JP6917370B2 - Ｒｆスイッチの脚とアンカーにおける電流取り扱い - Google Patents
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Description
本開示の一実施形態は、一般に、ＭＥＭＳスイッチにおける脚とアンカーの電流取り扱い（current handling）を改善するための技術に関する。
ＭＥＭＳ抵抗スイッチは、作動電極に電圧を印加することによって移動する可動プレートを含む。電極電圧がしばしばスナップイン電圧と呼ばれる特定の電圧に一旦達すると、プレートは電極に向かって移動する。電圧がリリース電圧まで一旦低下すると、プレートは元の位置に戻る。典型的には、プレートが作動電極に接近しているとき、より高い静電力のせいで、および、プレートと、このプレートが一旦電極に近づけられて接触している表面との間の吸着（stiction）のせいで、リリース電圧はスナップイン電圧よりも低い。ＭＥＭＳデバイスのばね定数は、プルイン電圧およびプルオフ電圧の値を設定する。
プレートが下に作動すると、プレートはこのプレートがオーミック接触するコンタクト電極上に着地する。オーミックコンタクトからスイッチ本体に注入される電流は、脚サスペンションとスイッチアンカービアを通して上記スイッチのアンカーに流れ出す。
この電流は、ジュール加熱によって脚の温度上昇を引き起こし、高温になり、スイッチング電圧の変化を引き起こす望ましくない熱膨張、または、デバイス製造にしばしば使用される合金材料の相変化を引き起こす可能性がある。同時に、電流は、ＭＥＭＳデバイスを基板に固定するために使用されるビアに故障を引き起こす可能性がある。
したがって、当技術分野では、脚とアンカービアの破壊的な故障に至らずに大きな電流を流すことができるＭＥＭＳスイッチが必要とされている。
本開示は、概して、ＭＥＭＳスイッチによって取り扱われるべきより大きな電流を許容する、修正された脚とアンカーの設計に関する。
一実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくともアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、
上記スイッチング素子は、第１のアンカー部分、第１の脚部分、およびブリッジ部分を含み、上記複数のビアは、上記アンカー部分および上記ブリッジ部分内に配置され、上記アンカー部分は上記アンカー電極に結合されている。
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくともアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、
上記スイッチング素子は、第１のアンカー部分、第１の脚部分、およびブリッジ部分を含み、上記複数のビアは、上記アンカー部分および上記ブリッジ部分内に配置され、上記アンカー部分は上記アンカー電極に結合されている。
別の実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくともアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記アンカー電極の上に配置されたアンカーコンタクトと、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、上記スイッチング素子はキャビティ内に封じられ、
上記底層、頂層およびアンカーコンタクトと接触しているキャビティ側壁を備え、このキャビティ側壁は、上記底層、頂層およびアンカーコンタクトに電気的に結合されている。
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくともアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記アンカー電極の上に配置されたアンカーコンタクトと、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、上記スイッチング素子はキャビティ内に封じられ、
上記底層、頂層およびアンカーコンタクトと接触しているキャビティ側壁を備え、このキャビティ側壁は、上記底層、頂層およびアンカーコンタクトに電気的に結合されている。
別の実施形態では、ＭＥＭＳデバイスは、
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくともアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記アンカー電極の上に配置されたアンカーコンタクトと、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、
上記スイッチング素子は、第１のアンカー部分、第１の脚部分、およびブリッジ部分を含み、上記複数のビアは、上記アンカー部分および上記ブリッジ部分内に配置され、上記アンカー部分は上記アンカー電極に結合されており、
上記底層、頂層およびアンカーコンタクトと接触しているキャビティ側壁を備え、このキャビティ側壁は、上記底層、頂層およびアンカーコンタクトに電気的に結合されている。
