JP6626878B2 - 吸収体を有する、平坦化された極紫外線リソグラフィブランク - Google Patents

Description

［０００１］本発明は概して、極紫外線リソグラフィブランクと、上記極紫外線リソグラフィブランクの製造及びリソグラフィシステムに関する。

［０００２］（ソフトＸ線投影リソグラフィとしても知られる）極紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ）とは、０．０１３５ミクロン、及びこれより小さい最小形状の半導体デバイスを製造するための深紫外線リソグラフィに取って代わる後継候補である。

［０００３］しかしながら、一般に５から１００ナノメートルの波長範囲の極紫外線は、ほとんどの物質によって強く吸収される。この理由により、極紫外線システムは、光の透過よりも反射によって機能する。非反射吸収マスクパターンでコーティングされた一連のミラー又はレンズ素子、及び反射素子又はマスクブランクの使用を介して、パターン化された化学光がレジストでコーティングされた半導体基板上で反射する。

［０００４］極紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、モリブデン及びシリコン等の材料の多層反射コーティングでコーティングされる。１３．５ナノメートルの極紫外線（ＥＵＶ）光において例えば１２．５〜１４．５ナノメートルの帯域等の非常に狭い紫外線の帯域内の光を強く反射させる多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ素子又はマスクブランク当たりおおよそ６５％の反射率値が得られていた。

［０００５］半導体処理技術では、問題の原因となる様々な種類の欠陥がある。不透明性欠陥は通常、反射させるべき光を吸収する多層コーティング又はマスクパターン上部の粒子が原因で起こる。透明欠陥は通常、吸収するべき光を反射させる多層コーティング上部のマスクパターンにおけるピンホールが原因で起こる。位相欠陥は通常、反射した光の相転移を起こす、多層コーティングの下のひっかき傷及び表面のばらつきが原因で起こる。この相転移により光波干渉効果が生じ、半導体基板の表面のレジストにおいて露出すべきパターンが変形又は変化する。０．０１３５サブミクロンの最小形状において使用されるべきより放射線の波長が短いために、これまでは取るに足らないひっかき傷及び表面のばらつきが今度は許容できないものとなる。

［０００６］薄い吸収体がもたらす問題とは、パターンがより小さくなるにつれ、より厚い吸収体で見られるシャドーイングの課題であり、この結果、基板に印刷できる形状が限定されることになる。より薄い吸収体を達成するには、現在使用されている吸収体よりも１３．５ｎｍの光をより良く吸収する新たな材料を使用することが求められる。

［０００７］電子部品の形状を更に小さくする必要を考慮すると、これらの問題への答えを見つけることが更に重要になってくる。かつてないほどの消費市場での競争圧力と共に、消費者の期待の高まりを考慮すると、これらの問題への答えを見つけることは益々重要である。加えて、コストを下げて、効率性及び性能を改善し、競争圧力に対抗する必要により、これらの問題への答えを見つける必要の重要性にさらに高い緊急性が増し加わる。

［０００８］これらの問題への解決法が長く求められてきたが、以前の開発状況ではいかなる解決法も教示又は提案されてこなかったため、当業者はこれらの問題への解決法を長く見い出せずにいた。

［０００９］本発明の一実施形態は、真空を生成するための基板ハンドリング真空チャンバと、真空内の、基板ハンドリング真空チャンバにロードされる超低膨張基板を搬送するための、基板ハンドリングプラットフォームと、ＥＵＶマスクブランクを形成するための、基板ハンドリングプラットフォームによってアクセスされる複数のサブチャンバであって、極紫外線（ＥＵＶ）光を反射させるために、超低膨張基板の上に多層スタックを形成するための第１のサブチャンバと、波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ光を吸収することにより反射率が１．９％未満となる、多層スタックの上に形成される二層吸収体を形成するための第２のサブチャンバとを含む複数のサブチャンバとを含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク作製システムである。

