TWI599002B - 封裝結構製作方法 - Google Patents

Description

封裝結構製作方法

本發明涉及電子封裝領域，尤其涉及一種封裝結構製作方法。

在電子封裝領域，為避免外界輻射源影響封裝元件的正常工作，或減少封裝元件對其他電子元件的干擾，通常會在封裝元件上設置一個遮罩。目前所述遮罩一般採用不銹鋼或洋白銅等合金製作而成。所述遮罩包圍所述封裝元件，且所述遮罩與封裝元件之間存有空隙，使得封裝元件的散熱只能藉由封裝基板散出，進而導致散熱效果不佳。

有鑑於此，有必要提供一種克服上述問題的一種封裝結構的製作方法。

一種封裝結構製作方法，包括：提供上述遮罩；提供晶片，包括底面，所述底面設置有複數電極墊；將所述晶片裝入所述遮罩內，所述晶片與所述粘接層粘接，所述底面從所述開口露出；提供封裝基板，包括複數連接墊及接地墊；將裝有晶片的遮罩安裝到所述封裝基板上，所述電極墊與所述連接墊一一對應電性連接，所述接地端與所述接地墊對應電性連接。

與先前技術相比，本發明提供的遮罩、封裝結構及封裝結構製作方法，由於所述遮罩包括粘接層及遮蔽層，所述粘接層為導熱導電膠體，其可 將所述晶片產生的熱量傳導至所述遮蔽層，經由所述遮蔽層散出，並且可將晶片上的靜電經由所述遮蔽層接地，進而避免晶片受靜電干擾而損壞。另外，本發明提供的遮罩由於所述遮蔽層為網格結構，可藉由設計不同規格的網格實現不同頻率的電磁遮罩作用。

100‧‧‧封裝結構

10‧‧‧遮罩

11‧‧‧開口

12‧‧‧收容空間

13‧‧‧基底層

14‧‧‧結合層

15‧‧‧遮蔽層

16‧‧‧粘接層

151‧‧‧端部

20‧‧‧晶片

21‧‧‧底面

22‧‧‧接觸面

23‧‧‧電極墊

30‧‧‧封裝基板

31‧‧‧安裝面

32‧‧‧連接墊

33‧‧‧接地墊

40‧‧‧底膠

圖1係本發明實施例提供的遮罩的立體示意圖。

圖2係沿圖1的II-II線切割後得到的剖面示意圖。

圖3係本發明實施例提供的晶片的剖面示意圖。

圖4係將圖3的晶片裝入圖2的遮罩後的剖面示意圖。

圖5係本發明實施例提供的封裝基板的剖面示意圖。

圖6係將圖4的裝有晶片的遮罩安裝到圖5的封裝基板後的剖面示意圖。

圖7係在圖6的晶片與封裝基板之間填入底膠後的剖面示意圖。

下面結合具體實施方式對本發明提供的遮罩、封裝結構、遮罩製作方法及封裝結構製作方法進行詳細說明。

本發明提供的封裝結構100的製作方法包括步驟：

第一步，請一併參閱圖1及圖2，提供一個遮罩10。

所述遮罩10大致為方形殼體結構。所述遮罩10內部圍成有一個收容空間12。所述收容空間12一側開設有開口11。所述遮罩10的罩體包括四層結構，由外向內分別為基底層13、結合層14、遮蔽層15及粘接層16。所述結合層14位於所述基底層13與所述遮蔽層15之間，用於粘結所述基底層13與所述遮蔽層15。所述粘接層16位於所述遮蔽層15背離所述結合層14的一側。所述粘接層16從所述開口11露出，用於粘接晶片。本實施方式中，所述基底層13的厚度範圍為1~12μm。所述基底層13可為聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、 可雙向拉伸聚酯(BOPET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等透明材料。所述結合層14的厚度範圍為5~15μm。所述結合層14為透明熱固膠。所述遮蔽層15的厚度範圍為4~18μm。所述遮蔽層15呈網格狀。所述遮蔽層15由銅、鋁等導電材料製成。所述遮蔽層15包括延伸至所述開口11的端部151。所述端部151可作為接地端。所述粘接層16為透明感壓導熱導電膠，以輔助晶片散熱及將晶片上的靜電匯出，避免晶片受靜電干擾而損壞。所述基底層13、結合層14及粘接層16的透光率均大於85%，且霧度小於4。

