DE202016102491U1 - Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung - Google Patents

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Abstract

Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung, aufweisend: ein Schaltungssubstrat (1); ein erstes Leuchtmodul (2), das eine Mehrzahl von ersten Leuchtelementen (20) aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat (1) befinden und elektrisch mit diesem verbunden sind; ein erstes Einkapselungskolloid (3), das auf dem Schaltungssubstrat (1) angeordnet ist und der Überdeckung der ersten Leuchtelemente (20) dient; ein zweites Leuchtmodul (4), das eine Mehrzahl von zweiten Leuchtelementen (40) aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat (1) befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat (1) verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul (2) und das erste Einkapselungskolloid (3) von den zweiten Leuchtelementen (40) umschlossen sind; und ein zweites Einkapselungskolloid (5), das auf dem Schaltungssubstrat (1) angeordnet ist und der Überdeckung des ersten Leuchtmoduls (2), des zweiten Leuchtmoduls (4) und des ersten Einkapselungskolloids (3) dient.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Multichip-Gehäuseanordnung, insbesondere eine Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Im Vergleich der Leuchtdiode (LED) mit der herkömmlichen Lichtquelle weist die Leuchtdiode (LED) Vorteile der geringen Abmessungen, des geringen Stromverbrauchs, der hohen Lichtausbeute, der langen Lebensdauer, der schnellen Betriebsreaktion und der Verwendung von wärmestrahlungs- und quecksilberfreien Substanzen usw. auf. In den letzten Jahren ist daher die Anwendung der Leuchtdiode (LED) sehr umfangreich. Vor kurzem konnte die Helligkeit der Leuchtdiode noch nicht die der herkömmlichen Lichtquelle übersteigen. Mit der ständigen Verbesserung der Technik ist die Hochleistungsleuchtdiode hoher Helligkeit entwickelt worden, die fähig ist, die traditionelle Beleuchtung zu ersetzen. Jedoch ist die Gehäuseanordnung der herkömmlichen Leuchtdiode (LED) noch zu verbessern.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung zu schaffen, durch die die Farbwiedergabe und die Helligkeit verbessert werden.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung, die die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale aufweist. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
  • Gemäß der Erfindung wird eine Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung bereitgestellt, die Folgendes aufweist:
    ein Schaltungssubstrat;
    ein erstes Leuchtmodul, das eine Mehrzahl von ersten Leuchtelementen aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat (1) befinden und elektrisch mit diesem verbunden sind;
    ein erstes Einkapselungskolloid, das auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist und der Überdeckung der ersten Leuchtelemente dient;
    ein zweites Leuchtmodul, das eine Mehrzahl von zweiten Leuchtelementen aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul und das erste Einkapselungskolloid von den zweiten Leuchtelementen umschlossen sind; und
    ein zweites Einkapselungskolloid, das auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist und der Überdeckung des ersten Leuchtmoduls, des zweiten Leuchtmoduls und des ersten Einkapselungskolloids dient.
  • Gemäß der Erfindung wird ferner eine Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung bereitgestellt, die Folgendes aufweist:
    Eine Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung, aufweisend:
    ein Schaltungssubstrat;
    ein erstes Leuchtmodul, das eine Mehrzahl von ersten Leuchtelementen aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat befinden und elektrisch mit diesem verbunden sind;
    ein erstes Einkapselungskolloid, das auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist und der Überdeckung der ersten Leuchtelemente dient;
    ein zweites Leuchtmodul, das eine Mehrzahl von zweiten Leuchtelementen aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul und das erste Einkapselungskolloid von den zweiten Leuchtelementen umschlossen sind; und
    ein zweites Einkapselungskolloid, das auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist und der Überdeckung des zweiten Leuchtmoduls dient, wobei das zweite Einkapselungskolloid das erste Einkapselungskolloid umschließt und an das erste Einkapselungskolloid angrenzt.
