TWI613470B - 附相位差層之偏光板及圖像顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種重新加工性優異之薄型之附相位差層之偏光板。

本發明之附相位差層之偏光板包括：偏光板，其包含偏光元件及於該偏光元件之至少一側上之保護層；相位差層；第1接著層，其將該偏光板與該相位差層接著；及第2接著層，其設置為該相位差層之與該偏光板為相反側之最外層。於本發明中，使周圍溫度自-150℃至20℃變化時之該第2接著層之平均線膨脹係數為38.0(×10^-5/℃)以上，並且大於使周圍溫度自-150℃至20℃變化時之該第1接著層之平均線膨脹係數。

Description

附相位差層之偏光板及圖像顯示裝置

本發明係關於一種附相位差層之偏光板及使用其之圖像顯示裝置。

近年來，以液晶顯示裝置及有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置為代表之圖像顯示裝置迅速普及。於圖像顯示裝置中，代表性地使用偏光板及相位差板。於實際應用中，廣泛使用將偏光板與相位差板一體化而成之附相位差層之偏光板(例如，日本專利第3325560號)，在此情形時，最近，隨著對圖像顯示裝置之薄型化之要求增強，對附相位差層之偏光板之薄型化之要求亦不斷增強。

且說，對於附相位差層之偏光板，以防止品質之偏差及/或圖像顯示裝置組裝之效率化等為目的，代表性的是於預先附設有包含黏著劑或接著劑之接著層之狀態下貼合於液晶單元或有機EL單元(以下，統稱為顯示單元)。於該情形時，若在貼合於顯示單元時混入污染物或氣泡等異物，則該部分會成為視認障礙。因此，將作為貼合差錯之附相位差層之偏光板自顯示單元剝離、去除，將該顯示單元再利用。圖像顯示裝置組裝中之此種作業被稱為重新加工(rework)。

近年來，有時使用液態氮進行重新加工。於偏光板之厚度較厚之情形時，即便無法利用液態氮重新加工將顯示單元與附相位差層之 偏光板剝離，亦可利用手工進行重新加工，故而無問題。另一方面，於偏光板之厚度較薄之情形時，若欲利用手工進行重新加工，則附相位差層之偏光板發生破裂而無法剝離之情況較多，期望可利用液態氮重新加工自顯示單元良好地剝離之薄型之附相位差層之偏光板。

本發明係為了解決上述先前問題而完成者，其主要目的在於提供一種重新加工性優異之薄型之附相位差層之偏光板。

本發明之附相位差層之偏光板包括：偏光板，其包含偏光元件及於該偏光元件之至少一側上之保護層；相位差層；第1接著層，其將該偏光板與該相位差層接著；及第2接著層，其設置為該相位差層之與該偏光板為相反側之最外層。於本發明中，使周圍溫度自-150℃至20℃變化時之該第2接著層之平均線膨脹係數為38.0(×10^-5/℃)以上，並且大於使周圍溫度自-150℃至20℃變化時之該第1接著層之平均線膨脹係數。

於一實施形態中，上述附相位差層之偏光板除上述第2接著層以外之各層之合計厚度為140μm以下。

於一實施形態中，上述相位差層包含聚碳酸酯系樹脂膜。

於一實施形態中，上述附相位差層之偏光板於上述相位差層之外側進而具有另一相位差層。

於一實施形態中，上述相位差層為液晶化合物之配向固化層。

於一實施形態中，上述相位差層具有第1液晶化合物之配向固化層與第2液晶化合物之配向固化層之積層構造。

於一實施形態中，上述附相位差層之偏光板於上述相位差層之外側進而具有導電層或附導電層之各向同性基材。

根據本發明之另一態樣，提供一種圖像顯示裝置。該圖像顯示裝置具備上述之附相位差層之偏光板。

根據本發明，於薄型之附相位差層之偏光板中，藉由使將偏光板與相位差層接著之接著層於特定溫度範圍內之平均線膨脹係數最佳化，並且使該平均線膨脹係數與用以貼合於顯示單元之最外層之接著層於特定溫度範圍內之平均線膨脹係數之關係最佳化，可顯著抑制重新加工(尤其是使用液態氮之低溫下之重新加工)中之不良情況(代表性的是，自偏光板剝離之相位差層殘留於顯示單元)之產生。

10‧‧‧偏光板

11‧‧‧偏光元件

12‧‧‧第1保護層

13‧‧‧第2保護層

20‧‧‧相位差層

21‧‧‧第1配向固化層

22‧‧‧第2配向固化層

30‧‧‧第1接著層

40‧‧‧第2接著層

50‧‧‧相位差層

60‧‧‧導電層或附導電層之各向同性基材

100‧‧‧附相位差層之偏光板

101‧‧‧附相位差層之偏光板

102‧‧‧附相位差層之偏光板

圖1係本發明之一實施形態之附相位差層之偏光板之概略剖視圖。

圖2係本發明之另一實施形態之附相位差層之偏光板之概略剖視圖。

圖3係本發明之又一實施形態之附相位差層之偏光板之概略剖視圖。

以下，對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限定於該等實施形態。

(用語及符號之定義)

本說明書中之用語及符號之定義如下所述。

(1)折射率(nx、ny、nz)

「nx」為面內之折射率成為最大之方向(即，遲相軸方向)之折射率，「ny」為於面內與遲相軸正交之方向(即，進相軸方向)之折射率，「nz」為厚度方向之折射率。

(2)面內相位差(Re)

「Re(λ)」係於23℃下利用波長λ nm之光測定之面內相位差。例如，「Re(550)」係於23℃下利用波長550nm之光測定之面內相位差。於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Re(λ)係藉由式：Re(λ)=(nx-ny)×d而求出。

(3)厚度方向之相位差(Rth)

「Rth(λ)」係於23℃下利用波長λ nm之光測定之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」係於23℃下利用波長550nm之光測定之厚度方向之相位差。於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，Rth(λ)係藉由式：Rth(λ)=(nx-nz)×d而求出。

(4)Nz係數

Nz係數係藉由Nz=Rth/Re而求出。

A.附相位差層之偏光板之整體構成

圖1係本發明之一實施形態之附相位差層之偏光板之概略剖視圖。本實施形態之附相位差層之偏光板100包括：偏光板10；相位差層20；第1接著層30，其將偏光板10與相位差層20接著；及第2接著層40，其設置為相位差層20之與偏光板10為相反側之最外層。第2接著層40將附相位差層之偏光板與圖像顯示裝置之顯示單元(例如，液晶單元、有機EL單元)接著。偏光板10包括：偏光元件11；第1保護層12，其配置於偏光元件11之一側；及第2保護層13，其配置於偏光元件11之另一側。根據目的，第1保護層12及第2保護層13之一者亦可省略。例如，於相位差層20亦可發揮作為偏光元件11之保護層之作用之情形時，第2保護層13亦可省略。

如圖2所示，於另一實施形態之附相位差層之偏光板101中，亦可設置另一相位差層50及/或導電層或附導電層之各向同性基材60。另一相位差層50及導電層或附導電層之各向同性基材60代表性地設置於相位差層20之外側(偏光板10之相反側)。另一相位差層50及導電層 或附導電層之各向同性基材60代表性地自相位差層20側依序設置。另一相位差層50及導電層或附導電層之各向同性基材60代表性的是視需要設置之任意層，並且可省略任一者或兩者。再者，方便起見，有時將相位差層20稱作第1相位差層，將另一相位差層50稱作第2相位差層。再者，於設置導電層或附導電層之各向同性基材之情形時，附相位差層之偏光板可應用於在顯示單元(例如有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂之內觸控面板型輸入顯示裝置。

於一實施形態中，第1相位差層20係由樹脂膜構成。於另一實施形態中，第1相位差層20可為液晶化合物之配向固化層。於該實施形態中，第1相位差層20可為單一層，亦可具有如圖3所示之第1配向固化層21及第2配向固化層22之積層構造。再者，關於樹脂膜，於C-2項中進行詳細說明，關於液晶化合物之配向固化層，於C-3項中進行詳細說明。

