JP2009003321A - フォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】欠陥部分の根元側周辺の画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得して、欠陥部分とマスクパターンとを明確に区別した状態で認識することができると共に、該欠陥部分を切削除去加工により高精度に除去すること。
【解決手段】プローブの変位が一定となるように探針と基板表面2aとの距離を制御しながら複数のラインを1ライン毎に順々に走査して欠陥部分5の形状をAFM観察により認識する観察工程と、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で複数のラインを1ライン毎に順々に走査して欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、を備え、観察工程の際、1ライン毎の走査方向をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(C方向)に設定すると共に、マスクパターン側から欠陥部分の先端側に向かう方向(D方向)に複数のラインを順々に走査するフォトマスク欠陥修正方法を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】プローブの変位が一定となるように探針と基板表面2aとの距離を制御しながら複数のラインを1ライン毎に順々に走査して欠陥部分5の形状をAFM観察により認識する観察工程と、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で複数のラインを1ライン毎に順々に走査して欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、を備え、観察工程の際、1ライン毎の走査方向をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(C方向)に設定すると共に、マスクパターン側から欠陥部分の先端側に向かう方向(D方向)に複数のラインを順々に走査するフォトマスク欠陥修正方法を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体を製造する際に用いられるフォトマスクの欠陥部分を切削除去加工して、正常なフォトマスクに修正するフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法に関するものである。
半導体を製造する際に使用されるフォトマスクは、パターンの原版となるものであるので、マスク基板上にマスクパターンを描画した後、欠陥部分の有無を必ず検査すると共に必要に応じて欠陥部分の修正を適宜行っている。
このフォトマスクは、予め設計された描画データに基づいて描画装置によりマスク基板上に描かれている。これにより、マスク基板上にマスクパターンが描画されたフォトマスクが作製されている。また、フォトマスクを作製した後、欠陥検査装置により、フォトマスクの欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が存在する場合にはウエハへ転写する前にフォトマスク欠陥修正装置により欠陥修正処理が行われている。
このフォトマスクは、予め設計された描画データに基づいて描画装置によりマスク基板上に描かれている。これにより、マスク基板上にマスクパターンが描画されたフォトマスクが作製されている。また、フォトマスクを作製した後、欠陥検査装置により、フォトマスクの欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が存在する場合にはウエハへ転写する前にフォトマスク欠陥修正装置により欠陥修正処理が行われている。
マスクパターンの欠陥としては、例えば、所望するパターンから余分に突出して突起となってしまったもの(Protrusion)や、所望するパターンに欠け等の凹部が生じてしまったもの(Intrusion)等がある。このような欠陥部分は、欠陥検査装置によって位置が特定された後、フォトマスク欠陥修正装置によって詳細に欠陥部の形状等が認識されると共に、突起となってしまったものに関しては除去加工が、パターン欠けに関しては凹部に遮光膜が膜付けされて修正されている。
この際の修正方法としては、様々な方法が知られているが、その1つとして原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)を利用して欠陥部分を修正する方法が知られている(非特許文献1参照)。
この方法は、先端に探針が設けられたプローブによりマスク基板上の所定範囲をAFM観察して、マスクパターンの欠陥部分を詳細に特定した後、該欠陥部分を同じプローブを利用して切削除去加工することで修正を行う方法である。特に、欠陥部分が所望するパターンから余分に突出して突起状となっている場合に有効な方法である。
この方法は、先端に探針が設けられたプローブによりマスク基板上の所定範囲をAFM観察して、マスクパターンの欠陥部分を詳細に特定した後、該欠陥部分を同じプローブを利用して切削除去加工することで修正を行う方法である。特に、欠陥部分が所望するパターンから余分に突出して突起状となっている場合に有効な方法である。
この方法について、図12を参照して具体的に説明する。なお図12は、マスク基板30上に描かれたマスクパターン31を上方から見た図であり、マスクパターン31に突起状の欠陥部分32がある場合を図示している。
始めに、欠陥検査装置によって、予めマスクパターン31に欠陥部分32が存在していることが確認されていると共に、該欠陥部分32の位置が特定されている。そして、フォトマスク欠陥修正装置により修正を行う前に、この位置データに基づいて予め欠陥部分32の周辺を観察範囲Eとして指定しておく。
始めに、欠陥検査装置によって、予めマスクパターン31に欠陥部分32が存在していることが確認されていると共に、該欠陥部分32の位置が特定されている。そして、フォトマスク欠陥修正装置により修正を行う前に、この位置データに基づいて予め欠陥部分32の周辺を観察範囲Eとして指定しておく。
観察範囲Eが指定されると、フォトマスク欠陥修正装置は、この観察範囲E内でプローブを走査させる。具体的には、プローブの撓みが一定となるように、探針とマスク基板30との距離を高さ制御しながら走査を行う。この際、マスクパターン31に平行な方向(矢印A1方向)に走査を行うと共に、該走査を欠陥部分32の先端側から根元側(マスクパターン31側)に向かって(矢印A2方向に向かって)複数回繰り返し行っている。これにより、観察範囲E内においてマスク基板30の表面観察を行うことができ、マスクパターン31の一部及び欠陥部分32の画像を取得して、該画像から画像処理等により欠陥のない直線パターンの輪郭線を抽出し、抽出した輪郭線から欠陥部分32の輪郭線を推定し、推定した輪郭線の外側の余剰部分を欠陥と認識することができる。
次いで、上記方法で欠陥部分32を認識した後、プローブを所定の力で欠陥部分32に押し付けながら走査を行わせる。これにより、被加工材料(欠陥部分)よりも硬い探針を利用して、認識した欠陥部分32を機械的な加工で切削することができる。そして、この走査をやはり複数回繰り返し行うことで、欠陥部分32の全体を切削除去加工して、除去することができる。
