TWI605535B - Substrate processing apparatus and substrate holding member - Google Patents

Description

基板處理裝置及基板保持構件 發明領域

本發明是有關於一種基板處理裝置及使用於其之基板保持構件。

發明背景

攜帶終端之觸控面板之製程中，包含了在玻璃基板上塗布處理構成彩色濾膜等之薬液，然後，進行真空乾燥處理、加熱處理、及冷卻處理之步驟。以往，在進行該等處理時，是如專利文獻1、2所示，使用機械手將基板搬送到各處理單元。

先行技術文獻 專利文獻

【專利文獻1】日本特開2010-80856號公報

【專利文獻2】日本特開2012-222087號公報

發明概要

因此，基板之處理時間，實際上加上處理基板之時間，包含使用機械手之往各處理單元接收基板、由各處 理單元取出基板，即基板之搬送時間。

因此，本發明之目的在於提供一種可縮短基板之處理時間、特別是基板之搬送時間之基板處理裝置及基板保持構件。

本案之第1發明是一種基板處理裝置，是用以處理基板的基板處理裝置，其特徵在於包含有：用以保持基板之基板保持構件；具有用以處理基板之複數個處理單元的處理部；及用以搬送基板之搬送機構，前述搬送機構構造成，在前述基板保持構件保持基板之狀態下，在前述各處理單元間水平搬送前述基板保持構件，前述各處理單元從上方及/或下方進接於前述基板保持構件。

根據前述構成，在基板保持於基板保持構件之狀態下在各處理單元間水平搬送，因此各處理單元中，可省略藉由機械手將基板載置於基板保持構件、及將基板自基板保持構件拆卸之作業，並且可縮短基板之搬送時間。

前述第1發明宜更具有如下構成。

(1)前述基板保持構件具有：具有開口部之框體；及覆蓋前述開口部並安裝於前述框體之薄膜體，並且基板載置於前述薄膜體，前述薄膜體由具有通氣性之薄膜形成。

(2)前述處理部具有用以對基板進行塗布處理之塗布單元，前述塗布單元具有：由下方支持載置有前述基板保持構件之定盤；及由前述基板保持構件之上方對基板進行塗布之塗布構件，前述定盤可朝上下方向移動。

(3)前述處理部具有用以對基板進行真空乾燥處理之真空乾燥單元，前述真空乾燥單元具有：從載置有前述基板保持構件之上方抵接於前述基板保持構件，並且覆蓋前述基板保持構件之上方之上處理室；及從載置有基板之前述基板保持構件之下方抵接於前述基板保持構件，並且覆蓋前述基板保持構件之下方之下處理室，前述上處理室及前述下處理室可朝上下方向移動。

(4)前述處理部具有用以加熱基板之加熱單元，前述加熱單元具有從載置有基板之前述基板保持構件之上方及/或下方加熱基板之加熱構件，前述加熱構件可朝上下方向移動。

(5)前述處理部具有用以冷卻基板之冷卻單元，前述冷卻單元具有從載置有前述基板保持構件之上方及/或下方冷卻基板之冷卻構件，前述冷卻構件可朝上下方向移動。

(6)前述構成(1)中、前述基板處理裝置進而具有用以由前述基板保持構件拆下基板之拆卸機構，前述薄膜體具有伸縮性，前述拆卸機構具有：從前述基板保持構件之下方將前述薄膜體及前述基板朝上方上推之上推構件、及插入至因前述上推構件將前述薄膜體及前述基板上推而產生之前述薄膜體與前述基板之間隙，載置前述基板之載置構件

(7)前述搬送機構是使前述基板保持構件循環而搬送。

(8)前述基板保持構件及/或前述處理單元可將前述基板處理裝置拆下。

(9)前述構成(7)中，前述搬送機構具有圓形或楕圓形之搬送帶、及使前述搬送帶作動之作動機構，前述搬送帶連結複數個基板保持構件，在前述基板保持構件之外周側，進而基板保持構件連結於前述基板保持構件。

(10)前述構成(7)中，前述搬送機構具有：圓形之搬送帶；使前述搬送帶旋轉之作動機構；及成為前述搬送帶之旋轉中心之軸，且前述搬送帶可自由裝卸於前述軸。

(11)前述搬送機構具有彼此位於上下方向之複數個搬送帶：及使前述複數之搬送帶作動之作動機構，複數之基板保持構件連結於前述各搬送帶，連結於前述搬送帶之基板保持構件配置於連結於其他前述搬送帶之基板保持構件之上下方向位置。

