TWI603507B - 混光式多晶片封裝結構 - Google Patents

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Description

混光式多晶片封裝結構
本發明涉及一種多晶片封裝結構，特別是涉及一種混光式多晶片封裝結構。
關於發光二極體(LED)與傳統光源的比較，發光二極體具有體積小、省電、發光效率佳、壽命長、操作反應速度快、且無熱輻射與水銀等有毒物質的污染等優點。因此近幾年來，發光二極體的應用面已極為廣泛。過去由於發光二極體的亮度還無法取代傳統的照明光源，但隨著技術領域的不斷提升，目前已研發出高照明輝度的高功率發光二極體，其足以取代傳統的照明光源。然而，習知發光二極體的封裝結構仍具有改進的空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種混光式多晶片封裝結構，以提升演色性以及亮度。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種混光式多晶片封裝結構，所述混光式多晶片封裝結構包括：一電路基板、一第一發光模組、一第一封裝膠體、一第二發光模組以及一第二封裝膠體。所述第一發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第一發光元件。所述第一封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋多個所述第一發光元件。所述第二發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第二發光元件，其中所述第一發光 模組以及所述第一封裝膠體被多個所述第二發光元件所圍繞。所述第二封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋所述第一發光模組、所述第二發光模組以及所述第一封裝膠體。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種混光式多晶片封裝結構，所述混光式多晶片封裝結構包括：一電路基板、一第一發光模組、一第一封裝膠體、一第二發光模組以及一第二封裝膠體。所述第一發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第一發光元件。所述第一封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋多個所述第一發光元件。所述第二發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第二發光元件，其中所述第一發光模組以及所述第一封裝膠體被多個所述第二發光元件所圍繞。所述第二封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋所述第二發光模組，其中所述第二封裝膠體圍繞所述第一封裝膠體且緊連所述第一封裝膠體。
本發明的有益效果在於，本發明實施例所提供的混光式多晶片封裝結構，其可通過“所述第二發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第二發光元件，其中所述第一發光模組以及所述第一封裝膠體被多個所述第二發光元件所圍繞”以及“所述第二封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋所述第一發光模組、所述第二發光模組以及所述第一封裝膠體”的設計，或者是通過“所述第二發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第二發光元件，其中所述第一發光模組以及所述第一封裝膠體被多個所述第二發光元件所圍繞”以及“所述第二封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋所述第二發光模組，其中所述第二封裝膠體圍繞所述第一封裝膠體且緊連所述第一封裝膠體”的設計，以有效提升混光式多晶片封裝結構整體的演色性以及亮度，甚至混光的均勻度也可提升。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所提供的附圖僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
Z‧‧‧多晶片封裝結構
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧第一發光模組
20‧‧‧第一發光元件
3‧‧‧第一封裝膠體
30‧‧‧第一弧形出光面
4‧‧‧第二發光模組
40‧‧‧第二發光元件
5‧‧‧第二封裝膠體
50‧‧‧第二弧形出光面
6‧‧‧第一反光膠體
60‧‧‧第一凸出部
P1‧‧‧第一塗佈起始點
P2‧‧‧第一塗佈終止點
7‧‧‧第二反光膠體
70‧‧‧第二凸出部
P3‧‧‧第二塗佈起始點
P4‧‧‧第二塗佈終止點
圖1為本發明第一實施例的混光式多晶片封裝結構沒有第一封裝膠體以及第二封裝膠體的俯視示意圖。
圖2為本發明第一實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖3為本發明第二實施例的混光式多晶片封裝結構沒有第一封裝膠體以及第二封裝膠體的俯視示意圖。
圖4為本發明第二實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖5為本發明第三實施例的混光式多晶片封裝結構沒有第一封裝膠體以及第二封裝膠體的俯視示意圖。