［００１０］本発明の一実施形態は、表面不完全性を含む超低膨張基板と、表面不完全性を包み込む超低膨張基板の平坦化層と、平坦化層の上の多層スタックと、多層スタックの上の二層吸収体であって、３０ｎｍの結合厚さに堆積された二層吸収体の第１の吸収層と第２の吸収層の厚さを制御することによって反射率の割合を決定し、これにより反射率が１．９％未満となることを含む二層吸収体とを含む、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクシステムである。

［００１１］本発明の特定の実施形態は、上述したものに加えて、又はその代わりに他のステップ又はエレメントを有する。添付の図面を参照しながら、以下の詳細説明を読むことで、ステップ又はエレメントが当業者に明らかとなるであろう。

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク作製システムの図である。 一実施形態に係るＥＵＶマスクブランクの断面図である。 ＥＵＶマスクの斜視図である。 超低欠陥のＥＵＶマスクブランクを作製するための方法のフロー図である。 超低欠陥のＥＵＶマスクブランクを作製するための代替方法のフロー図である。 ＥＵＶリソグラフィシステムの光学系トレインである。 反射率の割合を図２の第１の吸収層の厚さの関数として示すグラフである。[請求項２]

［００１９］以下の実施形態を、当業者が本発明を作製し使用することが可能になるように、十分詳細に説明する。本開示に基づき他の実施形態も自明となり、本発明の範囲から逸脱せずに、システム、プロセス、又は機械的変更を行うことが可能であることを理解すべきである。

［００２０］以下の記載では、本発明の完全な理解を促すために多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、本発明がこれら具体的な詳細なしに実施可能であることが明らかになるであろう。本発明が曖昧になるのを避けるために、幾つかの周知の回路、システム設定、及びプロセスステップは詳細には開示されない。

［００２１］システムの実施形態を示す図面は、やや概略的なものであり、原寸に比例するものではない。特に、幾つかの寸法は、明確に表示するために、図面において拡大して示されている。同様に、説明しやすくするために、図面はおおむね同じような配向で示されているが、このような図示はほとんどの部分において任意のものである。本発明は概して、いかなる配向においても動作可能である。

［００２２］幾つかの共通している特徴を有する複数の実施形態が開示され、記載されるが、これら実施形態の例示、説明を明解にし、簡単に理解できるようにするために、同様の似ている特徴は同じ参照番号で記載される。

［００２３］解説のために、本明細書で使用する「水平」という語は、その配向性と関係なく、マスクブランクの面又は表面に平行する面として定義される。「垂直」という語は、ここで定義されたように水平に対して垂直の方向を指すものである。例えば「上（ａｂｏｖｅ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、（「側壁」等における）「側方（ｓｉｄｅ）」、「高い（ｈｉｇｈｅｒ）」、「低い（ｌｏｗｅｒ）」、「上方（ｕｐｐｅｒ）」、「上側（ｏｖｅｒ）」、「下側（ｕｎｄｅｒ）」等の語は、図に示すように、水平面に対して定義される。［００３１］「の上（ｏｎ）」という語は、エレメント間で直接の接触があることを示す。

本明細書で使用される「処理」という用語は、記載された構造体を形成するために必要とされる、材料又はフォトレジストの堆積、並びに、材料又はフォトレジストのパターニング、露出、現像、エッチング、洗浄、及び／又は除去を含む。

［００２５］ここで、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク作製システム１００を示す図１を参照する。統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００は、例えばガラス、シリコン、又は他の超低熱膨張材料の基板等の基板１０５を含有する搬送ボックスがロードされるロードポート１０４を有するマスクブランクローディング及びキャリアハンドリングシステム１０２を含む。エアロック１０６により、基板ハンドリング真空チャンバ１０８へのアクセスが提供される。一実施形態では、基板ハンドリング真空チャンバ１０８は、第１の真空チャンバ１１０と第２の真空チャンバ１１２の２つの真空チャンバを含有しうる。第１の真空チャンバ１１０は第１の基板ハンドリングプラットフォーム１１４を含有し得、第２の真空チャンバ１１２は第２の基板ハンドリングプラットフォーム１１６を含有しうる。

