TWI596333B - Means for measuring a film with a transparent substrate and a measuring method thereof - Google Patents

Means for measuring a film with a transparent substrate and a measuring method thereof Download PDF

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TWI596333B TW105116095A TW105116095A TWI596333B TW I596333 B TWI596333 B TW I596333B TW 105116095 A TW105116095 A TW 105116095A TW 105116095 A TW105116095 A TW 105116095A TW I596333 B TWI596333 B TW I596333B
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Description

具有透明基底的薄膜的測量裝置及測量方法
本發明係關於一種薄膜的測量裝置及其使用方法，特別是關於一種具有透明基底的薄膜的測量裝置及其使用方法。
薄膜是一種薄而軟的透明薄片，其主要用塑料、膠黏劑、橡膠或其他材料製成。薄膜被廣泛用於電子電器、機械、包裝、印刷等行業。在薄膜的實際生產過程中，諸如無塵室的不潔淨、生產線滾輪等因素都會影響薄膜的品質，若不能及時發現並處理這些問題，將會影響到薄膜的品質，同時也會給其它應用薄膜的行業帶來對應的損失。隨著國內薄膜市場競爭的日趨激烈，國內對薄膜品質的日益提高，傳統的人眼檢測已經不能滿足現在高速的生產製程以及過高的品質要求，在這樣的背景下以機器視覺代替人眼檢測的薄膜表面瑕疵是一種工業發展需要的潮流。
現有設備對不透明基底薄膜檢測的技術非常成熟，常用的檢測手段有反射儀測量或者橢偏儀測量。但是，對透明基底薄膜檢測還存在困難，現有技術中揭示了一種薄膜檢測裝置，依次包括形成光路連接的光源、光學元件、分光元件、物鏡、待測物體以及放置待測物體的承載台，在分光元件上依次連接光學接收元件、視覺檢測器，並且設置處理器與視覺檢測器和光學元件連接。這種裝置測量交鋪面，光源提供的照明光入射面變化範圍為360°，光學元件中採 用二維面陣CCD進行反射光強的探測，將探測結果輸送至處理器中，從而處理器中計算出待測物體的檢測結果。但是在待測物體的基底是透明的情況下，由於無法去除透明基底對反射光的影響，會對測量造成干擾，如第1圖所示，圖中由於透明基底82反射的光81與透明薄膜83反射的光84一起反射至物鏡85，一同被物鏡85折射至物鏡後焦面86，若是不將這部分透明基底82反射的光81去除，則會保留至後續圖像與數據的傳輸，導致對於透明薄膜83的測量不準確。因此這種裝置不能進行具有透明基底的薄膜的膜厚測量。
現有技術中還揭示了一種照明光採用小角度入射的形式，減少由於透明基底產生的干擾反射光，此外還有一種採用照明光斜入射的形式，測量角譜面，可以對單一波長光同時測量多個入射角和方位角的反射率，如此取平均值，計算出待測量薄膜的相關參數，但是以上幾種方法均無法徹底根除由於透明基底反射的光對測量造成的干擾，導致測量結果不準確。
因此，如何對具有透明基底的薄膜進行準確的厚度和光學常數的測量成為人們亟需解決的技術問題。
為解決上述問題，本發明提出了一種具有透明基底的薄膜的測量裝置及測量方法，能夠排除由於透明基底反射的干擾光，以實現對具有透明基底的薄膜的準確測量。
