TWI596341B - 分析與修改樣本表面的裝置與方法 - Google Patents

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松斯頓 霍夫曼
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Description

分析與修改樣本表面的裝置與方法
本發明係有關一種用於分析及修改一樣本之裝置與方法。特別係，本發明關於掃描探針顯微鏡，其使用探針來掃描樣本或其表面，且因此產生該樣本表面之形貌的一維或二維圖示。
掃描探針顯微鏡利用探針來掃描樣本或其表面，且因此產生該樣本表面之形貌的一維或二維圖示。在下面敘述中，掃描探針顯微鏡將使用英文SPM(Scanning Probe Microscopes)表示。各種SPM類型係有所差異，此取決於測試針與樣本表面之間的互動類型。通常，掃描隧道顯微鏡(STM,scanning tunneling microscopes)用以施加一電壓於彼此不相接觸的探針與測試針之間，且會量測所產生之穿隧電流。因此，STM之應用係受限於導電的樣本或具有導電表面層的樣本。
關於待研究的樣本，原子力顯微鏡(AFM,atomic force microscope)或掃描力顯微鏡(SFM,scanning force microscope)並沒有此限制。在此SPM類型中，探針或測試針會被樣本表面之原子力所偏斜，原子力通常為范德華力(Van-der-Waals Force)。測試針的偏斜係與探針與樣本表面之間的作用力成正比，且此力會被用於表面形貌之判定。
除了此建構的SPM類型之外，存在可用於特定應用區域之各種進一步裝置類型，例如磁力顯微鏡或光學與聲學掃描 近域顯微鏡(optical and acoustic scanning near-field microscopes)。
且習知上，藉由測試針與樣本之間的適當互動設計，掃描顯微鏡可用於樣本或其表面之特定修改。例如，國際IMEC(Inter-University Micro Electric Center(www.imec.be/ScientificReport/SR2009/HTML/1213442.htm))與文獻WO 2009/039088,JP 614887A,US 7 571 639 B2和US 2007/0 022 804 A1有其各自的建議。
為了利用SPM來修改及分析樣本或其表面，應用對特定目的較佳化的各種測試針係有用的。US 2007/0 022 804 A1敘述一種設備，其允許測試針的自動改變以及判定與移除偏斜的測試針。不過，在US 2007/0 022 804 A1中，探針的互換需要複雜的重新調整與重新校準。
為了增加特定應用領域之生產率，例如從文獻「VLSI-NEMS chips for parallel AFM data storage」(來自M.Despont et al.,in Sensors and Actuators,vol.80,p.100-107(2000))及從WO 02/080187 A1得知，可以使用具有複數個個別探針的探針陣列。
至目前為止，測試針或探針之陣列或配置的應用係受限於單一特定應用。此為針對特定處理功能而最佳化之特定測試針的結果。因此，待執行的工作變化需要個別探針或探針陣列的互換。
本發明因此根據此問題以指出用於分析及修改樣本之設備與方法，且至少部分避開上述缺點。
根據本發明之應用範例，此問題可經由如本發明之一方面之設備加以解決。在一具體實施例中，設備包括用於一掃描探針顯微鏡之一探針裝置，該探針裝置具有適於分析一樣本之至少一第一探針、具有用於修改該樣本之至少一第二探針、以及有關該探針裝置的至少一移動元件，且該移動元件用於使該等探針之一者掃描越過位於一工作位置中的該樣本表面，使得該探針與該樣本互動，而其他探針係位於一中性位置，不致與該樣本互動，且該移動元件適於將一第二探針帶至一位置，使得經由該第一探針所分析的該樣本之一區域可利用該第二探針來修改。
根據本發明之探針裝置具有至少兩探針或測試針，其已最佳化用於執行不同功能或工作。因此，此探針裝置包括至少一探針，該至少一探針設計成可獲得橫越該樣本的資料(data across the specimen)。例如，探針之設計可包括該分析探針之材料的外形與選擇。另一方面，此探針之支撐物可最佳化以達成此功能。此外，根據本發明之探針裝置可包括進一步分析探針，例如藉由另一機構而與該樣本互動，以判定該樣本或其表面之完整影像。
此外，本發明之一方面所設計之探針裝置包含包括一探 針，其特別設計成來以一預定方式修改該樣本。此種探針之頂端(tip)的設計參數係例如為其外形、材料的選擇、或各別的塗層。此外，利用該分析探針之支撐物(通常稱為懸臂樑)而使得該頂端可被最佳化以用於實現其預定功能。此外，根據本發明之探針裝置可使該修改探針之操作模式適於待執行之功能。此外，根據本發明之探針裝置可包含包括第二或一額外的探針，用於以執行單一處理功能。因此，可執行具有各種層級之細部節的功能。實現如本發明之一方面之特徵的探針裝置當然可以包含包括執行多於單一處理功能的之探針。因此，探針裝置可被製造成最佳化用於特定目的之個別探針。
較佳地，針對根據本發明實施例之探針裝置，各個時間點只有單一探針操作，而其他探針係位於一中性位置，其中這些探針之頂端可最佳與該樣本表面保持一段距離，該距離要足夠大，以確實避免這些探針與該樣本互動。因此，在傳統的掃描探針顯微鏡中，上面給定之探針裝置插置的技術層次較低。不過，重要的是：藉由一或多個移動元件，各個探針可快速及可重現從其個別的中性位置帶至一給定的工作位置。
根據本發明實施例之探針裝置之確實助益在於，當從分析操作模式改變成一修改操作模式時，不會偏離奈米範圍(nano-world)。而是，以介於所使用之探針與接著被使用探針之間的距離的探針陣列之偏移便足夠。因此，相較於先前技術，該切換可明顯加速。在此，奈米範圍之特徵在於，具 有長度尺寸在奈米範圍內，因此小於1 μm之尺寸。