具体的には、プローブをマスクパターン31に平行な方向(矢印A1方向)に走査してライン状に欠陥部分32を切削すると共に、該走査を欠陥部分32の先端側から根元側に向かって(矢印A2方向に向かって)複数回繰り返し行うことで、欠陥部分32の全体を切削除去加工している。
具体的には、プローブをマスクパターン31に平行な方向(矢印A1方向)に走査してライン状に欠陥部分32を切削すると共に、該走査を欠陥部分32の先端側から根元側に向かって(矢印A2方向に向かって)複数回繰り返し行うことで、欠陥部分32の全体を切削除去加工している。
上述した方向(矢印A2方向)に切削を行うのは、できるだけ切削抵抗を小さくするためである。仮に、根元側から先端側に向かって(矢印A2方向とは反対の方向に向かって)切削除去加工を行った場合には、切削抵抗が大きいためうまく削り取れない恐れがあった。特に、フォトマスクは、上述したようにパターンの原版となるものであるので、欠陥部分32を切削除去加工するにあたって高精度な加工が求められる。そのため、上述した方向で切削除去加工を行っている。これらの結果、突起状の欠陥部分32を除去することができ、正しいマスクパターン31に修正することができる。
Y.Morikawa、H.Kokubo、M.Nishiguchi、N.Hayashi、RWhite、R.Bozak、L.Trrill著「Defect repair performance using the nanomachining repair technique」、2003年、Proc.of SPIE5130、P520−P527
Y.Morikawa、H.Kokubo、M.Nishiguchi、N.Hayashi、RWhite、R.Bozak、L.Trrill著「Defect repair performance using the nanomachining repair technique」、2003年、Proc.of SPIE5130、P520−P527
しかしながら、上述した従来の方法では、以下の問題点がまだ残されていた。
始めに、プローブの先端に設けられている探針は、欠陥部分32を切削除去加工するために、硬い材質(ダイヤモンド等)が採用されている。そのため、AFM観察する際に、図13に示すように探針33によって欠陥部分32の一部が抉られてしまう場合があった。特に、探針33が欠陥部分32を駆け上がる箇所で発生し易かった。しかも、この抉り取られた部分は、探針33にそのまま付着してしまい、これ以降単なる異物Xとなってしまうものであった。
始めに、プローブの先端に設けられている探針は、欠陥部分32を切削除去加工するために、硬い材質(ダイヤモンド等)が採用されている。そのため、AFM観察する際に、図13に示すように探針33によって欠陥部分32の一部が抉られてしまう場合があった。特に、探針33が欠陥部分32を駆け上がる箇所で発生し易かった。しかも、この抉り取られた部分は、探針33にそのまま付着してしまい、これ以降単なる異物Xとなってしまうものであった。
このように観察を行っている最中に一旦異物Xが探針付近に付着してしまうと、該異物Xが付着したままの探針33で観察を行わざるを得ないので、探針先端と異物Xとの両方から原子間力を検出してしまい両者の原子間力をコンボリューションした二重像になり(以下ダブルチップイメージと呼ぶ)、正確な画像を取得することができなかった。しかも、先程付着した異物Xによって欠陥部分32が再び抉られる可能性があり、図14に示すように別の異物Xが新たに付着する恐れもあった。
このように、探針33に付着した異物Xの影響によって、正常な画像が得られない場合があった。特に、1回目の観察はそれほどの影響はないが、複数回観察してから加工する場合には、ダブルチップイメージになり易かった。
このように、探針33に付着した異物Xの影響によって、正常な画像が得られない場合があった。特に、1回目の観察はそれほどの影響はないが、複数回観察してから加工する場合には、ダブルチップイメージになり易かった。
ここで、従来の方法では、観察時に走査を繰り返す方向が、欠陥部分32の先端側からマスクパターン31側である根元側に向かって(矢印A2方向に向かって)行うので、図15に示すように、欠陥部分32の根元側周辺の画像がダブルチップイメージとなってしまうものであった。そのため、欠陥部分32の根元側付近における外形形状や、マスクパターン31のエッジ形状を正確に認識することができない場合があった。具体的には、エッジ部がぼやけて不明確になったり、二重になったりして、明確な画像を得ることができなかった。
特に、マスクパターン31のエッジ形状を正確に認識できないので、マスクパターン31と欠陥部分32とを明確に区別することが難しかった。そのため、欠陥部分32だけを高精度に切削除去加工により除去することができないだけでなく、マスクパターン31を削ってしまう恐れがあった。逆に、マスクパターン31と欠陥部分32とを明確に区別できないために、欠陥部分32を大きく削り残してしまった場合には、追加工が必要となってしまい、作業効率を低下させていた。
特に、マスクパターン31のエッジ形状を正確に認識できないので、マスクパターン31と欠陥部分32とを明確に区別することが難しかった。そのため、欠陥部分32だけを高精度に切削除去加工により除去することができないだけでなく、マスクパターン31を削ってしまう恐れがあった。逆に、マスクパターン31と欠陥部分32とを明確に区別できないために、欠陥部分32を大きく削り残してしまった場合には、追加工が必要となってしまい、作業効率を低下させていた。
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、欠陥部分の根元側周辺の画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得して、欠陥部分とマスクパターンとを明確に区別した状態で認識することができると共に、該欠陥部分を切削除去加工により高精度に除去することができるフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法を提供することである。
上記の目的を達成するために、この発明は以下の手段を提供している。
本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクをAFM観察して、マスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分を切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正装置であって、前記フォトマスクを固定するステージと、前記基板に対向配置された探針を先端に有するプローブと、前記基板と前記探針とを、前記基板表面に平行な方向及び基板表面に垂直な方向に相対的に移動させる移動手段と、前記プローブの変位を測定する変位測定手段と、該変位測定手段による測定結果に基づいて、前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識すると共に、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工させる制御手段と、を備え、該制御手段が、前記観察時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御し、前記切削除去加工時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御することを特徴とするものである。
