TWI598907B - 可變電容器 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種可變電容器，且特別是有關於一種用於射頻(radio frequency，RF)和微波應用的可變電容器。
隨著半導體尺寸不斷減小，耦合到半導體的微機電系統(micro-electromechanical systems，MEMS)的尺寸也不斷減小。MEMS裝置可以用於微型繼電器開關、電容開關、非揮發性儲存元件以及許多其他應用中。MEMS裝置具有懸掛結構，該懸掛結構在至少兩個位置之間移動，以改變阻礙連續電流或交變電流流動的電阻抗。
MEMS裝置可以用互補金屬氧化物半導體(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)裝置構建。MEMS裝置通過與半導體製造廠中那些處理步驟類似的處理步驟來製作，並因此可以在晶圓尺度下成本高效地製造。MEMS裝置中出現的一些問題包括不利的電容性耦合、串聯電感和損耗。MEMS裝置可以佈置在單元或位元單元中，一起形成數位式可變電容器(digital variable capacitor，DVC)。DVC可以以二進位方式控制，以產生範圍從Cmin到Cmax的RF電容。可以將許多小的MEMS開關組合在一個腔內，同時將它們致動。位元組通過組合多個單元產生，例如具有開關數的2倍、4倍、8倍等，或者用部分單元產生，例如僅具有單元中開關數的1/2、1/4或1/8。
DVC的電容可以訂製以獲得特定的電容。為了獲得訂製的電容，可以訂製製作位元單元以實現期望電容。獲得期望電容的一種方式是訂製設計每個單元僅具有產生所需RF電容所需要的數量的開關，例如這些部分單元僅包含完整單元的開關數的1/2、1/4、1/8等。與標準單元相比，這些部分單元的控制線的電容性負載也因此按比例減小。
通常，在控制電極與CMOS驅動器之間需要大值隔離電阻，以確保控制電極是RF浮動的，這保證了RF電流不流入CMOS驅動器，否則會損害Q。為了實現這一點，該隔離電阻的阻抗在整個RF頻率範圍(0.5~3.5GHz)內必須比控制電極到可移動MEMS元件的阻抗大數個數量級。隔離電阻的典型值範圍從100K歐姆到10M歐姆。因為這些部分單元在控制電極和可移動MEMS元件之間具有更低的電容，所以為實現相同的RF性能需要更大值的隔離電阻。這些增大了的隔離電阻表現出更高的寄生電容，使得CMOS控制電路難以將這些部分單元的動態性能與完整單元匹配。
所以，需要提供具有期望電容而沒有寄生電容的DVC。
本公開實施例提供了一種可變電容器，改變DVC單元的RF電容而不影響MEMS單元的機械性能。每個單元具有與RF電容無關的相同的控制電容。這使得每個單元可以採用相同的、RF工作所要求的隔離電阻，並且因此使每個單元具有相同的寄生電容。這使得CMOS控制電路可以優化並且使單元的動態性能可以匹配。所以，數個電容範圍(不同的部件號或產品)可以重用相同的控制器電路。此外，可以實現對最終的最小電容和最大電容的調節，以使工藝偏差圍繞規格限制，從而使良率最大化。最後，可以採用通用的電容陣列並進行後續調節以便快速回應用戶要求，節省新產品開發時間。
在一個實施例中，可變電容器包括：基底；佈置在所述基底上的一個或多個接合焊盤；佈置在所述基底上並耦合到所述一個或多個接合焊盤的第一單元；和佈置在所述基底上並耦合到所述一個或多個接合焊盤的第二單元。第一單元具有第一端和第二端並且包括：耦合到一個或多個接合焊盤和第一單元的第一端的RF電極；佈置在所述RF電極上的多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端並且每個MEMS裝置佈置在所述RF電極上；和耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到所述第一單元的第二端的一個或多個接地電極。第二單元具有第一端和第二端並且包括：耦合到一個或多個接合焊盤的RF電極；佈置在所述RF電極上的多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端並且少於全部的所述MEMS裝置佈置在所述RF電極上；和耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到第一個單元的第二端的一個或多個接地電極。
