元為一正方形且具有一邊長（l）等於第一距離（P3），亦即，封裝LED單元之邊長與封裝LED單元間之距離（第一距離）之比為1：1，以達到一預定設計需求。LED顯示器模組9具有一解析度a*b，當LED顯示器模組9為長方形且具有一對角線（L）而解析度a：b=16：9（例如解析度為1920*1080）時，邊長（l，單位為英吋）不大於（0.435*L）/a 或（0.245*L）/b。當LED顯示器模組9為長方形且具有一對角線（L）而解析度比a：b=4：3（例如解析度為1920*1440）時，邊長（l，單位為英吋）不大於（0.4*L）/a 或（0.3*L）/b。在一實施例中，當解析度比a：b=16：9時，邊長（l，單位為英吋）與第一距離（P3，單位為英吋）的總和（S）不大於（0.87*L）/a 或（0.49*L）/b。選擇性地，當解析度比a：b=4：3時，邊長（l，單位為英吋）與第一距離（P3，單位為英吋）的總和不大於（0.8*L）/a 或（0.6*L）/b。邊長（l）係小於或等於總和（S）。
第17圖顯示LED模組90中其中一個之剖面圖。詳言之，第一承載板901包含複數個形成於其中之金屬線9013，用以電連接封裝LED單元900。第二承載板902具有電路（圖未示）以電連接第一承載板901之金屬線9013。此外，一積體電路可埋入於第二承載板902中且透過金屬線9013以控制封裝LED單元900的電性操作狀態。積體電路包含一覆晶結構。第一、第二承載板901、902可包含熱塑性材料、熱固性材料或陶瓷材料。熱塑性材料包含聚亞醯胺樹脂（Polyimide resin）、或聚四氟乙烯（Polytetrafluorethylene）。熱固性材料包含環氧樹脂（Epoxy）、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂（Bismaleimide Triazine）或及其組合。陶瓷材料包含氧化鋁、氮化鋁、或碳化矽鋁。
第18A及18B圖顯示本發明之一實施例中之一封裝LED單元900之上視圖。封裝LED單元900包含一不透明之框架92（如第19A~19D圖所示）且光電單元77B、77G、77R以一直線排列於框架92內。選擇性地，光電單元77B、77G、77R可排列呈一三角形狀，如第18B圖所示。需注意的是，依據實際需求，封裝LED單元900可包含複數個光電單元77B、77G、77R且排列成一預定形狀。第18C~18D圖顯示封裝LED單元900之仰視圖。封裝LED單元900更包含複數個針腳79（pin）形成在相對於第二支撐結構71'之第一支撐結構73'上（如第19D圖所示），且透過導電元件75電連接光電單元77B、77G、77R並電連接位於第一承載板901內之金屬線9013（如第17圖所示）。如第18C圖所示，三對針腳79（正極與負極）分別連接光電單元77B、77G、77R。如第18D圖所示，可具有四個針腳79（一個為共用負極及三個正極或一個為共用正極及三個負極）。在第18C及18D圖中，針腳79係透過導電元件75與光電單元77B、77G、77R之電極墊304、305電連接。如第18E及18F圖所示，針腳79可部份地覆蓋或完全地覆蓋在電極墊304、305（或連接墊104、105或延伸墊204、205）以與光電單元形成電連接。與傳統尺寸為1.0 mm x 1.0 mm x 0.2 mm之封裝LED單元相比較，揭露於本實施例中之封裝LED單元900可藉由光電單元1、2、3及上述之製造方法而具有小於0.1 mm3的尺寸（體積）。在本實施例中封裝LED單元900係具有0.5 mm x 0.5 mm x 0.2 mm的尺寸。因此，藉由封裝LED單元900可製造出具有較高LED封裝密度之LED顯示器模組9。
第19A~19D圖顯示應用於LED顯示器模組9之封裝LED單元900之製造步驟。如第19A圖所示，光電單元3（1、2）排列在一暫時載板100'上且一框架92圍繞其周圍。如第19B圖所示，光電單元3具有一頂端301及一底端302。一第一支撐結構73'形成在光電單元3之頂端301上且可由一或多種透明材料所構成。透明材料由一或多種有機材料或無機材料所構成。有機材料可為環氧樹脂（Epoxy）、聚亞醯胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、Su8、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚醯亞胺（Polyetherimide）、或氟碳聚合物（Fluorocarbon Polymer）。無機材料可為玻璃、氧化鋁、SINR或塗佈旋轉玻璃（SOG）。第二支撐結構71'係形成以支撐第一支撐結構73'，且可包括至少一不同於第一支撐結構73'之材料或具有比第一支撐結構73'大之硬度。第二支撐結構71'可由一或多種透明材料所構成，例如藍寶石、鑽石、玻璃、環氧樹脂、石英、壓克力、氧化矽、氮化鋁、氧化鋅、矽膠、或/及其組合。此外，第二支撐結構71'對於光為透明，像是太陽光。第二支撐結構71’的厚度可介於100 μm和700 μm之間。如第19C圖所示，移除暫時載板100'以曝露出光電單元3之底端302。框架92並未覆蓋光電單元3之底端302。 如第19D圖所示，針腳79形成在相對於第二支撐結構71'之第一支撐結構73'上，以電連接位於第一承載板901內之金屬線9013（如第17圖所示）。在此實施例中，封裝LED單元900包含一發紅光之紅色光電單元77R、一發綠光之綠色光電單元77G、一發藍光之藍色光電單元77B。框架92係配置以吸收光且包含一不透明材料，例如具有黑色塗料之塑膠或一塑膠與黑色塗料混合而形成之一體結構。塑膠包含矽膠、環氧樹脂、聚亞醯胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、Su8、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚碳酸酯（PC）、聚醚醯亞胺（Polyetherimide）、聚氨酯(PU)、或聚二甲基矽氧烷（PDMS）。
LED顯示器模組可應用於顯示裝置，例如廣告牌或運動看板等。LED顯示器模組包括由封裝LED單元做為像素之長方形陣列。每一封裝LED單元包括複數個以一預定排列設置之發光二極體。在封裝LED單元中，發光二極體之數目、顏色、及排列方式，與封裝LED單元彼此間的間距皆會影響利用這些像素所排列的陣列所具有的視覺特性。使用越小體積之封裝LED單元的顯示器，便具有越大的解析度。
上述所提及之實施例係使用描述技術內容及發明特徵，而使習知此技藝者可了解本發明之內容並據以實施，其並非用以限制本發明之範圍。亦即，任何人對本發明所作之任何顯而易見之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。例如，電連接方式不限於串聯連接。需了解的是，本發明中上述之實施例在適當的情況下，是可互相組合或替換，而非僅限於所描述之特定實施例。
可理解的是，對於熟習此項技藝者，不同修飾或變更皆可應用於本發明中且不脫離本發明之精神與範圍。前述之描述，目的在於涵蓋本發明之修飾或變更的揭露皆落於本發明之專利範圍內且與其均等。
1、2、3、77B、77G、77R‧‧‧光電單元
10、100、100'‧‧‧暫時載板
101‧‧‧基板
102‧‧‧發光結構
102a‧‧‧第一型半導體層
102b‧‧‧發光層
102c‧‧‧第一型半導體層