在另一態樣中，該移動元件包括一壓力致動器，特別是一管狀的壓力致動器。
壓力元件目前已使用於掃描探針顯微鏡。因此，如同已指出的，將探針裝置整合在現有的掃描探針顯微鏡，不需要大幅修改系統。壓力致動器之尺寸係以該修改探針與該樣本保持距離的方式決定，使得此探針不致與該樣本互動，而同時將該分析探針以一給定之距離掃描過該樣本表面。此外，在分析該樣本之特定區域後，壓力致動器可執行探針裝置相對於該樣本之偏移，使得第二探針可處理該樣本之已分析區域。為了修改待處理的位置，壓力致動器導引該分析探針至待處理的該樣本位置，且導引該修改探針過該樣本表面，以處理該已量測之樣本區域。
根據另一態樣，該移動元件具有用於各個探針的一控制構件，該控制構件適於將該個別的探針從該中性位置帶至一工作位置，反之亦然。
在根據本發明之探針裝置之此具體實施例中，增加了可能應用的靈活性，且同時關於壓力元件的需求降低，因為各個探針有其自己的控制構件，該控制構件係以數位的方式將該探針從一中性位置帶至該處理位置。在較佳的具體實施例中，如果沒有控制信號施加至控制構件，則該等探針係位於該中性位置，且藉由施加各自的控制信號，只有操作中的該 探針會帶至該處理位置或工作位置。此具體實施例最小化了用於根據本發明之探針裝置的控制耗費。
該控制構件或各個控制構件所產生的移動只有兩個二元狀態，亦即，(a)該探針係位於該中性位置，及(b)該探針係位於該工作位置。介於這些狀態之間的中間狀態不需要調整，此最小化了用於控制構件之控制的需求。
在一較佳態樣中，該等控制元件用於從一樣本表面至該至少一第一探針及/或該至少一第二探針的改變距離達至少100 nm(奈米)，較佳係達至少500 nm(奈米)，且最佳係達至少1000 nm(奈米)，其中，該距離符合該中性位置與該工作位置之間的距離。
藉由使用上面給定的非操作中之探針與該樣本表面之間的距離，可以確保位於該中性位置的探針不會跟該樣本接觸，甚至也不會損毀該樣本。此外，此量測也確實排除該等探針之一者可能因為與該樣本之失控接觸而更改或損毀。此外，探針之控制元件可與各自的感測器元件結合使用，以在閉控制迴路中掃描樣本上的探針，或藉由可重現之設定來執行該處理功能。
在另一態樣中，該控制構件包括一壓電元件及/或有加熱器之一雙金屬元件。
在另一態樣中，該至少一第一探針與該至少一第二探針 係彼此配置相距1000 μm(微米)至50 μm(微米)，較佳為500 μm(微米)至100 μm(微米)，且最佳為250 μm(微米)至200 μm(微米)。在仍另一較佳態樣中，該探針裝置適合作為一微機電系統，其中該至少一第一探針與該至少一第二探針之間距離的精密度為已知，且給定精密度低於1 μm(微米)，較佳係低於200 nm(奈米)，且最佳係低於50 nm(奈米)。
將根據本發明之探針裝置製造為微機電系統(MEMS,micro-electromechanical system)元件可以一方面降低製程的成本，且另一方面可最佳化探針裝置之外部尺寸。因為半導體程序具有很小的製造容差，所以可利用高精密度來預先決定該等個別探針或其個別頂端之距離。因此，使該處理探針帶進將由該分析探針所量測該樣本區域內的決定位置的控制耗費較低。因此，如同上面的解釋，從該分析階段轉變成該處理階段及從該處理階段轉變成該分析階段可快速執行。
在進一步有益態樣中，該至少一第一探針適於分析一樣本表面上的多餘(excessive)材料，且該至少一第二探針適於從該樣本之該表面移除過度的材料。
在進一步較佳態樣中，利用根據上述態樣之一者的一掃描探針顯微鏡之一探針裝置以分析及修改一樣本的一種之方法根據上述態樣之一者係包括下面步驟：(a)藉由使用藉由一移動元件來掃描在該樣本之該表面上的探針，以使用一第一探針掃描越過該樣本之該表面而利用該探針來分析該樣本；(b)以在該第一探針與該第二探針之間的該距離，使該 探針裝置和該樣本能與該移動元件彼此相對移動；及(c)根據在步驟(a)決定的資料，利用該第二探針來修改該樣本。在另一態樣中，藉由致動該移動元件及/或藉由移動該樣本臺，該探針裝置與該樣本彼此相對移動會發生。根據進一步態樣，在步驟(c)後會重複步驟(a)。
由於分析與處理該樣本之間的短暫切換階段且因此該特定處理工具可用在探針裝置，所以(如果需要的話)處理程序可中斷，以控制其程序且適宜調適進一步處理成目前的狀態。例如，如果在處理過程期間發現該樣本在其表面之下具有未知的合成物，此可能需要的。
在仍又進另一步態樣中，將該探針裝置與該樣本相對於彼此相對移動的該步驟包括：(a)關掉閉一操作探針之該控制構件；(b)使用該移動元件使來將該探針裝置從該樣本收收回；(c)以使該探針不操作與使該探針操作之間的該距離、及/或藉由移動該樣本臺，使該探針裝置和該樣本能與用該移動元件彼此相對移動；(d)啟動該待操作探針之一控制構件；及(e)利用該移動元件使該探針裝置返回該樣本。在額外的元件中，開啟該控制構件之步驟亦包括控制參數之設定。最後，在另一較佳態樣中，使該探針裝置與該樣本彼此相對移動之該步驟包括少於30s(秒)的週期，較佳係少於20s(秒)，且最佳係少於15s(秒)。
當上面或下面提及該探針裝置與該樣本彼此相對以兩探針間的距離移動時，此意味相對的移動量對應於兩探針之該 距離，且該移動係發生在一方向，使得在該移動執行後，操作之探針係精確地位於相對於該樣本的位置，其中不操作的另一探針在移動前已定位。
如前述，根據本發明的原理允許在分析操作模式與處理操作模式之間來回切換，不致脫離奈米範圍。以此方式可獲得的切換時間係明顯少於半分鐘；因此，允許在製造環境中，使根據本發明之探針裝置。
在下述中，更詳細解釋根據本發明之方法與根據本發明之設備的目前較佳具體實施例。
圖1示意顯示根據先前技術之掃描探針顯微鏡100的一些組件。掃描探針顯微鏡100以及根據本發明之探針裝置可在還境操作或真空室(未顯示在圖1中)下操作。樣本120係配置在樣本臺110上。藉由一或多個微操縱器或轉移臺(未顯示在圖1中)，樣本臺110可在一個方向(例如在z方向)、在兩方向(例如在x方向與y方向)、或在三方向中移動。