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくともアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記アンカー電極の上に配置されたアンカーコンタクトと、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、
上記スイッチング素子は、第１のアンカー部分、第１の脚部分、およびブリッジ部分を含み、上記複数のビアは、上記アンカー部分および上記ブリッジ部分内に配置され、上記アンカー部分は上記アンカー電極に結合されており、
上記底層、頂層およびアンカーコンタクトと接触しているキャビティ側壁を備え、このキャビティ側壁は、上記底層、頂層およびアンカーコンタクトに電気的に結合されている。
上述した本開示の特徴を詳細に理解することができるように、上で簡潔に要約した本開示のより詳細な説明は、幾つかの添付の図面に示された実施形態を参照して得られる。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、本開示は、他の同等に有効な実施形態を許容できるため、その範囲を限定するものとみなされるべきではないことに留意されたい。
理解を容易にするために、図面に共通の同一の要素を示すために、可能な限り同一の参照番号が使用されている。一実施形態で開示される要素は、特定の記載なしに他の実施形態で有益に利用され得ることが企図されている。
図１Ａは、オーミックＭＥＭＳスイッチ１００の概略的な上面図である。スイッチ１００は、ＲＦ電極１０２、プルダウン電極１０４、およびアンカー電極１０６を含んでいる。十分に高い電圧がプルダウン電極１０４に印加されると、ＭＥＭＳスイッチが下に作動して、ＲＦ電極１０２とアンカー電極１０６との間にオーミック接続を形成する。
図１Ｂは、幾つかのＭＥＭＳスイッチ１００を含むオーミックスイッチセル１１０の概略的な上面図である。プルダウン電極１０４に十分に高い電圧を印加することによって、セル１１０内のすべてのＭＥＭＳスイッチ１００が同時にオンにされる。多くのスイッチが並列に作動されるので、ＲＦ電極１０２とアンカー電極１０６との間の抵抗が低減される。
図１Ｃは、オーミックスイッチアレイの概略的な上面図である。このオーミックスイッチアレイは、幾つかの並列に作動されるスイッチセル１１０を含んでいる。各セルのＲＦ電極１０２は、各スイッチセル１１０の一端で互いに接続される一方、アンカー電極１０６は、各スイッチセル１１０の他端で互いに接続されている。全てのセルがオンされると、ＲＦ電極１０２とアンカー電極１０６との間の抵抗がさらに減少する結果になる。同時に、多くのスイッチが並列に作動されるため、スイッチアレイ全体でより多くの電流を取り扱うことができる。
図２は、オーミックＭＥＭＳスイッチ２００の断面を示している。本開示は、ＭＥＭＳの脚サスペンションおよびアンカーの電流取り扱い能力を改善する方法を記載する。ＭＥＭＳスイッチ２００は、基板２０２上に配置された、ＲＦ電極１０２と、プルダウン電極１０４と、アンカー電極１０６とを含んでいる。プルダウン状態（引き下げられた状態）においてＭＥＭＳスイッチとプルダウン電極１０４との間の短絡を回避するために、プルダウン電極１０４は誘電体層２０４で覆われている。電気的絶縁または誘電体層２０４に適した材料は、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコン、および酸窒化シリコンを含むシリコン系材料を含む。この層２０４の厚さは、誘電体層内の電界を制限するために、典型的には５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内である。ＲＦ電極１０２の上には、ＲＦコンタクト２０６がある。そのＲＦコンタクト２０６に対して、プルダウン状態でスイッチ本体がオーミック接触を形成する。アンカー電極１０６の上には、アンカーコンタクト２０８がある。そのアンカーコンタクト２０８に対してＭＥＭＳデバイスが固定される。コンタクト層２０６，２０８に用いられる典型的な材料は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＡｌ、ＴｉＡｌＮ、ＡｌＮ、Ａｌ、Ｗ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＲｕＯ２、ＩＴＯ、Ｍｏ、およびそれらの組み合わせを含む。
スイッチ素子は、ビア２１４のアレイを用いて一緒に接合される導電層２１０，２１２からなる堅いブリッジを含む。これにより、堅いプレート部および柔軟な脚が、動作電圧を許容可能なレベルに保ちながら高い接触力を提供することを可能にする。ＭＥＭＳブリッジは、ＭＥＭＳブリッジの下層２１０に形成された脚（複数）２１６と、上層２１２に形成された脚（複数）２１８とによって懸架されている。ＭＥＭＳブリッジの上層は、ビア２２０を用いてＭＥＭＳの下層に固定されている。ＭＥＭＳブリッジの下層は、ビア２２２を用いてアンカーコンタクト２０８に固定されている。ＭＥＭＳスイッチが下に作動されたときＲＦコンタクト２０６からＭＥＭＳブリッジに注入される電流は、ＭＥＭＳブリッジを通して両方向に、スイッチ本体の両側に位置するアンカー電極１０６へ流出する。スイッチの電流の取り扱いは、単層の代わりに、ＭＥＭＳブリッジの両方の層２１０，２１２に脚２１６，２１８を使用することによって改善される。これらの脚は、ＭＥＭＳブリッジのようにビア２１４と一緒に接合されていないので、これらの脚の柔軟性（compliance）は、ＭＥＭＳブリッジ２１０，２１２をＲＦコンタクト２０６と接触するように引っ張るための妥当な動作電圧を可能にするほど、低い。