103‧‧‧第一保護層
1031‧‧‧延伸部
104‧‧‧第一連接墊
105‧‧‧第二連接墊
108‧‧‧透明導電層
111、111'、111''‧‧‧波長轉換層
115、280‧‧‧反射層
12‧‧‧連接層
16、73、73'‧‧‧第一支撐結構
16t‧‧‧空間
18、71、71'‧‧‧第二支撐結構
203‧‧‧第二保護層
204‧‧‧第一延伸墊
205‧‧‧第二延伸墊
301‧‧‧頂端
302‧‧‧底端
303‧‧‧保護層
3031‧‧‧第一延伸部
3032‧‧‧第二延伸部
304‧‧‧第一電極墊
305‧‧‧第二電極墊
4、4a、4b、4c‧‧‧光電元件
40‧‧‧導電結構
401‧‧‧第一導電結構
402‧‧‧第二導電結構
70‧‧‧暫時基板
75‧‧‧導電元件
79‧‧‧針腳
86B、86R、86G、87‧‧‧端點
9‧‧‧LED顯示器模組
90‧‧‧LED模組
900‧‧‧封裝LED單元
9001‧‧‧第一側
9002‧‧‧第二側
9011‧‧‧第一邊
9012‧‧‧第二邊
9013‧‧‧金屬線
901‧‧‧第一承載板
902‧‧‧第二承載板
91‧‧‧基板
92‧‧‧框架
第1A圖顯示本發明之一實施例中之一光電單元之剖面圖。
第1B圖顯示第1A圖之光電單元之上視圖，且未顯示一連接墊。
第1C圖顯示顯示第1A圖之光電單元之上視圖。
第2A圖顯示本發明之一實施例中之一光電單元之剖面圖。
第2B圖顯示第2A圖之光電單元之上視圖。
第3A圖顯示本發明之一實施例中之一光電單元之剖面圖。
第3B圖顯示第3A圖之光電單元之上視圖。
第4A~4C圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件之製造方法。
第5A圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件之剖面圖。
第5B圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件之剖面圖。
第5C圖顯示本發明之一實施例中之一光電元件之剖面圖。
第6A~6B、7A~7B、8、9A~9B、10A~10D、11A~11B、 12A~12B、13A~13B、及14圖顯示本發明之一實施例中之一發光元件之製造方法。
第15A~15B圖顯示本發明之一實施例中之一封裝發光二極體單元。
第16A~16C圖顯示本發明之一實施例中之一發光二極體顯示器模組。
第17圖顯示本發明之一實施例中之一發光二極體模組之剖面圖。
第18A~18B圖顯示本發明之一實施例中之一封裝發光二極體單元之上視圖。
第18C~18D圖顯示本發明之一實施例中之封裝發光二極體單元之仰視圖。
第18E~18F圖顯示本發明之另一實施例中之封裝發光二極體單元之仰視圖。
第19A~19D圖顯示本發明之一實施例中之封裝發光二極體單元應用於發光二極體顯示器模組之製造步驟。
無
無
73‧‧‧第一支撐結構
77B、77G、77R‧‧‧光電單元

Claims (9)

  1. 一種發光二極體單元，包含：一第一光電單元，包含一第一電極墊以及一第二電極墊；一第二光電單元，包含一第三電極墊以及一第四電極墊；一第一支撐結構包覆該第一光電單元以及該第二光電單元；一第一端點形成在該第一支撐結構之上，與該第一光電單元電連接且未覆蓋該第一電極墊、該第二電極墊、該第三電極墊以及該第四電極墊；以及一第二端點與該第二光電單元電連接且未覆蓋該第一電極墊、該第二電極墊、該第三電極墊以及該第四電極墊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體單元，更包含一第三端點與該第二電極墊及該第四電極墊電連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體單元，更包含一第三導電元件連接該第三端點與該第二電極墊。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體單元，更包含一不透明框架圍繞該第一光電單元以及該第二光電單元。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體單元，其中，該第一支撐結構位於該不透明框架以及該些光電單元之間，並覆蓋該第一光光電單元之上表面且暴露出該第一光光電單元之下表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體單元，其中，該發光二極體單元具有一不大於0.1mm3的尺寸。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體單元，其中，該發光二極體單元做為顯示器的一像素。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體單元，更包含一第三光電單元與該第一光電單元以及該第二光電單元排列成一陣列。
  9. 一種顯示器模組，包含：一基板；以及複數個如申請專利範圍第1項所述之發光二極體單元位於該基板上。
TW106116029A 2012-08-15 2013-08-15 發光裝置 TWI615942B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261683295P 2012-08-15 2012-08-15
US61/683,295 2012-08-15
US13/845,796 US9356070B2 (en) 2012-08-15 2013-03-18 Light-emitting device
US13/845,796 2013-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201727866A TW201727866A (zh) 2017-08-01
TWI615942B true TWI615942B (zh) 2018-02-21

Family

ID=50099446

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106116029A TWI615942B (zh) 2012-08-15 2013-08-15 發光裝置
TW102129607A TWI590414B (zh) 2012-08-15 2013-08-15 發光裝置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102129607A TWI590414B (zh) 2012-08-15 2013-08-15 發光裝置

Country Status (2)

Country Link
US (4) US9356070B2 (zh)
TW (2) TWI615942B (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI572068B (zh) 2012-12-07 2017-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
TWI575776B (zh) * 2013-05-24 2017-03-21 晶元光電股份有限公司 具有高效率反射結構之發光元件