圖6為本發明第三實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖7為本發明第四實施例的混光式多晶片封裝結構沒有第一封裝膠體以及第二封裝膠體的俯視示意圖。
圖8為本發明第四實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖9為本發明第五實施例的混光式多晶片封裝結構的俯視示意圖。
圖10為本發明第五實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖11為本發明第六實施例的混光式多晶片封裝結構的俯視示意圖。
圖12為本發明第六實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖13為本發明第七實施例的混光式多晶片封裝結構的俯視示意圖。
圖14為本發明第七實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
圖15為本發明第八實施例的混光式多晶片封裝結構的俯視示意圖。
圖16為本發明第八實施例的混光式多晶片封裝結構的剖面示意圖。
以下是通過特定的具體實例來說明本發明所公開有關“混光式多晶片封裝結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與功效。本發明可通過其他不同 的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，先予敘明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的技術範疇。
[第一實施例]
請參閱圖1以及圖2所示，本發明第一實施例提供一種混光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。
更進一步來說，第一發光模組2包括多個設置在電路基板1上且電性連接於電路基板的第一發光元件20。第一封裝膠體3設置在電路基板1上以覆蓋多個第一發光元件20，並且第一封裝膠體3不需使用任何的反光膠體就可以被限位在一預定位置上。第二發光模組4包括多個設置在電路基板1上且電性連接於電路基板1的第二發光元件40，並且第一發光模組2以及第一封裝膠體3被多個第二發光元件40所圍繞。第二封裝膠體5設置在電路基板1上以覆蓋第一發光模組2、第二發光模組4以及第一封裝膠體3，並且第二封裝膠體5不需使用任何的反光膠體就可以被限位在一預定位置上。
舉例來說，每一個第一發光元件20可為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片(例如藍色或紅色LED chip)，每一個第二發光元件40可為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片(例如藍色或紅色LED chip)，並且第一發光元件20所產生的第一預定顏色光束與第二發光元件40所產生的第二預定顏色光束可以是相同或者是相異。另外，第一封裝膠體3具有一直接接觸電路基板1的第一弧形出光面30，第二封裝膠體5具有一直接接觸電路基板1的第二弧形出光面50，並 且第一封裝膠體3以及第二封裝膠體5都可為矽膠或者是環氧樹脂。
[第二實施例]
請參閱圖3以及圖4所示，本發明第二實施例提供一種混光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。由圖3與圖1，以及圖4與圖2的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：第二實施例的混光式多晶片封裝結構Z還進一步包括一第一反光膠體6，並且第一反光膠體6以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2。
更進一步來說，第一封裝膠體3的所在位置或邊界會被第一反光膠體6所限制，並且第一反光膠體6會被多個第二發光元件40所圍繞。另外，第一封裝膠體3具有一接觸第一反光膠體6而與電路基板1彼此分離的第一弧形出光面30，並且第二封裝膠體5具有一接觸電路基板1的第二弧形出光面50。
舉例來說，第一反光膠體6會從一第一塗佈起始點P1延伸至一與第一塗佈起始點P1大致上相互重疊的第一塗佈終止點P2，並且第一反光膠體6具有一位於第一塗佈終止點P2上的第一凸出部60或者是第一凹陷部(圖未示)。另外，第一反光膠體6可為一種觸變指數(thixotropic index)介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白色熱固化反光框體。
[第三實施例]
請參閱圖5以及圖6所示，本發明第三實施例提供一種混光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。由圖5與圖1，以及圖6與圖2的比較可知，本發明第三實施例與第一實施例最大的差別在於：第三實施 例的混光式多晶片封裝結構Z還進一步包括一第二反光膠體7，並且第二反光膠體7以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2以及第二發光模組4。
更進一步來說，第二封裝膠體5的所在位置或邊界會被第二反光膠體7所限制。另外，第一封裝膠體3具有一接觸電路基板1的第一弧形出光面30，並且第二封裝膠體5具有一接觸第二反光膠體7而與電路基板1彼此分離的第二弧形出光面50。