ＭＥＭＳブリッジの上方には、オフ状態のためにＭＥＭＳを屋根までプルアップする（引き上げる）ために使用される金属２２６でキャップされた誘電体層２２４がある。誘電体層２２４は、作動アップ状態においてＭＥＭＳブリッジとプルアップ電極２２６との間の短絡を回避し、高信頼性のために電界を制限する。デバイスを上部に移動させることは、オフ状態のＲＦ電極１０２へのスイッチのキャパシタンスを低減するのに役立つ。キャビティの屋根は、機械的強度のための追加の誘電体層２２８をさらに含む。キャビティは、製造中に存在する犠牲層を除去するために使用されるエッチリリース孔２３２を充填する誘電体層２３０で密封されている。その誘電体層２３０は、エッチリリース孔２３２に入り、アンカー内でＭＥＭＳブリッジの頂層２１２にさらなる機械的支持を提供しながら、キャビティ内に低圧環境が存在するようにキャビティを密封する。屋根の誘電体層２２８，２３０に適した材料は、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンを含むシリコン系材料を含む。
プルアップ電極２２６に使用されるのと同じ導電層が、２３４にてキャビティの側面でも使用されている。その導電層は、２３６にてＭＥＭＳブリッジの頂層２１２に接続し、２３８にてＭＥＭＳブリッジの底層２１０に接続し、また、アンカーコンタクト２０８に接続している。したがって、この側壁の電気的接続は、ＭＥＭＳブリッジビア２２０，２２２と並列に、ＭＥＭＳブリッジ２１０，２１２からアンカーコンタクト２０８への電流経路を提供し、ＭＥＭＳアンカーの電流取り扱い能力を高める。
図３Ａ〜図３Ｈは、一実施形態によるＭＥＭＳオーミックスイッチ２００の作製の様々な段階での概略図である。図３Ａは、ＭＥＭＳスイッチのバックプレーン出発材料を示している。それは、ＲＦ電極１０２、プルイン電極１０４およびアンカー電極１０６を含む複数の電極を有する基板２０２を含んでいる。基板２０２は、単層基板、または、１層以上の相互接続を有するＣＭＯＳ基板のような多層基板を含むことができることを理解されたい。さらに、電極１０２，１０４，１０６に使用することができる適切な材料は、窒化チタン、アルミニウム、タングステン、銅、チタン、およびそれらの組み合わせを含み、異なる材料の多層スタックを含む。プルダウン電極１０４は電気的絶縁層２０４で覆われている。電気的絶縁層２０４に適した材料は、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンを含むシリコン系材料を含む。ＲＦ電極の上にはＲＦコンタクト２０６があり、アンカー電極１０６の上にはアンカーコンタクト２０８がある。コンタクト２０６，２０８に用いられる典型的な材料は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＡｌ、ＴｉＡｌＮ、ＡｌＮ、Ａｌ、Ｗ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＲｕＯ２、ＩＴＯ、Ｍｏ、およびそれらの組み合わせを含む。
図３Ｂは、ＭＥＭＳブリッジの下層２１０の形成を示している。この下層は、犠牲層３０２を堆積し、この犠牲層３０２内にビア２２２を開口させ、２１６にて脚を含む下ブリッジ部分を堆積及びパターン加工することによって、上記バックプレーン上に形成される。ＭＥＭＳブリッジは、ビア２２２を用いてアンカーコンタクト２０８に固定される。
図３Ｃは、ＭＥＭＳブリッジの上層２１２の形成を示している。追加の犠牲材料３０２が堆積され、下側ＭＥＭＳブリッジ２１０上にあるビア２２０，２１４の位置に開口が形成される。上側ＭＥＭＳブリッジが堆積及びパターン加工されて、脚２１６，２１８およびアンカービア２２０，２２２を含んでビア２１４によって一緒に接合された完全なＭＥＭＳブリッジ２１０，２１２を形成する。
図３Ｄは、追加の犠牲材料３０２および絶縁用誘電体層２２４を堆積させることによるプルアップ電極の形成を示している。電気的絶縁層２２４に適した材料は、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンを含むシリコン系材料を含む。誘電体層２２４および犠牲材料３０２は、キャビティの輪郭を形成するようにパターン加工される。これにより、アンカーコンタクト層２０８の一部とともに、下側ＭＥＭＳブリッジ層の一部２３８および上側ＭＥＭＳブリッジ層の一部２３６を露出させる。
図３Ｅは、プルアップ電極２２６および側壁電気的接続部２３４の形成を示している。この側壁電気的接続部は、上側ＭＥＭＳブリッジ層の露出部分２３６、下側ＭＥＭＳブリッジ層の露出部分２３８、およびアンカーコンタクト２０８に接続している。これにより、アンカービア２２０，２２２と並列に、ＭＥＭＳブリッジ２１０，２１２からアンカーコンタクト２０８への付加的な電流経路を提供する。
