TWI599672B - 具吸收劑之平面化極紫外線微影基板及其製造系統 - Google Patents
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Description
本發明大體上有關極紫外線微影基板及此種極紫外線微影基板的製造與微影系統。
極紫外線微影技術(EUV，亦稱為軟X射線投影微影技術)是取代深紫外線微影技術用來製造0.0135微米及更小最小特徵尺寸半導體元件的有力競爭者。
然而，極紫外線的波長範圍通常在5奈米至100奈米間，且幾乎所有的材料都能強烈吸收極紫外線。基於此原因，極紫外線系統是靠光的反射作用而不是利用光透射率來運作。藉著使用一系列鏡面(或透鏡元件)及塗有不反射性吸收劑光罩圖案的反射元件(或光罩基板)，而使經圖案化的光化性(actinic)光線反射至塗有光阻的半導體基板上。
極紫外線微影系統的透鏡元件和光罩基板塗有由多種材料(例如，鉬及矽)所形成的多層塗層。使用塗有多層塗層且該等塗層對極窄紫外線帶通範圍內的光線(例如12.5奈米至14.5奈米之帶通範圍內的光線)具有強烈反射的基板針對13.5奈米之極紫外線(EUV)光進行測量得到每個透鏡元件或光罩基板的反射率值約為65%。
半導體處理技術中有著各種類型的缺陷，而該等缺陷會造成諸多問題。不透明的缺陷通常是由於在該等多層塗層或光罩圖案上方的顆粒在應該反射光線的時候卻吸收了光線所造成。透明缺陷通常是由於在多層塗層上的光罩圖案中有小孔使得在應吸收光線的時候卻通過該等小孔反射光線所造成。以及，相缺陷通常是由於在該多層塗層下方的刮痕及表面變化導致反射光產生相變化所造成。此等相變化造成光波干涉效應，而光波干涉效應會使欲曝光在半導體基板表面上之樹脂中的圖案扭曲或改變。由於要形成小於0.0135微米之最小特徵尺寸必需使用較短的輻射波長，因此過去顯得無關緊要的刮痕及表面變化現在則變得令人無法容忍。
當圖案變得更小時，該較薄吸收劑需要解決陰影問題(在較厚吸收層上會看到陰影問題)，最終限制了可印在基板上的特徵尺寸。要達到較薄的吸收劑需使用新材料，該新材料對13.5奈米之光線的吸收力要勝過目前正使用的吸收劑。
基於對電子元件特徵尺寸逐漸縮小的需求，找到解決這些問題的答案便越加重要。有鑒於隨著消費者期望升高而不斷增強的商業競爭壓力，找到這些問題的解決之道這件事顯得至關重要。此外，由於需要降低成本、改善效率與性能及對抗競爭壓力，因此尋求解決這些問題的必要性更顯急迫。
對於此等問題的解決方案早已探尋許久，但在此之前的研究發展並未教導或提出任何解決方案，因此，所屬技術領域中熟悉該項技藝者一直未能找到此等問題的解決方法。
本發明之一實施例是一種極紫外線(EUV)光罩基板製造系統，該系統包括：用於建立真空的基板操作真空腔室；基板操作平台，該基板操作平台位於該真空中以用於搬運裝載於該基板操作真空腔室中的超低膨脹基板；及用來形成EUV光罩基板的複數個子腔室，且該基板操作平台可進出該複數個子腔室，該複數個子腔室包括：第一子腔室，該第一子腔室用於在該超低膨脹基板上形成多層堆疊以用來反射極紫外線(EUV)光；及第二子腔室，該第二子腔室用於在該多層堆疊上形成雙層式吸收劑以用於吸收波長為13.5奈米的EUV光而提供小於1.9%的反射率。
本發明之一實施例是一種極紫外線(EUV)光罩基板系統，該系統包括：含有表面瑕疵的超低膨脹基板；位於該超低膨脹基板上的平面化層以用於包覆表面瑕疵；位於該平面化層上的多層堆疊；及位於該多層堆疊上的雙層式吸收劑，該雙層式吸收劑包括藉由控制所沈積之雙層式吸收劑的主要吸收劑層及輔助吸收劑層的厚度以使合併厚度達30奈米來決定反射率百分比，從而提供小於1.9%的反射率。