在另一個實施例中，可變電容器包括：基底；佈置在所述基底上的一個或多個接合焊盤；佈置在所述基底上並且耦合到所述一個或多個接合焊盤的第一單元；和佈置在所述基底上並且耦合到所述第一或第二接合焊盤的第二單元。所述第一單元具有第一電容、第一端和第二端並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和第一單元的第一端的RF電極；佈置在所述RF電極上的第一多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端；和耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端以及第一單元的第二端的一個或多個接地電極。第二單元具有小於第一電容的第二電容、第一端和第二端並且包括：耦合到一個或多個接合焊盤的RF電極；佈置在RF電極上的第二多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端；和耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端以及第一單元的第二端的一個或多個接地電極。所述第二多個MEMS裝置等於所述第一多個MEMS裝置。
在另一個實施例中，可變電容包括：基底；佈置在所述基底上的一個或多個接合焊盤；佈置在所述基底上的第一單元；和佈置在所述基底上並且耦合到一個或多個接合焊盤的第二單元。第一單元具有第一端和第二端並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和第一單元的第一端的RF電極，所述RF電極具有第一長度；佈置在所述RF電極上多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端；和耦合到每個MEMS裝置並且耦合到第一單元的第二端的一個或多個接地電極。所述第二單元具有第一端和第二端並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤的RF電極，所述RF電極具有小於第一長度的第二長度；佈置在所述RF電極上的多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端；和耦合到每個MEMS的第一端和第二端並且耦合到第一單元的第二端的一個或多個接地電極。所述第一單元和所述第二單元具有基本相同體積的腔。
為使本發明的上述特徵有更清楚的理解，以下參照實施例詳細說明本發明。部分實施例以圖式示出，但應當注意，圖式僅示出了本發明的典型實施例，不應被解釋為對本發明範圍的限制，本發明應包括其他等效實施方式。
100‧‧‧MEMS裝置
102‧‧‧基底
104A‧‧‧接地電極
104B‧‧‧控制/拉入電極
104C‧‧‧RF電極
104D‧‧‧控制/拉入電極
104E‧‧‧接地電極
106‧‧‧介電層
108A‧‧‧電互連
108B‧‧‧焊盤
110‧‧‧開關元件
112‧‧‧第一結構層
114‧‧‧第二結構層
116‧‧‧柱
118A‧‧‧第一部分
118B‧‧‧第二部分
120A‧‧‧可變部分
120B‧‧‧錨定部分
122‧‧‧第二介電層
124‧‧‧拉出電極
126‧‧‧腔體壁
128‧‧‧介電頂
130‧‧‧密封層
200‧‧‧DVC單元
202‧‧‧RF電極
204‧‧‧接地電極
206‧‧‧控制電極
208‧‧‧第一端
210‧‧‧第二端
300‧‧‧裝置
302A‧‧‧分支
302B‧‧‧分支
304‧‧‧焊盤
312‧‧‧主幹
400‧‧‧DVC單元
402‧‧‧RF電極
404‧‧‧接地電極
406‧‧‧間隙
圖1是根據一個實施例的MEMS裝置的截面示意圖。
圖2是根據一個實施例的單元的示意圖。