  • Zusammengefasst lassen sich mit der erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung beispielsweise folgende Vorteile realisieren:
    Dadurch,
    • – dass das zweite Leuchtmodul mehrere zweite Leuchtelemente aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul und das erste Einkapselungskolloid von den zweiten Leuchtelementen umschlossen sind; und
    • – dass das zweite Einkapselungskolloid auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist und der Überdeckung des ersten Leuchtmoduls, des zweiten Leuchtmoduls und des ersten Einkapselungskolloids dient,
    oder dadurch
    • – dass das zweite Leuchtmodul mehrere zweite Leuchtelemente aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul und das erste Einkapselungskolloid von den zweiten Leuchtelementen umschlossen sind; und
    • – dass das zweite Einkapselungskolloid auf dem Schaltungssubstrat angeordnet ist und der Überdeckung des zweiten Leuchtmoduls dient, wobei das zweite Einkapselungskolloid das erste Einkapselungskolloid umschließt und an diesen angrenzt,
    können die Farbwiedergabe, die Helligkeit und sogar die Mischlicht-Homogenität verbessert werden.
  • Im Folgenden werden die Erfindung und ihre Ausgestaltungen anhand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt:
  • 1 eine Draufsicht auf ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung ohne erstes Einkapselungskolloid und zweites Einkapselungskolloid;
  • 2 einen Schnitt durch das erste Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 3 eine Draufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung ohne erstes Einkapselungskolloid und zweites Einkapselungskolloid;
  • 4 einen Schnitt durch das zweite Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 5 eine Draufsicht auf ein drittes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung ohne erstes Einkapselungskolloid und zweites Einkapselungskolloid;
  • 6 einen Schnitt durch das dritte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 7 eine Draufsicht auf ein viertes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung ohne erstes Einkapselungskolloid und zweites Einkapselungskolloid;
  • 8 einen Schnitt durch das vierte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 9 eine Draufsicht auf ein fünftes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 10 einen Schnitt durch das fünfte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 11 eine Draufsicht auf ein sechstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 12 einen Schnitt durch das sechste Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 13 eine Draufsicht auf ein siebtes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 14 einen Schnitt durch das siebte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • 15 eine Draufsicht auf ein achtes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung und
  • 16 einen Schnitt durch das achte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung;
  • Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand eines konkreten, bevorzugten Ausführungsbeispieles detailliert beschrieben. Zu erwähnen ist jedoch, dass Bestandteile der vorliegenden Erfindung, die in diesem Ausführungsbeispiel erwähnt werden, nicht ganz genau nach ihrem Maßstab, ihren Abmessungen, Variablen und Verschiebungswegen beschrieben, sondern nur schematisch dargestellt sind.
  • [Erstes Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 1 und 2 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf.
  • Das erste Leuchtmodul 2 weist eine Mehrzahl von ersten Leuchtelementen 20 auf, die sich auf dem Schaltungssubstrat 1 befinden und elektrisch mit diesem verbunden sind. Das erste Einkapselungskolloid 3 ist auf dem Schaltungssubstrat 1 angeordnet und dient der Überdeckung der ersten Leuchtelemente 20. Das erste Einkapselungskolloid 3 ist auf eine vorgegebene Position begrenzbar, ohne ein Lichtreflexionskolloid zu verwenden. Das zweite Leuchtmodul 4 weist eine Mehrzahl von zweiten Leuchtelementen 40 auf, die sich auf dem Schaltungssubstrat 1 befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat 1 verbunden sind. Das erste Leuchtmodul 2 und das erste Einkapselungskolloid 3 sind von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen. Das zweite Einkapselungskolloid 5 ist auf dem Schaltungssubstrat 1 angeordnet und dient der Überdeckung des ersten Leuchtmoduls 2, des zweiten Leuchtmoduls 4 und des ersten Einkapselungskolloids 3. Das zweite Einkapselungskolloid 5 ist auf eine vorgegebene Position begrenzbar, ohne ein Lichtreflexionskolloid zu verwenden.