在本發明的某些實施例中，除了上述步驟與元件之外，還可具有附加的其他步驟或元件，或具有其他步驟或元件來取代上述步驟與元件。當所屬技術領域中熟悉該項技藝者參照附圖來閱讀以下實施方式時，將可瞭解該等步驟或元件。
100‧‧‧極紫外線光罩基板製造系統
102‧‧‧光罩基板裝載與搬運操作系統
104‧‧‧裝載口
105‧‧‧基板
106‧‧‧氣閘艙
108‧‧‧基板操作真空腔室
110‧‧‧第一真空腔室
112‧‧‧第二真空腔室
114‧‧‧初始基板操作平台
116‧‧‧第二基板操作平台
118‧‧‧除氣子系統
120‧‧‧第一物理氣相沈積子腔室
122‧‧‧第二物理氣相沈積子腔室
124‧‧‧預清洗子系統
126‧‧‧第一多陰極子腔室
128‧‧‧流動性化學氣相沈積子腔室
130‧‧‧固化子腔室
132‧‧‧第二多陰極子腔室
134‧‧‧第一處理中基板
136‧‧‧第二處理中基板
200‧‧‧EUV光罩基板
202‧‧‧超低熱膨脹基板
203‧‧‧表面瑕疵
204‧‧‧平面化層
205‧‧‧平坦表面
206‧‧‧多層堆疊
208‧‧‧覆蓋層
210‧‧‧雙層式吸收劑
211‧‧‧厚度
212‧‧‧主要吸收劑層
214‧‧‧輔助吸收劑層
216‧‧‧抗反射塗層
218‧‧‧背部夾持層
300‧‧‧EUV光罩
302‧‧‧圖案
400‧‧‧方法
402‧‧‧置入基板步驟
404‧‧‧基板清洗步驟
406‧‧‧背部預備步驟
408‧‧‧背部夾持步驟
410‧‧‧正面清洗步驟
412‧‧‧形成具有覆蓋層之布瑞格反射體的步驟
414‧‧‧除氣及預清洗步驟
416‧‧‧平面化步驟
418‧‧‧平面化層固化步驟
420‧‧‧沈積多層堆疊步驟
422‧‧‧沈積覆蓋層步驟
424‧‧‧封閉檢查步驟
426‧‧‧第二正面清洗步驟
428‧‧‧EUV光罩基板結束步驟
500‧‧‧方法
502‧‧‧置入基板步驟
504‧‧‧背部清洗步驟
506‧‧‧正面清洗步驟
508‧‧‧形成具有覆蓋層之布瑞格反射體的步驟
510‧‧‧真空清洗步驟
512‧‧‧夾持層沈積步驟
514‧‧‧平面化步驟
516‧‧‧平面化層固化步驟
518‧‧‧沈積多層堆疊步驟
520‧‧‧覆蓋層沈積步驟
522‧‧‧封閉檢查步驟
524‧‧‧第二清洗步驟
526‧‧‧EUV光罩基板結束步驟
600‧‧‧光學元件串列
602‧‧‧極紫外線光源
604‧‧‧收集器
606‧‧‧照明器系統
608‧‧‧場分面鏡
610‧‧‧光瞳分面鏡
612‧‧‧光柵
614‧‧‧投影光學元件
616‧‧‧半導體基板
701‧‧‧關係圖
702‧‧‧反射率百分比
704‧‧‧厚度
706‧‧‧樣品反射率
第1圖為極紫外線(EUV)光罩基板製造系統。
第2圖為根據實施例所做之EUV光罩基板的剖面圖。
第3圖為EUV光罩的正交視圖。
第4圖為製造具有超少缺陷之EUV光罩基板的方法流程圖。
第5圖為製造具有超少缺陷之EUV光罩基板的另一種方法之流程圖。
第6圖為EUV微影系統的光學元件串列。
第7圖圖示第2圖之主要吸收劑層的厚度與反射率百分比的關係圖。
針對以下實施例進行充分詳細說明以使所屬技術領域中熟悉該項技藝者能製造和使用本發明。應瞭解，根據本案揭示內容將可領會出其他實施例，且在不偏離本發明範圍下當可在系統、製程或機械上做出諸多變化。
在以下內容中，提出諸多具體細節以供徹底理解本發明。然而，將明白無需依照此等具體細節也可實施
本發明。為避免模糊本發明，故不詳細揭示某些已知的電路、系統配置及製程步驟。
