JP6188801B2 - 無線周波数の用途のためのmemsデバイスを備えた可変キャパシタ - Google Patents
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Description
Claims (20)
- 基板と、
基板上に設置された1つ以上の接合パッドと、
基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第1セルと、
基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第2セルとを備え、
第1セルは、第1端および第2端を有し、
・該1つ以上の接合パッドおよび第1セルの第1端と連結されたRF電極と、
・RF電極の上に設置された複数のMEMSデバイスであって、各MEMSデバイスは第1端および第2端を有し、各MEMSデバイスはRF電極の上に設置されている、複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備え、
第2セルは、第1端および第2端を有し、
・該1つ以上の接合パッドと連結されたRF電極と、
・全部より少ないMEMSデバイスがRF電極の上に設置されている、複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備える、可変キャパシタ。 - 第2セルは、第2セルのRF電極より大きい長さを有するプルイン電極をさらに備える請求項1記載の可変キャパシタ。
- 第2セルは、RF電極に近接して配置されたグランド電極をさらに備える請求項1記載の可変キャパシタ。
- 第1セルのRF電極は、第1セルのグランド電極から、1マイクロメータ〜10マイクロメータの距離だけ離れている請求項3記載の可変キャパシタ。
- 第1セルおよび第2セルは、それぞれ異なるキャパシタンスを有する請求項1記載の可変キャパシタ。
- 第2セルは、第2セルのRF電極より大きい長さを有するプルイン電極をさらに備える請求項5記載の可変キャパシタ。
- 各セルは、封止空洞であり、封止空洞内に集団で包囲された複数のMEMSデバイスを含む請求項1記載の可変キャパシタ。
- 基板と、
基板上に設置された1つ以上の接合パッドと、
基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第1セルと、
基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第2セルとを備え、
第1セルは、第1キャパシタンス、第1端および第2端を有し、
・該1つ以上の接合パッドおよび第1セルの第1端と連結され、第1長さを有するRF電極と、
・RF電極の上に設置された第1の複数のMEMSデバイスであって、各MEMSデバイスは第1端および第2端を有する、第1の複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備え、
第2セルは、第1キャパシタンスより小さい第2キャパシタンス、第1端および第2端を有し、
・該1つ以上の接合パッドと連結され、第1長さより小さい第2長さを有するRF電極と、
・RF電極の上に設置された第2の複数のMEMSデバイスであって、各MEMSデバイスは第1端および第2端を有し、第1の複数と数値的に等しい第2の複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備える、可変キャパシタ。 - 第2セルは、第2セルのRF電極より大きい長さを有するプルイン電極をさらに備える請求項8記載の可変キャパシタ。
- 第2セルは、RF電極に近接して配置されたグランド電極をさらに備える請求項8記載の可変キャパシタ。
- RF電極は、グランド電極から、1マイクロメータ〜10マイクロメータの距離だけ離れている請求項10記載の可変キャパシタ。
- 各セルは、封止空洞であり、封止空洞内に集団で包囲された複数のMEMSデバイスを含む請求項11記載の可変キャパシタ。
- 第2セルは、第2セルのRF電極より大きい長さを有するプルイン電極をさらに備える請求項12記載の可変キャパシタ。
- 各セルは、封止空洞であり、封止空洞内に集団で包囲された複数のMEMSデバイスを含む請求項8記載の可変キャパシタ。
- 基板と、
基板上に設置された1つ以上の接合パッドと、
基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第1セルとを備え、
第1セルは、第1端、第2端および第1体積を有し、
・該1つ以上の接合パッドおよび第1セルの第1端と連結され、第1長さを有するRF電極と、
・複数のMEMSデバイスであって、各MEMSデバイスは第1端および第2端を有し、全部より少ないMEMSデバイスがRF電極の上に設置されている、複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備える、可変キャパシタ。 - 第1セルは、第1長さより大きい第2長さを有するプルイン電極をさらに備える請求項15記載の可変キャパシタ。
- 基板上に設置され、該1つ以上の接合パッドと連結された第2セルをさらに備え、
第2セルは、第1端、第2端および第1体積と等しい第2体積を有し、
・該1つ以上の接合パッドと連結され、第1長さより小さい第2長さを有するRF電極と、
・複数のMEMSデバイスであって、各MEMSデバイスは第1端および第2端を有し、全部より少ないMEMSデバイスがRF電極の上に設置されている、複数のMEMSデバイスと、
・各MEMSデバイスの第1端および第2端ならびに第1セルの第2端と連結された1つ以上のグランド電極とを備え、
第2セルは、第2長さと等しい第4長さを有するプルイン電極をさらに備える請求項16記載の可変キャパシタ。 - 第2セルは、RF電極に近接して配置されたグランド電極をさらに備える請求項15記載の可変キャパシタ。
- RF電極は、グランド電極から、1マイクロメータ〜10マイクロメータの距離だけ離れている請求項18記載の可変キャパシタ。
- 各セルは、封止空洞であり、封止空洞内に集団で包囲された複数のMEMSデバイスを含む請求項15記載の可変キャパシタ。
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