TWI613004B - 冷卻劑再生裝置及冷卻劑再生方法 - Google Patents

Abstract

冷卻劑再生裝置1具備：第1槽部11A，積存含沈澱物S2的處理對象液，於處理對象液內形成有沈澱物S2多的區域與沈澱物S2少的區域；第2槽部11B，供第1槽部11A中的沈澱物S2少的區域之處理對象液流入；及膜分離單元13，從自第2槽部11B流入的處理對象液將膜過濾液分離。

Description

冷卻劑再生裝置及冷卻劑再生方法

本發明係有關一種冷卻劑再生裝置及冷卻劑再生方法，用以進行再生處理俾讓使用過的冷卻劑得以再利用。

例如在製造半導體元件、太陽電池元件等之製品的過程中，進行將塊狀的矽錠(矽材料)切斷成預先規定的尺寸之切割工程。在此切割工程中，在例如利用線鋸切斷裝置切斷矽錠時，使用矽冷卻劑。在切割工程被使用後之使用過的冷卻劑中含有矽切屑。使用過的冷卻劑係使用冷卻劑再生裝置被再生成能再利用的狀態(例如專利文獻1)。

冷卻劑再生裝置備有膜分離單元。積存於處理槽之使用過的冷卻劑係被供應到膜分離單元，於膜分離單元中被分離成作為再生冷卻劑之膜過濾液、及含有無法通過中空絲膜等之膜的矽切屑之濃縮液。

又，冷卻劑再生裝置亦可備有離心分離機。被積存於處理槽之使用過的冷卻劑被供應至離心分離機，於離心分離機中被分離成離心分離液與沈澱物。被分離之離心分離液係再度返回處理槽，沈澱物從離心分離機被排出。又，冷卻劑再生裝置係例如亦可具備濾壓 機以取代離心分離機。

然而，基於提高冷卻劑之回收效率的觀點，於膜分離單元被分離之濃縮液、自離心分離機排出之排放液等之液係以返回處理槽較佳。然而，於此等液中，有時含有成塊(lump)的沈澱物。當那樣的沈澱物返回處理槽時，成塊的含沈澱物的處理對象液從處理槽被供應至膜分離單元，成為在膜分離單元引發膜堵塞之原因。

[先行技術文獻] [專利文獻]

【專利文獻1】特開2013-66994號公報

本發明之目的為，抑制用以對使用過的冷卻劑進行再生處理之冷卻劑再生裝置的膜分離單元中引發膜堵塞之情形。

本發明之冷卻劑再生裝置係具備：第1槽部，積存含沈澱物的處理對象液，於前述處理對象液內形成有前述沈澱物多的區域與前述沈澱物少的區域；第2槽部，供前述第1槽部中的前述沈澱物少的區域之處理對象液流入；及膜分離單元，從自前述第2槽部流入的前述處理對象液將膜過濾液分離。

1‧‧‧冷卻劑再生裝置

4‧‧‧控制部

10‧‧‧原液槽

11‧‧‧處理槽

11A‧‧‧第1槽部

11B‧‧‧第2槽部

12‧‧‧離心分離機

13‧‧‧膜分離單元

13a、13b‧‧‧配管連接部

13c‧‧‧濾液用開口

13p‧‧‧配管

13v‧‧‧閥

14‧‧‧過濾液槽

15‧‧‧再生液槽

21‧‧‧粗濾器

22‧‧‧沈澱物微粒化機構

23‧‧‧攪拌機構

90~100‧‧‧配管

111‧‧‧槽

A‧‧‧貫通孔

L‧‧‧下部區域

H‧‧‧上部區域

M‧‧‧中部區域

S‧‧‧冷卻劑

S2‧‧‧沈澱物

S1‧‧‧膜過濾液

P1~P5‧‧‧幫浦

[圖1]係顯示本發明之一實施形態的冷卻劑再生裝置之概略圖。

[圖2]係顯示前述實施形態的冷卻劑再生裝置之處理槽的概略圖。

[圖3]係顯示處理槽的變形例1之概略圖。

[圖4]係顯示處理槽的變形例2之概略圖。

[圖5]係顯示處理槽的變形例3之概略圖。

[圖6]係顯示處理槽的變形例4之概略圖。

[圖7]係顯示參考例的冷卻劑再生裝置之概略圖。

以下，針對本發明之實施形態的冷卻劑再生裝置1，一邊參照圖面一邊做詳細說明。

圖1係顯示本發明之一實施形態的冷卻劑再生裝置1的概略構成圖。例如，冷卻劑再生裝置1係為使在製品的製程中所使用之使用過的冷卻劑得以再利用而進行再生處理用的裝置。關於使用過的冷卻劑，係可例示含有在切斷矽材料之際發生的矽切屑之使用過的矽冷卻劑，但不受此限。