該等示出系統實施例的圖式為部分圖解且未按比例繪製，尤其，該等圖式中的某些尺寸會加以誇大以求清楚表達。同樣地，雖然為了便於描述，該等圖式中的視圖通常呈現相似方向，但該等圖式中刻劃的內容多半是隨意定向的。通常可採任意方向來操作本發明。
在所揭示並描述的多個實施例中具有一些共同特徵，為了清楚且便於圖示、描述和理解該等實施例，故使用相似的元件符號來描述相似或相同的特徵。
作為解說之用，當用於文中時，無論光罩基板的定向為何，「水平」一詞係定義為一平面與光罩基板的表面或平面成平行。「垂直」一詞意指一方向與方才所定義的水平成垂直。諸如「上方」、「下方」、「底部」、「頂部」、「側面」(如「側壁」)、「較高」、「較低」、「上部」、「之上」及「之下」等用語則如圖式中所示般參地照該水平面來加以界定。「在...上(on)」一詞意指兩個元件之間直接接觸。
若用於本文中時，「處理」一詞包括在形成所述結構期間依需求進行沈積材料或光阻、圖案化、曝光(exposure)、顯影(development)、蝕刻、清洗及/或去除材料或光阻。
現參閱第1圖，圖中示出極紫外線(EUV)光罩基板製造系統100。整合式的EUV光罩基板製造系統100
包括光罩基板裝載與搬運操作系統102，該系統102具有裝載口104以將裝有基板105(例如，由玻璃、矽或其他超低熱膨脹材料所形成之基板)的運送盒送入該裝載口104中。氣閘艙(airlock)106可供進出基板操作真空腔室108。在實施例中，基板操作真空腔室108可包括兩個真空腔室，第一真空腔室110及第二真空腔室112。第一真空腔室110可包含初始基板操作平台114，及第二真空腔室112可包含第二基板操作平台116。
在基板操作真空腔室108的外表(periphery)上分佈有複數個口以用於連接各種子系統。第一真空腔室110可例如具有除氣子系統118、第一物理氣相沈積子腔室120(例如，雙層式吸收劑沈積腔室)、第二物理氣相沈積子腔室122(例如背部夾持層沈積腔室)及預清洗子系統124。
第二真空腔室112可具有第一多陰極子腔室126(例如，多層沈積腔室)、流動性化學氣相沈積(FCVD)子腔室128(例如，平面化沈積腔室)、固化子腔室130及第二多陰極子腔室132，且該等腔室與第二真空腔室112連接。
初始基板操作平台114能夠在連續真空環境下經由狹縫閥(圖中未示出)在位於該第一真空腔室110周圍的氣閘艙106與各種子系統之間移動超低膨脹基板(例如第一處理中基板134)。第二基板操作平台116可於該第二真空腔室112周圍移動超低膨脹基板(例如，第二處理中基
板136)同時使該第二處理中基板136保持處在連續真空環境下。
發現到，整合式EUV光罩基板製造系統100可提供用來製造EUV光罩基板的環境，同時使手動運送該第一處理中基板134及第二處理中基板136的情況減至最少。
現參閱第2圖，第2圖中是根據實施例所示之EUV光罩基板200的剖面圖。EUV光罩基板200可具有由玻璃、矽或其他超低熱膨脹材料所形成的超低熱膨脹基板202。該等超低熱膨脹材料包括熔凝氧化矽(fused silica)、熔凝石英、氟化鈣、碳化矽、氧化矽-氧化鈦材料或熱膨脹係數落在此等材料之熱膨脹係數範圍內的其他材料。
發現到，平面化層204可用來填補該超低膨脹基板202中的表面瑕疵203(例如，凹坑及/或缺陷)，覆蓋住該超低膨脹基板202上的顆粒，或使該超低膨脹基板202已平面化的表面平滑而形成平坦表面205。
