JP6165730B2 - Memsデバイス・アンカリング - Google Patents
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Description
Claims (27)
- 第1電極と、
第2電極と、
上記第2電極の上方に配置された誘電性ルーフと、
上記誘電性ルーフを通り形成された一もしくは複数のリリース穴と、
上記第1電極と上記第2電極との間で移動可能であり空胴内に配置されたスイッチング素子と、
上記誘電性ルーフを覆い、及び一もしくは複数の上記リリース穴内に配置された封止層と、ここで該封止層の少なくとも一部は、上記スイッチング素子の少なくとも一部に接している、
を備えたマイクロ電気機械デバイス。 - 上記第2電極は、上記スイッチング素子の上方に配置され、上記スイッチング素子の下に配置される電気コンタクトに電気的に接続されている、請求項1に記載のデバイス。
- 上記空胴は、グランドにつながれた電気的導電材料を備えた壁によって形成されている、請求項2に記載のデバイス。
- 上記空胴は、誘電材料を備えた壁によって形成されている、請求項1に記載のデバイス。
- 上記誘電材料は、スイッチング素子に接している、請求項4に記載のデバイス。
- 上記空胴は、グランドにつながれた電気的導電材料を備えた壁によって形成されている、請求項1に記載のデバイス。
- 上記電気的導電材料は、スイッチング素子に接している、請求項6に記載のデバイス。
- 第1電極と、
第2電極と、
上記第1電極と上記第2電極との間で移動可能であり空胴内に配置されたスイッチング素子と、
封止層と、ここで該封止層の少なくとも一部は、上記スイッチング素子の少なくとも一部に接している、
上記スイッチング素子と上記第2電極との間で上記第2電極に配置された第1誘電体層と、
上記第1誘電体層に対向し上記第2電極に配置された第2誘電体層と、
上記第2誘電体層に配置された上記封止層と、
上記封止層に配置された第3誘電体層と、
上記第3誘電体層に配置された不活性化層と、
を備えたマイクロ電気機械デバイス。 - 上記第1誘電体層は、多数の誘電体層を備え、この多数の誘電体層は、窒化物層及び酸化物層の少なくとも一つを備える、請求項8に記載のデバイス。
- 上記第3誘電体層は、共形で堆積された誘電体層である、請求項8に記載のデバイス。
- 空胴内に配置された第1ワッフル型スイッチング素子と、ここでこのスイッチング素子は少なくとも一つのアンカー部及び可撓性部を有する、
上記空胴を囲む壁と、ここで複数の壁の少なくとも一つの壁の少なくとも一部は、少なくとも一つのアンカー部につながれている、
を備えたマイクロ電気機械デバイス。 - 上記空胴内に配置された第2ワッフル型スイッチング素子をさらに備えた、請求項11に記載のデバイス。
- 複数の上記壁は電気的導電性である、請求項12に記載のデバイス。
- 複数の上記壁はグランドにつながれている、請求項13に記載のデバイス。
- 上記空胴を梱包する封止層をさらに備え、ここでこの封止層は、少なくとも一つのアンカー部と直接に接触している、請求項14に記載のデバイス。
- 上記空胴は誘電材料を備える壁によって形成されている、請求項11に記載のデバイス。
- 上記誘電材料はスイッチング素子に接している、請求項16に記載のデバイス。
- 基板内に形成された一もしくは複数の第1電極と、
一もしくは複数の上記第1電極から間隔を置いて、上記基板内に埋め込まれた電気コンタクトに電気的に接続された第2電極と、
空胴内で一もしくは複数の上記第1電極と上記第2電極との間で各々移動可能な複数のスイッチと、
上記第2電極の上方に配置された誘電性ルーフと、
上記誘電性ルーフを通り形成された一もしくは複数のリリース穴と、
上記誘電性ルーフを覆い、及び一もしくは複数の上記リリース穴内に配置された封止層と、ここで該封止層の少なくとも一部は、複数の上記スイッチの少なくとも一部に接している、
を備えたマイクロ電気機械デバイス。 - 上記空胴は壁によって閉ざされ、この壁は複数のスイッチと直接に接触している、請求項18に記載のデバイス。
- 上記空胴は、複数の上記スイッチと直接に接触する封止層で梱包されている、請求項19に記載のデバイス。
- 上記壁は電気的にアースされている、請求項20に記載のデバイス。
- 基板内に形成された一もしくは複数の第1電極と、
一もしくは複数の上記第1電極から間隔を置いて、上記基板内に埋め込まれた電気コンタクトに電気的に接続された第2電極と、
空胴内で一もしくは複数の上記第1電極と上記第2電極との間で各々移動可能な複数のスイッチと、を備え、
ここで上記空洞は、壁によって閉ざされており、この壁は複数の上記スイッチと直接に接触しており、上記空洞は、複数の上記スイッチと直接に接触している封止層で梱包されており、上記壁は電気的にアースされており、
上記第2電極は、上記封止層によって上記壁から間隔を置いている、
マイクロ電気機械デバイス。 - 基板にスイッチング素子を組み上げること、ここでスイッチング素子はアンカー部及び可撓性部を備える、
上記スイッチング素子の上方で上記アンカー部に接して電気的導電層を堆積すること、
上記アンカー部に接して残る第1部分、及び上記第1部分から電気的に分離されるプルオフ電極を形成するため、上記電気的導電層をパターニングすること、
を備えたマイクロ電気機械デバイスの組立方法。 - 上記プルオフ電極は、上記スイッチング素子の下に配置される電気コンタクトに電気的につながれる、請求項23に記載の方法。
- 上記スイッチング素子は空胴内に配置され、
当該方法は、上記空胴を梱包するために封止層を堆積することをさらに備え、ここで上記封止層は上記アンカー部に接触する、請求項24に記載の方法。 - 上記スイッチング素子は空胴内に配置され、
当該方法は、さらに、
上記電気的導電層を覆い誘電性ルーフを堆積すること、
上記アンカー部に沿って軸方向に配列される上記誘電性ルーフを通ってリリース穴を形成すること、
上記リリース穴内で上記アンカー部に接して、上記誘電性ルーフを覆い封止層を堆積すること、
を備える、請求項23に記載の方法。 - 上記第1部分は電気的にアースされる、請求項26に記載の方法。
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