具體言之，矽冷卻劑係例如被使用在利用線鋸切斷裝置將塊狀的矽錠(矽材料)切斷成預先規定的尺寸的切割工程中。在切割工程所使用之冷卻劑係採用例如含二乙二醇、水、其他添加劑等之液體，但不受此限。在切割工程使用後之使用過的冷卻劑S中含有矽切屑。使用過的冷卻劑S係藉由冷卻劑再生裝置1分離 成被再生成能被再利用的狀態之再生冷卻劑S1與含有矽切屑的沈澱物S2。

如圖1所示，冷卻劑再生裝置1備有原液槽10、處理槽11、離心分離機12、膜分離單元13、過濾液槽14、再生液槽15、及控制部4。又，冷卻劑再生裝置1備有複數個配管90~99及複數個幫浦P1~P4。此外，冷卻劑再生裝置1不受限於圖1所示之具體例，亦可視需要而省略一部份的槽、一部份的配管、一部份的幫浦等。

原液槽10係用以積存經回收之使用過的冷卻劑S之容器。使用過的冷卻劑S經由連接於原液槽10的配管90流入原液槽10。又，被積存於原液槽10內之使用過的冷卻劑S係經由設有幫浦P1的配管91被送到處理槽11(具體言之，處理槽11的第1槽部11A)。

處理槽11係用以積存自原液槽10送來之使用過的冷卻劑S之容器。在本實施形態的冷卻劑再生裝置1中，處理槽11備有第1槽部11A、第2槽部11B。

本實施形態中，第1槽部11A內之處理對象液係混合液，其含有自原液槽10流入之使用過的冷卻劑S、自離心分離機12流入之排放液、及自膜分離單元13流入之濃縮液。亦即，流入第1槽部11A的此等液係均為沈澱物含量高的液，亦即SS(懸浮物；suspended substance)濃度高的液。因此，第1槽部11A內之處理對象液整體的SS濃度高。

又，第2槽部11B內之處理對象液係混合 液，其含有自第1槽部11A流入之處理對象液及自離心分離機12流入之離心分離液。離心分離液係沈澱物含量低的液，亦即SS濃度低的液。又，自第1槽部11A流入之處理對象液乃如同後述係自第1槽部11A中之沈澱物少的區域流入的液。因此，第2槽部11B內之處理對象液整體的SS濃度低。

以處理槽11為中心之液的流動係如下所述。第1槽部11A內之處理對象液係經由設有幫浦P2的配管92被送至離心分離機12。離心分離機12將處理對象液分離成離心分離液與沈澱物。離心分離液係沈澱物的含量經離心分離機12的離心分離處理而被減低之液。

於離心分離機12中經離心分離處理之離心分離液係經由配管93返回第2槽部11B。於離心分離機12中被分離之沈澱物S2係自離心分離機12被排出。又，來自離心分離機12的排放液(drain liquid)經由配管94返回第1槽部11A。排放液係為例如藉由洗淨離心分離機12的內部所產生之液(廢液)。具體言之，離心分離機12的內部係透過例如被積存於處理槽11之處理對象液被供應散布於離心分離機12的內部而被洗淨。因此，排放液係含有較多的成塊(lump)的沈澱物。

第2槽部11B內之處理對象液係經由設有幫浦P3的配管95被送至膜分離單元13。膜分離單元13將處理對象液分離成膜過濾液與濃縮液。膜過濾液係為通過膜分離單元13的膜而除去沈澱物後之液。濃縮液係 為透過膜分離單元13的膜分離處理而被分離出膜過濾液之液(沈澱物含量多的液)，含有矽切屑。濃縮液係含有較多的成塊(lump)的沈澱物S2。

於膜分離單元13中經膜分離處理之膜過濾液係經由配管97被送至過濾液槽14。於膜分離單元13中經膜分離處理之濃縮液係經由配管96返回第1槽部11A。

過濾液槽14係積存在膜分離單元13中經膜分離處理之膜過濾液S1(回收液S1)之容器。自膜分離單元13的濾液用開口13c流出之膜過濾液S1經由配管97被送至過濾液槽14。

再生液槽15係積存自過濾液槽14所運送之膜過濾液S1(回收液S1)之容器。過濾液槽14內的膜過濾液S1係經由設有幫浦P4的配管98被送至再生液槽15。被積存於再生液槽15之膜過濾液S1(回收液S1)係經由配管99被送至下一工程(例如矽錠的切割工程等)而被再利用。