可在該平面化層204上形成多層堆疊206以形成布瑞格反射體(Bragg reflector)。考量到EUV微影技術中所使用之照射波長的吸收性質，故使用多個反射性光學元件。可由高原子序(高Z)材料及低原子序(低Z)材料(例如鉬與矽)交替形成的交替層來製成該多層堆疊206以形成反射體。
在該多層堆疊206上且位於與該超低膨脹基板202相反處形成覆蓋層208以用來形成具有覆蓋層的布瑞
格反射體。覆蓋層208可為諸如釕(Ru)或釕之非氧化型化合物的材料，以幫助保護該多層堆疊206免於受到氧化及免於接觸到該EUV光罩基板200在後續光罩處理期間可能觸及的任何化學蝕刻劑。其他材料(例如，氮化鈦、碳化硼、氮化矽、氧化釕及碳化矽)亦可用於該覆蓋層208中。
雙層式吸收劑210配置在該覆蓋層208上。雙層式吸收劑210可包括主要吸收劑層212及輔助吸收劑層214。雙層式吸收劑210是由對於特定頻率之EUV光(約13.5奈米)具有高吸收係數的一對材料組合所形成。在實施例中，主要吸收劑層212(例如，銀Ag)可直接形成在覆蓋層208上，且輔助吸收劑層214(例如，鎳Ni)可直接形成在該主要吸收劑層212上。
雙層式吸收劑210必須保持盡可能地薄以減少表面視差，表面視差可能導致在形成於EUV光罩基板200上的光罩中產生陰影(shadowing)。使用由鉻、鉭或是鉻或鉭之氮化物所形成且具有大於80奈米之厚度211的吸收劑層的其中一項限制是EUV光的入射角可能造成陰影，這會限制了使用該EUV光罩基板之光罩來製造積體電路時在積體電路中所能達到的圖案尺寸，從而限制了所能製造的積體電路元件之尺寸。
發現到，該主要吸收劑層212及輔助吸收劑層214的材料選擇對於因路程差異導致相位偏移所造成的反射率損失而言非常重要。舉例而言，該實施例可具有雙層式吸收劑210，該雙層式吸收劑210具有30奈米的厚度
211，且該雙層式吸收劑210是由主要吸收劑層212(該主要吸收劑層是27.7奈米的銀(Ag)層)及輔助吸收劑層214(該輔助吸收劑層是2.3奈米的鎳(Ni)層)所組成。此實施例可提供僅0.58%的反射率百分比。
抗反射塗層(ARC)216沈積在雙層式吸收劑210上。該ARC 216可由諸如氮氧化鉭或氧化硼鉭的材料所形成。
背部夾持層218形成在超低膨脹基板202的背部表面上且位在與該平面化層204相反之側，該背部夾持層218是用來將該基板安裝在靜電卡盤(圖中未示出)上或與靜電卡盤安裝在一起。
現參閱第3圖，第3圖中示出EUV光罩300的正交視圖。EUV光罩300可為矩形，且在該EUV光罩300的頂表面上可具有圖案302。可使圖案302蝕入第2圖的抗反射塗層(ARC)216及雙層式吸收劑層210中而暴露出覆蓋層208以描繪出在製造積體電路之步驟中的相關幾何圖案(圖中未示出)。背部夾持層218可施用在位於該圖案302反側處的EUV光罩300之背部上。
現參閱第4圖，第4圖示出方法400的流程圖，該方法400可用來製造具有超少缺陷之EUV光罩基板200。超少缺陷為實質上零缺陷。方法400包括於置入基板步驟402中提供第2圖的超低膨脹基板202。在基板清洗步驟404中可清洗超低膨脹基板202背部，及在背部預備步驟406中可對超低膨脹基板202進行除氣與預清洗。
在背部夾持步驟408中施用第2圖的背部夾持層218，及在正面清洗步驟410中進行正面的清洗。在正面清洗步驟410之後，可將該光罩基板104置入第一真空腔室110中以進行進一步處理。較佳在第1圖的EUV光罩基板製造系統100中且處於連續真空狀態下進行形成具有覆蓋層之布瑞格反射體的步驟412，以避免來自周遭環境的污染。
