TWI591369B - 放射線檢出器用ｕｂｍ電極構造體、放射線檢出器及其製造方法 - Google Patents

放射線檢出器用ｕｂｍ電極構造體、放射線檢出器及其製造方法 Download PDF

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TWI591369B
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三上充
村上幸司
野田朗
伊森徹
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Ｊｘ金屬股份有限公司
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Description

放射線檢出器用UBM電極構造體、放射線檢出器及其製造方法
本發明係有關放射線檢出器用UBM電極構造體，及其製造方法。特別是有關CdTe系放射線檢出器用UBM電極構造體，更詳細為具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，及其製造方法。
II-VI族化合物半導體之碲化鎘(CdTe)或碲鋅鎘(CdZnTe)係比較於矽(Si)或鍺(Ge)，從放射線檢出感應度高，且不易受到熱干擾的影響情況，無須另外冷卻機構而使用以常溫進行動作之放射線檢出器。放射線檢出器係經由將形成金屬電極於以CdTe或CdZnTe之單結晶所形成之基板兩面之放射線檢出元件，連接於檢出電路而加以構成。放射線檢出器係經由以檢出電路而將在放射線檢出元件接受放射線時所釋放的電子量，變換為電流而放大之 時，檢出放射線。
作為形成為了於CdTe基板或CdZnTe基板的表面與電路連接之金屬電極之方法，以往知道有真空蒸鍍或電鍍等。在最近，於含有氯金酸等之金化合物的電鍍液，浸漬CdZnTe基板，再經由於基板表面的特定處，使金單體或金合金析出之時而形成金電極之無電解電鍍則被常使用(參照專利文獻1~6)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平2003-142673號公報
[專利文獻2]日本特開平2001-177141號公報
[專利文獻3]日本特開平08-125203號公報
[專利文獻4]日本特開平07-038132號公報
[專利文獻5]日本特開平03-248578號公報
[專利文獻6]日本特開平03-201487號公報
將放射線檢出器使用於成像用途之情況，將細微之金屬電極配列為1維，或2維之像素電極，形成於CdTe基板或CdZnTe基板的表面。組合此等與檢出陣列電路而作為檢出器模組，但在金屬電極與檢出陣列電路之間的焊錫接合中，為了防止對於焊錫之金屬電極的侵蝕，必 須形成UBM(Under Bump Metal)層。
但在配設於矽基板上之金屬電極等中，經由無電解電鍍之UBM層係可容易地形成，但在CdTe基板或CdZnTe基板中，在形成UBM層時，金屬電極層則產生劣化，而無法得到充分之電性特性者。另外，以無電解鎳電鍍而形成UBM層之情況，通常混入有4~7%的磷(P)。因此，當於鎳(Ni)層上，搭載含有錫(Sn)焊錫時，並行於Ni-Sn之合金層的形成，加以形成磷濃縮層。磷濃縮層係在阻抗為高，且檢測如放射線檢出器之微弱電流之裝置中，係成為問題。
本發明係解決如上述之以往技術的問題點之構成，其課題為提供：抑制形成UBM層時之金屬電極層之劣化，實現充分之電性特性之放射線檢出器用UBM電極構造體，放射線檢出器及其製造方法者。
當經由本發明之一實施形態時，加以提供具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，其中，具備：經由無電解電鍍而形成於前述基板上之Pt或Au電極層，和經由濺鍍而形成於前述Pt或Au電極層上之Ni層，和經由濺鍍而形成於前述Ni層上之Au層的放射線檢出器用UBM電極構造體。
在前述放射線檢出器用UBM電極構造體中，前述Pt或Au電極層之膜厚為0.05μm以上0.10μm以下， 而前述Ni層的膜厚為0.2μm以上0.6μm以下亦可。
當經由本發明之一實施形態時，加以提供具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，其中，具備：經由無電解電鍍而形成於前述基板上之Pt或Au電極層，和經由濺鍍而形成於前述Pt或Au電極層上之Ni層，和經由無電解電鍍而依序形成於前述Ni層上之Ni層及Au層的放射線檢出器用UBM電極構造體。
在前述放射線檢出器用UBM電極構造體中，經由前述濺鍍而形成之Ni層的膜厚為0.05μm以上0.10μm以下，而經由前述無電解電鍍而形成之Ni層的膜厚為0.2μm以上1μm以下亦可。
當經由本發明之一實施形態時，加以提供具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，其中，具備：經由無電解電鍍而形成於前述基板上之Pt或Au電極層，和經由濺鍍而形成於前述Pt或Au電極層上之Ni層，和經由濺鍍而依序形成於前述Ni層上之Pd層及Au層的放射線檢出器用UBM電極構造體。
在前述放射線檢出器用UBM電極構造體中，具備：加以配置於前述Pd或Au電極層及UBM層之側面，和前述UBM層之上面的一部分，和加以配置前述Pt或Au電極層之前述基板的面之絕緣膜亦可。
另外，當經由本發明之一實施形態時，加以 提供具備：包含前述任一項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體，與和經由前述無電解電鍍而形成之Pt或Au電極層對向，加以配設於前述基板之金屬電極層的放射線檢出元件，和藉由突起電極而與前述放射線檢出元件之前述Au層連接之檢出電路之放射線檢出器。
另外，當經由本發明之一實施形態時，加以提供：準備CdTe或CdZnTe所成之基板，於前述基板之第1面形成金屬電極，呈與前述金屬電極對向地，經由無電解電鍍而形成Pt或Au電極層於前述基板之第2面，經由濺鍍而形成Ni層於前述Pt或Au電極層，而經由濺鍍而形成Au層於前述Ni層上之放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法。