本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクをAFM観察して、マスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分を切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正装置であって、前記フォトマスクを固定するステージと、前記基板に対向配置された探針を先端に有するプローブと、前記基板と前記探針とを、前記基板表面に平行な方向及び基板表面に垂直な方向に相対的に移動させる移動手段と、前記プローブの変位を測定する変位測定手段と、該変位測定手段による測定結果に基づいて、前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識すると共に、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工させる制御手段と、を備え、該制御手段が、前記観察時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御し、前記切削除去加工時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御することを特徴とするものである。
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクを、先端に探針を有するプローブによりAFM観察してマスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分をプローブにより切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正方法であって、前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識する観察工程と、該観察工程後、認識した前記欠陥部分に前記探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、を備え、前記観察工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に行うと共に、マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に前記複数のラインを順々に走査し、前記加工工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に行うと共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査することを特徴とするものである。
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、まず基板上に予め所定のパターンからなるマスクパターンが描画されたフォトマスクを、ステージ上に固定する。フォトマスクを固定した後、他の手段によって位置が特定されたマスクパターンの突起状の欠陥部分の周辺を観察範囲として指定する。
観察範囲が指定されると、制御手段はこの観察範囲内でプローブを走査させてAFM観察により画像を取得し、欠陥部分の形状を詳細に認識する観察工程を行う。具体的には、プローブの変位が一定となるように、探針と基板表面との距離を制御しながら複数のラインを1ライン毎に順々に走査して観察画像を取得する。これにより、指定した観察範囲内において基板の表面観察を行うことができ、マスクパターンの一部及び欠陥部分の外形形状を認識することができる。
観察範囲が指定されると、制御手段はこの観察範囲内でプローブを走査させてAFM観察により画像を取得し、欠陥部分の形状を詳細に認識する観察工程を行う。具体的には、プローブの変位が一定となるように、探針と基板表面との距離を制御しながら複数のラインを1ライン毎に順々に走査して観察画像を取得する。これにより、指定した観察範囲内において基板の表面観察を行うことができ、マスクパターンの一部及び欠陥部分の外形形状を認識することができる。
特に、1ライン毎の走査を繰り返し行って複数のラインを順々に走査する際に、その繰り返し方向(即ち隣のラインに探針を移行する方向)が、欠陥部分の根元側であるマスクパターン側から欠陥部分の先端側に向かうように制御している。つまり、欠陥部分の先端側を先に観察するのではなく、先に根元側から観察を行っている。従って、異物等が付着していない清浄な探針を利用して、欠陥部分の根元側周辺を先に観察できるので、欠陥部分の根元側付近の外形形状やマスクパターンのエッジ形状の画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得することができる。これにより、欠陥部分とマスクパターンとを明確に区別した状態で認識することができる。
なお、欠陥部分の根元側を観察した後、徐々に欠陥部分の先端側に向かって走査が繰り返されるが、その途中で、探針によって抉り取られてしまった欠陥部分の一部が探針に付着する恐れがある。この場合には、欠陥部分の先端側の画像がダブルチップイメージとなり、先端側の外形形状を明確に認識することができない。しかしながら、上述したように観察を欠陥部分の根元側から先に行うので、根元側周辺に関しては正確な画像を取得することができる。
しかも、1ライン毎の走査に関しては、探針をマスクパターンのエッジに対して平行な方向に走査させる。そのため、マスクパターンのエッジに沿って探針を走査させることができるので、エッジの画像を高精度に取得することができる。その結果、マスクパターンのエッジを明瞭に認識することができる。
次いで、制御手段は、観察工程によって詳細に形状を認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で、隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して欠陥部分を切削除去加工する加工工程を行う。具体的には、上述した観察工程の場合と異なり、複数のラインを順々に走査する際の繰り返し方向(即ち隣のラインに探針を移行する方向)が、欠陥部分の先端側から欠陥部分の根元側であるマスクパターンに向かうよう制御しながら加工を行う。このように、欠陥部分の先端側から切削除去加工を行うので、小さい切削抵抗で加工することができ、効率良く短時間で切削を行うことができる。
上述したように、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法によれば、観察工程によって、欠陥部分の根元側の外形形状やマスクパターンのエッジの画像が従来のものとは異なり正確に取得されており、欠陥部分とマスクパターンとが明確に区別されている。そのため、マスクパターンを削ってしまうといった不具合を防止しつつ、欠陥部分だけを高精度に切削除去加工して除去することができる。
その結果、マスクパターンの修正を高精度に行うことができる。また、転写の原版として高品質なフォトマスクを得ることができる。
その結果、マスクパターンの修正を高精度に行うことができる。また、転写の原版として高品質なフォトマスクを得ることができる。