  • Zum Beispiel handelt es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente 20 um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls. Beim Farbstrahl handelt es sich um einen blauen oder einen roten Lichtstrahl, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente 40 um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt. Beim Farbstrahl geht es um einen blauen oder einen roten Lichtstrahl. Die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen 20, 40 erzeugten Farbstrahlen sind gleich oder ungleich. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die unmittelbar mit dem Schaltungssubstrat 1 in Berührung kommt. Ebenfalls weist das zweite Einkapselungskolloid 5 eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, die unmittelbar mit dem Schaltungssubstrat 1 in Berührung kommt. Das erste und das zweite Einkapselungskolloid 3 sind aus Silikon oder Epoxidharz hergestellt.
  • [Zweites Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 3 und 4 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf. Das zweite Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung gemäß 3 und 4 ist vom Grundsatz her das gleiche Ausführungsbeispiel wie das erste Ausführungsbeispiel gemäß 1 und 2, jedoch mit dem Unterschied, dass die Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel ferner ein erstes Lichtreflexionskolloid 6 aufweist, das auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 umschlossen ist.
  • Das erste Einkapselungskolloid 3 ist lage- oder randmäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid 6 begrenzt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid 6 von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen ist. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat 1 getrennt ist. Das zweite Einkapselungskolloid 5 weist eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, die mit dem Schaltungssubstrat 1 in Berührung kommt.
  • Zum Beispiel erstreckt sich das erste Lichtreflexionskolloid 6 ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 im Wesentlichen in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt P2. Das erste Lichtreflexionskolloid 6 weist einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt P2 angeordneten, ersten Fortsatz 60 oder eine erste Aussparung [nicht gezeigt] auf. Beim ersten Lichtreflexionskolloid 6 handelt es sich um ein weißes, wärmehärtbares reflektierendes Gehäuse, dessen Thixotropiezahl im Bereich von 4 bis 6 liegt und welchem anorganische Teilchen hinzugefügt werden.
  • [Drittes Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 5 und 6 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf. Das dritte Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung gemäß 5 und 6 ist vom Grundsatz her das gleiche Ausführungsbeispiel wie das erste Ausführungsbeispiel gemäß 1 und 2, jedoch mit dem Unterschied, dass die Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel ferner ein zweites Lichtreflexionskolloid 7 aufweist, das auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 und das zweite Leuchtmodul 4 umschlossen sind.
  • Das zweite Einkapselungskolloid 5 ist lage- oder randmäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid 7 begrenzt. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die mit dem Schaltungssubstrat 1 in Berührung kommt, wobei das zweite Einkapselungskolloid 5 eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, die mit dem zweiten Lichtreflexionskolloid 7 in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat 1 getrennt ist.
  • Zum Beispiel erstreckt sich das zweite Lichtreflexionskolloid 7 ausgehend von einem zweiten Beschichtungsausgangspunkt P3 bis zu einem mit dem zweiten Beschichtungsausgangspunkt P3 im Wesentlichen in Berührung kommenden, zweiten Beschichtungsendpunkt P4. Das zweite Lichtreflexionskolloid 7 weist einen auf dem zweiten Beschichtungsendpunkt P4 angeordneten, zweiten Fortsatz 70 oder eine zweite Aussparung [nicht gezeigt] auf. Beim zweiten Lichtreflexionskolloid 7 handelt es sich um ein weißes, wärmehärtbares reflektierendes Gehäuse, dessen Thixotropiezahl im Bereich von 4 bis 6 liegt und welchem anorganische Teilchen hinzugefügt werden.
  • [Viertes Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 7 und 8 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf. Das vierte Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung gemäß 7 und 8 ist vom Grundsatz her das gleiche Ausführungsbeispiel wie das erste Ausführungsbeispiel gemäß 1 und 2, jedoch mit dem Unterschied, dass die Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ferner ein erstes Lichtreflexionskolloid 6 und ein zweites Lichtreflexionskolloid 7 aufweist, wobei das erste Lichtreflexionskolloid 6 auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 umschlossen ist, während das zweite Lichtreflexionskolloid 7 auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 und das zweite Leuchtmodul 4 umschlossen sind.
