TWI395828B - 薄膜成形用分子供給裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關一種藉由在基板等固體的成膜面，加熱欲形成薄膜的材料，熔融並蒸發該成膜材料，放出於固體表面使薄膜成長的蒸發元件之薄膜成形用分子供給裝置，特別是有關一種適合在薄膜堆積於基板等固體的成膜面時，以均勻的膜厚在比較大的面積之成膜面堆積薄膜的較佳之薄膜成形用分子供給裝置。
在半導體裝置或顯示器裝置的製造中，為了在成膜面上成膜各種薄膜，因此薄膜成形製程成為重要的技術。這種薄膜係在真空中加熱成膜材料，使其蒸氣產生，在基板上噴上分子，藉著冷卻使之固體化而成形。一般，是將成膜材料放入以鎢等高熔解點材料來製作有機材料的坩鍋裡，再利用加熱器加熱坩鍋周圍，來加熱成膜的材料，使其蒸氣產生，再將蒸氣噴於基板上的方法。
近年來，隨著顯示器裝置的大型化，形成薄膜的成膜面也大面積化。隨此而來產生的問題，係在具有比較大面積的成膜面以均勻的膜厚形成薄膜的點。
一般，在分子線源的分子放出口為單一時，形成於成膜面的薄膜的膜厚分布，當蒸鍍源出口的角度設為α時，與cosα成正比。為了修正此比例，使用各種手法。例如，記載於日本特開2004－176111號公報，在成膜面中，旋轉具有成膜面的基板，嘗試藉著移動，謀求膜厚的平準化等。
但是，在這種手段中，需要用來旋轉且移動具有成膜面的基板的機構，將導致成膜裝置複雜化。特別是，在拿取具有大面積的成膜面的基板時，這種基板的旋轉機構或移動機構成為裝置大型化的主因，在現實中無法採用。
因此，以往，加長分子的放出位置與成膜面間的距離，僅在膜厚成為比較均勻的區域上進行成膜。但是，當加長分子的放出位置與成膜面間的距離時，僅於成膜材料的分子之一部分堆積成膜面，大部分比例的分子對於成膜沒有幫助，而堆積在真空反應室的內壁。如此，浪費大部分的成膜材料，引起產率的降低，並且因為成膜材料污染真空反應室內。特別是近年來備受矚目的有機發光膜材料，材料費高、產率降低將導致薄膜元件的昂貴成本。
又，均勻化形成於成膜面之薄膜的膜厚的其他手段，例如日本特表2003－522839號公報所記載，提案有分散配置複數個分子的放出處，從此等各個分子放出處，一邊控制成膜材料的分子，一邊放出成膜材料的手段。
但是，即使在該手段中，基本上與成膜面的分子放出處相對向的部份的膜厚局部變大，對於膜厚的均勻化有限。
再者，也使用從一個坩鍋朝向與成膜面的角相當的位置，設置放出成膜材料分子的導引路之分子供給裝置。但是，在這種分子供給裝置中，在與基板的成膜面的尺寸相同大小的面必須配置導引路的分子放出口。因此，隨著構造複雜且基板的大型化，有所謂導引路的構造或配置大型化的問題。
〔專利文獻1〕日本特開2004－176111號公報〔專利文獻2〕日本特表2003－522839號公報
本發明有鑑於前述以往的薄膜成形用分子供給裝置的課題，目的在於即使在比較寬的成膜面，仍可藉由單一的蒸發源放射的分子，形成具有均勻性高的膜厚之薄膜。
在本發明中，朝向基板8的成膜面9設置複數條導引路4a、4b、4c，藉由該導引路4a、4b、4c控制分子蒸氣的流量與分子蒸氣的方向性，改善基板8的成膜面9上的膜厚分布。藉此，由於在基板8的成膜面9需要的部份上到達需要量的成膜材料，因此不需旋轉、移動成膜面9，可縮小形成於成膜面9上的薄膜之膜厚的不均，形成均勻膜厚的薄膜。再者，某程度上可自由地控制成膜面9之任意處的膜厚。
亦即，藉由本發明的薄膜成形用分子供給裝置，呈輻射狀設置從蒸發源1朝向成膜面9放出分子的筒狀通路的複數條導引路4a、4b、4c，於此等導引路4a、4b、4c的一部分或全部，設置用來限制此等通路面積的限制手段。
在這種本發明的薄膜成形用分子供給裝置中，由於輻射狀設置具有筒狀通路的複數條導引路4a、4b、4c，因此從4a、4b、4c放出分子具有方向性，可對成膜面9的目的位置供給分子。然後，其供給量係藉由設置於導引路4a、4b、4c而限制此等通路面積的限制手段加以控制。藉此，可對成膜面9的任意位置供給任意量的分子。因而，藉由膜厚容易變薄的基板8的成膜面9的周邊部等，供給多的分子，可謀求成膜的薄膜的膜厚之平準化。藉此，膜厚分布可形成更均勻的薄膜。此外，到達朝向外側的導引路4b、4c的中心線的延長線之成膜面9的位置，以位於成膜面9的最外部或比此更外側處。
在這種薄膜成形用分子供給裝置中，將複數條導引路4a、4b、4c的蒸氣入口側內徑設為Di，將其出口側內徑設為Do時，Do≧Di。作為限制複數條導引路4b的通路面積的限制手段，分別具有分子通過口6，使用設置於各導引路4b的孔狀的限制板5。藉由該限制板5，調整各導引路4a、4b、4c的分子通過面積的大小，控制分子供給量。該限制板5所放置的位置，係將從導引路4b的出口至限制板5為止的距離設為Lr，將限制板5的分子通過口6的直徑設為Dn時，為Lr≧2×Dn。
