TWI808738B - 支撐組件、支撐組件的製造方法及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種支撐組件，其係包含基板、設置在基板之上表面上的第一金屬層、設置在基板之下表面上的第二金屬層、設置在第一金屬層上的第三金屬層及設置在第二金屬層上的第四金屬層。支撐組件包含在基板的第一區域中的通孔。支撐組件包含在基板之第二區域中的第一凹槽及第二凹槽。支撐組件包含填充第一凹槽及第二凹槽的填充材料。藉此，支撐組件可具有支撐效果並兼具散熱功能。

Description

支撐組件、支撐組件的製造方法及顯示裝置
本發明是關於一種支撐組件、支撐組件的製造方法及顯示裝置，特別是關於一種用於折疊顯示裝置的支撐組件及其製造方法
隨著消費者對電子產品的各種需求變化，對電子產品之較大尺寸的顯示螢幕需求增加，然而較大尺寸的顯示螢幕會有攜帶上的不便。其次，當長時間使用一般的大尺寸顯示螢幕時，顯示螢幕所產生的熱量會堆積而導致顯示螢幕的溫度上升，從而降低顯示螢幕的效能與壽命。
本發明之一態樣是提供一種支撐組件，其係包含堆疊的金屬層及分佈於其中的通孔及凹槽。
本發明之另一態樣是提供一種顯示裝置，其係包含支撐組件及顯示組件。
本發明之再一態樣是提供一種支撐組件的製造方法。
根據本發明之一態樣，提供一種支撐組件。支撐組件包含基板，其中基板包含第一區域及兩個第二區域，且第一區域位於兩個第二區域之間。支撐組件還包含設置在基板之上表面上的第一金屬層、設置在基板之下表面上的第二金屬層、設置在第一金屬層上的第三金屬層及設置在第二金屬層上的第四金屬層。支撐組件包含設置在基板的第一區域中的多個通孔，其中通孔係自第三金屬層延伸至第四金屬層。支撐組件包含設置在基板之第二區域中的多個第一凹槽及多個第二凹槽。第一凹槽延伸至第一金屬層但不延伸至基板，而第二凹槽延伸至第二金屬層但不延伸至基板。第一凹槽及第二凹槽互不連接。支撐組件包含填充第一凹槽及第二凹槽的填充材料。
根據本發明之一實施例，上述支撐組件更包含設置在第三金屬層上的第一感壓膠層及設置在第四金屬層上的第二感壓膠層。第三金屬層及第四金屬層係在第一感壓膠層與第二感壓膠層之間。
根據本發明之一實施例，上述支撐組件更包含設置在第一感壓膠層上的緩衝層，以及設置在緩衝層上的光學膠層。
根據本發明之一實施例，上述通孔在第一區域中的密度係大於第一凹槽及第二凹槽在第二區域中的密度。
根據本發明之一實施例，上述基板、第一金屬層及第三金屬層之總厚度不大於0.16 mm，且基板、第二金屬層及第四金屬層之總厚度不大於0.16 mm。
根據本發明之一實施例，上述第一金屬層之材料及第二金屬層包含第一材料，且第三金屬層之材料及第四金屬層包含第二材料。第一材料與第二材料不同。
根據本發明之另一態樣，提供一種顯示裝置，其係包含基板、設置在基板之上表面上的第一金屬層、設置在基板之下表面上的第二金屬層、設置在第一金屬層上的第三金屬層及設置在第二金屬層上的第四金屬層。所述基板包含第一區域及兩個第二區域。第一區域包含自第三金屬層延伸至第四金屬層的多個通孔。第一區域係位於兩個第二區域之間。第二區域包含自第三金屬層延伸至第一金屬層的第一凹槽，且第一凹槽暴露基材。第二區域還包含自第四金屬層延伸至第二金屬層的第二凹槽，且第二凹槽暴露基材。顯示裝置包含填充第一凹槽及第二凹槽的填充材料。顯示裝置還包含設置在第三金屬層上的顯示組件。
根據本發明之再一態樣，提供一種支撐組件的製造方法。方法包含形成第一金屬層在基板之上表面上，以及形成第二金屬層在基板之下表面上。利用金屬離子活化第一金屬層及第二金屬層，其中金屬離子係與第一金屬層及第二金屬層兩者的金屬發生化學反應。形成多個凹槽在基板之二側區域中。分別形成第三金屬層及第四金屬層在第一金屬層及第二金屬層上。利用填充材料填充凹槽。蝕刻基板的中心區域，以蝕穿第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層及第四金屬層，從而形成多個通孔。中心區域不包含凹槽。