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置は、基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクをAFM観察して、マスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分を切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正装置であって、前記フォトマスクを固定するステージと、前記基板に対向配置された探針を先端に有するプローブと、前記基板と前記探針とを、前記基板表面に平行な方向及び基板表面に垂直な方向に相対的に移動させる移動手段と、前記プローブの変位を測定する変位測定手段と、該変位測定手段による測定結果に基づいて、前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識すると共に、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工させる制御手段と、を備え、該制御手段が、前記観察時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に設定すると共に、マスクパターンのエッジに対して平行な方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御し、前記切削除去加工時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御することを特徴とするものである。
また、本発明に係るフォトマスク欠陥修正方法は、基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスクを、先端に探針を有するプローブによりAFM観察してマスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分をプローブにより切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正方法であって、前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識する観察工程と、該観察工程後、認識した前記欠陥部分に前記探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、を備え、前記観察工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に行うと共に、マスクパターンのエッジに対して平行な方向に前記複数のラインを順々に走査し、前記加工工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に行うと共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査することを特徴とするものである。
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法においては、まず基板上に予め所定のパターンからなるマスクパターンが描画されたフォトマスクを、ステージ上に固定する。フォトマスクを固定した後、他の手段によって位置が特定されたマスクパターンの突起状の欠陥部分の周辺を観察範囲として指定する。
観察範囲が指定されると、制御手段はこの観察範囲内でプローブを走査させてAFM観察により画像を取得し、欠陥部分の形状を詳細に認識する観察工程を行う。具体的には、プローブの変位が一定となるように、探針と基板表面との距離を制御しながら複数のラインを1ライン毎に順々に走査して観察画像を取得する。これにより、指定した観察範囲内において基板の表面観察を行うことができ、マスクパターンの一部及び欠陥部分の外形形状を認識することができる。
観察範囲が指定されると、制御手段はこの観察範囲内でプローブを走査させてAFM観察により画像を取得し、欠陥部分の形状を詳細に認識する観察工程を行う。具体的には、プローブの変位が一定となるように、探針と基板表面との距離を制御しながら複数のラインを1ライン毎に順々に走査して観察画像を取得する。これにより、指定した観察範囲内において基板の表面観察を行うことができ、マスクパターンの一部及び欠陥部分の外形形状を認識することができる。
特に、1ライン毎の走査をマスクパターン側から欠陥部分の先端側に向かう方向に行う。このように、1ライン毎の走査を行う際に、基板上に形成されたマスクパターン側から行うので、探針は基板とマスクパターンとの間に生じた段差を常に上から下に向けて下りる形となる。ここで、欠陥部分が探針によって抉られて、その一部が探針に付着する現象は、探針が欠陥部分を駆け上がる場合に発生し易いものである。しかしながら、上述した方向に探針を走査することで、探針の駆け上がりをなくすことができるので、探針によって欠陥部分が抉られてしまうことを防止することができる。
従って、異物の付着がない清浄な探針で観察を行うことができ、欠陥部分の根元側だけでなく、全体の外形形状やマスクパターンのエッジ形状の画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得することができる。これにより、欠陥部分とマスクパターンとを明確に区別した状態で認識することができる。
しかも、1ライン毎の走査を繰り返し行って複数のラインを順々に走査する際に、その繰り返し方向(即ち隣のラインに探針を移行する方向)が、マスクパターンのエッジに対して平行な方向に向くように制御している。よって、走査回数を減らしたとしても、各走査で得られる観察画像からエッジ検出を行うことができる、従って、観察工程に費やす時間を短縮することができ、作業効率を向上することができる。
しかも、1ライン毎の走査を繰り返し行って複数のラインを順々に走査する際に、その繰り返し方向(即ち隣のラインに探針を移行する方向)が、マスクパターンのエッジに対して平行な方向に向くように制御している。よって、走査回数を減らしたとしても、各走査で得られる観察画像からエッジ検出を行うことができる、従って、観察工程に費やす時間を短縮することができ、作業効率を向上することができる。
次いで、制御手段は、観察工程によって詳細に形状を認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で、隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して欠陥部分を切削除去加工する加工工程を行う。具体的には、上述した観察工程の場合と異なり、複数のラインを順々に走査する際の繰り返し方向(即ち隣のラインに探針を移行する方向)が、欠陥部分の先端側から欠陥部分の根元側であるマスクパターンに向かうよう制御しながら加工を行う。このように、欠陥部分の先端側から切削除去加工を行うので、小さい切削抵抗で加工することができ、効率良く短時間で切削を行うことができる。
上述したように、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法によれば、観察工程によって、欠陥部分の根元側の外形形状やマスクパターンのエッジの画像が従来のものとは異なり正確に取得されており、欠陥部分とマスクパターンとが明確に区別されている。そのため、マスクパターンを削ってしまうといった不具合を防止しつつ、欠陥部分だけを高精度に切削除去加工して除去することができる。
その結果、マスクパターンの修正を高精度に行うことができる。また、転写の原版として高品質なフォトマスクを得ることができる。