如在本領域的通常情況，探針150或測試針150包括頂端140與條狀物(以下稱為懸臂樑)。探針150之懸臂樑係安裝在壓力致動器170。壓力致動器170之較遠端係配置在固持裝置(未顯示在圖1中)。固持裝置包括微操縱器或轉移臺，微操縱器或轉移臺將探針150帶至待研究之樣本120的區域。或者(或此外)，樣本臺110可具有用於此目的之微操縱器 或轉移臺(未顯示在圖1中)。
探針150更包括感測器元件(未繪示在圖1中)，其可量測探針150之懸臂樑之偏斜。感測器元件之信號係與掃描探針顯微鏡100之控制單元180之輸入125相接觸。電腦系統190透過控制單元180來控制掃描探針顯微鏡100的操作。控制單元180可透過控制單元180之輸出135以輸出一個別的控制輸入至壓力致動器170。藉此，壓力致動器170可操作於閉控制迴路。控制單元180可透過輸出130以進一步輸出信號至壓力致動器170，使得探針之頂端掃描過樣本120，以判定該樣本表面為一維或二維外形。
在圖1所例示的設計中，壓力致動器170具有一管狀形式，且具有四個外電極與一個內電極。壓力致動器170能以各種形式取得。為了移動根據本發明之探針裝置，只要可以執行探針150之頂端140的必要移動，除了管狀形式之外的所有設計都可使用。特別係，壓力致動器170可包括多個區段，使得在x/y平面與垂直於此平面的移動可藉由個別的電子接點(未顯示在圖1中)控制。
圖2顯示一探針裝置之四個探針250，其中該等探針250包括之每一者係類似圖1的感測器元件。電源210透過開關215而供電至探針250之一感測器元件。藉由開關215，感測器元件之信號可提供給掃描探針顯微鏡100之控制單元180之輸入125。使用開關的位置，可從探針裝置之所有探針選出一特定探針，該特定探針之感測器元件係連接至電源210且 連接至控制單元180之輸入125。藉此，可對每個探針250設定閉回授或控制迴路，如同例如在圖1之個別探針150所述。
圖3示意顯示根據本發明之探針裝置310及其電性連接之頂視圖，其電連接係連接至圖1之掃描探針顯微鏡100的控制單元380。相較於圖2之範例，探針裝置310在圖3之範例包括並列配置的五個探針315、320、325、330與335。類似圖2，壓力致動器370係配置在探針裝置310上。壓力致動器370之相對端係固定在圖1之掃描探針顯微鏡100的固持裝置(未顯示在圖3中)。
圖3示意顯示用於壓力致動器370之移動的六個連接。為了清楚的緣故，用於z方向移動的兩連接並未顯示，該等兩連接係與壓力致動器370之內部金屬連接。利用這六個連接，掃描探針顯微鏡100的控制單元380可以控制壓力致動器370在探針裝置310之平面(x/y平面)與在垂直方向(z方向)中的移動。此外，如同在圖1的上述討論中所解釋，當施加電子信號至壓力致動器370之x連接及/或y連接時，控制單元380掃描平行於探針裝置310之平面的樣本120上的探針315、320、325、330與335，及/或另外在垂直z方向中移動該等探針。
此外，壓力致動器370可相對於圖1與2之樣本120表面執行探針裝置310的控制與重現的移動。
控制構件或移動元件317、322、327、332與337配置在探針315-335之懸臂樑的頂側。當從控制單元380施加個別的控制信號至控制構件317、322、327、332與337時，控制單元使控制構件317、322、327、332與337可以將個別的探針315-335之懸臂樑從中性位置帶至工作位置或操作位置。控制構件317-337可例如製成壓力致動器或製成具有電阻性加熱器的雙金屬元件。因為電能轉成熱能，所以電阻性加熱器會以給定之方式在預定方向中使探針315-335之懸臂樑偏斜。目前，較佳係將每個控制構件317-337實施為具有兩給定狀態的數位元件(這表示它是二元地實施)，亦即，具有給定的中性位置與給定的工作位置。此外，控制構件317-337包括在中性位置與工作位置之間切換的功能。不過，每個控制構件317-337亦可設計成具有多於兩給定狀態的元件，使得控制構件可以模擬個別的探針315-335之懸臂樑的振動，例如在其共振頻率。
如同已經在圖1與2之討論中所提及的，感測器元件318、323、328、333與338係配置在探針裝置310之探針315-335之懸臂樑。在圖3的範例中，感測器元件它們係配置在探針315-335之懸臂樑之較低側，且因此在圖3之頂視圖中無法看見。在圖3中，其位置係藉以由沒有端點的線條來表示。該等感測器元件318-338之每一者可偵測由壓力致動器370之彎曲所導致的個各別的懸臂樑之彎曲、由與懸臂樑相關的控制構件317-337所導致的懸臂樑之彎曲、以及由樣本與探針315-335之間的作用力所導致的懸臂樑之的進一步額外彎曲。因此，感測器元件318-338可偵測配置在懸臂樑之自由端 的頂端的之位置。例如，感測器元件318-338可實施為在惠斯登電橋電路(Wheatstone bridge circuit)中之壓阻元件。
在探針315-335之懸臂樑上的控制構件317-337與感測器元件318-338之配置可與圖3的配置交換。此外，控制構件317-337與感測器元件318-338兩者都可配置在探針315-335之懸臂樑之一側。
如同已在圖1與2之內文中解釋，使用個別的感測器元件318-338的量測資料，可針對個別的操作探針315-335設定閉控制迴路。因此，探針裝置310之個別探針315-335可操作在圖1之個別探針150的各種操作模式中。
在圖3的範例中，為了保持在根據本發明之探針裝置310中安裝的修改耗費較低，在探針裝置310與圖1之掃描探針顯微鏡100之控制單元380之間可使用選擇器開關375。因此，如果個別的探針100操作的，掃描探針顯微鏡100之控制單元380可與控制單元380維持不改變。藉由移動開關378，選擇器開關375互連探針裝置310之操作探針315-335與掃描探針顯微鏡100之控制單元380。在圖3所示的範例中，探針320位於工作位置，而所有其他探針315、325、330與335位於其中性位置。