  • Das erste Einkapselungskolloid 3 ist lage- oder randmäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid 6 begrenzt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid 6 von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen ist. Außerdem ist das zweite Einkapselungskolloid 5 lage- oder randmäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid 7 begrenzt. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat 1 getrennt ist. Das zweite Einkapselungskolloid 5 weist eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, mit dem zweiten Lichtreflexionskolloid 7 in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat 1 getrennt ist.
  • Zum Beispiel erstreckt sich das erste Lichtreflexionskolloid 6 ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 im Wesentlichen in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt P2. Das erste Lichtreflexionskolloid 6 weist einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt P2 angeordneten, ersten Fortsatz 60 oder eine zweite Aussparung [nicht gezeigt] auf. Beim ersten Lichtreflexionskolloid 6 handelt es sich um ein weißes, wärmehärtbares reflektierendes Gehäuse, dessen Thixotropiezahl im Bereich von 4 bis 6 liegt und welchem anorganische Teilchen hinzugefügt werden.
  • [Fünftes Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 9 und 10 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem fünften Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf.
  • Das erste Leuchtmodul 2 weist eine Mehrzahl von ersten Leuchtelementen 20 auf, die sich auf dem Schaltungssubstrat 1 befinden und elektrisch mit diesem verbunden sind. Das erste Einkapselungskolloid 3 ist auf dem Schaltungssubstrat 1 angeordnet und dient der Überdeckung der ersten Leuchtelemente 20. Das erste Einkapselungskolloid 3 ist auf eine vorgegebene Position begrenzbar, ohne Lichtreflexionskolloid zu verwenden. Das zweite Leuchtmodul 4 weist eine Mehrzahl von zweiten Leuchtelementen 40 auf, die sich auf dem Schaltungssubstrat 1 befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat 1 verbunden sind. Das erste Leuchtmodul 2 und das erste Einkapselungskolloid 3 sind von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen. Das zweite Einkapselungskolloid 5 ist auf dem Schaltungssubstrat 1 angeordnet und dient der Überdeckung des zweiten Leuchtmoduls 4. Das zweite Einkapselungskolloid 5 umschließt das erste Einkapselungskolloid 3 und grenzt an dieses an. Das zweite Einkapselungskolloid 5 ist auf eine vorgegebene Position begrenzbar, ohne Lichtreflexionskolloid zu verwenden.
  • Zum Beispiel handelt es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente 20 um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls. Beim Farbstrahl handelt es sich um einen blauen oder einen roten Lichtstrahl, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente 40 um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt. Beim Farbstrahl geht es um einen blauen oder einen roten Lichtstrahl. Die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen 20, 40 erzeugten Farbstrahlen sind gleich oder ungleich. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die mit dem Schaltungssubstrat 1 in Berührung kommt. Ebenfalls weist das zweite Einkapselungskolloid 5 eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, die mit dem Schaltungssubstrat 1 und dem ersten Einkapselungskolloid 3 in Berührung kommt. Das heißt, die zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 in umschließender Weise mit dem ersten Einkapselungskolloid 3 verbunden. Das erste und das zweite Einkapselungskolloid 3, 5 sind aus Silikon oder Epoxidharz hergestellt.
  • [Sechstes Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 11 und 12 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf. Das sechste Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung gemäß 11 und 12 ist vom Grundsatz her das gleiche Ausführungsbeispiel wie das fünfte Ausführungsbeispiel gemäß 9 und 10, jedoch mit dem Unterschied, dass die Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem sechsten Ausführungsbeispiel ferner ein erstes Lichtreflexionskolloid 6 aufweist, das auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 umschlossen ist.
  • Das erste Einkapselungskolloid 3 ist lage- oder randmäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid 6 begrenzt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid 6 von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen ist. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat 1 getrennt ist. Das zweite Einkapselungskolloid 5 weist eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, die mit dem Schaltungssubstrat 1 und dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 in Berührung kommt. Das heißt, die zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 ist in umschließender Weise mit dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 verbunden.