［００２６］基板ハンドリング真空チャンバ１０８は、様々なサブシステムを取り付けるためにその外縁に複数のポートを有しうる。第１の真空チャンバ１１０は例えば、ガス抜きサブシステム１１８と、二層吸収堆積チャンバ等の第１の物理的気相堆積サブチャンバ１２０と、裏面チャッキング層堆積チャンバ等の第２の物理的気相堆積サブチャンバ１２２と、予洗浄サブシステム１２４とを有しうる。

［００２７］第２の真空チャンバ１１２は、多層堆積チャンバ等の第１のマルチカソードサブチャンバ１２６と、平坦化層堆積チャンバ等の流動性化学気相堆積（ＦＣＶＤ）サブチャンバ１２８と、硬化サブチャンバ１３０と、第２の真空チャンバ１１２に接続された第２のマルチカソードサブチャンバ１３２とを有しうる。

［００２８］第１の基板ハンドリングプラットフォーム１１４は、連続的な真空下で、エアロック１０６及び第１の真空チャンバ１１０の外縁の様々なサブシステムの中で、スリットバルブ（図示せず）を介して、第１の処理中基板１３４等の超低膨張基板を移動させることができる。第２の基板ハンドリングプラットフォーム１１６は、連続的な真空下に第２の処理中基板１３６を維持しながら、第２の真空チャンバ１１２周囲で第２の処理中基板１３６等の超低膨張基板を移動させることができる。

［００２９］統合型ＥＵＶマスクブランク作製システム１００により、ＥＵＶマスクブランクを製造するための環境が得られ、また第１の処理中基板１３４と第２の処理中基板１３６の手動での搬送が最小限になりうることが分かっている。

［００３０］ここで、一実施形態に係るＥＵＶマスクブランク２００の断面図である図２を参照する。ＥＵＶマスクブランク２００は、ガラス、ケイ素、又は他の超低熱膨張材料の超低熱膨張基板２０２を有しうる。超低熱膨張材料は、溶融シリカ、溶融石英、フッ化カルシウム、炭化ケイ素、酸化ケイ素−酸化チタン、又はこれらの材料の範囲内の熱膨張係数を有する他の材料を含む。

［００３１］超低膨張基板２０２におけるくぼみ及び／又は欠陥等の表面不完全性２０３を塞ぐ、超低膨張基板２０２の上部の粒子をカバーする、又は超低膨張基板２０２のすでに平坦化された表面を平滑化して平面２０５を形成するために平坦化層２０４が使用可能であることが分かっている。

［００３２］多層スタック２０６を平坦化層２０４に形成して、ブラッグリフレクタが形成されうる。ＥＵＶリソグラフィで使用される照明波長の吸収性のために、反射光学系が使用される。多層スタック２０６は、リフレクタを形成するために、例えばモリブデン及びシリコン等の高Ｚ材料及び低Ｚ材料が交互に重なった層からできていてよい。

［００３３］キャップドブラッグリフレクタ（ｃａｐｐｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）を形成するために、超低膨張基板２０２の反対側の多層スタック２０６にキャッピング層２０８が形成される。キャッピング層２０８は、多層スタック２０６を、ＥＵＶマスクブランク２００が連続的なマスク処理の間に曝露されうる酸化及び全ての化学エッチャントから保護するのを助けるために、ルテニウム（Ｒｕ）又はそれらの非酸化化合物等の材料であってよい。窒化チタン、炭化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ルテニウム、及び炭化ケイ素等の他の材料もキャッピング層２０８に使用されうる。

［００３４］キャッピング層２０８に、二層吸収体２１０が配置される。二層吸収体２１０は、第１の吸収層２１２と、第２の吸収層２１４とを含みうる。二層吸収体２１０は、特定周波数（約１３．５ｎｍ）のＥＵＶ光に対し、高い結合吸収係数を有する材料のペアである。一実施形態では、キャッピング層２０８のすぐ上に第１の吸収層２１２、例えば銀（Ａｇ）が形成され得、第１の吸収層２１２のすぐ上に第２の吸収層２１４、例えばニッケル（Ｎｉ）が形成されうる。