為達到上述目的，本發明提供一種具有透明基底的薄膜的測量裝置，沿光路傳播方向依次包括：光源、準直鏡頭、濾光片、偏光器、分光元件以及物鏡，分光元件連接有面陣探測器與處理器，光源發出的光依次經過準直鏡頭、濾光片、偏光器、分光元件以及物鏡後，形成測量光入射至具有透明基 底的薄膜，由物鏡和分光元件收集來自具有透明基底的薄膜的反射光，並由面陣探測器與處理器基於所收集的反射光對具有透明基底的薄膜的物理參數進行測量，測量裝置還包括遮蔽光闌，用於去除在測量過程中因透明基底而產生的對測量造成干擾的反射光。
較佳地，遮蔽光闌設置在物鏡的後焦面處。遮蔽光闌的直徑為L1，其計算公式為：，其中NA_interferece=n×sinθ 1，，NA_interferece為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，NA_objective為物鏡的最大數值孔徑，L2為物鏡後焦面直徑，n為透明基底折射率，h為透明基底的厚度，θ 1為測量光在透明基底中的折射角，L3為物鏡最大視場直徑，L4為光源在測量過程中的照明視場的直徑。
較佳地，遮蔽光闌設置在光源的照明光路瞳面共軛位置或者遮蔽光闌設置在準直鏡頭的瞳面共軛位置，使得光源照明方式為環形照明。遮蔽光闌的直徑為L1，其計算公式為：，其中NA_interferece=n×sinθ 1，，NA_interferece為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，NA_objective為物鏡的最大數值孔徑，L2為物鏡後焦面直徑，n為透明基底折射率，h為透明基底的厚度，θ 1為測量光在透明基底中的折射角， L3為物鏡最大視場直徑，L4為光源在測量過程中的照明視場的直徑，k為倍率係數。
較佳地，遮蔽光闌為包括多個子遮蔽光闌的可調整的遮蔽光闌。
較佳地，光源為鹵素燈或者氙燈。
較佳地，濾光片為窄帶濾光片。
較佳地，偏光器為偏光片或者偏光棱鏡。
較佳地，分光元件為直角分光棱鏡或者半透半反鏡。
較佳地，面陣探測器為電荷耦合元件或者互補金屬氧化物半導體。
本發明還提供一種測量具有透明基底的薄膜的物理參數的測量方法，包括如下步驟：步驟1：提供具有透明基底的薄膜的測量裝置，該測量裝置沿光路傳播方向依次包括：光源、準直鏡頭、濾光片、偏光器、分光元件、遮蔽光闌以及物鏡，其中，遮蔽光闌設置在物鏡的後焦面處；步驟2：由光源提供照明光，依次經過準直鏡頭、濾光片和偏光器，然後經由分光元件將照明光反射，其中，分光元件連接有面陣探測器與處理器；步驟3：步驟2產生的反射光通過物鏡入射至具有透明基底的薄膜；步驟4：具有透明基底的薄膜所反射的光彙聚在物鏡的後焦面處，並且由遮蔽光闌遮擋掉由透明基底所反射的干擾光，未被遮擋的反射光由分光元件反射至面陣探測器並且成像，將成像訊號反饋至處理器； 步驟5：處理器將面陣探測器的反饋的成像訊號進行處理，計算出薄膜的物理參數。
較佳地，根據透明基底的厚度、物鏡視場大小、光源在測量過程中照明視場的大小以及遮蔽光闌的直徑大小，從而濾除薄膜散射光中受到透明基底反射光干擾的角譜訊號，完成對透明基底薄膜的物理參數的測量。
較佳地，遮蔽光闌的直徑為L1，其計算公式為：，其中NA_interferece=n×sinθ 1，，NA_interferece為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，NA_objective為物鏡的最大數值孔徑，L2為物鏡後焦面直徑，n為透明基底折射率，h為透明基底的厚度，θ 1為測量光在透明基底中的折射角，L3為物鏡最大視場直徑，L4為光源在測量過程中的照明視場的直徑。
本發明還提供一種測量具有透明基底的薄膜的物理參數的測量方法，包括如下步驟：步驟一：提供具有透明基底的薄膜的測量裝置，該測量裝置沿光路傳播方向依次包括：光源、遮蔽光闌、準直鏡頭、濾光片、偏光器、分光元件以及物鏡，其中，遮蔽光闌設置在光源的照明光路瞳面共軛位置；步驟二：由光源提供照明光，經過遮蔽光闌擋住小角度入射光後，使大角度的入射光通過，形成了環形照明的方式，並依次經過準直鏡頭、濾光片和偏光器，然後經由分光元件將照明光反射，其中，分光元件連接有面陣探測器與處理器； 步驟三：步驟二產生的反射光通過物鏡入射至具有透明基底的薄膜，避免了小角度入射光反射後的干擾光訊號的聚焦；步驟四：具有透明基底的薄膜在同一角度所反射的光透過物鏡到達分光元件，並且由分光元件反射至面陣探測器，由面陣探測器成像，並且將成像訊號反饋至處理器；步驟五：處理器將面陣探測器的反饋的成像訊號進行處理，計算出薄膜的物理參數。