圖3表示根據一個實施例的具有圍繞公共RF焊球排列的多個DVC單元的一個示例裝置。
圖4表示根據一個實施例的具有調節後的RF線的DVC單元。
為了有助於理解，在可能的情況下，相同的圖式元件符號表示在各個圖中共有的相同元件。應當理解，在一個實施例中公開的元件可以有利地用在其他實施例中而無需具體說明。
本公開實施例提供了一種可變電容器，其改變DVC單元的RF電容而不影響MEMS單元的機械性能。每個單元具有與RF電容無關的相同的控制電容。這使得每個單元可以採用相同的、RF工作所要求的隔離電阻，並且因此使每個單元具有相同的寄生電容。這使得CMOS控制電路可以優化並且使單元的動態性能可以匹配。
本公開實施例允許部分單元設計成與全長單元完全相同，但具有降低了的RF電容，以實現二進位變化。RF線以上的可移動MEMS元件被設計為全長單元並且在被致動時與標準全長單元的機械行為相同，這是因為致動電極的控制電容不被影響。因此更容易匹配每個單個單元的動態行為。另一個益處是，通過僅僅一次遮罩變化來改變DVC陣列中每個單元的RF線就可以改變DVC陣列的總RF電容。這使得能夠在工藝流程中相當晚的階段通過選擇合適的遮罩來對具有不同RF電容的多種產品採用相同的CMOS晶圓。
圖1是根據一個實施例的MEMS裝置100的截面示意圖。通過形成接地電極104A、104E，控制/拉入(pull-in)電極104B、104D和RF電極104C，來製作MEMS裝置100。應當理解，雖然示出了兩個接地電極104A、104E和兩個控制電極104B、104D，但可以使用單一的接地電極和單一的控制電極。基底102可以包括單層材料，如用於獨立的MEMS裝置的基於半導體的基底；或者一般性地為多層結構，例如在後端(back end of the line，BEOL)工藝中生產的。在一個實施例中，基底102可以包括CMOS基底。可以用於電極104A~104E的合適材料包括常用於BEOL工藝中的導電材料，如銅、鋁、鈦、鉭、鎢、氮化鈦、氮化鋁、氮化鎢及其組合。電極104A~104E可以通過如物理氣相沉積(physical
vapor deposition，PVD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、電鍍和原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)等習知的沉積方法，以及如蝕刻和習知雙鑲嵌(dual damascene)處理步驟等習知的圖案化方法形成。控制電極104B、104D將作為拉入電極，移動開關元件到鄰近RF電極104C的位置。
在電極104A~104E上沉積薄介電層106，然後圖案化薄介電層106以暴露接地電極104A、104E。可以用於薄介電層106的合適材料包括氮化矽、碳化矽、氧化矽、氧化鋁、氮氧化矽，以及其他適合用於CMOS裝置中的介電材料。介電層106可以通過包括CVD和ALD的習知的沉積方法沉積。薄介電層106是有用的，原因有：減小開關元件與電極104B~104D的粘著，以及減小去除犧牲材料時蝕刻氣體離子的再結合，下面將會討論。
可以在薄介電層106上覆蓋導電材料，然後圖案化該導電材料以形成到接地電極104A、104E的電互連108A。另外，可以圖案化該導電材料以形成焊盤108B，其可以用作用於後續沉積錨定材料的種子材料。用於電互連108A和焊盤108B的合適材料包括在BEOL工藝中常用的導電材料，如銅、鋁、鈦、鉭、鎢、氮化鈦、氮化鎢、氮化鋁及其組合。所述導電材料可以通過如PVD、CVD、電鍍和ALD沉積等習知的沉積方法沉積，然後通過如蝕刻等習知的圖案化方法來圖案化。
然後在暴露的介電層106以及電互連108A和焊盤108B上沉積犧牲材料。應理解，可以在沉積犧牲材料之前在介電層106上沉積結合促進劑，以有助於犧牲材料與其結合。用於犧牲材料的合適材料包括旋塗玻璃或旋塗的包含具有碳骨架的長鏈分子的介電材料。犧牲材料可以通過如旋塗、CVD和ALD等習知的沉積方法來沉積。犧牲材料被稱為犧牲材料是因為該材料被用於至少部分地限定腔體並且在生產過程的後續階段會被去除。因此，犧牲材料被使用並“被犧牲”或去除，以形成腔體。