その結果、マスクパターンの修正を高精度に行うことができる。また、転写の原版として高品質なフォトマスクを得ることができる。
この発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法によれば、欠陥部分の根元側周辺の画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得して、欠陥部分とマスクパターンとを明確に区別した状態で認識することができると共に、該欠陥部分を切削除去加工により高精度に除去することができる。その結果、マスクパターンを高精度に修正することができる。
以下、本発明に係るフォトマスク欠陥修正装置及びフォトマスク欠陥修正方法の一実施形態について、図1から図8を参照して説明する。なお、本実施形態では、光てこ方式を利用した場合を例に挙げて説明する。
本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置1は、図1に示す基板2と該基板2上に所定のパターンで形成された遮光膜マスクパターン(以下、単にマスクパターンと言う)3とを有するフォトマスク4をAFM観察して、マスクパターン3から突出した突起状の余剰欠陥部分(以下、単に欠陥部分と言う)5の形状を認識すると共に、認識した欠陥部分5を切削除去加工して修正する装置である。
なお、フォトマスク4は、図示しない描画装置によって作製されたものであり、予め設計された描画データに基づいて基板2上にマスクパターン3が描画されている。また、描画装置によって作製された後、フォトマスク4は図示しない欠陥検査装置によって検査されており、欠陥部分5の位置が既に特定されている。また、フォトマスク4の基板2は、光の透過部でマスク基板となるものであり、例えばガラス又は石英基板である。
なお、フォトマスク4は、図示しない描画装置によって作製されたものであり、予め設計された描画データに基づいて基板2上にマスクパターン3が描画されている。また、描画装置によって作製された後、フォトマスク4は図示しない欠陥検査装置によって検査されており、欠陥部分5の位置が既に特定されている。また、フォトマスク4の基板2は、光の透過部でマスク基板となるものであり、例えばガラス又は石英基板である。
本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置1は、図2に示すように、フォトマスク4を固定するステージ10と、基板2に対向配置された探針11aを先端に有するプローブ11と、基板2と探針11aとを基板表面2aに平行なXY方向及び基板表面2aに垂直なZ方向に相対的に移動させる移動手段12と、プローブ11の変位(撓み)を測定する変位測定手段13と、これら各構成品を総合的に制御する制御手段14と、を備えている。
上記探針11aは、欠陥部分5を容易に切削することができるように硬い材質、例えばダイヤモンド等からなるものであり、切削除去加工の際に欠陥部分5に当たる面が垂直になるように形成されている。また、プローブ11は、シリコン等により形成されており、本体部11bによって片持ち状態に支持されている。このプローブ11は、切削除去加工時の加工抵抗で捩れて刃先に対して加工に十分な荷重がかからなくならないように、従来のプローブよりもバネ定数の高いものを使用している。本体部11bは、ホルダ部15に固定された斜面ブロック16の載置面16aに図示しないワイヤ等を利用して着脱自在に固定されている。これによりプローブ11は、基板表面2aに対して所定角度傾いた状態で固定されている。
ホルダ部15は、基板2の上方に位置するように図示しない架台に取り付けられている。また、このホルダ部15には、プローブ11の裏面に形成された図示しない反射面に向けて、後述するレーザ光Lを入射させると共に、反射面で反射したレーザ光Lを出射させる開口部15aが形成されている。
上記ステージ10は、XYZスキャナ20上に載置されており、該XYZスキャナ20は図示しない防振台上に載置されている。このXYZスキャナ20は、例えばピエゾ素子であり、XY走査系とZサーボ系を含むXYZスキャナ制御部21から電圧を印加されることで、XY方向及びZ方向にそれぞれ微小移動するようになっている。即ち、これらXYZスキャナ20及びXYZスキャナ制御部21は、上記移動手段12として機能する。
上記ステージ10は、XYZスキャナ20上に載置されており、該XYZスキャナ20は図示しない防振台上に載置されている。このXYZスキャナ20は、例えばピエゾ素子であり、XY走査系とZサーボ系を含むXYZスキャナ制御部21から電圧を印加されることで、XY方向及びZ方向にそれぞれ微小移動するようになっている。即ち、これらXYZスキャナ20及びXYZスキャナ制御部21は、上記移動手段12として機能する。
また、ホルダ部15の上方には、プローブ11の裏面側に形成された反射面に向けてレーザ光Lを照射するレーザ光源22と、反射面で反射されたレーザ光Lを、ミラー23を利用して受光する光検出部24と、が設けられている。なお、レーザ光源22から照射されたレーザ光Lは、ホルダ部15の開口部15a内を通過しながら反射面に達し、反射面で反射された後、再度開口部15a内を通過して光検出部24に入射するようになっている。
光検出部24は、例えば入射面が2分割或いは4分割されたフォトダイオードであり、レーザ光Lの入射位置からプローブ11の変位(撓み)を検出する。そして、光検出部24は、検出したプローブ11の変位をDIF信号としてプリアンプ25に出力している。即ち、これらレーザ光源22、ミラー23、光検出部24は、プローブ11の変位を測定する上記変位測定手段13として機能する。
また、光検出部24から出力されたDIF信号は、プリアンプ25によって増幅された後、Z電圧フィードバック回路26に送られる。Z電圧フィードバック回路26は、送られてきたDIF信号が常に一定となるように、XYZスキャナ制御部21をフィードバック制御する。これにより、基板表面2aをAFM観察する際に、基板2と探針11aとの距離をプローブ11の変位が一定となるように高さ制御することができる。
また、Z電圧フィードバック回路26には、制御部27が接続されており、該制御部27がZ電圧フィードバック回路26により上下させる信号に基づいて、基板表面2a上の観察データを取得することができるようになっている。これにより、基板2上に形成されているマスクパターン3や該マスクパターン3の欠陥部分5の画像を取得することができるようになっている。
即ち、これらZ電圧フィードバック回路26及び制御部27は、上記制御手段14として機能する。なお、この制御手段14は、AFM観察を行って、切削除去加工の対象物である欠陥部分5を詳細に認識した後、引き続き欠陥部分5を切削除去加工するように設定されている。
即ち、これらZ電圧フィードバック回路26及び制御部27は、上記制御手段14として機能する。なお、この制御手段14は、AFM観察を行って、切削除去加工の対象物である欠陥部分5を詳細に認識した後、引き続き欠陥部分5を切削除去加工するように設定されている。
また、上記制御部27には、オペレータが各種の情報を入力することができる入力部28が接続されており、該入力部28を介してAFM観察を行う走査範囲等を自在に設定できるようになっている。これによりオペレータは、欠陥検査装置によって特定された欠陥部分5の位置データに基づいて、観察範囲Eを設定することが可能とされている。