在前述本發明的薄膜成形用分子供給裝置中，從導引路4a、4b、4c具有方向性，使分子朝向成膜面9放出，並且可個別限制從此等導引路4a、4b、4c的分子放出量。藉此，在比較寬的成膜面9中，可調整膜厚容易變薄的位置與膜厚容易變厚的位置之分子放出量，藉由成膜面9可成膜均勻的膜厚之薄膜。
以下，針對實施本發明用的最佳形態，列舉實施例詳細說明。
在本發明中，具有從蒸發源1朝向成膜面9放出分子的筒狀通路的複數條導引路4a、4b、4c，於此等導引路4a、4b、4c的一部分或全部，設置用來限制此等通路面積的限制手段，來達成前述目的。
以下，針對實施本發明用的最佳形態，列舉實施例詳細說明。
第1圖係本發明之一實施例的薄膜成形用分子供給裝置的縱剖側面圖。第2圖係第1圖的A－A箭號圖。
如第1圖所示，從分子線源1所共有的分子m，通過通道2導入至分配室3。在通道2的途中，開關分子的供給路，設置有調整的閥10。
在該分配室3連接有圓筒狀的導引路4a、4b、4c，此等導引路4a、4b、4c係朝向基板8的成膜面9配置成放射狀。更具體而言，中央的導引路4a係從分配室3，與基板8的成膜面9的中央部分正對而配置，但其周圍的導引路4b、4c與前述中央的導引路4a相對朝向外側，與成膜面9的周邊部接近的部份大致傾斜相對而配置。周圍的導引路4b、4c的中心軸到達與基板8的成膜面9相同面的位置，係基板8的成膜面9的大致最外周位置。
導引路4a、4b、4c為長尺狀的圓筒形的分子通路，若具有筒狀通路，則為角筒型亦可。與此等的導引路4a、4b、4c的分配室3側的開口徑Di相對，基板8的成膜面9側的出口7a、7b、7c的直徑Do較大，形成Do≧Di。
再者，在一部分的導引路4b的分配室3側的入口，設置有用來限制其流路面積的孔狀的限制板5。具體而言，於包圍中央導引路4a的8條導引路4b、4c中4條導引路4b的分配室3側的入口，設置有孔狀的限制板5。
該孔狀的限制板5具有孔狀的分子通過口6，該分子通過口6的開口徑Dn，小於導引路4a、4b、4c的分配室3側的入口之開口徑Di。又，導引路4a、4b、4c的分子通路的長度Lr，係比限制板5的分子通過口6的開口徑Dn長，為開口徑Dn的2倍以上。亦即，Lr≧2×Dn。
此外，到達朝向外側的導引路4b、4c之中心線的延長線之成膜面9的位置，亦可位於成膜面9的最外部或比此更外側處。
如此，由於導引路4a、4b、4c的分子通路長，因此從出口7a、7b、7c放出的分子流具有方向性，可朝著基板8的成膜面9之預定位置比較窄的範圍放出分子。因此，可正確控制基板8的成膜面9的各位置之分子供給量。藉此，即使是比較寬的成膜面9，在成形膜厚容易變薄的周邊部，也可以確保中央部與相等的分子供給量，提升成膜面9全體膜厚之均勻性。
在真空中，氣體分子為直線前進。於有限的圓筒狀的導引路4a、4b、4c導入等方散射的分子時，從導引路4a、4b、4c的出口7a、7b、7c所放射的分子之方向，可藉由導引路4a、4b、4c的直徑與導引路4a、4b、4c的長度準確地決定。導引路4a、4b、4c的直徑與長度的比愈大，則分子愈擴散，當比變小時，沿著導引路4a、4b、4c的延長線前進的分子的比例增加。使用一條導引路，當從該導引路噴出分子時，可噴出以導引路為中心的圓錐形蒸氣。
配置複數條這種導引路，藉著調整各別的圓錐形重疊側，可改善基板8的成膜面9上的膜厚分布。此時，各導引路4a、4b、4c主要朝向基板8的成膜面9的周邊側配置，在中間部朝向膜厚變薄的部份，輔助性配置導引路4a甚為有效。
此時，導入至朝向成膜面9的周邊部配置的主要導引路4b、4c與朝向成膜面9的中心部配置的輔助性導引路4a的分子量，係根據所使用的分子的種類、溫度、流量等，由於需要量不同，因此產生必須於各導引路4a、4b、4c，分別設置用來調整分子通路的手段。朝向成膜面9的周邊部的導引路4b、4c需要的分子量設為1，輔助的導引路4a需要的分子量設為0.5時，將主要的導引路4b、4c的分子通路之總面積設為1，將輔助的導引路4a的分子通路面積設為0.5。
在導引路4b的入口設置孔狀的限制板5時，同樣地，將朝向成膜面9的周邊部之導引路4b的分子通路總面積設為1，將輔助的導引路4a的分子通路面積設為0.5亦可。
從導引路4a、4b、4c所放射的分子之放射方向，雖以和導入路的直徑與長度的比來決定，但設置限制板5時，由於在限制板5的分子通過口6使分子蒸氣擴散，因此，從限制板5的分子通過口6至導引路4b的出口7b為止的長度Lr的比，係依存於分子放出的方向性。根據本發明者的檢討，為了有效限制蒸氣的擴散，可設為Lr≧2Dn，當Lr低於2Dn以下時，則無效果。
