TWI604076B - 真空蒸鍍裝置和真空蒸鍍方法 - Google Patents

Description

真空蒸鍍裝置和真空蒸鍍方法

本發明涉及用於形成有機電致發光(Electro Luminescence，EL)膜的真空蒸鍍裝置和真空蒸鍍方法。

以往的用於形成有機EL膜的真空蒸鍍裝置包括蒸發源、引導通道及釋放部件。蒸發源用以加熱蒸鍍材料而得到蒸發材料。引導通道輸送利用蒸發源而得到的蒸發材料。釋放部件朝向被蒸鍍部件釋放從引導通道流入的蒸發材料(例如參照專利文獻1：日本專利公開公報特開2007-332458號)。

上述的釋放部件包括分散容器及多個噴嘴部件。分散容器用以擴散蒸發材料。噴嘴部件朝向被蒸鍍部件突出設置，且在其前端具有用以朝向被蒸鍍部件釋放蒸發材料的收縮開口部。

做為提高膜厚的均等性的方法，可以列舉通過改變各噴嘴的收縮開口部的直徑來調整從各噴嘴部件朝向被蒸鍍部件所釋放的蒸發材料的量。

但是，此種做法會導致從各噴嘴部件朝向被蒸鍍部件釋放的蒸發材料的量和擴散程度隨著噴嘴部件的收縮開口部 的直徑而同時大幅變化的情況，膜厚同時受到蒸發材料的量和擴散程度的影響而變化。因此，很難通過改變各噴嘴部件的收縮開口部的直徑，來同時精確地調整從各噴嘴部件朝向被蒸鍍部件釋放的蒸發材料的量和擴散程度，從而很難提高膜整體的厚度均等性。

因此，本發明的目的是提供真空蒸鍍裝置和真空蒸鍍方法，係能夠精確地調整從各噴嘴部件朝向被蒸鍍部件釋放的蒸發材料的量和擴散程度，從而提高有機EL膜整體的厚度均等性。

本發明提供一種真空蒸鍍裝置，其包括一蒸發源、引導通道及一釋放部件。蒸發源用以加熱用來形成一有機EL膜的一蒸鍍材料而得到一蒸發材料。引導通道用以輸送利用所述蒸發源而得到的蒸發材料。釋放部件用以朝向一被蒸鍍部件釋放從所述引導通道流入的蒸發材料。所述釋放部件包括一分散容器及多個噴嘴部件。分散容器用以擴散所述蒸發材料。噴嘴部件朝向所述被蒸鍍部件突出設置，且在噴嘴部件之前端具有用以朝向所述被蒸鍍部件釋放蒸發材料的一收縮開口部。其中，各噴嘴部件具有噴嘴部件內直徑D(mm)、噴嘴部件長度L(mm)和收縮開口部直徑D’(mm)。所述噴嘴部件內直徑D(mm)、所述噴嘴部件長度L(mm)和所述收縮開口部直徑D’(mm)滿足關係式：L≧9D且D’≦2.7D²/L，或者L<9D且D’≦D/3。所述釋放部件 具有一機構。此機構係以各噴嘴部件中的蒸發材料的流量成為一規定值的方式調整各噴嘴部件中的蒸發材料的流量。

並且，本發明提供一種真空蒸鍍方法，包括以下步驟。使用真空蒸鍍裝置。所述真空蒸鍍裝置包括一蒸發源、一引導通道及一釋放部件。蒸發源用以加熱用來形成一有機EL膜的一蒸鍍材料而得到一蒸發材料。引導通道用以輸送利用所述蒸發源而得到的蒸發材料。釋放部件用以朝向一被蒸鍍部件釋放從所述引導通道流入的蒸發材料。所述釋放部件包括一分散容器及多個噴嘴部件。分散容器用以擴散所述蒸發材料。噴嘴部件朝向所述被蒸鍍部件突出設置，且在噴嘴部件之前端具有用以朝向所述被蒸鍍部件釋放蒸發材料的一收縮開口部。其中，所使用的各噴嘴部件具有一噴嘴部件內直徑D(mm)、一噴嘴部件長度L(mm)和一收縮開口部的直徑D’(mm)。所述噴嘴部件內直徑D(mm)、所述噴嘴部件長度L(mm)和所述收縮開口部直徑D’(mm)滿足關係式：L≧9D且D’≦2.7D²/L，或者L<9D且D’≦D/3。以各噴嘴部件中的蒸發材料的流量成為一規定值的方式調整各噴嘴部件中的蒸發材料的流量。