根據本發明之一實施例，上述形成第三金屬層及第四金屬層在第一金屬層及第二金屬層上之步驟包含形成金屬層在凹槽之多個側壁及底表面上。
根據本發明之一實施例，在填充凹槽之後，及蝕刻基板之中心區域之前，上述方法更包含形成光阻層在第三金屬層及第四金屬層上；圖案化光阻層之一部分，以形成多個孔隙；以及對準光阻層之孔隙進行蝕刻，以形成通孔。
根據本發明之一實施例，上述方法更包含形成第一感壓膠層在第三金屬層上；以及形成第二感壓膠層在第四金屬層上，以使第三金屬層及第四金屬層在第一感壓膠層與第二感壓膠層之間。第一感壓膠層及第二感壓膠層為導熱膠。
根據本發明之一實施例，上述凹槽之深度大於第一金屬層及第三金屬層之總厚度，且小於基板之厚度的一半與第一金屬層及第三金屬層之總厚度的總和。
應用本發明之支撐組件及其製造方法，藉由金屬層的堆疊及通孔的設置，並填充凹槽，以提升支撐強度及增加散熱效果。
本發明提供許多不同實施例或例示，以實施發明的不同特徵。以下敘述之組件和配置方式的特定例示是為了簡化本發明。這些當然僅是做為例示，其目的不在構成限制。舉例而言，第一特徵形成在第二特徵之上或上方的描述包含第一特徵和第二特徵有直接接觸的實施例，也包含有其他特徵形成在第一特徵和第二特徵之間，以致第一特徵和第二特徵沒有直接接觸的實施例。除此之外，本發明在各種具體例中重覆元件符號及/或字母。此重覆的目的是為了使說明簡化且清晰，並不表示各種討論的實施例及/或配置之間有關係。
再者，空間相對性用語，例如「下方(beneath)」、「在…之下(below)」、「低於(lower)」、「在…之上(above)」、「高於(upper)」等，是為了易於描述圖式中所繪示的零件或特徵和其他零件或特徵的關係。空間相對性用語除了圖式中所描繪的方向外，還包含元件在使用或操作時的不同方向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或在其他方向)，而本發明所用的空間相對性描述也可以如此解讀。
如本發明所使用的「大約(around)」、「約(about)」、「近乎 (approximately)」或「實質上(substantially)」一般係代表在所述之數值或範圍的百分之20以內、或百分之10以內、或百分之5以內。
隨著科技的進步，目前的顯示技術已發展出一種折疊顯示裝置，而習知的折疊顯示裝置係利用柔性的有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)，但柔性的OLED具有顯示效果可能不落在同一水平面上的問題，則可能在顯示螢幕上產生折痕或皺紋。因此，製作折疊顯示裝置須在顯示模組中增加支撐組件，以對柔性螢幕具有支撐的效果，且避免柔性螢幕產生折痕和皺紋。因此，本發明之實施例藉由金屬層在基板上的堆疊，並設置通孔及填充凹槽，以獲得一種兼具支撐效果及散熱功能的支撐組件。
請參閱圖1，其係繪示根據本發明一些實施例之支撐組件100的上視圖。支撐組件100包含基板110(繪示於後續圖2至圖11)，而基板110包含第一區域100A及兩個第二區域100B。第一區域100A係位於兩個第二區域100B之間。換言之，第一區域100A為基板110的中心區域，而第二區域100B為基板110的二側區域。第一區域100A的中間可形成折疊顯示裝置的折疊軸線102。須注意的是，折疊軸線102可在第一區域100A的中間，但不一定在整個基板110的中間。以下圖式係根據剖面線A-A’的剖面視圖。
以下利用圖2至圖9說明本發明一些實施例之支撐組件的製造方法。圖2至圖9係繪示根據一些實施例之支撐組件100的製程之中間階段的剖面視圖。應理解的是，雖然此實施例的製程係以特定的順序說明，其他的實施例係能以任何邏輯性順序進行。
首先，請參閱圖2，第一金屬層120係形成在基板110之上表面110t上。在一些實施例中，基板110可以是剛性基板，且可由不銹鋼(例如SUS301或SUS304等)、鈦或其他合適的材料所製成。在一些實施例中，基板110之厚度T0為約0.03 mm至約0.06 mm。第一金屬層120的形成包含先將金屬漿液或金屬膏印刷在基板110之上表面110t上，然後進行乾燥固化而製得。