電或機械性開關元件可當作選擇器開關375使用。相較於圖3的範例圖示，不必然透過選擇器開關375來導引控制構件317-337之電連接。而是，這些連接可以直接連接至控制 單元380。此允許減小選擇器開關375的尺寸，且明顯減低對於選擇器開關375的需求，特別是關於其電性長度。
除了掃描探針顯微鏡100之略微修改之外，圖3之具體實施例具有優點：電性信號只施加至探針裝置310之該等探針315-335之一者。因此可以排除並行操作之探針315-335之信號的失真或相互干擾。
不過，藉由直接連接探針315-335之電連接與掃描探針顯微鏡100之已修改控制單元，根據本發明之探針裝置310亦可在不使用選擇器開關375之下操作。因此，藉由掃描探針顯微鏡100之已修改控制單元，可並行操作或控制兩或所有探針315-335。
電腦系統390透過控制單元380來控制探針裝置310的操作。
圖4顯示圖3之探針裝置310的側視圖，使得可看見探針裝置310之探針315-335之頂端319、324、329、334與339。探針315與320之兩頂端319與324適於分析樣本120。這些頂端319之一者係朝向其較低端逐漸變尖細(亦即，隨著逐漸遠離懸臂樑而變尖細)，且具有一尖端。此可在掃描樣本120時確保高位置解析度。
頂端319包括與探針315之懸臂樑相同的材料。例如，矽或氮化矽可當作懸臂樑的材料使用。不過，探針裝置310 亦可由允許微機電系統(MEMS,micro-electromechanical system)之任何半導體材料或半導體材料之組合加以製造。或者，探針及其頂端亦可由金屬、金屬合金或鑽石製造。
此外，頂端319可具有塗層，以例如使其表面硬化，因此更耐用。此外，塗層允許調整頂端319與樣本120之互動。例如，如果掃描探針顯微鏡100係以掃描探針顯微鏡之形式構成，頂端之良好導電性是很重要，針對此種實例，塗層可設計成具高導電性。已發展用於個別探針315-335的頂端319之其他修改亦可用於探針裝置310的探針頂端319-339。
第二分析探針320包括一長針狀頂端324。該針狀頂端324可包括例如奈米碳管。藉由使用黏著劑，頂端324可附著至探針320之懸臂樑之自由端；或者，頂端324可藉由汽相沉積而沉積在懸臂樑之自由端。使用該第二分析探針320可以掃描具非常大的長寬比(亦即，結構之高度或深度與其最小橫向延伸的比率)的樣本120之表面區域。
不過，用於分析樣本120的頂端不限於圖4之頂端319與324。而是，該(等)分析頂端可調整至另外類型掃描探針顯微鏡100。除了穿隧電流(掃描探針顯微鏡)與范德華力(掃描力顯微鏡)之外，許多其他物理量可用於樣本的檢查。例如，磁力顯微鏡利用樣本與探針(特別是其頂端)之間的磁互動。聲學掃描顯微鏡使用聲子，且光學掃描近域顯微鏡使用光子作為檢查樣本。此各種掃描探針顯微鏡類型的列表只是範例，不能說是完全無遺漏。不過，所有這些掃描探針 顯微鏡類型共同具有：其分析探針與其修改探針最佳化用於各別類型的互動。此外，該等分析探針可最佳化設計用於上述掃描探針顯微鏡類型之每一者。
此外，用於分析樣本120之探針可額外調適個別的樣本或適應特定的工藝參數。除了樣本之上述長寬比之外，此可為所要求的空間解析度，其中樣本之形貌應偵測。此外，分析探針315、325之頂端之最佳化可取決於掃描探針顯微鏡100是否操作在環境狀況、在液體中、或在真空中。
此外，探針裝置310之探針325、330與335亦包括數個頂端329、334與339，其設計係用於在樣本120上執行處理功能。如隨後在圖6的內文中敘述，該等處理頂端或修改頂端329、334與339設計來移除樣本120或樣本表面上(例如在光罩上)的多餘材料。為了此目的，頂端329、334與339具有不同的形狀。在圖6的範例中，該等處理頂端係直接接觸樣本120之材料，因此其表面應比樣本120之表面硬，以確保該等修改頂端329、334與339之足夠壽命。此目的可藉由使用硬材料(例如氮化矽)之頂端、及/或藉由使用具有各別的塗層的頂端來達成。
頂端329、334與339具有不同的形狀，以允許處理速度(一方面)與空間解析度(另一方面)之間的不同折衷。此外，重要的是：頂端329、334與339與樣本120之接觸不可損壞在待處理區域外部的樣本表面。
第一修改探針325之頂端329具有相對較大的曲率半徑，使得樣本120之大區域能與此頂端相接觸。因此，頂端329允許在大區域上快速移除材料。另一修改探針335之頂端339適於在較小區域與樣本120相接觸。此外，因為其長度，探針335之頂端339適於施用在具有大長寬比的樣本120位置。又另一修改探針330之頂端334則為這兩極端之間的折衷。
類似於針該等分析探針315與320所討論，該等修改探針325、330與335或其頂端329、334與339可最佳化用於待執行的特定功能。
針對圖1中所顯示的探針裝置310，該等分析探針315與320與修改探針325、330與335都設計用於單一功能。不過，根據本發明之探針裝置不限於執行單一功能。而是，根據本發明之探針裝置可包括最佳化用於數個功能之執行的探針。
此外，在圖3與4的範例中，探針裝置310只附帶五個探針。根據本發明之探針裝置之探針或測試針的最小數量為二：一探針用於分析樣本120，另一探針用於修改或處理樣本120。探針數量的上限係由能以MEMS製造之探針數量所給定。
圖5顯示圖3與4之探針裝置310，其中，藉由施加控制信號，控制單元380已將一探針320從中性位置移動至工作 位置中，且維持此探針在工作位置中。在工作位置中，探針320相對於中性位置被降低500 nm。在工作位置中，探針320之頂端324係與樣本表面相距0 nm-50 nm。因此，位於中性位置中之探針315、325、330與335之頂端319、329、334與339係與樣本表面相距約500 nm-550 nm。此可確保，如果該分析頂端324係由壓力致動器370動態操作，且如果懸臂樑具有軟彈性係數，則其他頂端319、329、334與339不會到達樣本表面。