在沉積犧牲材料後，可以形成開關元件110。開關元件110可以包括多層結構，所述多層結構包括第一結構層112。第一結構層112耦合到電互連108A並且跨越電互連108A之間的長度。然後在第一結構層112上沉積第二結構層114，並且通過多個柱116耦合到第一結構層112。可以用於第一結構層112、第二結構層114和柱116的合適材料包括氮化鈦、鈦鋁、鎢、銅、氮化鋁鈦、鋁及其組合和多層結構如氮化鈦/氮化鋁鈦/氮化鈦。第一開關元件110可以通過使用如PVD、CVD和ALD等習知的沉積方法沉積材料然後通過如蝕刻圖案化等習知的圖案化方法圖案化所述材料來形成。圖案化第二結構層114以獲得與接地電極104A、104E軸向對齊的第一部分118A，以及會成為開關元件110的可變部分120A的一部分的第二部分118B。完成時，開關元件110具有類似威化餅(waffle-like)的外貌。
可以在開關元件110上沉積其他犧牲材料，並且在其間形成第一結構層112和第二結構層114。所述其他犧牲材料，與第一沉積犧牲材料一起，限定腔體的形狀和邊界。開關元件110在所述腔體內移動。可以在最後沉積的犧牲材料上沉積第二介電層122。第二介電層122可以用習知的沉積方法沉積，如以上有關介電層106所討論的。
然後將第二介電層122圖案化並蝕刻以確定腔體的輪廓。在同一步驟中，蝕刻犧牲材料，借此，結構層118A、112作為硬遮罩以提供腔體側壁的逐漸梯級下降。該多級梯級下降提高了腔體壁126的整體性。
然後沉積導電材料並圖案化，形成拉出電極124以及腔體壁126。因此，用來形成拉出電極124以及腔體壁126的材料在同一沉積過程中沉積。在圖案化過程中，拉出電極124和腔體壁126成為分離的元件。應當理解，雖然示出了拉出電極124在開關元件110之上，但是拉出電極124也可以電連接到沉積在開關元件110之下的材料。此外，腔體壁126通過接地電極104A、104E接地。用
於導電材料的合適材料包括BEOL工藝中常用的導電材料如銅、鋁、鈦、鉭、鎢、氮化鈦及其組合。導電材料可以通過如PCD、CVD和ALD等習知的沉積方法沉積並通過如蝕刻等習知的圖案化方法來圖案化。
在圖案化導電材料之後，可以在導電材料上沉積介電頂128。介電頂128提供拉出電極122和包括導電材料的壁126之間的電隔離。介電頂128包封MEMS裝置100。介電頂128可以使用以上關於介電層106所討論的習知的沉積方法和材料來沉積。可以預期，用來形成腔體壁126的導電材料可以從腔體壁126中去除，使得介電頂128被沉積成足夠的量以形成腔體壁126。
然後可以形成穿過介電頂128和第二介電層的一個或多個釋放孔。然後引入蝕刻氣體以去除犧牲材料，並使開關元件自由，以便在所述腔體內移動。可以使用的合適的蝕刻氣體包括H2、NH3、O2、O3、N2O或產生H、O或N的其他任何蝕刻氣體。然後通過在介電頂部128上和在所述釋放孔內沉積密封層130來密封所述腔體。
工作時，通過向拉入電極104B、104D或者向拉出(pull-off)電極124施加電偏壓來移動開關元件110。開關元件110的可變部分120A(118B)移動而錨定部分120B(118A)固定連接到接地電極104A、104E。密封層130和導電壁126都提供額外的力量以確保錨定部分120B不會與接地電極104A、104E脫離。開關元件110的兩端均具有錨定部分120B並且兩個錨定部分120B直接耦合到密封層以及被沉積以形成拉出電極124的導電材料。
以上描述的MEMS裝置100是MEMS裝置的一個實施例，用於RF和微波應用的MEMS可變電容裝置中，其中，使寄生和損耗最小化是主要考慮。MEMS裝置100可以用在集成於嵌入CMOS後端內的密封腔中的基於MEMS的可變電容器中。
在可變電容器中使用MEMS裝置100有若干益處。一個益處是，使損耗最小化(即最好的Q因數)和使不利的電容性耦合最小化(即最好的電容調諧率)之間的平衡優於替代的傳統裝置結構。另一個益處是腔體的窄長形狀有利於密封腔的製作，這有助於釋放和結構強度。此外，分級分組使得可以針對DVC的解析度要求訂製確定控制組(即，共用相同控制電極的裝置)，即電容變化的最小步長對應於控制。