較佳地，根據透明基底的厚度、物鏡視場大小、光源在測量過程中照明視場的大小以及遮蔽光闌直徑大小，從而濾除入射光反射後受到透明基底反射光干擾的角譜訊號對薄膜的影響，完成對透明基底薄膜的物理參數的測量。
較佳地，遮蔽光闌的直徑為L1，其計算公式為：，其中NA_interferece=n×sinθ 1，，NA_interferece為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，NA_objective為物鏡的最大數值孔徑，L2為物鏡後焦面直徑，n為透明基底折射率，h為透明基底的厚度，θ 1為測量光在透明基底中的折射角，L3為物鏡最大視場直徑，L4為光源在測量過程中的照明視場的直徑，k為倍率係數。
較佳地，遮蔽光闌為可調整遮蔽光闌。
與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明根據透明基底厚度、物鏡視場大小、照明視場大小並根據相關計算公式計算出對應直徑型號的 遮蔽光闌來遮擋在小角度範圍內受到透明基底反射的干擾光，將剩餘區域的反射光形成圖像發送至數據處理器，計算出薄膜的厚度與相關光學數據。因此這種裝置可根據不同的薄膜來設計不同的遮蔽光闌，具有操作簡單，測量精準的特點。
1‧‧‧光源
2‧‧‧準直鏡頭
3‧‧‧濾光片
4‧‧‧偏光器
5‧‧‧分光元件
6‧‧‧第一遮蔽光闌
7、85、97‧‧‧物鏡
8‧‧‧待測物體
9‧‧‧承載台
10a、80‧‧‧入射光
10b、81、84‧‧‧反射光
11‧‧‧面陣探測器
12‧‧‧物鏡後焦面
13‧‧‧處理器
14‧‧‧瞳面共軛位置
15‧‧‧第二遮蔽光闌
16‧‧‧第三遮蔽光闌
82‧‧‧透明基底
83‧‧‧透明薄膜
86‧‧‧物鏡後焦面
92‧‧‧最大視場
93‧‧‧光學系統照明視場
94‧‧‧基底層
96‧‧‧物鏡後焦面
160‧‧‧子遮蔽光闌
L3、L4‧‧‧直徑
θ 1‧‧‧L4
h‧‧‧厚度
第1圖為現有技術中透明基底薄膜反射光的原理圖；第2圖為本發明實施例一裝置結構示意圖；第3圖為本發明的原理圖；第4圖為本發明實施例二裝置結構示意圖；第5圖為本發明實施例三裝置結構示意圖；第6圖為本發明實施例三遮蔽光闌平面圖。
為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。
實施例一
第2圖為本發明所提供的一種具有透明基底的薄膜的測量裝置，沿光路傳播方向依次包括：光源1、準直鏡頭2、濾光片3、偏光器4、分光元件5、物鏡7，待測物體8為具有透明基底的薄膜，位於承載台9上，分光元件5依次連接有面陣探測器11與處理器13，測量裝置還包括第一遮蔽光闌6，用於遮擋在測量過程中因透明基底而產生的對測量造成干擾的反射光。
較佳地，請參照第3圖，基底層94的厚度為h，n為基底層94折射率，L4為光學系統照明視場93的直徑，L3為測量系統物鏡的最大視場92的直徑，L2為物鏡後焦面96的直徑，從圖中可以看出，折射角θ 1可表示為： 而能被物鏡97接收的最大數值孔徑範圍可以表示為：
第一遮蔽光闌6的直徑L1計算公式為： ，其中NA_interferece為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，即能被物鏡97接收的最大數值孔徑範圍，NA_objective為物鏡97的最大數值孔徑，因此在實際使用過程中，根據不同厚度的基底層94和光學系統照明視場93的直徑L4，以及其它數據，來配置不同的第一遮蔽光闌6的尺寸。另外，藉由對光源1照明的檔位切換也可以實現第一遮蔽光闌6的尺寸改變。
受到干擾的透明薄膜反射光是指同時包含薄膜反射光和透明基底反射光的光。