上述實施形態可適當組合，亦可對上述實施形態中之構成要素進行本領域中明確之改變。例如，亦可於圖3之附相位差層之偏光板102設置第2相位差層50及/或導電層或附導電層之各向同性基材60。又，例如，於第2相位差層50之外側設置附導電層之各向同性基材60之構成可替換成光學上等價之構成(例如第2相位差層與導電層之積層體)。

於本發明之實施形態中，第2接著層40於使周圍溫度自-150℃至20℃變化時之平均線膨脹係數(以下有時簡稱為平均線膨脹係數)為38.0(×10^-5/℃)以上，較佳為39.0(×10^-5/℃)以上，更佳為40.0(×10^-5/℃)以上。第2接著層之平均線膨脹係數之上限為例如200(×10^-5/℃)。若第2接著層之平均線膨脹係數為此種範圍，則於重新加工(尤其是使用液態氮之低溫下之重新加工)中，可將附相位差層之偏光板自顯示單元良好地剝離。進而，第2接著層之平均線膨脹係數大於第1接著層之 平均線膨脹係數。藉由如此設定，於重新加工(尤其是使用液態氮之低溫下之重新加工)中，可良好地防止偏光板10與第1相位差層20之剝離，並且將顯示單元與附相位差層之偏光板良好地剝離，因此可顯著抑制重新加工中之不良情況(代表性的是自偏光板剝離之相位差層殘留於顯示單元)之產生。第1接著層之平均線膨脹係數與第2接著層之平均線膨脹係數之差較佳為1.5(×10^-5/℃)以上，更佳為2.0(×10^-5/℃)~4.0(×10^-5/℃)。若平均線膨脹係數之差為此種範圍，則可更顯著地抑制重新加工(尤其是使用液態氮之低溫下之重新加工)中之不良情況。再者，平均線膨脹係數可根據依照JIS K 7197之TMA測定而決定。

附相位差層之偏光板之總厚度較佳為140μm以下，更佳為50μm~135μm，進而較佳為55μm~80μm。於附相位差層之偏光板之厚度非常薄之情形時，重新加工(尤其是使用液態氮之低溫下之重新加工)中之不良情況之產生顯著，但根據本發明，即便附相位差層之偏光板之厚度如此非常薄之情形時，亦可極其良好地抑制不良情況之產生。再者，附相位差層之偏光板之總厚度係指除第2接著層40以外之構成附相位差層之偏光板之所有層之厚度之合計。

以下，對構成附相位差層之偏光板之各層、光學膜、接著劑及黏著劑更詳細地進行說明。

B.偏光板

B-1.偏光元件

作為偏光元件11，可採用任意適當之偏光元件。例如，形成偏光元件之樹脂膜可為單層之樹脂膜，亦可為兩層以上之積層體。

作為包含單層之樹脂膜之偏光元件之具體例，可列舉：對聚乙烯醇(PVA)系膜、部分縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜實施利用碘或二色性染料等二色性物質之染色處理及延伸處理而成者；PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫氯 化氫處理物等聚烯系配向膜。就光學特性優異而言，較佳為使用將PVA系膜利用碘進行染色並進行單軸延伸而獲得之偏光元件。

上述利用碘之染色例如藉由將PVA系膜浸漬於碘水溶液中而進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3~7倍。延伸可於染色處理後進行，亦可一面染色一面進行。又，亦可進行延伸後進行染色。視需要，對PVA系膜實施澎潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如，藉由於染色前將PVA系膜浸漬於水中進行水洗，可將PVA系膜表面之污垢或抗黏連劑洗淨，不僅如此，亦可使PVA系膜澎潤而防止染色不均勻等。

作為使用積層體獲得之偏光元件之具體例，可列舉使用樹脂基材與積層於該樹脂基材之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體、或樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材之PVA系樹脂層之積層體獲得之偏光元件例如可藉由如下方式而製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材，使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，從而獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；以及將該積層體延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本實施形態中，延伸代表性地包括將積層體浸漬於硼酸水溶液中並進行延伸。進而，延伸可視需要進而包括於硼酸水溶液中之延伸之前將積層體於高溫(例如，95℃以上)下進行空中延伸。所獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為偏光元件之保護層)，亦可將樹脂基材自樹脂基材/偏光元件之積層體剝離，於該剝離面積層根據目的之任意適當之保護層而使用。此種偏光元件之製造方法之詳情例如記載於日本專利特開2012-73580號公報中。將該公報之整體之記載作為參考而引用於本說明書中。

偏光元件之厚度較佳為15μm以下，更佳為1μm~12μm，進而 較佳為3μm~12μm，尤佳為3μm~8μm。根據本發明，即便偏光元件(結果為附相位差層之偏光板)非常薄，亦可顯著抑制重新加工(尤其是使用液態氮之低溫下之重新加工)中之不良情況之產生。又，若偏光元件之厚度為此種範圍，則可良好地抑制加熱時之捲曲，並且獲得良好之加熱時之外觀耐久性。

偏光元件之硼酸含量較佳為18重量%以上，更佳為18重量%~25重量%。若偏光元件之硼酸含量為此種範圍，則藉由與後述之碘含量之協同效應，可良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲曲，並且可改善加熱時之外觀耐久性。硼酸含量例如可根據中和法使用下述式，作為每單位重量之偏光元件所含之硼酸量而算出。

偏光元件之碘含量較佳為2.1重量%以上，更佳為2.1重量%~3.5重量%。若偏光元件之碘含量為此種範圍，則藉由與上述硼酸含量之協同效應，可良好地維持貼合時之捲曲調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲曲，並且改善加熱時之外觀耐久性。於本說明書中，所謂「碘含量」係指偏光元件(PVA系樹脂膜)中所含之所有碘之量。更具體而言，於偏光元件中，碘以碘離子(I^-)、碘分子(I₂)、多碘離子(I₃ ^-、I₅ ^-)等形態存在，並且本說明書中之碘含量係指包括所有該等形態之碘之量。碘含量例如可藉由螢光X射線分析之校準曲線法而進行計算。再者，多碘離子係以形成PVA-碘錯合物之狀態下存在於偏光元件中。藉由形成此種錯合物，可於可見光之波長範圍內表現出吸收二色性。具體而言，PVA與三碘化物離子之錯合物(PVA．I₃ ^-)於470nm附近具有吸光峰，PVA與五碘化物離子之錯合物(PVA．I₅ ^-)於600nm附近 具有吸光峰。其結果，多碘離子根據其形態可於可見光寬廣之範圍內吸收光。另一方面，碘離子(I^-)於230nm附近具有吸光峰，並且實質上不參與可見光之吸收。因此，以與PVA之錯合物之狀態存在之多碘離子主要可參與偏光元件之吸收性能。

偏光元件較佳為於波長380nm~780nm之任一波長下顯示吸收二色性。偏光元件之單體透過率為43.0%~46.0%，較佳為44.5%~46.0%。偏光元件之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。

B-2.第1保護層

第1保護層12係由可用作偏光元件用之保護層之任意適當之膜形成。作為成為該膜之主成分之材料之具體例，可列舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降

烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等透明樹脂等。又，亦可列舉(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外，例如亦可列舉矽氧烷系聚合物等玻璃質聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO 01/37007)中記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有於側鏈上具有經取代或未經取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂及於側鏈上具有經取代或未經取代之苯基及腈基之熱塑性樹脂之樹脂組合物，例如可列舉含有包含異丁烯及N-甲基馬來醯亞胺之交替共聚物、及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。

如下所述，本發明之附相位差層之偏光板代表性地配置於圖像顯示裝置之視認側，第1保護層12代表性地配置於其視認側。因此，對於第1保護層12，亦可視需要實施硬塗處理、抗反射處理、抗黏連 處理、防眩處理等表面處理。進而/或者，對於第1保護層12，亦可視需要實施改善經由偏光太陽鏡進行視認之情形時之視認性之處理(代表性的是賦予(橢)圓偏光功能、賦予超高相位差)。藉由實施此種處理，即便於經由偏光太陽鏡等偏光透鏡而視認顯示畫面之情形時，亦可實現優異之視認性。因此，附相位差層之偏光板亦可較佳地應用於可戶外使用之圖像顯示裝置。