そして制御部27は、観察範囲Eが設定されると、該観察範囲E内でAFM観察及び切削除去加工を行うように設定されている。
そして制御部27は、観察範囲Eが設定されると、該観察範囲E内でAFM観察及び切削除去加工を行うように設定されている。
本実施形態では、観察を行う際に、プローブ11の変位が一定となるように探針11と基板表面2aとの距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査してAFM観察を行うように、制御手段14が各構成品を制御している。
具体的には、図1に示すように、1ライン毎の走査方向をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に設定すると共に、マスクパターン3側から欠陥部分5の先端側に向かう方向(矢印D方向)に複数のラインを順々に走査するように制御している。
具体的には、図1に示すように、1ライン毎の走査方向をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に設定すると共に、マスクパターン3側から欠陥部分5の先端側に向かう方向(矢印D方向)に複数のラインを順々に走査するように制御している。
一方、切削除去加工を行う際に、AFM観察によって認識した欠陥部分に探針11を所定の力で押し付けた状態で、隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して欠陥部分5を切削除去加工するように、制御手段14が各構成品を制御している。
具体的には、図1に示すように、1ライン毎の走査方向をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に設定すると共に、欠陥部分5の先端側からマスクパターン3に向かう方向(矢印F方向)に複数のラインを順々に走査するように制御している。
具体的には、図1に示すように、1ライン毎の走査方向をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に設定すると共に、欠陥部分5の先端側からマスクパターン3に向かう方向(矢印F方向)に複数のラインを順々に走査するように制御している。
次に、このように構成されたフォトマスク欠陥修正装置1により、マスクパターン3の欠陥部分5を修正するフォトマスク欠陥修正方法について、以下に説明する。
本実施形態のフォトマスク欠陥修正方法は、欠陥検査装置によって位置が特定された欠陥部分5をAFM観察して形状を詳細に認識する観察工程と、観察工程によって認識された欠陥部分5を切削除去加工して除去する加工工程と、を備えている。これら各工程について、以下に詳細に説明する。
本実施形態のフォトマスク欠陥修正方法は、欠陥検査装置によって位置が特定された欠陥部分5をAFM観察して形状を詳細に認識する観察工程と、観察工程によって認識された欠陥部分5を切削除去加工して除去する加工工程と、を備えている。これら各工程について、以下に詳細に説明する。
まず初めに、初期設定を行う。即ち、ステージ10上にフォトマスク4を固定した後、プローブ11の反射面に確実にレーザ光Lが入射するように、また、反射したレーザ光Lが光検出部24に確実に入射するように、レーザ光源22及び光検出部24の位置や、プローブ11の取付け状態等を調整する。続いてオペレータは、入力部28を介して、欠陥検査装置によって位置が特定された欠陥部分5の周辺を、図3に示すように観察範囲Eとして指定する。
この初期設定が終了した後、観察を開始させる。
観察が開始されると、制御手段14は指定された観察範囲E内でプローブ11を走査させてAFM観察により画像を取得し、欠陥部分5の形状を詳細に認識する観察工程を行う。具体的に説明すると、まず、XYZスキャナ20を駆動して、探針11aを図3に示すポイントP1に移動させると共に、該ポイントP1で探針11aと基板2とを接近させ、探針11aとマスクパターン3とを微小な力で接触させる。この際、探針11aが接近するにつれて、徐々にプローブ11が撓んで変位する。よって、この変位に基づいて、探針11aが微小な力で接触したか否かを高精度に検出することができる。
観察が開始されると、制御手段14は指定された観察範囲E内でプローブ11を走査させてAFM観察により画像を取得し、欠陥部分5の形状を詳細に認識する観察工程を行う。具体的に説明すると、まず、XYZスキャナ20を駆動して、探針11aを図3に示すポイントP1に移動させると共に、該ポイントP1で探針11aと基板2とを接近させ、探針11aとマスクパターン3とを微小な力で接触させる。この際、探針11aが接近するにつれて、徐々にプローブ11が撓んで変位する。よって、この変位に基づいて、探針11aが微小な力で接触したか否かを高精度に検出することができる。
次いで、プローブ11の変位が一定となるように高さ制御しながら、図3及び図4に示すように、XYZスキャナ20を駆動して探針11aをマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に沿ってライン状に走査させると共に、このライン状の走査を、マスクパターン3側から欠陥部分5の先端側に向かう方向(矢印D方向)に順々に繰り返し行う。この際、凹凸に応じてプローブ11が撓んで変位しようとするので、光検出部24に入射するレーザ光Lの位置が異なる。すると光検出部24は、入射位置の変位に応じたDIF信号をプリアンプ25に出力する。出力されたDIF信号は、プリアンプ25によって増幅された後、Z電圧フィードバック回路26に送られる。
Z電圧フィードバック回路26は、送られてきたDIF信号が常に一定となるように(つまり、プローブ11の変位が一定となるように)、XYZスキャナ制御部21によりXYZスキャナ20をZ方向に微小移動させてフィードバック制御を行う。これにより、プローブ11の変位が一定となるように高さ制御した状態で走査を行うことができる。また、制御部27は、Z電圧フィードバック回路26により上下させる信号に基づいて、観察範囲E内の表面観察を行うことができる。その結果、観察範囲E内において、マスクパターン3の一部及び欠陥部分5の外形形状を認識することができる。
特に、1ライン毎の走査を繰り返し行って複数のラインを順々に走査する際に、その繰り返し方向(即ち、隣のラインに探針11を移行する方向)が、欠陥部分5の根元側であるマスクパターン3側から欠陥部分5の先端側に向かう方向(矢印D方向)になるように制御している。つまり、欠陥部分5の先端側を先に観察するのではなく、先に根元側から観察を行っている。従って、異物等が付着していない清浄な探針11aを利用して、欠陥部分5の根元側周辺を先に観察できるので、図5に示すように、欠陥部分5の根元側付近の外形形状やマスクパターン3のエッジ3a形状の画像を、ダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得することができる。これにより、欠陥部分5とマスクパターン3とを明確に区別した状態で認識することができる。
なお、欠陥部分5の根元側を観察した後、徐々に欠陥部分5の先端側に向かって走査が繰り返されるが、その途中で、探針11aによって抉り取られてしまった欠陥部分5の一部が探針11aに付着する恐れがある。この場合には、欠陥部分5の先端側の画像が、ダブルチップイメージとなり、先端側の外形形状を明確に認識することができない。しかしながら、上述したように、観察を根元側から先に行うので、図5に示すように根元側周辺に関しては正確な画像を取得することができる。