圖6例示根據本發明之探針裝置310用於移除光罩缺陷之方法。在此範例中，樣本為一透明光罩620，該透明光罩在其前側具有包括一吸收器材料630之結構。相鄰於左邊的吸收器結構630，光罩620具有包括多餘材料的缺陷670。由於錯誤地沉積的材料，所以在中間與右邊的吸收器結構630之間，光罩620呈現另一缺陷680。
如在圖6a的上部分影像中所顯示的示意圖，該方法係從藉由使用圖1之掃描探針顯微鏡100來掃描光罩表面來分析光罩620開始，在掃描探針顯微鏡100中整合了圖3之探針裝置310。在第一步驟中，光罩620係使用分析探針315掃描。在電腦系統390對該掃描資料評估揭露出缺陷係與吸收器結構直接接觸之後，利用第二分析探針320再次掃描該缺陷，其中第二分析探針320適於具高長寬比的結構之分析(未示於圖6a中)。
圖6a之第二部分影像係例示利用探針325與個別的頂端 329來移除缺陷680。可快速移除缺陷之材料的粗糙頂端329可使用，因為缺陷680之分析已揭露出該缺陷係不與吸收器元件直接接觸。另一方面，為了移除相鄰於吸收器元件的缺陷672，首先使用具有頂端334的探針330。探針330之選擇可提供該移除速率及該處理與該空間解析度之間的折衷。
從圖6a之上部分影像之分析模式轉變至中間部分影像之修改模式或處理模式包括了從分析探針315或320改變至修改探針325、330或335之一者。此一改變現在可藉由從該分析探針315轉變至該處理探針335之轉變來示範性解釋。程序係從關閉該探針315的控制構件317開始。因此，探針315從工作位置移動至中性位置。在下一步驟中，探針裝置310藉由在壓力致動器370之協助下而從光罩620收回。如此，光罩620之表面與頂端319、,324、329、334與339之間的距離會增加，因此能以交換探針315與325之間的距離進行探針裝置310的後續移動，而探針315-335之頂端319-329與光罩620之間不會有任何接觸。在掃描探針顯微鏡100之替代實施中，藉由移動樣本臺110，配置在樣本臺110上的微操縱器或轉移臺可執行此步驟。這兩步驟之每一者能在一秒內執行。
之後，壓力致動器370係以分析探針315與修改探針325之間的距離來移動探針裝置310。在替代的具體實施例中，附接於樣本臺110之微操縱器或轉移臺係以分析探針315與修改探針325之間的距離來移動樣本臺110。樣本臺110之橫向移動可例如由一或多個伺服電動機裝置執行。此也藉由樣本 臺110與探針裝置310之同時移動，以探針315與325之間的距離實現探針裝置310與樣本120、620相對彼此的移動。此移動程序能在數秒後完成。
之後，探針325之控制構件327會啟動。此步驟會在幾分之一秒鐘內發生。
整個探針互換之選擇部分係為探針325之控制參數的設定或最佳化。尤其，此步驟必須於首次施用光罩620的探針325、或者針對先前之分析程序偵測到缺陷682脫離預期的形狀的情況執行。關於探針325之控制參數之設定，估計會是數秒鐘的時間。
關於探針互換程序之最後步驟，壓力致動器370再次返回靠近光罩620的探針裝置310。在替代的具體實施例中，此步驟可由樣本臺110之微操縱器執行。此最後步驟的歷時會再次為數秒鐘。
下表摘錄探針互換序列。
在處理時間(其取決於缺陷之形狀、大小與材料、以及所施加之修改探針325、330或335)之後，缺陷670與680之處理會中斷，且其餘之缺陷672與682係利用分析探針315(用於缺陷672)與320(用於缺陷682)的協助再次分析。此方法步驟係示意顯示在圖6a之下部分影像中。
根據剩餘之缺陷672與682之量測所得的資料與電腦系統390對量測資料所執行的分析，繼續該等剩餘之缺陷672與682之處理。圖6b之上部分影像係示意顯示剩餘缺陷674之移除(藉由具有頂端339之探針335)與剩餘缺陷684之移除(藉由具有頂端334之探針330)。因為缺陷674之特殊位置，探針335用於其處理，其中，其頂端339係設計用於具有大長寬比之環境的應用。
剩餘缺陷684係使用探針330與頂端334來移除，其為缺陷684之多餘材料快速移除(一方面)與光罩620之透明表面緩和處理(另一方面)之間的折衷辦法。
在處理時間結束之後(其已由第二分析步驟之資料所決定)，光罩620之表面係藉由探針裝置310之分析探針315與320來重新調查，以確保缺陷674與684已完全移除。如果分析資料揭露出光罩620上仍有缺陷674與684之殘餘，這些殘餘將藉由處理探針325、330或335之一者在另一處理步驟 中移除。進一步處理步驟可藉由後續分析步驟重新成功控制。
圖6a與6b的範例之不同缺陷670與680之完全移除的成功係主要基於已調適之分析與處理工具的可用性。不過，基本上重要的是在分析模式與處理模式之間快速切換，而不會脫離奈米範圍，因為其係由根據本發明之探針裝置310所促成。
藉由參照圖6a與6b，本發明已經藉由修理光罩的範例被解釋。本發明當然亦可用於其他應用，其中特定粒子將從表面移除，或者特定粒子為至少可被移至能夠容易在樣本表面上移動的程度。
在不脫離本發明精神或必要特性的情況下，可以其他特定形式來體現本發明。應將所述具體實施例各方面僅視為解說性而非限制性。因此，本發明的範疇如隨附申請專利範圍所示而非如前述說明所示。所有落在申請專利範圍之等效意義及範圍內的變更應視為落在申請專利範圍的範疇內。
100‧‧‧掃描探針顯微鏡
110‧‧‧樣本臺
120‧‧‧樣本
125‧‧‧輸入
130‧‧‧輸出
135‧‧‧輸出
140‧‧‧頂端
150‧‧‧探針或測試針
170‧‧‧壓力致動器
180‧‧‧控制單元
210‧‧‧電源
215‧‧‧開關