關於第1保護層之厚度，只要可獲得上述所期望之偏光板之厚度及與第2保護層之厚度之差，則可採用任意適當之厚度。第1保護層之厚度為例如10μm~50μm，較佳為15μm~40μm。再者，於實施表面處理之情形時，第1保護層之厚度係包括表面處理層之厚度在內之厚度。

B-3.第2保護層

又，第2保護層13亦由可用作偏光元件之保護層之任意適當之膜形成。成為該膜之主成分之材料如關於第1保護層於上述B-2項中所說明。第2保護層13較佳為光學各向同性。於本說明書中，「光學各向同性」係指面內相位差Re(550)為0nm~10nm，厚度方向相位差Rth(550)為-10nm~+10nm。

第2保護層之厚度為例如15μm~35μm，較佳為20μm~30μm。第1保護層之厚度與第2保護層之厚度之差較佳為15μm以下，更佳為10μm以下。若厚度之差為此種範圍，則可良好地抑制貼合時之捲曲。第1保護層之厚度與第2保護層之厚度可相同，亦可第1保護層較厚，亦可第2保護層較厚。代表性的是第1保護層比第2保護層厚。

C.第1相位差層

C-1.第1相位差層之特性

第1相位差層20根據目的可具有任意適當之光學特性及/或機械特性。第1相位差層20代表性地具有遲相軸。於一實施形態中，第1相位 差層20之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度θ較佳為38°~52°，更佳為42°~48°，進而較佳為約45°。若角度θ為此種範圍，則如下所述藉由將第1相位差層作為λ/4板，可獲得具有非常優異之圓偏光特性(結果，非常優異之抗反射特性)之附相位差層之偏光板。

第1相位差層較佳為折射率特性顯示nx>ny≧nz之關係。第1相位差層代表性的是為了對偏光板賦予抗反射特性而設置，於一實施形態中，可發揮作為λ/4板之功能。於該情形時，第1相位差層之面內相位差Re(550)較佳為80nm~200nm，更佳為100nm~180nm，進而較佳為110nm~170nm。再者，此處「ny=nz」不僅包括ny與nz完全相等之情況，而且包括實質上相等之情況。因此，於不損及本發明之效果之範圍內，可能存在ny<nz之情況。

第1相位差層之Nz係數較佳為0.9~3，更佳為0.9~2.5，進而較佳為0.9~1.5，尤佳為0.9~1.3。藉由滿足此種關係，於將所獲得之附相位差層之偏光板用於圖像顯示裝置之情形時，可達成非常優異之反射色相。

第1相位差層可顯示相位差值隨著測定光之波長而變大之逆分散波長特性，亦可顯示相位差值隨著測定光之波長而變小之正波長分散特性，亦可顯示相位差值幾乎不隨測定光之波長變化之平波長分散特性。於一實施形態中，第1相位差層顯示逆分散波長特性。於該情形時，相位差層之Re(450)/Re(550)較佳為0.8以上且未達1，更佳為0.8以上且0.95以下。若為此種構成，則可實現非常優異之抗反射特性。

第1相位差層包含光彈性係數之絕對值較佳為2×10^-11m²/N以下，更佳為2.0×10^-13m²/N~1.5×10^-11m²/N，進而較佳為1.0×10^-12m²/N~1.2×10^-11m²/N之樹脂。若光彈性係數之絕對值為此種範圍，則於加熱時產生收縮應力之情形時不易產生相位差變化。其結果，可良好地防止所獲得之圖像顯示裝置之熱不均。

C-2.由樹脂膜構成之第1相位差層

於第1相位差層由樹脂膜構成之情形時，其厚度較佳為60μm以下，較佳為30μm~55μm。若第1相位差層之厚度為此種範圍，則可良好地抑制加熱時之捲曲，並且可良好地調整貼合時之捲曲。

第1相位差層20可由能夠滿足上述C-1項中記載之特性之任意適當之樹脂膜構成。作為此種樹脂之代表例，可列舉：環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂。於第1相位差層由顯示逆分散波長特性之樹脂膜構成之情形時，可較佳地使用聚碳酸酯系樹脂。

作為上述聚碳酸酯樹脂，只要獲得本發明之效果，則可使用任意適當之聚碳酸酯樹脂。較佳為聚碳酸酯樹脂包含：源自茀系二羥基化合物之結構單元；源自異山梨酯系二羥基化合物之結構單元；及源自選自由脂環式二醇、脂環式二甲醇、二-/三-或聚乙二醇、及伸烷基二醇或螺二醇所組成之群中之至少一種二羥基化合物之結構單元。較佳為聚碳酸酯樹脂包含：源自茀系二羥基化合物之結構單元；源自異山梨酯系二羥基化合物之結構單元；及源自脂環式二甲醇之結構單元及/或源自二-/三-或聚乙二醇之結構單元；進而較佳為包含：源自茀系二羥基化合物之結構單元；源自異山梨酯系二羥基化合物之結構單元；及源自二-/三-或聚乙二醇之結構單元。聚碳酸酯樹脂亦可視需要包含源自其他二羥基化合物之結構單元。再者，可較佳地用於本發明之聚碳酸酯樹脂之詳情例如於日本專利特開2014-10291號公報、日本專利特開2014-26266中號公報中有記載，該記載作為參考而引用至本說明書中。

聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度較佳為110℃以上且150℃以下，更佳為120℃以上且140℃以下。若玻璃轉移溫度過低，則有耐熱性變差 之傾向，於膜成形後可能引起尺寸變化，又，有時會使所獲得之有機EL面板之圖像品質降低。若玻璃轉移溫度過高，則有時膜成形時之成形穩定性變差，又，有時會損及膜之透明性。玻璃轉移溫度係根據JIS K 7121(1987)而求出。

上述聚碳酸酯樹脂之分子量可用比濃黏度表示。比濃黏度係使用二氯甲烷作為溶劑，將聚碳酸酯濃度精確製備為0.6g/dL，於20.0℃±0.1℃下使用烏氏黏度計進行測定。比濃黏度之下限通常較佳為0.30dL/g，更佳為0.35dL/g以上。比濃黏度之上限通常較佳為1.20dL/g，更佳為1.00dL/g，進而較佳為0.80dL/g。若比濃黏度小於上述下限值，則有時產生成形品之機械強度變小之問題。另一方面，若比濃黏度大於上述上限值，則有時產生成形時之流動性降低而生產性或成形性降低之問題。

亦可使用市售之膜作為聚碳酸酯系樹脂膜。作為市售品之具體例，可列舉帝人公司製造之商品名「PURE-ACE WR-S」、「PURE-ACE WR-W」、「PURE-ACE WR-M」、日東電工公司製造之商品名「NRF」。

第1相位差層20例如可藉由將由上述聚碳酸酯系樹脂形成之膜進行延伸而獲得。作為由聚碳酸酯系樹脂形成膜之方法，可採用任意適當之成形加工法。作為具體例，可列舉：壓縮成形法、轉移成形法、射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法、粉末成形法、FRP(fiber reinforced plastics，纖維強化塑膠)成形法、澆鑄塗佈法(例如流延法)、壓延成形法、熱壓法。較佳為擠出成形法或澆鑄塗佈法。其原因在於，可提高所獲得之膜之平滑性而獲得良好之光學均勻性。成形條件可根據對所使用之樹脂之組成或種類、相位差層所期望之特性而適當設定。再者，如上所述，對於聚碳酸酯系樹脂，市售有多種膜製品，因此亦可將該市售膜直接供於延伸處理。