通過產生稱為單元的第一分組分級來進行MEMS可變電容器裝置的佈置。圖2是DVC單元200的示意圖。單元200會包括全體在共同腔內的多個MEMS裝置100。MEMS裝置100會共用RF電極202以及一個或多個控制電極206和一個或多個接地電極204。電極202、204、206之中的每一個會相互平行地佈置在單元200內。MEMS裝置100會被佈置成使得MEMS裝置100的第二部分118B在垂直於RF電極202、控制電極206和接地電極204的方向上從接地電極204延伸。如以下將會討論的，RF電極202連接到在DVC單元200的第一端208處的RF焊球，而電極204、206在第二端210連接。作為一個單元200的一部分的所有的MEMS裝置100(一般通過虛線表示)具有以下特性。在一個單元200中的所有MEMS裝置共用相同的密封腔。可移動的MEMS裝置100連接到電極204並且面外(out-of-plane)移動來改變在電極202和204之間的電容。該運動受電極206與連接到電極204的可移動元件之間的電壓誘導，該電壓產生靜電力。
圖3表示具有圍繞公共RF焊盤304排列的多個DVC單元200的示例裝置300。每個單元200中會具有一個或多個MEMS裝置100，它們共用相同的RF電極202。每個單元200在第一端208單獨地連接到對應的分支302A~302B(從主幹312延伸的)或直接連接到RF焊盤304，以提供到各個單元200的RF連接。接地和控制路徑在單元200的另一端210連接。
圖4表示具有調節後的RF線的DVC單元400。DVC單元400包括與DVC單元200中存在的MEMS開關100數量相同的MEMS開關100。但在RF線上製作切口，以形成被間隙406隔開的兩個RF線402和404。RF線402在DVC單元的第一端208連接到RF焊球。因為RF線的面積減小，該DVC單元400的RF電容按比例減小。RF線404在另一端210連接到電極204(可移動的MEMS元件)，以確保沒有從RF線404產生的靜電力。因此，RF電極404可以視作接地電極。
具有RF電極402的MEMS開關100是有源開關，因為它們主動地調節RF電極402和電極204之間的電容。具有RF電極404的MEMS開關100是偽開關，因為它們不提供RF電極402和電極204之間的電容。
間隙406應當足夠大，以使從RF線402到RF線404的RF耦合最小。通常，數微米(即約1~約10微米)的距離是足夠的，因為RF線402在近距離耦合到電極之上的可移動元件。間隙406不應太大，因為與沿著RF線402、404的接觸表面相比，間隙406的接觸表面可以在不同高度上。這是因為製作過程中這些區域的CMP速度的差異。如果間隙406太大，則在該區域內的對應開關100可能被拉下到低於具有RF電極402的相鄰開關100。這可能對面外的MEMS元件施加扭矩並影響RF性能(電容、線性等)。通過限制間隙406到幾個微米，所述間隙兩側的開關支持間隙區域內的開關，並使這種影響最小化。
從圖4可以清楚看出，控制線206的總面積仍然與圖2中相同，產生連接到電極206的CMOS見過的相同的電容性負載。這使得可以在不影響致動時該裝置的機械性能的前提下，使連接到第一端208的RF焊球的RF線402的面積進行從0到腔體中所有開關的改變。
這允許部分單元被設計成具有切口，該切口的位置造成這些特定單元中的電極202的電容的1/2、1/4、1/8等，但仍然具有與陣列中其他完整單元相同的動態性能。此外，這使得可以設計具有足夠大數量的開關的DVC單元，
以覆蓋全部使用相同的CMOS晶圓的一定範圍的產品。在製作的後續階段，僅僅需要選擇限定電極202、204、206、402、404的遮罩，以使得它限定產品的有源開關的正確數量。用這種方式，相同的CMOS晶圓在工藝流程後期可以用於更多的產品電容範圍。