根據前述構成(1)，可藉由將基板載置於由具有通氣性之薄膜形成之薄膜體上，在將基板保持於基板保持構件之狀態下，在各處理單元間搬送。

根據前述構成(2)，可藉由塗布單元在載置於基板保持構件上之基板進行塗布。

根據前述構成(3)，可藉由真空乾燥單元進行載置於基板保持構件上之基板的真空乾燥。

根據前述構成(4)，可藉由加熱單元進行載置於基板保持構件上之基板的加熱。

根據前述構成(5)，可藉由冷卻單元進行載置於基板保持構件上之基板的冷卻。

根據前述構成(6)，可藉由拆卸機構將基板保持構件上載置之基板由基板保持構件拆卸。

根據前述構成(7)，可藉由使基板保持構件循環、縮小基板處理裝置之設置面積。

根據前述構成(8)，可將必要之基板保持構件及/或處理單元安裝於基板處理裝置，並可拆卸不要之基板保持構件及/或處理單元，因此可構成因應於基板處理內容之合理的基板處理裝置。

根據前述構成(9)，基板處理裝置進而於基板保持構件之外周具有基板保持構件，因此可增大基板處理裝置之基板處理量。

根據前述構成(10)，由於搬送帶自由裝卸，因此可藉由使安裝之搬送帶的大小變化，調整基板處理裝置 之生產量或設置面積。

根據前述構成(11)，基板處理裝置在基板保持構件之上下方向位置更具有基板保持構件，因此可幾乎不增加基板處理裝置之設置面積而可增加基板處理裝置之基板處理量。

本案之第2發明是使用於基板處理裝置之基板保持構件，前述基板保持構件具有：具有開口部之框；及覆蓋前述開口部並安裝於前述框體之薄膜體，藉由將基板載置於前述薄膜體上以保持基板，並且前述薄膜體由具有通氣性之薄膜形成。

根據前述構成，可藉由將基板載置於具有通氣性之薄膜所形成之薄膜體上，在將基板保持於基板保持構件之狀態下，在各處理單元間搬送。其結果是，可在各處理單元中，將基板載置於基板保持構件，及可省略由基板保持構件拆卸基板之作業，可縮短基板之搬送時間。

總之，根據本發明，可提供一種可縮短基板之搬送時間之基板處理裝置及基板保持構件。

1‧‧‧塗布單元

51c‧‧‧支持部

2‧‧‧真空乾燥單元

6‧‧‧載置機構

21‧‧‧上處理室

7‧‧‧拆卸機構

22‧‧‧下處理室

71‧‧‧上推構件

211‧‧‧O型環

72‧‧‧載置構件

221‧‧‧O型環

81‧‧‧預備之處理單元

222‧‧‧貫通孔

82‧‧‧預備之基板保持構件

23‧‧‧吸引構件

10‧‧‧基板處理裝置

24‧‧‧加熱板

11‧‧‧搬送機構

25‧‧‧無通氣性之樹脂或金屬

12,12”‧‧‧搬送帶

3‧‧‧加熱單元

13‧‧‧軸

31‧‧‧加熱構件

14‧‧‧搬送生產線

4‧‧‧冷卻單元

16‧‧‧定盤

41‧‧‧冷卻構件

17‧‧‧塗布構件

5,5’‧‧‧基板保持構件

18‧‧‧吸引構件

51‧‧‧框體

100‧‧‧基板

52‧‧‧薄膜體

D‧‧‧間隙

51a‧‧‧開口部

S,S’,S0~S12‧‧‧站台

51b‧‧‧載置部

圖1是本發明之實施形態之基板處理裝置的概略上面圖。

圖2是基板保持構件之概略上面圖。

圖3是圖2之III-III截面圖。

圖4是顯示藉由塗布單元在基板進行塗布處理之作業 的概略截面圖。

圖5是顯示藉由塗布單元在基板進行塗布處理之作業的概略截面圖。

圖6是顯示藉由真空乾燥單元在基板進行真空乾燥處理之作業的概略截面圖。

圖7是顯示藉由真空乾燥單元在基板進行真空乾燥處理之作業的概略截面圖。

圖8是顯示藉由加熱單元在基板進行加熱處理之作業的概略截面圖。

圖9是顯示藉由加熱單元在基板進行加熱處理之作業的概略截面圖。

圖10是顯示藉由冷卻單元在基板進行冷卻處理之作業的概略截面圖。

圖11是顯示藉由冷卻單元在基板進行冷卻處理之作業的概略截面圖。

圖12是顯示藉由拆卸機構從基板保持構件拆下基板之作業的概略截面圖。

圖13是顯示藉由拆卸機構從基板保持構件拆下基板之作業的概略截面圖。

圖14是顯示藉由拆卸機構從基板保持構件拆下基板之作業的概略立體圖。

圖15是顯示藉由拆卸機構從基板保持構件拆下基板之作業的概略截面圖。

圖16是顯示真空乾燥單元之變形例的概略截面圖。

圖17是本發明之其他實施形態之基板處理裝置的概略上面圖。

圖18是本發明之其他實施形態之基板處理裝置的概略上面圖。

圖19是本發明之其他實施形態之基板處理裝置的概略上面圖。

圖20是本發明之其他實施形態之基板處理裝置的概略側面圖。

較佳實施例之詳細說明

(全體構成)

