KR102654319B1 - Rf 스위치의 레그와 앵커에서의 전류 처리 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 일반적으로 넓은 전압 동작 범위에 걸쳐 MEMS 스위치들의 컨택 저항의 양호한 제어 가능성을 획득하기 위한 기술에 관한 것이다.
Description
본 발명은 일반적으로 MEMS 스위치에서 레그와 앵커의 전류 처리를 개선하는 기술에 관한 것이다.
MEMS 저항 스위치는 작동 전극에 전압을 인가함으로써 움직이는 가동성 플레이트를 포함한다. 일단 전극 전압이 스냅인 전압(snap-in voltage)이라고 지칭되는 특정 전압에 도달하면, 플레이트는 전극쪽으로 이동한다. 일단 전압이 릴리스 전압(release voltage)으로 낮춰지면 플레이트는 원래 위치로 되돌아간다. 상기 릴리스 전압은, 일반적으로 플레이트가 작동 전극에 가까울 때의 더 높은 정전기력으로 인해, 그리고, 플레이트와 이 플레이트가 전극에 더 가깝게 이동하게 되면 상기 플레이트가 접촉하게 되는 표면 간의 정지 마찰로 인해서, 상기 스냅인 전압보다 낮다. MEMS 디바이스의 스프링 상수는 풀인 전압 및 풀 오프 전압의 값을 결정한다.
스위치의 플레이트가 하향으로 작동될 때, 플레이트는 컨택 전극 상에 랜딩하고 이와 오믹 컨택을 한다. 오믹 컨택으로부터 스위치 바디로 주입되는 결과 전류는 스위치의 앵커에서 나와 레그-서스펜션(leg-suspension)과 스위치 앵커 비아들을 통하여 흐른다.
이러한 전류는 줄 히팅(Joule heating)에 의해 레그에서 온도 상승을 유발하고 원하지 않는 열 팽창을 발생시키는 고온을 유도할 수 있으며, 이는 스위칭 전압의 변화 또는 디바이스 제조에 자주 사용되는 합금 재료의 상 변화(phase changes)를 유발할 수 있다. 동시에 이러한 전류는 MEMS 디바이스를 기판에 앵커링하는데 사용되는 비아들의 결함을 유발할 수 있다.
따라서, 본 기술 분야에서 레그와 앵커 비아들의 파괴적인 고장을 초래하지 않으면서 서 큰 전류를 전달할 수 있는 MEMS 스위치가 필요하다.
본 발명은 일반적으로 MEMS 스위치에 의해 더 큰 전류가 처리될 수 있는 개선된 레그 및 앵커 구조에 관한 것이다.
일 실시형태에서, MEMS(micro-electro-mechanical system) 디바이스는, 적어도 앵커 전극(anchor electrode), 풀다운 전극(pull-down electrode), 및 RF 전극(RF electrode)을 포함하는 복수의 전극들이 내부에 형성된 기판; 상기 기판 및 풀-다운 전극 상에 배치된 절연 층; 상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격되고 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리만큼 이격된 위치로부터 이동 가능한 스위칭 소자;를 포함하며, 상기 스위칭 소자는: 하단 층; 상단 층; 및 상기 하단 층을 상단 층에 연결하는 복수의 비아들;을 포함하며, 상기 스위칭 소자는 제1 앵커 부분, 제1 레그 부분, 및 브리지 부분을 포함하고, 상기 앵커 부분과 브리지 부분에 복수의 비아들이 배치되며, 상기 앵커 부분은 상기 앵커 전극에 결합된다.
다른 실시형태에서, MEMS 디바이스는, 적어도 앵커 전극, 풀-다운 전극 및 RF 전극을 포함하는 복수의 전극들이 내부에 형성된 기판; 상기 앵커 전극에 배치된 앵커 컨택부; 상기 기판 및 풀-다운 전극 상에 배치된 절연 층; 상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격되고 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리만큼 이격된 위치로부터 이동 가능한 스위칭 소자;를 포함하며, 상기 스위칭 소자는: 하단 층; 상단 층; 및 상기 하단 층을 상단 층에 연결하는 복수의 비아들;을 포함하며, 상기 스위칭 소자는 캐비티(cavity) 내에 싸여있으며, 상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부와 접촉하고, 상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부에 전기적으로 결합된다.