在前述放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法中，前述Pt或Au電極層之膜厚係形成為0.05μm以上0.10μm以下，而前述Ni層的膜厚係形成為0.2μm以上0.6μm以下亦可。
另外，當經由本發明之一實施形態時，加以提供：準備CdTe或CdZnTe所成之基板，於前述基板之第1面形成金屬電極，呈與前述金屬電極對向地，經由無電解電鍍而形成Pt或Au電極層於前述基板的第2面，經由濺鍍而形成Ni層於前述Pt或Au電極層上，而經由無電解濺鍍而更形成Ni層於前述Ni層上，經由無電解電鍍而形成Au層於經由無電解電鍍而形成之前述Ni層上之放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法。
在前述放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法中，經由濺鍍而形成之前述Ni層係形成為0.05μm以上0.10μm以下之膜厚，而經由前述無電解電鍍而形成之Ni層係形成為0.2μm以上1μm以下之膜厚亦可。
另外，當經由本發明之一實施形態時，加以提供：準備CdTe或CdZnTe所成之基板，於前述基板之第1面形成金屬電極，呈與前述金屬電極對向地，經由無電解電鍍而形成Pt或Au電極層於前述基板之第2面，經由濺鍍而形成Ni層於前述Pt或Au電極層上，而經由濺鍍而更形成Pd層於前述Ni層上，經由濺鍍而形成Au層於前述Pd層上之放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法。
在前述放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法中，具備：於前述Pt或Au電極層及UBM層之側面，和前述UBM層之上面的一部分，和加以配置前述Pt或Au電極層之前述基板的面，形成絕緣膜亦可。
另外，當經由本發明之一實施形態時，加以提供：將包含前述任一項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體的前述基板，切斷為特定之形狀，形成放射線檢出元件，藉由突起電極而將檢出電路連接於前述放射線檢出元件之前述Au層的放射線檢出器之製造方法。
有關本發明之放射線檢出器用UBM電極構造 體及其製造方法係抑制形成UBM層時之金屬電極層之劣化，而可實現充分電性特性之放射線檢出器用UBM電極構造體，放射線檢出器及其製造方法者。
11‧‧‧金屬電極
13‧‧‧電極層
20‧‧‧基板
100‧‧‧放射線檢出器用UBM電極構造體
130‧‧‧UBM層
200‧‧‧放射線檢出器用UBM電極構造體
230‧‧‧UBM層
231‧‧‧Ni層
233‧‧‧Au層
300‧‧‧放射線檢出器用UBM電極構造體
330‧‧‧UBM層
331‧‧‧Ni層
333‧‧‧Ni層
335‧‧‧Au層
400‧‧‧放射線檢出器用UBM電極構造體
430‧‧‧UBM層
431‧‧‧Ni層
433‧‧‧Pd層
435‧‧‧Au層
550‧‧‧集成電路基板
560‧‧‧電極層
570‧‧‧突起電極
581‧‧‧端子
583‧‧‧阻抗器
591‧‧‧電容器
593‧‧‧放大器
595‧‧‧多道分析器(MCA)
610‧‧‧絕緣膜
611‧‧‧PBO層
619‧‧‧SiO2膜之剝離
1000‧‧‧放射線檢出器
2000‧‧‧放射線檢出器
3000‧‧‧放射線檢出器
4000‧‧‧放射線檢出器
6000‧‧‧放射線檢出器
圖1係顯示使用於有關本發明之一實施形態之放射線檢出器之放射線檢出器用UBM電極構造體100之模式圖，(a)係放射線檢出器用UBM電極構造體100之上面圖，而(b)係放射線檢出器用UBM電極構造體100之側面圖。
圖2係準備有關本發明之一實施形態之放射線檢出器用UBM電極構造體100的放射線檢出器1000之側面圖。
圖3係有關本發明之一實施形態的放射線檢出器1000的電路圖。
圖4係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器2000的模式圖。
圖5係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器2000的製造工程之模式圖。
圖6係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器2000的製造工程之模式圖。
圖7係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器3000的模式圖。
圖8係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器 3000的製造工程之模式圖。
圖9係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器3000的製造工程之模式圖。
圖10係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器3000的製造工程之模式圖。
圖11係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器4000的模式圖。
圖12係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器4000的製造工程之模式圖。
圖13係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器4000的製造工程之模式圖。
圖14係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器4000的製造工程之模式圖。
圖15係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器6000的模式圖。