圖1是本發明之實施形態之基板處理裝置10的概略上面圖。基板處理裝置10包含具有用以處理基板之複數個處理單元的處理部，前述處理部具有：在基板之表面塗布處理液之塗布單元1、使塗布於基板之處理液乾燥之真空乾燥單元2、將基板進行加熱處理之加熱單元3、及將基板進行冷卻處理之冷卻單元4。各處理單元可接受載置有基板之基板保持構件5，並且可在將基板載置於基板保持構件5上之狀態下對基板進行預定處理。

基板處理裝置10進而具有在各處理單元間水平搬送載置有基板之基板保持構件5的搬送機構11。搬送機構11具有：圓形之搬送帶12、及以軸13為中心使搬送帶12朝一定方向(R方向)旋轉之旋轉機構(未圖示)。複數個(12個)之基板保持構件5等間隔地連結於搬送帶12。即，基板 保持構件5在搬送帶12旋轉之搬送生產線14中、每隔30度配置。而且，旋轉機構是例如每20秒使搬送帶12朝R方向旋轉30度。

各處理單元是沿著搬送生產線14且朝搬送帶12之旋轉方向(R方向)以基板之處理步驟之順序配置。即，搬送生產線14中、是從R方向之上游側依序配置塗布單元1、真空乾燥單元2、加熱單元3、以及冷卻單元4。又，相對於塗布單元1在R方向之上游側設有用以進行將基板載置於基板保持構件5之作業的載置機構6。載置機構6為例如機械臂。又，相對於冷卻單元4在R方向之下游側設有用以從基板保持構件5拆下基板之拆卸機構7。本實施形態中，拆卸機構7兼用載置機構6之機械臂。

各處理單元之處理時間是以對應於基板保持構件5之數目之站台之數目進行調整。例如、塗布處理時間20秒、真空乾燥處理時間60秒、加熱處理時間120秒、冷卻處理時間20秒時，塗布單元1占有1個站台、真空乾燥單元2占有3個站台、加熱單元3占有6個站台、冷卻單元4占有1個站台。再者，於基板保持構件5載置基板之載置站台及從基板保持部5拆下基板之拆卸站台也需要站台。載置站台與拆卸站台亦可分開設置，本實施形態中，載置站台與拆卸站台是共通的，佔有1個站台。即、12之基板保持構件5對應於12之站台。以下，為了方便，令將基板載置於基板保持構件之站台為S0、令在基板進行塗布處理之站台為S1、令將基板進行真空乾燥處理之站台為S2~S4、令將基板進 行加熱處理之站台為S5~S10、令將基板進行冷卻處理之站台為S11、令將基板由基板保持構件取出之站台為S12。搬送生產線14為圓周的關係，站台S0與站台S12是在相同位置。再者，由於各站台配置有各處理單元，因此本實施形態中，基板處理裝置10具有1個塗布單元1、3個真空乾燥單元2、6個加熱單元3、1個冷卻單元4。再者，上述處理時間包含了各站台中各處理單元之進接時間，實際的處理時間比上述處理時間短，在此為了方便而記載為處理時間。

(基板保持構件)

圖2為基板保持構件5之概略上面圖、圖3為圖2之III-III截面圖。如圖2及圖3所示，基板保持構件5具有：具有開口部51a之框體51、及覆蓋開口部51a並且安裝於框體51之薄膜體52。而且基板載置於薄膜體52上。框體51是由金屬形成，具有：矩形之載置部51b、及由載置部51b之一邊朝側方外方延伸之棒狀之支持部51c。載置部51b之中央部形成有開口部51a。如上所述，支持部51c之一端與載置部51a是成一體的，另一端連結於搬送帶12。薄膜體52具有通氣性。

(塗布單元)

圖4及圖5是顯示藉由塗布單元1在基板100進行塗布處理之作業的概略截面圖。如圖4及圖5所示，塗布單元1包含有：由下方支持基板保持構件5之定盤16、及由基板保持構件5之上方對基板100進行塗布之塗布構件(噴嘴)17。定盤16設置有朝上下方向貫通之複數個多孔多孔之貫通孔 161。而且，塗布單元1在定盤16之下方具有透過貫通孔161吸引基板保持構件5及基板100之吸引構件18。定盤16及吸引構件18是可一體朝上下方向(Z方向)移動。塗布構件17是可在上下方向(Z方向)移動，進而亦可在塗布方向(X方向)上移動。