또 다른 실시형태에서, MEMS 디바이스는, 적어도 앵커 전극, 풀-다운 전극 및 RF 전극을 포함하는 복수의 전극들이 내부에 형성된 기판; 상기 앵커 전극에 배치된 앵커 컨택부; 상기 기판 및 풀-다운 전극 상에 배치된 절연 층; 상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격되고 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리만큼 이격된 위치로부터 이동 가능한 스위칭 소자;를 포함하며, 상기 스위칭 소자는: 하단 층; 상단 층; 및 상기 하단 층을 상단 층에 연결하는 복수의 비아들;을 포함하며, 상기 스위칭 소자는 제1 앵커 부분, 제1 레그 부분, 및 브리지 부분을 포함하고, 상기 앵커 부분과 브리지 부분에 복수의 비아들이 배치되며, 상기 앵커 부분은 상기 앵커 전극에 결합되며, 측벽이 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부와 접촉하는 캐비티을 더 포함하고, 상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부에 전기적으로 결합된다.
이하에서는 상기한 본 발명의 특징들을 첨부된 도면을 참조한 실시예를 통하여 더 상세히 설명한다. 그러나, 첨부된 도면과 실시예들은 본 발명의 일 예에 지나지 않으며, 본 발명은 이에 의하여 한정되지 않고 다른 유사한 실시예들을 포함한다.
도 1a는 오믹 MEMS 스위치의 개략적인 평면도이다.
도 1b는 다수의 병렬으로 동작하는 MEMS 스위치를 포함하는 오믹 스위치 셀의 개략적인 평면도이다.
도 1c는 다수의 병렬으로 동작하는 스위치-셀들을 포함하는 오믹 스위치 어레이의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 MEMS 오믹 스위치의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 일 실시예에 따른 다양한 제조 단계에서의 MEMS 오믹 스위치의 개략도이다.
이해를 돕기 위하여, 도면에서 동일한 요소에 대해서는 동일한 참조부호가 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 요소들은 특별한 설명이 없어도 다른 실시예들에도 유리하게 사용될 수 있다.
도 1b는 다수의 병렬으로 동작하는 MEMS 스위치를 포함하는 오믹 스위치 셀의 개략적인 평면도이다.
도 1c는 다수의 병렬으로 동작하는 스위치-셀들을 포함하는 오믹 스위치 어레이의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 MEMS 오믹 스위치의 개략적인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 일 실시예에 따른 다양한 제조 단계에서의 MEMS 오믹 스위치의 개략도이다.
이해를 돕기 위하여, 도면에서 동일한 요소에 대해서는 동일한 참조부호가 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 요소들은 특별한 설명이 없어도 다른 실시예들에도 유리하게 사용될 수 있다.
도 1a는 오믹 MEMS 스위치(100)의 개략적인 평면도이다. 상기 스위치(100)는 RF 전극(102), 풀-다운 전극(104) 및 앵커 전극(106)을 포함한다. 충분히 높은 전압이 풀다운 전극(104)에 인가되면, MEMS 스위치는 하향으로 작동하여, RF 전극(102)과 앵커 전극(106) 간에 오믹 접속을 형성한다.
도 1b는 다수의 MEMS 스위치(100)를 포함하는 오믹 스위치 셀(110)의 개략적인 평면도이다. 해당 셀(110) 내의 모든 MEMS 스위치(100)는, 풀다운 전극(104) 상에 충분히 높은 전압을 인가함으로써 동시에 턴 온된다. 다수의 스위치가 병렬로 동작되기 때문에, RF 전극(102)과 앵커 전극(106) 간의 저항이 감소된다.
도 1c는 오믹 스위치 어레이의 개략적인 평면도를 도시한다. 이러한 어레이는 다수의 병렬으로 작동하는 스위치-셀들(110)을 포함한다. 각 셀의 RF 전극(102)들은 각 스위치 셀(110)의 일단에서 함께 접속되고, 앵커 전극들(106)은 각 스위치 셀(110)의 다른 단부에서 함께 접속된다. 모든 셀들이 턴 온되면, RF 전극(102)과 앵커 전극(106) 간의 저항이 더 감소된다. 동시에, 많은 스위치들이 병렬로 작동하기 때문에, 전체 스위치 어레이가 더 많은 전류를 처리할 수 있다.