［００３５］ＥＵＶマスクブランク２００に形成されたマスクにおいてシャドーイングの原因となる表面視差を低減するために、二層吸収体２１０をできるだけ薄く維持しなければならない。クロム、タンタル又はそれらの窒化物で形成され、８０ｎｍを超える厚さ２１１を有する吸収層に課せられる制約のうちの１つは、ＥＵＶ光の入射角により、ＥＵＶマスクブランクを使用してマスクによって作製される集積回路において達成されうるパターンサイズを制限するシャドーイングが生じ得、製作されうる集積回路デバイスのサイズが制限される。

［００３６］光路差によって誘発された移相に起因する反射率低下に対し、第１の吸収層２１２と第２の吸収層２１４の材料の選択が非常に重要であることが分かっている。一実施例として、実施形態は、２７．７ｎｍの銀（Ａｇ）の層である第１の吸収層２１２と、２．３ｎｍのニッケル（Ｎｉ）の層である第２の吸収層２１４とでできた３０ｎｍの厚さ２１１を有する二層吸収体２１０を有しうる。この実施形態では、０．５８％の反射率の割合しか得られない。

［００３７］二層吸収体２１０には、反射防止コーティング（ＡＲＣ）２１６が堆積される。ＡＲＣ２１６は、例えばオキシ窒化タンタル、又は酸化ホウ素タンタル等の材料でできていてよい。

［００３８］基板を静電チャック（図示せず）に、又は静電チャックと共に装着するために、平坦化層２０４の反対側の超低膨張基板２０２の裏面側の表面に、裏面チャッキング層２１８が形成される。

［００３９］ここで、ＥＵＶマスク３００の斜視図を示す図３を参照する。ＥＵＶマスク３００は長方形であってよく、その上面にパターン３０２を有しうる。パターン３０２がエッチングされてＡＲＣ２１６と、図２の二層吸収体２１０が形成され得、集積回路（図示せず）の製造ステップに関連する形状寸法を示すためにキャッピング層２０８が露出する。パターン３０２の反対側のＥＵＶマスク３００の裏面に、裏面チャッキング層２１８が形成されうる。

［００４０］ここで、超低欠陥のＥＵＶマスクブランク２００を作製するための方法４００のフロー図を示す図４を参照する。超低欠陥は、欠陥がほぼゼロということである。方法４００は、ベース投入ステップ４０２において図２の超低膨張基板２０２を供給することを含む。超低膨張基板２０２の裏面が、基板洗浄ステップ４０４で洗浄され、裏面準備ステップ４０６においてガス抜きされ、予洗浄されうる。

［００４１］裏面チャッキングステップ４０８において図２の裏面チャッキング層２１８が形成され、前面洗浄ステップ４１０において前面の洗浄が実施される。前面洗浄ステップ４１０の後で、マスクブランク１０４が次の処理のために第１の真空チャンバ１１０に投入されうる。キャップドブラッグリフレクタ４１２を形成するステップは、周囲環境からの汚染を避けるために引続き真空下にある間に、図１のＥＵＶマスクブランク作製システム１００においてより良好に実施される。

［００４２］第１の真空チャンバ１１０において、ガス抜き及び予洗浄ステップ４１４と、平坦化ステップ４１６が実施される。平坦化層硬化ステップ４１８において図２の平坦化層２０４が硬化され得、第２の真空チャンバ１１２において実施されうる多層スタック堆積ステップ４２０において図２の多層スタック２０６の堆積が実施される。キャップドブラッグリフレクタ等の第２の処理中基板１３６を形成するために、キャッピング層堆積ステップ４２２において第２の真空チャンバ１１２内で図２のキャッピング層２０８が堆積されうる。

［００４３］ＥＵＶマスクブランク作製システム１００から出た後で、第２の処理中基板１３６に詳細検査ステップ４２４において実施される深紫外線（ＤＵＶ）／化学的検査が行われ、第２の処理中基板１３６は任意選択的に第２の前面洗浄ステップ４２６において洗浄され、図２のＥＵＶマスクブランク２００を形成するために、ＥＵＶマスクブランク完成ステップ４２８において図２の吸収層２１０と図２の反射防止コーティング２１２が堆積されうる。