樹脂膜(未延伸膜)之厚度可根據第1相位差層之所期望之厚度、所期望之光學特性、後述之延伸條件等而設定為任意適當之值。較佳為50μm~300μm。

上述延伸可採用任意適當之延伸方法、延伸條件(例如，延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)。具體而言，可單獨使用自由端延伸、固定端延伸、自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法，亦可同時或逐次使用。關於延伸方向，可沿長度方向、寬度方向、厚度方向、斜向等各種方向或維度進行。延伸溫度相對於樹脂膜之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為Tg-30℃~Tg+60℃，更佳為Tg-10℃~Tg+50℃。

藉由適當選擇上述延伸方法、延伸條件可獲得具有上述所期望之光學特性(例如，折射率特性、面內相位差、Nz係數)之相位差膜。

於一實施形態中，相位差膜係藉由對樹脂膜進行單軸延伸或固定端單軸延伸而製作。作為固定端單軸延伸之具體例，可列舉一面使樹脂膜沿長度方向移行一面沿寬度方向(橫向)延伸之方法。延伸倍率較佳為1.1倍~3.5倍。

於另一實施形態中，相位差膜可藉由將長條狀之樹脂膜沿相對於長度方向為上述角度θ之方向連續進行斜向延伸而製作。藉由採用斜向延伸，可獲得具有相對於膜之長度方向為角度θ之配向角(於角度θ之方向上具有遲相軸)之長條狀之延伸膜，例如於與偏光元件之積層時能夠實現卷對卷(roll-to-roll)作業，從而可簡化製造步驟。再者，角度θ可為於附相位差層之偏光板中偏光元件之吸收軸與相位差層之遲相軸所成之角度。如上所述，角度θ較佳為38°~52°，更佳為42°~48°，進而較佳為約45°。

作為用於斜向延伸之延伸機，例如可列舉能夠於橫向及/或縱向上附加左右不同速度之進給力或拉伸力或捲取力之拉幅式延伸機。拉幅式延伸機有橫向單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，但只要能夠將長 條狀之樹脂膜連續進行斜向延伸，則可使用任意適當之延伸機。

藉由分別適當控制上述延伸機中左右之速度，可獲得具有上述所期望之面內相位差且於上述所期望之方向上具有遲相軸之相位差層(實質上為長條狀之相位差膜)。

上述膜之延伸溫度可根據對相位差層所期望之面內相位差值及厚度、所使用之樹脂之種類、所使用之膜之厚度、延伸倍率等而變化。具體而言，延伸溫度較佳為Tg-30℃~Tg+30℃，更佳為Tg-15℃~Tg+15℃，最佳為Tg-10℃~Tg+10℃。藉由於此種溫度下進行延伸，可獲得於本發明中具有適當之特性之第1相位差層。再者，Tg係膜之構成材料之玻璃轉移溫度。

C-3.由液晶化合物之配向固化層構成之第1相位差層

第1相位差層20亦可為液晶化合物之配向固化層。藉由使用液晶化合物，可使所獲得之相位差層之nx與ny之差與非液晶材料相比顯著增大，因此可使用以獲得所期望之面內相位差之相位差層之厚度顯著縮小。其結果，可實現附相位差層之偏光板之進一步之薄型化。於第1相位差層20由液晶化合物之配向固化層構成之情形時，其厚度較佳為0.5μm~7μm，更佳為1μm~5μm。藉由使用液晶化合物，能夠以比樹脂膜明顯薄之厚度實現與樹脂膜同等之面內相位差。

於本說明書中，所謂「配向固化層」係指液晶化合物於層內在特定方向上配向且其配向狀態固定之層。再者，「配向固化層」係包含如下所述使液晶單體硬化而獲得之配向硬化層之概念。於本實施形態中，代表性的是棒狀之液晶化合物以於第1相位差層之遲相軸方向上排列之狀態配向(水平配向)。作為液晶化合物，可列舉液晶相為向列相之液晶化合物(向列液晶)。作為此種液晶化合物，例如可使用液晶聚合物或液晶單體。液晶化合物之液晶性之表現機制可為溶致型或熱致型之任一種。液晶聚合物及液晶單體可分別單獨使用，亦可組 合。

於液晶化合物為液晶單體之情形時，該液晶單體較佳為聚合性單體及交聯性單體。其原因在於，藉由使液晶單體聚合或交聯(即，硬化)，可使液晶單體固定。於使液晶單體配向後，例如當使液晶單體彼此聚合或交聯時，可藉此使上述配向狀態固定。此處，藉由聚合形成聚合物，藉由交聯形成三維網狀結構，並且該等為非液晶性。因此，所形成之第1相位差層不會引起例如液晶化合物特有之因溫度變化所致之向液晶相、玻璃相、結晶相之轉變。其結果，第1相位差層成為不受溫度變化影響而穩定性極其優異之相位差層。

液晶單體顯示液晶性之溫度範圍根據其種類而不同。具體而言，該溫度範圍較佳為40℃~120℃，進而較佳為50℃~100℃，最佳為60℃~90℃。

作為液晶單體，可採用任意適當之液晶單體。例如可使用日本專利特表2002-533742(WO 00/37585)、EP 358208(US 5211877)、EP 66137(US 4388453)、WO 93/22397、EP 0261712、DE 19504224、DE 4408171、及GB 2280445等中記載之聚合性液晶原基化合物等。作為此種聚合性液晶原基化合物之具體例，例如可列舉BASF公司之商品名LC242、Merck公司之商品名E7、Wacker-Chem公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。作為液晶單體，例如較佳為向列性液晶單體。

液晶化合物之配向固化層可藉由如下方式而形成：對特定基材之表面實施配向處理，於該表面塗佈包含液晶化合物之塗佈液而使該液晶化合物在對應於上述配向處理之方向上配向，並使該配向狀態固定。於一實施形態中，基材為任意適當之樹脂膜，形成於該基材上之配向固化層可轉印至偏光板10之表面。於另一實施形態中，基材可為第2保護層13。於該情形時，省略轉印步驟，自配向固化層(第1相位差層)之形成開始連續地藉由卷對卷進行積層，因此生產性進一步提 高。

作為上述配向處理，可採用任意適當之配向處理。具體而言，可列舉機械配向處理、物理配向處理、化學配向處理。作為機械配向處理之具體例，可列舉摩擦處理、延伸處理。作為物理配向處理之具體例，可列舉磁場配向處理、電場配向處理。作為化學配向處理之具體例，可列舉斜向蒸鍍法、光配向處理。各種配向處理之處理條件根據目的可採用任意適當之條件。

液晶化合物之配向係藉由根據液晶化合物之種類於顯示液晶相之溫度下進行處理而進行。藉由進行此種溫度處理，液晶化合物呈液晶狀態，並且該液晶化合物根據基材表面之配向處理方向而配向。

於一實施形態中，配向狀態之固定係藉由將如上所述配向之液晶化合物冷卻而進行。於液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體之情形時，配向狀態之固定係藉由對如上所述配向之液晶化合物實施聚合處理或交聯處理而進行。

液晶化合物之具體例及配向固化層之形成方法之詳情記載於日本專利特開2006-163343號公報中。該公報之記載作為參考而引用至本說明書中。

於一實施形態中，如圖3所示，配向固化層可具有第1配向固化層21與第2配向固化層22之積層構造。於該情形時，第1配向固化層21及第2配向固化層22中之任一者可發揮作為λ/4板之功能，另一者可發揮作為λ/2板之功能。因此，第1配向固化層21及第2配向固化層22之厚度可以獲得λ/4板或λ/2板之所期望之面內相位差之方式進行調整。例如，於第1配向固化層21發揮作為λ/4板之功能且第2配向固化層22發揮作為λ/2板之功能之情形時，第1配向固化層21之厚度例如為1μm~1.3μm，第2配向固化層22之厚度例如為1.9μm~2.1μm。第1配向固化層21及第2配向固化層22可積層以各自之遲相軸形成例如50°~ 70°、較佳為約60°之角度之方式進行積層。若為此種構成，則能夠獲得接近理想逆波長分散特性之特性，其結果可實現非常優異之抗反射特性。