도 2는 오믹 MEMS 스위치(200)의 단면도를 도시한다. 본 개시는 MEMS 레그-서스펜션 및 앵커의 전류 처리 용량을 향상시키는 방법을 설명한다. MEMS 스위치(200)는 기판(202) 상에 위치한 RF 전극(102), 풀다운 전극(104) 및 앵커 전극(106)을 포함한다. 풀다운 전극(104)은 유전체층(204)으로 덮여 있으며, 이로서, 풀다운 상태에서 MEMS 스위치와 풀다운 전극 간의 단락이 방지된다. 전기적 절연 또는 유전체 층(204)에 적합한 재료는 실리콘-산화물(silicon-oxide), 실리콘-이산화물(silicon-dioxide), 실리콘-질화물(silicon-nitride) 및 실리콘-옥시나이트라이드(silicon-oxynitride)를 포함하는 실리콘계 재료(silicon based materials)를 포함한다. 상기 층(204)의 두께는 전형적으로, 유전체 층에서 전계를 제한하기 위해, 50nm 내지 150nm의 범위 내에 있다. RF 전극(102)의 상단 상에는, RF 컨택부(contact)(206)가 배치되며, 이 컨택부는 풀 다운 상태에서 스위치 바디와 오믹 컨택를 형성한다. 앵커 전극(106)의 상단 상에는, MEMS 디바이스가 고정되는 앵커 컨택부(208)가 있다. 컨택 층(206, 208)에 사용되는 전형적인 재료는 Ti, TiN, TiAl, TiAlN, AlN, Al, W, Pt, Ir, Rh, Ru, RuO2, ITO 및 Mo 및 이들의 조합을 포함한다.
스위치 소자는 비아들(214)의 어레이를 사용하여 함께 결합되는 도전성 층들(210, 212)로 구성된 스티프한 브리지(stiff bridge)를 포함한다. 이로써, 스티프한 플레이트 섹션 및 유연성 레그가 작동 전압을 허용 가능한 수준으로 유지할 수 있으면서 높은 접촉력을 제공할 수 있다. MEMS 브리지는 MEMS 브리지의 하부 층(210)에 형성된 레그(leg)(216) 및 MEMS 브리지의 상부 층(212)에 형성된 레그(218)에 의해 현수된다. MEMS 브리지의 상부 층은 비아(220)에 의해서, MEMS의 하부 층(212)에 고정된다. MEMS 브리지의 하부 층은 비아(222)로 앵커 컨택부(208)에 고정된다. MEMS 스위치가 하향 작동될 때 RF 컨택부(206)로부터 MEMS 브리지로 주입되는 전류는, MEMS 브리지를 통해, 양 방향으로, 스위치 본체의 양측에 각기 위치한 앵커 전극들(106)로 흐른다. 스위치의 전류 처리는 단지 하나의 층을 이용하는 대신에 MEMS 브리지의 양 층(210, 212)에서의 레그(216, 218)을 사용함으로써 향상될 수 있다. 이들 레그들은 MEMS 브리지 내의 비아들(214)을 통해서 함께 결합되지 않기 때문에, 이들 레그들의 유연성은 적절한 동작 전압으로도 MEMS 브리지(210, 212)가 RF 컨택부(206)와 접촉하도록 풀 다운되게 충분하게 낮다.
상기 MEMS 브릿지 위에는, MEMS를 오프 상태 동안 루프까지 끌어 올리는데 사용되는 금속 풀업 전극(226)으로 캡핑된 유전체층(224)이 있다. 상기 유전체층(224)은 상향 작동된 상태에서, MEMS 브리지와 풀업 전극(226) 사이의 단락을 피하고 높은 신뢰성을 위해 전계를 제한한다. MEMS 디바이스를 상단까지 이동시키면, 오프 상태에서 RF 전극(102)으로의 스위치의 정전 용량이 저감된다. 캐비티 루프는 기계적 강도를 위한 추가의 유전체 층(228)을 더 포함한다. 캐비티는 제조중 존재하는 희생 층을 제거하는데 사용된 에칭 릴리즈 홀(232)을 채우는 유전체 층(230)으로 밀봉된다. 상기 유전체층(230)은 에칭 릴리즈 홀들(232)을 채우며 앵커에서 MEMS 브리지의 상부 층(212)에 추가적인 기계적 서포트를 제공하는 동시에 캐비티를 밀폐하여 캐비티 내에서의 저압 환경을 제공한다. 루프 유전체 층(228, 230)에 적합한 재료는 실리콘-산화물, 실리콘-이산화물, 실리콘-질화물 및 실리콘-옥시나이트 라이드를 포함하는 실리콘계 재료을 포함한다.