按照本發明，能夠提供如下真空蒸鍍裝置和真空蒸鍍方法，而能夠精確地調整從各噴嘴部件朝向被蒸鍍部件所釋放的蒸發材料的量和擴散程度，從而提高有機EL膜整體的厚度均等性。

1‧‧‧真空蒸鍍裝置

2‧‧‧蒸發材料

3‧‧‧坩堝

4‧‧‧引導通道

5‧‧‧基板

5a‧‧‧基板托架

6‧‧‧釋放部件

7‧‧‧歧管

8‧‧‧噴嘴部件

8a‧‧‧收縮開口部

9‧‧‧蒸發容器

10‧‧‧加熱器

11‧‧‧閘門

12‧‧‧膜厚檢測傳感器

13‧‧‧針閥

14‧‧‧膜厚檢測傳感器

15‧‧‧隔離壁

23‧‧‧遮擋板

23a‧‧‧旋轉軸

D、D’‧‧‧直徑

L‧‧‧長度

第1圖表示(噴嘴部件的長度L)×(收縮開口部的直徑D’)/(噴嘴部件的內直徑D)²與cosⁿθ定則的n值之間的關係圖。

第2圖表示(收縮開口部的直徑D’)/(噴嘴部件的內直徑D)與cosⁿθ定則的n值之間的關係圖。

第3圖表示L=30mm、D=7mm、D’=2mm時從收縮開口部釋放的蒸發材料的角度分佈圖。

第4圖表示L=30mm、D=7mm、D’=4mm時從收縮開口部釋放的蒸發材料的角度分佈圖。

第5圖表示本發明一實施方式的真空蒸鍍裝置的簡要結構圖。

第6圖表示第5圖所示的真空蒸鍍裝置的釋放部件的噴嘴部件附近的放大局部剖面圖。

第7圖表示第5圖所示的真空蒸鍍裝置的各噴嘴部件在流量測量時的狀態的局部剖面圖。

第8圖表示本發明其他實施方式的真空蒸鍍裝置的釋放部件的噴嘴部件附近的放大局部剖面圖。

第9圖表示所示的噴嘴部件的收縮開口部附近的放大剖面圖。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何本領域中具通常知識者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何本領域中具通常知識者可輕易地理解本發明相關 之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。

本發明的真空蒸鍍裝置包括一蒸發源、一引導通道及一釋放部件。蒸發源加熱用來形成一有機EL膜的一蒸鍍材料，從而得到一蒸發材料。引導通道輸送利用蒸發源而得到的蒸發材料。釋放部件朝向一被蒸鍍部件釋放從引導通道流入的蒸發材料。釋放部件包括一分散容器及多個噴嘴部件。分散容器用以擴散蒸發材料。噴嘴部件朝向被蒸鍍部件突出設置，且在其前端具有用以朝向被蒸鍍部件釋放蒸發材料的收縮開口部。

本發明的真空蒸鍍裝置所使用的多個噴嘴部件具有彼此大致相同的形狀和尺寸。多個噴嘴部件既可以配置成一列也可以並列地配置多列。

上述的蒸鍍在真空狀態下進行。藉此，只要噴嘴部件朝向被蒸鍍部件突出設置即可。從噴嘴部件朝向被蒸鍍部件釋放蒸發材料的方向例如可以是水平方向或者上下方向。

各噴嘴部件具有噴嘴部件的內直徑D(mm)、噴嘴部件的長度L(mm)和收縮開口部的直徑D’(mm)。噴嘴部件的長度L是指噴嘴部件的內側的長度。例如在第6圖所示的裝置的情況下，噴嘴部件的長度L是指第6圖中以L表示且在噴嘴部件8的內側沿著噴嘴部件8的軸向的長度尺寸。