しかも、1ライン毎の走査に関しては、探針11aをマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に走査させている。これにより、マスクパターン3のエッジ3aに沿って探針11aを走査させることができ、エッジ3aの画像をより高精度に取得することができる。そのため、マスクパターン3のエッジ3aを明瞭に認識することができる。
次いで、制御部27は、観察工程によって詳細に形状を認識した欠陥部分5に探針11aを所定の力で押し付けた状態で、隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して欠陥部分5を切削除去加工する加工工程を行う。
具体的に説明すると、まず、XYZスキャナ20を駆動して、探針11aを図6に示すポイントP2に移動させると共に、該ポイントP2で探針11aと基板2とを接近させ、探針11aとマスクパターン3とを所定の力で接触させる。この際、探針11aを押し付けるにつれて、徐々にプローブ11が撓んで変位するので、この変位に基づいて探針11aを所定の力で確実に押し付けることができる。
具体的に説明すると、まず、XYZスキャナ20を駆動して、探針11aを図6に示すポイントP2に移動させると共に、該ポイントP2で探針11aと基板2とを接近させ、探針11aとマスクパターン3とを所定の力で接触させる。この際、探針11aを押し付けるにつれて、徐々にプローブ11が撓んで変位するので、この変位に基づいて探針11aを所定の力で確実に押し付けることができる。
次いで、この押し付け力を制御しながらXYZスキャナ20を駆動して、探針11aをマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)にライン状に走査させると共に、図6及び図7に示すように、このライン状の走査を欠陥部分5の先端側からマスクパターン3側に向かう方向(矢印F方向)に順々に繰り返し行う。これにより、欠陥部分5を徐々に切削除去加工することができ、最終的に欠陥部分5の全体を切削して除去することができる。特に、上述した観察工程の場合と異なり、欠陥部分5の先端側から切削除去加工を行うので、小さい切削抵抗で加工することができ、効率良く短時間で切削を行うことができる。
また、観察工程によって、欠陥部分5の根元側の外形形状やマスクパターン3のエッジ3aの画像が従来のものとは異なり正確に取得されており、欠陥部分5とマスクパターン3とが明確に区別されている。そのため、マスクパターン3を削ってしまうといった不具合を防止しつつ、図8に示すように、欠陥部分5だけを高精度に切削除去加工して除去することができる。その結果、マスクパターン3の修正を高精度に行うことができる。また、転写の原版として高品質なフォトマスク4を得ることができる。
上述したように、本実施形態のフォトマスク欠陥修正装置1及びフォトマスク欠陥修正方法によれば、観察時に、欠陥部分5の根元側周辺の画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得することができ、欠陥部分5とマスクパターン3とを明確に区別した状態で認識することができる。従って、欠陥部分5だけを高精度に切削除去加工することができ、高精度な修正を行うことができる。
なお、本発明の技術範囲は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、基板2側を3次元方向に移動させるスキャン方式としたが、この場合に限られず、プローブ11側を3次元方向に移動させるようにしても構わない。また、プローブ11側をZ方向に移動させると共に、基板2側をXY方向に移動させるように構成しても構わない。いずれの場合であっても、スキャン方式が異なるだけで、上記実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
また、上記実施形態では、ホルダ部15に形成された開口部15aを通してプローブ11にレーザ光Lを入射させると共に、反射したレーザ光Lを出射させる構成としたが、この場合に限られるものではない。例えば、ホルダ部15を光学的に透明な材料(例えば、ガラス)で形成して開口部15aをなくしても構わない。
また、上記実施形態では、変位測定手段13が光てこ方式によりプローブ11の変位検出を行ったが、光てこ方式に限定されるものではない、例えば、プローブ11自身に変位検出機能(例えば、ピエゾ抵抗素子等)を設けた自己検知方式を採用しても構わない。
また、上記実施形態では、変位測定手段13が光てこ方式によりプローブ11の変位検出を行ったが、光てこ方式に限定されるものではない、例えば、プローブ11自身に変位検出機能(例えば、ピエゾ抵抗素子等)を設けた自己検知方式を採用しても構わない。
また、上記実施形態において、観察工程の際に図9に示す矢印J方向(矢印C方向とは反対の方向)に走査しても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
更に、上記実施形態において、観察工程の際に、1ライン毎の走査方向をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に設定すると共に、マスクパターン3側から欠陥部分5の先端側に向かう方向(矢印D方向)に複数のラインを順々に走査するように制御したが、図10に示すように、制御しても構わない。
即ち、マスクパターン3側から欠陥部分5の先端側に向かう方向(矢印D方向)にライン状に走査すると共に、該ライン状の走査をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に向けて順に繰り返し行うように制御しても構わない。
即ち、マスクパターン3側から欠陥部分5の先端側に向かう方向(矢印D方向)にライン状に走査すると共に、該ライン状の走査をマスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に向けて順に繰り返し行うように制御しても構わない。
この場合には、1ライン毎の走査を行う際に、基板2上に形成されたマスクパターン3側から行うので、探針11aは基板2とマスクパターン3或いは欠陥部分5との間に生じた段差を上から下に向けて下りる形となる。ここで、欠陥部分5が探針11aによって抉られて、その一部が探針11aに付着する現象は、探針11aが欠陥部分5を駆け上がる場合に発生し易いものである。しかしながら、上記方向(D方向)に探針11aを走査することで、探針11aの駆け上がりをなくすことができるので、探針11aによって欠陥部分5が抉られてしまうことを防止することができる。
従って、異物の付着がない清浄な探針11aで観察を行うことができ、欠陥部分5の根元側だけでなく、全体の外形形状やマスクパターン3のエッジ3aの画像をダブルチップイメージの影響を受けることなく正確に取得することができる。その結果、上記実施形態と同様に、欠陥部分5の切削を高精度に行うことができ、マスクパターン3の修正を確実に行うことができる。
また、マスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に走査を繰り返し行うので、走査回数を減らしたとしても、各走査で得られる画像からエッジ3aを検出することができる。従って、観察工程に費やす時間を短縮することができ、作業効率を向上することができる。