풀업 전극(226)에 사용되는 동일한 도전성 층이 또한 캐비티의 측면들(234)에 사용될 수 있고, 이는 참조부호 236 위치에서 MEMS 브리지의 상부 층(212)에 연결되고, 참조부호 238 위치애서 MEMS 브리지의 하부 층(210)에 연결되고, 앵커 컨택부(208)에 연결된다. 따라서, 이러한 측면 전기 연결은 MEMS 브리지(210, 212)에서 앵커 컨택부(208)까지 MEMS 브리지 비아들(220, 222)과 병렬로 전류 경로를 제공하고, MEMS 앵커의 처리 용량을 증가시킨다.
도 3a 내지 도 3h는 일 실시예에 따른 다양한 제조 단계에서의 MEMS 오믹 스위치(200)의 개략도이다. 도 3a는 MEMS 스위치의 백플레인 출발 재료(backplane starting material)를 도시하고, 이는 RF 전극들(102), 풀인 전극들(104), 및 앵커 전극들(106)을 포함하는 복수의 전극을 갖는 기판(202)을 포함한다. 기판(202)은 단일 층 기판 또는 하나 이상의 상호 접속 층을 갖는 CMOS 기판과 같은 다층 기판을 포함할 수 있다. 또한, 전극(102, 104, 106)에 사용될 수 있는 적절한 재료는 상이한 재료들의 다층 스택을 포함하여, 질화 티타늄, 알루미늄, 텅스텐, 구리, 티타늄 및 이들의 조합을 포함한다. 풀다운 전극(104)은 전기 절연 층(204)으로 커버된다. 전기 절연 층(204)에 적합한 재료는 실리콘-산화물, 실리콘-이산화물, 실리콘-질화물 및 실리콘-옥시나이트라이드를 포함하는 실리콘계 재료을 포함한다. RF 전극의 상단에는 RF 컨택부(206)가 있고, 앵커 전극(106)의 상단에는 앵커 컨택부(206)가 있다. 컨택부(206, 208)에 사용되는 전형적인 재료는 Ti, TiN, TiAl, TiAlN, AlN, Al, W, Pt, Ir, Rh, Ru, RuO2, ITO 및 Mo 및 이들의 조합을 포함한다.
도 3b는 희생 층(302)과 희생 층(302)의 오프닝 비아들(222)을 성막하고, 레그들(216)을 포함하는 하부 브리지 부분을 성막 및 패터닝(patterning) 함으로써 백플레인(backplane)에 형성되는 MEMS 브리지의 하부 층(210)을 도시한다.
도 3c는 MEMS 브리지의 상부 층(212)의 형성을 도시한다. 추가의 희생 재료(302)가 성막되고, 하부 MEMS 브리지(210)에 놓이는 비아들(220, 214)의 위치들에 개구들이 생성된다. 상부 MEMS 브리지가 성막되고 패터닝되어 비아들(214)에 의해 연결되고 레그들(216, 218)과 앵커 비아들(220, 222)을 포함하는 전체 MEMS 브리지(210, 212)를 형성한다.
도 3d는 추가적인 희생 재료(302)와 절연 유전체 층(224)을 성막하여 풀업 전극을 형성하는 것을 도시한다. 전기적 절연 층(224)에 적합한 재료는 실리콘-산화물, 실리콘-이산화물, 실리콘-질화물 및 실리콘-옥시나이트라이드를 포함하는 실리콘계 재료을 포함한다. 유전체 층(224)과 희생 재료(302)는 캐비티 외형을 형성하도록 패터닝되고 이에 의해 하부 MEMS 브리지 층의 부분들(238)과 상부 MEMS 브리지 층의 부분들(236) 및 앵커 컨택 층(208)을 노출시킨다.
도 3e는 풀업 전극(226)과 측벽 전기 연결부들(234)의 형성을 도시하는데, 이들은 상부 MEMS 브리지 층의 노출된 부분들(236)과 하부 MEMS 브리지 층의 노출된 부분들 및 앵커 컨택부(208)에 연결되어 MEMS 브리지(210, 212)에서 앵커 컨택부(208)로 앵커 비아들(220, 222)과 병렬로 추가 전류 경로를 제공한다.