［００４４］ＥＵＶマスクブランク作製システム１００は、一貫して欠陥がほぼゼロのＥＵＶマスクブランク２００を作製しうることが分かっている。チャンバでは平坦化層２０４の堆積とその硬化との間に熱勾配時間を設ける必要がないため、第１の真空チャンバ１１０における平坦化層２０４の形成と、第２の真空チャンバ１１２における平坦化層２０４の硬化により、ＥＵＶマスクブランク作製システム１００の効率性が改善されうる。

［００４５］ここで、超低欠陥のＥＵＶマスクブランク２００を作製するための代替方法５００のフロー図を示す図５を参照する。超低欠陥とは、欠陥がほぼゼロであるということである。代替方法５００は、ベース投入ステップ５０２において図２の超低膨張基板２０２を供給することによって開始される。裏面洗浄ステップ５０４において超低膨張基板２０２が洗浄され得、前面洗浄ステップ５０６において前面が洗浄されうる。

［００４６］キャップドブラッグリフレクタ５０８を形成するステップは、周囲環境からの汚染を避けるために連続的な真空下にある間に、図１のＥＵＶマスクブランク作製システム１００においてより良好に実施される。

［００４７］第１の真空チャンバ１１０において実施される真空洗浄ステップ５１０において、マスクブランク１０４がガス抜きされ予洗浄される。チャッキング堆積ステップ５１２において裏面チャッキング層２１８が堆積され、平坦化ステップ５１４において平坦化される。第２の真空チャンバ１１２で実施されうる平坦化硬化ステップ５１６において図２の平坦化層２０４が硬化されうる。第２の処理中基板１３６を形成するために、多層スタックを堆積させるステップ５１８において図２の多層スタック２０６の堆積が実施され、キャップを堆積させる堆積ステップ５２０において図２のキャッピング層２０８が堆積されうる。

［００４８］詳細検査ステップ５２２において、ＤＵＶ／化学的検査はＥＵＶマスクブランク作製システム１００内で実施されうるが、その外でも実施されうる。第２の処理中基板１３６は任意選択的に第２の洗浄ステップ５２４において洗浄され、ＥＵＶマスクブランク完成ステップ５２６において図２の吸収層２１０と図２の反射防止コーティング２１２が堆積されうる。

［００４９］ここで、ＥＵＶリソグラフィシステムの光学系トレイン６００を示す図６を参照する。光学系トレイン６００は、ＥＵＶ光を生成し、それをコレクタ６０４に集めるための、プラズマ源等の極紫外線源６０２を有する。コレクタ６０４は、ＥＵＶ光の焦点を視野ファセットミラー６０８に合わせるための放物形状を有しうる。コレクタ６０４により、照射システム６０６の一部である視野ファセットミラー６０８に光が供給される。

［００５０］視野ファセットミラー６０８の表面は、ＥＵＶ光の焦点を瞳孔ファセットミラー６１０に更に合わせるために、凹状の輪郭を有しうる。照射システム６０６はまた、（図１のマスクブランク１０４の完全に処理されたバージョンである）レチクル６１２にＥＵＶ光を伝達し、焦点を合わせるための一連の瞳孔ファセットミラー６１０も含む。

［００５１］レチクル６１２は、集積回路の処理層を表すパターンを有しうる。レチクル６１２は、投影光学素子６１４を通して、半導体基板６１６上にパターンを含むＥＵＶ光を反射する。投影光学素子６１４により、レチクル６１２によって提供されたパターンの面積が縮小し、半導体基板６１６の表面にわたるパターンが繰り返し露出されうる。

［００５２］実施形態では、図２のＥＵＶマスクブランク２００が平滑化されることで、基板表面の全てのくぼみ、欠陥及び粒子が除去され、表面が原子的に平坦で滑らかになることが分かっている。いかなるプロセス関連の欠陥も誘発されずに、ＥＵＶマスクブランク２００の表面への欠陥のない材料の堆積が処理され、平坦で滑らかな表面が達成されうる。図２のＥＵＶマスクブランク２００は、光学系トレイン６００の重要な構成要素である。光学系トレイン６００は、マニュアル作業の介入なしに、半導体基板６１６をレチクル６１２からのパターンに曝露されるように連続的に位置決めしうる。