較佳地，光源1為鹵素燈或者氙燈。
較佳地，濾光片3為窄帶濾光片，如波長為780nm、633nm、550nm、441nm或者360nm等。
較佳地，偏光器4為偏光片或者偏光棱鏡。
較佳地，分光元件5為直角分光棱鏡或者半透半反鏡。
較佳地，面陣探測器11為電荷耦合元件或者互補金屬氧化物半導體，對於濾光片3的透明波長均具有良好的響應。
較佳地，第一遮蔽光闌6設置在物鏡後焦面12處。
本發明還提供一種上述的具有透明基底的薄膜的測量裝置的測量方法，包括如下步驟：步驟1：提供一個待測物體8，即具有透明基底的薄膜，放置在承載台9上；步驟2：由光源1提供照明光，依次經過準直鏡頭2、濾光片3和偏光器4，然後由分光元件5將照明光反射；步驟3：步驟2產生的反射光通過物鏡7到達待測物體8，入射光為10a，其中物鏡7具有大數值孔徑，將入射光束以一定夾角彙聚到待測物體8上，形成小尺寸照明光斑；步驟4：待測物體8在同一角度所反射的光10b彙聚在物鏡7的後焦面12處，並且由第一遮蔽光闌6遮擋掉由待測物體8透明基底的所散射的干擾光，剩餘的反射光由分光元件5反射至面陣探測器11並且成像，將成像訊號反饋至處理器13。
如第1圖所示，首先樣品包含兩部分，一是透明基底，二是膜層。一束入射光80經過膜層反射以後，反射光84會變成很多束光，經過透明基底反射的光是81，並且反射光84和81的反射角度是相同的。步驟4中所述的“在同一角度所反射的光”就是指具有相同反射角度的這兩部分的反射光84和81。
根據不同厚度的基底層94和光學系統照明視場93的直徑L4，以及下述公式，來配置不同的第一遮蔽光闌6的尺寸： ，其中NA_interferece=n×sinθ 1，，其中L1為第一遮蔽光闌6的尺寸，h為基底層94的厚度，n為基底層94折射率，L4為光學系統照明視場93的直徑，L3為測量系統物鏡的最大視場92的直徑，L2為物鏡後焦面96的直徑。
步驟5：處理器13將面陣探測器11的反饋的成像訊號進行處理，處理器13將剩餘反射光的角譜訊號與仿真數據進行對比，從而逆向求解獲得待測物體8的薄膜的物理參數，此處的物理參數包括薄膜的厚度和/或光學常數的信息。
實施例二
如第4圖所示，本實施例與實施例一的區別在於將物鏡7後焦面位置上放置的第一遮蔽光闌6去除，在照明光路瞳面共軛位置14處設置第二遮蔽光闌15，第二遮蔽光闌15直徑為k1×L1，其中k1為倍率係數，具體為物鏡瞳面和遮蔽光闌15之間的放大倍率，L1的計算方式與實施例一中的相同，在此不贅述。第二遮蔽光闌15可以去除小角度的入射光，從而使得照明方式形成環形照明方式，最終物鏡7收集到的訊號都是沒有被待測物體8中透明基底背景光干擾過的光訊號，並且有利於光路中雜散光的控制，提高訊噪比。
上述小角度指的是樣品面上的入射光的角度，見第1圖中的80。由於光學系統固有的特性，當入射光80的角度較小的時候，薄膜反射光84和透明基底反射光81會一起被物鏡收集(這是本發明中不希望得到的結果，實際只需要收集薄膜反射光84)，所以需要去除這部分角度的入射光。由於實際光學系統中，物鏡樣品面上的入射光角度和物鏡瞳面的位置是各自對應的。所以，去除 樣品面上的小角度範圍的入射光，可以藉由遮擋物鏡瞳面上對應部分的區域達成。去除的具體區域大小，在上文中已經給出了公式。
實施例三
如第5圖所示，本實施例與實施例一的區別在於將物鏡7後焦面位置上放置的第一遮蔽光闌6去除，在準直鏡頭2的瞳面共軛位置14處設置第三遮蔽光闌16，第三遮蔽光闌16為可調整遮蔽光闌，直徑為k2×L1，其中，k2為倍率係數，本實施例是採用一系列不同大小的子遮蔽光闌160(根據實際測試需求配置)構成一個第三遮蔽光闌16，此處的k2可以與實施例二中的k1相同，即物鏡瞳面和第三遮蔽光闌16之間的放大倍率，L1的計算方式與實施例一中的相同，在此不贅述。從而在實際操作中可以根據測量配置選擇合適的遮蔽光闌或者設置合適的遮擋位置，請參考第6圖，圖中黑色部分為第三遮蔽光闌16的遮擋部分，白色部分為透光部分，根據實際情況，旋轉第三遮蔽光闌16或者調整黑色遮光部分，因此光源1的照明方式也隨著第三遮蔽光闌16的調整而改變，呈現出照明範圍不同的環形照明方式，這樣可以根據實際操作環境直接排除小角度的入射光，最終物鏡7收集到的訊號沒有被待測物體8的透明基底反射光干擾，完成對待測物體8的測量。