離心分離機12係旋轉體(旋轉鍋)之旋轉軸的方向是朝向上下方向之縱型式樣的裝置(縱型離心分離機)，但不受此所限，亦可為例如旋轉體之旋轉軸的方向是朝下水平方向之橫型式樣的裝置(橫型離心分離機)等。

膜分離單元13係為將處理對象液分離成膜過濾液與濃縮液之交叉流式樣，但不受此限。膜分離單元13雖可採用在例如細長形狀的框體內設有中空絲膜 的構造，但不受此限。膜分離單元13係只要是能從使用過的冷卻劑S除去切屑等即可，亦可為中空絲膜以外的其他分離膜是被設於框體內的構造。

液體經由配管連接部13a、13b進出膜分離單元13。又，於膜分離單元13之框體的側面形成讓框體的內部空間(中空絲膜之外側空間)與框體外部連通之濾液用開口13c。通過中空絲膜被過濾之膜過濾液係過此濾液用開口13c被導出於框體之外部。

藉由使用膜分離單元13可分離成通過中空絲膜的膜過濾液S1與含有無法通過中空絲膜的矽切屑之濃縮液。此外，亦可為利用此濾液用開口13c而能將逆洗用流體導入於膜分離單元13內之構成。於逆洗時將逆洗用流體導入於膜分離單元13內之情況，可使用例如設於配管97之未圖示的幫浦。又，亦可使用於逆洗時用以將逆洗用流體導入於膜分離單元13內之另外設置的未圖示的配管與幫浦。

又，膜分離單元13備有切換送液方向之機構。具體言之，此送液方向切換機構係具備複數個閥13v、連接此等閥13v之配管13p。透過控制部4控制閥13v之開閉動作，可切換在膜分離單元13內流動之液的送液方向。

本實施形態中，在將第2槽部11B之處理對象液送往膜分離單元13之配管95設有1個或複數個除去機構。圖1的實施形態中，作為除去機構是設置粗濾器21與沈澱物微粒化機構22。

粗濾器21具有用以從處理對象液去除固形成分之網狀部。本實施形態中，粗濾器21設在比幫浦P3還上游側。

沈澱物微粒化機構22係用以藉由處理對象液在內部流動之際的衝撞所產生的能量、剪力等而將沈澱物的塊微粒化者。沈澱物微粒化機構22方面，可使用例如吉田機械興業股份有限公司製「除塊器」等。

控制部4係具備未圖示之中央處理單元(CPU)、記憶體等。控制部4係控制冷卻劑再生裝置1的動作。具體言之，控制部4係控制離心分離機12之旋轉體的旋轉動作、複數個幫浦P1~P4的動作等。

其次，針對處理槽11之具體的構造做說明。如圖2所示，本實施形態中，第1槽部11A與第2槽部11B係彼此不同個體的容器。但，第1槽部11A與第2槽部11B亦可為例如圖3及如圖4所示藉由以隔壁W劃分1個容器內而形成。又，本實施形態中，如圖2所示，第1槽部11A及第2槽部11B各自呈圓柱狀，但不受此所限，亦可為例如直方體狀等之其他的形狀。

第1槽部11A中，在處理對象液內形成沈澱物S2多的區域與沈澱物S2少的區域。具體言之，於第1槽部11A之處理對象液內，藉由因沈澱物S2的比重大於液的比重使沈澱物的一部份匯集於下部區域L，而形成沈澱物S2多的區域。圖2係顯示沈澱物S2的一部份沈殿於第1槽部11A的底部之狀態。

在第1槽部11A之處理對象液內，下部區 域L中之沈澱物的含量比上部區域H中之沈澱物的含量還多。又，本實施形態中，下部區域L中之沈澱物的含量係比高度方向的中部區域M中之沈澱物的含量還多，中部區域M中之沈澱物的含量係比上部區域H中之沈澱物的含量還多。此外，圖2中，下部區域L係將第1槽部11A內的從下端部(底面)到上端部(溢流之位置)為止的高度3等分後之區域當中之最下面的區域，上部區域H係如上述般3等分後的區域當中之最上面的區域，中部區域M係下部區域L與上部區域H之間的區域(在後述的圖3所示之變形例1中亦同。)。

第1槽部11A之處理對象液當中的在上部區域H之處理對象液流入第2槽部11B。具體言之，本實施形態中，第2槽部11B係配置在比第1槽部11A還低的位置。而且，自第1槽部11A溢流之處理對象液是流入第2槽部11B。