第3圖、與第4圖係表示導引路4a、4b、4c的方向與基板8的成膜面9之位置關係的一例。在該例子中，於縱470mm、橫370mm的基板上配置9條的導引路4a、4b、4c。此等導引路4a、4b、4c的中心線到達與基板8的成膜面9相同面的位置，在第4圖以「×」的標記來表示。從該第4圖可清楚明白，中央的導引路4a的中心軸如符號a所示，到達基板8的成膜面9的中心。另外，其周圍的導引路4b、4c的中心軸，如符號b至i所示，於與基板8的成膜面9相同面上，到達包圍基板8的成膜面9的A(mm)×B(mm)的正方形之角、和該正方形的各邊之中央位置。此等邊引路4b、4c的中心軸，以到達與基板8的成膜面9相同面的符號b至i表示的位置，位於比基板8的成膜面9的最外周位置的更外側。具體而言，為前述尺寸的基板8時，以設為A＝B＝500mm較佳。
表1係使用該第3圖與第4圖所示的分子供給裝置，實際上於基板8的成膜面9形成薄膜時的膜厚之最小值與最大值，係表示其之不均δ。導引路4a、4b、4c的直徑為16Φ，基板8的尺寸為370mm×470mm，從導引路4a、4b、4c的分子入口至基板8的成膜面9為止的距離設為500mm。又，導引路4a、4b、4c的中心線到達與基板8的成膜面9相同面的位置，設為如前述。使用被使用在發光元件的有機發光膜材料之Alq3作為成膜材料。
膜厚的測定方法係在基板8的成膜面9上黏貼30片膜厚測定用測定板，以段差計(dektak6)測定其膜厚。以100×(Tmax－Tmin)/(Tmax＋Tmin)表示所測定的最大膜厚(Tmax)與最小膜厚(Tmin)的偏差δ。測定板的黏貼位置，係在第4圖畫上斜線所示的四角形的部份。膜厚的偏差之目標值為δ≦5，偏差δ>6者評估為「×」。
於表1中，試驗片1係僅一條導引路4a朝向基板8的成膜面9的中心，而放出分子之情況。試驗片2係在9條導引路4a、4b、4c全部不設置限制板5，而均等供給分子之情況。試驗片3－1至5－1係調整導引路4a、4b、4c的分子通路面積而成膜之情況。試驗片3－1係使用限制板調整之情況。3－2係以導引路的管徑調整之情況。試驗片4－1係將第4圖所示的導引路的中心之成膜面的交叉位置「×」設為：A＝500、B＝400時，試驗片4－2係設為A＝400、B＝400之情況。此外，A＝500、B＝500。試驗片5－1係將限制板設置於導引路的分子出口之情況，試驗片5－2係從導引路的分子出口將限制板設置於32mm的位置之情況。此等情況之導引路的分子通路面積表示於表2。
1．．．蒸發源
4a．．．導引路
4b．．．導引路
4c．．．導引路
6．．．分子通過口
9．．．成膜面
第1圖係本發明之一實施例的薄膜成形用分子供給裝置的縱剖側面圖。
第2圖係第1圖的A－A箭號圖。
第3圖係本發明之另一實施例的薄膜成形用分子供給裝置的縱剖側面圖。
第4圖係第3圖的B－B箭號圖。
1．．．蒸發源
2．．．通道
3．．．分配室
4a．．．導引路
4b．．．導引路
4c．．．導引路
5．．．限制板
6．．．分子通過口
7a．．．出口
7b．．．出口
8．．．基板
9．．．成膜面
10．．．閥
Do．．．蒸氣出口側內徑設為
Dn．．．分子通過口的直徑
Di．．．蒸氣入口側內徑
m．．．分子
Claims (8)
- 一種薄膜成形用分子供給裝置，係朝向成膜面(9)放出從蒸發源(1)產生的成膜材料的分子，在該成膜面(9)覆蓋成膜材料而成膜的薄膜成形用分子供給裝置，其特徵在於：輻射狀設置具有從蒸發源(1)朝向成膜面(9)放出分子的筒狀通路的複數個導引路(4a)、(4b)、(4c)，於此等導引路(4a)、(4b)、(4c)的一部分或全部，設置用來限制此等分子通路面積的限制手段，將複數個導引路(4a)、(4b)、(4c)的蒸氣入口側內徑設為Di，將其出口側內徑設為Do時，Do≧Di。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜成形用分子供給裝置，其中，限制複數個導引路(4b)的通路面積的限制手段，係藉由各導引路(4b)的入口面積之限制來進行。
- 如申請專利範圍第1項之薄膜成形用分子供給裝置，其中，限制複數個導引路(4b)的通路面積的限制手段，係藉由各導引路(4b)的入口面積之限制來進行。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之薄膜成形用分子供給裝置，其中，限制複數個導引路(4b)的通路面積的限制手段，分別具有分子通過口(6)，藉由設置於各導引路(4b)之孔狀的限制板(5)來進行。
- 如申請專利範圍第4項之薄膜成形用分子供給裝置 ，其中，放置限制板(5)的位置，將從導引路(4b)的出口至限制板(5)為止的距離設為Lr，將限制板(5)的分子通過口(6)的直徑設為Dn時，為Lr≧2×Dn。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之薄膜成形用分子供給裝置，其中，到達朝向外側的導引路(4b)、(4c)的中心線之延長線的成膜面(9)的位置，位於成膜面(9)的最外部或比此更外側。
- 如申請專利範圍第4項之薄膜成形用分子供給裝置，其中，到達朝向外側的導引路(4b)、(4c)的中心線之延長線的成膜面(9)的位置，位於成膜面(9)的最外部或比此更外側。