D.接著層

D-1.第1接著層及第2接著層

第1接著層及第2接著層只要分別平均線膨脹係數滿足上述A項中記載之關係，則可由任意適當之接著劑或黏著劑構成。

接著劑較佳為具有透明性及光學各向同性。作為接著劑之形態，可採用任意適當者。作為具體例，可列舉水性接著劑、溶劑型接著劑、乳液系接著劑、無溶劑型接著劑、活性能量射線硬化型接著劑、熱硬化型接著劑。作為活性能量射線硬化型接著劑，可列舉電子束硬化型接著劑、紫外線硬化型接著劑、可見光線硬化型接著劑。可較佳地使用水性接著劑及活性能量射線硬化型接著劑。

作為水性接著劑之具體例，可列舉異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯基系乳膠系、水系聚胺基甲酸酯、水系聚酯。較佳為聚乙烯醇或改性聚乙烯醇等聚乙烯醇系接著劑，進而較佳為以具有乙醯乙醯基之聚乙烯醇作為主成分之接著劑。此種接著劑有市售，作為市售品之具體例，可列舉日本合成化學股份有限公司製造之(商品名「Gohsefimer Z」)。

活性能量射線硬化型接著劑之具體例可列舉(甲基)丙烯酸酯系接著劑。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸酯系接著劑中之硬化性成分，例如可列舉具有(甲基)丙烯醯基之化合物、具有乙烯基之化合物。作為較佳之具有(甲基)丙烯醯基之化合物，可列舉由下述式(1)表示之N-取代醯胺系單體。

CH₂=C(R¹)-CONH_2-m-(X-O-R²)_m (1)

此處，R¹表示氫原子或甲基，X表示-CH₂-基或-CH₂CH₂-基，R² 表示-(CH₂)_n-H基(其中，n為0、1或2)，m表示1或2。

上述(甲基)丙烯酸酯系接著劑可進而含有具有2個以上碳-碳雙鍵之單體、較佳為多官能(甲基)丙烯酸酯系單體作為硬化性成分。更佳為具有2個以上碳-碳雙鍵之單體為疏水性。又，上述(甲基)丙烯酸酯系接著劑可含有具有各種芳香環及羥基之單官能之(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯等作為硬化性成分。

上述(甲基)丙烯酸酯系接著劑亦可含有任意適當之共聚合成分。

關於上述水性接著劑及活性能量射線硬化型接著劑之詳情，例如記載於日本專利特開2011-81539號公報之[0057]-[0089]中。該公報之記載作為參考而引用至本說明書中。

作為活性能量射線硬化型接著劑之另一具體例可列舉以環氧化合物及光酸產生劑作為主體之光陽離子型硬化性接著劑。作為可使用之環氧化合物，例如可列舉日本專利特開2010-145537之[0031]-[0085]中記載之化合物。又，作為光酸產生劑，例如可列舉日本專利特開2009-013316之[0080]-[0095]中記載之化合物。該等公報之記載係作為參考而引用至本說明書中。

黏著劑含有任意適當之黏著性聚合物。作為黏著性聚合物，就容易獲得黏著性能之平衡之觀點而言，較佳為Tg為0℃以下(通常-100℃以上)之聚合物。此種聚合物中，可較佳地使用聚酯系聚合物、(甲基)丙烯酸系聚合物。

作為聚酯系聚合物，代表性地可使用多元醇與多元羧酸之飽和聚酯或共聚酯。作為多元醇，例如可列舉乙二醇、丙二醇、六亞甲基二醇、新戊二醇、1,2-環己烷二甲醇、1,4-環己烷二甲醇、十亞甲基二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷、雙(4-羥基苯基)碸等二醇。作為多元羧酸，例如可列舉：對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2,5-萘二羧酸、2,6-萘 二羧酸、1,4-萘二羧酸、1,5-萘二羧酸、二苯基羧酸、二苯氧基乙烷二羧酸、二苯基碸羧酸、蒽二羧酸等芳香族二羧酸；1,3-環戊烷二羧酸、1,3-環己烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸、六氫對苯二甲酸、六氫間苯二甲酸等脂環族二羧酸；丙二酸、二甲基丙二酸、琥珀酸、3,3-二乙基琥珀酸、戊二酸、2,2-二甲基戊二酸、己二酸、2-甲基己二酸、三甲基己二酸、庚二酸、壬二酸、二聚酸、癸二酸、辛二酸、十二烷二羧酸等脂肪族二羧酸。作為多元羧酸，多數情況下使用兩種以上多元羧酸，例如將芳香族二羧酸與脂肪族二羧酸併用。

(甲基)丙烯酸系聚合物通常含有作為主成分之(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體單元。作為構成(甲基)丙烯酸系聚合物之主骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯，可例示直鏈狀或支鏈狀之烷基之碳數1~18者。該等可單獨使用或組合使用。該等烷基之平均碳數較佳為3~9。又，可使用如(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苄酯之含有芳香族環之(甲基)丙烯酸烷基酯。含有芳香族環之(甲基)丙烯酸烷基酯可將使其聚合而成之聚合物混合於上述例示之(甲基)丙烯酸系聚合物而使用，亦可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚合而使用。就透明性之觀點而言，較佳為共聚合。

以改善接著性或耐熱性為目的，上述(甲基)丙烯酸系聚合物中亦可藉由共聚合導入具有聚合性官能基(例如，(甲基)丙烯醯基或乙烯基等不飽和雙鍵)之1種以上之共聚合單體。

上述(甲基)丙烯酸系聚合物中亦可藉由共聚合導入上述共聚合單體以外之任意適當之共聚合單體。此種共聚合單體之種類、數量、共聚合比等可根據目的而適當設定。

(甲基)丙烯酸系聚合物可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物中之任一種。

黏著劑中可含有交聯劑。作為交聯劑，可使用有機系交聯劑或 多官能性金屬螯合物。作為有機系交聯劑，可列舉異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑、環氧系交聯劑、亞胺系交聯劑等。多官能性金屬螯合物係多價金屬與有機化合物共價鍵結或配位鍵結者。作為多價金屬原子，可列舉Al、Cr、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Sr、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。作為共價鍵結或配位鍵結之有機化合物中之原子，可列舉氧原子，作為有機化合物，可列舉：烷基酯、醇化合物、羧酸化合物、醚化合物、酮化合物等。作為交聯劑，較佳為異氰酸酯系交聯劑及過氧化物型交聯劑。

作為異氰酸酯系交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、氯苯二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、經氫化之二苯基甲烷二異氰酸酯等異氰酸酯單體，及使該等異氰酸酯單體與三羥甲基丙烷等加成而成之異氰酸酯化合物或異氰脲酸酯化物、縮二脲型化合物，進而與聚醚多元醇或聚酯多元醇、丙烯酸系多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等進行加成反應而成之胺基甲酸酯預聚物型異氰酸酯。

作為過氧化物型交聯劑，只要為藉由加熱或光照射產生自由基活性種而使黏著劑之基礎聚合物進行交聯者，則可使用任意適當者。若考慮作業性及穩定性，則過氧化物型交聯劑之一分鐘半衰期溫度較佳為80℃~160℃，更佳為90℃~140℃。作為可用作交聯劑之過氧化物之具體例，可列舉：過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯(一分鐘半衰期溫度：90.6℃)、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯(一分鐘半衰期溫度：92.1℃)、過氧化二碳酸二第二丁酯(一分鐘半衰期溫度：92.4℃)、過氧化新癸酸第三丁酯(一分鐘半衰期溫度：103.5℃)、過氧化新戊酸第三己酯(一分鐘半衰期溫度：109.1℃)、過氧化新戊酸第三丁酯(一分鐘半衰期溫度：110.3℃)、過氧化二月桂醯(一分鐘半衰期溫度：116.4℃)、過氧化二正辛醯(一分鐘半衰期溫度：117.4℃)、過氧 化-2-乙基己酸1,1,3,3-四甲基丁酯(一分鐘半衰期溫度：124.3℃)、過氧化二(4-甲基苯甲醯)(一分鐘半衰期溫度：128.2℃)、過氧化二苯甲醯(一分鐘半衰期溫度：130.0℃)，過氧化異丁酸第三丁酯(一分鐘半衰期溫度：136.1℃)、1,1-二(第三己基過氧化)環己烷(一分鐘半衰期溫度：149.2℃)。