在一些實施例中，第一金屬層120之材料包含鋁，故前述金屬漿液或金屬膏可為鋁漿或鋁膏。相較於導熱係數為約16 W/(m‧K)的不銹鋼基板或導熱係數為約7 W/(m‧K)至約14 W/(m‧K)的鈦基板，第一金屬層120須選擇具有較高導熱係數的材料，即第一金屬層120的導熱係數高於基板110的導熱係數。舉例而言，鋁的導熱係數為約135 W/(m‧K)至約220 W/(m‧K)，故可使後續製得之支撐組件具有較佳的散熱效果。在一些實施例中，第一金屬層120的厚度T1為約0.02 mm至約0.05 mm。
接著，請參閱圖3，第二金屬層125係形成在基板110的下表面110b上，故基板110係在第一金屬層120及第二金屬層125之間。相似於第一金屬層120，第二金屬層125的形成亦包含先將金屬漿液或金屬膏印刷在基板110之下表面110b上，然後進行乾燥固化而製得。在一些實施例中，第二金屬層125之材料與第一金屬層120之材料相同。在一些實施例中，第二金屬層125之材料包含鋁。在一些實施例中，第二金屬層125的厚度T2為約0.02 mm至約0.05 mm。
請參閱圖4，利用金屬離子分別活化第一金屬層120及第二金屬層125，以分別在第一金屬層120及第二金屬層125之表面形成初始第三金屬層130A及初始第四金屬層135A。在第一金屬層120及第二金屬層125之材料為鋁的一些實施例中，金屬離子為銅離子，舉例而言，可利用硫酸銅溶液活化第一金屬層120及第二金屬層125。在上述實施例中，銅離子可與鋁金屬層進行如下式(1)的化學反應(例如氧化還原反應)，以將第一金屬層120及第二金屬層125之表面的鋁反應成銅。 2Al + 3Cu 2+→3Cu + 2Al 3+(1) 因此，金屬離子須選擇為可與第一金屬層120及第二金屬層125之金屬進行氧化還原反應者。
請參閱圖5，如上所述，第一區域100A係位於兩個第二區域100B之間。在一些實施例中，第一區域100A之寬度W1為約20 mm至約50 mm，且第二區域100B之一者的寬度W2為不小於30 mm。須注意的是，兩個第二區域100B不一定具有相同的寬度W2。一般而言，第一區域100A可為折疊顯示裝置的彎折區，而第二區域100B可為折疊顯示裝置的非彎折區。
請繼續參閱圖5，在第二區域100B進行鑽孔，例如利用雷射鑽孔製程，以製得自初始第三金屬層130A向下延伸至基板110的第一凹槽O1及自初始第四金屬層135A向下延伸至基材110的第二凹槽O2。第一凹槽O1及第二凹槽O2係不彼此交錯或接觸，換言之，第一凹槽O1及第二凹槽O2彼此不連通。以圖5為例，第一凹槽O1之底面係在第二凹槽O2之底面的上方，或第一凹槽O1之底面係比第二凹槽O2之底面更靠近第一金屬層120。藉此，保留基板110的部分厚度，以起到支撐顯示螢幕的功效。在一些實施例中，保留的基板110之厚度T R相對於基板110之厚度T0的比值T R/T0可為約1/4至約1/5。
在一些實施例中，第一凹槽O1之間的孔間距P1為約0.3 mm至約20 mm，且第二凹槽O2之間的孔間距P2為約0.3 mm至約20 mm。在一些實施例中，第一凹槽O1及第二凹槽O2之孔徑為約0.1 mm至約5 mm。須注意的是，雖然圖5係繪示為第一凹槽O1及第二凹槽O2之側壁為傾斜而不垂直於基板之橫向方向，然而第一凹槽O1及第二凹槽O2之側壁亦可實質垂直於基板之橫向方向。再者，雖然圖5係繪示為第一凹槽O1及第二凹槽O2彼此對應，但第一凹槽O1及第二凹槽O2亦可為彼此交錯。另外，第一區域100A不包含第一凹槽O1及第二凹槽O2。