圖16係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器6000的製造工程之模式圖。
圖17係有關本發明之一實施例的放射線檢出器6000的光學顯微鏡像。
以下，參照圖面，對於有關本發明之放射線檢出器用UBM電極構造體，放射線檢出器及其製造方法加以說明。本發明之放射線檢出器用UBM電極構造體， 放射線檢出器及其製造方法係並非限定於以下所示之實施形態及實施例的記載內容所解釋之構成。然而，在本實施形態及後述之實施例所參照之圖面中，對於同一部分或具有同樣機能之部分，係附上同一符號，其反覆之說明係省略之。
圖1係顯示構成使用於有關本發明之一實施形態之放射線檢出器的放射線檢出元件之放射線檢出器用UBM電極構造體100的模式圖。圖1(a)係放射線檢出器用UBM電極構造體100之上面圖，圖1(b)係放射線檢出器用UBM電極構造體100之側面圖。另外，圖2係具備放射線檢出器用UBM電極構造體100之放射線檢出器1000之側面圖。
放射線檢出器用UBM電極構造體100係具備：基板20，和加以配設於基板20之第1面(在圖1(b)中係基板20之下面)之金屬電極11，和加以配設於與第1面對向之基板20之第2面(在圖1(b)中係基板20之上面)的電極層13。另外，放射線檢出器用UBM電極構造體100係於電極層13上，加以配設UBM(Under Bump Metal)層130。金屬電極11係例如，加以形成於基板20之第1面的全面。另外，電極層13係例如，加以配設成矩陣狀於基板20之第2面。另外，放射線檢出器1000係具備配設電極層560之集成電路基板550。
在本發明中，對於與電極層13之突起電極570連接的面，係為了防止對於突起電極570之焊錫的電 極層13之侵蝕，而加以配設UBM(Under Bump Metal)層130。有關本發明之UBM層130係具有在以往未有之低阻抗UBM層之特徵。放射線檢出器用UBM電極構造體100之電極層13係加以配設於集成電路基板550，與對應之電極層560，藉由UBM層130及突起電極570而加以連接。
基板20係由CdTe或CdZnTe所成之基板。基板20係加以形成為薄的板狀，例如，加以形成有金屬電極11及電極層13的主面係成為(111)面。結晶方位[111]係為在CdZnTe之極性軸之故，而基板20之表面之中第2面側之表面組成係Cd的比例為高，而第1面側之表面組成係Te的比例則變高。
金屬電極11及電極層560係由使用金，白金，銥等之貴金屬的薄膜而加以形成。另一方面，電極層13係經由無電解電鍍而形成於基板20上之白金(Pt)或金(Au)電極層。在本實施形態中，金屬電極11係共通電極，而電極層13係像素電極。另外，電極層560係對應於電極層13，藉由突起電極570而接受來自電極層13的電流。
圖3係有關本發明之一實施形態的放射線檢出器1000的電路圖。在一實施形態中，放射線檢出器1000係具備：由放射線檢出器用UBM電極構造體100所構成之放射線檢出元件，和電容器591，和放大器593，多道分析器(MCA)595等所構成之檢出電路。放射線檢出 器用UBM電極構造體100係加以連接(接地)金屬電極11(共通電極)於接地面，經由藉由檢出電路之阻抗器583而加以連接電極層13(像素電極8)於負電位之端子581之時，而加以施加特定之偏壓電壓。另外，電極層13係藉由電容器591，放大器593而加以連接於MCA595。
集成電路基板550係具備：電容器591或放大器593等之檢出電路之至少一部分。當基板20接受放射線(硬X線或γ線)而釋放電子時，電子則經由偏壓電壓而成為電離電流，從放射線檢出器用UBM電極構造體100，藉由電極層13，突起電極570及電極層13而流入至集成電路基板550。歷經電容器591，放大器593而變換為脈衝信號，而脈衝信號則由多道分析器所解析，得到放射線之光譜。
在本發明中，於與電極層13之突起電極570連接的面，配設UBM(Under Bump Metal)層130。如上述，由以往的無電解鎳電鍍而形成UBM層之情況，亦可加以形成高阻抗之磷濃縮層。銳意檢討抑制形成有此磷濃縮層者，而形成低阻抗之UBM層之方法的結果，通常係作業工程成為煩雜而未加以進行，發現經由組合濺鍍與無電解電鍍而形成UBM層之時可實現，使發明完成。在本說明書中，作為例而顯示以下4種方法，但本發明係並不限定於此等者。
(實施形態1)
圖4係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器2000的模式圖。圖4係擴大圖2之一部分的圖。放射線檢出器2000係藉由UBM層230，而將突起電極570連接於電極層13。有關本實施形態之UBM層230係具備：經由濺鍍而形成於Pt或Au電極層13上之Ni層231，和經由濺鍍而形成於Ni層231上之Au層233。
在本實施形態中，電極層13之膜厚為0.05μm以上0.10μm以下者為佳。當電極層13之膜厚則較0.05為薄時，耐久性為低，且由稍微的衝擊而部分性定喪失電極層13，而露出CdZnTe。另外，當電極層13之膜厚則較0.10μm為厚時，與CdZnTe的密著性則下降，而電極層13則容易剝離之故而不理想。另外，Ni層231之膜厚為0.2μm以上0.6μm以下者為佳。Ni層231的膜厚則較0.2μm為薄時，耐久性為低，且由稍微的衝擊而部分性定喪失Ni層231。另外，當Ni層231的膜厚則較0.6μm為厚時，與電極層13之密著性則下降，變為容易剝落之故而並不理想。
(放射線檢出器之製造方法)
對於有關實施形態之放射線檢出器2000之製造方法加以說明。放射線檢出器2000之製造方法係例如，包含基板製造工程，電極形成工程，切割工程及集成電路基板連接工程，但並非限定於此等者。圖5係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器2000的製造工程之模式 圖。
基板製造工程(圖5(a))係準備CdTe或CdZnTe所成之基板的工程，經由將CdTe或CdZnTe之單結晶單晶塊，沿著結晶面(111)而切斷而切出薄圓盤狀之基板(晶圓)(切斷工程)。切出的基板係使用氧化鋁粉末等之研磨劑，物理性地鏡面研磨切斷面(配設金屬電極11之第1面及配設電極層13之第2面)(研磨工程)。此研磨工程係對於各基板進行複數次反覆亦可。