塗布單元1是如以下在基板100進行塗布處理。當保持有基板100之基板保持構件5位於站台S1時，如圖4所示，位於下方之定盤16及吸引構件18朝上方移動直到定盤16之上面抵接到基板保持構件5之下面。同時，位於上方之塗布構件17是對載置於基板保持構件5之基板100具有一定間隙地朝下方移動。接著，如圖5所示，吸引構件18開始吸引基板保持構件5及基板100，並在固定基板100後，塗布構件17開始對基板100之塗布處理。塗布構件17一面在X方向移動一面進行對基板100之塗布處理。當塗布處理結束時，吸引構件18會中止吸引，定盤16及吸引構件18移動到下方。同時，塗布構件17移動到上方。

(真空乾燥單元)

圖6及圖7是顯示藉由真空乾燥單元2在基板100進行真空乾燥處理之作業的概略截面圖。如圖6及圖7所示，真空乾燥單元2具有：由基板保持構件5之上方抵接於框體51、並且覆蓋基板保持構件5之上方之處理室21、及由基板保持構件5之下方抵接於框體51，並且覆蓋基板保持構件5之下方之下處理室22。上處理室21在與框體51之抵接面具有O型環211。同樣地，下處理室22在與框體51之抵接面具有O 型環221。下處理室22設有朝上下方向貫通之貫通孔222。而且，真空乾燥單元2在下處理室22之下方具有經由貫通孔222而從上處理室21、基板保持構件5及下處理室22所形成之空間吸引空氣之吸引構件23。上處理室21及下處理室22可分別個別地在上下方向(Z方向)上移動。再者，下處理室22及吸引構件23是可一體在上下方向(Z方向)上移動。又，下處理室22之上面設有用以加熱基板100之加熱板24。

真空乾燥單元2如以下所述，在基板100進行真空乾燥處理。當保持基板100之基板保持構件5位於站台S2、S3或S4時、如圖6所示，已位於下方之下處理室22及吸引構件23朝上方移動直到下處理室22抵接於框體51為止。同時，已位於上方之上處理室21朝下方移動直到上處理室21抵接於框體51為止。接著、如圖7所示，吸引構件23進行上處理室21、基板保持構件5及下處理室22所形成之空間的吸引，真空乾燥單元2在基板100進行真空乾燥處理。再者，真空乾燥處理中，透過具有通氣性之薄膜體52，上處理室21之內部也被吸引。與真空乾燥處理同時，加熱板24由下方加熱基板100而促進乾燥。當真空乾燥處理結束時，吸引構件23會中止吸引、並且下處理室22及吸引構件23移動到下方。同時，上處理室21移動到上方。

(加熱單元)

圖8及圖9是顯示藉由加熱單元3在基板100進行加熱處理之作業的概略截面圖。如圖8及圖9所示，加熱單元3具有由基板保持構件5之下方將基板加熱之加熱構件31。加熱構 件31為例如加熱器。加熱構件31可在上下方向(Z方向)上移動。

加熱單元3是如以下在基板100進行加熱處理。當保持基板100之基板保持構件5位於站台S5、S6、S7、S8、S9、S10時，如圖8所示，已位於下方之加熱構件31會朝上方移動，直到加熱構件31之上面抵接於基板保持構件5之下面為止。接著、如圖9所示，加熱構件31透過基板保持構件5而對基板100進行加熱處理。當加熱處理結束時，加熱構件31會中止加熱，並朝下方移動。

(冷卻單元)

圖10及圖11是顯示藉由冷卻單元4對基板100進行冷卻處理之作業的概略截面圖。如圖10及圖11所示，冷卻單元4具有從基板保持構件5之下方冷卻基板之冷卻構件41。冷卻構件41是例如水冷板。冷卻構件41可在上下方向(Z方向)上移動。

冷卻單元4是如以下在基板100進行冷卻處理。當保持基板100之基板保持構件5位於站台S11時、如圖10所示，已位於下方之冷卻構件41朝上方移動，直到冷卻構件41之上面抵接於基板保持構件5之下面為止。而且、如圖11所示，冷卻構件31透過基板保持構件5對基板100進行冷卻處理。當冷卻處理結束時，冷卻構件41會中止冷卻、並移動到下方。

(拆卸機構)

圖12、圖13、圖15是顯示藉由拆卸機構7從基板保持構 件5拆下基板100之作業的概略截面圖。又，圖14是顯示藉由拆卸機構7從基板保持構件5拆下基板100之作業的概略立體圖。如圖12~圖15所示，拆卸機構7具有：從基板保持構件5之下方將薄膜體52及基板100朝上方推之上推構件71、及插入到因上推構件71將薄膜體52及基板100上推而產生之薄膜體52與基板100之間的間隙D 1，並載置基板100之載置構件72(本實施形態中兼用為載置機構6)。上推構件71可在上下方向(Z方向)上移動。又，載置構件72從上面看具有字形，且可朝插入方向(X方向)及上下方向(Z方向)移動。