請參閱圖6，第三金屬層130係形成在第一金屬層120(或初始第三金屬層130A)上，且第四金屬層135係形成在第二金屬層125(或初始第四金屬層135A)上。第三金屬層130之材料係與初始第三金屬層130A之材料相同，且第四金屬層135之材料係與初始第四金屬層135A之材料相同。在一些實施例中，第三金屬層130之材料與第四金屬層135之材料相同。在一些實施例中，第三金屬層130與第四金屬層135之材料包含銅或其他具有高導熱係數的材料。銅的導熱係數為約250 W/(m‧K)至約380 W/(m‧K)，故亦有助於使後續製得之支撐組件具有較佳的散熱效果。
請繼續參閱圖6，第三金屬層130亦形成在第一凹槽O1的側壁及底面上，且第四金屬層135亦形成在第二凹槽O2的側壁及底面上，以迅速傳導顯示螢幕產生的熱量。在一些實施例中，可利用電鍍製程、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)製程或原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)製程等沉積製程形成第三金屬層130及第四金屬層135。在一些實施例中，第三金屬層130的厚度T3為約0.01 mm至約0.03 mm，而第四金屬層135的厚度T4為約0.01 mm至約0.03 mm。在另一些實施例中，基板110之厚度T0、第一金屬層120之厚度T1及第三金屬層130之厚度T3的總厚度係不大於0.16 mm，且基板110之厚度T0、第二金屬層125之厚度T2及第四金屬層135之厚度T4的總厚度係不大於0.16 mm。
在一些實施例中，第一凹槽O1之深度D1係大於第一金屬層120之厚度T1及第三金屬層130之厚度T3的總和，且第一凹槽O1之深度D1係小於基板110之厚度T0的一半、第一金屬層120之厚度T1及第三金屬層130之厚度T3的總和，如下式(2)。 T1+T3＜D1＜T1+T3+0.5T0     (2) 相似地，第二凹槽O2之深度D2係大於第二金屬層125之厚度T2及第四金屬層135之厚度T4的總和，且第一凹槽O2之深度D2係小於基板110之厚度T0的一半、第二金屬層125之厚度T2及第四金屬層135之厚度T4的總和，如下式(3)。 T2+T4＜D2＜T2+T4+0.5T0     (3)
請參閱圖7，利用填充材料140填充第一凹槽O1及第二凹槽O2。應理解的是，填充材料140係形成在第一凹槽O1中的第三金屬層130上，並形成在第二凹槽O2中的第四金屬層135上。在一些實施例中，填充材料140可包含樹脂及油墨。在另一些實施例中，填充材料140亦包含具有散熱效果的材料。填充製程包含在填入填充材料140之後，進行固化步驟。在第一凹槽O1及第二凹槽O2中填入填充材料140有助於增加第二區域100B的支撐強度，進而減少顯示螢幕之折痕和皺紋產生的機率。
接著，請參閱圖8，分別形成光阻層150在第三金屬層130及第四金屬層135上，然後，曝光顯影在第一區域100A中的光阻層150之部分，以圖案化光阻層150，而形成多個孔隙O3在第一區域100A中的第三金屬層130及第四金屬層135上。
請同時參閱圖8與圖9，對準孔隙O3蝕穿基板110、第一金屬層120、第二金屬層125、第三金屬層130及第四金屬層135，以形成多個通孔V1，並移除剩餘的光阻層150。至此，支撐組件100基本上已完成製造。須注意的是，不形成通孔V1在第二區域100B中。在一些實施例中，通孔V1可為圓孔或長條形的溝槽。在通孔V1為圓孔的一些實施例中，圓孔的孔徑為約0.05 mm至約5 mm。在通孔V1為溝槽的一些實施例中，溝槽的寬度為約0.05 mm至約5 mm，且長度為約1 mm至約10 mm。在一些實施例中，通孔V1之間的間距P3為約0.2 mm至約20 mm。
通孔V1僅位於所製得之支撐組件100的第一區域100A(彎折區)中，以便於彎折。然而，包含填充材料140的第一凹槽O1及第二凹槽O2僅位於支撐組件100的第二區域100B(非彎折區)中，以確保支撐組件100的支撐強度。另外，為了使第一區域100A及第二區域100B的拉應力及壓應力平衡，第二區域100B中的第一凹槽O1及第二凹槽O2之密度須小於第一區域100A的通孔V1之密度，否則可能在交界區域產生皺褶。通孔V1之密度亦會影響支撐組件100的支撐強度。