黏著劑中可調配矽烷偶合劑作為添加劑。作為矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等具有環氧結構之矽化合物；3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等含有胺基之矽化合物；3-氯丙基三甲氧基矽烷；含有乙醯乙醯基之三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等含有(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑；3-異氰酸丙酯基三乙氧基矽烷等具有異氰酸酯基之矽烷偶合劑。

關於黏著劑之詳情，例如記載於日本專利特開2012-247517號公報之[0023]-[0080]中。該公報之記載係作為參考而引用至本說明書中。

藉由調整接著劑及黏著劑之單體成分之種類、數量、共聚合比、交聯劑之種類、添加劑之種類、數量、調配量等，可獲得具有所期望之線膨脹係數之接著劑及黏著劑。因此，可形成具有所期望之線膨脹係數之關係之第1接著層及第2接著層。

第1接著層30之厚度較佳為0.05μm~30μm，更佳為0.5μm~20μm。第2接著層40之厚度較佳為10μm~30μm，更佳為12μm~20μm。

D-2.其他接著層

構成本發明之附相位差層之偏光板之各層之積層所使用之其他 接著層(未圖示)可包含任意適當之接著劑或黏著劑。較佳為其他接著層之平均線膨脹係數小於第2接著層之平均線膨脹係數。

E.第2相位差層

第2相位差層50可根據目的而具有任意適當之光學特性。於一實施形態中，第2相位差層可為折射率特性顯示nz>nx=ny之關係之所謂之正C板。藉由將正C板用作第2相位差層，可良好地防止斜向之反射，能夠實現抗反射功能之廣視野角化。於該情形時，第2相位差層之厚度方向之相位差Rth(550)較佳為-50nm~-300nm，更佳為-70nm~-250nm，進而較佳為-90nm~-200nm，尤佳為-100nm~-180nm。此處，「nx=ny」不僅包括nx與ny嚴格相等之情況，而且包括nx與ny實質上相等之情況。即，第2相位差層之面內相位差Re(550)可未達10nm。

具有nz>nx=ny之折射率特性之第2相位差層可由任意適當之材料形成。第2相位差層較佳為包含含有固定為垂直配向之液晶材料之膜。可垂直配向之液晶材料(液晶化合物)可為液晶單體，亦可為液晶聚合物。作為該液晶化合物及該相位差層之形成方法之具體例，可列舉日本專利特開2002-333642號公報之[0020]~[0028]中記載之液晶化合物及該相位差層之形成方法。於該情形時，第2相位差層之厚度較佳為0.5μm~10μm，更佳為0.5μm~8μm，進而較佳為0.5μm~5μm。

F.導電層或附導電層之各向同性基材

導電層可藉由任意適當之成膜方法(例如，真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法、離子鍍覆法、噴霧法)於任意適當之基材上成膜金屬氧化物膜而形成。作為金屬氧化物，例如可列舉：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物。其中， 較佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。

於導電層含有金屬氧化物之情形時，該導電層之厚度較佳為50nm以下，更佳為35nm以下。導電層之厚度之下限較佳為10nm。

導電層可自上述基材轉印至第1相位差層(或者，於存在之情形時為第2相位差層)而以導電層單獨作為附相位差層之偏光板之構成層，亦可作為與基材之積層體(附導電層之基材)積層於第1相位差層(或者，於存在之情形時為第2相位差層)。較佳為上述基材為光學各向同性，因此導電層可作為附導電層之各向同性基材而用於附相位差層之偏光板。

作為光學各向同性之基材(各向同性基材)，可採用任意適當之各向同性基材。作為構成各向同性基材之材料，例如可列舉以降

烯系樹脂或烯烴系樹脂等不具有共軛系之樹脂作為主骨架之材料、於丙烯酸系樹脂之主鏈中具有內酯環或戊二醯亞胺環等環狀構造之材料等。若使用此種材料，則於形成各向同性基材時，可將伴隨分子鏈之配向之相位差之表現抑制得較小。各向同性基材之厚度較佳為50μm以下，更佳為35μm以下。各向同性基材之厚度之下限為例如20μm。

上述導電層及/或上述附導電層之各向同性基材之導電層可視需要進行圖案化。藉由圖案化，可形成導電部及絕緣部。其結果，可形成電極。電極可發揮感知與觸控面板之接觸之觸控感測器電極之功能。作為圖案化方法，可採用任意適當之方法。作為圖案化方法之具體例，可列舉濕式蝕刻法、網版印刷法。

G.其他

本發明之實施形態之附相位差層之偏光板亦可進而包括其他相位差層。其他相位差層之光學特性(例如，折射率特性、面內相位差、Nz係數、光彈性係數)、厚度、配置位置等可根據目的而適當設定。

於實際應用中，較佳為於第2接著層40之表面貼合有剝離膜，直至使用附相位差層之偏光板。

H.圖像顯示裝置

上述A項至G項中記載之附相位差層之偏光板可應用於圖像顯示裝置。因此，本發明包含使用此種附相位差層之偏光板之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可列舉液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置。本發明之實施形態之圖像顯示裝置於其視認側具備上述A項至G項中記載之附相位差層之偏光板。附相位差層之偏光板係以相位差層成為顯示單元(例如，液晶單元、有機EL單元)側之方式(以偏光元件成為視認側之方式)進行積層。

[實施例]

以下，藉由實施例具體地說明本發明，但本發明並不受該等實施例之限定。再者，各特性之測定方法如下所述。

(1)厚度

對於塗佈形成之相位差層(液晶化合物之配向固化層)，使用大塚電子製造之MCPD2000藉由干涉膜厚測定法進行測定。對於其他膜，使用數位測微計(Anritsu公司製造之KC-351C)進行測定。

(2)平均線膨脹係數

使用SII NanoTechnology製造之TMA(SS7100)，將實施例及比較例中使用之各接著層形成用溶液以成為約100μm之膜，將該膜切成約6mm見方並設置於試樣台上，依據JIS K 7197進行TMA(壓縮膨脹法)測定。於測定負荷為19.6mN，探針直徑為3.5mm

，升溫速度為5℃/min之條件下，於-150℃至20℃之範圍內，根據所獲得之尺寸變化之資料算出該範圍內之平均線膨脹係數。

(3)相位差層之相位差值

藉由自動雙折射測定裝置(王子計測機器股份有限公司製造，自 動雙折射計KOBRA-WPR)測定實施例及比較例中所使用之相位差層之折射率nx、ny及nz。面內相位差Re之測定波長為450nm及550nm，厚度方向相位差Rth之測定波長為550nm，測定溫度為23℃。

(4)重新加工性

將三星無線公司製造之智慧型手機(Galaxy-S5)拆卸並取出有機EL面板。繼而，將實施例及比較例中獲得之附相位差層之偏光板以與該面板之尺寸匹配之方式切割並貼合。將貼合有附相位差層之偏光板之面板於液態氮中浸漬30秒，然後取出，並確認附相位差層之偏光板是否剝離。對於各實施例及比較例，分別製作20片貼合有附相位差層之偏光板之面板並進行評價。按照以下之基準進行評價。

良好：對於全部20個面板，附相位差層之偏光板均良好地剝離。

不良：存在對於至少一個面板無法剝離之附相位差層之偏光板。

[參考例1：偏光板之製作]

將厚度30μm之聚乙烯醇(PVA)系樹脂膜(Kuraray製造，製品名「PE3000」)之長條輥藉由輥延伸機以於長度方向上成為5.9倍之方式於長度方向上單軸延伸，並且同時實施澎潤、染色、交聯、洗淨處理，最後實施乾燥處理，藉此製作厚度12μm之偏光元件1。