TWI580079B (zh) * 2013-12-26 2017-04-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體封裝結構及發光二極體模組
CN105098025A (zh) 2014-05-07 2015-11-25 新世纪光电股份有限公司 发光装置
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
KR102300517B1 (ko) * 2014-10-17 2021-09-13 인텔 코포레이션 마이크로led 디스플레이 및 어셈블리
JP6483246B2 (ja) 2014-10-17 2019-03-13 インテル・コーポレーション 微小持ち上げ・接合組立法
US10224219B2 (en) * 2015-12-30 2019-03-05 International Business Machines Corporation Handler bonding and debonding for semiconductor dies
KR102455084B1 (ko) 2016-02-23 2022-10-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 갖는 표시장치
WO2017171337A1 (ko) * 2016-03-30 2017-10-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
KR20170139924A (ko) * 2016-06-10 2017-12-20 엘지전자 주식회사 투명 발광다이오드 필름
US20210280817A1 (en) * 2016-08-22 2021-09-09 Corning Incorporated Display modules with laser weld seals and modular display
US11233176B2 (en) * 2017-03-08 2022-01-25 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor device package
TWI683453B (zh) * 2018-06-08 2020-01-21 友達光電股份有限公司 發光裝置的製造方法
US11244930B2 (en) * 2018-08-10 2022-02-08 Innolux Corporation Electronic device with light emitting units with reduced power consumption
TWI800538B (zh) * 2018-10-08 2023-05-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
TWI816727B (zh) * 2018-12-26 2023-10-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體顯示器
KR102293256B1 (ko) * 2019-03-11 2021-08-25 주식회사 루멘스 Csp led 제조방법
CN111755616A (zh) * 2019-03-27 2020-10-09 陕西坤同半导体科技有限公司 柔性显示屏及其制作方法
FR3129771B1 (fr) * 2021-11-26 2023-12-22 Aledia Pixel d'affichage à diodes électroluminescentes pour écran d'affichage

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070252167A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Everlight Electronics Co., Ltd. Surface mounting optoelectronic device
US20080290353A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Medendorp Jr Nicholas W Microscale optoelectronic device packages
US20100259920A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Aussmak Optoelectronics Corp. Light emitting apparatus

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10296610A (ja) 1997-04-28 1998-11-10 Sony Corp 研磨方法
JP3378465B2 (ja) 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
DE69801712T2 (de) 1997-06-10 2002-07-04 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Verbundglasscheibe für Fahrzeuge
US6737983B1 (en) 1999-10-26 2004-05-18 John Temple Display board having illuminated elements and method
JP2002026522A (ja) 2000-07-07 2002-01-25 Mitsubishi Electric Corp 多層プリント配線板の製造方法
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
JP2002157914A (ja) 2000-11-16 2002-05-31 Denso Corp ソケット付き発光装置
US20020067425A1 (en) 2000-12-06 2002-06-06 Intel Corporation Sealed digital camera system
KR100859818B1 (ko) 2001-03-29 2008-09-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 기판의 침투율을 측정하는 방법 및 장치, 배치로부터 기판 세트를 침투율에 대해 테스트하는 방법 및 캡슐화의 침투율을 측정하는 방법
EP1437703A1 (en) * 2001-09-07 2004-07-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Display apparatus and its manufacturing method
TW589602B (en) * 2001-09-14 2004-06-01 Pioneer Corp Display device and method of driving display panel