請參閱圖10，其係繪示根據本發明一些實施例之支撐組件100的剖面視圖。在一些實施例中，第一感壓膠層160係形成在第三金屬層130上，且第二感壓膠層165係形成在第四金屬層135上。換言之，第三金屬層130及第四金屬層135係位於第一感壓膠層160及第二感壓膠層165之間。在一些實施例中，第一感壓膠層160及第二感壓膠層165為導熱膠，以幫助顯示螢幕的散熱。在一些實施例中，緩衝層170係形成在第一感壓膠層160上，然後光學膠層180係形成在緩衝層170上。在一具體例中，緩衝層170係由泡棉及/或其他具有緩衝性能的材料等所組成。
請參閱圖11，其係繪示根據本發明一些實施例之顯示裝置200的剖面視圖。顯示組件210係設置在支撐組件100的第三金屬層130上。利用光學膠層180將支撐組件100黏附於顯示組件210的背面上。在一些實施例中，顯示組件210為柔性顯示面板，其例如是有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)顯示面板或微型發光二極體(micro LED)顯示面板。另外，第二感壓膠層165可用來將顯示裝置200固定於手機或其他終端主機的構件上。
在顯示裝置200的使用過程中，顯示組件210(包含顯示螢幕)所產生的熱量會傳導至第一感壓膠層160、第三金屬層130、第一金屬層120、基板110、第二金屬層125、第四金屬層135、填充材料140及第二感壓膠層165，然後傳遞至主機的機殼後散失。由於前述熱量所通過的支撐組件100之材料具有較佳的導熱性質，因此可有助於散熱。
請參閱圖12，其係繪示根據本發明另一些實施例之支撐組件300的剖面視圖。相似於圖10之支撐組件100，圖11所示之支撐組件300包含基板310、設置在基板310之上表面310t上的第一金屬層320、設置在基板310之下表面310b上的第二金屬層325、設置在第一金屬層320上的第三金屬層330、設置在第二金屬層325上的第四金屬層335。在一些實施例中，第一金屬層320及第二金屬層325包含鋁，而第三金屬層330及第四金屬層335包含銅。在一些實施例中，支撐組件300可選擇性地包含在第三金屬層330上的第一感壓膠層360、在第四金屬層335上的第二感壓膠層365、在第一感壓膠層360上的緩衝層370及在緩衝層370上的光學膠層380。
支撐組件300包含第一區域300A及兩個第二區域300B，其中第一區域300A包含多個通孔V3，且第二區域300B包含以填充材料340A填充的第一凹槽(未標示)及填充材料340B填充的第二凹槽(未標示)。在一些實施例中，在第二區域300B中的第一凹槽及第二凹槽之密度小於在第一區域300A中的通孔V3之密度。
在一些實施例中，如圖12所示，包含填充材料340A的第一凹槽與包含填充材料340B的第二凹槽的位置係橫向上交錯，換言之，第一凹槽及第二凹槽之中心軸不互相重疊，即第一凹槽及第二凹槽彼此不同軸。再者，第一凹槽及第二凹槽的側壁係實質垂直於基板310的橫向方向X。在另一些實施例中，第一凹槽與第二凹槽交錯設置，而第一凹槽及第二凹槽的側壁為傾斜(即不垂直於基板310的橫向方向X)。在再一些實施例中，第一凹槽與第二凹槽相對應，而第一凹槽及第二凹槽的側壁係實質垂直於基板310的橫向方向X。無論第一凹槽與第二凹槽為相對或橫向上交錯設置，其底部皆不在同一水平面上，以使基板310仍具有特定厚度，以確保足夠的支撐強度。
根據上述，本發明提供一種支撐組件及其製造方法，其係將具有高導熱係數的多個金屬層分別形成在基板的上表面及下表面上，並使中心區域包含通孔，且二側區域包含具有填充材料的凹槽。藉此，支撐組件不僅可具有較佳的支撐效果，更可兼具散熱功能。除此之外，本發明亦提供一種顯示裝置，其係將顯示組件設置在本發明的支撐組件上，以免顯示組件的螢幕出現折痕和皺紋，並使顯示裝置在應用時所產生的熱量可藉由支撐組件的金屬層堆疊而有效地傳導，以避免熱量堆積，進而提升顯示裝置的效能與壽命。