具體而言，澎潤處理係一面利用20℃之純水進行處理，一面延伸至2.2倍。繼而，染色處理係以所獲得之偏光元件之單體透過率成為45.0%之方式一面於碘濃度經調整之碘與碘化鉀之重量比為1：7之30℃之水溶液中進行處理，一面延伸至1.4倍。進而，交聯處理係採用兩階段之交聯處理，第1階段之交聯處理係一面於40℃之溶解有硼酸及碘化鉀之水溶液中進行處理，一面延伸至1.2倍。第1階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量為5.0重量%，碘化鉀含量係設為3.0重量%。 第2階段交聯處理係一面於65℃之溶解有硼酸及碘化鉀之水溶液中進行處理，一面延伸至1.6倍。第2階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量為4.3重量%，碘化鉀含量係設為5.0重量%。又，洗淨處理係於20℃之碘化鉀水溶液中進行處理。洗淨處理之水溶液之碘化鉀含量係設為2.6重量%。最後，乾燥處理係於70℃下乾燥5分鐘而獲得偏光元件1。

於所獲得之偏光元件1之兩面，經由聚乙烯醇系接著劑，分別貼合Konica Minolta股份有限公司製造之TAC膜(製品名：KC2UA，厚度：25μm，對應於第2保護層)及於該TAC膜之單面具有藉由硬塗處理形成之硬塗層(HC)之HC-TAC膜(厚度：32μm，對應於第1保護層)，從而獲得具有第1保護層/偏光元件1/第2保護層之構成之偏光板1。

[參考例2：構成相位差層之相位差膜之製作]

2-1.聚碳酸酯樹脂膜之製備

將異山梨酯(ISB)26.2質量份、9,9-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀(BHEPF)100.5質量份、1,4-環己烷二甲醇(1,4-CHDM)10.7質量份、碳酸二苯酯(DPC)105.1質量份、及作為觸媒之碳酸銫(0.2質量%水溶液)0.591質量份分別投入至反應容器中，於氮氣環境下，作為反應之第1步驟，將反應容器之熱媒溫度設為150℃，並且視需要一面進行攪拌一面將原料溶解(約15分鐘)。

繼而，將反應容器內之壓力自常壓改變為13.3kPa，一面使反應容器之熱媒溫度以1小時上升至190℃，一面將所產生之苯酚排出至反應容器外。

將反應容器內溫度以190℃保持15分鐘，其後，作為第2步驟，將反應容器內之壓力設為6.67kPa，使反應容器之熱媒溫度以15分鐘上升至230℃，將所產生之苯酚排出至反應容器外。由於攪拌機之攪拌扭矩不斷上升，故而以8分鐘升溫至250℃，進而為了去除產生之苯酚，將反應容器內之壓力減壓至0.200kPa以下。於達到特定攪拌扭矩 後，終止反應，將產生之反應物擠出至水中，然後進行造粒，從而獲得BHEPF/ISB/1,4-CHDM=47.4mol%/37.1mol%/15.5mol%之聚碳酸酯樹脂。

所獲得之聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度為136.6℃，比濃黏度為0.395dL/g。

將所獲得之聚碳酸酯樹脂於80℃下真空乾燥5小時，然後使用具備單軸擠出機(五十鈴化工機公司製造，螺桿直徑25mm，料缸設定溫度：220℃)，T-模頭(寬度：200mm，設定溫度：220℃)，急冷輥(設定溫度：120℃~130℃)及捲取機之膜製膜裝置製作厚度120μm之聚碳酸酯樹脂膜。

2-2. 相位差膜之製作

使用拉幅延伸機將所獲得之聚碳酸酯樹脂膜橫向延伸而獲得厚度50μm之相位差膜。此時，延伸倍率為250%，並且延伸溫度設為137℃~139℃。

所獲得之相位差膜之Re(550)為137nm~147nm，Re(450)/Re(550)為0.89，Nz係數為1.21，配向角(遲相軸之方向)相對於長度方向為90°。將該相位差膜用作相位差層1。

[參考例3：構成相位差層之液晶配向固化層之製作]

將顯示向列液晶相之聚合性液晶(BASF公司製造：商品名「Paliocolor LC242」，以下述式表示)10g及針對該聚合性液晶化合物之光聚合起始劑(BASF公司製造：商品名「IRGACURE 907」)3g溶解於甲苯40g中而製備液晶組合物(塗敷液)。

使用摩擦布對聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度：38μm)之表面進行摩擦而實施配向處理。於如下配向處理之條件下進行：摩擦次數(摩擦輥個數)為1，摩擦輥之半徑r為76.89mm，摩擦輥之轉數nr為1500rpm，膜搬送速度v為83mm/sec，摩擦強度RS及壓入量M為如表1中所示之五種條件(a)~(e)。

配向處理之方向係設為於貼合於偏光板時自視認側觀察相對於偏光元件之吸收軸方向為-75°之方向。將上述液晶塗敷液藉由棒式塗佈機塗敷於該配向處理表面上，於90℃下加熱乾燥2分鐘，藉此使液晶化合物配向。於條件(a)~(c)下，液晶化合物之配向狀態非常良好。於條件(d)及(e)下，液晶化合物之配向中產生輕微紊亂，但為實際應用中無問題之級別。對如此形成之液晶層，使用金屬鹵化物燈照射1mJ/cm²之光而使該液晶層硬化，藉此於PET膜上形成相位差層(液晶配向固化層)2。相位差層2之厚度為2μm，面內相位差Re(550)為270nm。進而，相位差層2具有nx>ny=nz之折射率分佈。

[參考例4：構成相位差層之液晶配向固化層之製作]

使用摩擦布對聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度38μm)之表面進行摩擦而實施配向處理。配向處理之方向係設為於貼合於偏光板時自視認側觀察相對於偏光元件之吸收軸方向為-15°之方向。將與參考例3相同之液晶塗敷液塗敷於該配向處理表面上，以與參考例3相同之方式使液晶化合物配向及硬化，於PET膜上形成相位差層3。相位差層3 之厚度為1.2μm，面內相位差Re(550)為140nm。進而，相位差層3具有nx>ny=nz之折射率分佈。

[參考例5：接著層之製作]

向具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，將丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥基丁酯1.0份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一起加入。使反應容器中之混合物於氮氣流下於60℃下反應4小時，然後向該反應液中加入乙酸乙酯，從而獲得含有重量平均分子量165萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固形物成分濃度30%)。調配相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分每100份為0.15份之過氧化二苯甲醯(日本油脂股份有限公司製造：NYPER BO-Y)、0.1份之三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯(三井武田化學股份有限公司：TAKENATE D110N)、及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造：A-100，含乙醯乙醯基之矽烷偶合劑)而獲得接著層形成用溶液。將上述接著層形成用溶液塗敷於包含經聚矽氧系剝離劑進行了表面處理之聚酯膜之隔離膜，於155℃下進行加熱處理3分鐘而獲得厚度15μm之接著層A。

[參考例6：接著層之製作]

向具備攪拌翼、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之四口燒瓶中添加含有丙烯酸丁酯99份及丙烯酸4-羥基丁酯1份之單體混合物。進而，相對於該單體混合物(固形物成分)100份，將作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1份與乙酸乙酯一起加入，一面緩慢攪拌一面導入氮氣而進行氮氣置換，其後將燒瓶內之液溫保持為60℃附近而進行聚合反應7小時。其後，向所獲得之反應溶液中加入乙酸乙酯而製備重量平均分子量140萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固形物成分濃度30%)。相對於所獲得之丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分100份，調配三甲基丙基銨雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺(東京化成工業製造)0.2份， 進而調配三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯(三井化學公司製造：TAKENATE D110N)0.1份、過氧化二苯甲醯0.3份、及γ-縮水甘油氧基丙基甲氧基矽烷(信越化學工業公司製造：KBM-403)0.075份而製備接著層形成用溶液。繼而，將該接著層形成用溶液利用噴注式塗佈機均勻塗敷於經聚矽氧系剝離劑進行了處理之聚對苯二甲酸乙二酯膜(隔離膜)之表面上，並且於155℃之空氣循環式恆溫烘箱中乾燥2分鐘，於隔離膜之表面形成厚度15μm之接著層B。