US6759688B2 (en) 2001-11-21 2004-07-06 Microsemi Microwave Products, Inc. Monolithic surface mount optoelectronic device and method for fabricating the device
DE10227544B4 (de) * 2002-06-17 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur optischen Datenübertragung
JP4005001B2 (ja) 2002-07-24 2007-11-07 Ｔｄｋ株式会社 機能性層を有する転写用機能性フィルム、その機能性層が付与された物体及びその製造方法
WO2004019422A1 (en) 2002-08-21 2004-03-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device
US7334918B2 (en) 2003-05-07 2008-02-26 Bayco Products, Ltd. LED lighting array for a portable task light
US7279355B2 (en) * 2003-06-27 2007-10-09 Avago Technologies Ecbuip (Singapore) Pte Ltd Method for fabricating a packaging device for semiconductor die and semiconductor device incorporating same
US9000461B2 (en) 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US8999736B2 (en) 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
US7452140B2 (en) * 2003-07-16 2008-11-18 Ibiden Co., Ltd. Protective sealing of optoelectronic modules
US7345361B2 (en) * 2003-12-04 2008-03-18 Intel Corporation Stackable integrated circuit packaging
FR2864970B1 (fr) 2004-01-09 2006-03-03 Soitec Silicon On Insulator Substrat a support a coefficient de dilatation thermique determine
JP2005302889A (ja) 2004-04-08 2005-10-27 Sharp Corp 半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP4599111B2 (ja) 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ｌｅｄランプ
US20060038188A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
JP4610975B2 (ja) 2004-09-08 2011-01-12 オリンパス株式会社 表示装置
JP4667803B2 (ja) 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN1750280B (zh) 2004-09-15 2010-05-05 晶元光电股份有限公司 一种发光元件及其制造方法
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
FR2892594B1 (fr) 2005-10-21 2007-12-07 Saint Gobain Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications
JP4417906B2 (ja) * 2005-12-16 2010-02-17 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
CN2896325Y (zh) 2006-03-21 2007-05-02 比乐达国际有限公司 显示器的发光二极管背光模组
JP5052829B2 (ja) 2006-06-19 2012-10-17 住友化学株式会社 カプセル状マイクロ発光素子の製造方法
TWI350409B (en) 2006-07-06 2011-10-11 Nat Univ Chung Hsing Flexible and could be rolling-up area lights module and the method of producing thereof
JP5016400B2 (ja) 2006-07-13 2012-09-05 ヤマハ発動機株式会社 鍛造ピストン、内燃機関、輸送機器および鍛造ピストンの製造方法
DE102006037538B4 (de) * 2006-08-10 2016-03-10 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil, elektronischer Bauteilstapel und Verfahren zu deren Herstellung sowie Verwendung einer Kügelchenplatziermaschine zur Durchführung eines Verfahrens zum Herstellen eines elektronischen Bauteils bzw. Bauteilstapels
US8567992B2 (en) 2006-09-12 2013-10-29 Huizhou Light Engine Ltd. Integrally formed light emitting diode light wire and uses thereof
US7777240B2 (en) 2006-10-17 2010-08-17 Epistar Corporation Optoelectronic device
DE102007043877A1 (de) 2007-06-29 2009-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
KR20090032207A (ko) 2007-09-27 2009-04-01 삼성전기주식회사 질화갈륨계 발광다이오드 소자
DE102007049799A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102008012844A1 (de) 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung
CN101504938A (zh) 2008-02-05 2009-08-12 华信精密股份有限公司 发光二极管封装结构与发光二极管封装方法