如圖2所示在第1槽部11A與第2槽部11B是彼此不同個體的容器之情況，可使位在第1槽部11A中之上部區域H的處理對象液例如以下那樣流入第2槽部11B。

例如，第1槽部11A亦可建構成使第1槽部11A的上部區域H之處理對象液自第1槽部11A的側壁之上緣溢流並流出第1槽部11A之外。在此情況，亦可在第1槽部11A的側壁之上緣設有成為處理對象溢流之部位的缺口(例如V字狀缺口)。

又，第1槽部11A亦可建構成在第1槽部 11A中的上部區域H之處理對象液是經由設於第1槽部11A的上壁或側壁之開口並溢流而流出於第1槽部11A之外。

然後，已流出於第1槽部11A之外的處理對象液，係例如自前述側壁的上緣或前述開口經由朝前述第2槽部11B延伸的配管而流入第2槽部11B亦可。又，在自前述側壁的上緣或前述開口溢流之處理對象液流下的位置設有第2槽部11B之情況，亦可省略上述的配管。

如圖2所示，亦可在第2槽部11B內設有攪拌處理對象液之攪拌機構23。

圖3係顯示處理槽11的變形例1之概略圖，圖4係顯示處理槽11的變形例2之概略圖。此等變形例1、2中，處理槽11的第1槽部11A與第2槽部11B係藉由以隔壁W劃分處理槽11內而形成。

變形例1中，自第1槽部11A溢流之處理對象液是流入第2槽部11B。如圖3所示，變形例1中，設在處理槽11內之隔壁W的上緣係設在比處理槽11的側壁之上緣還低的位置(比處理槽11的上壁還低的位置)。藉此，在第1槽部11A中的上部區域H之處理對象液係可於隔壁W的上緣溢流並流入第2槽部11B。

變形例2中，在隔壁W設有1個或複數個貫通孔A，第1槽部11A之處理對象液係經由貫通孔A流入第2槽部11B。變形例2中，貫通孔A係設於上部區域H。

圖5係顯示處理槽11的變形例3之概略圖，圖6係顯示處理槽11的變形例4之概略圖。圖5所示之變形例3中，處理槽11的第1槽部11A與第2槽部11B係彼此不同個體的容器。圖6所示之變形例4中，處理槽11的第1槽部11A與第2槽部11B係藉由以隔壁W劃分處理槽11內而形成。此等變形例3、4中，第1槽部11A之處理對象液當中的在上部區域H之處理對象液是透過設於配管100的幫浦P5流入第2槽部11B。亦即，變形例3、4中，將位在第1槽部11A內之上部區域H的處理對象液藉由幫浦P5抽出並經由配管100流入第2槽部11B。

此外，圖4所示之變形例2及圖6所示之變形例4中，下部區域L係將隔壁W的從下端部到上端部為止的高度3等分後的區域當中之最下面的區域、上部區域H係如上述般地3等分後的區域當中之最上面的區域、中部區域M係下部區域L與上部區域H之間的區域。又，圖5所示之變形例3中，下部區域L係第1槽部11A內的從下端部(底面)到上端部(頂面)為止的高度3等分後的區域當中之最下面的區域，上部區域H係如上述般地3等分後的區域當中之最上面的區域，中部區域M係下部區域L與上部區域H之間的區域。

〔實施形態之彙整〕

本實施形態中，設有第1槽部11A與第2槽部11B，第1槽部11A中之沈澱物S2少的區域之處理對象液流入第2槽部11B，已流入的處理對象液會流入膜分離單 元13。亦即，在此構成中，相較於例如圖7所示之參考例的冷卻劑再生裝置般僅設置1個槽111作為處理槽之情況，可減低流入膜分離單元13的處理對象液所含之沈澱物S2的量。藉此，可抑制用以對使用過的冷卻劑進行再生處理之冷卻劑再生裝置1的膜分離單元13中引發膜堵塞之情形。

此外，亦可依抑制膜分離單元13中的膜堵塞之目的，而考慮例如於膜分離單元13的上游側設置複數個離心分離機之手段。然而，自離心分離機所排出之沈澱物含有較多的冷卻劑。因此，當設置複數個離心分離機時，冷卻劑的回收率會降低。相對地，本實施形態中，係僅設置1個離心分離機12，但係如上述那樣透過設置第1槽部11A與第2槽部11B來抑制在膜分離單元13中之膜堵塞，故相較於設置複數個離心分離機之情況，可抑制冷卻劑的回收率降低之情形。但，在本實施形態中之冷卻劑再生裝置1亦可設有複數個離心分離機12。