[參考例7：接著層之製作]

向具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中，將丙烯酸丁酯94.9份、丙烯酸5份、丙烯酸2-羥基乙酯0.1份、及相對於該等單體(固形物成分)100份為0.3份之過氧化苯甲醯與乙酸乙酯一起加入。使反應容器中之混合物於氮氣流下於60℃下反應7小時，然後向該反應溶液中加入乙酸乙酯，而獲得含有重量平均分子量220萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固形物成分濃度30重量%)。調配相對於上述丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分每100份為0.6份之三羥甲基丙烷甲苯二異氰酸酯(日本聚氨酯股份有限公司製造：CORONATE L)及0.075份之γ-縮水甘油氧基丙基甲氧基矽烷(信越化學工業股份有限公司製造：KBM-403)而獲得接著層形成用溶液。將上述接著層形成用溶液塗敷於包含經聚矽氧系剝離劑進行了表面處理之聚酯膜之隔離膜上，於155℃下進行加熱處理3分鐘，而獲得厚度15μm之接著層C。

[參考例8：構成接著層之接著劑之製作]

將作為單官能自由基聚合性化合物之羥基乙基丙烯醯胺(Kohjin公司製造，logP=-0.56，均聚物之Tg=123℃)10份及(甲基)丙烯酸四氫糠酯(日立化成公司製造，logP=1.13，均聚物之Tg=45℃)10份、作為單官能自由基聚合性化合物之三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(共榮 社化學公司製造，「LIGHT ACRYLATE DCP-A」，logP=3.05，均聚物之Tg=134℃)80份、及作為自由基聚合起始劑之IRGACURE 907 3份及KAYACURE DETX-S 3份混合，並且於50℃下攪拌1小時，獲得活性能量射線硬化型接著劑(形成接著層D之接著劑)。

[實施例1]

將偏光板1之第2保護層表面與相位差層1以使偏光元件之吸收軸與相位差層之遲相軸所成之角度成為45°之方式經由接著層B貼合，獲得附相位差層之偏光板。將接著層A作為最外層貼合於所獲得之附相位差層之偏光板1之相位差層面，製成附相位差層之偏光板1。將所獲得之附相位差層之偏光板1根據上述(4)供於重新加工性之評價。其結果，對於所製作之20個面板，附相位差層之偏光板1良好地剝離。將結果示於表2中。

[實施例2]

偏光板1與相位差層1之貼合使用接著層C，並且使用接著層B作為最外層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得附相位差層之偏光板2。對所獲得之附相位差層之偏光板2根據上述(4)供於重新加工性評價。將結果示於表2中。

[比較例1]

偏光板1與相位差層1之貼合使用接著層B，並且使用接著層C作為最外層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得附相位差層之偏光板3。對所獲得之附相位差層之偏光板3根據上述(4)供於重新加工性評價。將結果示於表2中。

[比較例2]

將環烯烴系相位差膜A(Kaneka公司製造，製品名「KUZ-Film #270」，厚度33μm，Re(550)=270nm，Re(450)/Re(550)=1.00，Nz係數=1.00)與環烯烴系相位差膜B(Kaneka公司製造，製品名「KUZ- Film #140」，厚度28μm，Re(550)=140nm，Re(450)/Re(550)=1.00，Nz係數=1.00)以各自之遲相軸所成之角度成為60°之方式經由厚度為5μm之丙烯酸系接著層進行貼合，從而製備相位差層4。

將偏光板1之第2保護層面與相位差層4以偏光元件之吸收軸與相位差膜A之遲相軸所成之角度成為15°，並且偏光元件之吸收軸與相位差膜B之遲相軸所成之角度成為75°之方式經由接著層B貼合，獲得附相位差層之偏光板。將接著層C作為最外層貼合於所獲得之附相位差層之偏光板1之相位差層面上，製成附相位差層之偏光板4。對所獲得之附相位差層之偏光板4根據上述(4)進行重新加工性之評價。將結果示於表2中。

[實施例3]

將偏光板1之第2保護層面與相位差層2經由參考例8中獲得之活性能量射線硬化型接著劑(接著層D)貼合，並且使用相位差層2及相位差層3之兩層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得附相位差層之偏光板5。具體而言如下所述：將活性能量射線硬化型接著劑以硬化後之厚度成為1.0μm左右之方式塗敷於PET膜/相位差層2之積層體之相位差層2上，然後使用輥貼合機與偏光板1貼合。其後，使用IR加熱器自相位差層2側加熱至50℃，並且自相位差層2側照射作為活性能量射線之可見光線(封入有鎵之金屬鹵化物燈)而使接著劑硬化。其結果，偏光元件之吸收軸與相位差層2之遲相軸所成之角度成為15°。再者，使用Fusion UV Systems，Inc公司製造之「Light Hammer 10」作為活性能量射線照射裝置，並且使用V燈泡作為燈泡。峰照度為1600mW/cm²，並且累計照射量為1000mJ/cm²(波長：380nm~440nm)。可見光線之照度使用Solatell公司製造之Sola-Check System進行測定。繼而，剝離PET膜，並且以與相位差層2相同之方式將相位差層3貼合於該剝離面上。其結果，偏光元件之吸收軸與相位差層3之遲相軸所 成之角度成為75°。進而，將形成有相位差層3之PET膜剝離而獲得具有偏光板/相位差層2/相位差層3之構成之附相位差層之偏光板。將接著層A作為最外層貼合於所獲得之附相位差層之偏光板之相位差層3面上，製成附相位差層之偏光板5。

將所得之附相位差層之偏光板5根據上述(4)進行重新加工性評價。將結果示於表2中。

[比較例3]

偏光板1與相位差層1之貼合使用接著層A，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得附相位差層之偏光板6。將所獲得之附相位差層之偏光板6依據上述(4)進行重新加工性評價。將結果示於表2中。

<評價>

根據表2可明確，本發明之實施例之附相位差層之偏光板於使用液態氮之低溫下重新加工性優異。再者，關於比較例1之附相位差層之偏光板，若欲用手工剝離無法於低溫下進行重新加工之膜(未自顯示單元剝離而殘留之相位差層)，膜破裂而無法進行重新加工。另一 方面，比較例2之附相位差層之偏光板能夠用手工剝離，而不會使無法於低溫下進行重新加工之膜破裂。

[產業上之可利用性]

本發明之附相位差層之偏光板可較佳地用於如液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置之圖像顯示裝置。

10‧‧‧偏光板

11‧‧‧偏光元件

12‧‧‧第1保護層

13‧‧‧第2保護層

20‧‧‧相位差層

30‧‧‧第1接著層

40‧‧‧第2接著層

100‧‧‧附相位差層之偏光板

Claims (8)

1. 一種附相位差層之偏光板，其包括：偏光板，其包含偏光元件及於該偏光元件之至少一側上之保護層；相位差層；第1接著層，其將該偏光板與該相位差層接著；及第2接著層，其設置為該相位差層之與該偏光板為相反側之最外層，且使周圍溫度自-150℃至20℃變化時之該第2接著層之平均線膨脹係數為38.0(×10^-5/℃)以上，並且大於使周圍溫度自-150℃至20℃變化時之該第1接著層之平均線膨脹係數。
2. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中除上述第2接著層以外之各層之合計厚度為140μm以下。
3. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述相位差層包含聚碳酸酯系樹脂膜。
4. 如請求項3之附相位差層之偏光板，其於上述相位差層之外側進而具有另一相位差層。
5. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其中上述相位差層為液晶化合物之配向固化層。
6. 如請求項5之附相位差層之偏光板，其中上述相位差層具有第1液晶化合物之配向固化層及第2液晶化合物之配向固化層之積層構造。
7. 如請求項1之附相位差層之偏光板，其於上述相位差層之外側進而具有導電層或附導電層之各向同性基材。
8. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1之附相位差層之偏光板。