JP5078644B2 (ja) 2008-02-06 2012-11-21 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
US20100314639A1 (en) 2008-02-21 2010-12-16 Panasonic Corporation Light emitting device and display device using the same
TW200939452A (en) 2008-03-05 2009-09-16 Harvatek Corp LED chip package structure applied to a backlight module manufacturing method thereof
WO2009115095A1 (de) 2008-03-17 2009-09-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Led-leuchtvorrichtung
EP2269239A2 (en) 2008-03-21 2011-01-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. A luminous device
JP5195116B2 (ja) 2008-04-17 2013-05-08 ソニー株式会社 面光源装置及び画像表示装置
DE102009025015A1 (de) 2008-07-08 2010-02-18 Seoul Opto Device Co. Ltd., Ansan Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2010027016A1 (ja) 2008-09-05 2010-03-11 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および半導体発光素子
JP5123269B2 (ja) 2008-09-30 2013-01-23 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光素子及びその製造方法
JPWO2010038897A1 (ja) 2008-10-05 2012-03-01 アークレイ株式会社 分析用具およびその製造方法
KR20100076083A (ko) 2008-12-17 2010-07-06 서울반도체 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP2010199105A (ja) 2009-02-23 2010-09-09 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2010205947A (ja) 2009-03-04 2010-09-16 K & I Inc Ｌｅｄ表示装置
WO2010132552A1 (en) 2009-05-12 2010-11-18 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
US8796706B2 (en) 2009-07-03 2014-08-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN201514954U (zh) 2009-08-03 2010-06-23 金芃 粗化表面的半导体发光二极管封装
TWM376709U (en) 2009-09-02 2010-03-21 Liquidleds Lighting Corp Curved tubular LED lamp
WO2011035292A2 (en) 2009-09-21 2011-03-24 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Near infrared doped phosphors having a zinc, germanium, gallate matrix
JP5360402B2 (ja) 2009-09-25 2013-12-04 東芝ライテック株式会社 電球形ランプおよび照明器具
JP5333771B2 (ja) 2009-10-08 2013-11-06 東芝ライテック株式会社 発光装置及び照明装置
KR101394936B1 (ko) * 2009-11-06 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 광차단층을 갖는 평판 표시 장치
KR100986468B1 (ko) 2009-11-19 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 렌즈 및 렌즈를 갖는 발광 장치
JP5707697B2 (ja) 2009-12-17 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102009060759A1 (de) 2009-12-30 2011-07-07 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Strahlungsemittierende Vorrichtung, Modul mit einer strahlungsemittierenden Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung
CN201601149U (zh) 2010-01-08 2010-10-06 大连九久光电制造有限公司 一种led封装结构
CA2789267A1 (en) 2010-02-08 2011-08-11 Ole K. Nilssen Evaporation cooled lamp
US8783915B2 (en) 2010-02-11 2014-07-22 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
EP2546899B1 (en) 2010-03-11 2015-06-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting module, light source device, liquid crystal display device
US8604500B2 (en) 2010-03-17 2013-12-10 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
WO2011133508A1 (en) 2010-04-21 2011-10-27 The Procter & Gamble Company Liquid cleaning and/or cleansing composition
TWI398026B (zh) 2010-04-28 2013-06-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光元件及其模組