可以理解的是，其他實施方式中，所述遮罩10也可不包括所述結合層14，而僅包括所述基底層13、遮蔽層15及粘接層16。

第二步，請參閱圖3，提供一個晶片20。

所述晶片20的形狀與所述收容空間12對應，且所述晶片20的大小略大於所述收容空間12的大小。所述晶片20包括底面21及接觸面22。所述底面21與所述接觸面22相背且相互連接。本實施方式中，所述底面21為平面，所述接觸面22為曲面。所述底面21設置有複數電極墊23。

第三步，請參閱圖4，將所述晶片20裝入所述收容空間12。

所述晶片20的接觸面22與所述粘接層16粘接，以將所述晶片固設在所述遮罩10內。由於所述晶片20的大小略大於所述收容空間12的大小，在將所述晶片20裝入所述收容空間12中時，所述晶片20的接觸面22擠壓所述粘接層16，以與所述粘接層16緊密接觸，從而使所述晶片20更好地固設在所述遮罩10中。所述底面21從所述開口11露出。

第四步，請參閱圖5，提供一個封裝基板30。

所述封裝基板30包括一個安裝面31。所述安裝面31設置有複數連接墊32及接地墊33。所述連接墊32與所述電極墊23一一對應。所述接地墊33與所述端部151電性連接。

第五步，請參閱圖6，將裝有所述晶片20的遮罩10安裝到所述封裝基板30上。

所述電極墊23與所述連接墊32一一對應電性連接。所述接地墊33與所述端部151對應電性連接。本實施方式中，所述連接墊32與所述電極墊23之間及所述接地墊33與所述端部151之間的電性連接可藉由植焊球的方式導通。

第六步，請參閱圖7，在所述晶片20與所述封裝基板30之間填入底膠40。

所述底膠40填充在所述晶片20的底面21與所述封裝基板30的安裝面31之間並包覆所述電極墊23與所述連接墊32形成的電連接結構。所述底膠40還填充在所述端部151與所述封裝基板30之間，以將所述遮罩10固設在所述封裝基板30上。所述底膠40的透光率大於85%，且霧度小於4。所述底膠40可為熱固膠或UV固化膠。本實施方式中，所述底膠40為UV固化膠。

可以理解的是，所述封裝結構100的製作方法還包括使所述底膠40固化的步驟。本實施方式中，藉由UV光照射使所述底膠40固化。

可以理解的是，其他實施方式中，所述基底層13、結合層14及粘接層16也可以採用非透明材料製成。此時，所述底膠40為熱固膠。藉由加熱所述底膠40固化。

請再一次參閱圖7，本發明實施方式還提供一種可藉由上述方法獲得的封裝結構100。

所述封裝結構100包括遮罩10、晶片20、封裝基板30及底膠40。

所述遮罩10大致呈方形殼體結構。所述遮罩10內部圍成有一個收容空間12。所述收容空間12一側開設有開口11。所述遮罩10的罩體包括四層結構，由外向內分別為基底層13、結合層14、遮蔽層15及粘接層16。所述結合層14位於所述基底層13與所述遮蔽層15之間，用於粘結所述基底層13與所述遮蔽層15。所述粘接層16位於所述遮蔽層15背離所述結合層14的一側。所述粘接層16從所述開口11露出。所述粘接層16用於粘接晶片。本實施方式中，所述基底層13的厚度範圍為1~12μm。所述基底層13可為聚對苯二甲酸乙二 酯(PET)、可雙向拉伸聚酯(BOPET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等透明材料。所述結合層14的厚度範圍為5~15μm。所述結合層14為透明熱固膠。所述遮蔽層15的厚度範圍為4~18μm。所述遮蔽層15呈網格狀。所述遮蔽層15可為銅、鋁等材料。所述遮蔽層15包括延伸至所述開口11的端部151。所述端部151可作為接地端。所述粘接層16為透明感壓導熱導電膠。所述基底層13、結合層14及粘接層16的透光率均大於85%，且霧度小於4。