舉例來說，第二反光膠體7會從一第二塗佈起始點P3延伸至一與第二塗佈起始點P3大致上相互重疊的第二塗佈終止點P4，並且第二反光膠體7具有一位於第二塗佈終止點P4上的第二凸出部70或者是第二凹陷部(圖未示)。另外，第二反光膠體7可為一種觸變指數介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白色熱固化反光框體。
[第四實施例]
請參閱圖7以及圖8所示，本發明第四實施例提供一種混光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。由圖7與圖1，以及圖8與圖2的比較可知，本發明第四實施例與第一實施例最大的差別在於：第四實施例的混光式多晶片封裝結構Z還進一步包括一第一反光膠體6以及一第二反光膠體7，其中第一反光膠體6以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2，並且第二反光膠體7以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2以及第二發光模組4。
更進一步來說，第一封裝膠體3的所在位置或邊界會被第一反光膠體6所限制，第一反光膠體6會被多個第二發光元件40所圍繞，並且第二封裝膠體5的所在位置或邊界會被第二反光膠體7所限制。另外，第一封裝膠體3具有一接觸第一反光膠體6而與 電路基板1彼此分離的第一弧形出光面30，並且第二封裝膠體5具有一接觸第二反光膠體7而與電路基板1彼此分離的第二弧形出光面50。
舉例來說，第一反光膠體6會從一第一塗佈起始點P1延伸至一與第一塗佈起始點P1大致上相互重疊的第一塗佈終止點P2，並且第一反光膠體6具有一位於第一塗佈終止點P2上的第一凸出部60或者是第一凹陷部(圖未示)。另外，第一反光膠體6可為一種觸變指數介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白色熱固化反光框體。
再舉例來說，第二反光膠體7會從一第二塗佈起始點P3延伸至一與第二塗佈起始點P3大致上相互重疊的第二塗佈終止點P4，並且第二反光膠體7具有一位於第二塗佈終止點P4上的第二凸出部70或者是第二凹陷部(圖未示)。另外，第二反光膠體7可為一種觸變指數介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白色熱固化反光框體。
[第五實施例]
請參閱圖9以及圖10所示，本發明第五實施例提供一種混光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。
更進一步來說，第一發光模組2包括多個設置在電路基板1上且電性連接於電路基板1的第一發光元件20。第一封裝膠體3設置在電路基板1上以覆蓋多個第一發光元件20，並且第一封裝膠體3不需使用任何的反光膠體就可以被限位在一預定位置上。第二發光模組4包括多個設置在電路基板1上且電性連接於電路基板1的第二發光元件40，並且第一發光模組2以及第一封裝膠體3被多個第二發光元件40所圍繞。第二封裝膠體5設置在電路基板1上以覆蓋第二發光模組4，其中第二封裝膠體5圍繞第一封 裝膠體3且緊連第一封裝膠體3，並且第二封裝膠體5不需使用任何的反光膠體就可以被限位在一預定位置上。
舉例來說，每一個第一發光元件20可為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片(例如藍色或紅色LED chip)，每一個第二發光元件40可為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片(例如藍色或紅色LED chip)，並且第一發光元件20所產生的第一預定顏色光束與第二發光元件40所產生的第二預定顏色光束可以是相同或者是相異。另外，第一封裝膠體3具有一接觸電路基板1的第一弧形出光面30，第二封裝膠體5具有一接觸電路基板1以及第一封裝膠體3的第二弧形出光面50(也就是說，第二弧形出光面50會環繞地連接第一封裝膠體3)，並且第一封裝膠體3以及第二封裝膠體5都可為矽膠或者是環氧樹脂。
[第六實施例]
請參閱圖11以及圖12所示，本發明第六實施例提供一種混光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。由圖11與圖9，以及圖12與圖10的比較可知，本發明第六實施例與第五實施例最大的差別在於：第六實施例的混光式多晶片封裝結構Z還進一步包括一第一反光膠體6，並且第一反光膠體6以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2。
更進一步來說，第一封裝膠體3的所在位置或邊界會被第一反光膠體6所限制，並且第一反光膠體6會被多個第二發光元件40所圍繞。另外，第一封裝膠體3具有一接觸第一反光膠體6而與電路基板1彼此分離的第一弧形出光面30，並且第二封裝膠體5具有一接觸電路基板1以及第一反光膠體6的第二弧形出光面50(也就是說，第二弧形出光面50會環繞地連接第一反光膠體6)。
舉例來說，第一反光膠體6會從一第一塗佈起始點P1延伸至一與第一塗佈起始點P1大致上相互重疊的第一塗佈終止點P2，並且第一反光膠體6具有一位於第一塗佈終止點P2上的第一凸出部60或者是第一凹陷部(圖未示)。另外，第一反光膠體6可為一種觸變指數介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白色熱固化反光框體。
[第七實施例]