- 如申請專利範圍第5項之薄膜成形用分子供給裝置，其中，到達朝向外側的導引路(4b)、(4c)的中心線之延長線的成膜面(9)的位置，位於成膜面(9)的最外部或比此更外側。
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| CN102470660B (zh) * | 2009-07-27 | 2014-11-19 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 制造围阻层的方法和材料以及由其制成的器件 |
| EP2592172B1 (en) * | 2011-11-09 | 2017-03-15 | Essilor International (Compagnie Générale D'Optique) | Support for a liquid composition |
| KR102046440B1 (ko) | 2012-10-09 | 2019-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
| JP6105115B1 (ja) * | 2016-03-14 | 2017-03-29 | 株式会社東芝 | 処理装置及びコリメータ |
| WO2019233601A1 (en) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | Applied Materials, Inc. | Static evaporation source, vacuum processing chamber, and method of depositing material on a substrate |
| CN118374771B (zh) * | 2024-04-30 | 2024-09-24 | 江苏微迈思半导体科技有限公司 | 一种真空蒸镀用一体式蒸发源 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3930908A (en) * | 1974-09-30 | 1976-01-06 | Rca Corporation | Accurate control during vapor phase epitaxy |
| US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
| US5496408A (en) * | 1992-11-20 | 1996-03-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing compound semiconductor devices |
| US5656661A (en) * | 1994-07-27 | 1997-08-12 | The Procter & Gamble Company | Dihydrobenzofuran and related compounds useful as anti-inflammatory agents |
| US5816285A (en) * | 1996-08-12 | 1998-10-06 | Fujikin Incorporated | Pressure type flow rate control apparatus |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3325628A (en) * | 1966-02-16 | 1967-06-13 | Union Carbide Corp | Vapor generator |
| US3854443A (en) * | 1973-12-19 | 1974-12-17 | Intel Corp | Gas reactor for depositing thin films |
| US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
| JP3291161B2 (ja) * | 1995-06-12 | 2002-06-10 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置 |
| JP3736928B2 (ja) | 1997-03-11 | 2006-01-18 | 株式会社アルバック | 有機化合物容器、有機蒸発源、及び真空蒸着装置 |
| US6024799A (en) * | 1997-07-11 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition manifold |