［００５３］ここで、図２の第１の吸収層２１２の厚さの関数として、反射率の割合７０２のグラフ７０１を示す図７を参照する。[請求項２]グラフ７０１のｙ軸は、図２の二層吸収体２１０の反射率の割合７０２であってよい。[請求項２]ｘ軸は、二層吸収体２１０の３０ｎｍの実施形態の第１の吸収層２１２の厚さ７０４の寸法であってよい。

［００５４］サンプル反射率７０６は、第１の吸収層２１２の厚さ７０４の増加に基づく結果的な反射率の割合７０２のトレースを示しうる。サンプル反射率７０６は、二層吸収体２１０のニッケル−銀の実施形態における銀（Ａｇ）である第１の吸収層２１２の厚さ７０４を示しうる。２つの層が堆積される順序は、光路差により誘発される移相に起因する反射率の低下に対して非常に重要である。

［００５５］一実施形態により、図２の３０ｎｍの結合厚さ２１１を得るために、図２のキャッピング層２０８に堆積される銀（Ａｇ）の層である第１の吸収層２１２と、ニッケル（Ｎｉ）層である図２の第２の吸収層２１４を有する二層吸収体２１０が提供される。サンプル反射率７０６に示される振動は、図２のキャッピング層２０８と多層スタック２０６を有する二層吸収体２１０の位相整合が原因で起こる。二層吸収体２１０の全厚さ２１１は３０ｎｍである。グラフから分かるように、反射率の割合７０２の最低レベルは、二層吸収体２１０を形成する２７．７ｎｍである銀と２．３ｎｍであるニッケルによって得られる。

［００５６］実施形態では、キャッピング層２０８は２ｎｍの厚さの薄いルテニウム層であると想定される。二層吸収体２１０の作用が、キャップド多層にグラフ表示される。二層吸収体２１０の態様は、結果的に反射率の割合７０２の低下につながる相殺的干渉を起こす光路差によって誘発される移相を作り出すことである。この作用は、金属層の屈折率の実数部によって変化する。図７に、ニッケル−銀の二層吸収体である二層吸収体２１０の一実施形態を示す。銀の厚さ７０４の増加の関数である反射率の割合７０２を、サンプル反射率７０６として示す。吸収スタックの全厚さ２１１は３０ｎｍに一定に保たれる。銀の厚さが増加すると、同時にニッケルの厚さが低下する。Ｎｉの厚さが２．３ｎｍであり、Ａｇの厚さが２７．７ｎｍであると、全体の反射率は０．５８％であり、これは、Ｎｉ層のみの厚さが３０ｎｍである時の反射率（１．９％）又はＡｇ層のみの厚さが３０ｎｍである時の反射率（１．６％）よりもかなり低いことが示される。サンプル反射率７０６の振動は、光路差によって誘発された移相に起因する位相整合及び不整合が原因で起こる。

［００５７］表１に示すように、銀（Ａｇ）にニッケル（Ｎｉ）を重ねて形成された二層吸収体２１０は、他の組み合わせよりかなり低い反射率の割合７０２を提供する。

［００５８］表１：３０ｎｍの二層吸収体の最低反射率は、幾つかの金属系についてモデル化されている。

［００５９］表１は、３０ｎｍの二層吸収体２１０の反射率の割合７０２の最低値を集めたものである。これらの二重層が堆積される順序は、システムの位相不整合の制御において非常に重要である。これらの二層吸収体２１０の実施形態は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＲＦ、及びＤＣマグネトロンスパッタリング技法によって堆積されうる。これら金属のうちほとんどは、自然酸化物の非常に薄い層を形成し、これらの層の１３．５ｎｍにおける吸収及び移相作用に対する影響は非常に小さい。