도 3f는 유전체 재료(228)를 성막하여 캐비티 루프를 형성하는 것을 도시한다. 전기적 절연 층(228)에 적합한 재료는 실리콘-산화물, 실리콘-이산화물, 실리콘-질화물 및 실리콘-옥시나이트라이드를 포함하는 실리콘계 재료을 포함한다. 이 층은 루프에 추가적인 기계적 강도를 제공한다. 에칭 릴리즈 홀들(232)은 캐비티에 희생 재료를 노출하도록 개방된다.
도 3g는 희생 층이 릴리즈 홀들(232)을 통하여 제거되고 유전체 층(230)으로 밀폐된 후의 MEMS 스위치를 도시한다. 유전체 층(230)이 또한 에칭 릴리즈 홀들(232) 내에 성막되고 앵커에 추가적인 기계적 강도를 제공하도록 상부 MEMS 브리지 층(212)에 놓인다.
스위칭 소자 브리지의 상단 층이 앵커 영역으로 확장됨으로써 앵커 영역은 더 큰 기계적 강도를 가진다. 또한, 앵커의 전류 처리 성능을 증가시키는 스위칭 소자의 상단층을 통하여 앵커 전극으로 추가적인 전류 경로가 있게 된다.
이상에서는 본 발명의 실시예들이 기술되었으나 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고 이하의 청구범위에 의해 한정되는 범위 내에서 다른 또는 추가의 실시예들을 도출할 수 있을 것이다.
Claims (20)
- MEMS 디바이스로서,
적어도 앵커 전극(anchor electorde), 풀-다운 전극(pull-down electrode) 및 RF 전극(RF electrode)을 포함하는 복수의 전극들이 내부에 형성된 기판;
상기 기판 및 풀-다운 전극 상에 배치된 절연 층;
상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격되고 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리만큼 이격된 위치로부터 이동 가능한 스위칭 소자;를 포함하며,
상기 스위칭 소자는:
하단 층;
상단 층; 및
상기 하단 층을 상단 층에 연결하는 복수의 비아들;을 포함하며,
상기 스위칭 소자는 제1 앵커 부분, 제1 레그 부분, 및 브리지 부분을 포함하고, 상기 제1 앵커 부분과 브리지 부분에 복수의 비아들이 배치되며, 상기 제1 앵커 부분은 상기 앵커 전극에 결합되고,
상기 앵커 전극 및 상기 스위칭 소자 사이에 앵커 컨택부가 배치되고, 상기 스위칭 소자는 상기 앵커 컨택부와 2개의 개별적인 전류 경로로 전기적으로 결합되는, MEMS 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 앵커 부분은 상기 하단 층의 일 부분, 상기 상단 층의 일 부분, 상기 상단 층을 하단 층에 연결하는 적어도 하나의 제1 비아, 및 상기 하단 층을 상기 앵커 전극에 연결하는 적어도 하나의 제2 비아를 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 2 항에 있어서,
상기 앵커 컨택부는 상기 앵커 전극과 상기 적어도 하나의 제2 비아 사이에 배치되는, MEMS 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
상기 상단 층의 상단면에 결합되는 유전체 층을 더 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 4 항에 있어서,
상기 앵커 전극, 앵커 컨택부, 적어도 하나의 제2 비아, 하단 층, 적어도 하나의 제1 비아, 및 상단 층은 횡단면에서 볼 때 모두 수직으로 배열되는, MEMS 디바이스. - 제 5 항에 있어서,
상기 복수의 전극들은 제2 앵커 전극을 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 6 항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 제2 앵커 부분을 포함하고, 상기 제2 앵커 부분은 상기 하단 층의 일 부분, 상기 상단 층의 일 부분, 상기 상단 층을 하단 층에 연결하는 상기 적어도 하나의 제1 비아, 및 상기 하단 층을 상기 제2 앵커 전극에 연결하는 상기 적어도 하나의 제2 비아를 포함하는, MEMS 디바이스. - MEMS 디바이스로서,
적어도 앵커 전극, 풀-다운 전극 및 RF 전극을 포함하는 복수의 전극들이 내부에 형성된 기판;
상기 앵커 전극에 배치된 앵커 컨택부;
상기 기판 및 풀-다운 전극 상에 배치된 절연 층;
상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격되고 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리만큼 이격된 위치로부터 이동 가능한 스위칭 소자;를 포함하며,