因此，單元200、400可以是尺寸基本一致的並且具有相同數量的MEMS元件100。但是，RF電極202、402、404是不同的。具體地，單元200、400的拉入電極206可以具有相同的長度；單元200、400的接地電極204可以具有相同的長度；單元200、400的MEMS元件100的數量可以是相同的。換言之，單元200、400可以是基本相同的，除了RF電極202、402、404以外，其中單元200的RF電極202比單元400的RF電極402長。此外，通過接地電極204耦合到地面的RF電極404鄰近RF電極402，但是隔開約2微米到約10微米的距離。通過以這樣的方式佈置單元200、400，單元200和單元400各自具有不同的電容。此外，接地電極204和拉入電極206比RF電極402長。因為僅僅RF電極202、402、404是不同的，所以通過改變一個遮罩(即，用來限定RF電極的形狀的遮罩)就可以在CMOS基底上製作具有基本相同數量開關的具有基本相同尺寸的DVC單元。
本公開實施例允許部分單元設計成與全長單元完全相同，但具有降低了的RF電容，以實現二進位變化。RF線以上的可移動MEMS元件被設計為全長單元並且在被致動時與標準全長單元的機械行為相同，這是因為致動電極的控制電容不被影響。因此更容易匹配每個單個單元的動態行為。另一個益處是，用僅僅一次遮罩變化(mask-change)改變DVC陣列中每個單元的RF線就可以改變DVC陣列的總RF電容。這使得能夠在工藝流程中相當晚的階段通過選擇合適的遮罩來對具有不同RF電容的多種產品採用相同的CMOS晶圓。
以上描述了本發明的實施例，但在不脫離本發明的基本範圍的前提下可以設計本發明的其他和另外的實施例，本發明的範圍由申請專利範圍所確定。
200‧‧‧DVC單元
208‧‧‧第一端
210‧‧‧第二端
300‧‧‧裝置
302A‧‧‧分支
302B‧‧‧分支
304‧‧‧焊盤
312‧‧‧主幹
Claims (20)
- 一種可變電容器，包括：基底；佈置在所述基底上的一個或多個接合焊盤；佈置在所述基底上並且耦合到所述一個或多個接合焊盤的第一單元，所述第一單元具有第一端和第二端並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和所述第一單元的第一端的RF電極；佈置在所述RF電極上的多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端，而且每個MEMS裝置佈置在所述RF電極上；和多個接地電極，其耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到所述第一單元的第二端；和佈置在所述基底上並且耦合到所述一個或多個接合焊盤的第二單元，所述第二單元具有第一端和第二端並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和所述第二單元的第一端的RF電極；佈置在所述RF電極上的多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端並且少於全部的所述MEMS裝置佈置在所述RF電極上；和多個接地電極，其耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到所述第二單元的第二端。
- 如申請專利範圍第1項所述之可變電容器，其中，所述第二單元另外包括拉入電極，其長度大於所述第二單元的RF電極的長度。
- 如申請專利範圍第1項所述之可變電容器，其中，所述第二單元還包括鄰近所述RF電極佈置的接地電極。
- 如申請專利範圍第3項所述之可變電容器，其中，所述RF電極與所述接地電極隔開約1微米到約10微米的距離。
- 如申請專利範圍第1項所述之可變電容器，其中，所述第一單元和所述第二單元各自具有不同的電容。
- 如申請專利範圍第5項所述之可變電容器，其中，所述第二單元另外包括拉入電極，所述拉入電極的長度大於所述第二單元的RF電極的長度。
- 如申請專利範圍第1項所述之可變電容器，其中，每個單元是一個密封腔，其包括全體包含在所述密封腔內的所述多個MEMS裝置。