並且，噴嘴部件的內直徑D(mm)、噴嘴部件的長度L(mm)和收縮開口部的直徑D’(mm)滿足以下關係式(1)： L≧9D且D’≦2.7D²/L，或者L<9D且D’≦D/3。

上述的式(1)是針對用於形成有機EL膜的有機材料而得到的。在滿足上述的式(1)時(第1圖(L≧9D時)所示的L×D’/D²大於0且為2.7以下的區域，或者第2圖(L<9D時)所示的D’/D大於0且為1/3以下的區域)，從各噴嘴部件的收縮開口部朝向被蒸鍍部件釋放的蒸發材料的擴散程度遵從cosⁿθ定則。亦即，由cosⁿθ曲線近似。這時，從各噴嘴部件的收縮開口部釋放的蒸發材料充分地朝向被蒸鍍部件的表面擴散而堆積，因此能夠提高膜厚的均等性。如第1圖所示，在L≧9D時，在L×D’/D²大於0且為2.7以下的區域內，cosⁿθ定則的n值大約是4~4.25。並且，如第2圖所示，在L<9D時，在D’≦D/3的區域內，cosⁿθ定則的n值大約是4.05~4.25。

cosⁿθ定則的n值愈小，蒸發材料愈容易朝向被蒸鍍部件的表面擴散而堆積，並能夠提高膜厚的均等性。優選cosⁿθ定則的n值大約是4~4.1。為了能夠進一步提高膜厚的均等性，在L≧9D時，D’≦2D²/L。優選cosⁿθ定則的n值大約是4.05~4.1。為了能夠進一步提高膜厚的均等性，在L<9D時，D’≦0.2D。

從收縮開口部的直徑D’的尺寸精度的觀點考慮，收縮開口部的直徑D’例如是1mm以上。

如果L≧9D且D’>2.7D²/L、或者L<9D且D’>D/3，則從各噴嘴部件的收縮開口部朝向被蒸鍍部件釋放蒸發材料的擴散程度不會遵從cosⁿθ定則。因此，從各噴嘴部件的收縮 開口部釋放的蒸發材料不會充分朝向被蒸鍍部件的表面擴散而堆積。其結果是，於各噴嘴部件的收縮開口部所面對的被蒸鍍部件的區域，蒸發材料堆積的量會變得過多，使得膜厚的均等性下降。

在此，第3圖表示滿足式(1)時從收縮開口部釋放的蒸發材料的角度分佈的一例。第4圖表示不滿足式(1)時從收縮開口部釋放的蒸發材料的角度分佈的一例。圖中的橫軸表示蒸發材料從收縮開口部的噴嘴中心的放射角度，縱軸表示與放射角度相對應的蒸發材料的釋放量。圖中的實線是cosⁿθ曲線，黑點表示與各放射角度相對應的蒸發材料的量。

放射角度是指在第5及6圖所示的裝置的情況下，在第9圖所示的收縮開口部8a附近的放大剖面視圖中，蒸發材料2從噴嘴部件8的收縮開口部8a分別朝向正上的方向(基板5的方向)的左右擴展的角度θ。放射角度θ最大是90°。舉例而言，放射角度θ為45°是指蒸發材料2從噴嘴部件8的收縮開口部8a分別朝向正上的方向的左右擴展45°的角度，即實質上以90°的角度從收縮開口部8a朝向基板5釋放蒸發材料2。

第3圖表示L=30mm、D=7mm、D’=2mm的情況，在L<9D時滿足D’≦D/3。這時，如第3圖所示，得到了沿著cosⁿθ曲線的角度分佈。另一方面，第4圖表示L=30mm、D=7mm、D’=4mm的情況，在L<9D時不滿足D’≦D/3。這時，如第4圖所示，在比放射角度為20°附近還小角度的區域，得到了從cosⁿθ 曲線大幅偏離的角度分佈。