상기 스위칭 소자는:
하단 층;
상단 층; 및
상기 하단 층을 상단 층에 연결하는 복수의 비아들;을 포함하며,
상기 스위칭 소자는 캐비티(cavity) 내에 싸여있으며,
상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부와 접촉하고, 상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부에 전기적으로 결합되고,
상기 스위칭 소자는 상기 앵커 컨택부와 2개의 개별적인 전류 경로로 전기적으로 결합되는, MEMS 디바이스. - 제 8 항에 있어서,
상기 복수의 전극들은 제2 앵커 전극을 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 9 항에 있어서,
상기 제2 앵커 전극에 제2 앵커 컨택부가 배치되고, 상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 제2 앵커 컨택부와 접촉하는, MEMS 디바이스. - 제 10 항에 있어서,
상기 하단 층을 상기 앵커 컨택부에 연결하는 비아를 더 포함하는, MEMS 디바이스. - MEMS 디바이스로서,
적어도 앵커 전극, 풀-다운 전극 및 RF 전극을 포함하는 복수의 전극들이 내부에 형성된 기판;
상기 앵커 전극에 배치된 앵커 컨택부;
상기 기판 및 풀-다운 전극 상에 배치된 절연 층;
상기 RF 전극으로부터 제 1 거리만큼 이격되고 및 상기 RF 전극으로부터 상기 제 1 거리와 다른 제 2 거리만큼 이격된 위치로부터 이동 가능한 스위칭 소자;를 포함하며,
상기 스위칭 소자는:
하단 층;
상단 층; 및
상기 하단 층을 상단 층에 연결하는 복수의 비아들;을 포함하며,
상기 스위칭 소자는 제1 앵커 부분, 제1 레그 부분, 및 브리지 부분을 포함하고, 상기 제1 앵커 부분과 브리지 부분에 복수의 비아들이 배치되며, 상기 제1 앵커 부분은 상기 앵커 전극에 결합되며,
측벽이 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부와 접촉하는 캐비티을 더 포함하고, 상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 앵커 컨택부에 전기적으로 결합되고,
상기 스위칭 소자는 상기 앵커 컨택부와 2개의 개별적인 전류 경로로 전기적으로 결합되는, MEMS 디바이스. - 제 12 항에 있어서,
상기 제1 앵커 부분은 상기 하단 층의 일 부분, 상기 상단 층의 일 부분, 상기 상단 층을 하단 층에 연결하는 적어도 하나의 제1 비아, 및 상기 하단 층을 상기 앵커 전극에 연결하는 적어도 하나의 제2 비아를 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 13 항에 있어서,
상기 앵커 전극과 상기 적어도 하나의 제2 비아 사이에 배치된 상기 앵커 컨택부를 더 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 14 항에 있어서,
상기 상단 층의 상단면에 결합되는 유전체 층을 더 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 15 항에 있어서,
상기 앵커 전극, 앵커 컨택부, 적어도 하나의 제2 비아, 하단 층, 적어도 하나의 제1 비아, 및 상단 층은 횡단면에서 볼 때 모두 수직으로 배열되는, MEMS 디바이스. - 제 16 항에 있어서,
상기 복수의 전극들은 제2 앵커 전극을 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 17 항에 있어서,
상기 스위칭 소자는 제2 앵커 부분을 포함하고, 상기 제2 앵커 부분은 상기 하단 층의 일 부분, 상기 상단 층의 일 부분, 상기 상단 층을 하단 층에 연결하는 적어도 하나의 제1 비아, 및 상기 하단 층을 상기 제2 앵커 전극에 연결하는 적어도 하나의 제2 비아를 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 12 항에 있어서,
상기 복수의 전극들은 제2 앵커 전극을 포함하는, MEMS 디바이스. - 제 19 항에 있어서,
상기 제2 앵커 전극에 제2 앵커 컨택부가 배치되고, 상기 캐비티의 측벽은 상기 하단 층, 상단 층, 및 제2 앵커 컨택부와 접촉하는, MEMS 디바이스.
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