在第一真空腔室110中進行除氣與預清洗步驟414及平面化步驟416。可在第二真空腔室112中進行平面化層固化步驟418以固化第2圖的平面化層204及進行沈積多層堆疊步驟420以沈積第2圖之多層堆疊206。可在第二真空腔室112內進行沈積覆蓋層步驟422以沈積第2圖的覆蓋層208而用於形成該第二處理中基板136(例如，具有覆蓋層的布瑞格反射體)。
離開該EUV光罩基板製造系統100後，在封閉(close)檢查步驟424中對第二處理中基板136進行深紫外線(DUV)/光化檢查，視情況需要可在第二正面清洗步驟426中清洗該第二處理中基板136，及可在EUV光罩基板結束步驟428中沈積第2圖的吸收劑層210及第2圖的抗反射塗層216以形成第2圖的EUV光罩基板200。
發現到，EUV光罩基板製造系統100可製造始終具有實質零缺陷的EUV光罩基板200。由於第一真空腔室110及第二真空腔室112在沈積平面化層204與固化該平面化層204之間不需要用來升溫降溫的時間(thermal ramp time)，因此在第一真空腔室110中施用平面化層
204及在第二真空腔室112中固化該平面化層204可增進EUV光罩基板製造系統100的效率。
現參閱第5圖，第5圖中示出替代方法500的流程圖，方法500可用來製造具有超少缺陷的EUV光罩基板200。超少缺陷為實質上零缺陷。該替代方法500始於在置入基板步驟502中提供第2圖的超低膨脹基板202。在背部清洗步驟504中可清洗超低膨脹基板202，及在正面清洗步驟506中可清洗正面。
較佳在第1圖的EUV光罩基板製造系統100中且在連續真空狀態下進行形成具有覆蓋層之布瑞格反射體的步驟508，以避免來自周遭環境的污染。
在第一真空腔室110中進行真空清洗步驟510以對該光罩基板104進行除氣及預清洗。於夾持層沈積步驟512中沈積該背部夾持層218，及在平面化步驟514中進行平面化。可在第二真空腔室112中進行平面化層固化步驟516以固化第2圖的平面化層204。可在沈積多層堆疊步驟518中進行第2圖之多層堆疊206的沈積，及可在覆蓋層沈積步驟520中沈積第2圖之覆蓋層208以形成該第二處理中基板136。
雖然可在EUV光罩基板製造系統100內部進行DUV/光化檢查，但也可在外部的封閉檢查步驟522中進行DUV/光化檢查。視情況需要在第二清洗步驟524中清洗該第二處理中基板136，及可在EUV光罩基板結束步驟526中沈積第2圖的吸收劑層210及第2圖的抗反射塗層216。
現參閱第6圖，圖中示出用於EUV微影系統的光學元件串列600。光學元件串列600具有極紫外線光源602(例如電漿源)以用於發出EUV光並將EUV光收集在收集器604中。收集器604可具有拋物面造型以用於將EUV光聚焦在場分面鏡(field facet mirror)608上。收集器604可將光線供應至該場分面鏡608，場分面鏡608則是照明器系統606的一部分。
場分面鏡608的表面可具有凹面輪廓以進一步將EUV光聚焦在光瞳分面鏡(pupil facet mirror)610上。照明器系統606亦包括一系列的光瞳分面鏡610以用來傳遞EUV光並將該EUV光聚焦在光罩(reticle)612上(光罩612是第1圖之光罩基板104經過完全處理後的版本)。
光罩612可具有圖案，該圖案描繪出積體電路的處理層。光罩612反射該EUV而使含有該圖案的光通過投影光學元件614並投影在半導體基板616上。投影光學元件614可縮小該光罩612所提供之圖案的面積並重複地將該圖案曝光在半導體基板616的表面各處。