US8471282B2 (en) 2010-06-07 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Passivation for a semiconductor light emitting device
DE102010030639B4 (de) * 2010-06-29 2013-05-02 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit beweglichem Konverterelement
CN102315371A (zh) 2010-07-05 2012-01-11 松下电工株式会社 发光装置
JP2012028232A (ja) 2010-07-26 2012-02-09 Explore:Kk 半導体発光素子を光源とするランプ
CN103222073B (zh) 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
JP5882332B2 (ja) * 2010-09-06 2016-03-09 ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテルハフツングＨｅｒａｅｕｓ Ｎｏｂｌｅｌｉｇｈｔ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール用のコーティング法
US8492788B2 (en) 2010-10-08 2013-07-23 Guardian Industries Corp. Insulating glass (IG) or vacuum insulating glass (VIG) unit including light source, and/or methods of making the same
JP5740901B2 (ja) 2010-10-15 2015-07-01 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
WO2012090966A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 コニカミノルタオプト株式会社 発光装置およびその製造方法
WO2012097163A1 (en) * 2011-01-14 2012-07-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical component array having adjustable curvature
JP2012151078A (ja) 2011-01-21 2012-08-09 Yamato Kogyo Kk ロープライト及びロープライトシステム
CN201973530U (zh) 2011-03-08 2011-09-14 河北博信伟德电源技术有限公司 Led螺口灯
US8525191B2 (en) 2011-04-01 2013-09-03 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Optoelectronic devices and coatings therefore
TWI436506B (zh) * 2011-04-20 2014-05-01 Lustrous Green Technology Of Lighting 使用預製螢光帽蓋的發光二極體封裝結構
CN102330906A (zh) 2011-10-10 2012-01-25 无锡华兆泓光电科技有限公司 一种采用微透镜阵列的大功率集成led灯体结构
TWM426729U (en) 2011-11-15 2012-04-11 Unity Opto Technology Co Ltd Improved LED bulb structure
CN102437276A (zh) 2011-11-25 2012-05-02 四川新力光源有限公司 一种led器件及其制作方法
US9690042B2 (en) 2013-05-23 2017-06-27 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical input/output device, optical electronic system including the same, and method of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070252167A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Everlight Electronics Co., Ltd. Surface mounting optoelectronic device
US20080290353A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Medendorp Jr Nicholas W Microscale optoelectronic device packages
US20100259920A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Aussmak Optoelectronics Corp. Light emitting apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US9356070B2 (en) 2016-05-31
US10134804B2 (en) 2018-11-20
TW201407749A (zh) 2014-02-16
TWI590414B (zh) 2017-07-01
US11309350B2 (en) 2022-04-19
TW201727866A (zh) 2017-08-01
US20190051698A1 (en) 2019-02-14
US11791370B2 (en) 2023-10-17
US20140048825A1 (en) 2014-02-20
US20230420484A1 (en) 2023-12-28
US20220246676A1 (en) 2022-08-04
US20160276403A1 (en) 2016-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI615942B (zh) 發光裝置
US10497745B2 (en) Light-emitting diode device
TWI614920B (zh) 光電元件及其製造方法
TWI638962B (zh) 發光裝置
CN111102484B (zh) 发光元件
TWI641285B (zh) 發光模組與發光單元的製作方法
CN108598102B (zh) 发光装置
CN106463578B (zh) 发光器件
CN105280665B (zh) 光电元件及其制造方法
CN104835897B (zh) 发光装置及其制造方法
KR102198133B1 (ko) 광전소자
TWI787987B (zh) 光電元件
TWI638468B (zh) 光電元件及其製造方法
TWI667812B (zh) 光電元件及其製造方法
TW201937754A (zh) 光電元件及其製造方法