250‧‧‧探針
310‧‧‧探針裝置
315,320,325,330,335‧‧‧探針
317,322,327,332,337‧‧‧控制構件或移動元件
318,323,328,333,338‧‧‧感測器元件
319,324,329,334,339‧‧‧頂端
370‧‧‧壓力致動器
375‧‧‧選擇器開關
378‧‧‧開關
380‧‧‧控制單元
390‧‧‧電腦系統
620‧‧‧光罩
630‧‧‧吸收器材料(吸收器結構)
670,672,674,680,682,684‧‧‧缺陷
在上面的詳細敘述中，本發明之目前較佳具體實施例係參照圖式來敘述，其中圖1顯示先前技術之掃描探針顯微鏡的一些重要組件的示意圖；圖2顯示具有探針裝置之圖1的掃描探針顯微鏡的示意圖； 圖3示意地顯示包括選擇器開關與控制單元之探針裝置的頂視圖；圖4示意例示探針裝置之放大圖，其具有最佳化用於各種功能的頂端；圖5顯示圖4之探針裝置，其具有已從中性位置降低至工作位置的一探針；圖6a示意顯示光罩之缺陷之一序列修改程序的第一部分；及圖6b示意顯示圖6b之修改程序之序列的第二部分。
310‧‧‧探針裝置
315,320,325,330,335‧‧‧探針
319,324,329,334,339‧‧‧頂端

Claims (14)

  1. 一種用於一掃描探針顯微鏡(100)之探針裝置(310)，其包括：a.至少一第一探針(315、320)，其用於分析一樣本(120、620)；b.至少一第二探針(325、330、335)，其用於修改該樣本(120、620)；及c.有關該探針裝置(310)的至少一移動元件(370)，用於掃描位於該樣本(120、620)之一表面上的工作位置中的該至少一第一探針(315、320)，使得該至少一第一探針(315、320)與該樣本(120、620)互動，而該至少一第二探針(325、330、335)係位於一中性位置，而不致與該樣本(120、620)互動；及該移動元件用於使該至少一第二探針(325、330、335)帶至一位置，而使得使用該至少一第一探針(315、320)分析的該樣本(120、620)之一區域可使用該至少一第二探針(325、330、335)來修改。
  2. 如申請專利範圍第1項之探針裝置(310)，其中該移動元件(370)包括一壓力致動器，特別係一管狀壓力致動器。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之探針裝置(310)，其中該移動元件(370)中對於每一探針(315、320、325、330、335)更包括一控制構件(317、322、327、332、337)，，用於使該個別的探針(315、320、325、330、335)從該中性位置帶至一工作位置，反之亦然。
  4. 如申請專利範圍第3項之探針裝置(310)，其中該控制構件(317、322、327、332、337)係用於修改一樣本表面與該至少一第一探針(315、320)、及/或該至少一第二探針(325、330、335)之間的距離為至少100nm(奈米)，較佳係至少500nm(奈米)，且最佳係至少1000nm(奈米)，其中該距離係符合該中性位置與該工作位置之間的距離。
  5. 如申請專利範圍第3項之探針裝置(310)，其中該控制構件(317、322、327、332、337)包括一壓電元件及/或具加熱器之一雙金屬元件。
  6. 根據先前申請專利範圍第1或2項之探針裝置(310)，其中該至少一第一探針(315、320)與該至少一第二探針(325、330、335)配置成彼此相距1000μm(微米)至50μm(微米)，較佳係500μm(微米)至100μm(微米)，且最佳係250μm(微米)至200μm(微米)。
  7. 如申請專利範圍第5項之探針裝置(310)，其中該探針裝置(310)實施為一微機電系統，其中該至少一第一探針(315、320)與該至少一第二探針(325、330、335)之間的該距離的精密度係給定且已知為低於1μm(微米)，較佳係低於200nm(奈米)，且最佳係低於50nm(奈米)。
  8. 如先前申請專利範圍第1或2項之探針裝置(310)，其中該至少一第一探針(315、320)係用於分析在一樣本(120、620)之一表面上的多餘材料(670、680)，且該至少一第二探針(325、 330、335)係用於從該樣本(120、620)之該表面移除該多餘材料(670、680)。
  9. 一種利用一掃描探針顯微鏡(100)之一探針裝置(310)來分析及修改一樣本(120、620)之方法，特別是利用如申請專利範圍第1至8項中任一項的掃描探針顯微鏡(100)，該方法包括下面步驟：a.藉由一移動元件(370)掃描在該樣本(120、620)之該表面上的該探針(315、320)，以使一第一探針(315、320)來分析該樣本(120、620)；b.使用該移動元件(370)，以該第一探針(315、320)與一第二探針(325、330、335)之間的該距離，為該探針裝置(310)與該樣本(120、620)彼此相對移動；及c.根據在步驟a決定的資料，利用該第二探針(325、330、335)來修改該樣本(120、620)。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中藉由致動該移動元件(370)及/或藉由移動一樣本臺(110)執行使該探針裝置(310)與該樣本(120、620)彼此相對移動。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之方法，其中在步驟c之後，重複該步驟a。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之方法，其中使該探針裝置(310)與該樣本(120、620)彼此相對移動之該步驟包括：a.關閉一操作探針(320)之一控制構件(322)； b.使用該移動元件(370)從該樣本(120、620)收回該探針裝置(310)；c.使用該移動元件(370)及/或藉由移動該樣本臺(110)，以該探針(320)不操作與該等探針(315,325,330,335)之一者操作之間的該距離，作為該探針裝置(310)與該樣本(120、620)彼此相對移動；d.啟動待操作之該探針(315、325、330、335)之一控制構件(317、327、332、337)；及e.使用該移動元件(370)使該探針裝置(310)返回至該樣本(120、620)。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中啟動該控制構件(317、327、332、337)之步驟更包括控制參數之設定。