なお、図11に示す矢印J方向に、ライン状の走査を順々に繰り返し行っても構わない。この場合であっても同様の作用効果を奏することができる。
また、マスクパターン3のエッジ3aに対して平行な方向(矢印C方向)に走査を繰り返し行うので、走査回数を減らしたとしても、各走査で得られる画像からエッジ3aを検出することができる。従って、観察工程に費やす時間を短縮することができ、作業効率を向上することができる。
なお、図11に示す矢印J方向に、ライン状の走査を順々に繰り返し行っても構わない。この場合であっても同様の作用効果を奏することができる。
D 第1の方向
F 第2の方向
1 フォトマスク欠陥修正装置
2 基板
2a 基板表面
4 フォトマスク
3 マスクパターン
3a マスクパターンのエッジ
5 欠陥部分
10 ステージ
11a 探針
11 プローブ
12 移動手段
13 変位測定手段
14 制御手段
F 第2の方向
1 フォトマスク欠陥修正装置
2 基板
2a 基板表面
4 フォトマスク
3 マスクパターン
3a マスクパターンのエッジ
5 欠陥部分
10 ステージ
11a 探針
11 プローブ
12 移動手段
13 変位測定手段
14 制御手段
Claims (4)
- 基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスク
をAFM観察して、マスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分を切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正装置であって、
前記フォトマスクを固定するステージと、
前記基板に対向配置された探針を先端に有するプローブと、
前記基板と前記探針とを、前記基板表面に平行な方向及び基板表面に垂直な方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記プローブの変位を測定する変位測定手段と、
該変位測定手段による測定結果に基づいて、前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識すると共に、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工させる制御手段と、を備え、
該制御手段は、前記観察時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御し、
前記切削除去加工時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御することを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。 - 基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスク
をAFM観察して、マスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分を切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正装置であって、
前記フォトマスクを固定するステージと、
前記基板に対向配置された探針を先端に有するプローブと、
前記基板と前記探針とを、前記基板表面に平行な方向及び基板表面に垂直な方向に相対的に移動させる移動手段と、
前記プローブの変位を測定する変位測定手段と、
該変位測定手段による測定結果に基づいて、前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識すると共に、認識した欠陥部分に探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工させる制御手段と、を備え、
該制御手段は、前記観察時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に設定すると共に、マスクパターンのエッジに対して平行な方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御し、
前記切削除去加工時に、前記1ライン毎の走査方向を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に設定すると共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査するように制御することを特徴とするフォトマスク欠陥修正装置。 - 基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスク
を、先端に探針を有するプローブによりAFM観察してマスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分をプローブにより切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正方法であって、
前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識する観察工程と、
該観察工程後、認識した前記欠陥部分に前記探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、を備え、
前記観察工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に行うと共に、マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に前記複数のラインを順々に走査し、
前記加工工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に行うと共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。 - 基板と該基板上に所定のパターンで形成されたマスクパターンとを有するフォトマスク
を、先端に探針を有するプローブによりAFM観察してマスクパターンから突出した突起状の欠陥部分の形状を認識すると共に認識した欠陥部分をプローブにより切削除去加工して修正するフォトマスク欠陥修正方法であって、
前記プローブの変位が一定となるように前記探針と前記基板表面との距離を制御しながら隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、AFM観察により前記欠陥部分の形状を認識する観察工程と、
該観察工程後、認識した前記欠陥部分に前記探針を所定の力で押し付けた状態で隣接する複数のラインを1ライン毎順々に走査して、欠陥部分を切削除去加工する加工工程と、を備え、
前記観察工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターン側から前記欠陥部分の先端側に向かう方向に行うと共に、マスクパターンのエッジに対して平行な方向に前記複数のラインを順々に走査し、
前記加工工程の際、前記1ライン毎の走査を前記マスクパターンのエッジに対して平行な方向に行うと共に、前記欠陥部分の先端側からマスクパターンに向かう方向に前記複数のラインを順々に走査することを特徴とするフォトマスク欠陥修正方法。
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