  • Zum Beispiel erstreckt sich das erste Lichtreflexionskolloid 6 ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 im Wesentlichen in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt P2. Das erste Lichtreflexionskolloid 6 weist einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt P2 angeordneten, ersten Fortsatz 60 oder eine erste Aussparung [nicht gezeigt] auf. Beim ersten Lichtreflexionskolloid 6 handelt es sich um ein weißes, wärmehärtbares reflektierendes Gehäuse, dessen Thixotropiezahl im Bereich von 4 bis 6 liegt und welchem anorganische Teilchen hinzugefügt werden.
  • [Siebtes Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 13 und 14 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf. Das siebte Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung gemäß 13 und 14 ist vom Grundsatz her das gleiche Ausführungsbeispiel wie das erste Ausführungsbeispiel gemäß 9 und 10, jedoch mit dem Unterschied, dass die Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem siebten Ausführungsbeispiel ferner ein zweites Lichtreflexionskolloid 7 aufweist, das auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 und das zweite Leuchtmodul 4 umschlossen sind.
  • Das zweite Einkapselungskolloid 5 ist lage- oder randmäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid 7 begrenzt. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die mit dem Schaltungssubstrat 1 in Berührung kommt, wobei das zweite Einkapselungskolloid 5 eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, die mit dem ersten Einkapselungskolloid 3 und dem zweiten Lichtreflexionskolloid 7 in Berührung kommt. Das heißt, die zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 ist in umschließender Weise mit dem ersten Einkapselungskolloid 3 verbunden.
  • Zum Beispiel erstreckt sich das zweite Lichtreflexionskolloid 7 ausgehend von einem zweiten Beschichtungsausgangspunkt P3 bis zu einem mit dem zweiten Beschichtungsausgangspunkt P3 im Wesentlichen in Berührung kommenden, zweiten Beschichtungsendpunkt P4. Das zweite Lichtreflexionskolloid 7 weist einen auf dem zweiten Beschichtungsendpunkt P4 angeordneten, zweiten Fortsatz 70 oder eine zweite Aussparung [nicht gezeigt] auf. Beim zweiten Lichtreflexionskolloid 7 handelt es sich um ein weißes, wärmehärtbares reflektierendes Gehäuse, dessen Thixotropiezahl im Bereich von 4 bis 6 liegt und welchem anorganische Teilchen hinzugefügt werden.
  • [Achtes Ausführungsbeispiel]
  • Wie aus 15 und 16 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem achten Ausführungsbeispiel ein Schaltungssubstrat 1, ein erstes Leuchtmodul 2, ein erstes Einkapselungskolloid 3, ein zweites Leuchtmodul 4 und ein zweites Einkapselungskolloid 5 auf. Das achte Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung gemäß 15 und 16 ist vom Grundsatz her das gleiche Ausführungsbeispiel wie das erste Ausführungsbeispiel gemäß 9 und 10, jedoch mit dem Unterschied, dass die Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung Z gemäß dem achten Ausführungsbeispiel ferner ein erstes Lichtreflexionskolloid 6 und ein zweites Lichtreflexionskolloid 7 aufweist, wobei das erste Lichtreflexionskolloid 6 auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 umschlossen ist, während das zweite Lichtreflexionskolloid 7 auf das Schaltungssubstrat 1 so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul 2 und das zweite Leuchtmodul 4 umschlossen sind.
  • Das erste Einkapselungskolloid 3 ist lage- oder randmäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid 6 begrenzt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid 6 von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen ist. Außerdem ist das zweite Einkapselungskolloid 5 lage- oder randmäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid 7 begrenzt. Das erste Einkapselungskolloid 3 weist eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche 30 auf, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat 1 getrennt ist. Das zweite Einkapselungskolloid 5 weist eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 auf, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 und dem zweiten Lichtreflexionskolloid 7 in Berührung kommt. Das heißt, die zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche 50 ist in umschießender Weise mit dem ersten Lichtreflexionskolloid 6 verbunden.