雖然本發明已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，在本發明所屬技術領域中任何具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:支撐組件 100A:第一區域 100B:第二區域 102:折疊軸線 110:基板 110t:上表面 110b:下表面 120:第一金屬層 125:第二金屬層 130:第三金屬層 130A:初始第三金屬層 135:第四金屬層 135A:初始第四金屬層 140:填充材料 150:光阻層 160:第一感壓膠層 165:第二感壓膠層 170:緩衝層 180:光學膠層 200:顯示裝置 210:顯示組件 300:支撐組件 300A:第一區域 300B:第二區域 310:基板 310t:上表面 310b:下表面 320:第一金屬層 325:第二金屬層 330:第三金屬層 335:第四金屬層 340A,340B:填充材料 360:第一感壓膠層 365:第二感壓膠層 370:緩衝層 380:光學膠層 A-A’:剖面線 D1,D2:深度 O1:第一凹槽 O2:第二凹槽 O3:孔隙 P1,P2,P3:間距 T0,T1,T2,T3,T4,T R:厚度 V1,V3:通孔 W1,W2:寬度 X:方向
根據以下詳細說明並配合附圖閱讀，使本揭露的態樣獲致較佳的理解。需注意的是，如同業界的標準作法，許多特徵並不是按照比例繪示的。事實上，為了進行清楚討論，許多特徵的尺寸可以經過任意縮放。 [圖1]係繪示根據本發明一些實施例之支撐組件的上視圖。 [圖2]至[圖9]係繪示根據一些實施例之支撐組件的製程之中間階段的剖面視圖。 [圖10]係繪示根據本發明一些實施例之支撐組件的剖面視圖。 [圖11]係繪示根據本發明一些實施例之顯示裝置的剖面視圖。 [圖12]係繪示根據本發明另一些實施例之支撐組件的剖面視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:支撐組件
100A:第一區域
100B:第二區域
110:基板
120:第一金屬層
125:第二金屬層
130:第三金屬層
135:第四金屬層
140:填充材料
V1:通孔

Claims (12)

  1. 一種支撐組件，包含：一基板，包含一第一區域及兩個第二區域，其中所述第一區域位於所述第二區域之間；一第一金屬層，設置在所述基板之一上表面上；一第二金屬層，設置在所述基板之一下表面上；一第三金屬層，設置在所述第一金屬層上；一第四金屬層，設置在所述第二金屬層上；多個通孔，設置在所述基板之所述第一區域中，其中所述通孔自所述第三金屬層延伸至所述第四金屬層；多個第一凹槽，設置在所述基板之所述第二區域中，其中所述第一凹槽延伸至所述第一金屬層但不延伸至所述基板；以及多個第二凹槽，設置在所述基板之所述第二區域中，其中所述第二凹槽延伸至所述第二金屬層但不延伸至所述基板，且所述第一凹槽及所述第二凹槽互不連接；以及一填充材料，填充所述第一凹槽及所述第二凹槽。
  2. 如請求項1所述之支撐組件，更包含：一第一感壓膠層，設置在所述第三金屬層上；以及一第二感壓膠層，設置在所述第四金屬層上，其中所述第三金屬層及所述第四金屬層在所述第一感壓膠層與所述第二感壓膠層之間。
  3. 如請求項2所述之支撐組件，更包含：一緩衝層，設置在所述第一感壓膠層上；以及一光學膠層，設置在所述緩衝層上。
  4. 如請求項1所述之支撐組件，其中所述通孔在所述第一區域中的密度大於所述第一凹槽及第二凹槽在所述第二區域中的密度。
  5. 如請求項1所述之支撐組件，其中所述基板、所述第一金屬層及所述第三金屬層之總厚度不大於0.16mm，且所述基板、所述第二金屬層及所述第四金屬層之總厚度不大於0.16mm。
  6. 如請求項1所述之支撐組件，其中所述第一金屬層之材料及所述第二金屬層包含一第一材料，所述第三金屬層之材料及所述四金屬層包含一第二材料，且所述第一材料與所述第二材料不同。