上述小角度指的是樣品面上的入射光的角度，見第1圖中的80。由於光學系統固有的特性，當入射光80的角度較小的時候，薄膜反射光84和透明基底反射光81會一起被物鏡收集(這是本發明中不希望得到的結果，實際只需要收集薄膜反射光84)，所以需要去除這部分角度的入射光。由於實際光學系統中，物鏡樣品面上的入射光角度和物鏡瞳面的位置是各自對應的。所以，去除 樣品面上的小角度範圍的入射光，可以藉由遮擋物鏡瞳面上對應部分的區域達成。去除的具體區域大小，在上文中已經給出了公式。
顯然所屬技術領域中具通常知識者可以對發明進行各種修改和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬本發明申請專利範圍及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包括這些修改和變形在內。
1‧‧‧光源
2‧‧‧準直鏡頭
3‧‧‧濾光片
4‧‧‧偏光器
5‧‧‧分光元件
6‧‧‧第一遮蔽光闌
7‧‧‧物鏡
8‧‧‧待測物體
9‧‧‧承載台
10a‧‧‧入射光
10b‧‧‧反射光
11‧‧‧面陣探測器
12‧‧‧物鏡後焦面
13‧‧‧處理器

Claims (10)

  1. 一種具有透明基底的薄膜的測量裝置，其沿光路傳播方向依次包括：一光源、一準直鏡頭、一濾光片、一偏光器、一分光元件以及一物鏡，該分光元件係連接有一面陣探測器與一處理器，該光源發出的光依次經過該準直鏡頭、該濾光片、該偏光器、該分光元件以及該物鏡後，形成一測量光入射至具有該透明基底的該薄膜，由該物鏡和該分光元件收集來自具有該透明基底的該薄膜的一反射光，並由該面陣探測器與該處理器基於所收集的該反射光對具有該透明基底的該薄膜的物理參數進行測量，其中，該測量裝置還包括一遮蔽光闌，用於去除在測量過程中因該透明基底而產生的對測量造成干擾的該反射光；其中該遮蔽光闌為第一遮蔽光闌，該第一遮蔽光闌設置在該物鏡的後焦面處，該第一遮蔽光闌的直徑為L1，其計算公式為：，其中NA_interferece=n×sinθ 1， ，且NA_interference係為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，NA_objective係為該物鏡的最大數值孔徑，L2係為該物鏡後焦面直徑，n係為該透明基底折射率，h係為該透明基底的厚度，θ 1係為測量光在該透明基底中的折射角，L3係為該物鏡最大視場直徑，L4係為該光源在測量過程中的照明視場的直徑；或將該第一遮蔽光闌去除，在該光源的照明光路瞳面共軛位置或該準直鏡頭的瞳面共軛位置處設置第二遮蔽光闌，使得該光源照明方 式為環形照明，該第二遮蔽光闌直徑為k1 x L1，其中k1為倍率係數，具體為該物鏡瞳面和該第二遮蔽光闌之間的放大倍率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之測量裝置，其中該第二遮蔽光闌為包括多個子遮蔽光闌的可調整的遮蔽光闌。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之測量裝置，其中該光源係為鹵素燈或者氙燈。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之測量裝置，其中該濾光片係為窄帶濾光片。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之測量裝置，其中該偏光器係為偏光片或者偏光棱鏡。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之測量裝置，其中該分光元件係為直角分光棱鏡或者半透半反鏡。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之測量裝置，其中該面陣探測器係為電荷耦合元件或者互補金屬氧化物半導體。