本實施形態中，較佳為，在第1槽部11A之處理對象液內，因沈澱物S2的一部份匯集於下部區域L而形成沈澱物S2多的區域。在此構成中，第1槽部11A之處理對象液內之沈澱物S2的一部份沈澱於下方並匯集而形成沈澱物S2多的區域。而且，伴隨地在處理對象液內的高度方向的中央附近或上部形成沈澱物S2少的區域。

而且，在此情況，較佳為，第1槽部11A 之處理對象液當中的在上部區域H之處理對象液是流入第2槽部11B。亦即，於處理對象液內之下部形成沈澱物S2多的區域之情況，在處理對象液內的上部區域之沈澱物S2容易變少。因此，透過使上部區域H之處理對象液流入第2槽部11B，可更有效地減低第2槽部11B內之處理對象液所含之沈澱物S2的量。此外，關於第1槽部11A之處理對象液當中的在上部區域H之處理對象液流入第2槽部11B之形態方面，雖可例示圖2~圖6所示之各種形態，但不受此等所限。

本實施形態中，自第1槽部11A溢流之處理對象液是流入第2槽部11B。亦即，於處理對象液內之下部形成沈澱物S2多的區域之情況，自第1槽部11A溢流之處理對象液所含之沈澱物S2的量係變少。因此，透過使溢流之處理對象液流入第2槽部11B，可更有效地減低第2槽部11B內之處理對象液所含之沈澱物S2的量。

本實施形態中，膜分離單元13係將處理對象液分離成膜過濾液與沈澱物S2的濃縮液，濃縮液係返回第1槽部11A。在此構成中，含有較多沈澱物S2的濃縮液不會返回第2槽部11B而是返回第1槽部11A，故可抑制第2槽部11B所含之沈澱物S2變多之情形。

本實施形態中，當作原液之使用過的冷卻劑係流入第1槽部11A。在此構成中，沈澱物S2含量多的原液不會返回第2槽部11B而是返回第1槽部11A，故可抑制在第2槽部11B所含之沈澱物S2變多之情形。

本實施形態中，冷卻劑再生裝置1備有將處理對象液分離成離心分離液與沈澱物S2之離心分離機12，離心分離液係返回第2槽部11B。在此構成中，使藉由離心分離機12而與沈澱物S2分離之離心分離液，亦即沈澱物S2的量少之離心分離液不經由第1槽部11A而直接回到第2槽部11B。藉此，在冷卻劑再生裝置1之液的循環系中，可減低經由第1槽部11A流入第2槽部11B之處理對象液的量。當可減低經由第1槽部11A流入第2槽部11B之處理對象液的量時，可減低連同沈澱物含量多的第1槽部11A內之處理對象液一起流入第2槽部11B之沈澱物的量。其結果，可抑制第2槽部11B之處理對象液所含之沈澱物S2變多之情形。

本實施形態中，第1槽部11A之處理對象液是流入離心分離機12。在此構成，於離心分離機12中，處理對象液所含之沈澱物S2的量多者的離心分離的效率佳。因此，在此構成中，相較於第2槽部11B之處理對象液流入離心分離機12的情況，可提高在離心分離機12中之離心分離的效率。又，在此構成中，由於第1槽部11A之處理對象液被送至離心分離機12，故可減低從第1槽部11A流入第2槽部11B之處理對象液的量。其結果，可抑制第2槽部11B之處理對象液所含之沈澱物S2變多之情形。

本實施形態中，來自於離心分離機12的排放液係返回第1槽部11A。排放液，係於例如離心分離機12中進行內部之洗淨等之際被排出之廢液，含有較多 的成塊(lump)的沈澱物S2。因此，如同此構成般地藉由使排放液返回第1槽部11A，可抑制在第2槽部11B所含之沈澱物S2變多的情形。

本實施形態中，冷卻劑再生裝置1備有除去機構，其用以在將第2槽部11B之處理對象液送至膜分離單元13的流路中除去沈澱物S2的一部份。在此構成中，由於在朝向膜分離單元13之流路設有除去機構，故可更減低被送至膜分離單元13之處理對象液所含之沈澱物S2的量。

本實施形態中，冷卻劑再生裝置1備有設於流路之幫浦P3，除去機構被設在比幫浦P3還上游側，依據幫浦P3的負荷之上昇而檢測除去機構的閉塞狀態(除去機構之堵塞程度)。亦即，於幫浦P3被設在比除去機構還下游側的情況，伴隨著沈澱物S2囤積於除去機構，幫浦P3的負荷會上昇。依據這樣的幫浦P3的負荷之上昇，可檢測沈澱物S2在除去機構中的囤積程度。