拆卸機構7如以下所述從基板保持構件5拆下基板100。當保持基板100之基板保持構件5位於站台S12時、如圖12所示，已位於下方之上推構件71會對框體51擴張薄膜體52並且朝上方移動，直到將基板100。接著、如圖13及圖14所示，載置構件72朝插入方向移動，並且插入至上推構件71將薄膜體52及基板100上推而產生之薄膜體52與基板100之間隙D 1。接著、如圖15所示，載置構件72朝上方移動。其結果是、基板100載置於載置構件72上，並且從基板保持構件5被拆下。然後、載置構件72在載置有基板100之狀態下，將基板100移往下一步驟、上推構件71朝下方移動。

基板處理裝置10會如下作動。

首先，站台S0中、載置機構6之機械臂將基板載置於基板保持構件5之上。然後(當基板保持構件5位於站 台S0 20秒內時)、旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。由於基板保持構件5連結於搬送帶12，因此已位於站台S0之基板保持構件5朝站台S1移動。再者，本實施形態中，由於兼用為後述之站台S12，因此包含站台S0在站台S12之基板拆卸時間為20秒。

站台S1配置有塗布單元1。基板保持構件5位於站台S1時，塗布單元1會在基板保持構件5上之基板進行塗布處理。當塗布處理結束(基板保持構件5位於站台S1 20秒內)時、旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S1之基板保持構件5會移動到站台S2。

站台S2配置有真空乾燥單元2。再者，如上所述，真空乾燥處理進行60秒，因此真空乾燥單元2配置於各個站台S2~S4。當基板保持構件5位於站台S2時，真空乾燥單元2在基板保持構件5上之基板進行真空乾燥處理(第1次)。當基板保持構件5位於站台S2 20秒時、真空乾燥單元2結束真空乾燥處理，並且旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S2之基板保持構件5會移動到站台S3。

站台S3也配置有真空乾燥單元2。當基板保持構件5位於站台S3時、真空乾燥單元2對基板保持構件5上之基板進行真空乾燥處理(第2次)。當基板保持構件5位於站台S3 20秒時，真空乾燥單元2結束真空乾燥處理，旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S3之基板保持構件5會移動到站台S4移動。

站台S4也配置有真空乾燥單元2。當基板保持構 件5位於站台S4時、真空乾燥單元2對基板保持構件5上之基板進行真空乾燥處理(第3次)。當基板保持構件5位於站台S4 20秒時、真空乾燥單元2結束真空乾燥處理，旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。再者，因此也結束真空乾燥處理全體。位於站台S4之基板保持構件5移動到站台S5。

站台S5配置有加熱單元3。再者，如上述、加熱處理進行120秒，因此加熱單元3配置於各個站台S5~S10。當基板保持構件5位於站台S5時，加熱單元3對基板保持構件5上之基板進行加熱處理(第1次)。當基板保持構件5位於站台S5 20秒時，加熱單元3結束加熱處理，並且旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S5之基板保持構件5會移動到站台S6移動。

站台S6也配置有加熱單元3。當基板保持構件5位於站台S6時，加熱單元3在基板保持構件5上之基板進行加熱處理(第2次)。當基板保持構件5位於站台S6 20秒時，加熱單元3結束加熱處理，旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S6之基板保持構件5會移動到站台S7。

站台S7也配置有加熱單元3。當基板保持構件5位於站台S7時，加熱單元3在基板保持構件5上之基板進行加熱處理(第3次)。當基板保持構件5位於站台S7 20秒時，加熱單元3結束加熱處理，並且旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S7之基板保持構件5會移動到站台S8。

站台S8也配置有加熱單元3。當基板保持構件5 位於站台S8時，加熱單元3在基板保持構件5上之基板進行加熱處理(第4次)。當基板保持構件5位於站台S8 20秒時，加熱單元3會結束加熱處理，並且旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S8之基板保持構件5會移動到站台S9。

站台S9也配置有加熱單元3。當基板保持構件5位於站台S9時，加熱單元3在基板保持構件5上之基板進行加熱處理(第5次)。當基板保持構件5位於站台S9 20秒時，加熱單元3會結束加熱處理，並且旋轉機構是使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S9之基板保持構件5會移動到站台S10。

站台S10也配置有加熱單元3。當基板保持構件5位於站台S10時，加熱單元3在基板保持構件5上之基板進行加熱處理(第6次)。當基板保持構件5位於站台S10 20秒時，加熱單元3則結束加熱處理、並且旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。再者，藉此也結束加熱處理全體。位於站台S10之基板保持構件5會移動到站台S11。