第3及4圖表示在L<9D時從收縮開口部釋放的蒸發材料的角度分佈的一例，但是在L≧9D時也表示與第3及4圖相同的傾向。具體地說，在L≧9D時滿足D’≦2.7D²/L的情況下，如第3圖所示，在所有的區域得到了與cosⁿ曲線近似的角度分佈。在L≧9D時不滿足D’≦2.7D²/L的情況下，如第4圖所示，在放射角度小的區域得到了從cosⁿθ曲線大幅偏離的角度分佈。

在L的尺寸比D的尺寸足夠大時，蒸發材料的分子與噴嘴內壁碰撞的概率變高。因此，蒸發材料的分子變得難以從收縮開口部釋放出來，且在從收縮開口部釋放的蒸發材料的分子中，沿著噴嘴的內壁的方向釋放的蒸發材料的分子的比例增大。亦即，在從噴嘴收縮開口部釋放的蒸發材料的分子中，朝向噴嘴正上方釋放的蒸發材料的分子的比例增大。其結果是，由收縮開口部釋放的蒸發材料不發生擴散的傾向變大。噴嘴若是愈長則此傾向愈明顯。

對此，在本發明中，即使在L的值比D的值足夠大的L≧9D時，也能夠藉由使收縮開口部的直徑D’小到2.7D²/L以下而增大蒸發材料的分子與收縮開口部碰撞的比例，以使從收縮開口部釋放的蒸發材料擴散，從而使蒸發材料的擴散程度接近cosⁿθ曲線。

即使在使用滿足上述的式(1)且具有大致相同的形狀和尺寸的多個噴嘴部件時，也因分散容器的多個噴嘴部件的配 置方式、引導通道與分散容器的連接位置、分散容器的形狀等，發生釋放的蒸發材料的量在各噴嘴部件之間存在差異。

因此，在本發明的真空蒸鍍裝置中，使用包括上述的噴嘴部件的釋放部件，還設置調整各噴嘴部件中的蒸發材料的流量的機構，以使各噴嘴部件中的蒸發材料的流量為規定值。例如設置能夠調整各噴嘴接近分散容器的基部附近的開口程度的構件(例如針閥或者能夠滑動的遮擋板)，做為上述的機構。

設定對各噴嘴部件調整的規定的流量，以減少上述的差異。例如，在使用滿足上述的式(1)且具有大致相同的形狀和尺寸的多個噴嘴部件時，在實際使用裝置之前，預先對用於減少上述的差異的膜厚分佈進行模擬，由此得到規定的流量。藉由綜合從各噴嘴部件的收縮開口部朝向被蒸鍍部件釋放的蒸發材料的量和擴散程度來得到膜厚分佈。

能夠藉由使用滿足上述的式(1)的噴嘴部件(收縮開口部的直徑的尺寸固定)，並調整各噴嘴部件內部的流量，來精確地調整從噴嘴部件的收縮開口部朝向被蒸鍍部件釋放的蒸發材料的量和擴散程度。其結果是，能夠大幅提高在被蒸鍍部件的表面堆積蒸發材料而形成的膜整體的厚度均等性。在本發明中，能夠在固定釋放部件和被蒸鍍部件的狀態下得到大致均等的膜。

例如可以使用測量從各噴嘴部件釋放的蒸發材料的量的機構，來確認是否將噴嘴部件的流量調整為根據模擬而獲得 的值。優選的是，測量從各噴嘴部件釋放的蒸發材料的量的機構是測量形成於噴嘴部件的出口(收縮開口部)的正上方的蒸鍍膜的厚度的膜厚檢測機構。舉例而言，可以列舉石英振子型的膜厚檢測傳感器做為膜厚檢測機構。膜厚檢測傳感器分別設置於各噴嘴部件的出口(收縮開口部)的正上方。在實際使用時撤去測量蒸鍍膜的厚度的機構。