本實施形態中，冷卻劑再生裝置1係具備設於第2槽部11B，用以攪拌處理對象液之攪拌機構。在此構成中，第2槽部11B之處理對象液亦含有沈澱物S2，可想像當那樣的沈澱物S2囤積於第2槽部11B的底部(具體言之，底部的角落)時，那會結成塊(lump)。於是，在此構成中，透過以攪拌機構攪拌第2槽部11B之處理對象液，可抑制沈澱物S2囤積於第2槽部11B的底部之情形。

本實施形態中，依逆洗膜分離單元13所排 出之液係返回第1槽部11A。在此構成中，進行含有沈澱物S2的塊之逆洗時的排出液是返回第1槽部11A，故可抑制第2槽部11B之處理對象液所含之沈澱物S2變多的情形。

本實施形態中，膜分離單元13備有切換送液方向之機構。在此構成中，透過在膜分離單元13切換送液方向，更可抑制在膜分離單元13堵塞之情形。

本實施形態中，第1槽部11A與第2槽部11B係彼此不同個體的容器。在如同此構成那樣，第1槽部11A與第2槽部11B是不同個體的情況，各槽部的形狀、大小等之設計的自由度提高。例如，在槽部是角柱狀的情況，會有沈澱物S2囤積於槽部的底部之角落等處且就那樣滯留的情形，但藉由將槽部做成圓柱狀而可抑制那樣的沈澱物S2滯留之情形。

變形例1、2中，第1槽部11A與第2槽部11B係藉由以隔壁劃分容器內而形成。

〔其他的變形例〕

以上，已針對本發明之實施形態的冷卻劑再生裝置1做了說明，但本發明並非限定在實施形態，可在不逸脫本發明之趣旨之範圍做各種變更、改良等。

例如，雖例示了在第1槽部11A之處理對象液內因沈澱物S2的一部份匯集於下部區域而形成沈澱物多的區域之情況，但不受此限。例如，在沈澱物的比重是與液的比重相同程度的情況或比其還小的情況，透過例如設於第1槽部11A內的過濾器等之捕獲手段亦 可形成沈澱物S2局部地匯集的區域(沈澱物多的區域)。在此情況，於第1槽部11A內的偏離捕獲手段的區域(例如比捕獲手段還下游側的區域)係成為沈澱物少的區域。

前述實施形態中，雖例示了膜分離單元13將處理對象液分離成膜過濾液與濃縮液之交叉流式樣的情況，但不受此所限，亦可為濃縮液沒被分離的全過濾式樣。

前述實施形態中，雖例示了藉由離心分離機12使離心分離液返回第2槽部11B之情況，但不受此所限，離心分離液亦可返回第1槽部11A。

前述實施形態中，例示了設有除去機構及攪拌機構之情況，但可省略除去機構及攪拌機構當中一者或兩者。前述實施形態中，雖例示了依逆洗膜分離單元所排出之液返回第1槽部11A之情況，但這樣的逆洗是可省略的。又，前述實施形態中，例示了膜分離單元13是具備切換送液方向之機構的情況，但此機構亦可省略。

亦可設置檢測第1槽部11A的液面高度之檢測機及檢測第2槽部11B的液面高度之檢測機當中一者或兩者。可因應於由檢測機所檢測之液面高度而控制例如從原液槽10朝處理槽11補充原液之時序。

又，亦可在第1槽部11A的底部設置排出口，用以將沈殿在此底部的沈澱物S2排出於第1槽部11A之外。在此情況，亦可在與排出口連接之配管設置 開閉閥，用以開閉此配管。當在第1槽部11A的底部囤積多的沈澱物S2時，開閉閥設為開啟狀態而使沈澱物S2經由排出口被排出於第1槽部11A之外。

又，前述實施形態中，雖例示了冷卻劑再生裝置1是具備離心分離機12與膜分離單元13之情況，但亦可設置例如濾壓機來取代離心分離機12。在此情況，被積存於處理槽11(具體言之，第1處理槽部11A)之處理對象液係被供應至濾壓機，於濾壓機中被分離成分離液與沈澱物(濾餅)。被分離之分離液係返回處理槽11(例如第2處理槽部11B)，沈澱物從濾壓機被排出。

此處，針對前述實施形態作概略說明。

前述實施形態之冷卻劑再生裝置具備：第1槽部，積存含沈澱物的處理對象液，於前述處理對象液內形成有前述沈澱物多的區域與前述沈澱物少的區域；第2槽部，供前述第1槽部中的前述沈澱物少的區域之處理對象液流入；及膜分離單元，從自前述第2槽部流入的前述處理對象液將膜過濾液分離。