站台S11配置有冷卻單元4。當基板保持構件5位於站台S11時、冷卻單元4在基板保持構件5上之基板進行冷卻處理。當冷卻處理結束時(基板保持構件5位於站台S11 20秒內)、旋轉機構使搬送帶12朝R方向旋轉30度。位於站台S11之基板保持構件5會移動到站台S12。

站台S12配置有拆卸機構7。當基板保持構件5位於站台S12時，拆卸機構7會從基板保持構件5拆卸基板。

根據前述構成之基板處理裝置10，可發揮如下的效果。

(1)搬送機構11構造成在基板保持構件5保持著基板之狀態下，在各處理單元間水平搬送基板保持構件5，因此各處理單元中，可省略藉由機械手將基板載放於基板保持構件5，及將基板自基板保持構件5拆卸的作業，並可縮短基板之搬送時間。

(2)藉由將基板載置於以具有通氣性之薄膜形成之薄膜體52上，可在將基板保持於基板保持構件5之狀態下，在各處理單元間搬送。再者，由於薄膜體52具有通氣性，因此藉由從基板保持構件5之下方吸引基板，可更為提高基板保持構件5之基板保持性。又，由於薄膜體52具有通氣性，因此在將基板載置於薄膜體52上之狀態下，可更有效率地進行基板之真空乾燥或加熱、冷卻。

(3)由於基板只是載置於薄膜體52上，因此可不需要使基板從基板保持構件5昇降之昇降銷、或隨著安裝昇降銷而進行基板對基板保持構件5之定位之基板定位機構、或薄膜體52中之昇降銷用孔。其結果是，若是比薄膜體52小之基板，無論是哪種尺寸的基板皆可利用基板保持構件5處理。

(4)可藉由塗布單元1在載置於基板保持構件5上之基板進行塗布。再者，藉由塗布單元1具有吸引構件18，在基板進行塗布時，可藉由吸引構件18從基板保持構件5之下方吸引基板，藉此更為提高基板保持構件5之基板保持性， 藉此可提高塗布厚度之精度。

(5)可藉由真空乾燥單元2，進行載置於基板保持構件5上之基板的真空乾燥。

(6)上處理室21在與框體51之抵接面具有O型環211，下處理室22在與框體51之抵接面具有O型環221，因此可容易確保在上處理室21、基板保持構件5及下處理室22形成之空間的密封性。

(7)在下處理室22之上面設置有用以加熱基板100之加熱板24，因此可更有效地進行真空乾燥時之基板的乾燥。

(8)可藉由加熱單元3進行載置於基板保持構件5上之基板的加熱。

(9)可藉由冷卻單元4進行載置於基板保持構件5上之基板的冷卻。

(10)可藉由拆卸機構7，從基板保持構件拆卸載置於基板保持構件上之基板。特別是，可不需要使基板從基板保持構件昇降之昇降銷、或隨著昇降銷安裝之基板定位機構，並且可將基板從基板保持構件拆下。其結果是，若是比薄膜體小之基板，則哪種尺寸的基板皆可處理。

具有通氣性之薄膜體為例如通氣性之樹脂膜或金屬網眼薄膜。為了具有通氣性之構成，可舉例如在薄膜體設有多數小的貫通孔，或者是薄膜體本身是由多孔(多孔質)的材料所形成，但不限定於該等例子，亦可為其他構成具有通氣性。樹脂膜之材料可使用例如聚四氟乙烯 (PTFE)等。又，所謂金屬網眼薄膜為例如印刷用之金屬濾網，金屬網眼薄膜之材料可使用例如不銹鋼或鋁等。薄膜體之厚度為樹脂膜時則約200~500微米左右，為金屬網眼薄膜時則20~100微米左右。薄膜體使用樹脂膜時，相較於金屬網眼薄膜，可減少薄膜體之費用。又，薄膜體使用金屬網眼薄膜時，相較於樹脂膜，熱傳導性佳，且可進行更薄的加工，因此可縮小薄膜體之熱容量，並可有效率地進行基板的加熱、冷卻。而且，藉使用金屬網眼薄膜，可使薄膜體均一地薄化，其結果是，在基板上塗布時，可更為提高塗布厚度之精度。