本發明的真空蒸鍍方法是使用了真空蒸鍍裝置的方法，真空蒸鍍裝置包括蒸發源、引導通道及釋放部件。蒸發源用以加熱用來形成有機EL膜的蒸鍍材料而得到蒸發材料。引導通道用以輸送利用蒸發源得到的蒸發材料。釋放部件用以朝向被蒸鍍部件釋放從引導通道流入的蒸發材料。釋放部件包括一分散容器及多個噴嘴部件。分散容器用以擴散蒸發材料。噴嘴部件用以朝向被蒸鍍部件突出設置，並在其前端具有用以朝向被蒸鍍部件釋放蒸發材料的收縮開口部。

並且，各噴嘴部件係使用能用於上述的本發明的真空蒸鍍裝置中的噴嘴部件。並且，利用上述的本發明的真空蒸鍍裝置中的調整各噴嘴部件中的蒸發材料的流量的機構，進行各噴嘴部件中的蒸發材料的流量的調整。

藉此，能夠容易且精確地調整從設置於分散容器的多個噴嘴部件的收縮開口部朝向被蒸鍍部件釋放的蒸發材料的量和擴散程度。其結果是，能夠大幅地提高在被蒸鍍部件的表面堆積蒸發材料而形成的膜整體的厚度均等性。

優選的是，基於測量從各噴嘴部件釋放的蒸發材料的量而得到的測量結果，進行上述的蒸發材料的流量調整。由此，能夠調整為預先利用膜厚分佈的模擬而求得的規定的流量。

優選的是，基於測量形成於噴嘴部件的出口(收縮開口部)的正上方的蒸鍍膜的厚度而得到的測量結果，進行上述的蒸發材料的量的測量。能夠通過利用石英振子型的膜厚檢測傳感器這樣的膜厚檢測機構等測量蒸鍍膜的厚度，從而容易地求出從噴嘴部件釋放的蒸發材料的量。

在此，參照第5及6圖對本發明的真空蒸鍍裝置的一實施方式進行說明。

如第5圖所示，真空蒸鍍裝置1包括坩堝3、引導通道4及釋放部件6。坩堝3做為蒸發源，加熱用來形成有機EL膜的蒸鍍材料2而得到蒸發材料。引導通道4輸送利用坩堝3而得到的蒸發材料。釋放部件6將從引導通道4流入的蒸發材料朝向做為被蒸鍍部件的基板5釋放。釋放部件6包括歧管7及多個噴嘴部件8。大致圓柱狀的歧管7做為分散容器，用以擴散蒸發材料。多個噴嘴部件8朝向基板5突出設置。

此外，真空蒸鍍裝置1包括基板托架5a、加熱器10、閘門11及膜厚檢測傳感器12。基板托架5a用以保持基板5。加熱器10做為對放入了蒸鍍材料2的坩堝3進行加熱的機構。閘門11做為對從各噴嘴部件8朝向基板5釋放蒸發材料的路徑進行開關的機構。膜厚檢測傳感器12做為對形成於基板5表面的 蒸鍍膜(被製造出有機EL膜)的厚度進行測量的機構。構成真空蒸鍍裝置1的上述的各種構成部件被容納在蒸發容器9內。真空蒸鍍裝置1連接有用以使蒸發容器9的內部成為真空狀態的除氣機構。除氣機構例如使用真空泵。

如第6圖所示，多個噴嘴部件8沿著大致圓柱狀的歧管7的軸向等間隔地配置為一列。各噴嘴部件8在前端具有用以向基板5釋放蒸發材料的收縮開口部8a。多個噴嘴部件8具有彼此大致相同的形狀和尺寸。各噴嘴部件8的形狀呈大致圓筒狀，收縮開口部8a的形狀呈大致圓形。各噴嘴部件8具有噴嘴部件8的內直徑D、噴嘴部件8的長度L和收縮開口部8a的直徑D’。

噴嘴部件8的內直徑D(mm)、噴嘴部件8的長度L(mm)和收縮開口部8a的直徑D’(mm)滿足以下關係式(1)：L≧9D且D’≦2.7D²/L，或者L<9D且D’≦D/3。