在此構成中，設有第1槽部與第2槽部，第1槽部中之沈澱物少的區域之處理對象液流入第2槽部，已流入之處理對象液是流入膜分離單元。亦即，在此構成中，相較於例如圖7所示之參考例的冷卻劑再生裝置般僅設置1個槽111作為處理槽之情況，可減低流入膜分離單元之處理對象液所含之沈澱物的量。藉此，可抑制在對使用過的冷卻劑進行再生處理之冷卻劑再生 裝置的膜分離單元中發生膜堵塞之情形。

前述冷卻劑再生裝置中，較佳為，在前述第1槽部之前述處理對象液內，前述沈澱物的一部份匯集於下部而形成前述沈澱物多的區域。在此構成中，第1槽部之處理對象液內的沈澱物的一部份沈澱於下方並匯集而形成沈澱物多的區域。而且，伴隨地在處理對象液內的高度方向的中央附近(中部)或上部形成沈澱物少的區域。

而且，在此情況，較佳為，前述第1槽部的前述處理對象液當中的在上部之處理對象液流入前述第2槽部。亦即，於處理對象液內之在下部形成沈澱物多的區域之情況，在處理對象液內的上部之沈澱物容易變少。因此，藉由使上部之處理對象液流入第2槽部，可更有效地減低第2槽部內之處理對象液所含之沈澱物的量。此外，關於第1槽部之處理對象液當中的在上部之處理對象液流入第2槽部之形態方面，例如可舉出前述之圖2~圖6所示的各種形態。

前述冷卻劑再生裝置中，較佳為，自前述第1槽部溢流之前述處理對象液是流入前述第2槽部。亦即，於處理對象液內之下部形成沈澱物多的區域之情況，自第1槽部溢流之處理對象液所含之沈澱物的量係變少。因此，透過使溢流之處理對象液流入第2槽部，可更有效地減低第2槽部內之處理對象液所含之沈澱物的量。

前述冷卻劑再生裝置中，較佳為，前述膜 分離單元係將前述處理對象液分離成前述膜過濾液與沈澱物的濃縮液，前述濃縮液係返回前述第1槽部。在此構成中，含有較多沈澱物的濃縮液不會返回第2槽部而是返回第1槽部，故可抑制第2槽部所含之沈澱物變多之情形。

較佳為，前述冷卻劑再生裝置備有將前述處理對象液分離成離心分離液與沈澱物之離心分離機，前述離心分離液係返回前述第2槽部。在此構成中，使藉由離心分離機而與沈澱物分離之離心分離液，亦即沈澱物的量少的離心分離液在不經過第1槽部下直接返回第2槽部。藉此，在冷卻劑再生裝置中之液的循環系中，可減低經由第1槽部流入第2槽部之處理對象液的量。其結果，故可抑制第2槽部之處理對象液所含之沈澱物變多之情形。

前述冷卻劑再生裝置中，較佳為，前述第1槽部的前述處理對象液流入前述離心分離機。於此構成中，在離心分離機中處理對象液所含之沈澱物的量多者之離心分離的效率佳。因此，在此構成中，相較於第2槽部之處理對象液流入離心分離機之情況，可提高在離心分離機中之離心分離的效率。又，在此構成中，由於第1槽部之處理對象液被送至離心分離機，故可減低從第1槽部流入第2槽部之處理對象液的量。其結果，可抑制第2槽部之處理對象液所含之沈澱物變多之情形。

前述冷卻劑再生裝置中，較佳為，來自於 前述離心分離機的排放液係返回前述第1槽部。排放液係於例如離心分離機中在進行內部的洗淨等之際被排出的廢液，含有較多的成塊(lump)的沈澱物。因此，如同此構成那樣藉由使排放液返回第1槽部，可抑制第2槽部所含之沈澱物變多之情形。

前述冷卻劑再生裝置較佳備有除去機構，用以在前述第2槽部的將前述處理對象液送至前述膜分離單元之流路中將前述沈澱物的一部份除去。

在此構成中，在朝向膜分離單元之流路上設有除去機構，故可更減低被送至膜分離單元的處理對象液所含之沈澱物的塊的量。

而且，較佳為，前述冷卻劑再生裝置具備設於前述流路的幫浦，前述除去機構被設在比前述幫浦還上游側，依據前述幫浦的負荷之上昇來檢測前述除去機構之閉塞狀態(除去機構的堵塞程度)。亦即，於幫浦被設在比除去機構還下游側的情況，伴隨著沈澱物囤積於除去機構，幫浦的負荷會上昇。依據這樣的幫浦的負荷之上昇，可檢測沈澱物在除去機構中之囤積程度。