再者，亦可在薄膜體之表面進行止滑加工，使載置之基板不會在薄膜體上移動。薄膜體使用樹脂膜時，亦可在樹脂膜之表面塗布不會阻礙通氣性程度的黏著材。

上述實施形態中，基板處理裝置10是具有：1個塗布單元1、3個真空乾燥單元5、6個加熱單元3、1個冷卻單元4、但可配合各處理單元之處理時間、變更處理單元之數目。例如，塗布處理時間為20秒、真空乾燥處理時間為40秒、加熱處理時間為100秒、冷卻處理時間為60秒時，基板處理裝置10會具有1個塗布單元、2個真空乾燥單元、5個加熱單元3、3個冷卻單元4。又，塗布處理時間為20秒、真空乾燥處理時間為40秒、加熱處理時間為100秒、冷卻處理時間為40秒時，基板處理裝置10會具有1個塗布單元、2個真空乾燥單元、5個加熱單元3、2個冷卻單元4，並且12個站台的其中一個會多出來，此時，該多出的站台上不配置 處理單元。

上述實施形態中，基板保持構件5之支持部51c是圖示1個，但亦可設置複數個支持部。

上述實施形態中，上處理室21與下處理室22分別抵接於框體51，但亦可抵接於薄膜體52。此種情況下，必須進行在薄膜體52之該抵接部與上處理室21及下處理室22抵接而可維持真空，空氣不洩漏之加工。例如，如圖16所示，可考慮僅薄膜體之該抵接部作成無通氣性之金屬或樹脂25。

上述實施形態中，上處理室21及下處理室22可分別個別地朝上下方向移動，但亦可上處理室21與下處理室22連動而朝上下方向移動。此種情況下，當上處理室21移動到下方時，下處理室22移動到上方，並且在上處理室21移動到上方時，下處理室22移動到下方。

上述實施形態中，在下處理室22設有吸引用之貫通孔222，在下處理室22之下方設有吸引構件23，但亦可在上處理室21設置吸引用之貫通孔，在上處理室21之上方設置吸引構件，並且於下處理室22與上處理室21兩方設置吸引用之貫通孔及吸引構件。又，亦可將吸引構件18或吸引構件23設置於其他處，並且以具有伸縮性之配管連接吸引構件與定盤16或與下處理室22之間而進行吸引。

上述實施形態中，於下處理室22之上面設有加熱板24，但亦可於上處理室21之下面設置加熱板，亦可在下處理室22之上面及上處理室21之下面之兩者設置加熱板。

上述實施形態中，加熱構件31是由下方加熱基板100，但是亦可由上方加熱基板。此種情況下，加熱構件與基板具有一定的間隙且位於上方，而以不會接觸到塗布面的方式將基板加熱。又，加熱構件亦可位於基板之上方及下方之兩者，且由上下加熱基板。

上述實施形態中，冷卻構件41是由下方冷卻基板100，但亦可由上方冷卻基板。此種情況下，冷卻構件與基板具有一定的間隙且位於上方，而以不會接觸到塗布面之方式冷卻基板。又，冷卻構件亦可位於基板之上方及下方兩者，由上下冷卻基板。

上述實施形態中，藉由上推構件71與載置構件72，將基板從基板保持構件5拆卸，但亦可在基板保持構件之薄膜體形成供昇降銷插入之複數之插入孔、由插入孔插入昇降銷、將基板從基板保持構件抬起，藉此可將基板由基板保持構件拆卸。

上述實施形態中，基板往基板保持構件5之載置是以載置機構6之機械臂進行，但本作業不限定於機械臂，亦可藉由其他各種方法進行。

上述實施形態中，搬送生產線14具有圓形，但搬送生產線14不限定於圓形，亦可具有如圖17所示之楕圓形、或U字形、直線形等各種形狀。

上述實施形態中，是使各處理單元之數目與基板保持構件5之數目相同，藉由搬送機構11而使全部的基板保持構件5一次旋轉相同角度，但不限定於此。圖18為其他實 施形態之基板處理裝置的概略上面圖。與上述實施形態相同的零件及部分賦予相同標號，關於該等內容則省略詳細說明。如圖18所示，亦可為相較於站台S之數目，減少基板保持構件5之數目，基板保持構件5分別獨立旋轉。而且，為了調整處理時間，亦可設有處理單元不存在之待機站台P。如此，亦可使在各處理單元之處理為批次式。其結果是，可減少單元之數目，可縮小基板處理裝置之設置面積。而且，可便宜地製作以作為小規模生產或實驗用基板處理裝置。

又，如圖18所示，亦可將載置基板之站台S0與拆下基板之站台S12分開構成。又，各處理單元亦可移動而非固定設置於基板處理裝置。其結果是，可因應於處理內容或處理時間而自由地組裝處理單元。預備之處理單元81亦可先使任意之處理單元待機。又，亦可對搬送帶12作成可自由拆卸基板保持構件5之構造，並且待機為預備的基板保持構件82。

又，搬送帶12亦可在軸13自由裝卸。若搬送帶12可在軸13自由裝卸，則可更換如圖1所示之直徑較大的搬送帶12、及如圖18所示之直徑較小的搬送帶12，其結果是，可藉由使安裝之搬送帶的大小變化，來調整基板處理裝置之生產量或設置面積。