  8. 一種測量具有透明基底的薄膜的物理參數的測量方法，其包括下列步驟：步驟1：提供具有該透明基底的薄膜的一測量裝置，該測量裝置沿光路傳播方向依次包括：一光源、一準直鏡頭、一濾光片、一偏光器、一分光元件、一遮蔽光闌以及一物鏡，其中，該遮蔽光闌設置在該物鏡的後焦面處；步驟2：由該光源提供一照明光，依次經過該準直鏡頭、該濾光片和該偏光器，然後經由該分光元件將該照明光反射，其中，該分光元件連接有一面陣探測器與一處理器； 步驟3：該步驟2產生的反射光通過該物鏡入射至具有該透明基底的薄膜；步驟4：具有該透明基底的薄膜所反射的光彙聚在該物鏡的後焦面處，並且由該遮蔽光闌遮擋掉由該透明基底所反射的干擾光，未被遮擋的反射光由該分光元件反射至該面陣探測器並且成像，將一成像訊號反饋至該處理器；步驟5：該處理器將該面陣探測器的反饋的該成像訊號進行處理，計算出該薄膜的物理參數；其中根據該透明基底的厚度、該物鏡視場大小、該光源在測量過程中照明視場的大小以及該遮蔽光闌的直徑大小，從而濾除薄膜散射光中受到透明基底反射光干擾的一角譜訊號，完成對該透明基底的薄膜的物理參數的測量；其中該遮蔽光闌的直徑係為L1，其計算公式為：，其中NA_interferece=n×sinθ 1， ，且NA_interference係為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，NA_objective係為該物鏡的最大數值孔徑，L2係為該物鏡後焦面直徑，n係為該透明基底折射率，h係為該透明基底的厚度，θ 1係為測量光在該透明基底中的折射角，L3係為該物鏡最大視場直徑，L4係為該光源在測量過程中的照明視場的直徑。
  9. 一種測量具有透明基底的薄膜的物理參數的測量方法，其包括下列步驟： 步驟一：提供具有該透明基底的薄膜的一測量裝置，該測量裝置沿光路傳播方向依次包括：一光源、一遮蔽光闌、一準直鏡頭、一濾光片、一偏光器、一分光元件以及一物鏡，其中，該遮蔽光闌設置在該光源的照明光路瞳面共軛位置；步驟二：由該光源提供一照明光，經過該遮蔽光闌擋住小角度入射光後，使大角度的入射光通過，形成了環形照明的方式，並依次經過該準直鏡頭、該濾光片和該偏光器，然後經由該分光元件將該照明光反射，其中，該分光元件連接有一面陣探測器與一處理器；步驟三：該步驟二產生的反射光通過該物鏡入射至具有該透明基底的薄膜，避免了小角度入射光反射後的干擾光訊號的聚焦；步驟四：具有該透明基底的薄膜在同一角度所反射的光透過該物鏡到達該分光元件，並且由該分光元件反射至該面陣探測器，由該面陣探測器成像，並且一成像訊號反饋至該處理器；步驟五：該處理器將該面陣探測器的反饋的該成像訊號進行處理，計算出該薄膜的物理參數；其中根據該透明基底的厚度、該物鏡視場大小、該光源在測量過程中照明視場的大小以及該遮蔽光闌直徑大小，從而濾除入射光反射後受到透明基底反射光干擾的一角譜訊號對薄膜的影響，完成對該透明基底的薄膜的物理參數的測量；其中該遮蔽光闌的直徑係為L1，其計算公式為： ，其中NA_interferece=n×sinθ 1， ，且NA_interference係為受到干擾的透明薄膜反射光的最大數值孔徑，NA_objective係為該物鏡的最大數值孔徑，L2係為該物鏡後焦面直徑，n係為該透明基底折射率，h係為該透明基底的厚度，θ 1係為測量光在該透明基底中的折射角，L3係為該物鏡最大視場直徑，L4係為該光源在測量過程中的照明視場的直徑，k係為倍率係數。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之測量方法，其中該遮蔽光闌係為可調整遮蔽光闌。
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