図３Ｆは、誘電材料２２８を堆積させることによるキャビティ屋根の形成を示している。電気的絶縁層２２８に適した材料は、酸化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンを含むシリコン系材料を含む。この層は屋根に付加的な機械的強度を与える。キャビティ内の犠牲材料を露出させるエッチリリース孔２３２が開口される。
図３Ｇは、犠牲層がリリース孔２３２を通して除去され、誘電体層２３０で密封された後のＭＥＭＳスイッチを示している。また、誘電体層２３０は、エッチリリース孔２３２の内部に堆積され、上側ＭＥＭＳブリッジ層２１２上に着地している。これにより、アンカーに付加的な機械的強度を提供する。
スイッチング素子のブリッジの頂層をアンカー領域までずっと延ばすことにより、アンカー領域はより大きな機械的強度を有する。さらに、スイッチング素子の頂層を通してアンカー電極への付加的な電流経路が存在する。それは、アンカーの電流取り扱い能力を増加させる。
前述は本開示の実施形態に向けられているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案されてもよい。本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (20)
- ＭＥＭＳデバイスであって、
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくとも第１のアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数の第１のビアを有し、
上記スイッチング素子は、第１のアンカー部分、第１の脚部分、およびブリッジ部分を含み、上記複数の第１のビアは、上記第１のアンカー部分および上記ブリッジ部分内に配置され、上記第１のアンカー部分は上記第１のアンカー電極に結合されており、
上記第１のアンカー電極と上記スイッチング素子との間に配置されたアンカーコンタクトを備え、上記スイッチング素子は、上記底層を上記アンカーコンタクトに接続する少なくとも１つの第２のビアによって形成される第１の電流経路、および上記スイッチング素子の側面に配置された導電層によって形成される第２の電流経路によって上記アンカーコンタクトに電気的に結合されている、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記第１のアンカー部分は、上記底層の一部、上記頂層の一部、および上記底層を上記頂層に接続する少なくとも１つの第１のビアを含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項２に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記アンカーコンタクトは、上記第１のアンカー電極と上記少なくとも１つの第２のビアとの間に配置されている、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、さらに、
上記頂層の頂面に結合された誘電体層を備えた、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項４に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記第１のアンカー電極、上記アンカーコンタクト、上記少なくとも１つの第２のビア、上記底層、上記少なくとも１つの第１のビア、および上記頂層は、断面視ですべて鉛直方向に並んでいる、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項５に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記複数の電極は、上記第１のアンカー電極から上記スイッチング素子の反対側の端部に配置された第２のアンカー電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項６に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記スイッチング素子は第２のアンカー部分を含み、
上記第２のアンカー部分は、上記底層の一部、上記頂層の一部、上記底層を上記頂層に接続する少なくとも１つの第１のビア、および、上記底層を上記第２のアンカー電極に接続する少なくとも１つの第２のビアを含む、ＭＥＭＳデバイス。 - ＭＥＭＳデバイスであって、
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくとも第１のアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記第１のアンカー電極の上に配置されたアンカーコンタクトと、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、上記スイッチング素子はキャビティ内に封じられ、