請參閱圖13以及圖14所示，本發明第七實施例提供一種混光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。由圖13與圖9，以及圖14與圖10的比較可知，本發明第七實施例與第五實施例最大的差別在於：第七實施例的混光式多晶片封裝結構Z還進一步包括一第二反光膠體7，並且第二反光膠體7以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2以及第二發光模組4。
更進一步來說，第二封裝膠體5的所在位置或邊界會被第二反光膠體7所限制。另外，第一封裝膠體3具有一接觸電路基板1的第一弧形出光面30，並且第二封裝膠體5具有一接觸第一封裝膠體3以及第二反光膠體7的第二弧形出光面50(也就是說，第二弧形出光面50會環繞地連接第一封裝膠體3)。
舉例來說，第二反光膠體7會從一第二塗佈起始點P3延伸至一與第二塗佈起始點P3大致上相互重疊的第二塗佈終止點P4，並且第二反光膠體7具有一位於第二塗佈終止點P4上的第二凸出部70或者是第二凹陷部(圖未示)。另外，第二反光膠體7可為一種觸變指數介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白色熱固化反光框體。
[第八實施例]
請參閱圖15以及圖16所示，本發明第八實施例提供一種混 光式多晶片封裝結構Z。混光式多晶片封裝結構Z包括：一電路基板1、一第一發光模組2、一第一封裝膠體3、一第二發光模組4以及一第二封裝膠體5。由圖15與圖9，以及圖16與圖10的比較可知，本發明第八實施例與第五實施例最大的差別在於：第八實施例的混光式多晶片封裝結構Z還進一步包括一第一反光膠體6以及一第二反光膠體7，其中第一反光膠體6以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2，並且第二反光膠體7以塗佈方式環繞地設置在電路基板1上以圍繞第一發光模組2以及第二發光模組4。
更進一步來說，第一封裝膠體3的所在位置或邊界會被第一反光膠體6所限制，第一反光膠體6會被多個第二發光元件40所圍繞，並且第二封裝膠體5的所在位置或邊界會被第二反光膠體7所限制。另外，第一封裝膠體3具有一接觸第一反光膠體6而與電路基板1彼此分離的第一弧形出光面30，並且第二封裝膠體5具有一接觸第一反光膠體6以及第二反光膠體7的第一弧形出光面30(也就是說，第二弧形出光面50會環繞地連接第一反光膠體6)。
舉例來說，第一反光膠體6會從一第一塗佈起始點P1延伸至一與第一塗佈起始點P1大致上相互重疊的第一塗佈終止點P2，並且第一反光膠體6具有一位於第一塗佈終止點P2上的第一凸出部60或者是第一凹陷部(圖未示)。另外，第一反光膠體6可為一種觸變指數介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白色熱固化反光框體。
再舉例來說，第二反光膠體7會從一第二塗佈起始點P3延伸至一與第二塗佈起始點P3大致上相互重疊的第二塗佈終止點P4，並且第二反光膠體7具有一位於第二塗佈終止點P4上的第二凸出部70或者是第二凹陷部(圖未示)。另外，第二反光膠體7可為一種觸變指數介於4~6之間且內部混有多個無機添加顆粒的白 色熱固化反光框體。
[實施例的有益效果]
綜上所述，本發明的有益效果可以在於，本發明實施例所提供的混光式多晶片封裝結構Z，其可通過“第二發光模組4包括多個設置在電路基板1上且電性連接於電路基板1的第二發光元件40，其中第一發光模組2以及第一封裝膠體3被多個第二發光元件40所圍繞”以及“第二封裝膠體5設置在電路基板1上以覆蓋第一發光模組2、第二發光模組4以及第一封裝膠體3”的設計，或者是通過“第二發光模組4包括多個設置在電路基板1上且電性連接於電路基板1的第二發光元件40，其中第一發光模組2以及第一封裝膠體3被多個第二發光元件40所圍繞”以及“第二封裝膠體5設置在電路基板1上以覆蓋第二發光模組4，其中第二封裝膠體5圍繞第一封裝膠體3且緊連第一封裝膠體3”的設計，以有效提升混光式多晶片封裝結構Z整體的演色性以及亮度，甚至混光的均勻度也可提升。
以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及附圖內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。
Z‧‧‧多晶片封裝結構
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧第一發光模組
20‧‧‧第一發光元件
3‧‧‧第一封裝膠體
30‧‧‧第一弧形出光面
4‧‧‧第二發光模組
40‧‧‧第二發光元件
5‧‧‧第二封裝膠體
50‧‧‧第二弧形出光面
7‧‧‧第二反光膠體

Claims (10)

  1. 一種混光式多晶片封裝結構，所述混光式多晶片封裝結構包括：一電路基板；一第一發光模組，所述第一發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第一發光元件；一第一封裝膠體，所述第一封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋多個所述第一發光元件；一第二發光模組，所述第二發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第二發光元件，其中所述第一發光模組以及所述第一封裝膠體被多個所述第二發光元件所圍繞；以及一第二封裝膠體，所述第二封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋所述第一發光模組、所述第二發光模組以及所述第一封裝膠體。