在電極形成工程中，係形成金屬電極11於基板20之第1面(圖5(b))，呈與金屬電極對向地形成電極層13於基板20的第2面(圖5(c))。在電極形成工程中，例如，將基板20浸漬於甲醇，再經由以室溫進行超音波洗淨之時，除去附著於基板20之異物。於基板20的表面塗佈光阻劑，利用描繪有像素電極圖案之光罩而將光阻劑曝光。並且，除去經由顯像而感光之光阻劑。之後，例如，將基板20浸漬於混合溴化氫，溴素及水的蝕刻液，以室溫蝕刻基板20的研磨面而從基板20的表面，除去加工變質層。可使用甲醇而從基板20除去蝕刻液，使用純水而從基板除去甲醇而形成電極圖案13者。
之後，由將基板20浸漬於混合鹽酸於氯鉑酸(IV)六水和物水溶液的電鍍液者，於除去基板20之研磨面的光阻劑部分，使貴金屬，例如，白金(Pt)析出，形成0.05μm以上0.10μm以下膜厚之電極層13(無電解電鍍工程)。然而，經由同樣之無電解電鍍工程，可形成金(Au) 所成之電極層13者。
將形成金屬電極11及電極層13之基板20，安裝於濺鍍裝置，以Ar氣體環境，使電漿產生而濺鍍Ni標靶，於基板20形成膜厚為0.2μm以上0.6μm以下之Ni層231(圖5(d))。接著，切換為Au標靶而於Ni層231上，形成Au層233(圖6(a))。
Ni層231與Au層233係亦加以形成於光阻劑殘留部12上，將基板20浸漬於丙酮等之溶劑，進行超音波洗淨，剝離殘留之光阻劑12，再剝離光阻劑12上之Ni層231及Au層233。使用純水而洗淨基板20，例如，經由噴射氮氣於基板20而使其乾燥，對於電極層13得到於Ni層231上具備Au層233所成之UBM層230的放射線檢出器用UBM電極構造體200(圖6(b))。
之後，適宜切割放射線檢出器用UBM電極構造體200。經由此，加以形成切斷為特定形狀之放射線檢出元件。然而，對於切割係可使用公知的方法之故，詳細的說明係省略之。將配設構成放射線檢出元件之放射線檢出器用UBM電極構造體200的UBM層230之電極層13，藉由突起電極570而與構成檢出電路之集成電路基板550的電極層560連接(圖6(c))。經由此，可製造有關本實施形態之放射線檢出器2000者。
如以上說明，有關本實施形態之放射線檢出器係經由組合經由無電解電鍍之電極層形成與經由濺鍍之UBM層形成之時，可得到充分之密著力者。此係可經由 使用濺鍍之堆積而抑制UBM層形成時之電極層劣化之同時，經由將Ni層厚作為0.2μm以上0.6μm以下之時，而可得到保持突起電極之焊錫阻障性同時可使用之密著性之故。另外，因以濺鍍而形成UBM層之Ni層之故而可形成純度高之Ni層，而可抑制在電鍍工程等，容易從電鍍液混入之磷的混入之故，可抑制於形成UBM層時之Ni層表面，經由磷之熱擴散的磷混入(P-rich)層之形成，而可迴避經由P-rich層之高阻抗化之故，可實現充分之電性特性實現之放射線檢出器用UBM電極構造體及放射線檢出器者。
(實施形態2)
在實施形態1中，說明過經由濺鍍而形成UBM層的例。在本實施形態中，係對於組合濺鍍與無電解電鍍而形成UBM層的例加以說明。圖7係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器3000的模式圖。圖7係擴大圖2之一部分的圖。放射線檢出器3000係藉由UBM層330，而將突起電極570連接於電極層13。有關本實施形態之UBM層330係具備：經由濺鍍而形成於Pt或Au電極層13上之Ni層331，和經由無電解電鍍而依序形成於Ni層331上之Ni層333及Au層335。
在本實施形態中，Ni層331之膜厚為0.05μm以上0.10μm以下者為佳。當Ni層331之膜厚則較0.05μm為薄時，在之後工程之無電解Ni電鍍工程中，引 起電極層13的浸蝕而並不理想。另外，耐久性為低，且由稍微的衝擊而部分性定喪失Ni層之故，而並不理想。另一方面，雖無經由濺鍍而將Ni層331，經由作為較0.10μm為厚之層積之大的問題，但從電極層13之耐浸蝕性與製造成本的點，在0.10μm以下而為充分。另外，經由無電解電鍍而形成於Ni層331上之Ni層333的膜厚則為0.2μm以上1μm以下者為佳。當Ni層333的膜厚則較0.2μm為薄時，對於UBM本來之機能的突起電極之電極層13的擴散防止則成為不充分，另外，當Ni層333的膜厚則較1μm為厚時，與Ni層331之密著性則下降而容易剝落之故，並不理想。
然而，在實施形態1中，於經由無電解電鍍而形成之Pt或Au電極層13上，由形成經由濺鍍之Ni層231，更且於其上方形成經由濺鍍之Au層233者，有著密著性，確認可實現低阻抗UBM構造者。另外，在實施形態2中，由經由濺鍍而形成極薄的Ni層331於無電解電鍍電極層13上，於其上方依序形成經由無電解電鍍之Ni層333及經由無電解電鍍之Au層335者，經由濺鍍之極薄的Ni層331則作為無電解Ni電鍍時之電極層13的耐浸蝕層而發揮機能，而可防止經由電極層13之腐蝕的電性特性劣化，另外作為Ni層333而可形成有密著性之無電解Ni電鍍層，而確認到Au表層之焊錫潤濕性亦為良好者。
(放射線檢出器之製造方法)
對於有關實施形態之放射線檢出器3000之製造方法加以說明。放射線檢出器3000之製造方法係例如，包含基板製造工程，電極形成工程，切割工程及集成電路基板連接工程，但並非限定於此等者。圖8係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器3000的製造工程之模式圖。
基板製造工程(圖8(a))係準備CdTe或CdZnTe所成之基板的工程，經由將CdTe或CdZnTe之單結晶單晶塊，沿著結晶面(111)而切斷而切出薄圓盤狀之基板(晶圓)(切斷工程)。切出的基板係使用氧化鋁粉末等之研磨劑，物理性地鏡面研磨切斷面(配設金屬電極11之第1面及配設電極層13之第2面)(研磨工程)。此研磨工程係對於各基板進行複數次反覆亦可。