［００６０］表２：二層吸収体の反射率を０．８％にするのに必要な最小厚

［００６１］二層吸収体２１０の反射率の割合７０２を０．８％にするのに必要な最小の厚さ７０４を表２に一覧で示す。これらの材料の選択基準は、エッチング可能な選択性と、０．８％の反射率の割合７０２を達成するのに必要な最小厚さに基づくものである。これらの材料の原子散乱因子は、周期表の他の素子よりも高い実数及び虚数特性を有しうる。高い虚数特性は吸収によるものであり、実数部は入射光の位相を調節する能力に対応する。位相の調節は、光路差によって誘発された移相に関連するため、吸収体の厚さ７０４にも依存する。

［００６２］結果的な方法、プロセス、装置、デバイス、製品、及び／又はシステムは、単純で、費用効率が高く、複雑でなく、非常に万能で正確、精度が高く、また効果的であり、素早く効率的に、及び経済的に製造、応用、及び利用するために既知の構成要素を適合させることによって実行されうる。

［００６３］本発明の別の重要な態様は、コスト削減、システムの簡略化、及び性能向上という歴史的トレンドを有用に支持且つ支援することである。

［００６４］本発明のこれらの及び他の有用な態様により結果的に、技術段階が少なくとも次のレベルまで引き上げられる。

［００６５］本発明を特定の最良モードと併せて説明してきたが、当然ながら、前述の説明に照らせば、多数の代替例、修正例、及び変形例が当業者に明らかとなるであろう。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲内の全ての上記代替例、修正例、及び変形例を包含するものである。本明細書にこれまでに記載された、又は添付の図に示された全ての事項は、単なる実例であり非限定的なものとして解釈されるべきである。

Claims (10)

1. 極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクであって、
   表面不完全性を含む超低膨張基板と、
   前記表面不完全性を封包する前記超低膨張基板の上の平坦化層と、
   前記平坦化層の上の多層スタックと、
   前記多層スタックの上の、第１の吸収層と第２の吸収層とを含む二層吸収体であって、第１の吸収層と第２の吸収層との結合厚さが３０ｎｍであり、前記第１の吸収層が１３．５ｎｍの波長において１．９％未満の反射率をもたらす厚さを有する、二層吸収体とを備える、マスクブランク。
2. 前記多層スタック上に、当該多層スタックを保護するキャッピング層を更に備え、前記二層吸収体が前記キャッピング層の上に形成される、請求項１に記載のマスクブランク。
3. 前記第１の吸収層の厚さが、２６．５ｎｍ〜２８ｎｍの範囲を含む、請求項１に記載のマスクブランク。
4. 前記第２の吸収層の厚さが、２ｎｍ〜３．５ｎｍの範囲を含む、請求項１に記載のマスクブランク。
5. 前記平坦化層のすぐ上に形成された追加の多層スタックを更に備え、前記追加の多層スタックが、最大６０の垂直のスタックに形成された前記多層スタックを含む、請求項１に記載のマスクブランク。
6. 前記二層吸収体が、錫（Ｓｎ）、プラチナ（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、又はニッケル（Ｎｉ）の前記第１の吸収層を含む、請求項１に記載のマスクブランク。
7. 前記二層吸収体が、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、又はテルル（Ｔｅ）の前記第２の吸収層を含む、請求項１に記載のマスクブランク。
8. 前記二層吸収体が、３０ｎｍの結合厚さに堆積された銀（Ａｇ）の前記第１の吸収層と、ニッケル（Ｎｉ）の前記第２の吸収層を含む、請求項１に記載のマスクブランク。
9. 前記二層吸収体が、３０ｎｍの結合厚さに堆積されたプラチナ（Ｐｔ）の前記第１の吸収層と、亜鉛（Ｚｎ）の前記第２の吸収層を含む、請求項１に記載のマスクブランク。
10. 前記二層吸収体が、３０ｎｍの結合厚さに堆積されたインジウム（Ｉｎ）の前記第１の吸収層と、テルル（Ｔｅ）の前記第２の吸収層を含む、請求項１に記載のマスクブランク。
    

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