  2. 如請求項1所述的混光式多晶片封裝結構，其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異，其中所述第一封裝膠體具有一接觸所述電路基板的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述電路基板的第二弧形出光面。
  3. 如請求項1所述的混光式多晶片封裝結構，還進一步包括：一第一反光膠體，所述第一反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組；其中，所述第一封裝膠體的所在位置被所述第一反光膠體所限 制，且所述第一反光膠體被多個所述第二發光元件所圍繞；其中，所述第一反光膠體從一第一塗佈起始點延伸至一與所述第一塗佈起始點相互重疊的第一塗佈終止點，且所述第一反光膠體具有一位於所述第一塗佈終止點上的第一凸出部；其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異；其中，所述第一封裝膠體具有一接觸所述第一反光膠體而與所述電路基板彼此分離的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述電路基板的第二弧形出光面。
  4. 如請求項1所述的混光式多晶片封裝結構，還進一步包括：一第二反光膠體，所述第二反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組以及所述第二發光模組；其中，所述第二封裝膠體的所在位置被所述第二反光膠體所限制；其中，所述第二反光膠體從一第二塗佈起始點延伸至一與所述第二塗佈起始點相互重疊的第二塗佈終止點，且所述第二反光膠體具有一位於所述第二塗佈終止點上的第二凸出部；其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異； 其中，所述第一封裝膠體具有一接觸所述電路基板的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述第二反光膠體而與所述電路基板彼此分離的第二弧形出光面。
  5. 如請求項1所述的混光式多晶片封裝結構，還進一步包括：一第一反光膠體，所述第一反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組；以及一第二反光膠體，所述第二反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組以及所述第二發光模組；其中，所述第一封裝膠體的所在位置被所述第一反光膠體所限制，所述第一反光膠體被多個所述第二發光元件所圍繞，且所述第二封裝膠體的所在位置被所述第二反光膠體所限制；其中，所述第一反光膠體從一第一塗佈起始點延伸至一與所述第一塗佈起始點相互重疊的第一塗佈終止點，且所述第一反光膠體具有一位於所述第一塗佈終止點上的第一凸出部；其中，所述第二反光膠體從一第二塗佈起始點延伸至一與所述第二塗佈起始點相互重疊的第二塗佈終止點，且所述第二反光膠體具有一位於所述第二塗佈終止點上的第二凸出部；其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異；其中，所述第一封裝膠體具有一接觸所述第一反光膠體而與所述電路基板彼此分離的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述第二反光膠體而與所述電路基板彼此分離的第二弧形出光面。
  6. 一種混光式多晶片封裝結構，所述混光式多晶片封裝結構包括：一電路基板；一第一發光模組，所述第一發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第一發光元件；一第一封裝膠體，所述第一封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋多個所述第一發光元件；一第二發光模組，所述第二發光模組包括多個設置在所述電路基板上且電性連接於所述電路基板的第二發光元件，其中所述第一發光模組以及所述第一封裝膠體被多個所述第二發光元件所圍繞；以及一第二封裝膠體，所述第二封裝膠體設置在所述電路基板上以覆蓋所述第二發光模組，其中所述第二封裝膠體圍繞所述第一封裝膠體且緊連所述第一封裝膠體。
  7. 如請求項6所述的混光式多晶片封裝結構，其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異，其中所述第一封裝膠體具有一接觸所述電路基板的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述電路基板以及所述第一封裝膠體的第二弧形出光面。
  8. 如請求項6所述的混光式多晶片封裝結構，還進一步包括：一第一反光膠體，所述第一反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組；其中，所述第一封裝膠體的所在位置被所述第一反光膠體所限制，且所述第一反光膠體被多個所述第二發光元件所圍繞； 其中，所述第一反光膠體從一第一塗佈起始點延伸至一與所述第一塗佈起始點相互重疊的第一塗佈終止點，且所述第一反光膠體具有一位於所述第一塗佈終止點上的第一凸出部；其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異；其中，所述第一封裝膠體具有一接觸所述第一反光膠體而與所述電路基板彼此分離的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述電路基板以及第一反光膠體的第二弧形出光面。