  • Zum Beispiel erstreckt sich das erste Lichtreflexionskolloid 6 ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt P1 im Wesentlichen in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt P2. Das erste Lichtreflexionskolloid 6 weist einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt P2 angeordneten, ersten Fortsatz 60 oder eine zweite Aussparung [nicht gezeigt] auf. Beim ersten Lichtreflexionskolloid 6 handelt es sich um ein weißes, wärmehärtbares reflektierendes Gehäuse, dessen Thixotropiezahl im Bereich von 4 bis 6 liegt und welchem anorganische Teilchen hinzugefügt werden.
  • Zum Beispiel erstreckt sich das zweite Lichtreflexionskolloid 7 ausgehend von einem zweiten Beschichtungsausgangspunkt P3 bis zu einem mit dem zweiten Beschichtungsausgangspunkt P3 im Wesentlichen in Berührung kommenden, zweiten Beschichtungsendpunkt P4. Das zweite Lichtreflexionskolloid 7 weist einen auf dem zweiten Beschichtungsendpunkt P4 angeordneten, zweiten Fortsatz 70 oder eine zweite Aussparung [nicht gezeigt] auf. Beim zweiten Lichtreflexionskolloid 7 handelt es sich um ein weißes, wärmehärtbares reflektierendes Gehäuse, dessen Thixotropiezahl im Bereich von 4 bis 6 liegt und welchem anorganische Teilchen hinzugefügt werden.
  • Dadurch,
    • – dass das zweite Leuchtmodul 4 mehrere zweite Leuchtelemente 40 aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat 1 befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat 1 verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul 2 und das erste Einkapselungskolloid 3 von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen sind; und
    • – dass das zweite Einkapselungskolloid 5 auf dem Schaltungssubstrat 1 angeordnet ist und der Überdeckung des ersten Leuchtmoduls 2, des zweiten Leuchtmoduls 4 und des ersten Einkapselungskolloids 3 dient,
    oder dadurch
    • – dass das zweite Leuchtmodul 4 mehrere zweite Leuchtelemente 40 aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat 1 befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat 1 verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul 2 und das erste Einkapselungskolloid 3 von den zweiten Leuchtelementen 40 umschlossen sind; und
    • – dass das zweite Einkapselungskolloid 5 auf dem Schaltungssubstrat 1 angeordnet ist und der Überdeckung des zweiten Leuchtmoduls 4 dient, wobei das zweite Einkapselungskolloid 5 das erste Einkapselungskolloid 3 umschließt und an diesen angrenzt,
    können die Farbwiedergabe, die Helligkeit und sogar die Mischlicht-Homogenität verbessert werden.
  • Die vorstehende Beschreibung stellt die Ausführungsbeispiele der Erfindung dar und soll nicht die Ansprüche beschränken. Alle gleichwertigen Änderungen und Modifikationen, die gemäß der Beschreibung und den Zeichnungen der Erfindung von einem Fachmann vorgenommen werden können, gehören zum Schutzbereich der vorliegenden Erfindung.
  • Bezugszeichenliste
    • Z
    Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung
    1
    Schaltungssubstrat
    2
    erstes Leuchtmodul
    20
    erstes Leuchtelement
    3
    erstes Einkapselungskolloid
    30
    erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche
    4
    zweites Leuchtmodul
    40
    zweites Leuchtelement
    5
    zweites Einkapselungskolloid
    50
    zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche
    6
    erstes Lichtreflexionskolloid
    60
    erster Fortsatz
    P1
    erster Beschichtungsausgangspunkt
    P2
    erster Beschichtungsendpunkt
    7
    zweites Lichtreflexionskolloid
    70
    zweiter Fortsatz
    P3
    zweiter Beschichtungsausgangspunkt
    P4
    zweiter Beschichtungsendpunkt

Claims (10)

  1. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung, aufweisend: ein Schaltungssubstrat (1); ein erstes Leuchtmodul (2), das eine Mehrzahl von ersten Leuchtelementen (20) aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat (1) befinden und elektrisch mit diesem verbunden sind; ein erstes Einkapselungskolloid (3), das auf dem Schaltungssubstrat (1) angeordnet ist und der Überdeckung der ersten Leuchtelemente (20) dient; ein zweites Leuchtmodul (4), das eine Mehrzahl von zweiten Leuchtelementen (40) aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat (1) befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat (1) verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul (2) und das erste Einkapselungskolloid (3) von den zweiten Leuchtelementen (40) umschlossen sind; und ein zweites Einkapselungskolloid (5), das auf dem Schaltungssubstrat (1) angeordnet ist und der Überdeckung des ersten Leuchtmoduls (2), des zweiten Leuchtmoduls (4) und des ersten Einkapselungskolloids (3) dient.