- 一種可變電容器，包括：基底；佈置在所述基底上的一個或多個接合焊盤；佈置在所述基底上並且耦合到所述一個或多個接合焊盤的第一單元，所述第一單元具有第一電容、第一端和第二端並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和所述第一單元的第一端的RF電極；佈置在所述RF電極上的第一多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端；和多個接地電極，其耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到所述第一單元的第二端；和佈置在所述基底上並且耦合到所述一個或多個接合焊盤的第二單元，所述第二單元具有小於所述第一電容的第二電容、第一端和第二端並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和所述第二單元的第一端的RF電極；佈置在所述RF電極上的第二多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端，所述第二多個MEMS裝置等於所述第一多個MEMS裝置；和多個接地電極，其耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到所述第二單元的第二端。
- 如申請專利範圍第8項所述之可變電容器，其中，所述第二單元另外包括拉入電極，所述拉入電極的長度大於所述第二單元的RF電極的長度。
- 如申請專利範圍第8項所述之可變電容器，其中，所述第二單元還包括鄰近所述RF電極佈置的接地電極。
- 如申請專利範圍第10項所述之可變電容器，其中，所述RF電極與所述接地電極隔開約1微米到約10微米的距離。
- 如申請專利範圍第11項所述之可變電容器，其中，每個單元是一個密封腔，其包括全體包含在所述密封腔內的所述多個MEMS裝置。
- 如申請專利範圍第12項所述之可變電容器，其中，所述第二單元另外包括拉入電極，所述拉入電極的長度大於所述第二單元的RF電極的長度。
- 如申請專利範圍第8項所述之可變電容器，其中，每個單元是一個密封腔，所述密封腔包括全體包含在所述密封腔內的所述多個MEMS裝置。
- 一種可變電容器，包括：基底；佈置在所述基底上的一個或多個接合焊盤；佈置在所述基底上並且耦合到所述一個或多個接合焊盤的第一單元，所述第一單元具有第一端、第二端和第一體積並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和所述第一單元的第一端的RF電極；所述RF電極具有第一長度；佈置在所述RF電極上的多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端；和多個接地電極，其耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到所述第一單元的第二端；和 佈置在所述基底上並且耦合到所述一個或多個接合焊盤的第二單元，所述第二單元具有第一端、第二端和基本等於所述第一體積的第二體積並且包括：耦合到所述一個或多個接合焊盤和所述第二單元的第一端的RF電極，所述RF電極具有小於所述第一長度的第二長度；佈置在所述RF電極上的多個MEMS裝置，每個MEMS裝置具有第一端和第二端；和多個接地電極，其耦合到每個MEMS裝置的第一端和第二端並且耦合到所述第二單元的第二端。
- 如申請專利範圍第15項所述之可變電容器，其中，所述第二單元另外包括拉入電極，所述拉入電極具有大於所述第二長度的第三長度。
- 如申請專利範圍第16項所述之可變電容器，其中，所述第一單元另外包括拉入電極，所述拉入電極具有等於所述第二長度的第四長度。
- 如申請專利範圍第15項所述之可變電容器，其中，所述第二單元還包括鄰近所述RF電極佈置的接地電極。
- 如申請專利範圍第18項所述之可變電容器，其中，所述RF電極與所述接地電極隔開約1微米到約10微米的距離。
- 如申請專利範圍第15項所述之可變電容器，其中，每個單元是一個密封腔，其包括全體包含在所述密封腔內的所述多個MEMS裝置。
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