在電極形成工程中，係形成金屬電極11於基板20之第1面(圖8(b))，呈與金屬電極對向地形成電極層13於基板20的第2面(圖8(c))。在電極形成工程中，例如，將基板20浸漬於甲醇，再經由以室溫進行超音波洗淨之時，除去附著於基板20之異物。於基板20的表面塗佈光阻劑，利用描繪有像素電極圖案之光罩而將光阻劑曝光。並且，除去經由顯像而感光之光阻劑。之後，例如，將基板20浸漬於混合溴化氫，溴素及水的蝕刻液，以室溫蝕刻基板20的研磨面而從基板20的表面，除去加工變質層。可使用甲醇而從基板20稀釋除去蝕刻液，更 且，使用純水而從基板洗淨除去甲醇而形成電極圖案12者。
之後，例如，由將基板20浸漬於混合鹽酸於氯鉑酸(IV)六水和物水溶液的電鍍液者，於除去基板20之研磨面的光阻劑部分，使貴金屬，例如，白金(Pt)析出，形成0.05μm以上0.10μm以下膜厚之電極層13(無電解電鍍工程)。然而，經由使用含有氯金酸(III)四水和物及氫氧化鈉的電鍍液，進行無電解電鍍之時，可形成金(Au)所成之電極層13者。
將形成金屬電極11及電極層13之基板20，安裝於濺鍍裝置，以Ar氣體環境，使電漿產生而濺鍍Ni標靶，於基板20形成Ni層331(圖8(d))。
在本實施形態中，係浸漬於無電解Ni電鍍液，而於經由濺鍍而形成之Ni層331上，更加形成膜厚0.2μm以上1μm以下之Ni層333(圖9(a))。經由無電解電鍍而形成Au層335於Ni層333上(圖9(b))。Ni層331，Ni層333與Au層335係亦加以形成於光阻劑殘留部12上，將基板20浸漬於丙酮等之溶劑，進行超音波洗淨，剝離殘留之光阻劑12，再剝離光阻劑12上之Ni層331，Ni層333及Au層335。使用純水而洗淨基板20，例如，經由噴射氮氣於基板20而使其乾燥，對於電極層13得到具備Ni層331，Ni層333及Au層335所成之UBM層330的放射線檢出器用UBM電極構造體300(圖9(c))。
之後，適宜切割放射線檢出器用UBM電極構 造體300。經由此，加以形成切斷為特定形狀之放射線檢出元件。然而，對於切割係可使用公知的方法之故，詳細的說明係省略之。將配設構成放射線檢出元件之放射線檢出器用UBM電極構造體300的UBM層330之電極層13，藉由突起電極570而與構成檢出電路之集成電路基板550的電極層560連接(圖10)。經由此，可製造有關本實施形態之放射線檢出器3000者。
有關本實施形態之放射線檢出器係經由無電解電鍍而形成UBM層之一部分，但於經由無電解電鍍而形成之電極層上，形成經由濺鍍之Ni層之故，而可得到充分的密著力者。另外，經由無電解電鍍而形成之UBM層係發揮充分的密著性，但在UBM層形成時，使電極層劣化。但在本實施形態中，經由於電極層與經由無電解電鍍而形成之UBM層之間，以濺鍍薄化形成Ni層之時，可抑制對於無電解電鍍時之電極層的磷之混入者。隨之，在本實施形態中，可實現充分電性特性之放射線檢出器用UBM電極構造體及放射線檢出器者。
(實施形態3)
在實施形態3中，對於形成配置Pd層於Ni層與Au層之間的UBM層的例加以說明。圖11係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器4000的模式圖。圖11係擴大圖2之一部分的圖。放射線檢出器4000係藉由UBM層430，而將突起電極570連接於電極層13。有關本實施形 態之UBM層430係具備：經由濺鍍而形成於Pt或Au電極層13上之Ni層431，和形成於Ni層431上之Pd層433，及形成於Pd層433上之Au層435。然而，在本實施形態中，Pd層433係可經由濺鍍或無電解電鍍而形成者。
在本實施形態中，Ni層431之膜厚為0.2μm以上0.6μm以下者為佳。當Ni層431的膜厚則較0.2μm為薄時，無法防止在焊錫接合時，焊錫成分之浸蝕之故而並不理想。另一方面，雖無經由濺鍍而將Ni層431，經由作為較0.6μm為厚之層積之大的問題，但從電極層13之密著性下降而容易產生電極膜的剝落與製造成本的點，在0.6μm以下而為充分。
另外，經由濺鍍而形成於Ni層431上之Pd層433的膜厚則為0.03μm以上0.1μm以下者為佳。在本實施形態中，Pd層433係可抑制對於Au層435表面之Ni的熱擴散，而抑制在Au層435表面之鎳氧化物的生成，改善焊錫的潤濕性者。因此，當Pd層433的膜厚則較0.03μm為薄時，抑制防止對於Au層435表面之Ni的熱擴散則成為不充分，另外，當Pd層433的膜厚則較0.1μm為厚時，因與Ni層431之密著性下降而容易剝落之故，而並不理想。
然而，在實施形態3中，於無電解電鍍電極層13上，形成經由濺鍍之Ni層431，而於其上方依序形成經由濺鍍之Pd層433及經由濺鍍之Au層435者，確 認到抑制對於Au層435表面之Ni的熱擴散，而抑制在Au層435表面之鎳氧化物之生成，改善焊錫之潤濕性者。
(放射線檢出器之製造方法)
對於有關實施形態之放射線檢出器4000之製造方法加以說明。放射線檢出器4000之製造方法係例如，包含基板製造工程，電極形成工程，切割工程及集成電路基板連接工程，但並非限定於此等者。圖12係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器4000的製造工程之模式圖。
基板製造工程(圖12(a))係準備CdTe或CdZnTe所成之基板的工程，經由將CdTe或CdZnTe之單結晶單晶塊，沿著結晶面(111)而切斷而切出薄圓盤狀之基板(晶圓)(切斷工程)。切出的基板係使用氧化鋁粉末等之研磨劑，物理性地鏡面研磨切斷面(配設金屬電極11之第1面及配設電極層13之第2面)(研磨工程)。此研磨工程係對於各基板進行複數次反覆亦可。
在電極形成工程中，係形成金屬電極11於基板20之第1面(圖12(b))，呈與金屬電極對向地形成電極層13於基板20的第2面(圖12(c))。電極形成工程係亦可為與上述之實施形態2同樣的工程，詳細之說明係省略之。
將形成金屬電極11及電極層13之基板20， 安裝於濺鍍裝置，以Ar氣體環境，使電漿產生而濺鍍Ni標靶，於基板20形成Ni層431(圖12(d))。