| US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
| US6148761A (en) * | 1998-06-16 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Dual channel gas distribution plate |
| JP3839587B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2006-11-01 | 株式会社アルバック | 有機薄膜材料用容器、蒸着装置、有機薄膜の製造方法 |
| US20010047756A1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-12-06 | Bartholomew Lawrence Duane | Gas distribution system |
| US6565661B1 (en) * | 1999-06-04 | 2003-05-20 | Simplus Systems Corporation | High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method |
| JP4270693B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2009-06-03 | 浅田化学工業株式会社 | 鉄・アルミニウム複合凝集剤の製造方法 |
| DE10007059A1 (de) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung |
| US6444040B1 (en) * | 2000-05-05 | 2002-09-03 | Applied Materials Inc. | Gas distribution plate |
| US6995081B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming tantalum silicide layers |
| JP3802867B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2006-07-26 | 株式会社エイコー・エンジニアリング | 薄膜堆積用分子線源セル |
-
2004
- 2004-12-13 JP JP2004359650A patent/JP4560394B2/ja active Active
-
2005
- 2005-08-11 TW TW094127369A patent/TWI395828B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2005-10-06 KR KR1020050093875A patent/KR101204527B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3930908A (en) * | 1974-09-30 | 1976-01-06 | Rca Corporation | Accurate control during vapor phase epitaxy |
| US4980204A (en) * | 1987-11-27 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate |
| US5496408A (en) * | 1992-11-20 | 1996-03-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing compound semiconductor devices |
| US5656661A (en) * | 1994-07-27 | 1997-08-12 | The Procter & Gamble Company | Dihydrobenzofuran and related compounds useful as anti-inflammatory agents |
| US5816285A (en) * | 1996-08-12 | 1998-10-06 | Fujikin Incorporated | Pressure type flow rate control apparatus |
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| Publication number | Publication date |
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