釋放部件6具有前端部為大致圓錐狀的針閥13，做為調整各噴嘴部件8的蒸發材料的流量的機構，以使各噴嘴部件8的蒸發材料的流量為規定值。更具體地說，針閥13分別設置於多個噴嘴部件8，且在各噴嘴部件8的接近分散容器之歧管7的基部的開口附近配置成能夠調整開口的程度。通過這樣配置，能夠精確地調整從歧管7供給至各噴嘴部件8的內部的蒸發材料的流量。其結果是，能夠不改變收縮開口部8a的直徑而精確地調整從收縮開口部8a釋放的蒸發材料的量。

在第5及6圖所示的裝置中，在確認各噴嘴部件8的流量是否調整成根據模擬而獲得的值時，例如第7圖所示，只要在各噴嘴部件8的出口(收縮開口部8a)的正上方設置做為膜厚檢測機構的石英振子型的膜厚檢測傳感器14即可。這時，為了不受從相鄰的噴嘴部件8釋放的蒸發材料的影響，設置用以隔離各噴嘴部件8的隔離壁15。膜厚檢測傳感器14和隔離壁15在檢測膜厚時設置並在實際使用時撤去。

以下示出使用了本實施方式的真空蒸鍍裝置的真空蒸鍍方法的具體例。

使用第5及6圖所示的真空蒸鍍裝置，並在歧管7的中央部配置坩堝3和引導通道4。各噴嘴部件8的長度L是30mm，各噴嘴部件8的內直徑D是7mm，收縮開口部8a的直徑D’是2mm。噴嘴部件8的收縮開口部8a與基板5(尺寸為100mm×100mm)的間隔是50mm。在釋放部件6中，以規定的間隔配置16個噴嘴部件8。

預先以1.0Å/sec的蒸鍍速率，以膜厚均等性為±3%以下的方式進行膜厚分佈的模擬，從而求出蒸發材料從各噴嘴部件8的適當的釋放量。

膜厚分佈的模擬例如通過以下的步驟進行。

從一個噴嘴釋放的蒸發材料按cosⁿθ定則擴散。求出因這樣的擴散而附著於基板的蒸發材料的量、即利用一個噴嘴釋放的蒸發材料在基板的表面形成的膜厚分佈。例如使用已知的方 法(例如參照新版真空手冊，ULVAC株式會社編，250頁)通過計算求得膜厚分佈。

分別針對各噴嘴求出上述的蒸發材料的附著量(膜厚分佈)。在基板各部分對從各噴嘴到達基板的蒸發材料的附著量進行積分。求出基板各部分的蒸發材料的附著量的積分值的最大值和最小值，從而通過以下的公式來求得膜厚均等性。

膜厚均等性(%)=(最大值-最小值)/(最大值+最小值)×100

並且，逐漸改變蒸發材料從各噴嘴的釋放量，從而求出膜厚均等性為±3%以下的蒸發材料的釋放量。

在噴嘴部件8的出口(收縮開口部8a)的正上方設置石英振子型的膜厚檢測傳感器14，並設置隔離各噴嘴部件8的隔離壁15。

接著，向真空蒸鍍裝置1的坩堝3內投入做為蒸鍍材料的三(8-羥基喹啉)鋁(Tris(8-quinolinato)aluminum，以下稱為Alq3)。利用膜厚檢測傳感器14測量從各噴嘴部件8釋放的蒸發材料的量。基於此測量結果，以使流量成為藉由模擬所求得的規定的流量的方式，調整設置於噴嘴部件8接近分散容器的基部附近的開口部的針閥13。