較佳為，前述冷卻劑再生裝置中，前述第1槽部與前述第2槽部係彼此不同個體的容器。在如同此構成那樣，第1槽部與第2槽部是彼此不同個體的容器之情況，各槽部的形狀、大小等之設計的自由度提高。例如，在槽部是角柱狀的情況，會有沈澱物囤積於槽部的底部之角落等並就那樣滯留的情形，但藉由將槽部做成圓柱狀，可抑制那樣的沈澱物滯留之情形。

前述冷卻劑再生裝置中，前述第1槽部與前述第2槽部亦可藉由利用隔壁劃分容器內劃分而形成。

前述實施形態之冷卻劑再生方法係在積存於第1槽部之含沈澱物的處理對象液內形成前述沈澱物多的區域與前述沈澱物少的區域，使前述第1槽部之前述沈澱物少的區域之處理對象液流入第2槽部，使前述第2槽部之處理對象液流入膜分離單元，在膜分離單元中從處理對象液分離膜過濾液。

1‧‧‧冷卻劑再生裝置

4‧‧‧控制部

10‧‧‧原液槽

11‧‧‧處理槽

11A‧‧‧第1槽部

11B‧‧‧第2槽部

12‧‧‧離心分離機

13‧‧‧膜分離單元

13a、13b‧‧‧配管連接部

13c‧‧‧濾液用開口

13p‧‧‧配管

13v‧‧‧閥

14‧‧‧過濾液槽

15‧‧‧再生液槽

21‧‧‧粗濾器

22‧‧‧沈澱物微粒化機構

90~99‧‧‧配管

S‧‧‧冷卻劑

S2‧‧‧沈澱物

S1‧‧‧膜過濾液(回收液)

P1~P4‧‧‧幫浦

Claims (9)

1. 一種冷卻劑再生裝置，具備：圓柱狀的第1槽部，積存含有矽切屑之沈澱物的處理對象液，於前述處理對象液內形成有前述沈澱物多的區域與前述沈澱物少的區域；圓柱狀的第2槽部，係和前述第1槽部不同個體的容器且配置在比前述第1槽部還低的位置，供前述第1槽部中的前述沈澱物少的區域之處理對象液流入；攪拌機構，設於前述第2槽部，用以攪拌前述第2槽部內的處理對象液；膜分離單元，從自前述第2槽部流入的前述處理對象液將膜過濾液分離；及配管，從前述第1槽部朝前述第2槽部延伸，使第1槽部內的處理對象液流入前述第2槽部。
2. 如請求項1之冷卻劑再生裝置，其中在前述第1槽部的前述處理對象液內，因前述沈澱物的一部份匯集於下部而形成有前述沈澱物多的區域。
3. 如請求項2之冷卻劑再生裝置，其中前述第1槽部的前述處理對象液當中的上部之處理對象液是流入前述第2槽部。
4. 如請求項1之冷卻劑再生裝置，其中前述膜分離單元係將前述處理對象液分離成前述膜過濾液與沈澱物的濃縮液， 前述濃縮液係返回前述第1槽部。
5. 如請求項1至4中任一項之冷卻劑再生裝置，其具備將前述處理對象液分離成離心分離液與沈澱物之離心分離機，前述離心分離液係返回前述第2槽部。
6. 如請求項5之冷卻劑再生裝置，其中前述第1槽部的前述處理對象液流入前述離心分離機。
7. 如請求項5之冷卻劑再生裝置，其中來自前述離心分離機的排放液係返回前述第1槽部。
8. 如請求項1之冷卻劑再生裝置，其具備：除去機構，設於前述第2槽部的前述處理對象液會被送至前述膜分離單元的流路上，用以將前述沈澱物的一部份除去；及幫浦，設於前述流路，前述除去機構被設在比前述幫浦還上游側，依據前述幫浦的負荷之上昇來檢測前述除去機構的閉塞狀態。
9. 一種冷卻劑再生方法，其係在被積存於圓柱狀的第1槽部之含有矽切屑之沈澱物的處理對象液內形成前述沈澱物多的區域與前述沈澱物少的區域，使前述第1槽部中之前述沈澱物少的區域之處理對象液通過將前述第1槽部和前述第2槽部繫接的配管流入圓柱狀的第2槽部，前述第2槽部係和前述第1槽部不同個體 的容器且配置在比前述第1槽部還低的位置，以攪拌機構攪拌前述第2槽部的處理對象液，使前述第2槽部的處理對象液流入膜分離單元，在膜分離單元中從處理對象液將膜過濾液分離。