  2. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) in Berührung kommt, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) in Berührung kommt.
  3. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach Anspruch 1 oder 2, ferner mit einem ersten Lichtreflexionskolloid (6), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) umschlossen ist; wobei das erste Einkapselungskolloid (3) lagemäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid (6) begrenzt ist, und wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) von den zweiten Leuchtelementen (40) umschlossen ist; wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt (P2) erstreckt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt (P2) angeordneten, ersten Fortsatz (60) aufweist; wobei es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid (6) in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat (1) getrennt ist, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) in Berührung kommt.
  4. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner mit einem zweiten Lichtreflexionskolloid (7), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) und das zweite Leuchtmodul (4) umschlossen sind, wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) lagemäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid (7) begrenzt ist; wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) ausgehend von einem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) bis zu einem mit dem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) in Berührung kommenden, zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) erstreckt, wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) einen auf dem zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) angeordneten, zweiten Fortsatz (60) aufweist; wobei es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) in Berührung kommt, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem zweiten Lichtreflexionskolloid (7) in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat (1) getrennt ist.
  5. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, ferner mit: einem ersten Lichtreflexionskolloid (6), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) umschlossen ist; und einem zweiten Lichtreflexionskolloid (7), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) und das zweite Leuchtmodul (4) umschlossen sind, wobei das erste Einkapselungskolloid (3) lagemäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid (6) begrenzt ist, und wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) von den zweiten Leuchtelementen (40) umschlossen ist, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) lagemäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid (7) begrenzt ist; wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt (P2) erstreckt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt (P2) angeordneten, ersten Fortsatz (60) aufweist; wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) ausgehend von einem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) bis zu einem mit dem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) in Berührung kommenden, zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) erstreckt, wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) einen auf dem zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) angeordneten, zweiten Fortsatz (60) aufweist; wobei es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid (6) in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat (1) getrennt ist, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem zweiten Lichtreflexionskolloid (7) in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat (1) getrennt ist.
  6. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung, aufweisend: ein Schaltungssubstrat (1); ein erstes Leuchtmodul (2), das eine Mehrzahl von ersten Leuchtelementen (20) aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat (1) befinden und elektrisch mit diesem verbunden sind; ein erstes Einkapselungskolloid (3), das auf dem Schaltungssubstrat (1) angeordnet ist und der Überdeckung der ersten Leuchtelemente (20) dient; ein zweites Leuchtmodul (4), das eine Mehrzahl von zweiten Leuchtelementen (40) aufweist, die sich auf dem Schaltungssubstrat (1) befinden und elektrisch mit dem Schaltungssubstrat (1) verbunden sind, wobei das erste Leuchtmodul (2) und das erste Einkapselungskolloid (3) von den zweiten Leuchtelementen (40) umschlossen sind; und ein zweites Einkapselungskolloid (5), das auf dem Schaltungssubstrat (1) angeordnet ist und der Überdeckung des zweiten Leuchtmoduls (4) dient, wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) das erste Einkapselungskolloid (3) umschließt und an das erste Einkapselungskolloid (3) angrenzt.
  7. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) in Berührung kommt, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) und dem ersten Einkapselungskolloid (3) in Berührung kommt.