撤去石英振子型的膜厚檢測傳感器14。之後，以1.0Å/sec的蒸鍍速率在基板5上生成Alq3的蒸鍍膜。這時，能夠將蒸鍍膜的膜厚均等性保持在±3%以內。

在本實施方式中，歧管7的形狀呈大致圓柱狀，但是歧管7的形狀不限於此。例如也可以是大致橢圓柱狀或者是大致四角柱狀等大致多角柱狀。

在本實施方式中，等間隔地將多個噴嘴部件8配置為一列，但多個噴嘴部件8的配置方式不限於此。例如也可以並排配置多列。

在本實施方式中，做為調整各噴嘴部件8的蒸發材料的流量的機構使用了針閥13。但是也可以替代針閥13，而如第8圖所示，使用大致圓板狀的遮擋板23。通過使與遮擋板23的端部連接的旋轉軸23a旋轉，而使遮擋板23滑動，來調整噴嘴部件8的開口程度。

並且，雖然在第8圖中使用了大致圓板狀的遮擋板23，但是只要是能夠調整噴嘴部件8的開口程度的形狀，遮擋板23的形狀也可以是大致圓板狀以外的形狀。

雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。

7‧‧‧歧管

8‧‧‧噴嘴部件

8a‧‧‧收縮開口部

13‧‧‧針閥

D、D’‧‧‧直徑

L‧‧‧長度

Claims (3)

1. 一種真空蒸鍍裝置，包括：一蒸發源，用以加熱用來形成一有機電致發光(Electro Luminescence，EL)膜的一蒸鍍材料而得到一蒸發材料；一引導通道，用以輸送利用該蒸發源而得到的該蒸發材料；以及一釋放部件，用以朝向一被蒸鍍部件釋放從該引導通道流入的該蒸發材料，該釋放部件包括：一分散容器，用以擴散該蒸發材料；以及多個噴嘴部件，朝向該被蒸鍍部件突出設置，且在各該噴嘴部件之前端具有用以朝向該被蒸鍍部件釋放該蒸發材料的一收縮開口部，各該收縮開口部與各該噴嘴部件的內部連通，且各該收縮開口部的直徑相對於各該噴嘴部件的內直徑收縮；其中，各該噴嘴部件具有一噴嘴部件內直徑D(mm)、一噴嘴部件長度L(mm)和一收縮開口部直徑D’(mm)，該噴嘴部件內直徑D(mm)、該噴嘴部件的長度L(mm)和該收縮開口部直徑D’(mm)滿足關係式：L≧9D且D’≦2.7D²/L，或者L<9D且D’≦D/3；該釋放部件具有一機構，該機構係以各該噴嘴部件中的該蒸發材料的流量成為一規定值的方式調整各該噴嘴部件中的該蒸發材料的流量。
2. 一種真空蒸鍍方法，包括以下步驟：使用真空蒸鍍裝置，所述真空蒸鍍裝置包括：一蒸發源，用以加熱用來形成一有機電致發光膜的一蒸鍍材料而得到一蒸發材料；一引導通道，用以輸送利用該蒸發源而得到的該蒸發材料；以及一釋放部件，用以朝向一被蒸鍍部件釋放從該引導通道流入的該蒸發材料，該釋放部件包括：一分散容器，用以擴散該蒸發材料；以及多個噴嘴部件，朝向該被蒸鍍部件突出設置，且在各該噴嘴部件之前端具有用以朝向該被蒸鍍部件釋放該蒸發材料的一收縮開口部，各該收縮開口部與各該噴嘴部件的內部連通，且各該收縮開口部的直徑相對於各該噴嘴部件的內直徑收縮；其中，所使用的各該噴嘴部件具有一噴嘴部件內直徑D(mm)、一噴嘴部件長度L(mm)和一收縮開口部直徑D’(mm)，該噴嘴部件內直徑D(mm)、該噴嘴部件長度L(mm)和該收縮開口部直徑D’(mm)滿足關係式：L≧9D且D’≦2.7D²/L，或者L<9D且D’≦D/3；以及 以各該噴嘴部件中的該蒸發材料的流量成為一規定值的方式調整各該噴嘴部件中的該蒸發材料的流量。
3. 如請求項2所述之真空蒸鍍方法，還包括測量從各該噴嘴部件釋放的該蒸發材料的量，且基於測量結果調整各該噴嘴部件中的該蒸發材料的流量。