可以理解的是，其他實施方式中，所述遮罩10也可不包括所述結合層14，而僅包括所述基底層13、遮蔽層15及粘接層16。

所述晶片20固設在所述收容空間12內。

所述晶片20包括底面21及與所述底面連接的接觸面22。所述接觸面22與所述粘接層16接觸。所述底面21從所述開口11露出。所述底面21設置有複數電極墊23。

所述封裝基板30包括一個安裝面31。所述安裝面31設置有複數連接墊32及接地墊33。所述連接墊32與所述電極墊23一一對應電性連接。所述接地墊33與所述端部151對應電性連接。

所述底膠40填充在所述晶片20與所述封裝基板30之間。所述底膠40包覆所述連接墊32與電極墊23形成的電連接結構。所述底膠40還填充在所述端部151與所述封裝基板30之間，以將所述遮罩10固設在所述封裝基板30上。所述底膠40可為UV固化膠或熱固膠等。本實施方式中，所述底膠40為UV固化膠。所述底膠的透光率大於85%，且霧度小於4。

本發明提供的遮罩、封裝結構及封裝結構製作方法，由於所述遮罩包括粘接層及遮蔽層，所述粘接層為導熱導電膠體，其可將所述晶片產生的熱量傳導至所述遮蔽層，經由所述遮蔽層散出，並且可將晶片上的靜電經由所述遮蔽層接地，進而避免晶片受靜電干擾而損壞。另外，本發明提供的遮罩由於所述遮蔽層為網格結構，可藉由設計不同規格的網格實現不同頻率的電磁遮罩作用。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式及所列之數據為作試驗及參考之所用，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧封裝結構

11‧‧‧開口

12‧‧‧收容空間

13‧‧‧基底層

14‧‧‧結合層

15‧‧‧遮蔽層

16‧‧‧粘接層

151‧‧‧端部

20‧‧‧晶片

21‧‧‧底面

22‧‧‧接觸面

23‧‧‧電極墊

30‧‧‧封裝基板

31‧‧‧安裝面

32‧‧‧連接墊

33‧‧‧接地墊

40‧‧‧底膠

Claims (7)

1. 一種封裝結構製作方法，包括：提供遮罩，所述遮罩內設有一收容空間，所述收容空間一側設有開口，所述遮罩包括遮蔽層及分別位於其兩側的基底層與粘接層，所述遮蔽層為網格結構，所述遮蔽層包括延伸至所述開口的接地端，所述粘接層為感壓導熱導電膠體；提供晶片，包括底面，所述底面設置有複數電極墊；將所述晶片裝入所述遮罩內，所述晶片與所述粘接層粘接，所述底面從所述開口露出；提供封裝基板，包括複數連接墊及接地墊；將裝有晶片的遮罩安裝到所述封裝基板上，所述電極墊與所述連接墊一一對應電性連接，所述接地端與所述接地墊對應電性連接。
2. 如請求項1所述的封裝結構製作方法，其中，所述封裝結構製作方法還包括在所述晶片與所述封裝基板之間及所述端部與所述封裝基板之間填充底膠，以將所述晶片及所述遮罩固設在所述封裝基板上。
3. 如請求項1所述的封裝結構製作方法，其中，所述遮罩還包括結合層，所述結合層位於所述基底層與所述遮蔽層之間，用於粘結所述基底層與所述遮蔽層。
4. 如請求項3所述的封裝結構製作方法，其中，所述基底層、所述結合層及所述粘接層均為透明材料，透光率均大於85%，且霧度均小於4。
5. 如請求項1所述的封裝結構製作方法，其中，所述遮蔽層的厚度範圍為4~18μm。
6. 如請求項1所述的封裝結構製作方法，其中，所述遮蔽層由銅、鋁等導電材料製成。
7. 如請求項2所述的封裝結構製作方法，其中，所述底膠包覆所述電極墊與所述連接墊形成的電連接結構，所述底膠還填充在所述端部與所述封裝基板之間，且所述底膠的透光率大於85%，且霧度小於4。