  9. 如請求項6所述的混光式多晶片封裝結構，還進一步包括：一第二反光膠體，所述第二反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組以及所述第二發光模組；其中，所述第二封裝膠體的所在位置被所述第二反光膠體所限制；其中，所述第二反光膠體從一第二塗佈起始點延伸至一與所述第二塗佈起始點相互重疊的第二塗佈終止點，且所述第二反光膠體具有一位於所述第二塗佈終止點上的第二凸出部；其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異； 其中，所述第一封裝膠體具有一接觸所述電路基板的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述第一封裝膠體以及所述第二反光膠體的第二弧形出光面。
  10. 如請求項6所述的混光式多晶片封裝結構，還進一步包括：一第一反光膠體，所述第一反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組；以及一第二反光膠體，所述第二反光膠體以塗佈方式環繞地設置在所述電路基板上以圍繞所述第一發光模組以及所述第二發光模組；其中，所述第一封裝膠體的所在位置被所述第一反光膠體所限制，所述第一反光膠體被多個所述第二發光元件所圍繞，且所述第二封裝膠體的所在位置被所述第二反光膠體所限制；其中，所述第一反光膠體從一第一塗佈起始點延伸至一與所述第一塗佈起始點相互重疊的第一塗佈終止點，且所述第一反光膠體具有一位於所述第一塗佈終止點上的第一凸出部；其中，所述第二反光膠體從一第二塗佈起始點延伸至一與所述第二塗佈起始點相互重疊的第二塗佈終止點，且所述第二反光膠體具有一位於所述第二塗佈終止點上的第二凸出部；其中，每一個所述第一發光元件為一用於產生一第一預定顏色光束的第一發光二極體裸晶片，每一個所述第二發光元件為一用於產生一第二預定顏色光束的第二發光二極體裸晶片，且所述第一發光元件所產生的所述第一預定顏色光束與所述第二發光元件所產生的所述第二預定顏色光束相同或相異；其中，所述第一封裝膠體具有一接觸所述第一反光膠體而與所述電路基板彼此分離的第一弧形出光面，且所述第二封裝膠體具有一接觸所述第一反光膠體以及所述第二反光膠體的第一弧形出光面。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102406913B1 (ko) * 2017-03-27 2022-06-10 서울반도체 주식회사 발광 모듈
CN109616011B (zh) * 2018-12-28 2020-10-13 武汉华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200947665A (en) * 2008-05-02 2009-11-16 Asda Technology Co Ltd High color rendering light-emitting diodes
TW201108390A (en) * 2009-08-26 2011-03-01 Paragon Sc Lighting Tech Co Quasioptical LED package structure for increasing color render index and brightness
TWM420852U (en) * 2011-07-25 2012-01-11 Syratek Corp COB surface light source module with high color rendering property
TW201225741A (en) * 2010-08-13 2012-06-16 Bridgelux Inc Drive circuit for a color temperature tunable LED light source

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014091655A1 (ja) * 2012-12-13 2014-06-19 パナソニック株式会社 発光装置、照明用光源及び照明装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200947665A (en) * 2008-05-02 2009-11-16 Asda Technology Co Ltd High color rendering light-emitting diodes
TW201108390A (en) * 2009-08-26 2011-03-01 Paragon Sc Lighting Tech Co Quasioptical LED package structure for increasing color render index and brightness
TW201225741A (en) * 2010-08-13 2012-06-16 Bridgelux Inc Drive circuit for a color temperature tunable LED light source
TWM420852U (en) * 2011-07-25 2012-01-11 Syratek Corp COB surface light source module with high color rendering property

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