發現到，實施例對第2圖的EUV光罩基板200進行平面化並使其光滑，藉以去除基板表面上的所有凹坑、缺陷及顆粒，使得該表面呈現出原子級的平坦和光滑。可在不會引入任何製程相關缺陷的情況下在該EUV光罩基板200之表面上進行無缺陷的材料沈積以實現平坦且光滑的表面。第2圖的EUV光照基板200是光學元件串列600
的其中一個關鍵元件。光學元件串列600可循序地定位該半導體基板616，而在無需手動干預的情況下使半導體基板616曝光於來自該光罩612的圖案下。
現參閱第7圖，圖中示出第2圖之主要吸收劑層212的厚度與反射率百分比702的關係圖701。關係圖701的y-軸可為第2圖之雙層式吸收劑210的反射率百分比702。在雙層式吸收劑210為30奈米的實施例中，x-軸可為該主要吸收劑層212之厚度704的尺寸。
樣品反射率706可顯示出隨著主要吸收劑層212之厚度704增加所得到的反射率百分比702的軌跡。該樣品反射率706可示出在該雙層式吸收劑210為鎳-銀的實施例中，該主要吸收劑層212為銀(Ag)時的厚度704。沈積該兩層的順序對於因路程差異導致相位偏移所造成的反射率損失而言非常重要。
一實施例提供的雙層式吸收劑210具有作為主要吸收劑層212的銀(Ag)層(該主要吸收劑層212沈積在第2圖的覆蓋層208上)及作為輔助吸收劑層214的鎳(Ni)層而提供30奈米的合併厚度211(見第2圖)。雙層式吸收劑210與第2圖中之覆蓋層208及多層堆疊206的相位匹配導致該樣品反射率706中顯現出振盪。該雙層式吸收劑210的總厚度211為30奈米。從該曲線圖可看出，由27.7奈米的銀及2.3奈米的鎳來形成該雙層式吸收劑210可提供最低程度的反射率百分比702。
該實施例假設覆蓋層208是厚度為2奈米的薄釕層。該雙層式吸收劑210的行為描繪在被覆蓋的多層上。該雙層式吸收劑210一方面引起因路程差異所導致的相位偏移，該相位偏移將造成破壞性干涉作用而導致反射率百分比702降低。此行為取決於該等金屬層之折射率的實部。第7圖圖示該雙層式吸收劑210的一實施例為鎳-銀雙層式吸收劑。反射率百分比702隨著銀的厚度704增加來作圖可顯示為樣品反射率706。該吸收劑堆疊的總厚度211固定維持在30奈米。因此當銀的厚度增加時，鎳的厚度同時會減少。結果顯示，在Ni厚度為2.3奈米及Ag厚度為27.7奈米處，總反射率為0.58%，此反射率遠低於30奈米之純Ni層的反射率(1.9%)或30奈米之純Ag層的反射率(1.6%)。因路程差異導致相位偏移所造成的相位匹配及相位失配會造成該樣品反射率706中的振盪情形。
如表1中所示，藉由在銀(Ag)上覆鎳(Ni)而形成的雙層式吸收劑210所提供的反射率百分比702實質上低於其他組合。
表1中匯編了30奈米之雙層式吸收劑210的反射率百分比702之最低值。此等雙層的沈積順序對於控制該系統中的相位失配而言非常重要。可利用物理氣相沈積(PVD)、化學氣相沈積(CVD)、原子層沈積(ALD)、射頻(RF)及直流(DC)磁控濺射技術來沈積該雙層式吸收劑210的此等實施例。在此等金屬中的大部份金屬會形成極薄的原生氧化物層，而該原生氧化物層在13.5奈米波長下對吸收作用及相位偏移行為的影響極小。
表2中列出使該雙層式吸收劑210達到0.8%反射率百分比702所需要的最小厚度704。此等材料的選擇標準是依據被蝕刻時的蝕刻選擇能力及達到0.8%反射率百分比702所需的最小厚度。相較於週期表中的其他元素，此等材料的原子散射因子可具有較高的實部(real)特性及虛部(imaginary)特性。較高的虛部特性造成吸收作用，
及實部特性對應的是調變入射光相位的能力。由於厚度與由路程差異所導致的相位偏移有關，因此相位調變亦取決於該吸收劑的厚度704。