上記底層、頂層およびアンカーコンタクトと接触しているキャビティ側壁を備え、このキャビティ側壁は、上記底層、頂層およびアンカーコンタクトに電気的に結合されており、上記スイッチング素子は、２つの別個の電流経路によって上記アンカーコンタクトに電気的に結合されている、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項８に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記複数の電極は、上記第１のアンカー電極から上記スイッチング素子の反対側の端部に配置された第２のアンカー電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項９に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記第２のアンカー電極上に第２のアンカーコンタクトが配置され、
上記キャビティ側壁は、上記底層、頂層および第２のアンカーコンタクトと接触している、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、さらに、
上記底層を上記アンカーコンタクトに接続するビアを備えた、ＭＥＭＳデバイス。 - ＭＥＭＳデバイスであって、
内部に複数の電極が形成された基板を備え、上記複数の電極は、少なくとも第１のアンカー電極と、プルダウン電極と、ＲＦ電極とを含み、
上記第１のアンカー電極の上に配置されたアンカーコンタクトと、
上記基板及び上記プルダウン電極の上に配置された絶縁層と、
上記ＲＦ電極から第１の距離だけ離れるとともに、上記ＲＦ電極から上記第１の距離とは異なる第２の距離だけ離れた位置から移動可能なスイッチング素子とを備え、
このスイッチング素子は、
底層、
頂層、および
上記底層を上記頂層に接続する複数のビアを有し、
上記スイッチング素子は、第１のアンカー部分、第１の脚部分、およびブリッジ部分を含み、上記複数のビアは、上記第１のアンカー部分および上記ブリッジ部分内に配置され、上記第１のアンカー部分は上記第１のアンカー電極に結合されており、
上記底層、頂層およびアンカーコンタクトと接触しているキャビティ側壁を備え、このキャビティ側壁は、上記底層、頂層およびアンカーコンタクトに電気的に結合されており、上記スイッチング素子は、２つの別個の電流経路によって上記アンカーコンタクトに電気的に結合されている、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１２に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記第１のアンカー部分は、上記底層の一部、上記頂層の一部、上記底層を上記頂層に接続する少なくとも１つの第１のビア、および、上記底層を上記第１のアンカー電極に接続する少なくとも１つの第２のビアを含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１３に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、さらに、
上記第１のアンカー電極と上記少なくとも１つの第２のビアとの間に配置されたアンカーコンタクトを備えた、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１４に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、さらに、
上記頂層の頂面に結合された誘電体層を備えた、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１５に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記第１のアンカー電極、上記アンカーコンタクト、上記少なくとも１つの第２のビア、上記底層、上記少なくとも１つの第１のビア、および上記頂層は、断面視ですべて鉛直方向に並んでいる、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記複数の電極は、上記第１のアンカー電極から上記スイッチング素子の反対側の端部に配置された第２のアンカー電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１７に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記スイッチング素子は第２のアンカー部分を含み、
上記第２のアンカー部分は、上記底層の一部、上記頂層の一部、上記底層を上記頂層に接続する少なくとも１つの第１のビア、および、上記底層を上記第２のアンカー電極に接続する少なくとも１つの第２のビアを含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１２に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記複数の電極は第２のアンカー電極を含む、ＭＥＭＳデバイス。 - 請求項１９に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、
上記第２のアンカー電極上に第２のアンカーコンタクトが配置され、
上記キャビティ側壁は、上記底層、頂層および第２のアンカーコンタクトと接触している、ＭＥＭＳデバイス。
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