  8. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach Anspruch 6 oder 7, ferner mit einem ersten Lichtreflexionskolloid (6), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) umschlossen ist; wobei das erste Einkapselungskolloid (3) lagemäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid (6) begrenzt ist, und wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) von den zweiten Leuchtelementen (40) umschlossen ist; wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt (P2) erstreckt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt (P2) angeordneten, ersten Fortsatz (60) aufweist; wobei es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid (6) in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat (1) getrennt ist, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) und dem ersten Lichtreflexionskolloid (6) in Berührung kommt.
  9. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, ferner mit einem zweiten Lichtreflexionskolloid (7), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) und das zweite Leuchtmodul (4) umschlossen sind, wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) lagemäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid (7) begrenzt ist; wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) ausgehend von einem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) bis zu einem mit dem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) in Berührung kommenden, zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) erstreckt, wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) einen auf dem zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) angeordneten, zweiten Fortsatz (60) aufweist; wobei es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem Schaltungssubstrat (1) in Berührung kommt, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem ersten Einkapselungskolloid (3) und dem zweiten Lichtreflexionskolloid (7) in Berührung kommt.
  10. Lichtmischungs-Multichip-Gehäuseanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, ferner mit: einem ersten Lichtreflexionskolloid (6), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) umschlossen ist; und einem zweiten Lichtreflexionskolloid (7), das auf das Schaltungssubstrat (1) so aufgetragen ist, dass das erste Leuchtmodul (2) und das zweite Leuchtmodul (4) umschlossen sind, wobei das erste Einkapselungskolloid (3) lagemäßig vom ersten Lichtreflexionskolloid (6) begrenzt ist, und wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) von den zweiten Leuchtelementen (40) umschlossen ist, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) lagemäßig vom zweiten Lichtreflexionskolloid (7) begrenzt ist; wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) ausgehend von einem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) bis zu einem mit dem ersten Beschichtungsausgangspunkt (P1) in Berührung kommenden, ersten Beschichtungsendpunkt (P2) erstreckt, wobei das erste Lichtreflexionskolloid (6) einen auf dem ersten Beschichtungsendpunkt (P2) angeordneten, ersten Fortsatz (60) aufweist; wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) ausgehend von einem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) bis zu einem mit dem zweiten Beschichtungsausgangspunkt (P3) in Berührung kommenden, zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) erstreckt, wobei das zweite Lichtreflexionskolloid (7) einen auf dem zweiten Beschichtungsendpunkt (P4) angeordneten, zweiten Fortsatz (60) aufweist; wobei es sich bei jedem der ersten Leuchtelemente (20) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines ersten vorgegebenen Farbstrahls handelt, wobei es sich bei jedem der zweiten Leuchtelemente (40) um ein LED-Plättchen zum Erzeugen eines zweiten vorgegebenen Farbstrahls handelt, und wobei die von den ersten und den zweiten Leuchtelementen (20, 40) erzeugten Farbstrahlen gleich oder ungleich sind, und wobei das erste Einkapselungskolloid (3) eine erste gekrümmte Lichtaustrittsfläche (30) aufweist, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid (6) in Berührung kommt und vom Schaltungssubstrat (1) getrennt ist, und wobei das zweite Einkapselungskolloid (5) eine zweite gekrümmte Lichtaustrittsfläche (50) aufweist, die mit dem ersten Lichtreflexionskolloid (6) und dem zweiten Lichtreflexionskolloid (7) in Berührung kommt.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102406913B1 (ko) * 2017-03-27 2022-06-10 서울반도체 주식회사 발광 모듈
CN109616011B (zh) * 2018-12-28 2020-10-13 武汉华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200947665A (en) * 2008-05-02 2009-11-16 Asda Technology Co Ltd High color rendering light-emitting diodes
TWI354365B (en) * 2009-08-26 2011-12-11 Quasioptical led package structure for increasing
US8436549B2 (en) * 2010-08-13 2013-05-07 Bridgelux, Inc. Drive circuit for a color temperature tunable LED light source
TWM420852U (en) * 2011-07-25 2012-01-11 Syratek Corp COB surface light source module with high color rendering property
WO2014091655A1 (ja) * 2012-12-13 2014-06-19 パナソニック株式会社 発光装置、照明用光源及び照明装置

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