所得的方法、製程、設備、元件、產品及/或系統是直接明確、具成本效益、不複雜、具諸多用途、精確、靈敏並有效的，且該等方法、製程、設備、元件、產品及/或系統可立即且有效率地適用在已知構件上並進行經濟生產、應用及使用。
本發明的另一重要方面在於本發明貴在可支援並提供降低成本、簡化系統及增進效能的歷史趨勢。
因此本發明的此等及其他有價值的方面進一步推動技術水平至少進入下一個階段。
雖已配合最佳實施例來說明本發明，但應瞭解，所屬技術領域中熟悉該項技藝者可在前述內容的啟發下做出諸多的替代、修飾及變化態樣。因此，所有這類的替代、修飾及變化態樣應落入後附請求項的範圍中。本案文中或附圖中至目前為止列示出的所有內容皆為示範說明而非限制之用。
100‧‧‧極紫外線光罩基板製造系統
102‧‧‧光罩基板裝載與搬運操作系統
104‧‧‧裝載口
105‧‧‧基板
106‧‧‧氣閘艙
108‧‧‧基板操作真空腔室
110‧‧‧第一真空腔室
112‧‧‧第二真空腔室
114‧‧‧初始基板操作平台
116‧‧‧第二基板操作平台
118‧‧‧除氣子系統
120‧‧‧第一物理氣相沈積子腔室
122‧‧‧第二物理氣相沈積子腔室
124‧‧‧預清洗子系統
126‧‧‧第一多陰極子腔室
128‧‧‧流動性化學氣相沈積子腔室
130‧‧‧固化子腔室
132‧‧‧第二多陰極子腔室
134‧‧‧第一處理中基板
136‧‧‧第二處理中基板
Claims (10)
- 一種極紫外線(EUV)光罩基板，該光罩基板包括：一超低膨脹基板，該基板包括表面瑕疵；一平面化層，該平面化層位於該超低膨脹基板上並包覆該等表面瑕疵；一多層堆疊，該多層堆疊位於該平面化層上；以及一雙層式吸收劑，該雙層式吸收劑位於該多層堆疊上，且該雙層式吸收劑包括一主要吸收劑層及一輔助吸收劑層，該主要吸收劑層及該輔助吸收劑層具有一合併厚度為30奈米，該主要吸收劑層具有一厚度從而提供小於1.9%的一反射率於13.5奈米的一波長。
- 如請求項1所述之光罩基板，該光罩基板進一步包括一覆蓋層，該覆蓋層形成在該多層堆疊上且該雙層式吸收劑形成在該覆蓋層上，該覆蓋層保護該多層堆疊。
- 如請求項1所述之光罩基板，其中該主要吸收劑層的厚度包括26.5奈米至28奈米的範圍。
- 如請求項1所述之光罩基板，其中該輔助吸收劑層的厚度包括2奈米至3.5奈米的範圍。
- 如請求項1所述之光罩基板，該光罩基板進一步包括一附加多層堆疊，該附加多層堆疊直接形成在該 平面化層上，其中該附加多層堆疊包括以一垂直堆疊方式所形成之達到60個該多層堆疊。
- 如請求項1所述之光罩基板，其中該雙層式吸收劑包括錫(Sn)、鉑(Pt)、銀(Ag)、銦(In)或鎳(Ni)的該主要吸收劑層。
- 如請求項1所述之光罩基板，其中該雙層式吸收劑包括鎳(Ni)、鋅(Zn)、銻(Sb)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鉭(Ta)或碲(Te)的該輔助吸收劑層。
- 如請求項1所述之光罩基板，其中該雙層式吸收劑包括銀(Ag)的該主要吸收劑層及鎳(Ni)的該輔助吸收劑層且沈積達到30奈米的合併厚度。
- 如請求項1所述之光罩基板，其中該雙層式吸收劑包括鉑(Pt)的該主要吸收劑層及鋅(Zn)的該輔助吸收劑層且沈積達到30奈米的合併厚度。
- 如請求項1所述之光罩基板，其中該雙層式吸收劑包括銦(In)的該主要吸收劑層及碲(Te)的該輔助吸收劑層且沈積達到30奈米的合併厚度。
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