圖19是其他實施形態之基板處理裝置的概略上面圖。與上述實施形態相同之零件及部分則賦予相同標號，關於該等內容則省略詳細說明。如圖19所示，基板處理裝 置10在基板保持構件5及站台S之外周進而具有基板保持構件5’及站台S’。而且，基板保持構件5’連結於基板保持構件5，搬送帶12藉由作動機構(旋轉機構)旋轉時，連結於搬送帶12之基板保持構件5旋轉，並且當基板保持構件5旋轉時，連結於基板保持構件5之基板保持構件5’會旋轉。根據本構成，可增加基板處理裝置之基板處理量。

圖20為其他實施形態之基板處理裝置的概略側面圖。與上述實施形態相同的零件及部分則賦予相同標號，關於該等內容則省略詳細說明。如圖20所示，基板處理裝置10在搬送帶12之上方具有搬送帶12”。而且，作動機構(旋轉機構)以軸13為中心而使搬送帶12及搬送帶12”朝一定方向旋轉。基板保持構件5”連結於搬送帶12”，基板保持構件5”位於基板保持構件5之上方。根據本構成，幾乎不增加基板處理裝置之設置面積，可使基板處理裝置之基板處理量增加。再者，本構成中，進一步基板保持構件5”位於基板保持構件5之上方，但亦可位於基板保持構件5之下方。此種情況下，搬送帶12”位於搬送帶12之下方。又，亦可將3個以上之搬送帶在上下方向隔著間隔設置，並且於上下方向配置3個以上之基板保持構件。

上述實施形態之基板處理裝置可利用作為製造平板顯示器用之各種基板或半導體基板的裝置。

亦可在不脫離申請專利範圍所揭示之本發明之精神及範圍之下而進行各種變形及變更。

產業上之可利用性

本發明中，可提供一種可縮短基板之搬送時間之基板處理裝置及基板保持構件，因此產業上之利用價值大。

1‧‧‧塗布單元

2‧‧‧真空乾燥單元

3‧‧‧加熱單元

4‧‧‧冷卻單元

5‧‧‧基板保持構件

6‧‧‧載置機構

7‧‧‧拆卸機構

10‧‧‧基板處理裝置

11‧‧‧搬送機構

R‧‧‧方向

S0~S12‧‧‧站台

Claims (4)

1. 一種基板處理裝置，是用以處理基板的基板處理裝置，其特徵在於包含有：用以保持基板之基板保持構件；具有用以處理基板之複數個處理單元的處理部；及用以搬送基板之搬送機構，前述搬送機構構造成，在前述基板保持構件保持基板之狀態下，在前述各處理單元間水平搬送前述基板保持構件，前述各處理單元從上方及/或下方進接於前述基板保持構件，前述基板保持構件具有：具有開口部之框體；及覆蓋前述開口部並安裝於前述框體之薄膜體，並藉由在前述薄膜體上載置基板以保持基板，前述薄膜體由具有通氣性之薄膜形成，前述處理部具有用以對基板進行塗布處理之塗布單元作為前述處理單元，前述塗布單元具有：由下方支持前述基板保持構件之定盤；由前述基板保持構件之上方對基板進行塗布之塗布構件；及位於前述定盤之下方，吸引前述基板保持構件及前述基板之吸引構件，前述吸引構件透過前述薄膜體，將前述基板吸附於前述定盤。
2. 一種基板處理裝置，是用以處理基板的基板處理裝置，其特徵在於包含有：用以保持基板之基板保持構件；具有用以處理基板之複數個處理單元的處理部；及用以搬送基板之搬送機構，前述搬送機構構造成，在前述基板保持構件保持基板之狀態下，在前述各處理單元間水平搬送前述基板保持構件，前述各處理單元從上方及/或下方進接於前述基板保持構件，前述基板保持構件具有：具有開口部之框體；及覆蓋前述開口部並安裝於前述框體之薄膜體，並藉由在前述薄膜體上載置基板以保持基板，前述薄膜體由具有通氣性之薄膜形成，前述處理部具有用以對基板進行真空乾燥處理之真空乾燥單元作為前述處理單元，前述真空乾燥單元具有：從前述基板保持構件之上方抵接於前述基板保持構件，並且覆蓋前述基板保持構件之上方之上處理室；及從前述基板保持構件之下方抵接於前述基板保持構件，並且覆蓋前述基板保持構件之下方之下處理室，前述真空乾燥單元透過前述薄膜體，將前述上處理室進行排氣。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述上處理室及前述 下處理室抵接於前述框體。
4. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述上處理室及前述下處理室抵接於前述薄膜體，前述薄膜體之前述上處理室及前述下處理室抵接的部分進行空氣不洩漏之加工。