在本實施形態中，係於經由濺鍍而形成之Ni層431上，更加形成Pd層433(圖13(a))。另外，於Pd層433上，經由濺鍍而形成Au層435(圖13(b))。Ni層431，Pd層433及Au層435係亦加以形成於光阻劑殘留部12上，將基板20浸漬於丙酮等之溶劑，進行超音波洗淨，剝離殘留之光阻劑12，再剝離光阻劑12上之Ni層431，Pd層433及Au層435。使用純水而洗淨基板20，例如，經由噴射氮氣於基板20而使其乾燥，對於電極層13得到具備Ni層431，Pd層433及Au層435所成之UBM層430的放射線檢出器用UBM電極構造體400(圖13(c))。
之後，適宜切割放射線檢出器用UBM電極構造體400。經由此，加以形成切斷為特定形狀之放射線檢出元件。然而，對於切割係可使用公知的方法之故，詳細的說明係省略之。將配設構成放射線檢出元件之放射線檢出器用UBM電極構造體400的UBM層430之電極層13，藉由突起電極570而與構成檢出電路之集成電路基板550的電極層560連接(圖14)。經由此，可製造有關本實施形態之放射線檢出器4000者。
有關本實施形態之放射線檢出器係於無電解電鍍電極層13上，形成經由濺鍍之Ni層431，而於其上方依序形成經由濺鍍之Pd層433及經由濺鍍之Au層435 者，可使對於UBM層430之電極層13的密著性提升。另外，可抑制對於Au層435表面之Ni的熱擴散，而抑制在Au層435表面之鎳氧化物的生成，改善焊錫的潤濕性者。隨之，在本實施形態中，可實現充分電性特性之放射線檢出器用UBM電極構造體及放射線檢出器者。然而，在本實施形態中，顯示經由濺鍍而形成Pd層433的例，但亦可經由無電解電鍍而形成者。
(實施形態4)
在實施形態4中，對於經由絕緣膜而分離配置UBM層之電極層13彼此之間的例加以說明。圖15係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器6000的模式圖。圖15係對應於擴大圖2之一部分的圖。在圖15中，放射線檢出器6000係作為一例而藉由UBM層430，而將突起電極570連接於電極層13。
在一實施形態中，放射線檢出器6000係具備：基板20，和加以配設於基板20之第1面(在圖15中係基板20之下面)之金屬電極11，和加以配設於與第1面對向之基板20之第2面(在圖15中係基板20之上面)的電極層13。另外，放射線檢出器6000係加以配設UBM層430於電極層13上。金屬電極11係例如，加以形成於基板20之第1面的全面。另外，電極層13係例如，加以配設成矩陣狀於基板20之第2面。另外，放射線檢出器6000係具備配設電極層560之集成電路基板550。
在本實施形態中，於電極層13及UBM層430之側面，和UBM層430之Au層435表面之一部分，和加以配置有基板20之第2面的電極層13的面(詳細而言係未加以配置有基板20之第2面之電極層13的部分)，加以配置有絕緣膜610。絕緣膜610係使電極層13與UBM層430之密著性提升的同時，可降低在與配置鄰接之UBM層430之電極層13之間的洩漏電流者。
作為絕緣膜610係亦可考慮以一般所使用之SiO2而形成絕緣膜者，但即使於CdTe或CdZnTe所成之基板20，以SiO2而形成膜，密著性亦弱，且容易剝弱情況則經由本發明者們的檢討而明確了解到。從對於CdTe或CdZnTe所成之基板20而言之密著性的觀點，有關本實施形態之絕緣膜610係以聚苯並噁唑(PBO)而加以形成。
在本實施形態中，絕緣膜610之膜厚為0.1μm以上10μm以下者為佳。當絕緣膜610之膜厚則較0.1μm為薄時，可未充分地降低在配置鄰接之UBM層430之電極層13之間的洩漏電流而並不理想。另一方面，較5μm為厚地形成絕緣膜610時，絕緣膜與電極．基板之間的密著性則下降而成為容易剝落。
(放射線檢出器之製造方法)
對於有關實施形態之放射線檢出器6000之製造方法加以說明。在放射線檢出器6000之製造方法中，至形成 放射線檢出器用UBM電極構造體400為止之工程係與實施形態3同樣之故，詳細的說明係省略之。
圖16係顯示有關本發明之一實施形態的放射線檢出器6000的製造工程之模式圖。於加以配置有放射線檢出器用UBM電極構造體400之電極層13及UBM層430的面，塗佈聚苯並噁唑(PBO)，形成PBO層611(圖16(a))。為了將為了配置突起電極570之開口形成於UBM層430，而形成光阻劑圖案615(圖16(b))。於PBO層611，照射紫外線而使其硬化，形成絕緣膜610。經由顯像及水洗，加以除去加以配置有光阻劑圖案615之未硬化之PBO層611，加以形成具有開口之絕緣膜610。(圖16(c))。
之後，適宜切割形成絕緣膜610之放射線檢出器用UBM電極構造體400。經由此，加以形成切斷為特定形狀之放射線檢出元件。然而，對於切割係可使用公知的方法之故，詳細的說明係省略之。將配設構成放射線檢出元件之放射線檢出器用UBM電極構造體400的UBM層430之電極層13，藉由突起電極570而與構成檢出電路之集成電路基板550的電極層560連接(圖16(d))。經由此，可製造有關本實施形態之放射線檢出器6000者。
有關本實施形態之放射線檢出器係經由於電極層13及UBM層430的側面，和UBM層430之Au層435表面的一部分，和未加以配置基板20之第2面的電極層13之部分，配置絕緣膜610之時，使電極層13與 UBM層430之密著性提升之同時，可降低在與配置鄰接之UBM層430的電極層13之間的洩漏電流者。特別是有關本實施形態之放射線檢出器係經由具有於Ni層431與Au層435之間配置Pd層433的UBM層430之時，在絕緣膜610之形成時的熱施加中，可防止Ni層431中的Ni則擴散於Au層435而使焊錫潤濕性劣化情況。
[實施例]
依據上述之實施形態，使用進行拋光(鏡面研磨)處理之30mm×30mm的CdZnTe基板，為了除去經由拋光處理而加以形成之加工變質層，而將CdZnTe基板浸漬於1容量%溴素甲醇溶液，將基板表面進行20μm蝕刻。
(金屬電極之形成)
於基板的表面塗佈光阻劑，利用描繪有像素電極圖案之光罩而將光阻劑曝光。並且，除去經由顯像而感光之光阻劑。於以莫耳濃度1：0.006：6的比例而混合溴化氫：溴素：水之蝕刻液，浸漬基板，以室溫而蝕刻基板的研磨面而從基板表面，除去加工變質層。使用甲醇而從基板，除去蝕刻液，使用純水而從基板除去甲醇。
(實施例1~3)