  7. 一種顯示裝置，包含：一支撐組件，包含：一基板：一第一金屬層，設置在所述基板之一上表面上；一第二金屬層，設置在所述基板之一下表面上；一第三金屬層，設置在所述第一金屬層上； 一第四金屬層，設置在所述第二金屬層上，其中所述基板包含：一第一區域，其中所述第一區域包含多個通孔，所述通孔自所述第三金屬層延伸至所述第四金屬層；及兩個第二區域，其中所述第一區域位於所述兩個第二區域之間，所述第二區域包含：多個第一凹槽，其中所述第一凹槽自所述第三金屬層延伸至所述第一金屬層，且所述第一凹槽暴露所述基板；及多個第二凹槽，其中所述第二凹槽自所述第四金屬層延伸至所述第二金屬層，且所述第二凹槽暴露所述基板；一填充材料，填充所述第一凹槽及所述第二凹槽；一顯示組件，設置在所述第三金屬層上。
  8. 一種支撐組件的製造方法，包含形成一第一金屬層在一基板之一上表面上；形成一第二金屬層在所述基板之一下表面上；利用一金屬離子活化所述第一金屬層及所述第二金屬層，其中所述金屬離子與所述第一金屬層及所述第二金屬層兩者的金屬發生一化學反應；形成多個凹槽在所述基板之二側區域中；分別形成一第三金屬層及一第四金屬層在所述第一金屬層及所述第二金屬層上； 利用一填充材料填充所述凹槽；以及蝕刻所述基板之一中心區域，以蝕穿所述基板、所述第一金屬層、所述第二金屬層、所述第三金屬層及所述第四金屬層，從而形成多個通孔，其中所述中心區域不包含所述凹槽。
  9. 如請求項8所述之支撐組件的製造方法，其中形成所述第三金屬層及所述第四金屬層在所述第一金屬層及所述第二金屬層上之步驟包含形成一金屬層在所述凹槽之多個側壁及一底表面上。
  10. 如請求項8所述之支撐組件的製造方法，其中在填充所述凹槽之後，及蝕刻所述基板之所述中心區域之前，更包含：形成一光阻層在所述第三金屬層及所述第四金屬層上；圖案化所述光阻層之一部分，以形成多個孔隙；以及對準所述光阻層之所述孔隙進行蝕刻，以形成所述通孔。
  11. 如請求項8所述之支撐組件的製造方法，更包含：形成一第一感壓膠層在所述第三金屬層上；以及形成一第二感壓膠層在所述第四金屬層上，以使所述第三金屬層及所述第四金屬層在所述第一感壓膠層與所述第 二感壓膠層之間，其中所述第一感壓膠層及所述第二感壓膠層為導熱膠。
  12. 如請求項8所述之支撐組件的製造方法，其中所述凹槽之一深度大於所述第一金屬層及所述第三金屬層之總厚度，且小於所述基板之厚度的一半與所述第一金屬層及所述第三金屬層之所述總厚度的總和。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI599002B (zh) * 2015-07-31 2017-09-11 鵬鼎科技股份有限公司 封裝結構製作方法
TWI643301B (zh) * 2016-05-20 2018-12-01 鵬鼎科技股份有限公司 電路板及其製作方法
US20210193822A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Semiconductor device and method for manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI599002B (zh) * 2015-07-31 2017-09-11 鵬鼎科技股份有限公司 封裝結構製作方法
TWI643301B (zh) * 2016-05-20 2018-12-01 鵬鼎科技股份有限公司 電路板及其製作方法
US20210193822A1 (en) * 2019-12-19 2021-06-24 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences Semiconductor device and method for manufacturing the same

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