  14. 如申請專利範圍第9或10項之方法，其中使該探針裝置(310)與該樣本(120、620)彼此相對移動之該步驟可在少於30秒的週期內執行，較佳係少於20秒，且最佳係少於15秒。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014144018A2 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Bruker Nano, Inc. Dual-probe scanning probe microscope
US20160027846A1 (en) * 2013-04-05 2016-01-28 President And Fellow Of Harvard College Three-dimensional networks comprising nanoelectronics
TWI471525B (zh) * 2013-08-01 2015-02-01 Force Prec Instr Co Ltd 微觀幾何形貌量測系統
RU2563339C1 (ru) * 2014-05-20 2015-09-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет" Атомно-силовой сканирующий зондовый микроскоп, использующий квазичастицы
WO2016115489A1 (en) * 2015-01-16 2016-07-21 Clemson University Research Foundation Tissues containing semiconductor nanomaterials and methods of preparing and using the same
DE102016205941B4 (de) 2016-04-08 2020-11-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Analysieren eines Defekts einer fotolithographischen Maske oder eines Wafers
DE102016223659B4 (de) * 2016-11-29 2021-09-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtungen zum Verlängern einer Zeitspanne bis zum Wechseln einer Messspitze eines Rastersondenmikroskops
RU2645437C1 (ru) * 2016-12-14 2018-02-21 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Сканирующий зондовый нанотомограф с модулем оптического анализа
US10649003B2 (en) * 2017-06-02 2020-05-12 Board Of Regents, The University Of Texas System Coupled multiscale positioning of arrays of parallel, independently actuated and simultaneously driven modular scanning probe microscopes for high-throughput, in-line, nanoscale measurement of flexible, large area, and roll-to-roll processes
CN118192160A (zh) * 2017-07-21 2024-06-14 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于处理光刻掩模的多余材料的方法与设备
JP7310717B2 (ja) * 2020-05-27 2023-07-19 株式会社島津製作所 表面分析装置
CN112379130A (zh) * 2020-11-16 2021-02-19 中国科学技术大学 能够在原位自动切换探针的低温多参量扫描探针显微镜

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5336887A (en) * 1991-11-15 1994-08-09 Olympus Optical Co., Ltd. Scanning probe microscope
US6028305A (en) * 1998-03-25 2000-02-22 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Jr. University Dual cantilever scanning probe microscope