準備CdZnTe基板(111)，於CdZnTe基板20的面上塗佈光阻劑，經由光微影法而形成電極圖案狀之膜厚3μm 的光阻劑圖案12。將以光阻劑膜所被覆之CdZnTe基板，使用以莫耳濃度1：0.006：6的比例而混合溴化氫：溴素：水之蝕刻液，蝕刻基板20。除去存在於基板20之光阻劑圖案形成面的露出部分之不純物，或在基板20之切出工程產生之加工變質層等。
浸漬於加熱溶解氯鉑(IV)酸六水和化物與鹽酸的水溶液浴，形成50nm經由無電解電鍍之白金(Pt)層。白金層係未加以形成於光阻劑殘留部12，而加以形成白金電極圖案。
將形成白金電極層13的基板20，安裝於濺鍍裝置，以Ar氣體0.2Pa之條件下，使電漿產生而濺鍍Ni標靶，各形成膜厚0.2、0.4、及0.6μm之Ni層231。
接著，切換為Au標靶而於Ni層231上，形成膜厚50nm的Au層233。Ni層231與Au層233係亦加以形成於光阻劑殘留部12上。因此，將基板20浸漬於丙酮，進行超音波洗淨，剝離殘留之光阻劑12，再剝離光阻劑12上之Ni層231及Au層233。經由此，於白金電極層13上，形成實施例1之UBM層230。在實施例1~3中，係加以形成具有白金50nm、鎳Xμm(X=0.2、0.4、0.6μm)、金50nm之膜構造的圖案電極。
(比較例1)
作為比較例1，除了將Ni層231的膜厚做成1.0μm以外係與上述實施例1~3同樣地，形成圖案電極。
(密著性之評估)
對於在實施例1~3及比較例1所形成之UBM層230，依據JIS．H8504之「電鍍之密著性試驗方法」之中，經由「膠帶試驗方法」而評估密著性。為了於所形成之圖案電極面進行膠帶試驗，在貼上透明膠帶(Nichiban#405、密著力3.98N/cm)之後剝下，確認電極13是否從保持附著於透明膠帶側之基板剝離。將密著性之評估結果示於表1。作為結果，在鎳X=1.0μm中，附著電極於膠帶，雖從基板剝離，但在X≦0.6中，電極則殘留於基板，未附著於膠帶。
(實施例4~13)
準備CdZnTe基板(111)，於CdZnTe基板20的面上塗佈光阻劑，經由光微影法而形成電極圖案狀之光阻劑圖案12。將以光阻劑膜所被覆之CdZnTe基板，使用以莫耳濃度1：0.006：6的比例而混合溴化氫：溴素：水之蝕刻液，蝕刻基板20。除去存在於基板20之光阻劑圖案形成 面的露出部分之不純物，或在基板20之切出工程產生之加工變質層等。
使用包含0.8g/L氯鉑酸(IV)六水和物及包含20ml/L35質量%鹽酸之水溶液，以溫度50℃進行10分鐘，或20分鐘浸漬進行無電解電鍍，形成各膜厚0.05μm、或0.1μm之Pt電極。
另外，使用包含7.5g/L氯金酸(III)四水和物及包含0.6g/L氫氧化鈉之水溶液，以溫度30℃進行1分鐘，或2分鐘浸漬進行無電解電鍍，形成各膜厚0.05μm、或0.1μm之Au電極。
將形成白金或金的電極層13的基板20，安裝於濺鍍裝置，以Ar氣體0.2Pa之條件下，使電漿產生而濺鍍Ni標靶，形成膜厚0.05μm、或0.10μm之Ni層331。
接著，將形成Ni層331之基板20，浸漬於無電解Ni電鍍液，於經由濺鍍而形成之Ni層331上，形成膜厚0.2~1.0μm之Ni層333。接著，將形成Ni層333之基板20，浸漬於置換形式之無電解Au電鍍液，於Ni層333上形成膜厚0.05μm之Au層335。將實施例4~13之各膜厚示於表2。
(比較例2)
作為比較例2，未形成經由濺鍍之Ni層331，而形成Ni層333及Au層335。在比較例2中，在無電解Ni電鍍 時，形成於CdZnTe基板上之Pt、Au電鍍電極則受到浸蝕而阻抗變大，而作為電極未發揮機能。
對於實施例4~13，評估焊錫之潤濕性。焊錫之潤濕性係經由JIS Z 3198-3而評估。將其評估結果示於表2。在任一實施例中，均得到良好之焊錫之潤濕性。
另外，對於實施例4~13，Pt膜係作為9.8μΩcm、Au膜係作為2.1μΩcm，經由計算而求得阻抗率，評估電性特性。將各實施例之阻抗率示於表2。如上述，在未包含經由濺鍍之Ni層331的比較例2中，阻抗為大，而作為電極未發揮機能。另一方面，在實施例4~13中，係實現60μΩcm以下之低阻抗。
(實施例14)
作為實施例14，形成配置Pd層433於Ni層431與 Au層435之間的UBM層430。準備CdZnTe基板(111)，於CdZnTe基板20的面上塗佈光阻劑，經由光微影法而形成電極圖案狀之光阻劑圖案。將以光阻劑膜所被覆之CdZnTe基板20，使用以莫耳濃度1：0.006：6的比例而混合溴化氫：溴素：水之蝕刻液，蝕刻基板。除去存在於CdZnTe基板20之光阻劑圖案形成面的露出部分之不純物，或在CdZnTe基板20之切出工程產生之加工變質層等。
使用包含0.8g/L氯鉑酸(IV)六水和物及包含20ml/L35質量%鹽酸之水溶液，以溫度50℃進行10分鐘浸漬進行無電解電鍍，形成膜厚0.05μm之Pt電極。
將形成Pt電極層13的基板，安裝於濺鍍裝置，以Ar氣體0.2Pa之條件下，使電漿產生而濺鍍Ni標靶，形成膜厚0.5μm之Ni層431。接著，Pd標靶，最後切換為Au標靶，依序將膜厚50nm之Pd層433、膜厚50nm之Au層435，形成於Ni層431上。將此浸漬於丙酮，進行超音波洗淨，剝離殘留之光阻劑而進行剝離。經由此，於Pt電極層13上形成UBM層430。在本實施例14中，經由將Pd層433配置於Ni層431與Au層435之間之時，可抑制Ni層431中之Ni則擴散於Au層435，再擴散於Au層435之最表面層而形成Ni之氧化膜，而抑制焊錫潤濕性的劣化者。
(實施例15)
作為實施例15，於電極層13與電極層13之間，形成絕緣膜610。經由此而抑制經由藉由電極間之電流的洩漏的檢出信號的劣化，亦可防止由成為露出之電極間之基板表面則與水分等之接觸者，基板本身的特性產生變化。作為絕緣膜係嘗試過以化學氣層堆積法而形成當初SiO2膜，而以氟酸選擇蝕刻電極部分之方法，但在本方法中係必須將基板20加熱至300~400℃，經由SiO2膜與CdZnTe基板20之熱膨脹的差，在電極層13附近產生有SiO2膜之剝離619(圖17(a))。
為了以更低溫而形成絕緣膜610，而以有機永久光阻劑膜之聚苯並噁唑(PBO)(製品名：日本住友Bakelite公司CRC-8300S)，形成絕緣膜610。將CRC-8300S，塗佈於附UBM電極層之CdZnTe基板20之後，以120℃進行5分鐘預烘乾後，藉由圖案光罩，以水銀燈而照射510mJ/cm2紫外光而於電極上，作成挖空圓形的窗。之後，進行顯像處理，溶解水洗PBO膜的窗部。最後，以高純度氮素氣流中，由200℃進行15分鐘加熱而形成絕緣膜610。在本實施例中，在絕緣膜610與基板20之間未產生有剝離(圖17(b))。在本實施例中，經由將Pd層433配置於Ni層431與Au層435之間之時，在絕緣膜610之形成時的熱施加中，可抑制經由Ni層431中的Ni擴散於Au層435之焊錫潤濕性的劣化，更且亦可降低在與配置鄰接之UBM層430的電極層13之間的洩漏電流者。
11‧‧‧金屬電極
13‧‧‧電極層
20‧‧‧基板
130‧‧‧UBM層
550‧‧‧集成電路基板
560‧‧‧電極層
570‧‧‧突起電極
1000‧‧‧放射線檢出器

Claims (14)

  1. 一種放射線檢出器用UBM電極構造體，係具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，其特徵為具備：經由無電解電鍍而形成於前述基板上之Pt或Au電極層，和經由濺鍍而形成於前述Pt或Au電極層上之Ni層，和經由濺鍍而形成於前述Ni層上之Au層者；其中，前述Ni層的膜厚為0.2μm以上0.6μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體，其中，前述Pt或Au電極層之膜厚為0.05μm以上0.10μm以下。
  3. 一種放射線檢出器用UBM電極構造體，係具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，其特徵為具備：經由無電解電鍍而形成於前述基板上之Pt或Au電極層，和經由濺鍍而形成於前述Pt或Au電極層上之Ni層，和經由無電解電鍍而依序形成於前述Ni層上之Ni層及Au層者。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體，其中，經由前述濺鍍而形成之Ni層的膜厚為0.05μm以上0.10μm以下，而經由前述無電解電鍍而形成之Ni層的膜厚為0.2μm以上1μm以下者。
  5. 一種放射線檢出器用UBM電極構造體，係具有CdTe或CdZnTe所成之基板的放射線檢出器用UBM電極構造體，其特徵為具備：經由無電解電鍍而形成於前述基板上之Pt或Au電極層，和經由濺鍍而形成於前述Pt或Au電極層上之Ni層，和經由濺鍍而依序形成於前述Ni層上之Pd層及Au層者。
  6. 如申請專利範圍第5項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體，其中，具備：加以配置於前述Pt或Au電極層及UBM層之側面，和前述UBM層之上面的一部分，和加以配置前述Pt或Au電極層之前述基板的面之絕緣膜者。
  7. 一種放射線檢出器，其特徵為具備：包含申請專利範圍第1項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體，與和經由前述無電解電鍍而形成之Pt或Au電極層對向，加以配設於前述基板之金屬電極層的放射線檢出元件，和藉由突起電極而與前述放射線檢出元件之前述Au層連接之檢出電路者。
  8. 一種放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法，其特徵為準備CdTe或CdZnTe所成之基板，於前述基板之第1面形成金屬電極，呈與前述金屬電極對向地，經由無電解電鍍而形成Pt或Au電極層於前述基板之第2面， 經由濺鍍而形成膜厚為0.2μm以上0.6μm以下的Ni層於前述Pt或Au電極層上，而經由濺鍍而形成Au層於前述Ni層上者。
  9. 如申請專利範圍第8項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法，其中，前述Pt或Au電極層係形成為0.05μm以上0.10μm以下之膜厚。
  10. 一種放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法，其特徵為準備CdTe或CdZnTe所成之基板，於前述基板之第1面形成金屬電極，呈與前述金屬電極對向地，經由無電解電鍍而形成Pt或Au電極層於前述基板之第2面，經由濺鍍而形成Ni層於前述Pt或Au電極層上，經由無電解電鍍而更形成Ni層於前述Ni層上，而經由無電解電鍍而形成Au層於經由無電解電鍍而形成之前述Ni層上者。
  11. 如申請專利範圍第10項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法，其中，經由濺鍍而形成之前述Ni層係形成為0.05μm以上0.10μm以下之膜厚，而經由無電解電鍍而形成之前述Ni層係形成為0.2μm以上1μm以下之膜厚者。
  12. 一種放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法，其特徵為準備CdTe或CdZnTe所成之基板，於前述基板之第1面形成金屬電極，呈與前述金屬電極對向地，經由無電解電鍍而形成Pt或Au電極層於前述 基板之第2面，經由濺鍍而形成Ni層於前述Pt或Au電極層上，經由濺鍍而更形成Pd層於前述Ni層上，而經由濺鍍而形成Au層於前述Pd層上者。
  13. 如申請專利範圍第12項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體之製造方法，其中，於前述Pt或Au電極層及UBM層之側面，和前述UBM層之上面的一部分，和加以配置前述Pt或Au電極層之前述基板的面，形成絕緣膜者。
  14. 一種放射線檢出器之製造方法，其特徵為將包含申請專利範圍第1項記載之放射線檢出器用UBM電極構造體的前述基板，切斷為特定之形狀，形成放射線檢出元件，藉由突起電極而將檢出電路連接於前述放射線檢出元件之前述Au層者。
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