US20070062264A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Xuefeng Wang Multifunctional probe array system
TW200811880A (en) * 2006-08-22 2008-03-01 Li Chia Yi Measurement of the cantilever for scanning probe microscopy
TWI301281B (en) * 2005-12-22 2008-09-21 Ind Tech Res Inst Scanning microscope and probe module thereof
US7597717B1 (en) * 2007-06-25 2009-10-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Rotatable multi-cantilever scanning probe microscopy head

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0614887A (ja) 1992-07-03 1994-01-25 Nippon Iryo Joho Center:Kk 医療データ管理システム
JP3251665B2 (ja) 1992-11-12 2002-01-28 大日本印刷株式会社 位相シフト層を有するフォトマスクの修正方法
US6337479B1 (en) 1994-07-28 2002-01-08 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
US6353219B1 (en) * 1994-07-28 2002-03-05 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
DE10115690A1 (de) 2001-03-29 2002-10-10 Eidgenoess Tech Hochschule Quasi-Paralleles Rasterkraftmikroskop
US7691541B2 (en) * 2002-10-21 2010-04-06 Nanoink, Inc. Methods for additive repair of phase shift masks by selectively depositing nanometer-scale engineered structures on defective phase shifters
JP5009550B2 (ja) 2006-04-28 2012-08-22 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 加工観察方法及び加工観察装置
DE102007023435A1 (de) 2007-05-16 2008-11-20 Jpk Instruments Ag Verfahren zum rastersondenmikroskopischen Untersuchen einer Messprobe, Messsystem und Messsondensystem
JP2009003321A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Sii Nanotechnology Inc フォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法
US8287653B2 (en) 2007-09-17 2012-10-16 Rave, Llc Debris removal in high aspect structures

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5336887A (en) * 1991-11-15 1994-08-09 Olympus Optical Co., Ltd. Scanning probe microscope
US6028305A (en) * 1998-03-25 2000-02-22 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Jr. University Dual cantilever scanning probe microscope
US20070062264A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Xuefeng Wang Multifunctional probe array system
TWI301281B (en) * 2005-12-22 2008-09-21 Ind Tech Res Inst Scanning microscope and probe module thereof
TW200811880A (en) * 2006-08-22 2008-03-01 Li Chia Yi Measurement of the cantilever for scanning probe microscopy
US7597717B1 (en) * 2007-06-25 2009-10-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Rotatable multi-cantilever scanning probe microscopy head

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